JP3357247B2 - 感温素子および輻射線センサ - Google Patents
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、環境温度変化や赤
外線照射によって抵抗値が変化する感温素子、および該
感温素子を用いた輻射線センサに関する。
外線照射によって抵抗値が変化する感温素子、および該
感温素子を用いた輻射線センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、特開平８−１６６２９５号公
報に記載されているように、フェノール樹脂等の有機材
料を６４０〜７５０°Ｃで炭化処理し、その炭化物を感
温素子として用いた温度センサが知られている。この温
度センサは感温素子の抵抗値が雰囲気温度によって変化
することを利用したもので、感温素子の両端に形成した
電極から抵抗値、実際には電圧値を検出するように構成
されている。
報に記載されているように、フェノール樹脂等の有機材
料を６４０〜７５０°Ｃで炭化処理し、その炭化物を感
温素子として用いた温度センサが知られている。この温
度センサは感温素子の抵抗値が雰囲気温度によって変化
することを利用したもので、感温素子の両端に形成した
電極から抵抗値、実際には電圧値を検出するように構成
されている。
【０００３】また、特開平３−９６８２４号公報に記載
されているように、赤外線を吸収することによる温度変
化に起因する抵抗値変化で赤外線を検出する感温素子と
して、炭化ケイ素等を主成分とする繊維フイラメントで
構成したものが知られている。このような感温素子を用
いて赤外線センサを構成する場合、４個の感温素子の２
個を感輻射用感温素子、他の２個を温度補償用感温素子
として用い、感輻射用感温素子と温度補償用感温素子を
交互に直列接続してブリッジ回路を構成すると、雰囲気
温度による感温素子の抵抗値変化をキャンセルでき、赤
外線を吸収することによる温度変化に起因する感温素子
の抵抗値変化のみを検出することができる。
されているように、赤外線を吸収することによる温度変
化に起因する抵抗値変化で赤外線を検出する感温素子と
して、炭化ケイ素等を主成分とする繊維フイラメントで
構成したものが知られている。このような感温素子を用
いて赤外線センサを構成する場合、４個の感温素子の２
個を感輻射用感温素子、他の２個を温度補償用感温素子
として用い、感輻射用感温素子と温度補償用感温素子を
交互に直列接続してブリッジ回路を構成すると、雰囲気
温度による感温素子の抵抗値変化をキャンセルでき、赤
外線を吸収することによる温度変化に起因する感温素子
の抵抗値変化のみを検出することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の如く
低温処理した炭化物は半導体的導電性を示し、その比抵
抗が高いほど温度依存性（サーミスタ定数）が大きくな
り、比抵抗が低いほど温度依存性が小さくなる関係にあ
る。一方、かかる炭化物を温度センサや輻射線センサ等
の感温素子として使用する場合、センサの検出回路や雑
音を考慮すると、感温素子の実働抵抗は低い方が望まし
い。しかしながら、前述した従来の温度センサに用いら
れている感温素子では、低温処理炭化物の両端に電極を
形成し、これら電極間に位置する炭化物の長さ方向の抵
抗を検出するように構成されているため、両電極間の実
働抵抗値を通常の使用範囲である数ｋΩ〜数百ｋΩにす
るには、比抵抗の高い炭化物を用いることができなくな
る。その結果、感温素子の温度依存性が小さくなり、セ
ンサの感度が低下するという問題がある。
低温処理した炭化物は半導体的導電性を示し、その比抵
抗が高いほど温度依存性（サーミスタ定数）が大きくな
り、比抵抗が低いほど温度依存性が小さくなる関係にあ
る。一方、かかる炭化物を温度センサや輻射線センサ等
の感温素子として使用する場合、センサの検出回路や雑
音を考慮すると、感温素子の実働抵抗は低い方が望まし
い。しかしながら、前述した従来の温度センサに用いら
れている感温素子では、低温処理炭化物の両端に電極を
形成し、これら電極間に位置する炭化物の長さ方向の抵
抗を検出するように構成されているため、両電極間の実
働抵抗値を通常の使用範囲である数ｋΩ〜数百ｋΩにす
るには、比抵抗の高い炭化物を用いることができなくな
る。その結果、感温素子の温度依存性が小さくなり、セ
ンサの感度が低下するという問題がある。
【０００５】また、前記感温素子は赤外線センサ等の輻
射線センサにも適用可能であるが、この場合、感温素子
の表裏のいずれか一方を感輻射面とし、この感輻射面に
外部からの輻射線が照射されるように構成する必要があ
る。しかしながら、前述した従来の感温素子はその両端
に電極が形成されているため、感温素子の片面全域を感
輻射面として機能させることができず、必要とされる感
輻射面を確保するには、感温素子の全体形状を大きくし
なければならない。その結果、感温素子の熱容量が大き
くなり、輻射線センサの応答速度が遅くなるという問題
がある。
射線センサにも適用可能であるが、この場合、感温素子
の表裏のいずれか一方を感輻射面とし、この感輻射面に
外部からの輻射線が照射されるように構成する必要があ
る。しかしながら、前述した従来の感温素子はその両端
に電極が形成されているため、感温素子の片面全域を感
輻射面として機能させることができず、必要とされる感
輻射面を確保するには、感温素子の全体形状を大きくし
なければならない。その結果、感温素子の熱容量が大き
くなり、輻射線センサの応答速度が遅くなるという問題
がある。
【０００６】また、繊維フイラメントの感温素子を用い
た赤外線センサ等の輻射線センサにおいて、例えば４本
の感温素子によりブリッジ回路を構成する場合、温度依
存性の等しい４本の繊維フイラメントを用いる必要があ
るが、そのような繊維フイラメントを準備するには製造
上の困難性を伴い、しかも、各繊維フイラメントの両端
の電極を導電性接着剤等で接続しなければならないた
め、組立作業性が悪くコスト高になるという問題があ
る。
た赤外線センサ等の輻射線センサにおいて、例えば４本
の感温素子によりブリッジ回路を構成する場合、温度依
存性の等しい４本の繊維フイラメントを用いる必要があ
るが、そのような繊維フイラメントを準備するには製造
上の困難性を伴い、しかも、各繊維フイラメントの両端
の電極を導電性接着剤等で接続しなければならないた
め、組立作業性が悪くコスト高になるという問題があ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、比抵抗の高い
炭化物を感温素子材料として用い、この炭化物の同一面
に複数の取出電極を形成し、反対面に導電層を形成する
こととする。このような感温素子は、取出電極間の抵抗
が炭化物の厚み方向の抵抗を直列に接続したものとほぼ
等しくなるため、比抵抗の高い炭化物を用いたにも拘ら
ず、実働抵抗値を通常の使用範囲である数ｋΩ〜数百ｋ
Ωに設定することができ、換言すると、温度依存性の大
きな感温素子を実現することができる。また、かかる感
温素子を用いた輻射線センサによれば、導電層が形成さ
れた部分を感輻射面とすることができ、この感輻射面に
は取出電極が形成されていないため、感温素子の熱容量
を小さくして応答速度を速めることができる。
炭化物を感温素子材料として用い、この炭化物の同一面
に複数の取出電極を形成し、反対面に導電層を形成する
こととする。このような感温素子は、取出電極間の抵抗
が炭化物の厚み方向の抵抗を直列に接続したものとほぼ
等しくなるため、比抵抗の高い炭化物を用いたにも拘ら
ず、実働抵抗値を通常の使用範囲である数ｋΩ〜数百ｋ
Ωに設定することができ、換言すると、温度依存性の大
きな感温素子を実現することができる。また、かかる感
温素子を用いた輻射線センサによれば、導電層が形成さ
れた部分を感輻射面とすることができ、この感輻射面に
は取出電極が形成されていないため、感温素子の熱容量
を小さくして応答速度を速めることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の感温素子では、有機材料
を炭化処理した炭化物の一方の面に複数の取出電極を形
成すると共に、他方のほぼ全面に該炭化物よりも比抵抗
の小さい導電層を形成した。前記炭化物は、常温下での
比抵抗が１Ω・ｃｍ〜１００ＭΩ・ｃｍで、サーミスタ
定数が１００〜３５００Ｋであることが好ましい。その
理由は、サーミスタ定数が１００Ｋ未満であると、温度
変化に対する出力の変化が小さ過ぎるため、温度センサ
や輻射線センサとして使いにくくなり、反対に、サーミ
スタ定数が３５００Ｋを越えると、比抵抗が高くなり過
ぎるため、通常の実働抵抗値の範囲内での使用が困難と
なるからである。
を炭化処理した炭化物の一方の面に複数の取出電極を形
成すると共に、他方のほぼ全面に該炭化物よりも比抵抗
の小さい導電層を形成した。前記炭化物は、常温下での
比抵抗が１Ω・ｃｍ〜１００ＭΩ・ｃｍで、サーミスタ
定数が１００〜３５００Ｋであることが好ましい。その
理由は、サーミスタ定数が１００Ｋ未満であると、温度
変化に対する出力の変化が小さ過ぎるため、温度センサ
や輻射線センサとして使いにくくなり、反対に、サーミ
スタ定数が３５００Ｋを越えると、比抵抗が高くなり過
ぎるため、通常の実働抵抗値の範囲内での使用が困難と
なるからである。
【０００９】前記炭化物の原材料としてはポリイミドや
ポリエチレンテレフタレート等の各種有機材料を選択で
きるが、特に、アラミドフィルムが好適である。すなわ
ち、アラミドフィルムはその形成面に沿って結晶配向さ
れているため、他の材料に比べると、炭化処理によって
結晶配向と直交する厚み方向の寸法減少率が大きくな
り、取出電極と導電層との間の距離をμｍオーダまで短
くすることができる。
ポリエチレンテレフタレート等の各種有機材料を選択で
きるが、特に、アラミドフィルムが好適である。すなわ
ち、アラミドフィルムはその形成面に沿って結晶配向さ
れているため、他の材料に比べると、炭化処理によって
結晶配向と直交する厚み方向の寸法減少率が大きくな
り、取出電極と導電層との間の距離をμｍオーダまで短
くすることができる。
【００１０】また、本発明の輻射線センサでは、前記感
温素子を備え、前記導電層に外部からの輻射線が照射さ
れるように構成した。その際、前記導電層として熱線吸
収効率の高い材料を用いる必要があり、特に、カーボン
を含む導電材料が好適である。
温素子を備え、前記導電層に外部からの輻射線が照射さ
れるように構成した。その際、前記導電層として熱線吸
収効率の高い材料を用いる必要があり、特に、カーボン
を含む導電材料が好適である。
【００１１】また、本発明の輻射線センサでは、前記感
温素子を少なくとも２つ備え、これら感温素子に形成さ
れた前記取出電極を直列に接続し、一方を感輻射用の感
温素子として用い、他方を温度補償用の感温素子として
用いた。このように構成された輻射線センサによれば、
感輻射用感温素子と温度補償用感温素子のそれぞれの温
度依存性を揃え易くなり、外部からの輻射線が感輻射用
感温素子の導電層のみに当たるようにすることで、雰囲
気温度による抵抗値変化を温度補償用感温素子でキャン
セルすることができる。
温素子を少なくとも２つ備え、これら感温素子に形成さ
れた前記取出電極を直列に接続し、一方を感輻射用の感
温素子として用い、他方を温度補償用の感温素子として
用いた。このように構成された輻射線センサによれば、
感輻射用感温素子と温度補償用感温素子のそれぞれの温
度依存性を揃え易くなり、外部からの輻射線が感輻射用
感温素子の導電層のみに当たるようにすることで、雰囲
気温度による抵抗値変化を温度補償用感温素子でキャン
セルすることができる。
【００１２】また、本発明の輻射線センサでは、炭化物
の原材料が１枚のベースフィルムからなる前記感温素子
を備え、該ベースフィルムの炭化物に感輻射用の導電層
と温度補償用の導電層をそれぞれ形成すると共に、これ
ら導電層に対向する取出電極を直列に接続した。このよ
うに構成された輻射線センサによれば、１枚のベースフ
ィルムに感輻射用感温素子と温度補償用感温素子とが形
成されているため、両者の温度依存性を揃えるための選
別作業が不要となり、作業性を向上できる。しかも、前
記ベースフィルム上で感輻射用感温素子と温度補償用感
温素子の取出電極を配線パターンで接続することがで
き、この点からも作業性を向上できる。
の原材料が１枚のベースフィルムからなる前記感温素子
を備え、該ベースフィルムの炭化物に感輻射用の導電層
と温度補償用の導電層をそれぞれ形成すると共に、これ
ら導電層に対向する取出電極を直列に接続した。このよ
うに構成された輻射線センサによれば、１枚のベースフ
ィルムに感輻射用感温素子と温度補償用感温素子とが形
成されているため、両者の温度依存性を揃えるための選
別作業が不要となり、作業性を向上できる。しかも、前
記ベースフィルム上で感輻射用感温素子と温度補償用感
温素子の取出電極を配線パターンで接続することがで
き、この点からも作業性を向上できる。
【００１３】また、前記ベースフィルムの炭化物に切り
込みを形成し、この切り込みによって分割された複数の
領域に感輻射用導電層と温度補償用導電層とを交互に形
成すると、感輻射用導電層で吸収された輻射熱が切り込
みで放熱されるため、温度補償用感温素子への熱電導に
よる温度上昇を抑えることができる。
込みを形成し、この切り込みによって分割された複数の
領域に感輻射用導電層と温度補償用導電層とを交互に形
成すると、感輻射用導電層で吸収された輻射熱が切り込
みで放熱されるため、温度補償用感温素子への熱電導に
よる温度上昇を抑えることができる。
【００１４】また、感輻射用感温素子と温度補償用感温
素子を用いた輻射線センサにおいて、全体を輻射線不透
過材料で形成した蓋体の一部に輻射線透過材料で形成し
た窓を設けると、外部からの輻射線が窓を透過して感輻
射用導電層のみに照射され、温度補償用導電層に照射さ
れるのを遮光することができる。あるいは、このような
遮光構造を採用しなくても、例えば、感輻射用導電層と
して前述したカーボンを含む導電材料を用いると共に、
温度補償用導電層としてアルミニウム、銀、クロム等の
カーボンよりも赤外線反射率が著しく高い金属薄膜を用
いることにより、外部からの輻射線が感輻射用導電層と
温度補償用導電層に照射しても、温度補償用感温素子の
温度上昇を抑えることができる。
素子を用いた輻射線センサにおいて、全体を輻射線不透
過材料で形成した蓋体の一部に輻射線透過材料で形成し
た窓を設けると、外部からの輻射線が窓を透過して感輻
射用導電層のみに照射され、温度補償用導電層に照射さ
れるのを遮光することができる。あるいは、このような
遮光構造を採用しなくても、例えば、感輻射用導電層と
して前述したカーボンを含む導電材料を用いると共に、
温度補償用導電層としてアルミニウム、銀、クロム等の
カーボンよりも赤外線反射率が著しく高い金属薄膜を用
いることにより、外部からの輻射線が感輻射用導電層と
温度補償用導電層に照射しても、温度補償用感温素子の
温度上昇を抑えることができる。
【００１５】
【実施例】実施例について図面を参照して説明すると、
図１は実施例に係る感温素子を表面側から見た斜視図、
図２は該感温素子を裏面側から見た斜視図、図３は該感
温素子の製造工程を示す説明図、図４は該感温素子の断
面図、図５は該感温素子の等価回路図である。
図１は実施例に係る感温素子を表面側から見た斜視図、
図２は該感温素子を裏面側から見た斜視図、図３は該感
温素子の製造工程を示す説明図、図４は該感温素子の断
面図、図５は該感温素子の等価回路図である。
【００１６】図１と図２に示すように、感温素子１はア
ラミド樹脂の炭化物２を有し、炭化物２の表面には導電
層３がほぼ全面にわたって形成されている。炭化物２の
常温下での比抵抗は１Ω・ｃｍ〜１００ＭΩ・ｃｍで、
サーミスタ定数は１００〜３５００Ｋである（なお、サ
ーミスタ定数Ｂを活性化エネルギーΔＥに換算して表す
と、両者はＢ＝５７９４×ΔＥの関係にあり、活性化エ
ネルギーΔＥ≒０．０１７〜０．６ｅＶとなる）。導電
層３の材料はその比抵抗が炭化物２よりも十分に小さけ
れば何でも良く、例えば、金、銀、銅、ニッケル、アル
ミニウム等の薄膜、カーボンインク、銀インク、銅イン
ク等の厚膜を用いることができ、それらは１０~6〜１０
3 Ω・ｃｍ程度の比抵抗である。また、炭化物２の裏面
には一対の取出電極４が所定間隔を保って形成されてお
り、各取出電極４に端子５がそれぞれ接続されている。
したがって、裏面に一対の取出電極４を設ける構成であ
るから、表裏の異なる両面に一対の取出電極を設けた場
合に比べ、端子５を接続する際の作業性が良好になる。
取出電極４の材料として前述した導電層３と同様のもの
を用い、これらを炭化物２の裏面に形成した後に、半田
や導電性接着剤を用いて取出電極４に端子５を接続する
ことも可能であるが、導電性接着剤自体を取出電極４と
しても良く、この場合、各端子５は導電性接着剤（取出
電極４）を用いて炭化物２の裏面に直接取付けられる。
ラミド樹脂の炭化物２を有し、炭化物２の表面には導電
層３がほぼ全面にわたって形成されている。炭化物２の
常温下での比抵抗は１Ω・ｃｍ〜１００ＭΩ・ｃｍで、
サーミスタ定数は１００〜３５００Ｋである（なお、サ
ーミスタ定数Ｂを活性化エネルギーΔＥに換算して表す
と、両者はＢ＝５７９４×ΔＥの関係にあり、活性化エ
ネルギーΔＥ≒０．０１７〜０．６ｅＶとなる）。導電
層３の材料はその比抵抗が炭化物２よりも十分に小さけ
れば何でも良く、例えば、金、銀、銅、ニッケル、アル
ミニウム等の薄膜、カーボンインク、銀インク、銅イン
ク等の厚膜を用いることができ、それらは１０~6〜１０
3 Ω・ｃｍ程度の比抵抗である。また、炭化物２の裏面
には一対の取出電極４が所定間隔を保って形成されてお
り、各取出電極４に端子５がそれぞれ接続されている。
したがって、裏面に一対の取出電極４を設ける構成であ
るから、表裏の異なる両面に一対の取出電極を設けた場
合に比べ、端子５を接続する際の作業性が良好になる。
取出電極４の材料として前述した導電層３と同様のもの
を用い、これらを炭化物２の裏面に形成した後に、半田
や導電性接着剤を用いて取出電極４に端子５を接続する
ことも可能であるが、導電性接着剤自体を取出電極４と
しても良く、この場合、各端子５は導電性接着剤（取出
電極４）を用いて炭化物２の裏面に直接取付けられる。
【００１７】前記感温素子１の製造方法を図３を参照し
て説明すると、まず図３（ａ）に示すように、円形に切
断されたパラ系のアラミドフィルム６（ベースフィル
ム）を準備する。このアラミドフィルム６の寸法は、例
えば、直径が６ｍｍで、厚みが５０μｍである。次いで
図３（ｂ）に示すように、アラミドフィルム６をＨ2、
Ｎ2、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中においてグラファイ
ト化が進行しない程度の低温、具体的には６００〜７５
０°Ｃで炭化処理すると、半導体的導電性を示す炭化物
２が得られる。この炭化物２は炭化処理によって収縮
し、原材料であるアラミドフィルム６が上記の寸法であ
る場合、炭化物２は直径が５ｍｍ、厚みが約３６μｍま
で縮む。次いで図３（ｃ）に示すように、炭化物２の表
面のほぼ全面に導電層３を形成すると共に、炭化物２の
裏面に０．１ｍｍ以上の間隔を保って配置された一対の
取出電極４を形成し、最後に図３（ｄ）に示すように、
炭化物２の裏面側の各取出電極４に端子５をそれぞれ取
付けることにより、感温素子１の製造が完了する。
て説明すると、まず図３（ａ）に示すように、円形に切
断されたパラ系のアラミドフィルム６（ベースフィル
ム）を準備する。このアラミドフィルム６の寸法は、例
えば、直径が６ｍｍで、厚みが５０μｍである。次いで
図３（ｂ）に示すように、アラミドフィルム６をＨ2、
Ｎ2、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中においてグラファイ
ト化が進行しない程度の低温、具体的には６００〜７５
０°Ｃで炭化処理すると、半導体的導電性を示す炭化物
２が得られる。この炭化物２は炭化処理によって収縮
し、原材料であるアラミドフィルム６が上記の寸法であ
る場合、炭化物２は直径が５ｍｍ、厚みが約３６μｍま
で縮む。次いで図３（ｃ）に示すように、炭化物２の表
面のほぼ全面に導電層３を形成すると共に、炭化物２の
裏面に０．１ｍｍ以上の間隔を保って配置された一対の
取出電極４を形成し、最後に図３（ｄ）に示すように、
炭化物２の裏面側の各取出電極４に端子５をそれぞれ取
付けることにより、感温素子１の製造が完了する。
【００１８】図４と図５に示すように、前述の如く構成
された感温素子１は、炭化物２の比抵抗が導電層３に比
べて高く、かつ、両取出電極４間の距離に比べて炭化物
２の厚みが小さいため、電流は一方の取出電極４から炭
化物２の厚み方向に流れ、導電層３を通過して他方の取
出電極４に流れる。したがって、両端子５間の抵抗は炭
化物２の厚み方向の抵抗を直列に接続したものとほぼ等
しくなる。ここで、導電層３と取出電極４間の距離は炭
化物２の厚みによって決定され、その電極間距離をμｍ
オーダまで短くすることができ、しかも、導電層３と取
出電極４の対向面積を十分に広くできるため、比抵抗の
高い感温素子１を用いたにも拘らず、実働抵抗値を通常
の使用範囲である数ｋΩ〜数百ｋΩに設定することがで
きる。したがって、サーミスタ定数が１００〜３５００
Ｋと高い、換言すると、温度依存性の大きな感温素子１
を実現することができる。特に、実施例で使用されたア
ラミドフィルムは、炭化処理後の厚み方向の寸法収縮が
他の樹脂に比べて著しいという利点を有する。
された感温素子１は、炭化物２の比抵抗が導電層３に比
べて高く、かつ、両取出電極４間の距離に比べて炭化物
２の厚みが小さいため、電流は一方の取出電極４から炭
化物２の厚み方向に流れ、導電層３を通過して他方の取
出電極４に流れる。したがって、両端子５間の抵抗は炭
化物２の厚み方向の抵抗を直列に接続したものとほぼ等
しくなる。ここで、導電層３と取出電極４間の距離は炭
化物２の厚みによって決定され、その電極間距離をμｍ
オーダまで短くすることができ、しかも、導電層３と取
出電極４の対向面積を十分に広くできるため、比抵抗の
高い感温素子１を用いたにも拘らず、実働抵抗値を通常
の使用範囲である数ｋΩ〜数百ｋΩに設定することがで
きる。したがって、サーミスタ定数が１００〜３５００
Ｋと高い、換言すると、温度依存性の大きな感温素子１
を実現することができる。特に、実施例で使用されたア
ラミドフィルムは、炭化処理後の厚み方向の寸法収縮が
他の樹脂に比べて著しいという利点を有する。
【００１９】図６は実施例に係る輻射線センサの断面図
であり、この輻射線センサは、遮光性の合成樹脂等から
なる有底形状の絶縁ケース７と、絶縁ケース７の上部開
放端に被着された窓８と、これらの内部に配置された前
記感温素子１とで概略構成されており、絶縁ケース７の
底面から一対の端子５が外部に導出されている。端子５
と取出電極４は、感温素子１を絶縁ケース７に組み込む
際に導電性接着剤を用いて取付けられるが、例えば、端
子５を絶縁ケース７と窓８との接合面から外部に導出す
るように構成すれば、感温素子１の組み込み前に端子５
を取出電極４に取付けることもできる。窓８はポリエチ
レンやポリカーボネート、シリコン、ゲルマニウム、フ
ッ化カルシウム等の赤外線透過率の高い材料で形成され
ており、必要に応じて、集光用のレンズ機能を有するよ
うに凸レンズ形状に形成しても良い。感温素子１は導電
層３が窓８と対向するように配置され、外界からの赤外
線が窓８を透過して感温素子１の表面に照射されると、
その赤外線照射によって感温素子１の抵抗値が変化し、
各端子５から感温素子１の抵抗値、実際には電圧値が検
出される。なお、この輻射線センサにおいては、導電層
３が赤外線の受光面として機能するため、導電層３の材
料としては前述した各種材料の中で熱線吸収効率の最も
高いカーボンインク、より詳しくは、フェノール樹脂や
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいは飽和ポリエス
テル樹脂等の熱可塑性樹脂をバインダーとし、これにグ
ラファイト、カーボンブラック、カーボンファイバー、
カーボンビーズ等の炭素系フィラーを分散・塗料化した
ものが好ましい。一方、赤外線が照射されない取出電極
４については、端子５の接続強度を考慮すると、前述し
た各種材料の中で金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム
等の金属材料が好ましい。
であり、この輻射線センサは、遮光性の合成樹脂等から
なる有底形状の絶縁ケース７と、絶縁ケース７の上部開
放端に被着された窓８と、これらの内部に配置された前
記感温素子１とで概略構成されており、絶縁ケース７の
底面から一対の端子５が外部に導出されている。端子５
と取出電極４は、感温素子１を絶縁ケース７に組み込む
際に導電性接着剤を用いて取付けられるが、例えば、端
子５を絶縁ケース７と窓８との接合面から外部に導出す
るように構成すれば、感温素子１の組み込み前に端子５
を取出電極４に取付けることもできる。窓８はポリエチ
レンやポリカーボネート、シリコン、ゲルマニウム、フ
ッ化カルシウム等の赤外線透過率の高い材料で形成され
ており、必要に応じて、集光用のレンズ機能を有するよ
うに凸レンズ形状に形成しても良い。感温素子１は導電
層３が窓８と対向するように配置され、外界からの赤外
線が窓８を透過して感温素子１の表面に照射されると、
その赤外線照射によって感温素子１の抵抗値が変化し、
各端子５から感温素子１の抵抗値、実際には電圧値が検
出される。なお、この輻射線センサにおいては、導電層
３が赤外線の受光面として機能するため、導電層３の材
料としては前述した各種材料の中で熱線吸収効率の最も
高いカーボンインク、より詳しくは、フェノール樹脂や
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいは飽和ポリエス
テル樹脂等の熱可塑性樹脂をバインダーとし、これにグ
ラファイト、カーボンブラック、カーボンファイバー、
カーボンビーズ等の炭素系フィラーを分散・塗料化した
ものが好ましい。一方、赤外線が照射されない取出電極
４については、端子５の接続強度を考慮すると、前述し
た各種材料の中で金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム
等の金属材料が好ましい。
【００２０】図７に示される輻射線センサは、絶縁ケー
ス７と窓８の内部に一対の感温素子１Ａ，１Ｂを上下に
配置し、これら感温素子１Ａ，１Ｂを直列に接続して３
本の端子５が外部に導出するように構成されている。各
端子５に符号〜を付すと、図８の回路図に示すよう
に、端子，間に感温素子１Ａと感温素子１Ｂが直列
に接続され、その中間の電位が端子から取り出され
る。両感温素子１Ａ，１Ｂはいずれも前述した感温素子
１で、互いの温度依存性は同じである。ただし、上方の
感温素子１Ａは感輻射用として機能し、外界からの赤外
線が導電層３に照射されるが、下方の感温素子１Ｂは温
度補償用として機能し、外界からの赤外線が当たらない
ようになっている。
ス７と窓８の内部に一対の感温素子１Ａ，１Ｂを上下に
配置し、これら感温素子１Ａ，１Ｂを直列に接続して３
本の端子５が外部に導出するように構成されている。各
端子５に符号〜を付すと、図８の回路図に示すよう
に、端子，間に感温素子１Ａと感温素子１Ｂが直列
に接続され、その中間の電位が端子から取り出され
る。両感温素子１Ａ，１Ｂはいずれも前述した感温素子
１で、互いの温度依存性は同じである。ただし、上方の
感温素子１Ａは感輻射用として機能し、外界からの赤外
線が導電層３に照射されるが、下方の感温素子１Ｂは温
度補償用として機能し、外界からの赤外線が当たらない
ようになっている。
【００２１】したがって、図８に示す回路構成で端子
，間に定電圧を印加し、端子における出力電圧を
検出すると、雰囲気温度が変化した場合、同じ温度依存
性を有する感温素子１Ａと感温素子１Ｂは同じ割合で抵
抗値が変化するため、端子の検出電圧は変化せず（Ｖ
＝０）、雰囲気温度による両感温素子１Ａ，１Ｂの抵抗
値変化はキャンセルされる。また、外界からの赤外線が
窓８を透過して上方の感温素子１Ａの表面に照射される
と、その赤外線照射によって感温素子１Ａの抵抗値が低
下し、端子の検出電圧がその抵抗変化に応じた値にな
るため、赤外線の照射を検出することができる。
，間に定電圧を印加し、端子における出力電圧を
検出すると、雰囲気温度が変化した場合、同じ温度依存
性を有する感温素子１Ａと感温素子１Ｂは同じ割合で抵
抗値が変化するため、端子の検出電圧は変化せず（Ｖ
＝０）、雰囲気温度による両感温素子１Ａ，１Ｂの抵抗
値変化はキャンセルされる。また、外界からの赤外線が
窓８を透過して上方の感温素子１Ａの表面に照射される
と、その赤外線照射によって感温素子１Ａの抵抗値が低
下し、端子の検出電圧がその抵抗変化に応じた値にな
るため、赤外線の照射を検出することができる。
【００２２】図９に示される輻射線センサでは、絶縁ケ
ース７の上部開放端に被着した遮光性の蓋体９に窓８を
設け、これらの内部に感輻射用の感温素子１Ａと温度補
償用の感温素子１Ｂを左右に配置し、外界からの赤外線
が窓８を透過して感温素子１Ａの導電層３のみに照射さ
れるように構成してあり、それ以外の構成や検出原理は
図７に示した輻射線センサと基本的に同じである。
ース７の上部開放端に被着した遮光性の蓋体９に窓８を
設け、これらの内部に感輻射用の感温素子１Ａと温度補
償用の感温素子１Ｂを左右に配置し、外界からの赤外線
が窓８を透過して感温素子１Ａの導電層３のみに照射さ
れるように構成してあり、それ以外の構成や検出原理は
図７に示した輻射線センサと基本的に同じである。
【００２３】図１０に示される輻射線センサでは、１枚
の感温素子１０に感輻射用と温度補償用の両方の機能を
もたせてある。この感温素子１０は前述した感温素子１
と同様の方法で製造され、アラミドフィルム（ベースフ
ィルム）を原材料とする炭化物１１を有する。この炭化
物１１の中央部には切り込み１１ａが炭化処理の前に予
め形成されており、切り込み１１ａによって２分割され
た炭化物１１の表面に感輻射用の導電層３Ａと温度補償
用の導電層３Ｂが形成されている。また、図１１と図１
２に示すように、炭化物１１の裏面には各導電層３Ａ，
３Ｂに対応して取出電極４Ａ，４Ｂが一対ずつ形成され
ており、一方の取出電極４Ａと取出電極４Ｂは配線パタ
ーン１２によって接続されている。
の感温素子１０に感輻射用と温度補償用の両方の機能を
もたせてある。この感温素子１０は前述した感温素子１
と同様の方法で製造され、アラミドフィルム（ベースフ
ィルム）を原材料とする炭化物１１を有する。この炭化
物１１の中央部には切り込み１１ａが炭化処理の前に予
め形成されており、切り込み１１ａによって２分割され
た炭化物１１の表面に感輻射用の導電層３Ａと温度補償
用の導電層３Ｂが形成されている。また、図１１と図１
２に示すように、炭化物１１の裏面には各導電層３Ａ，
３Ｂに対応して取出電極４Ａ，４Ｂが一対ずつ形成され
ており、一方の取出電極４Ａと取出電極４Ｂは配線パタ
ーン１２によって接続されている。
【００２４】前記感温素子１０は絶縁ケース７と蓋体９
の内部に配置され、絶縁ケース７にインサート成形され
た３本の端子５に、配線パターン１２によって接続され
た取出電極４Ａと取出電極４Ｂのいずれか一方と、残り
の取出電極４Ａと取出電極４Ｂとがそれぞれ導電性接着
剤を用いて取付けられる。また、外界からの赤外線が窓
８を透過して導電層３Ａのみに照射され、導電層３Ｂに
は当たらないようになっている。したがって、前記感温
素子１０は、１枚の炭化物１１を介して対向する導電層
３Ａと取出電極４Ａによって感輻射用の感温素子が、導
電層３Ｂと取出電極４Ｂによって温度補償用の感温素子
がそれぞれ構成されることになり、図９に示した輻射線
センサと同じ原理で動作する。
の内部に配置され、絶縁ケース７にインサート成形され
た３本の端子５に、配線パターン１２によって接続され
た取出電極４Ａと取出電極４Ｂのいずれか一方と、残り
の取出電極４Ａと取出電極４Ｂとがそれぞれ導電性接着
剤を用いて取付けられる。また、外界からの赤外線が窓
８を透過して導電層３Ａのみに照射され、導電層３Ｂに
は当たらないようになっている。したがって、前記感温
素子１０は、１枚の炭化物１１を介して対向する導電層
３Ａと取出電極４Ａによって感輻射用の感温素子が、導
電層３Ｂと取出電極４Ｂによって温度補償用の感温素子
がそれぞれ構成されることになり、図９に示した輻射線
センサと同じ原理で動作する。
【００２５】このように構成された輻射線センサによれ
ば、１枚の炭化物１１に感輻射用感温素子と温度補償用
感温素子とが形成されているため、両者の温度依存性を
揃えるための選別作業が不要となり、作業性を向上でき
る。しかも、前記炭化物１１上で感輻射用感温素子と温
度補償用感温素子の取出電極４Ａ，４Ｂを配線パターン
１２で接続することができ、この点からも作業性を向上
できる。また、前記炭化物１１に切り込み１１ａを形成
し、この切り込み１１ａによって分割された領域に感輻
射用導電層３Ａと温度補償用導電層３Ｂを形成してある
ため、感輻射用導電層３Ａで吸収された輻射熱が切り込
み１１ａで放熱され、熱電導による温度補償用感温素子
の温度上昇を抑えることができる。
ば、１枚の炭化物１１に感輻射用感温素子と温度補償用
感温素子とが形成されているため、両者の温度依存性を
揃えるための選別作業が不要となり、作業性を向上でき
る。しかも、前記炭化物１１上で感輻射用感温素子と温
度補償用感温素子の取出電極４Ａ，４Ｂを配線パターン
１２で接続することができ、この点からも作業性を向上
できる。また、前記炭化物１１に切り込み１１ａを形成
し、この切り込み１１ａによって分割された領域に感輻
射用導電層３Ａと温度補償用導電層３Ｂを形成してある
ため、感輻射用導電層３Ａで吸収された輻射熱が切り込
み１１ａで放熱され、熱電導による温度補償用感温素子
の温度上昇を抑えることができる。
【００２６】図１３〜図１５に示される感温素子１３は
前記感温素子１０の変形例で、正方形の炭化物１１に
は、炭化処理前に所定形状の抜き加工が施された後、炭
化処理を行って十字状のスリット１４が形成されてお
り、このスリット１４によって４分割された炭化物１１
の表面に感輻射用の導電層３Ａと温度補償用の導電層３
Ｂとが交互に形成されている。一対の導電層３Ａの材料
としては熱吸収効率の高いカーボンインクが好適で、一
対の導電層３Ｂの材料としては熱反射率の高い金属薄膜
が好適である。スリット１４は前述した切り込み１１ａ
と同様の働きをするもので、実施例では、中央の孔の周
りに補強用の桟１１ｂが形成されているが、この桟１１
ｂを省略しても良い。一方、炭化物１１の裏面には各導
電層３Ａ，３Ｂに対応して取出電極４Ａ，４Ｂが一対ず
つ形成されており、各組の取出電極４Ａと取出電極４Ｂ
は配線パターン１２によって接続されている。
前記感温素子１０の変形例で、正方形の炭化物１１に
は、炭化処理前に所定形状の抜き加工が施された後、炭
化処理を行って十字状のスリット１４が形成されてお
り、このスリット１４によって４分割された炭化物１１
の表面に感輻射用の導電層３Ａと温度補償用の導電層３
Ｂとが交互に形成されている。一対の導電層３Ａの材料
としては熱吸収効率の高いカーボンインクが好適で、一
対の導電層３Ｂの材料としては熱反射率の高い金属薄膜
が好適である。スリット１４は前述した切り込み１１ａ
と同様の働きをするもので、実施例では、中央の孔の周
りに補強用の桟１１ｂが形成されているが、この桟１１
ｂを省略しても良い。一方、炭化物１１の裏面には各導
電層３Ａ，３Ｂに対応して取出電極４Ａ，４Ｂが一対ず
つ形成されており、各組の取出電極４Ａと取出電極４Ｂ
は配線パターン１２によって接続されている。
【００２７】前記感温素子１３は前述した各実施例と同
様に図示せぬ絶縁ケースと蓋体の内部に配置され、図１
６の回路図に示すように、各配線パターン１２に端子
〜を接続してブリッジ回路を構成することにより、輻
射線センサの感温素子として用いられる。したがって、
図１６に示す回路構成において、端子，間に定電圧
Ｅを印加し、端子，間の出力電圧Ｖを検出すると、
雰囲気温度が変化した場合、１枚の炭化物１１に形成さ
れた４つの感温素子は同じ割合で抵抗値が変化するた
め、端子，間の検出電圧は変化せず（Ｖ＝０）、雰
囲気温度による感温素子１３の抵抗値変化はキャンセル
される。また、外界からの赤外線が感輻射用の導電層３
Ａに照射されると、その赤外線照射によって感輻射用感
温素子の抵抗値が低下し、端子，間の検出電圧がそ
の抵抗変化に応じた値になるため、赤外線の照射を検出
することができる。
様に図示せぬ絶縁ケースと蓋体の内部に配置され、図１
６の回路図に示すように、各配線パターン１２に端子
〜を接続してブリッジ回路を構成することにより、輻
射線センサの感温素子として用いられる。したがって、
図１６に示す回路構成において、端子，間に定電圧
Ｅを印加し、端子，間の出力電圧Ｖを検出すると、
雰囲気温度が変化した場合、１枚の炭化物１１に形成さ
れた４つの感温素子は同じ割合で抵抗値が変化するた
め、端子，間の検出電圧は変化せず（Ｖ＝０）、雰
囲気温度による感温素子１３の抵抗値変化はキャンセル
される。また、外界からの赤外線が感輻射用の導電層３
Ａに照射されると、その赤外線照射によって感輻射用感
温素子の抵抗値が低下し、端子，間の検出電圧がそ
の抵抗変化に応じた値になるため、赤外線の照射を検出
することができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２９】比抵抗の高い炭化物を感温素子材料として
用い、この炭化物の同一面に複数の取出電極を形成し、
反対面に導電層を形成すると、取出電極間の抵抗が炭化
物の厚み方向の抵抗を直列に接続したものとほぼ等しく
なるため、比抵抗の高い炭化物を用いたにも拘らず、実
働抵抗値を通常の使用範囲である数ｋΩ〜数百ｋΩに設
定することができ、換言すると、温度依存性の大きな感
温素子を実現することができる。また、かかる感温素子
を用いた輻射線センサによれば、導電層が形成された部
分を感輻射面とすることができ、この感輻射面には取出
電極が形成されていないため、感温素子の熱容量を小さ
くして応答速度を速めることができる。
用い、この炭化物の同一面に複数の取出電極を形成し、
反対面に導電層を形成すると、取出電極間の抵抗が炭化
物の厚み方向の抵抗を直列に接続したものとほぼ等しく
なるため、比抵抗の高い炭化物を用いたにも拘らず、実
働抵抗値を通常の使用範囲である数ｋΩ〜数百ｋΩに設
定することができ、換言すると、温度依存性の大きな感
温素子を実現することができる。また、かかる感温素子
を用いた輻射線センサによれば、導電層が形成された部
分を感輻射面とすることができ、この感輻射面には取出
電極が形成されていないため、感温素子の熱容量を小さ
くして応答速度を速めることができる。
【００３０】また、前記感温素子を少なくとも２つ備
え、これら感温素子に形成された前記取出電極を直列に
接続すると共に、一方を感輻射用の感温素子として用
い、他方を温度補償用の感温素子として用いた輻射線セ
ンサによれば、感輻射用感温素子と温度補償用感温素子
のそれぞれの温度依存性を揃え易くなり、外部からの輻
射線が感輻射用感温素子の導電層のみに当たるようにす
ることで、雰囲気温度による抵抗値変化を温度補償用感
温素子でキャンセルすることができる。
え、これら感温素子に形成された前記取出電極を直列に
接続すると共に、一方を感輻射用の感温素子として用
い、他方を温度補償用の感温素子として用いた輻射線セ
ンサによれば、感輻射用感温素子と温度補償用感温素子
のそれぞれの温度依存性を揃え易くなり、外部からの輻
射線が感輻射用感温素子の導電層のみに当たるようにす
ることで、雰囲気温度による抵抗値変化を温度補償用感
温素子でキャンセルすることができる。
【００３１】また、前記感温素子の炭化物として１枚の
ベースフィルムを用い、該ベースフィルムの炭化物に感
輻射用の導電層と温度補償用の導電層をそれぞれ形成す
ると共に、これら導電層に対向する取出電極を直列に接
続した輻射線センサによれば、１枚のベースフィルムに
感輻射用感温素子と温度補償用感温素子とが形成されて
いるため、両者の温度依存性を揃えるための選別作業が
不要となり、作業性を向上できるのみならず、ベースフ
ィルム上で感輻射用感温素子と温度補償用感温素子の取
出電極を配線パターンで接続することができ、この点か
らも作業性を向上できる。
ベースフィルムを用い、該ベースフィルムの炭化物に感
輻射用の導電層と温度補償用の導電層をそれぞれ形成す
ると共に、これら導電層に対向する取出電極を直列に接
続した輻射線センサによれば、１枚のベースフィルムに
感輻射用感温素子と温度補償用感温素子とが形成されて
いるため、両者の温度依存性を揃えるための選別作業が
不要となり、作業性を向上できるのみならず、ベースフ
ィルム上で感輻射用感温素子と温度補償用感温素子の取
出電極を配線パターンで接続することができ、この点か
らも作業性を向上できる。
【００３２】また、前記ベースフィルムの炭化物に切り
込みを形成し、この切り込みによって分割された複数の
領域に感輻射用導電層と温度補償用導電層とを交互に形
成すると、感輻射用導電層で吸収された輻射熱が切り込
みで放熱されるため、温度補償用感温素子の温度上昇を
抑えることができる。
込みを形成し、この切り込みによって分割された複数の
領域に感輻射用導電層と温度補償用導電層とを交互に形
成すると、感輻射用導電層で吸収された輻射熱が切り込
みで放熱されるため、温度補償用感温素子の温度上昇を
抑えることができる。
【００３３】また、感輻射用感温素子と温度補償用感温
素子を用いた輻射線センサにおいて、感輻射用導電層と
してカーボンインク等の輻射線吸収率の高い材料を用
い、温度補償用導電層として金属薄膜等の赤外線反射率
が高い材料を用いると、外部からの輻射線が感輻射用導
電層と温度補償用導電層に照射しても、温度補償用感温
素子への熱伝導による温度上昇を抑えることができる。
素子を用いた輻射線センサにおいて、感輻射用導電層と
してカーボンインク等の輻射線吸収率の高い材料を用
い、温度補償用導電層として金属薄膜等の赤外線反射率
が高い材料を用いると、外部からの輻射線が感輻射用導
電層と温度補償用導電層に照射しても、温度補償用感温
素子への熱伝導による温度上昇を抑えることができる。
【図１】実施例に係る感温素子を表面側から見た斜視図
である。
である。
【図２】該感温素子を裏面側から見た斜視図である。
【図３】該感温素子の製造工程を示す説明図である。
【図４】該感温素子の断面図である。
【図５】該感温素子の等価回路図である。
【図６】実施例に係る輻射線センサの断面図である。
【図７】他の実施例に係る輻射線センサの断面図であ
る。
る。
【図８】図７の輻射線センサの回路図である。
【図９】他の実施例に係る輻射線センサの断面図であ
る。
る。
【図１０】他の実施例に係る輻射線センサの分解斜視図
である。
である。
【図１１】図１０の輻射線センサに用いられる感温素子
の裏面図である。
の裏面図である。
【図１２】該感温素子の正面図である。
【図１３】他の実施例に係る感温素子の平面図である。
【図１４】該感温素子の正面図である。
【図１５】該感温素子の裏面図である。
【図１６】該感温素子を用いた輻射線センサの回路図で
ある。
ある。
１，１Ａ，１Ｂ，１０，１３ 感温素子 ２ 炭化物 ３，３Ａ，３Ｂ 導電層 ４，４Ａ，４Ｂ 取出電極 ５ 端子 ７ 絶縁ケース ８ 窓 ９ 蓋体 １１ 炭化物 １１ａ 切り込み １２ 配線パターン １４ スリット
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−190629（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−166295（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−310430（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−96824（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−348237（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−43020（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−79122（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−124221（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−234165（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−132001（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−170948（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01K 7/16 G01J 5/02 G01J 1/02 H01C 7/00 - 7/04
Claims (9)
- 【請求項１】 有機材料を炭化処理した炭化物の一方の
面に複数の取出電極を形成すると共に、他方のほぼ全面
に該炭化物よりも比抵抗の小さい導電層を形成したこと
を特徴とする感温素子。 - 【請求項２】 前記有機材料がアラミドフィルムである
ことを特徴とする請求項１に記載の感温素子。 - 【請求項３】 請求項１に記載の感温素子を備え、前記
導電層に外部からの輻射線が照射されるように構成した
ことを特徴とする輻射線センサ。 - 【請求項４】 前記導電層がカーボンを含む導電材料で
あることを特徴とする請求項３に記載の輻射線センサ。 - 【請求項５】 請求項１に記載の感温素子を少なくとも
２つ備え、これら感温素子に形成された前記取出電極を
直列に接続し、一方を感輻射用の感温素子として用い、
他方を温度補償用の感温素子として用いたことを特徴と
する輻射線センサ。 - 【請求項６】 請求項１に記載の感温素子を備え、前記
炭化物の原材料が１枚のベースフィルムからなり、該ベ
ースフィルムの炭化物に感輻射用の前記導電層と温度補
償用の前記導電層をそれぞれ形成し、これら導電層に対
向する前記取出電極を直列に接続したことを特徴とする
輻射線センサ。 - 【請求項７】 前記取出電極を前記ベースフィルムの炭
化物上で接続したことを特徴とする請求項６に記載の輻
射線センサ。 - 【請求項８】 前記ベースフィルムの炭化物に切り込み
を形成し、この切り込みによって分割された複数の領域
に前記感輻射用導電層と前記温度補償用導電層とを交互
に形成したことを特徴とする請求項６または７に記載の
輻射線センサ。 - 【請求項９】 前記感輻射用導電層の輻射線吸収率を前
記温度補償用導電層の輻射線吸収率よりも高くしたこと
を特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の輻射線セ
ンサ。
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|---|---|---|---|
| JP22286996A JP3357247B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 感温素子および輻射線センサ |
| US08/909,493 US5998791A (en) | 1996-08-23 | 1997-08-12 | Thermally sensitive element and radiation sensor |
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|---|---|---|---|
| JP22286996A JP3357247B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 感温素子および輻射線センサ |
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|---|---|
| JPH1062264A JPH1062264A (ja) | 1998-03-06 |
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Family
ID=16789171
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22286996A Expired - Fee Related JP3357247B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 感温素子および輻射線センサ |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3357247B2 (ja) |
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| JPH10261507A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ素子 |
| US6134461A (en) | 1998-03-04 | 2000-10-17 | E. Heller & Company | Electrochemical analyte |
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| US8688188B2 (en) | 1998-04-30 | 2014-04-01 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US8346337B2 (en) | 1998-04-30 | 2013-01-01 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US8974386B2 (en) | 1998-04-30 | 2015-03-10 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US6175752B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-01-16 | Therasense, Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| US8480580B2 (en) | 1998-04-30 | 2013-07-09 | Abbott Diabetes Care Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
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| US6949816B2 (en) | 2003-04-21 | 2005-09-27 | Motorola, Inc. | Semiconductor component having first surface area for electrically coupling to a semiconductor chip and second surface area for electrically coupling to a substrate, and method of manufacturing same |
| US6560471B1 (en) | 2001-01-02 | 2003-05-06 | Therasense, Inc. | Analyte monitoring device and methods of use |
| SE535723C2 (sv) | 2008-06-25 | 2012-11-27 | Acreo Ab | Halvledarkomponent innefattande ett aktivt skikt omgivet på båda sidor av ett kontaktskikt och med ett elektrodskikt |
| CN108645521A (zh) * | 2018-05-09 | 2018-10-12 | 东莞传晟光电有限公司 | 一种热释电传感器 |
| WO2019227377A1 (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 深圳通感微电子有限公司 | 一种热释电传感器 |
| CN108562365A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-21 | 深圳通感微电子有限公司 | 一种热释电传感器 |
| US12024300B2 (en) * | 2019-12-02 | 2024-07-02 | Lockheed Martin Corporation | Method and system for ice detection |
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-
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- 1996-08-23 JP JP22286996A patent/JP3357247B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-12 US US08/909,493 patent/US5998791A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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