JP3371899B2 - Lithography system, information collecting apparatus, setting apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

Lithography system, information collecting apparatus, setting apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method

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JP3371899B2 JP2001316698A JP2001316698A JP3371899B2 JP 3371899 B2 JP3371899 B2 JP 3371899B2 JP 2001316698 A JP2001316698 A JP 2001316698A JP 2001316698 A JP2001316698 A JP 2001316698A JP 3371899 B2 JP3371899 B2 JP 3371899B2
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数台の露光装置を使
ったリソグラフィ・システムにおける製造装置の各種制
御、及び各種情報の管理を自動的に行なうシステムに関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a system for automatically controlling various kinds of manufacturing equipment and managing various kinds of information in a lithography system using a plurality of exposure apparatuses.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスや液晶デバイスの製造工
程には、通常リソグラフィと呼ばれる工程が含まれてい
る。多くの場合、このリソグラフィ工程とは、光学的な
ものを意味し、半導体ウェハやガラスプレート上に感光
済(フォトレジスト)を1μm程度の厚みで塗布するこ
とから始まり、そのレジスト層に対してマスクパターン
を露光した後に現像することで終了する。
2. Description of the Related Art Manufacturing processes for semiconductor devices and liquid crystal devices usually include a process called lithography. In many cases, this lithography process means an optical process, which starts with applying a photo-sensitized (photoresist) film on a semiconductor wafer or a glass plate to a thickness of about 1 μm, and then masks the resist layer. The process ends by exposing the pattern and then developing it.

【0003】現在、デバイスの製造現場では、レジスト
を基板に塗布する工程と、露光後の基板を現像する工程
とは、専らコータ・デベロッパーと呼ばれる装置で処理
され、露光装置は、レジストが塗布された基板にマスク
パターンを精密にアライメントして所定の解像力で転写
することに使われている。
At present, at the device manufacturing site, the step of applying a resist to a substrate and the step of developing a substrate after exposure are processed exclusively by an apparatus called a coater / developer, and an exposure apparatus is applied with a resist. It is used to precisely align a mask pattern on a substrate and transfer it with a predetermined resolution.

【0004】量産デバイスを扱う製造ラインでは、コー
タ・デベロッパーと露光装置とがインライン化されてお
り、オペレータはコータ・デベロッパーに複数枚の未処
理基板が収納されたカセットをセットするだけで、後は
全て自動的に加工処理が行なわれている。
In a production line handling mass-produced devices, a coater / developer and an exposure apparatus are inlined, and an operator simply sets a cassette containing a plurality of unprocessed substrates in the coater / developer. All are processed automatically.

【0005】また、量産性を高めるために製造ラインで
は複数台の露光装置(及びコータ・デベロッパー)を並
行して使っている。この場合、各露光装置毎に稼動率を
高める必要があるため、ラインを組む複数台の露光装置
は、露光装置側のコンピュータに対して上位の関係にあ
るホストコンピュータによって統括(群)制御されてい
る。
Further, in order to improve mass productivity, a plurality of exposure apparatuses (and coater / developer) are used in parallel in the production line. In this case, since it is necessary to increase the operation rate for each exposure apparatus, a plurality of exposure apparatuses that form a line are centrally (group) controlled by a host computer that is in a superordinate relationship with the exposure apparatus-side computer. There is.

【0006】図1は、従来の統括制御の一例を模式的に
示したブロック図である。図1中に示したブロックEX
P1 、EXP2 …EXPnは露光装置を表し、CD1 、
CD1 …CDnはコータ・デベロッパーを表す。各露光
装置EXPn内には当然のことながら本体制御用のコン
ピュータCMP・Enが設けられ、コータ・デベロッパ
ーCDn内にも本体制御用のコンピュータCMP・Cn
が設けられている。また各露光装置EXPn内には、予
め指定された複数枚のレチクル(マスク)を保管するレ
チクルライブラリーRL1 、RL2 …RLnが設けら
れ、コンピュータCMP・Enの指令によって必要なレ
チクルに自動的に変換される。さらに、コータ・デベロ
ッパーCDnには、予め指定されたウェハのロット(通
常25枚)をカセット単位で保管するライブラリーWC
L1 、WCL2 …WCLnが付属している。このウェハ
カセットライブラリーWCLnは、無人化された製造ラ
インにおいては、自動搬送ロボットが最も早く処理の終
るようなコータ・デベロッパーCDnを選んで所望のウ
ェハカセットを自動搬入するように構成されているた
め、必ずしもコータ・デベロッパーCDnとインライン
化されている必要はない。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing an example of conventional integrated control. Block EX shown in FIG.
P1, EXP2 ... EXPn represent an exposure apparatus, and CD1,
CD1 ... CDn represents a coater / developer. As a matter of course, a computer CMP / En for controlling the main body is provided in each exposure apparatus EXPn, and a computer CMP / Cn for controlling the main body is also provided in the coater / developer CDn.
Is provided. Further, each exposure apparatus EXPn is provided with reticle libraries RL1, RL2, ... RLn for storing a plurality of predesignated reticles (masks), which are automatically converted into necessary reticles by a command from the computer CMP / En. To be done. Furthermore, the coater / developer CDn has a library WC that stores a lot (usually 25 wafers) of wafers designated in advance in cassette units.
L1, WCL2 ... WCLn are attached. This wafer cassette library WCLn is configured to automatically load a desired wafer cassette by selecting a coater / developer CDn that allows the automatic transfer robot to finish the process in the fastest unmanned production line. , Is not necessarily inline with the coater / developer CDn.

【0007】さて、各露光装置EXPnのコンピュータ
CMP・Enと各コータ・デベロッパーCDnのコンピ
ュータCMP・Cnは、ともにRS232C回線のよう
な通信機能を備えており、この回線を利用して中位のコ
ンピュータであるパーソナルコンピュータ(パソコンと
する)PC1 、PC2 …PCnと結合されている。さら
にパソコンPC1 、PC2 …PCnは上位のホストコン
ピュータH・COMと結合されている。ホストコンピュ
ータH・COMはそれぞれのパソコンPC1 、PC2 …
PCnに対して、所定のレチクルを使った所定ウェハの
露光処理の実行を指令したり、各パソコンからの処理終
了等の情報を受け取ってリソグラフィ工程全体の管理
(ウェハ物流管理、レチクル管理も含む)を行なう。
The computer CMP.En of each exposure apparatus EXPn and the computer CMP.Cn of each coater / developer CDn both have a communication function such as an RS232C line, and a medium computer using this line. Are connected to personal computers PC1, PC2 ... PCn. Further, the personal computers PC1, PC2 ... PCn are connected to the host computer H.COM of the upper level. The host computers H and COM are personal computers PC1 and PC2 ...
The PCn is instructed to execute the exposure processing of a predetermined wafer using a predetermined reticle, and information such as the completion of processing from each personal computer is received to control the entire lithography process (including wafer distribution management and reticle management). Do.

【0008】またパソコンPC1 、PC2 …PCnは、
ホストコンピュータH・COMからの指令に従って、コ
ータ・デベロッパーCDnや露光装置EXPnの処理動
作を最適化するように管理するとともに、所定の処理が
終了したか否か、トラブルがなかったか否か等の情報を
ホストコンピュータH・COMへ送る。ホストコンピュ
ータH・COMは、ICデバイスの製造管理をトータル
に行なうために、処理すべき品種に応じたウェハ及びレ
チクルの供給管理(物流管理)、各露光装置EXPnで
の処理能力(スループット)の算出等を行なうととも
に、ラインを構成している各露光装置毎の稼動率を最も
高めるように、全体の運営を管理する。
The personal computers PC1, PC2 ... PCn are
According to a command from the host computer H / COM, the processing operations of the coater / developer CDn and the exposure apparatus EXPn are managed so as to be optimized, and information such as whether or not a predetermined processing is completed and whether or not there is any trouble To the host computer H.COM. The host computer H / COM performs wafer and reticle supply management (physical distribution management) according to the type of product to be processed, and processing capacity (throughput) of each exposure apparatus EXPn in order to carry out total IC device manufacturing management. Etc., and manage the overall operation so as to maximize the operating rate of each exposure apparatus that constitutes the line.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】図1に示したリソグラ
フィ工程のラインで使われる露光装置として、現在で
は、レチクルのパターンを1/5(又は1/10)程度
に縮小投影するステッパーが主流となっている。半導体
デバイスの微細化に伴って、これらステッパーに要求さ
れる加工精度も年々厳しくなり、ステッパー側の性能マ
ージン(仕様書上で保証する精度と、安定して得られる
実力の精度との差)も小さくなってきているのが実情で
ある。
As an exposure apparatus used in the line of the lithography process shown in FIG. 1, a stepper for reducing and projecting a reticle pattern to about 1/5 (or 1/10) is currently the mainstream. Has become. With the miniaturization of semiconductor devices, the processing accuracy required for these steppers also becomes stricter year by year, and the performance margin on the stepper side (difference between the accuracy guaranteed on the specification sheet and the accuracy of stable performance) is also increased. The reality is that it is getting smaller.

【0010】このため、以下に述べるようなきめ細かな
管理が必要となってきた。 (イ)装置(EXPn、CDn)の性能を最良の状態に
維持するために、装置状態を詳細に把握する。 (ロ)装置性能の劣化が検知された場合、これをすみや
かに復旧する。 (ハ)処理条件パラメータを装置毎、または処理ロット
毎に最適化する。
For this reason, detailed management as described below has become necessary. (B) In order to maintain the performance of the device (EXPn, CDn) in the best state, the device state is grasped in detail. (B) When deterioration of the device performance is detected, it is promptly restored. (C) The processing condition parameters are optimized for each device or each processing lot.

【0011】以上の(イ)、(ロ)、(ハ)は代表的な
ものであるが、これらの管理を行なうとなると、装置の
性能計測データ、処理中の状態データ等の膨大なデータ
収集、分析、及び装置へのフィードバックが必要とな
る。
The above (a), (b), and (c) are typical ones, but when these are managed, a huge amount of data such as performance measurement data of the device and status data during processing are collected. , Analysis, and feedback to the device are required.

【0012】この作業を人手で行なうことは事実上、不
可能に近く、また図1に示したホストコンピュータH・
COMに上記(イ)、(ロ)、(ハ)の機能を組み込む
ことは以下の点で問題となる。 (1)収集するデータ量が多く、生産管理等を行なうホ
ストコンピュータH・COMの通信回線の容量が不十分
であること。 (2)一般にホストコンピュータH・COMは全ての工
程を管理しており、リソグラフィ工程についてのみ、詳
細な装置固有のデータ管理、分析等のソフトウェアを組
み込むのは難しい場合が多く、またデータ項目の増加、
分析手法(アルゴリズム等)の改良を、他の管理機能と
の関係から迅速に達成し得ないこと。 (3)ホストコンピュータH・COMの負荷が増大し、
他の管理機能を圧迫すること。
It is practically impossible to perform this work manually, and the host computer H shown in FIG.
Incorporating the functions of (a), (b), and (c) into COM causes problems in the following points. (1) The amount of data to be collected is large, and the capacity of the communication line of the host computer H / COM for production control etc. is insufficient. (2) Generally, the host computer H / COM manages all processes, and it is often difficult to incorporate detailed software unique to the device such as data management and analysis only for the lithography process, and the number of data items increases. ,
Improvements in analysis methods (algorithms, etc.) cannot be achieved quickly due to the relationship with other management functions. (3) The load on the host computer H / COM increases,
Squeeze other management functions.

【0013】以上のような問題点に鑑み、本発明は、従
来のホストコンピュータを用いた生産管理システムのユ
ーザ側での自由な構築を許容したまま、少なくとも露光
装置に関してはきめ細かい固有の管理を行なうシステム
を実現することを目的とするものである。また、露光処
理を含むリソグラフィ工程を安定に維持することができ
るリソグラフィシステム、露光装置の情報収集装置、計
測器の設定装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方
法を提供することを目的とする。
In view of the above-mentioned problems, the present invention performs fine and unique management at least for the exposure apparatus while allowing free construction on the user side of the conventional production management system using a host computer. The purpose is to realize the system. Another object of the present invention is to provide a lithography system, an information collecting apparatus for an exposure apparatus, a measuring instrument setting apparatus, an exposure apparatus, and a semiconductor device manufacturing method capable of stably maintaining a lithography process including an exposure process.

【0014】[0014]

【課題を解決する為の手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の本発明においては、クリーンルーム
内に配置された複数の露光装置を有するリソグラフィシ
ステムにおいて、その複数の露光装置を統括管理するホ
ストコンピュータと、その複数の露光装置が接続された
通信手段に接続され、その通信手段を介してその各露光
装置のそれぞれからその各露光装置の稼動情報を収集し
て記憶する情報収集手段とを有し、その情報収集手段
は、そのホストコンピュータとは独立に設けられている
とともに、そのクリーンルーム外に配置されていること
を特徴とする。
In order to achieve the above object, in the present invention according to claim 1, in a lithography system having a plurality of exposure devices arranged in a clean room, the plurality of exposure devices are integrated. Manage e
And an information collecting unit that is connected to a communication unit to which the plurality of exposure apparatuses are connected and that collects and stores operation information of each exposure apparatus from each of the exposure apparatuses via the communication unit. Having, means of collecting information
Is independent of its host computer
In addition, it is characterized by being placed outside the clean room.

【0015】請求項2記載の本発明は、クリーンルーム
内に配置された複数の露光装置を有するリソグラフィシ
ステムにおいて、その複数の露光装置を統括管理するホ
ストコンピュータと、その複数の露光装置が接続された
通信手段に接続され、その通信手段を介してその各露光
装置のそれぞれからその各露光装置のそれぞれで加工さ
れた基板の加工状態情報を収集して記憶する情報収集手
とを有し、その情報収集手段は、そのホストコンピュ
ータとは独立に設けられているとともに、そのクリーン
ルーム外に配置されていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in a lithography system having a plurality of exposure apparatuses arranged in a clean room, the exposure system that integrally controls the plurality of exposure apparatuses is used.
A computer and a plurality of exposure apparatuses are connected to a communication means, and the processing state information of the substrates processed by the respective exposure apparatuses is collected from the respective exposure apparatuses via the communication means. And an information collecting means for storing the information stored in the host computer.
It is characterized in that it is provided independently of the data processing unit and is placed outside the clean room.

【0016】請求項10記載の本発明は、露光装置を用
いたリソグラフィシステムにおいて、その露光装置で露
光処理された基板の加工状態を計測する計測手段と、そ
の基板を露光処理したときのその露光装置の露光処理情
報に基づいて、その露光処理された基板に対するその計
測手段の計測条件を設定する設定手段と、を有すること
を特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in a lithography system using an exposure apparatus, a measuring means for measuring a processing state of a substrate exposed by the exposure apparatus, and an exposure when the substrate is subjected to the exposure processing. Setting means for setting the measurement conditions of the measuring means for the exposed substrate based on the exposure processing information of the apparatus.

【0017】請求項18記載の本発明は、ホストコンピ
ュータによって統括制御される複数の露光装置のそれぞ
れの稼働情報を収集する情報収集装置であって、その情
報収集装置はホストコンピュータとは独立に設けられて
おり、クリーンルーム内に配置された複数の露光装置が
それぞれ接続された通信手段に対してそのクリーンルー
ム外から接続され、その通信手段を介してその各露光装
置のそれぞれから収集したその各露光装置の稼動情報を
そのクリーンルーム外で記憶することを特徴とする。
The present invention according to claim 18 provides a host computer.
Each of the multiple exposure devices that are collectively controlled by the computer
It is an information collection device that collects operating information of
The information collection device is provided independently of the host computer.
There are multiple exposure devices installed in the clean room.
It is connected from the clean room outside the respective connected communication unit, and to store the operation information of the respective exposure apparatuses collected from each of the respective exposure apparatus via the communication means at its clean room outside .

【0018】請求項19記載の本発明は、ホストコンピ
ュータによって統括制御される複数の露光装置のそれぞ
れで加工された基板の加工状態情報を収集する情報収集
装置であって、その情報収集装置はホストコンピュータ
とは独立に設けられており、クリーンルーム内に配置さ
れた複数の露光装置がそれぞれ接続された通信手段に対
してそのクリーンルーム外から接続され、その通信手段
を介してその各露光装置のそれぞれから収集したその各
露光装置のそれぞれで加工された基板の加工状態情報を
そのクリーンルーム外で記憶することを特徴とする。
The present invention according to claim 19 provides a host computer.
Each of the multiple exposure devices that are collectively controlled by the computer
Information collection that collects the processing status information of the processed board
A device, the information collecting device of which is a host computer
Is provided independently of each other, and a plurality of exposure apparatuses arranged in the clean room are connected from outside the clean room to the communication means to which they are respectively connected, and collected from each of the exposure apparatuses via the communication means. The processing state information of the substrate processed by each of the exposure apparatuses is stored outside the clean room.

【0019】請求項29記載の本発明は、露光装置と、
該露光装置で露光処理された基板の加工状態を計測する
計測手段とに接続されており、その基板を露光処理した
ときのその露光装置の露光処理情報に基づいて、その露
光処理された基板に対するその計測手段の計測条件を設
定することを特徴とする設定装置である。
The present invention according to claim 29 is an exposure apparatus,
The exposure apparatus is connected to a measuring unit that measures the processing state of the substrate that has been subjected to the exposure processing, and based on the exposure processing information of the exposure apparatus when the exposure processing is performed on the substrate, The setting device is characterized by setting the measurement conditions of the measuring means.

【0020】請求項35記載の本発明は、クリーンルー
ム内に配置されネットワークに接続された露光装置であ
って、その露光装置は、他の露光装置とともにホストコ
ンピュータによって統括制御されており、そのホストコ
ンピュータとは独立に設けられそのクリーンルーム外か
そのネットワークに接続された情報収集手段に対し
て、そのネットワークを介してその露光装置の稼動情
報、又はその露光装置で加工した基板の加工情報を送信
する制御手段を有することを特徴とする。
The present invention according to a thirty-fifth aspect of the present invention is an exposure apparatus which is arranged in a clean room and is connected to a network, the exposure apparatus including a host exposure apparatus and another exposure apparatus.
It is controlled by the computer, and its host computer
The operation information of the exposure apparatus or the processing information of the substrate processed by the exposure apparatus is transmitted via the network to the information collecting means which is provided independently of the computer and is connected to the network from outside the clean room. It is characterized by having a control means.

【0021】請求項36記載の本発明は、ネットワーク
に接続された露光装置であって、そのネットワークを介
してその露光装置で露光処理された基板の加工状態を計
測する計測器と、その露光装置の露光処理情報に基づい
てその露光装置で露光処理された基板に対するその計測
器の計測条件を設定する設定装置とに接続され、そのネ
ットワークを介してその基板を露光処理した際の露光処
理情報をその設定装置に送信する制御手段を有すること
を特徴とする。
The present invention according to claim 36 is an exposure apparatus connected to a network, and a measuring instrument for measuring a processing state of a substrate exposed by the exposure apparatus via the network, and the exposure apparatus. Is connected to a setting device that sets the measurement conditions of the measuring instrument for the substrate that has been subjected to the exposure processing by the exposure apparatus based on the exposure processing information of, and the exposure processing information when the substrate is exposed through the network is displayed. It is characterized by having a control means for transmitting to the setting device.

【0022】請求項43記載の本発明は、ホストコンピ
ュータによって他の露光装置とともに統括制御される露
光装置であって、第1の通信回線を介した通信機能と、
その第1の通信回線と種類が異なる第2の通信回線を介
した通信機能とを有し、その第1の通信回線を介してそ
のホストコンピュータと接続され、その第2の通信回線
を介してその露光装置の稼動情報又は性能評価の結果を
収集する情報収集装置と接続されている制御手段を有す
ることを特徴とする。請求項47記載の本発明は、露光
装置と、該露光装置で露光処理される基板へのレジスト
塗布及び現像処理を行うコータデベロッパとに対して通
信手段を介して接続され、その通信手段を介してその露
光装置及びそのコータデベロッパのエラー発生情報を収
集して該エラー発生情報の履歴データを記憶し、その履
歴データを用いて集計情報を生成することを特徴とする
情報収集装置である。
The present invention according to claim 43 is an exposure apparatus which is controlled by a host computer together with other exposure apparatuses, and has a communication function via a first communication line,
It has a communication function via a second communication line of a different type from the first communication line, is connected to the host computer via the first communication line, and is connected via the second communication line. It is characterized in that it has a control means connected to an information collecting device for collecting operation information of the exposure device or a result of performance evaluation. The present invention according to claim 47, is the exposure
Apparatus and resist for a substrate to be exposed by the exposure apparatus
Contact the coater / developer that performs coating and development.
Connected via the communication means and the dew through the communication means.
Collects error occurrence information of optical equipment and its coater / developer.
The history data of the error occurrence information is collected and stored.
Characterized by generating aggregate information using historical data
It is an information collecting device.

【0023】[0023]

【作用】請求項1、2、18、19、35に記載の本発
明によれば、露光装置の稼動情報、又はその露光装置で
加工した基板の加工情報をクリーンルーム外で記憶する
ので、クリーンルームにオペレータが入ることなく記憶
した情報を確認することができるので、リソグラフィ工
程を安定に維持することが可能となる。また、請求項1
0、29、36に記載の本発明によれば、露光装置の露
光処理情報に基づいてその露光装置で露光処理された基
板に対するその計測器の計測条件を設定するので、露光
処理に見合った計測をすることが可能となり、リソグラ
フィ工程を安定に維持することが可能となる。さらに、
請求項43記載の本発明は、ホストコンピュータに接続
された第1通信手段と、情報収集装置に接続された第2
通信手段とは、それぞれ別の種類の通信回線であるの
で、ホストコンピュータに干渉することなく情報収集装
置との通信を行うことができ、リソグラフィ工程を安定
に維持することが可能となる。また、請求項47記載の
本発明は、露光装置及びコータデベロッパのエラー発生
情報の履歴データを記憶し、その履歴データを用いて集
計情報を生成するため、各装置の状態を詳細に把握する
ことができ、露光処理を含むリソグラフィ工程を安定に
維持することが可能となる。
According to the present invention as set forth in claims 1, 2, 18, 19, and 35, since the operation information of the exposure apparatus or the processing information of the substrate processed by the exposure apparatus is stored outside the clean room, it can be stored in the clean room. Since the stored information can be confirmed without the operator entering, it becomes possible to stably maintain the lithography process. In addition, claim 1
According to the present invention described in Nos. 0, 29, and 36, since the measurement condition of the measuring instrument for the substrate subjected to the exposure processing by the exposure apparatus is set based on the exposure processing information of the exposure apparatus, the measurement suitable for the exposure processing is performed. Therefore, the lithography process can be stably maintained. further,
In the present invention according to claim 43, the first communication means connected to the host computer and the second communication means connected to the information collecting device.
Since the communication means are different types of communication lines, communication with the information collecting apparatus can be performed without interfering with the host computer, and the lithography process can be stably maintained. Also, in claim 47,
The present invention is directed to the occurrence of error in the exposure apparatus and coater developer.
Stores historical data of information and collects it using the historical data.
Detailed status of each device is generated to generate total information.
Stable lithography process including exposure process
It is possible to maintain.

【0024】[0024]

【実施例】図2は、本発明の実施例によるリソグラフィ
情報管理システム(LithographyINformation Control S
ystem)の全体の構成を表し、従来と同様に複数台の露
光装置としてウェハステッパーEXP1 、EXP2 …E
XPnを用いるものとする。またホストコンピュータH
・COM、コータ・デベロッパーCD1 、CD2 …CD
n等も従来のものと同じものとする。
FIG. 2 shows a lithographic information management system (Lithography Information Control System) according to an embodiment of the present invention.
The overall structure of the wafer stepper EXP1, EXP2, ...
XPn shall be used. Also, the host computer H
・ COM, coater / developer CD1, CD2 ... CD
Also, n and the like are the same as conventional ones.

【0025】図2に示すように、本実施例では各装置間
の通信のためにイーサネット(登録商標)LAN50を
用いる。このLAN(ローカル・エリア・ネットワー
ク)はリソグラフィ工程内にホストコンピュータH・C
OM用に敷設されたものを利用してもよいし、新たに敷
設してもよい。さらにホストコンピュータH・COMと
露光ユニット(ステッパーとコータ・デベロッパーの
対)との間には、専用のマシン・コントローラ(MC)
100を設ける。このマシンコントローラ100は、基
本的には従来のパソコンPC1 、PC2 …PCnと同じ
機能を有するが、さらにLAN50を使った通信機能
と、ステッパーやコータ・デベロッパーの各装置情報の
収集機能とが加えられている。
As shown in FIG. 2, in this embodiment, an Ethernet (registered trademark) LAN 50 is used for communication between each device. This LAN (Local Area Network) is a host computer H ・ C in the lithography process.
What was laid for OM may be used, and may be newly laid. Further, a dedicated machine controller (MC) is provided between the host computer H / COM and the exposure unit (a pair of stepper and coater / developer).
100 is provided. The machine controller 100 basically has the same functions as the conventional personal computers PC1, PC2 ... PCn, but additionally has a communication function using the LAN 50 and a function of collecting device information of steppers and coater / developers. ing.

【0026】マスタ・データ・プロセッサ(MDP)1
10は、MC100からの稼動状況報告の情報収集と管
理、MC100への各種情報の送信等を行なう。集中情
報サーバ(CIS)120は、ステッパーのプロセスプ
ログラムの編集、配布、及び情報収集の機能を有し、特
にMDP110で収集された稼動情報等に基づいて、M
DP110がステッパーの性能に関するデータの収集と
分析を行なうとき、必要に応じてステッパーの動作パラ
メータの修正、補正に必要な履歴データをMDP110
に送信する。この修正、補正に関する機能はMDP11
0で実行される。一方、LAN50にはLANアダプタ
130を介して各種計測器140、150等が接続され
る。計測器140、150は、一例として株式会社ニコ
ンより販売されているLAMPAS、光波3I等の自動
線幅測定器やパターン座標測定器等が使われる。これら
の計測器は、露光され現像されたウェハ上のレジストパ
ターンの線幅や特定のレジストパターンの座標位置等を
計測するものであり、その計測データはLAN50、も
しくは記録媒体を介してMDP110(又はCIS12
0)へ送られる。
Master Data Processor (MDP) 1
Reference numeral 10 collects and manages information on the operating status report from the MC 100, transmits various information to the MC 100, and the like. The centralized information server (CIS) 120 has the functions of editing, distributing, and collecting information of the stepper process program, and in particular, based on the operation information collected by the MDP 110, M
When the DP 110 collects and analyzes data relating to the performance of the stepper, the historical data necessary for correcting and correcting the operation parameter of the stepper is recorded as necessary in the MDP 110.
Send to. Functions related to this correction and correction are MDP11
It is executed at 0. On the other hand, various measuring instruments 140, 150 and the like are connected to the LAN 50 via the LAN adapter 130. As the measuring instruments 140 and 150, for example, automatic line width measuring instruments such as LAMPAS and lightwave 3I sold by Nikon Corporation, pattern coordinate measuring instruments and the like are used. These measuring devices measure the line width of the resist pattern on the exposed and developed wafer, the coordinate position of a specific resist pattern, and the like, and the measurement data is obtained via the LAN 50 or the MDP 110 (or the recording medium). CIS12
0).

【0027】以上のようなハードウェア構成において、
CIS120はクリーンルーム外に設置することが可能
である。一般に計測器140、150は、ステッパーか
設置されるクリーンルーム内に配置されるため、MDP
110によってそれら計測器140、150をリモート
制御するとなると、MDP110もクリーンルーム内に
設置しておいた方がオペレーション上、都合がよい。
In the above hardware configuration,
The CIS 120 can be installed outside the clean room. Generally, the measuring instruments 140 and 150 are arranged in a clean room where a stepper is installed, so that the MDP
When the measuring instruments 140 and 150 are to be remotely controlled by the 110, it is more convenient for the operation that the MDP 110 is also installed in the clean room.

【0028】また図2のシステムでは、露光ユニットと
LAN50との通信は、MC100を介して行なうもの
としたが、各ステッパー内のコンピュータCMP・E1
〜CMP・EnにLANとの通信機能を持たせてもよ
い。この場合、ステッパー本体のコンピュータCMP・
Enは、一般的にはウェハプロセスに関する多くの情報
を保存していないため、プロセス進行と関連付けられた
ステッパーの動作パラメータに関するデータのやり取り
については、MC100を介して行なうのが好ましい。
In the system shown in FIG. 2, the communication between the exposure unit and the LAN 50 is performed via the MC 100, but the computer CMP E1 in each stepper is used.
~ CMP En may have a communication function with a LAN. In this case, the computer CMP of the stepper body
Since the En generally does not store much information about the wafer process, it is preferable to exchange data regarding the operating parameters of the stepper associated with the process progress via the MC 100.

【0029】以上に示したシステムに搭載される主なサ
ービス(ソフトウェア)は、大別して以下の4つの項目
からなる。 各ステッパーの動作パラメータを自動設定するオート
セットアップサービス 各ステッパーの処理条件を設定したプログラムを集中
管理するとともに、各ステッパーへ適宜配布するプロセ
スプログラム管理サービス 各ステッパーの処理実行状況(稼動状態)を集中管理
し、それらの状況を表示したり、履歴を保存すること
で、ステッパー運用上の安定性を維持する集中監視サー
ビス 各ステッパーの固有の性能データを収集するととも
に、必要に応じて変更すべきステッパーの動作パラメー
タを推定する性能分析サービス 以上の4つのサービス機能のうち、本発明の対象となる
のが、、の3つであり、このうち特に重要なのが
のオートセットアップサービスである。
The main services (software) installed in the system described above are roughly classified into the following four items. Auto setup service that automatically sets the operation parameters of each stepper Centrally manages the program that sets the processing conditions of each stepper, and process program management service that distributes to each stepper as necessary Centralized management of the process execution status (operating state) of each stepper The central monitoring service that maintains the operational stability of the stepper by displaying the status of the stepper and saving the history collects the performance data unique to each stepper, and changes the stepper as necessary. Performance Analysis Service for Estimating Operational Parameters Of the above four service functions, three of which are the subject of the present invention are, and the most important of these is the auto setup service.

【0030】このオートセットアップサービス(以下A
SUSと呼ぶ)は、処理すべきウェハ(及びレチクル)
の品種に応じて、ステッパーの精度、機能を最適化する
ように、ステッパーの主な機能を予めセットしておくも
のである。
This automatic setup service (hereinafter A
Called SUS) is the wafer (and reticle) to be processed
The main functions of the stepper are set in advance so as to optimize the accuracy and function of the stepper according to the product type.

【0031】このASUSの実行にあたっては、図2に
示した計測器140、150、もしくはステッパーEX
Pn内のアライメントセンサーを用いた計測機能を使う
ことになる。
In executing this ASUS, the measuring instruments 140, 150 or the stepper EX shown in FIG. 2 are used.
The measurement function using the alignment sensor in Pn will be used.

【0032】ここでステッパーEXPnとコータ・デベ
ロッパーCDnとの代表的な構造を図3に従って説明す
る。図3において、WCLnは図1でも示した通りウェ
ハカセットライブラリーであり、処理すべきウェハはこ
こからコータ・デベロッパーCDn内の各セクション
(レジスト塗布、プリベーク等)を介してインライン化
対応のウェハローダ部WLに送られ、その後ステッパー
EXPnのウェハステージWSTへ搬送される。また、
ステッパーで露光の終ったウェハはウェハローダ部WL
を介してコータ・デベロッパーCDn内の各セクション
(ウェット現像、乾燥等)に通され、再びライブラリー
WCLnへ戻ってくる。
A typical structure of the stepper EXPn and the coater / developer CDn will be described with reference to FIG. In FIG. 3, WCLn is a wafer cassette library as shown in FIG. 1, and the wafer to be processed is a wafer loader unit compatible with in-line processing through each section (resist coating, prebaking, etc.) in the coater / developer CDn. Then, the wafer is transferred to the WL and then transferred to the wafer stage WST of the stepper EXPn. Also,
Wafers that have been exposed by the stepper are the wafer loader WL
Through the respective sections (wet development, drying, etc.) in the coater / developer CDn, and returns to the library WCLn again.

【0033】一方、ステッパーEXPnには、マスクと
してのレチクルRを照明する照明系ILS、レチクルス
テージRST、投影レンズPL、ウェハステージWS
T、レチクルアライメント用のセンサーRA、TTL方
式のウェハアライメント用のセンサーLA、及びオフア
クシス方式のウェハアライメントセンサーWA等が代表
的に設けられ、これらの制御はコンピュータCMP・E
nによって行なわれる。
On the other hand, the stepper EXPn has an illumination system ILS for illuminating the reticle R as a mask, a reticle stage RST, a projection lens PL, and a wafer stage WS.
T, a reticle alignment sensor RA, a TTL type wafer alignment sensor LA, an off-axis type wafer alignment sensor WA, etc. are typically provided, and these controls are performed by a computer CMP / E.
n.

【0034】以上、図3に示したシステムは、単なる一
例であって、全てのリソグラフィシステムを表すもので
はない。さて、図3のシステムてを用いてASUSを実
行するためには、25枚、又は50枚の単位のロットの
先頭ウェハをパイロットウェハとして実露光処理を行な
い、そのパイロットウェハの処理結果を計測器140
(又は150)により計測する必要がある。
As described above, the system shown in FIG. 3 is merely an example, and does not represent all lithography systems. Now, in order to execute ASUS using the system of FIG. 3, actual exposure processing is performed by using the leading wafer of a lot of 25 or 50 as a pilot wafer, and the processing result of the pilot wafer is measured by a measuring instrument. 140
(Or 150) is required.

【0035】このパイロットウェハを使った処理につい
ても、図2中のMDP110、が有機的に関与する。ま
ずMDP110内には、MC100を介してホストコン
ピュータH・COMからそのウェハロットの露光処理に
関する情報が蓄積されている。そこでMDP110は、
どの露光ユニットでそのウェハロットが処理されている
かを認識するとともに、計測条件を設定することができ
る。ここでは、図2の計測器140、150を使うもの
とし、MDP110は製品(ウェハ品種)や工程毎に決
定され得る計測内容、計測器制御データ、計測結果の判
定基準等に関する計測プロセス・プログラムを作成して
管理(保存)する。すなわちMDP110は、処理すべ
きウェハロットが所属する露光プロセス・プログラム
(H・COMによって作成される)名と、そのロットに
対応した計測プロセス・プログラム内容とを定義したフ
ァイルMPPFを保存、管理している。ここで、図4を
用いて実際のパイロットウェハ処理の流れを説明する。
まず、現像処理の終ったパイロットウェハは計測器14
0、又は150に送られる。このとき計測器140、1
50はキーボードKB、又はバーコードカードBCの入
力により、そのパイロットウェハを露光したステッパー
(EXP1 、EXP2 …EXPn)の登録名を、MDP
110に問い合わせる(情報フローDA)。
The MDP 110 in FIG. 2 also organically participates in the processing using this pilot wafer. First, in the MDP 110, information regarding the exposure processing of the wafer lot is accumulated from the host computer H / COM via the MC 100. So MDP110
It is possible to recognize which exposure unit is processing the wafer lot and set measurement conditions. Here, it is assumed that the measuring instruments 140 and 150 in FIG. 2 are used, and the MDP 110 executes a measuring process / program relating to measurement contents, measuring instrument control data, measurement result determination criteria and the like that can be determined for each product (wafer type) or process. Create and manage (save). That is, the MDP 110 stores and manages a file MPPF that defines the name of the exposure process program (created by H.COM) to which the wafer lot to be processed belongs and the measurement process program content corresponding to the lot. . Here, the flow of the actual pilot wafer processing will be described with reference to FIG.
First, the measuring device 14 is used for the pilot wafer after the development processing.
0 or 150. At this time, measuring instruments 140, 1
Reference numeral 50 designates the registered name of the stepper (EXP1, EXP2 ... EXPn) which exposed the pilot wafer by inputting the keyboard KB or the bar code card BC, and the MDP.
Contact 110 (information flow DA).

【0036】MDP110はステッパーの登録名から、
そのパイロットウェハを処理した露光ユニットのMC1
00を、ファイルSTPFから見つけ出し、対応した1
つのMC100へ露光プロセス・プログラム名を問い合
わせる(情報フローDB)。これに応答して、選ばれた
MC100は露光プロセス・プログラム名をMDP11
0に戻す(情報フローDC)。そしてMDP110はフ
ァイルMPPFをサーチして、その露光プロセス・プロ
グラム名に対応した計測プロセス・プログラムを呼び出
し、計測器140、150へそのプログラムをロードす
る(情報フローDD)。
From the registered name of the stepper, MDP110
MC1 of the exposure unit that processed the pilot wafer
00 was found from the file STPF and the corresponding 1
Inquires about the exposure process program name to one MC 100 (information flow DB). In response to this, the selected MC100 sets the exposure process program name to MDP11.
Return to 0 (information flow DC). Then, the MDP 110 searches the file MPPF, calls the measurement process program corresponding to the exposure process program name, and loads the program into the measuring instruments 140 and 150 (information flow DD).

【0037】これによって計測器140、150は、そ
のパイロットウェハに必要な各種計測、評価を自動的に
実行する。計測器140、150による計測の項目は、
一例として重ね合わせ(目ずれ)の程度とパターン線幅
の精度の2つである。このうち目ずれ計測によって、ウ
ェハ上にステップ・アンド・リピート方式で転写される
ショットの中心ずれ、ショットの回転ずれ等が評価さ
れ、ステッパーがウェハグローバルアライメント(以
下、EGAと呼ぶ)時に決定したアライメント用のパラ
メータ(動作パラメータの一種)と同じ意味内容のパラ
メータを算出する。
As a result, the measuring devices 140 and 150 automatically execute various measurements and evaluations required for the pilot wafer. Items of measurement by the measuring instruments 140 and 150 are
Two examples are the degree of overlay (misalignment) and the accuracy of the pattern line width. Among these, the misalignment measurement evaluates the center deviation of the shot transferred on the wafer by the step-and-repeat method, the rotation deviation of the shot, etc., and the alignment determined by the stepper during wafer global alignment (hereinafter referred to as EGA). A parameter having the same meaning as the parameter for operation (a kind of operation parameter) is calculated.

【0038】このアライメント用パラメータ、及びその
算出に関しては、例えば特開昭61−44429号公報
等に詳しく説明されている通りである。このパラメータ
算出によって、そのパイロットウェハを露光したステッ
パーのEGAの精度が見直され、ステッパー側で算出さ
れたEGAのパラメータの修正、(又は補正)の有無が
判断される。
The alignment parameter and its calculation are as described in detail, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 61-44429. By this parameter calculation, the accuracy of the EGA of the stepper that has exposed the pilot wafer is reviewed, and it is determined whether or not the EGA parameter calculated on the stepper side is corrected (or corrected).

【0039】一方、計測されたパターン線幅のデータ
は、ウェハ上の複数ショットの位置、あるいは各ショッ
ト内の複数の計測点について集計され、パイロットウェ
ハ露光時の露光量の加不足、ウェハ全体のフラットネ
ス、ショット内のフラットネス、あるいはベストフォー
カスに対するオフセット等が推定される。一般に、フォ
トレジスト上に形成されるラインパターンの線幅は、フ
ォーカス位置と露光量とによって太ったり細ったりする
ことが知られている。
On the other hand, the data of the measured pattern line widths are aggregated for the positions of a plurality of shots on the wafer or a plurality of measurement points within each shot, and the exposure amount during pilot wafer exposure is insufficient or insufficient, and the entire wafer is exposed. The flatness, the flatness within the shot, or the offset with respect to the best focus is estimated. It is generally known that the line width of a line pattern formed on a photoresist becomes thicker or thinner depending on the focus position and the exposure amount.

【0040】さて、以上のような計測データは、計測器
140、150からMDP110へ送られる(情報フロ
ーDE)。MDP110は、目ずれ計測、線幅計測で得
られたデータに基づいて、上記アライメント用のパラメ
ータの算出、補正の要、不要、及び修正時の補正値等を
演算するとともに、他の動作パラメータとして、露光量
の修正値、ステッパーのウェハステージWST上に設け
られるレベリングステージの傾斜量の補正値、フォーカ
スセンサーを用いたウェハの光軸方向の位置設定に対す
るオフセット量、あるいは投影倍率、ディストーション
により生ずる誤差の補正量等を演算する。
The above measurement data is sent from the measuring instruments 140 and 150 to the MDP 110 (information flow DE). The MDP 110 calculates the above-mentioned parameters for alignment, calculates necessity of correction, necessity of correction, and correction value at the time of correction based on the data obtained by the misalignment measurement and the line width measurement, and as other operation parameters. , Correction value of exposure amount, correction value of tilt amount of leveling stage provided on wafer stage WST of stepper, offset amount for position setting of wafer in optical axis direction using focus sensor, or error caused by projection magnification or distortion The correction amount and the like are calculated.

【0041】これら各種パラメータの修正、補正が必要
なときは、その修正量、又は補正量がMC100へ送ら
れる(情報フローDF)。これによってMC100は予
め設定されたパラメータの値に修正量、又は補正量を加
算し、パイロットウェハの処理で判明した不備を修復し
た、より最適化された露光プロセス・プログラムを、対
応するMC100内に生成する。
When correction or correction of these various parameters is required, the correction amount or correction amount is sent to the MC 100 (information flow DF). As a result, the MC 100 adds a correction amount or a correction amount to the value of the preset parameter, and repairs the deficiency found in the processing of the pilot wafer, thereby providing a more optimized exposure process program in the corresponding MC 100. To generate.

【0042】尚、MC100がパイロットウェハの処理
結果を受け取ったとき、MC100はその処理結果が生
産管理上設定された精度に対して十分な値であるとき
は、上述のようなパラメータ修正を行なうことなく、処
理すべきロット内の2枚目以降のウェハを、同じ条件で
連続して処理していく。
When the MC 100 receives the processing result of the pilot wafer, the MC 100 performs the above-mentioned parameter correction when the processing result has a sufficient value for the accuracy set in the production control. Instead, the second and subsequent wafers in the lot to be processed are continuously processed under the same conditions.

【0043】もし、パイロットウェハの処理結果が不十
分なものであったときは、上述のように露光プロセス・
プログラム内のパラメータ修正を行なうとともに、パイ
ロットウェハをコータ・デベロッパーCDnに送ってレ
ジストを全面除去した後、再度パイロット露光処理を行
ない、計測、評価を行なう。このパイロットウェハ処理
は評価結果が良となるまで繰り返される。ただし無制限
に繰り返す訳にはいかないので、予め何回まで許容する
かの設定が行なわれる。
If the pilot wafer is not sufficiently processed, the exposure process
After the parameters in the program are corrected, the pilot wafer is sent to the coater / developer CDn to completely remove the resist, and then the pilot exposure process is performed again for measurement and evaluation. This pilot wafer processing is repeated until the evaluation result is good. However, since it cannot be repeated indefinitely, how many times it is allowed is set in advance.

【0044】また、パイロットウェハの処理(露光、計
測)の際、MDP110のコンソールには、各計測器の
状態が表示されるとともに、最新のパイロット処理結果
が表示される。もちろん、MDP110はパイロット処
理結果をファイルMPPFと対応付けて保存、管理す
る。
During the processing (exposure and measurement) of the pilot wafer, the console of the MDP 110 displays the status of each measuring instrument and the latest pilot processing result. Of course, the MDP 110 stores and manages the pilot processing result in association with the file MPPF.

【0045】さらに各計測器140、150側がMDP
110との通信制御に対応できるようになっている場合
は、各計測器の動作をMDP110のコンソール側から
リモート制御することもできる。
Further, the MDPs are provided on the measuring instruments 140 and 150 side.
When the communication control with 110 is possible, the operation of each measuring instrument can be remotely controlled from the console side of the MDP 110.

【0046】以上のASUS機能をフローチャート化し
て表わせば図5のようになる。図5において、ステップ
50、56に示した稼動条件とは、一例として先に述べ
たアライメント用のパラメータや露光動作中の各部の動
作を規定するパラメータ等を含む。
FIG. 5 is a flow chart showing the above ASUS function. In FIG. 5, the operating conditions shown in steps 50 and 56 include, for example, the above-described alignment parameters and parameters that define the operation of each unit during the exposure operation.

【0047】その他の稼動条件として、ステッパーに搭
載されている複数のアライメントセンサーの選択、アラ
イメントセンサーによる各種信号処理のアルゴリズム選
択、ウェハ上のアライメントマークの種別の選択、レチ
クル上のパターン領域に対して照射光を絞るレチクルブ
ラインドの位置設定、ステッパーの投影レンズPLの結
像特性(倍率、焦点)を補正する機能(フィールドレン
ズ微動、圧力制御等)に対する各種オフセット設定、レ
ジスト膜厚に応じた露光量のオフセット設定等がある。
Other operating conditions include selection of a plurality of alignment sensors mounted on the stepper, selection of various signal processing algorithms by the alignment sensor, selection of alignment mark types on the wafer, and pattern area on the reticle. Position setting of the reticle blind that narrows the irradiation light, various offset settings for the function (field lens fine movement, pressure control, etc.) that corrects the imaging characteristics (magnification, focus) of the projection lens PL of the stepper, and the exposure amount according to the resist film thickness Offset setting etc.

【0048】またパイロットウェハ計測のステップ52
は、図4に示したように、専用の計測器140、150
で計測する以外に、ステッパーEXP1 、EXP2 …E
XPn自身で計測する手法もあり、その一例は特開平2
−30112号公報、特開平1−187817号公報等
に詳しく開示されている。
Further, step 52 of pilot wafer measurement
Is a dedicated measuring instrument 140, 150 as shown in FIG.
In addition to measuring at stepper EXP1, EXP2 ... E
There is also a method of measuring with XPn itself, one example of which is JP-A-2
The details are disclosed in JP-A-30112, JP-A-1-187817 and the like.

【0049】さて、以上で述べたASUS機能には、1
つの短所がある。それはパイロットウェハの処理結果が
図5のステップ54で良となるまで、次のロット処理
(ステップ55)が開始できないことである。この短所
は、露光プロセスが安定し、パイロットウェハの露光処
理がほとんど1回で済んでしまう場合に、スループット
低下として顕著になる。そこで次のように全体の工程を
変えることが考えられる。
The ASUS function described above has 1
There are two disadvantages. That is, the next lot processing (step 55) cannot be started until the pilot wafer processing result is good in step 54 of FIG. This disadvantage becomes noticeable as a decrease in throughput when the exposure process is stable and the exposure process of the pilot wafer is completed almost once. Therefore, it is possible to change the whole process as follows.

【0050】図6は、図5のフローチャートを基本とし
て全体の工程を変形したフローチャートを表わす。図6
のステップ60〜69が変形された工程を示し、同図中
のステップ52〜54、56は図5中のステップと同じ
ものである。本実施例ではロット先頭の1枚目のウェハ
をパイロット処理するのと並行して、2枚目以降のウェ
ハは通常のロット処理を続けてしまい、パイロット処理
の結果が不良と出たときのみ、ロット処理の続行を中止
するものである。
FIG. 6 shows a flowchart in which the whole process is modified based on the flowchart in FIG. Figure 6
The steps 60 to 69 of FIG. 5 are modified steps, and the steps 52 to 54 and 56 in the figure are the same as the steps in FIG. In this embodiment, in parallel with the pilot processing of the first wafer at the beginning of the lot, the second and subsequent wafers continue the normal lot processing, and only when the result of the pilot processing is defective, It is to stop the lot processing from continuing.

【0051】まずステップ60でロット戻しか否かが判
断される。ロット戻しとは、パイロット処理の結果を表
わすフラグがONになって、不良になったときのみ、そ
のロットの先頭ウェハから露光済みのウェハまでのウェ
ハを戻す作業である。
First, in step 60, it is judged whether or not the lot is to be returned. Lot return is an operation of returning the wafers from the leading wafer of the lot to the exposed wafers only when the flag indicating the result of the pilot process is turned on and there is a defect.

【0052】ロット先頭の1枚目のウェハについては、
ステップ60、61、62と処理が進み、ステップ63
の判断でステップ52、53、54へ進む。ここでステ
ップ52を別の計測器140、150で実行する場合、
1枚目のウェハはステッパーから取り出されてしまうの
で、MDP110は続けて2枚目のウェハを露光処理す
べく、ステップ60、61、62を実行する。
For the first wafer at the beginning of the lot,
The process proceeds to steps 60, 61 and 62, and step 63
If so, the process proceeds to steps 52, 53 and 54. If step 52 is executed by another measuring device 140 or 150,
Since the first wafer is taken out from the stepper, the MDP 110 continuously executes steps 60, 61 and 62 to perform the exposure processing on the second wafer.

【0053】2枚目のウェハの場合、ステップ63の次
にステップ64に進み、ウェハをライブラリーWCLn
のカセット内の2段目のスロットに格納する。そしてス
テップ65で残りのウェハがあるか否かが判断され、残
りがあるときはステップ60から同様の処理が繰り返し
実行される。
In the case of the second wafer, the process proceeds from step 63 to step 64, where the wafer is loaded into the library WCLn.
It is stored in the second slot in the cassette. Then, in step 65, it is determined whether or not there are remaining wafers, and if there are remaining wafers, the same processing is repeated from step 60.

【0054】一方、ステップ52、53にてパイロット
処理されたウェハがステップ54で良と判断されたとき
は、そのまま何もせずに、ロットの全ウェハが処理さ
れ、1枚目のウェハもカセット内の1段目に格納され
る。ステップ54で不良となったときは、ステップ69
でただちにロット戻しのためのフラグをONにする。ロ
ット処理のタイミングがステップ60のときにフラグが
ONになっていると、MDP110はMC100と協調
して、ロットの1枚目から露光済みのウェハまでの全て
をコータ・デベロッパーに戻して全面のレジストを除去
し、レジストの再塗布を行なう。これをウェハ再生と呼
び、ステップ66で実行される。
On the other hand, when the wafers pilot-processed in steps 52 and 53 are judged to be good in step 54, all wafers in the lot are processed without doing anything and the first wafer is also stored in the cassette. Is stored in the first row of. When the result of step 54 is defective, step 69
Immediately turn on the flag for lot return. If the flag is turned on when the lot processing timing is step 60, the MDP 110 cooperates with the MC 100 to return the entire lot from the first sheet of the lot to the exposed wafer to the coater / developer and complete the resist on the entire surface. Is removed and the resist is applied again. This is called wafer reclamation and is executed in step 66.

【0055】次に再生されたウェハを、ステップ67で
ライブラリーWCLnの未露光ウェハのカセット内に戻
し、ステップ68でフラグをOffにした後、ステップ
56の稼動条件修正、補正を実行して再びステップ60
に戻る。
Next, the regenerated wafer is returned to the cassette of the unexposed wafer of the library WCLn in step 67, the flag is turned off in step 68, and the operating condition is corrected and corrected in step 56 to execute again. Step 60
Return to.

【0056】このような工程をとる場合、一旦不良が発
生すると費される時間は長くなるが、不良発生の確率が
十分低ければ、工程全体のスルプットは向上する。尚、
ステップ69でフラグがONになったとき、ステッパー
が何枚目かのウェハを露光している際中であってもステ
ッパーの動作を停止させるようにして、ただちにステッ
プ66に移行すれば、それだけロットの再処理開始時間
が早まることは言うまでもない。
In the case where such a process is taken, the time spent once a defect occurs becomes long, but if the probability of defect occurrence is sufficiently low, the throughput of the entire process improves. still,
When the flag is turned on in step 69, the operation of the stepper is stopped even while the stepper is exposing several wafers. Immediately after shifting to step 66, that much lot Needless to say, the reprocessing start time of is accelerated.

【0057】次に本システム(図2)を用いた第2の実
施例による方法を説明する。第2の実施例はパイロット
露光と組み合わされるものであるが、パイロット露光を
開始するときに、ホストコンピュータH・COMからM
C100へ設定された露光プロセス・プログラムの内容
にそのまま従うのではなく、過去に監視した稼動条件を
参考にして最適的な稼動条件を予め推定しておき、その
推定された稼動条件でパイロット露光を開始するもので
ある。このため、図2に示したCIS120は、過去に
実行したパイロット処理で得られた稼動条件の情報を、
処理するウェハの品種毎、又はステッパー毎に編集、整
理して集中的に保管する。そして、あるウェハロットの
処理を実行する際、そのロット内のウェハの品種(加工
レイヤ等)情報と、それを処理するステッパー名とに基
づいて、MDP110(又はMC100)は最適推定稼
動条件をCIS120に問い合わせ、これに基づいて稼
動条件を補正した後、パイロット露光を開始する。
Next, a method according to the second embodiment using this system (FIG. 2) will be described. The second embodiment is combined with the pilot exposure, but when the pilot exposure is started, the host computers H.COM to M
Instead of directly following the contents of the exposure process program set in C100, the optimal operating conditions are estimated in advance by referring to the operating conditions monitored in the past, and pilot exposure is performed under the estimated operating conditions. It is the one to start. Therefore, the CIS 120 shown in FIG. 2 uses the operating condition information obtained in the pilot processing executed in the past,
Edited and organized for each wafer type to be processed or for each stepper, and centrally stored. Then, when processing a certain wafer lot, the MDP 110 (or MC 100) sets the optimum estimated operating condition to the CIS 120 based on the product type (processing layer etc.) information of the wafer in the lot and the stepper name for processing the wafer. Inquire, correct operating conditions based on this, and then start pilot exposure.

【0058】このような推定は、オペレータがホストコ
ンピュータH・COMに適性値から大きくずれたパラメ
ータ等を設定していたとき、あるいはその品種について
はじめてロット処理を行なうとき等に有効である。
Such an estimation is effective when the operator has set parameters or the like in the host computer H / COM that greatly deviate from the appropriate values, or when the lot processing is performed for the first time for that type.

【0059】最適推定稼動条件の1つとしてアライメン
ト用のパラメータの場合を例示すると、例えばアライメ
ントセンサーによって得られた信号波形を、あるスライ
スレベルでスライスしてマーク中心位置を決定する場
合、スライスレベルの決定には、処理すべきウェハのレ
イヤ構造やアライメントセンサーの特質によって、ある
程度の試行錯誤が必要である。しかしながら、ほぼ同一
構造のレイヤやほぼ同一の工程をへてきたウェハ表面の
マークについては、その経験的な判断から、最適なスラ
イスレベルがほぼ一義的に決定できる。そこでMDP1
10は同じような露光プロセス・プログラムのもとで処
理されてきた過去のウェハで、同一品種のものについて
整理し直し、それらのアライメント時に採用されたスラ
イスレベルのヒストグラム(度数分布)等を作成し、最
も多用されたスライスレベルを、最適推定稼動条件とし
て決定する。
To exemplify the case of the parameter for alignment as one of the optimum estimation operating conditions, for example, when the mark center position is determined by slicing the signal waveform obtained by the alignment sensor at a certain slice level, The decision requires some trial and error depending on the layer structure of the wafer to be processed and the characteristics of the alignment sensor. However, the optimum slice level can be almost uniquely determined from the empirical judgment of the marks on the wafer surface that have undergone substantially the same process and layers having substantially the same structure. So MDP1
Reference numeral 10 is a past wafer that has been processed under the same exposure process program, rearranges the same type, and creates a slice level histogram (frequency distribution) adopted at the time of alignment. , The most frequently used slice level is determined as the optimum estimated operating condition.

【0060】この最適値として決定した条件が、MC1
00内にロードされた条件と異なるときは、最適値の方
を選択して修正する。このようにすることで、パイロッ
ト露光処理を行なった後の評価結果が不良になる確率を
下げることが可能になる。
The condition determined as the optimum value is MC1
If it is different from the condition loaded in 00, the optimum value is selected and corrected. By doing so, it is possible to reduce the probability that the evaluation result after the pilot exposure process is defective.

【0061】次に第3の実施例によるASUS機能の一
例を説明する。第3の実施例では、露光済のウェハを評
価する方法を使う。通常、リソグラフィ工程ではロット
毎の露光処理が終了すると、次工程に送る前に、そのロ
ット内のウェハを全数、検査、又は抜き取り検査する。
この検査は実態的には図5、図6中のステップ52、5
3と同じものであり、この検査による評価結果で不良と
判断されたときは、そのロット全体がステップ66と同
様に再生処理される。また不良にまで至らない場合も、
許容範囲内での誤差や傾向が検出され、その計測データ
が計測器140、150からMDP110を介してCI
S120に集中管理される。
Next, an example of the ASUS function according to the third embodiment will be described. In the third embodiment, a method of evaluating an exposed wafer is used. Normally, when the exposure process for each lot is completed in the lithography process, all the wafers in the lot are inspected, inspected, or extracted before being sent to the next process.
This inspection is actually steps 52 and 5 in FIGS.
When the evaluation result of this inspection is defective, the entire lot is recycled as in step 66. Also, if it does not lead to a defect,
Errors and trends within the permissible range are detected, and the measurement data is transmitted from the measuring instruments 140 and 150 via the MDP 110 to the CI.
Centrally managed in S120.

【0062】こうして、評価したロットの処理データを
品種毎、ステッパー毎に整理して蓄積していくことで、
第2の実施例で説明した最適推定稼動条件のデータベー
スが構築される。以下、運用方法は第2の実施例と同様
である。
In this way, the processed data of the evaluated lots are organized and accumulated for each product type and each stepper,
A database of optimum estimated operating conditions described in the second embodiment is constructed. Hereinafter, the operating method is the same as that of the second embodiment.

【0063】次に本発明の図2のシステムを用いた第4
の実施例について説明するが、本実施例では各ステッパ
ー(EXPn)で発生したイベントを集中的に監視し、
各ステッパー毎の稼動状態をイベント単位でチェックし
て、特にエラーの多発する状況を分析することによっ
て、露光プロセス・プログラムのシーケンス上の修正、
補正の要否を判断するものである。
Next, a fourth embodiment using the system of FIG. 2 of the present invention
Example will be described. In this example, the events generated in each stepper (EXPn) are intensively monitored,
Correction of the sequence of the exposure process program by checking the operating status of each stepper on an event-by-event basis and analyzing the situation where errors occur frequently
The necessity of correction is determined.

【0064】ここで露光プロセス上で発生するイベント
として本実施例では以下の情報を扱うものとする。 (a)レチクル予約処理の開始、終了 (b)レチクルの異物検査の開始、終了 (c)レチクル交換処理の開始、終了 (d)ロット処理の開始、終了 (e)パイロット露光の開始、終了 (f)本露光の開始、終了 (g)単体現像の開始、終了 (h)待ち状態の開始 (i)エラー発生アラーム これらのイベント情報(a)〜(i)はMC100から
LAN50を介してMDP110に送信され、集計され
る。MDP110は集計したイベント情報を、ステッパ
ー毎の稼動状態の履歴に基づいて分析する。
In this embodiment, the following information is handled as events that occur in the exposure process. (A) Start reticle reservation process, end (b) Start reticle foreign matter inspection, end (c) Start reticle exchange process, end (d) Start lot process, end (e) Start pilot exposure, end ( f) Start of main exposure, end (g) Start of single development, end (h) Start of waiting state (i) Error occurrence alarm These event information (a) to (i) are sent from MC100 to MDP110 via LAN50. Submitted and aggregated. The MDP 110 analyzes the aggregated event information based on the history of operating states of each stepper.

【0065】まず、MDP110は稼動状態の履歴をス
テッパー毎に作成するとともに、それをコンソール上に
リアルタイムに表示する。稼動状態として本実施例では
以下の5つを扱う。 (イ)現在の各ステッパーの稼動状態の一覧表示 (ロ)指定ステッパーの現在の稼動状態の情報表示 (ハ)本日の各ステッパーのロット処理実績の一覧表示 (ニ)指定ステッパーの本日のロット処理実績の表示 (ホ)指定ステッパーの最新エラー発生情報 これらの5つの履歴データ(イ)〜(ホ)はMDP11
0内の記憶媒体(ハードディスク、光ディスク等)に逐
次記憶されていく。
First, the MDP 110 creates an operating state history for each stepper and displays it in real time on the console. In this embodiment, the following five operating states are handled. (A) Display of the current operating status of each stepper (b) Information display of the current operating status of the specified stepper (c) List of lot processing results for each today's stepper (d) Today's lot processing for the specified stepper Display of results (e) Latest error occurrence information of designated stepper These five history data (a) to (e) are MDP11
It is sequentially stored in the storage medium (hard disk, optical disk, etc.) in 0.

【0066】そこでMDP110は、記憶された5つの
履歴データ(イ)〜(ホ)を使って、各ステッパー毎に
イベントの発生状況を分析する。この履歴データは1日
単位で処理され、MDP110は以下の3つの分析機能
をソフトウェアとして備えている。 (1)ステッパー稼動中に発生した全てのイベント
(a)〜(i)を各ステッパー毎にまとめ、時系列的に
表示するイベント・トレース情報生成機能。 (2)イベント・トレース情報に基づいて、発生したイ
ベントを各処理単位にまとめ直すイベント集計情報生成
機能。
Therefore, the MDP 110 analyzes the occurrence status of the event for each stepper using the stored five history data (a) to (e). This history data is processed on a daily basis, and the MDP 110 has the following three analysis functions as software. (1) An event / trace information generation function that displays all events (a) to (i) that occurred during stepper operation for each stepper and displays them in time series. (2) Event aggregation information generation function that regroups the events that occurred based on the event trace information for each processing unit.

【0067】ここで処理単位とイベントは次のように設
定されている。 (2−1)レチクル交換処理 ・開始、及び終了の時刻 ・終了状態(正常かエラーか) ・発生エラー統計 (2−2)ロット処理 ・開始、及び終了の時刻 ・終了状態(正常かエラーか) ・ロット名 ・品名、工程名 ・処理ウェハ枚数 ・発生エラー統計 (2−3)待機状態 ・発生エラー統計 (3)イベント集計情報に基づいて、集計された稼動情
報を生成する号機別の稼動情報生成機能。
Here, the processing unit and the event are set as follows. (2-1) Reticle replacement process-Start and end times and end status (whether normal or error) -Generation error statistics (2-2) Lot processing-Start and end time and end status (normal or error) ) ・ Lot name, product name, process name, number of processed wafers, generation error statistics (2-3) Standby state, generation error statistics (3) Operation for each machine that generates aggregate operation information based on event aggregation information Information generation function.

【0068】ここでは、処理ロット数、処理ウェハ枚
数、レチクル交換回数、レチクル異物検査NG回数、ス
テッパー側のエラー発生件数、コータ・デベロッパー側
のエラー発生件数等の情報を生成する。
Here, information such as the number of processed lots, the number of processed wafers, the number of reticle replacements, the number of reticle foreign matter inspections NG, the number of error occurrences on the stepper side, and the number of error occurrences on the coater / developer side is generated.

【0069】以上の3つの機能(1)、(2)、(3)
を使うことによって、その日の各ステッパーの稼動状態
が把握でき、次の日に処理するロットに対して、より効
率的なプロセス・プログラムを組むことが可能となる。
特にエラー発生については、デバイス生産上で重大な問
題になることもあり、特定のステッパー、特定の処理項
目で同一のエラーが多発する場合は、その処理項目の流
れや、その処理項目の実行に関与するステッパー側の機
能、精度等の見直しや補修を必要とすることがただちに
わかる。
The above three functions (1), (2), (3)
By using, the operating status of each stepper on that day can be grasped, and it becomes possible to set up a more efficient process program for the lot processed on the next day.
Especially when an error occurs, it may become a serious problem in device production, and if the same error occurs frequently for a specific stepper or specific processing item, the flow of that processing item or the execution of that processing item It is immediately clear that the functions and accuracy of the involved steppers need to be reviewed and repaired.

【0070】以上、本発明の各実施例について説明した
が、その他、図2のシステムを利用して、テストレチク
ル(場合によってはデバイスレチクルでも可)を使った
ステッパーの性能評価も可能である。
Although the respective embodiments of the present invention have been described above, it is also possible to evaluate the performance of a stepper using a test reticle (a device reticle in some cases) by using the system of FIG.

【0071】性能評価の項目は、主に重ね合わせ精度や
アライメント精度に関するものであるが、その他、照明
光の照度分布、投影レンズの熱蓄積に対する補正手段の
制御精度、投影レンズのディストーション、像面湾曲、
ウェハホルダーのフラットネス、ウェハステージのステ
ッピング精度、直交度、レーザ干渉計用の移動鏡の曲
り、露光やアライメント、ウェハ交換、レチクル交換等
に要する時間、ベースライン(露光中心点とアライメン
トセンサーとの間隔距離)の時間的、温度的な安定性、
フォーカス精度等に関する項目も含まれる。
The items of performance evaluation mainly relate to overlay accuracy and alignment accuracy. In addition, the illuminance distribution of illumination light, control accuracy of correction means for heat accumulation of the projection lens, distortion of the projection lens, and image plane are also included. Curved,
Flatness of wafer holder, stepping accuracy of wafer stage, orthogonality, bending of moving mirror for laser interferometer, time required for exposure and alignment, wafer exchange, reticle exchange, baseline (exposure center point and alignment sensor Stability of the distance)
It also includes items related to focus accuracy.

【0072】これらの項目についても定期的に評価し
て、その評価結果をMDP110に遂次記憶する。これ
らの項目についての評価結果は、主にステッパー毎に整
理され、ステッパー間のマッチング管理、各ステッパー
の保守、精度維持等のための基礎データとして蓄積され
る。このステッパー固有の詳細なデータは、従来ステッ
パー本体側のコンピュータCMP・Enによって保管さ
れていたが、ラインを構成する全ステッパーの固有デー
タをMDP110によって統括して管理することで、露
光プロセス・プログラムに見合った最適なステッパーを
選んだり、ライン全体を見渡して、より効率的なステッ
パー運用を組むことが可能となる。
These items are also periodically evaluated, and the evaluation results are sequentially stored in the MDP 110. The evaluation results of these items are mainly organized for each stepper and accumulated as basic data for matching management between steppers, maintenance of each stepper, accuracy maintenance, and the like. The detailed data peculiar to this stepper was conventionally stored by the computer CMP / En on the stepper main body side, but by managing the peculiar data of all the steppers forming the line by the MDP 110, the exposure process program can be stored. It is possible to select the optimal stepper that suits you, or to look over the entire line to build a more efficient stepper operation.

【0073】また、ステッパー側の固有定数の変化を、
本露光中(ロット処理中)に遂次モニターし、オペレー
タによって設定された値、もしくは装置設計上で予め規
定された値からずれてきたか否かを判断し、ずれが許容
範囲からはずれるようなときは、それによって生ずる不
都合を修正するようにステッパーの稼動パラメータを補
正することもできる。
Further, the change in the intrinsic constant on the stepper side is
When the deviation is out of the allowable range, it is monitored continuously during the main exposure (during lot processing) to determine whether it has deviated from the value set by the operator or the value specified in advance in equipment design. Can also correct the operating parameters of the stepper so as to correct the inconvenience caused thereby.

【0074】例えば、ステッパーの露光動作時の光量制
御には、ウェハへ照射される1ショットの総露光量を光
電センサーを使った光量積分でモニターし、目標値に達
したらシャッターを閉じるインテグレータ制御モード
と、光源の光強度を予め計測しておいて、必要な露光量
に対応したシャッターの開時間を計算で求めるタイマー
制御モードとがある。インテグレータモードは光源の光
強度が変化したときでも、1ショット当りの露光量が常
に設定された目標値になるようにシャッターの開時間を
自動的に調整してくれるものであるが、1つのロット処
理の初めと終りとで、光源の光強度変化によって1ショ
ット毎の露光時間(シャッター開時間)に変化が生ずる
ことがあり、生産性(スループット)の管理を行なう上
で手間がかかる。
For example, in controlling the light amount during the exposure operation of the stepper, the total exposure amount of one shot irradiated on the wafer is monitored by the light amount integration using a photoelectric sensor, and the shutter is closed when the target value is reached, the integrator control mode. There is a timer control mode in which the light intensity of the light source is measured in advance and the opening time of the shutter corresponding to the required exposure amount is calculated. The integrator mode automatically adjusts the shutter opening time so that the exposure amount per shot will always reach the set target value even when the light intensity of the light source changes. The exposure time (shutter opening time) for each shot may change at the beginning and end of the process due to the change in the light intensity of the light source, which takes time and effort to manage the productivity (throughput).

【0075】これに対してタイマーモードは、1ショッ
ト当りの露光時間が決っているため、スループット管理
の上での手間はないが、光源の強度変化が許容範囲(1
ロット処理中に例えば±数%)以下である必要がある。
そこで、ステッパー側の固有定数として光源の光強度を
モニターする光電センサーの出力値をパイロット露光時
はもちろんのこと、ロット処理のときも遂次チェック
し、パイロット露光時に得られた出力値が、ロット処理
中に許容範囲内で維持されているか否かを判定する機能
(回路、又はプログラム)を設ける。そして、この機能
によってロット処理中に光源の光強度変化が検知された
ときは、ロット処理中であっても、MDP110はステ
ッパーで露光動作に入るウェハに対する露光時間を補正
するように、ASUS機能によってMC100に設定さ
れた露光時間の値を修正する。あるいは、光源の光強度
そのものが許容範囲内に維持されるように光源の供給電
力等を微調整してもよい。
On the other hand, in the timer mode, since the exposure time per shot is fixed, there is no trouble in throughput control, but the intensity change of the light source is within the allowable range (1
It should be less than ± several% during lot processing.
Therefore, the output value of the photoelectric sensor that monitors the light intensity of the light source as an inherent constant on the stepper side is sequentially checked not only during pilot exposure but also during lot processing, and the output value obtained during pilot exposure is A function (circuit or program) for determining whether or not it is maintained within an allowable range during processing is provided. When a change in the light intensity of the light source is detected during the lot processing by this function, the MDP 110 uses the ASUS function to correct the exposure time for the wafer that enters the exposure operation with the stepper even during the lot processing. The value of the exposure time set in MC100 is corrected. Alternatively, the power supplied to the light source or the like may be finely adjusted so that the light intensity itself of the light source is maintained within an allowable range.

【0076】このように、ステッパー固有の装置定数の
変化を、LAN50を介してMDP110で遂次モニタ
ーすることによって、ロット処理中に発生し得る各種精
度の劣化を未然に防止することが可能となる。その他、
ステッパー固有の定数変化としては、フォーカスセンサ
ーを使った自動焦点合わせの制御精度(又は追い込み時
間)の変化、アライメントセンサーによる計測精度の変
化、投影レンズの倍率変化や結像面の位置変化、あるい
はウェハステージの走り精度(ヨーイング等のくせ)の
変化等が考えられ、これらの定数変化についても同様の
手法が適用できる。
As described above, by sequentially monitoring the change in the device constant peculiar to the stepper by the MDP 110 via the LAN 50, it is possible to prevent deterioration of various kinds of accuracy that may occur during lot processing. . Other,
The constants peculiar to the stepper include changes in the control accuracy (or drive time) of automatic focusing using the focus sensor, changes in the measurement accuracy by the alignment sensor, changes in the magnification of the projection lens, changes in the position of the image plane, or wafers. Changes in the running accuracy of the stage (habits such as yawing) are considered, and the same method can be applied to these constant changes.

【0077】以上の如く、本発明はロット先頭のパイロ
ット処理のみならず、本露光処理の間であっても、稼動
条件をダイナミックに修正することができるので、ライ
ン全体の稼動率、歩留りを飛躍的に高めることができ
る。
As described above, according to the present invention, not only the pilot process at the head of the lot but also the operating conditions can be dynamically corrected during the main exposure process, so that the operating rate and the yield of the entire line are greatly increased. Can be increased.

【0078】[0078]

【発明の効果】請求項1、2、18、19、35に記載
の本発明によれば、クリーンルームにオペレータが入る
ことなく記憶した情報を確認することができるので、リ
ソグラフィ工程を安定に維持することが可能となる。ま
た、請求項10、29、36に記載の本発明によれば、
露光処理に見合った計測をすることが可能となり、リソ
グラフィ工程を安定に維持することが可能となる。さら
に、請求項43記載の本発明は、ホストコンピュータに
干渉することなく情報収集装置との通信を行うことがで
き、リソグラフィ工程を安定に維持することが可能とな
る。また、請求項47記載の本発明は、露光装置及びコ
ータデベロッパの状態を詳細に把握することができ、露
光処理を含むリソグラフィ工程を安定に維持することが
可能となる。
According to the present invention as set forth in claims 1, 2, 18, 19 and 35, the stored information can be confirmed without an operator entering the clean room, so that the lithography process can be stably maintained. It becomes possible. Further, according to the present invention described in claims 10, 29 and 36,
It is possible to perform the measurement corresponding to the exposure process, and it is possible to stably maintain the lithography process. Furthermore, the present invention according to claim 43 can communicate with the information collecting apparatus without interfering with the host computer, and the lithography process can be stably maintained. The invention according to claim 47 is the exposure apparatus and
Data developer status can be grasped in detail,
Stable maintenance of lithographic process including optical processing
It will be possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】半導体デバイスの製造ラインで使われている従
来のプロセス管理システムの構成を示す図、
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a conventional process management system used in a semiconductor device manufacturing line,

【図2】本発明の実施例によるリソグラフィ情報管理シ
ステムの構成を示す図、
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a lithography information management system according to an embodiment of the present invention,

【図3】ステッパーとコータ・デベロッパーとの関連を
示す斜視図、
FIG. 3 is a perspective view showing the relationship between a stepper and a coater / developer.

【図4】オートセットアップサービス機能を実行すると
きの各種情報のフローを説明するブロック図、
FIG. 4 is a block diagram illustrating a flow of various information when executing an auto setup service function.

【図5】オートセットアップサービス機能の第1の実施
例による動作を説明するフローチャート図、
FIG. 5 is a flow chart for explaining the operation of the first embodiment of the auto setup service function,

【図6】オートセットアップサービス機能の第1の実施
例による動作の変形例を説明するフローチャート図。
FIG. 6 is a flow chart for explaining a modification of the operation of the first embodiment of the auto setup service function.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

H・COM ホストコンピュータ EXP1 、EXP2 、EXPn 露光装置 CD1 、CD2 、CDn コータ・デベロッパー RL1 、RL2 、RLn レチクルライブラリー WCL1 、WCL2 、WCLn ウェハカセットライブ
ラリー CMP・E1 、CMP・E2 、CMP・En 露光装置
側コンピュータ 50 イーサネット(登録商標)LAN 100 マシン・コントローラ(MC) 110 マスター・データ・プロセッサ(MDP) 120 集中情報サーバ(CIS) 140、150 計測器
H-COM host computer EXP1, EXP2, EXPn exposure apparatus CD1, CD2, CDn coater / developer RL1, RL2, RLn reticle library WCL1, WCL2, WCLn wafer cassette library CMP / E1, CMP / E2, exposure apparatus CMP / En Side computer 50 Ethernet (registered trademark) LAN 100 Machine controller (MC) 110 Master data processor (MDP) 120 Centralized information server (CIS) 140, 150 Measuring instrument

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−7129(JP,A) 特開 昭63−138732(JP,A) 特開 昭63−312050(JP,A) 特開 平6−168863(JP,A) 特開 平3−163818(JP,A) 特開 昭63−249328(JP,A) 特開 平2−109315(JP,A) 特開 昭62−299022(JP,A) 特開 平2−89305(JP,A) 特開 昭63−166211(JP,A) 特開 平2−170520(JP,A) 特開 平2−230711(JP,A) 特開 昭63−66933(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/20 Continuation of front page (56) Reference JP 62-7129 (JP, A) JP 63-138732 (JP, A) JP 63-312050 (JP, A) JP 6-168863 (JP , A) JP 3-163818 (JP, A) JP 63-249328 (JP, A) JP 2-109315 (JP, A) JP 62-299022 (JP, A) JP 2-89305 (JP, A) JP-A 63-166211 (JP, A) JP-A 2-170520 (JP, A) JP-A 2-230711 (JP, A) JP-A 63-66933 (JP, A) A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims (54)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 クリーンルーム内に配置された複数の露
光装置を有するリソグラフィシステムにおいて、前記複数の露光装置を統括管理するホストコンピュータ
と、 前記複数の露光装置が接続された通信手段に接続され、
前記通信手段を介して前記各露光装置のそれぞれから前
記各露光装置の稼動情報を収集して記憶する情報収集手
とを有し、 前記情報収集手段は、前記ホストコンピュータとは独立
に設けられているとともに、 前記クリーンルーム外に配
されていることを特徴とするリソグラフィシステム。
1. In a lithography system having a plurality of exposure apparatuses arranged in a clean room, a host computer that integrally controls the plurality of exposure apparatuses.
And a communication means to which the plurality of exposure apparatuses are connected,
And an information collection unit that collects and stores the operation information of the exposure apparatus from each of the respective exposure apparatus through said communication means, said information collecting means, independent of the host computer
Lithography system with provided, characterized in that it is arranged outside the clean room.
【請求項2】 クリーンルーム内に配置された複数の露
光装置を有するリソグラフィシステムにおいて、前記複数の露光装置を統括管理するホストコンピュータ
と、 前記複数の露光装置が接続された通信手段に接続され、
前記通信手段を介して前記各露光装置のそれぞれから前
記各露光装置のそれぞれで加工された基板の加工状態情
報を収集して記憶する情報収集手段とを有し、 前記情報収集手段は、前記ホストコンピュータとは独立
に設けられているとともに、 前記クリーンルーム外に配
されていることを特徴とするリソグラフィシステム。
2. In a lithography system having a plurality of exposure apparatuses arranged in a clean room, a host computer that integrally controls the plurality of exposure apparatuses.
And a communication means to which the plurality of exposure apparatuses are connected,
And an information collecting means for collecting and storing the machining status information of the substrate that has been processed by each of the respective exposure apparatuses from each of the respective exposure apparatus through said communication means, said information collection means, said host Independent of computer
Lithography system with provided, characterized in that it is arranged outside the clean room.
【請求項3】 前記稼働情報は、前記各露光装置のエラ
ー発生情報を含むことを特徴とする請求項1に記載のリ
ソグラフィシステム。
3. The lithography system according to claim 1, wherein the operation information includes error occurrence information of each of the exposure apparatuses.
【請求項4】 前記情報収集手段は、前記各露光装置の
エラー発生情報の履歴を記憶する記憶手段を有すること
を特徴とする請求項3に記載のリソグラフィシステム。
4. The lithography system according to claim 3, wherein the information collecting unit includes a storage unit that stores a history of error occurrence information of each of the exposure apparatuses.
【請求項5】 前記稼働情報は、前記各露光装置が過去
に実行した露光処理での稼働条件の情報を含むことを特
徴とする請求項1に記載のリソグラフィシステム。
5. The lithography system according to claim 1, wherein the operation information includes information on an operation condition in an exposure process executed by each of the exposure apparatuses in the past.
【請求項6】 前記情報収集手段と前記通信手段で接続
され、前記各露光装置のそれぞれで露光処理された基板
の加工状態を計測する計測器をさらに有し、 前記情報収集手段は、前記通信手段を介して前記計測器
で計測された加工状態情報を収集することを特徴とする
請求項2に記載のリソグラフィシステム。
6. The information collecting means further comprises a measuring instrument which is connected to the information collecting means and which measures a processing state of a substrate exposed by each of the exposure apparatuses, and the information collecting means comprises the communication means. The lithography system according to claim 2, wherein processing state information measured by the measuring instrument is collected via a means.
【請求項7】 前記各露光装置は、露光処理した基板の
加工状態を計測し、その計測結果を前記通信手段を介し
て前記情報収集手段に送信することを特徴とする請求項
2に記載のリソグラフィシステム。
7. The exposure apparatus according to claim 2, wherein each of the exposure apparatuses measures a processing state of the substrate subjected to the exposure processing, and transmits the measurement result to the information collecting unit via the communication unit. Lithography system.
【請求項8】 前記加工状態情報は、前記基板上に形成
されたパターンの線幅データを含前記情報収集手段で収集された加工状態情報に基づい
て、前記各露光装置毎に設定された稼動条件を、前記通
信手段を介して補正する設定手段をさらに有する ことを
特徴とする請求項2、6、及び7のいずれか一項に記載
のリソグラフィシステム。
Wherein said machining status information, viewing including the line width data of the pattern formed on the substrate, based on the collected machining state information by said information collecting means
The operating conditions set for each exposure apparatus
The lithographic system according to claim 2, further comprising setting means for performing correction via a receiving means .
【請求項9】 前記情報収集手段で収集された前記各露
光装置の稼動情報に基づいて、前記各露光装置毎に設定
された稼動条件の補正を行う設定手段をさらに有するこ
とを特徴とする請求項1、及び3〜5のいずれか一項に
記載のリソグラフィシステム。
9. The dew collected by the information collecting means
Set for each exposure device based on optical device operation information
Further, a setting means for correcting the specified operating conditions should be further provided.
And any one of claims 3 to 5 characterized by
The described lithographic system.
【請求項10】 露光装置を用いたリソグラフィシステ
ムにおいて、 前記露光装置で露光処理された基板の加工状態を計測す
る計測手段と、 前記基板を露光処理したときの前記露光装置の露光処理
情報に基づいて、前記露光処理された基板に対する前記
計測手段の計測条件を設定する設定手段と、 を有することを特徴とするリソグラフィシステム。
10. A lithography system using an exposure apparatus, based on measurement means for measuring a processing state of a substrate exposed by the exposure apparatus, and exposure processing information of the exposure apparatus when the substrate is subjected to the exposure processing. And a setting unit configured to set a measurement condition of the measuring unit for the substrate subjected to the exposure processing.
【請求項11】 前記露光処理情報は、前記露光装置で
処理した基板の品種に関する情報を含むこと特徴とする
請求項10に記載のリソグラフィシステム。
11. The lithography system according to claim 10 , wherein the exposure processing information includes information regarding a type of substrate processed by the exposure apparatus.
【請求項12】 前記設定手段は、前記計測手段をリモ
ート制御することを特徴とする請求項10又は11に記
載のリソグラフィシステム。
12. The lithography system according to claim 10, wherein the setting unit remotely controls the measuring unit.
【請求項13】 前記露光装置は、複数枚の基板で構成
されるロットを露光処理するとともに、前記計測手段が
前記ロット先頭の基板を計測中に、前記ロット内の他の
基板を露光処理することを特徴とする請求項10〜12
のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
13. The exposure apparatus performs an exposure process on a lot composed of a plurality of substrates, and also performs an exposure process on another substrate in the lot while the measuring unit is measuring the substrate at the top of the lot. It is characterized by the above-mentioned.
A lithographic system according to any one of the items.
【請求項14】 前記露光装置は、複数枚の基板で構成
されるロットを露光処理し、前記計測手段は、前記ロッ
トの露光処理が終了した後、前記ロット内の基板を全数
又は抜き取り計測することを特徴とする請求項10〜1
3のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
14. The exposure apparatus performs an exposure process on a lot composed of a plurality of substrates, and the measuring unit measures all or a total of the substrates in the lot after the exposure process of the lot is completed. Claims 10 to 1 characterized in that
The lithographic system according to any one of 3 above.
【請求項15】 リソグラフィシステムは、前記露光装
置を複数台有するとともに、前記複数の露光装置を統括
制御するホストコンピュータを有し、 前記計測手段と前記複数の露光装置とは、通信手段を介
して前記設定手段と接続されていることを特徴とする請
求項10〜14のいずれか一項に記載のリソグラフィシ
ステム。
15. A lithography system has a plurality of the exposure apparatuses and a host computer that integrally controls the plurality of the exposure apparatuses, and the measuring unit and the plurality of the exposure apparatuses are connected via a communication unit. The lithographic system according to any one of claims 10 to 14, wherein the lithographic system is connected to the setting unit.
【請求項16】 前記通信手段は、ローカルエリアネッ
トワークであることを特徴とする請求項1〜9、及び1
5のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
16. The communication device is a local area network, and the communication device is a network device.
6. The lithographic system according to any one of 5 above.
【請求項17】 前記ローカルエリアネットワークは、
イーサネット(登録商標)であることを特徴とする請求
項16に記載のリソグラフィシステム。
17. The local area network comprises:
The lithographic system of claim 16, wherein the lithographic system is Ethernet.
【請求項18】 ホストコンピュータによって統括制御
される複数の露光装置のそれぞれの稼働情報を収集する
情報収集装置であって、 前記情報収集装置はホストコンピュータとは独立に設け
られており、 クリーンルーム内に配置された複数の露光
装置がそれぞれ接続された通信手段に対して前記クリー
ンルーム外から接続され、前記通信手段を介して前記各
露光装置のそれぞれから収集した前記各露光装置の稼動
情報を前記クリーンルーム外で記憶することを特徴とす
る情報収集装置。
18. Integrated control by a host computer
The operation information of each of the multiple exposure devices
An information collecting device, wherein the information collecting device is provided independently of the host computer.
Each of the exposure apparatuses is connected from outside the clean room to a communication unit to which a plurality of exposure apparatuses arranged in a clean room are respectively connected, and is collected from each of the exposure apparatuses via the communication unit. An information collecting device, characterized in that the operation information of is stored outside the clean room.
【請求項19】 ホストコンピュータによって統括制御
される複数の露光装置のそれぞれで加工された基板の加
工状態情報を収集する情報収集装置であって、 前記情報収集装置はホストコンピュータとは独立に設け
られており、 クリーンルーム内に配置された複数の露光
装置がそれぞれ接続された通信手段に対して前記クリー
ンルーム外から接続され、前記通信手段を介して前記各
露光装置のそれぞれから収集した前記各露光装置のそれ
ぞれで加工された基板の加工状態情報を前記クリーンル
ーム外で記憶することを特徴とする情報収集装置。
19. Integrated control by a host computer
Of the substrate processed by each of the multiple exposure devices
An information collecting device for collecting work state information, wherein the information collecting device is provided independently of a host computer.
Each of the exposure apparatuses is connected from outside the clean room to a communication unit to which a plurality of exposure apparatuses arranged in a clean room are respectively connected, and is collected from each of the exposure apparatuses via the communication unit. An information collecting apparatus, wherein processing state information of a substrate processed by each of the above is stored outside the clean room.
【請求項20】 前記情報収集装置は、収集した情報を
前記複数の露光装置 毎、又は前記複数の露光装置が露光
処理する基板の品種毎に編集、整理して記憶することを
特徴とする請求項18に記載の情報収集装置。
20. The information collecting device collects the collected information.
Each of the plurality of exposure apparatuses or the plurality of exposure apparatuses exposes
Editing, organizing and storing for each type of board to be processed
The information collecting device according to claim 18 , wherein the information collecting device is a device.
【請求項21】 前記稼動情報は、前記各露光装置のエ
ラー発生情報を含むことを特徴とする請求項18に記載
の情報収集装置。
21. The information collecting apparatus according to claim 18, wherein the operation information includes error occurrence information of each of the exposure apparatuses.
【請求項22】 前記情報収集装置は、前記各露光装置
のエラー発生情報の履歴を記憶する記憶手段を有するこ
とを特徴とする請求項21に記載の情報収集装置。
22. The information collecting apparatus according to claim 21, wherein the information collecting apparatus has a storage unit that stores a history of error occurrence information of each of the exposure apparatuses.
【請求項23】 前記稼動情報は、前記各露光装置が過
去に実行した露光処理での稼動条件の情報を含むことを
特徴とする請求項18に記載の情報収集装置。
23. The information collecting apparatus according to claim 18, wherein the operation information includes information on an operation condition in an exposure process executed by each of the exposure apparatuses in the past.
【請求項24】 前記情報収集装置は、前記各露光装置
のそれぞれで露光処理された基板の加工状態を計測する
計測器と前記通信手段を介して接続され、前記計測器で
計測された加工状態情報を前記通信手段を介して収集す
ることを特徴とする請求項19に記載の情報収集装置。
24. The information collecting device is connected via a communication unit to a measuring instrument for measuring the processing state of a substrate exposed by each of the exposure apparatuses, and the processing state measured by the measuring instrument. The information collecting apparatus according to claim 19, wherein information is collected via the communication means.
【請求項25】 前記複数の露光装置は、露光処理した
基板の加工状態を計測し、その計測結果を前記通信手段
を介して前記情報収集装置に送信することを特徴とする
請求項19に記載の情報収集装置。
25. The exposure apparatus according to claim 19, wherein the plurality of exposure apparatuses measure a processing state of the substrate subjected to the exposure processing, and transmit the measurement result to the information collecting apparatus via the communication unit. Information collection device.
【請求項26】 前記加工状態情報は、前記基板上に形
成されたパターンの線幅データを含むことを特徴とする
請求項19、24、及び25のいずれか一項に記載の情
報収集装置。
26. The information collecting apparatus according to claim 19, wherein the processing state information includes line width data of a pattern formed on the substrate.
【請求項27】 前記通信手段は、ローカルエリアネッ
トワークであることを特徴とする請求項18〜26のい
ずれか一項に記載の情報収集装置。
27. The information collecting apparatus according to claim 18, wherein the communication unit is a local area network.
【請求項28】 前記ローカルエリアネットワークは、
イーサネット(登録商標)であることを特徴とする請求
項27に記載の情報収集装置。
28. The local area network comprises:
28. The information collecting device according to claim 27, which is an Ethernet (registered trademark).
【請求項29】 露光装置と、該露光装置で露光処理さ
れた基板の加工状態を計測する計測手段とに接続されて
おり、前記基板を露光処理したときの前記露光装置の露
光処理情報に基づいて、前記露光処理された基板に対す
る前記計測手段の計測条件を設定することを特徴とする
設定装置。
29. An exposure apparatus and a measuring means for measuring a processing state of a substrate subjected to the exposure processing by the exposure apparatus, and based on exposure processing information of the exposure apparatus when the substrate is subjected to the exposure processing. And a measuring condition of the measuring means for the exposed substrate is set.
【請求項30】 前記露光処理情報は、前記露光装置で
処理した基板の品種に関する情報を含むことを特徴とす
る請求項29に記載の設定装置。
30. The setting apparatus according to claim 29, wherein the exposure processing information includes information regarding a type of substrate processed by the exposure apparatus.
【請求項31】 前記設定装置は、前記計測手段をリモ
ート制御することを特徴とする請求項29又は30に記
載の設定装置。
31. The setting device according to claim 29, wherein the setting device remotely controls the measuring unit.
【請求項32】 前記設定装置は、通信手段を介して複
数台の前記露光装置と接続されていることを特徴とする
請求項29〜31のいずれか一項に記載の設定装置。
32. The setting device according to claim 29, wherein the setting device is connected to a plurality of the exposure devices via a communication unit.
【請求項33】 前記通信手段は、ローカルエリアネッ
トワークであることを特徴とする請求項32に記載の設
定装置。
33. The setting device according to claim 32, wherein the communication unit is a local area network.
【請求項34】 前記ローカルエリアネットワークは、
イーサネット(登録商標)であることを特徴とする請求
項33に記載の設定装置。
34. The local area network comprises:
34. The setting device according to claim 33, which is an Ethernet (registered trademark).
【請求項35】 クリーンルーム内に配置されネットワ
ークに接続された露光装置であって、前記露光装置は、他の露光装置とともにホストコンピュ
ータによって統括制御されており、前記ホストコンピュ
ータとは独立に設けられ 前記クリーンルーム外から前記
ネットワークに接続された情報収集手段に対して、前記
ネットワークを介して前記露光装置の稼動情報、又は前
記露光装置で加工した基板の加工情報を送信する制御手
段を有することを特徴とする露光装置。
35. An exposure apparatus arranged in a clean room and connected to a network, wherein the exposure apparatus is a host computer together with other exposure apparatuses.
The host computer controls the host computer.
Wherein from the clean room outside it is provided independently of the chromatography data
An exposure apparatus comprising: a control unit for transmitting, to the information collecting unit connected to a network, operation information of the exposure apparatus or processing information of a substrate processed by the exposure apparatus via the network.
【請求項36】 ネットワークに接続された露光装置で
あって、 前記ネットワークを介して前記露光装置で露光処理され
た基板の加工状態を計測する計測器と、前記露光装置の
露光処理情報に基づいて前記露光装置で露光処理された
基板に対する前記計測器の計測条件を設定する設定装置
とに接続され、前記ネットワークを介して前記基板を露
光処理した際の露光処理情報を前記設定装置に送信する
制御手段を有することを特徴とする露光装置。
36. An exposure apparatus connected to a network, the measuring apparatus measuring the processing state of a substrate subjected to the exposure processing by the exposure apparatus via the network, and based on the exposure processing information of the exposure apparatus. Control for connecting to a setting device that sets measurement conditions of the measuring device for a substrate that has been subjected to exposure processing by the exposure device, and transmitting exposure processing information when the substrate has been exposed through the network to the setting device An exposure apparatus comprising means.
【請求項37】 前記稼動情報は、前記露光装置のエラ
ー発生情報を含むことを特徴とする請求項35に記載の
露光装置。
37. The exposure apparatus according to claim 35, wherein the operation information includes error occurrence information of the exposure apparatus.
【請求項38】 前記情報収集手段は、前記露光装置の
エラー発生情報の履歴を記憶する記憶手段を有すること
を特徴とする請求項37に記載の露光装置。
38. The exposure apparatus according to claim 37, wherein the information collection unit has a storage unit that stores a history of error occurrence information of the exposure apparatus.
【請求項39】 前記稼動情報は、前記各露光装置が過
去に実行した露光処理での稼動条件の情報を含むことを
特徴とする請求項35に記載の露光装置。
39. The exposure apparatus according to claim 35, wherein the operation information includes information on an operation condition in an exposure process executed by each of the exposure apparatuses in the past.
【請求項40】 前記露光処理情報は、前記露光装置で
処理した基板の品種に関する情報を含むことを特徴とす
る請求項36に記載の露光装置。
40. The exposure apparatus according to claim 36, wherein the exposure processing information includes information regarding a type of substrate processed by the exposure apparatus.
【請求項41】 前記ネットワークは、ローカルエリア
ネットワークであることを特徴とする請求項35〜40
のいずれか一項に記載の露光装置。
41. The network of claim 35, wherein the network is a local area network.
The exposure apparatus according to any one of 1.
【請求項42】 前記ローカルエリアネットワークは、
イーサネット(登録商標)であることを特徴とする請求
項41に記載の露光装置。
42. The local area network comprises:
The exposure apparatus according to claim 41, which is an Ethernet (registered trademark).
【請求項43】 ホストコンピュータによって他の露光
装置とともに統括制御される露光装置であって、 第1の通信回線を介した通信機能と、前記第1の通信回
線と種類が異なる第2の通信回線を介した通信機能とを
有し、前記第1の通信回線を介して前記ホストコンピュ
ータと接続され、前記第2の通信回線を介して前記露光
装置の稼動情報又は性能評価の結果を収集する情報収集
装置と接続されている制御手段を有することを特徴とす
る露光装置。
43. An exposure apparatus which is integrally controlled by a host computer together with other exposure apparatuses, wherein a communication function via the first communication line and a second communication line different in type from the first communication line are provided. Information having a communication function via the first communication line, connected to the host computer via the first communication line, and collecting operation information or performance evaluation results of the exposure apparatus via the second communication line. An exposure apparatus having a control means connected to the collecting apparatus.
【請求項44】 前記制御手段は、前記第1の通信回線
と接続するRS232Cインターフェースを有すること
を特徴とする請求項43に記載の露光装置。
44. The exposure apparatus according to claim 43, wherein the control unit has an RS232C interface connected to the first communication line.
【請求項45】 前記第2の通信回線はローカルエリア
ネットワークであることを特徴とする請求項43又は4
4に記載の露光装置。
45. The second communication line is a local area network, according to claim 43 or 4.
The exposure apparatus according to 4.
【請求項46】 前記ローカルエリアネットワークは、
イーサネット(登録商標)であることを特徴とする請求
項45に記載の露光装置。
46. The local area network comprises:
46. The exposure apparatus according to claim 45, which is Ethernet (registered trademark).
【請求項47】 露光装置と、該露光装置で露光処理さ
れる基板へのレジスト塗布及び現像処理を行うコータデ
ベロッパとに対して通信手段を介して接続され、前記通
信手段を介して前記露光装置及び前記コータデベロッパ
のエラー発生情報を収集して該エラー発生情報の履歴デ
ータを記憶し、その履歴データを用いて集計情報を生成
することを特徴とする情報収集装置。
47. An exposure apparatus and an exposure process performed by the exposure apparatus.
Coater for coating and developing resist on the substrate
Connected to the developer via communication means,
The exposure device and the coater developer via a communication means.
Error occurrence information is collected and the history data of the error occurrence information is collected.
Data and memorize data, and generate aggregate information using the history data
An information collecting device characterized by:
【請求項48】 前記集計情報は、前記露光装置のエラ
ー発生件数、及び前記コータデベロッパのエラー発生件
数を含むことを特徴とする請求項47に記載の情報収集
装置。
48. The summary information is an error of the exposure apparatus.
-Number of occurrences and occurrence of errors by the coater developer
48. Information collection according to claim 47, characterized in that it comprises a number.
apparatus.
【請求項49】 前記露光装置と前記コータデベロッパ
とは、インライン化されていることを特徴とする請求項
47又は48に記載の情報収集装置。
49. The exposure apparatus and the coater developer
And are inlined.
47. The information collecting device according to 47 or 48.
【請求項50】 前記露光装置を他の露光装置とともに
統括管理するホストコンピュータをさらに有し、前記情
報収集装置は、前記ホストコンピュータとは独立に設け
られていることを特徴とする請求項47〜49のいずれ
か一項に記載の情報収集装置。
50. The exposure apparatus together with another exposure apparatus
It further has a host computer for centralized management,
The information collecting device is provided independently of the host computer.
50. Any of claims 47-49 characterized in that
The information collecting device described in paragraph 1.
【請求項51】 請求項1〜17のいずれか一項に記載
のリソグラフィシステムを用いて半導体デバイスを製造
することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
51. A method of manufacturing a semiconductor device, which comprises manufacturing a semiconductor device using the lithography system according to claim 1.
【請求項52】 請求項18〜28、及び47〜50
いずれか一項に記載の情報収集装置を用いて半導体デバ
イスを製造することを特徴とする半導体デバイス製造方
法。
52. A semiconductor device manufacturing method, characterized in that a semiconductor device is manufactured using the information collecting apparatus according to any one of claims 18 to 28 and 47 to 50 .
【請求項53】 請求項29〜34のいずれか一項に記
載の設定装置を用いて半導体デバイスを製造することを
特徴とする半導体デバイス製造方法。
53. A semiconductor device manufacturing method, characterized in that a semiconductor device is manufactured using the setting device according to any one of claims 29 to 34.
【請求項54】 請求項35〜46のいずれか一項に記
載の露光装置を用いて半導体デバイスを製造することを
特徴とする半導体デバイス製造方法。
54. A semiconductor device manufacturing method, characterized in that a semiconductor device is manufactured by using the exposure apparatus according to any one of claims 35 to 46.
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