JP3351522B2 - 光ネットワーク - Google Patents
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Description
折率プロフィルのクラディングによって囲まれた導波体
コアを有する光導波体が第1の波長の光情報信号のソー
ス、光増幅器、および光増幅器を光学的にポンピングす
る第1の波長よりも短い第2の波長の光ポンプパワーの
ソースに結合されている光ネットワークに関する。
ラスチックあるいはポリマーをベースとした光ファイ
バ、平坦なドープされた導波体増幅器のような様々なタ
イプの光導波体および光増幅技術から形成されることが
認識される。
クが静的および動的な相互接続の適用のために活用され
る多重アクセス相互接続機構を提供するように設計され
る1990年8月20日に公開された別出願第WO 90/09708号
特許明細書に記載されている。このネットワークは光フ
ァイバ導波体に基づいている。この特許明細書の内容
は、参考文献として本明細書に十分に取入れられてい
る。
えば光Dファイバに基づく。例えば、1989年のCassidy
S.A氏らによる文献(“Extendable Optical Interconne
ction Bus Fabricated using D−Fibre"IOOC 1989,Kob
e,Japan,Paper 21 D2−1 pp88−89)参照。その設計の
中心となる部品は、その長さに沿った不連続のタップ点
を有する信号および基準チャンネルを搬送する多重ファ
イバ後面である。これらのタップ点は、交差したDファ
イバの既知の形態でアレイコネクタの形態を取ることが
できる。相互作用の長さは、交差したDファイバの交差
角度によって決定される。各コネクタは、信号および基
準チャンネルそれぞれからのパワーの小さな一部分を消
失的に分岐する各出力ファイバと後面上の対応している
ファイバ通路の間のリンクを与える。多数のタップ点の
限界は、結局、(各タップが信号の一部分を除去するの
で)後面に沿った信号レベルが検出器レベルより下がる
までである。
々の増幅器の使用は、1.55μmの窓における信号の増幅
を許容する。増幅は、検出器パワーの制限より高いバス
上のタップ点からの出力を維持するように構成される。
信号パワーはタップ点間の増幅によって再生され、した
がって多数の利用者のポートが動作されることを可能に
する。各増幅器に対して分離したポンプソースを設ける
よりも単一のポンプソースからファイバ増幅器へ導波体
に沿ってポンプパワーを分配するほうが便利である。し
かしながら、少量のポンプパワーが各タップ点で除去さ
れるので無駄になる。
て囲まれ、所定の屈折率プロフィルを有する導波体コア
を有する光導波体を含み、この光導波体に第1の波長の
光情報信号ソース、光増幅器および光増幅器を光学的に
ポンピングする第1の波長よりも短い第2の波長の光ポ
ンプパワーのソースが結合され、光導波体のコアが第2
の波長で信号のスポットの寸法を実質上最小にするよう
に選択され、クラディングが第1の波長で信号に消失的
な結合を可能にするように十分に薄い領域が存在するこ
とを特徴とする。
ポットの寸法を実質上最小にするような場合、長い波長
の信号のスポットの寸法が最小値を越え、短い波長のス
ポットの寸法から発散するという実現に基づく。これ
は、このような導波体から形成された消失的なカプラが
長い波長よりも短い波長で効率的でなく消失的に結合
し、それによって選択的に結合を解除し、または光学的
にポンピングされた光増幅器を有する光ネットワークに
おける短い波長のポンプ信号に対して優先的に情報信号
を分岐する選択的な光タップを供給することを意味す
る。
いる通りである。
み説明する。
略図であり、 図2は、図1の実施例による使用に適当なDファイバ
光導波体の断面図であり、 図3は、コア半径、屈折率プロフィルおよび信号波長
の関数としてスポットの寸法を示しているグラフであ
り、 図4は、図1の実施例の導波体からの交差結合したパ
ワーの理論的な波長の依存性を示しているグラフであ
り、 図5は、図1の導波体の実際の交差結合パワーのスペ
クトル分析器プロットのグラフであり、 図6は、本発明による光ネットワークの別の実施例の
概略図であり、 図7は、ポンプパワーの関数である図6の実施例のカ
プラの出力の変調を示しているグラフであり、 図8は、波長の関数としての理論的な交差結合したパ
ワーのグラフであり、 図9は、波長の関数としての試験的に得られた交差結
合したパワーのグラフである。
ットワークは、光バス5を集合的に形成する挿入された
エルビウム光ファイバ増幅器4に“X"と印された位置で
スプライス接続された一連の二酸化珪素をベースとした
光Dファイバ2を具備する。レーザ6は、既知の方法で
レーザ駆動装置8による情報によって変調される1.55μ
mの出力を有する。
た市販の980/1530の2色性光ファイバカプラ12によって
レーザ6からの情報信号と結合されるポンプレーザ10に
よって0.98μmでポンピングされる。
成するために光ファイバプレフォームを鋸引きのような
通常の方法で要求された寸法に形成され所望の寸法の光
ファイバを通常の方法で引き出す方法によって形成され
た。これは、コア22からdμmの平坦な表面26を有する
非導波体クラディング24によって囲まれた導波体コア22
を有するD型の断面(図2参照)を有する光ファイバ2
を形成する。
して平坦な表面が位置された場合の同様に形成された光
Dファイバ28は、光信号のスポットの寸法がコア22から
充分に離れて延在する場合にファイバ2のコア22に沿っ
て伝播する光信号を結合して取出すことができる。ファ
イバ2のコア22から外部に取出された信号量は、特にフ
ァイバ2と28の間の相互作用の長さであるdの値に依存
する。
および0.004および0.008の実効ステップインデックス値
δnによって特徴づけられた2つの屈折率プロフィルに
おけるコアの半径に依存するスポットの寸法を示す。δ
nの値が大きければ大きいほど得られる差動分岐が大き
くなる。
信号によるポンピングの最大の阻止率が存在し、達成可
能な結合公差を有する感知可能な相互作用の長さおよび
信号波長におけるシステム−装置間の低いスプライス接
続損失を維持ための必要性を維持するという要求を含
む。これを達成するため、導波体のスポットの寸法は、
ポンピング波長のスポットの寸法が実質的に最小とされ
る時に信号波長のスポットの寸法がシステム導波体のス
ポットの寸法に実質的に整合されるように、実効的なス
テップインデックス値δnを有するべきである。この達
成は、導波体の屈曲感度が増加されないことも保証す
る。
のポンプ波長でスポットの寸法を最小にするために3μ
mの範囲のコア半径で形成されるべきであることが分か
る。しかしながら、このコアの寸法は、ファイバとこの
実施例において導波体がスプライス接続される5,8μm
のスポット寸法の標準的な通信ファイバとの間の信号波
長でスポットの寸法のずれを生じる。
は約1.8μmのコア半径に対してポンプ波長で最小のス
ポットの寸法を有し、また標準的な通信ファイバのスポ
ットの寸法に信号波長のスポットの寸法の整合を与え
る。
ステムファイバへ容易にスプライス接続するために要求
されたコア半径および125μmのクラディング直径を有
することを保証するために必要ならば変えられることが
できる。
最小のスプライス接続損失を与えるのに必要なμmでス
ポットの寸法を示す。図3のグラフは、1.55μmにおけ
るスポットの寸法が最小値を通過し、波長の減少と共に
急速に発散し、一方0.98μmのスポットの寸法が最小値
に接近する方式で動作する可能性があることを示す。消
失的な結合は、波長選択(2色性)タップを生成する長
い波長でさらに強力に生じる。2色性タップに対する交
差結合パワーにおける変化が1.55μの窓で0.5dB以下で
あることは注目する価値がある。増幅が要求されない場
合には、タップは1.3μmで1.55μmの窓で広帯域に設
計される。
差は高い選択的なタップを与え、低いδnは広帯域タッ
プを与える。
長依存性は、結合の与えられたレベルのために要求され
た相互作用長で行う時に、コアの分離によって増加す
る。それ故、適当なdの値(コアとコアの分離に有効で
ある)を選択することによって増加した相互作用長に対
して短い波長の増加した阻止率と交換する可能性があ
る。長い相互作用長を与えることは、小さい角度で交差
する2つのDファイバを必要とする。これは、整合およ
び製造における小さなエラーにさらに影響されやすいタ
ップを形成し、小さな公差が結合の同じレベルを達成す
るために要求される。
ュータシミュレーションは、予想されたタップの波長依
存性を許容する。図4は、1μm、2μmおよび3μm
のdの値に対して10%のタップの理論的な波長依存性を
示す。結合のこのレベルに関して要求された相互作用長
は、それぞれ150μm、250μmおよび420μmである。
これは従来の取外し可能なタップに関して報告された長
さに比較でき、要求された製造公差は同じ程度である。
1.55μmの信号による0.98μmのポンプの予想された阻
止率は、d=2μmに関して13dBである。タップは、δ
n=0.0067、2.2μmのコア半径のDファイバから形成
された。dの値は2.1μmであった。10%の結合率は容
易に達成され、要求された製造公差が満たされたことを
示している。
プロットを示す。システムファイバの尾部を有するバス
ファイバの通過損失は、波長依存性のないことが示され
る。交差結合パワーの波長依存性は、長い波長に対して
は理論的なカーブにしたがう。理論からのはずれは、1.
1μm以下の波長で生じる。さらに研究は、受信機の感
度における鋭い低下が−80dBm以下のパワーに対してこ
れらの波長で生じることが示されている。10.7dBの阻止
率を示した0.98μmおよび1.54μmのソース波長に対し
て結合された相対パワーの直接的な測定は、理論的な値
に良好に一致している。10%の信号タップ係数を有する
ここに記載された交差Dファイバのタップを使用する80
個のポートは、ポンプパワーの−3dBを失う前のバスの
後面に接続される。この阻止率は、長い装置の相互作用
長を使用する区域でさらに増加される。
を決定するために使用される実験的な配置は、Dファイ
バ2およびエルビウムファイバ増幅器4が増幅しないD
ファイバの部分間にスプライス接続されたエルビウムフ
ァイバ増幅器を分離するのではなく、単一のエルビウム
でドープされたDファイバから全て形成されることを除
いた図1の実施例と同じである。この実施例において、
導波体30上に2つのタップ32および34が存在する。
ドーパントの濃度は、5.5×1018イオン/ccのドーパント
濃度を有した。各タップ32,34および導波体30からの出
力はパワーを監視された。2つのタップ点32,34の間の
距離は約10cmであった。半導体ダイオードレーザ36は、
増幅導波体30にポンプパワーが供給された1.3mWの導波
体30あるいは背部上の入力パワーレベルを与える994nm
の波長で動作するブリティッシュテレコムラボラトリー
ズによって製造された。
よって供給され、約1.53μWの出力パワーレベルを与え
ていた。ポンピングされない状態において、各カプラ32
および34のタップ比率は7%(−11.5dB)に設定され
た。ポンプレーザオフによって、第2のタップ34の出力
のパワーレベルは第1のタップ32よりも0.65dB低かっ
た。これは、第1のタップ32(0.3dB)で除去されたパ
ワーおよびタップ32と34の間の0.35dBのドープされたフ
ァイバ吸収によるものであった。ポンプレーザ36が続い
てオンおよびオフに切換えられるとき、第2のタップ34
からのパワー出力上に重畳された変調は0.65dBであるこ
とが認められた。すなわちパワーレベルは2つのタップ
出力において等しく、ポンプレーザ36はオン状態であっ
た。
ップ34における信号パワーレベルが示されている。オン
およびオフされたポンプレーザ36による信号変調は明ら
かに認められる。第1のタップ32における対応する変調
は、約0.03dBのピーク間変化を有してかろうじて認識で
きた。
ベルの測定は、34.5dBの信号上のポンプの阻止値を与え
た。それ故、この方法によるポンプパワーの損失は無視
できる程度である。
たドープされたファイバ解析は、有効な選択の理解を助
長するために開発された。1つの魅力的な選択は、ドー
パントレベルを最適にすることによって有効なポンプパ
ワーを最も効果的に使用し、ネットワークの最初および
最後のタップの背部のパワーが等しくなければならない
という簡単な制約を満たすことである。タップの最大数
は、バスのほぼ最初の半分を越える小さなネット利得を
生成するようなドーパントレベルによって動作され、ポ
ンプパワーが吸収されるような背部に沿ったネット損失
となる。
の波長における差動タップ値を提供するが、本発明を利
用する光ネットワークのシステム設計における柔軟性は
特定の適用に適合するようにタップの波長特性を調整す
ることによって得られる。増加した波長選択は、等しく
ないDファイバを使用することによって得られる。この
ようなカプラによって、結合された波長に対する伝播定
数の差がゼロであり、カプラの相互作用長が1つの導波
体から別の導波体への完全なパワー転送のために要求さ
れた長さに等しい時のみ結合された導波体間の100%の
結合が可能であることが知られている。
ァイバは選択された波長タップ性を与えるように設計さ
れる。図8は、1.3μmに対して最適とされた相互作用
長に対してδn=0.004およびδn=0.0105のDファイ
バ間で結合する予想された交差結合されたパワースペク
トルを示す。
μmでゼロに等しく、1.3μmにおける100%の結合は達
成されない。ファイバの同じ対に対する試験的なプロッ
トは図9に示されており、図8に示された理論的な予測
に接近して対応する。伝播定数における差のような導波
体の変化は、約1.53μmの値でゼロに等しい(例えば、
ファイバの1つのδnを変化することによって1.55μm
の窓に同様の狭い帯域タップを生成する)。これは、タ
ップが選択された波長帯域を越えて形成される接続によ
って導波体に取り付けられるような2重波長の適用に理
想的である。
Claims (13)
- 【請求項1】光増幅手段を含んでいる光システムにおい
て、 第1の波長の光情報信号を受信し、第1の波長よりも短
い第2の波長の光ポンプパワーを受信する入力部と、こ
の入力部に接続されている第1の光導波体とを具備し、
光増幅手段が光情報信号を増幅することができるように
第1の光導波体は光情報信号と共に光ポンプパワーの少
なくとも一部を伝送するように構成されており、 前記第1の光導波体は光導波体コアと外側領域とを備
え、この外側領域は第2の光導波体が第1の光導波体に
近接して配置されたときに第1の光導波体から第2の光
導波体に第1の波長の光情報信号がエバネセント結合す
ることができるように十分に薄く構成され、 第1の光導波体のコアによって伝送される光の占有空間
はコアの断面の寸法によって少なくとも部分的に決定さ
れるスポットの寸法を有し、第1および第2の光導波体
がエバネセント結合されるときに第2の波長の光の結合
される量が減少されるように第2の波長における光のス
ポットの寸法を実質上最小にするようにコアの断面の寸
法が選択されている光システム。 - 【請求項2】光増幅手段が光ファイバ増幅器を含む請求
項1記載の光システム。 - 【請求項3】第1の波長の光情報信号のスポットの寸法
が光ファイバ増幅器と第1の光導波体において実質上同
じである請求項2記載の光システム。 - 【請求項4】前記光増幅手段は第1の光導波体が活性の
媒体によってドープされて形成された光ファイバ増幅器
によって構成されている請求項1記載の光システム。 - 【請求項5】第1の光導波体が別の光ファイバにスプラ
イス接続され、情報信号のスポットの寸法が第1の光導
波体およびこのスプライス接続された別の光ファイバに
おいて実質上同じである請求項1乃至4のいずれか1項
記載の光システム。 - 【請求項6】第1の光導波体がD型の断面を有する光フ
ァイバである請求項1乃至5のいずれか1項記載の光シ
ステム。 - 【請求項7】光増幅手段が希土類でドープされたシリカ
をベースとした光ファイバを含む請求項1乃至6のいず
れか1項記載の光システム。 - 【請求項8】希土類がエルビウムを含む請求項7記載の
光システム。 - 【請求項9】第1の波長が約1.55μmであり、第2の波
長が約0.98μmである請求項1乃至8のいずれか1項記
載の光システム。 - 【請求項10】第1の光導波体と第2の光導波体とを結
合する部分は少なくとも1つのエバネセント結合カプラ
を構成している請求項1乃至9のいずれか1項記載の光
システム。 - 【請求項11】第1の光導波体と第2の光導波体とがそ
れぞれD型の断面を有する光ファイバであり、それらの
D型の断面を有する交差した光ファイバによって前記エ
バネセント結合カプラが構成されている請求項10記載の
光システム。 - 【請求項12】カプラが波長選択性である請求項10また
は11項記載の光システム。 - 【請求項13】光カプラを含んでいる第1の光導波体と
第2の光導波体とが異なる伝播定数を有している請求項
12記載の光システム。
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