JPH05310440A - 光ファイバ、光増幅器、光伝送システム及び固体レーザ - Google Patents
光ファイバ、光増幅器、光伝送システム及び固体レーザInfo
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- JPH05310440A JPH05310440A JP4116259A JP11625992A JPH05310440A JP H05310440 A JPH05310440 A JP H05310440A JP 4116259 A JP4116259 A JP 4116259A JP 11625992 A JP11625992 A JP 11625992A JP H05310440 A JPH05310440 A JP H05310440A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学材料に添加された希土類イオンを高出力
の半導体レーザにより励起できるようにすると共に、希
土類イオンが反転分布の下位のエネルギー準位において
飽和しないようにする。 【構成】 フッ化物系ファイバのコア部分には希土類イ
オンとしてＤｙイオンが添加されている。Ｄｙイオン
は、８００ｎｍ帯の半導体レーザモジュールの励起光で
吸収遷移１１１を行い基底準位１０２から吸収励起準位
１０５に遷移した後、フォノン放出による非発光遷移１
２１をして準安定励起準位１０３に遷移し、その後、発
光遷移１１２をして基底準位１０２に戻る。 【効果】 Ｄｙイオンは、高出力である８００ｎｍ帯の
半導体レーザモジュールにより励起可能であると共に、
反転分布の下位のエネルギー準位で飽和しないので、高
利得を得ることができる。
の半導体レーザにより励起できるようにすると共に、希
土類イオンが反転分布の下位のエネルギー準位において
飽和しないようにする。 【構成】 フッ化物系ファイバのコア部分には希土類イ
オンとしてＤｙイオンが添加されている。Ｄｙイオン
は、８００ｎｍ帯の半導体レーザモジュールの励起光で
吸収遷移１１１を行い基底準位１０２から吸収励起準位
１０５に遷移した後、フォノン放出による非発光遷移１
２１をして準安定励起準位１０３に遷移し、その後、発
光遷移１１２をして基底準位１０２に戻る。 【効果】 Ｄｙイオンは、高出力である８００ｎｍ帯の
半導体レーザモジュールにより励起可能であると共に、
反転分布の下位のエネルギー準位で飽和しないので、高
利得を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コヒーレント光を応用
した情報通信、情報処理及び光応用計測制御分野等にお
いて使用される光ファイバ、光増幅器、光伝送システム
及び固体レーザに関する。
した情報通信、情報処理及び光応用計測制御分野等にお
いて使用される光ファイバ、光増幅器、光伝送システム
及び固体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の希土類イオン添加ファイバ型光増
幅器としては、１．５μｍ帯信号光を増幅するＥｒ（エ
ルビウム）イオン添加光増幅器と、１．３μｍ帯信号光
を増幅するＰｒ（プロセオジウム）イオン添加光増幅器
及びＮｄ（ネオジウム）イオン添加光増幅器とが主とし
て挙げられる。
幅器としては、１．５μｍ帯信号光を増幅するＥｒ（エ
ルビウム）イオン添加光増幅器と、１．３μｍ帯信号光
を増幅するＰｒ（プロセオジウム）イオン添加光増幅器
及びＮｄ（ネオジウム）イオン添加光増幅器とが主とし
て挙げられる。
【０００３】１．５μｍ帯信号を現在すでに使用されて
いる１．３μｍ帯信号用の光ファイバを用いて通信する
には、光ファイバ中の波長分散により信号の劣化が生じ
るため、分散補正型ファイバを全国的に張り替えねばな
らないと言う高価な作業が必要になるので、Ｅｒイオン
添加光増幅器は実用的ではない。
いる１．３μｍ帯信号用の光ファイバを用いて通信する
には、光ファイバ中の波長分散により信号の劣化が生じ
るため、分散補正型ファイバを全国的に張り替えねばな
らないと言う高価な作業が必要になるので、Ｅｒイオン
添加光増幅器は実用的ではない。
【０００４】また、Ｎｄイオン添加光増幅器は、その利
得領域の中心が１．３５μｍであるため、通常の１．３
１μｍの信号光源を効率良く使用できない。
得領域の中心が１．３５μｍであるため、通常の１．３
１μｍの信号光源を効率良く使用できない。
【０００５】そこで、Ｐｒイオン添加光増幅器を用いる
ことが考慮される。Ｐｒイオン添加光増幅器は、Ｐｒ固
有のエネルギー準位によって生じる吸収波長領域に合致
する励起光源を利用しており、該励起光源の光励起によ
り 3Ｈ4 − 1Ｇ4 の遷移を起こし、 1Ｇ4 − 3Ｈ5 のエ
ネルギー準位間反転分布を形成することによって増幅作
用を生じる。
ことが考慮される。Ｐｒイオン添加光増幅器は、Ｐｒ固
有のエネルギー準位によって生じる吸収波長領域に合致
する励起光源を利用しており、該励起光源の光励起によ
り 3Ｈ4 − 1Ｇ4 の遷移を起こし、 1Ｇ4 − 3Ｈ5 のエ
ネルギー準位間反転分布を形成することによって増幅作
用を生じる。
【０００６】Ｐｒイオン添加光増幅器に関しては、詳し
くは例えばYasutake Ohishi,et al著の“Pr3+-doped fl
uoride fiber amplifier operating at 1.31 μm ”Opt
icsLetters Vol 16,No.22,pp.1747-1749. 等に記載され
ている。またＰｒイオンの特性としては、Y.Miyazima,
et al.著の“38.2dB amplification at 1.31μm and po
ssibility of 0.98 μm pumping in Pr3+-doped fluor
ide fibre,“Electronics Letters Vol. 27 No.19,pp.
1706-1707.に記載されているように、励起光３００ｍＷ
に対して３８．２ｄＢの利得が得られる。励起光源とし
ては、波長１．０１７μｍで発振するＡｒイオンレーザ
励起のＴｉ：Ａｌ２０３レーザ又は波長１．０１７μｍ
の半導体レーザが用いられている。
くは例えばYasutake Ohishi,et al著の“Pr3+-doped fl
uoride fiber amplifier operating at 1.31 μm ”Opt
icsLetters Vol 16,No.22,pp.1747-1749. 等に記載され
ている。またＰｒイオンの特性としては、Y.Miyazima,
et al.著の“38.2dB amplification at 1.31μm and po
ssibility of 0.98 μm pumping in Pr3+-doped fluor
ide fibre,“Electronics Letters Vol. 27 No.19,pp.
1706-1707.に記載されているように、励起光３００ｍＷ
に対して３８．２ｄＢの利得が得られる。励起光源とし
ては、波長１．０１７μｍで発振するＡｒイオンレーザ
励起のＴｉ：Ａｌ２０３レーザ又は波長１．０１７μｍ
の半導体レーザが用いられている。
【０００７】さらに、希土類イオン添加固体レーザとし
て、例えばM.C. Brierley, C.A. Millar著の“Amplific
ation and Lasing at 1350nm in a neodynium doped fl
uorozirconate fibre,”Electronics Letters Vol.24 N
o.7,pp.438-439.,又はY. Durteste, et al著の“Amplif
ication and Lasing at 1.3 μm in Praseodynium-dope
d Fluorozirconate Fibres, ”Electronics Letters Vo
l.27, No.8 pp.626-628.等が知られている。希土類イオ
ンとして前者はＮｄイオンを、後者はＰｒイオンをそれ
ぞれフッ化物系のファイバに添加したものである。いず
れも４準位系の遷移構造を有しており、励起光を吸収
し、フォノン放出により反転分布の上位に遷移し、１．
３μｍ帯の光を放出する遷移を行い、フォノン放出によ
り反転分布の下位から基底準位に戻る。
て、例えばM.C. Brierley, C.A. Millar著の“Amplific
ation and Lasing at 1350nm in a neodynium doped fl
uorozirconate fibre,”Electronics Letters Vol.24 N
o.7,pp.438-439.,又はY. Durteste, et al著の“Amplif
ication and Lasing at 1.3 μm in Praseodynium-dope
d Fluorozirconate Fibres, ”Electronics Letters Vo
l.27, No.8 pp.626-628.等が知られている。希土類イオ
ンとして前者はＮｄイオンを、後者はＰｒイオンをそれ
ぞれフッ化物系のファイバに添加したものである。いず
れも４準位系の遷移構造を有しており、励起光を吸収
し、フォノン放出により反転分布の上位に遷移し、１．
３μｍ帯の光を放出する遷移を行い、フォノン放出によ
り反転分布の下位から基底準位に戻る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
Ｐｒイオン添加光増幅器によると、励起光源としてのＴ
ｉ：Ａｌ２０３レーザは大型であるため実用的ではない
し、また１．０１７μｍの半導体レーザは量子井戸構造
を有し、出力が５０ｍＷ程度であり、量産性に乏しく現
在のところ規格品ではない。
Ｐｒイオン添加光増幅器によると、励起光源としてのＴ
ｉ：Ａｌ２０３レーザは大型であるため実用的ではない
し、また１．０１７μｍの半導体レーザは量子井戸構造
を有し、出力が５０ｍＷ程度であり、量産性に乏しく現
在のところ規格品ではない。
【０００９】また、反転分布の下位である 3Ｈ5 の準位
から基底準位への遷移は非発光遷移すなわちフォノン放
出によるものである。しかも、フッ化物系のファイバに
添加された希土類イオンは、例えばシリカ系のファイバ
に添加された希土類イオンに比べてフォノン放出の確率
が低いことが指摘されている。従って、励起光の強度が
増えると、基底準位のイオン分布に対して反転分布の下
位の 3Ｈ4 準位の分布が大きくなり、発光遷移の上位の
1Ｇ4 準位への吸収が減り利得が飽和する。
から基底準位への遷移は非発光遷移すなわちフォノン放
出によるものである。しかも、フッ化物系のファイバに
添加された希土類イオンは、例えばシリカ系のファイバ
に添加された希土類イオンに比べてフォノン放出の確率
が低いことが指摘されている。従って、励起光の強度が
増えると、基底準位のイオン分布に対して反転分布の下
位の 3Ｈ4 準位の分布が大きくなり、発光遷移の上位の
1Ｇ4 準位への吸収が減り利得が飽和する。
【００１０】つまり、上記Ｐｒイオン添加ファイバを用
いた光増幅器によると、高出力の励起光源が実用的でな
いこと及び高出力励起において利得が飽和するという問
題がある。
いた光増幅器によると、高出力の励起光源が実用的でな
いこと及び高出力励起において利得が飽和するという問
題がある。
【００１１】一方、後者の希土類イオン添加固体レーザ
によると、フッ化物系のファイバにおいて準位間のエネ
ルギーの差が５００ｃｍ-1以上ある場合、フォノン放出
の確率が低い。従って、反転分布の下位準位での寿命が
長いため、励起光源の出力に対する吸収特性が励起光源
の出力が高くなるに従って飽和するので、レーザの出力
が飽和してしまう。具体的に説明すると、Ｎｄイオン添
加ファイバレーザの場合、励起光源の出力が２６０ｍＷ
のときに１．３μｍの光の強度は４．５ｍＷであり、Ｐ
ｒイオン添加ファイバレーザの場合、励起光源の出力が
２５０ｍＷのときに光の強度は４．５ｍＷであっていず
れもレーザ効率が低い。
によると、フッ化物系のファイバにおいて準位間のエネ
ルギーの差が５００ｃｍ-1以上ある場合、フォノン放出
の確率が低い。従って、反転分布の下位準位での寿命が
長いため、励起光源の出力に対する吸収特性が励起光源
の出力が高くなるに従って飽和するので、レーザの出力
が飽和してしまう。具体的に説明すると、Ｎｄイオン添
加ファイバレーザの場合、励起光源の出力が２６０ｍＷ
のときに１．３μｍの光の強度は４．５ｍＷであり、Ｐ
ｒイオン添加ファイバレーザの場合、励起光源の出力が
２５０ｍＷのときに光の強度は４．５ｍＷであっていず
れもレーザ効率が低い。
【００１２】また、Ｎｄイオン添加ファイバレーザの場
合には、励起光源が発振波長５１４ｎｍのＡｒレーザあ
り、Ｐｒ添加ファイバレーザの場合には、発振波長１．
０６４μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザであり、いずれも大型
であって実用的ではない。
合には、励起光源が発振波長５１４ｎｍのＡｒレーザあ
り、Ｐｒ添加ファイバレーザの場合には、発振波長１．
０６４μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザであり、いずれも大型
であって実用的ではない。
【００１３】つまり、上記希土類イオン添加固体レーザ
によると、励起光源が実用的でないこと及び１．３μｍ
帯のレーザ出力が低いと共に高出力励起の場合にレーザ
出力が飽和するという問題がある。
によると、励起光源が実用的でないこと及び１．３μｍ
帯のレーザ出力が低いと共に高出力励起の場合にレーザ
出力が飽和するという問題がある。
【００１４】前記の問題は、光学材料に希土類イオンが
添加された光ファイバ、該光ファイバを用いる光増幅
器、光伝送システム及び固体レーザに共通の問題であ
る。
添加された光ファイバ、該光ファイバを用いる光増幅
器、光伝送システム及び固体レーザに共通の問題であ
る。
【００１５】前記に鑑み、本発明は、光学材料に添加さ
れた希土類イオンを高出力の半導体レーザにより励起す
ることができるようにすると共に、反転分布の下位のエ
ネルギー準位において飽和しないようにし、これによ
り、小型で実用性に優れ且つ高効率な光ファイバ、光増
幅器、光伝送システム及び固体レーザを提供することを
目的とする。
れた希土類イオンを高出力の半導体レーザにより励起す
ることができるようにすると共に、反転分布の下位のエ
ネルギー準位において飽和しないようにし、これによ
り、小型で実用性に優れ且つ高効率な光ファイバ、光増
幅器、光伝送システム及び固体レーザを提供することを
目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、光学材料に添加されたＤｙイオンは、高
出力な８００ｎｍ半導体レーザによって吸収励起準位に
励起されると共に反転分布の下位の準位で飽和しないと
言う点に着目し、該知見に基づいて成されたものであっ
て、光ファイバの高光屈折領域を構成する光学材料にＤ
ｙイオンを添加するものである。
め、本発明は、光学材料に添加されたＤｙイオンは、高
出力な８００ｎｍ半導体レーザによって吸収励起準位に
励起されると共に反転分布の下位の準位で飽和しないと
言う点に着目し、該知見に基づいて成されたものであっ
て、光ファイバの高光屈折領域を構成する光学材料にＤ
ｙイオンを添加するものである。
【００１７】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、高光屈折領域と低光屈折領域とを有し、高光屈折領
域と低屈折領域との間の屈折率差が０．０１％〜１％で
あり、波長領域が８００ｎｍ〜１４００ｎｍの光信号を
単一モードで伝播する光ファイバを対象とし、前記高光
屈折領域を構成する光学材料に濃度が１００p.p.m.〜１
００００p.p.m.であるＤｙイオンが添加されている構成
とするものである。
は、高光屈折領域と低光屈折領域とを有し、高光屈折領
域と低屈折領域との間の屈折率差が０．０１％〜１％で
あり、波長領域が８００ｎｍ〜１４００ｎｍの光信号を
単一モードで伝播する光ファイバを対象とし、前記高光
屈折領域を構成する光学材料に濃度が１００p.p.m.〜１
００００p.p.m.であるＤｙイオンが添加されている構成
とするものである。
【００１８】請求項２の発明は、請求項１における高光
屈折領域を構成する光学材料をフッ化物系材料又はＳｉ
Ｏ2 系材料に限定するものである。
屈折領域を構成する光学材料をフッ化物系材料又はＳｉ
Ｏ2 系材料に限定するものである。
【００１９】請求項３の発明は、請求項１又は２におけ
るＤｙイオンのイオン価を３価に限定するものである。
るＤｙイオンのイオン価を３価に限定するものである。
【００２０】具体的に請求項４の発明が講じた解決手段
は、光増幅器を、半導体レーザよりなる励起光を出力す
ると共に該励起光が出力用光ファイバから取り出せるよ
うにモジュール化された半導体レーザモジュールよりな
る励起光源と、該励起光源から出力された励起光と１．
３μｍ帯の信号光とを合波する光ファイバカップラ又は
導波路型カップラよりなるカップラと、高光屈折領域と
低光屈折領域とを有し前記高光屈折領域を構成する光学
材料にＤｙイオンが添加されており前記カップラから出
射された出力光を入射部から入射せしめると共に増幅し
て出射部から出射する光ファイバとを備えている構成と
するものである。
は、光増幅器を、半導体レーザよりなる励起光を出力す
ると共に該励起光が出力用光ファイバから取り出せるよ
うにモジュール化された半導体レーザモジュールよりな
る励起光源と、該励起光源から出力された励起光と１．
３μｍ帯の信号光とを合波する光ファイバカップラ又は
導波路型カップラよりなるカップラと、高光屈折領域と
低光屈折領域とを有し前記高光屈折領域を構成する光学
材料にＤｙイオンが添加されており前記カップラから出
射された出力光を入射部から入射せしめると共に増幅し
て出射部から出射する光ファイバとを備えている構成と
するものである。
【００２１】請求項５の発明は、請求項４の構成に、前
記光ファイバの出射部に接続され該出射部から出力され
た出力光を励起光と信号光とに分波する光ファイバカッ
プラ又は導波路型カップラを備えている構成を付加する
ものである。
記光ファイバの出射部に接続され該出射部から出力され
た出力光を励起光と信号光とに分波する光ファイバカッ
プラ又は導波路型カップラを備えている構成を付加する
ものである。
【００２２】請求項６の発明は、請求項４又は５におけ
る高光屈折領域を構成する光学材料をフッ化物系材料又
はＳｉＯ2 系材料に限定するものである。
る高光屈折領域を構成する光学材料をフッ化物系材料又
はＳｉＯ2 系材料に限定するものである。
【００２３】請求項７の発明は、請求項４〜６における
Ｄｙイオンのイオン価を３価に限定するものである。
Ｄｙイオンのイオン価を３価に限定するものである。
【００２４】具体的に請求項８の発明が講じた解決手段
は、光伝送システムを、半導体レーザよりなる励起光を
出力すると共に該励起光が出力用光ファイバから取り出
せるようにモジュール化された半導体レーザモジュール
よりなる励起光源と、発振波長領域が１．３μｍ〜１．
３５μｍである１．３μｍ帯半導体レーザ光よりなる信
号光を出力すると共に該信号光が出力用光ファイバで取
り出せるようにモジュール化された半導体レーザモジュ
ールよりなる信号光源と、前記信号光源に電気信号を出
力する電気信号源と、前記励起光源から出力された励起
光と前記信号光源から出力された信号光とを合波する光
ファイバカップラ又は導波路型カップラよりなる第１の
カップラと、高光屈折領域と低光屈折領域とを有し前記
高光屈折領域を構成する光学材料にＤｙイオンが添加さ
れており前記第１のカップラから出射された出力光を増
幅して出射する光ファイバと、該光ファイバから出射さ
れた出力光を励起光と信号光とに分波する光ファイバカ
ップラ又は導波路型カップラよりなる第２のカップラ
と、該第２のカップラから出射された信号光を分配する
分配器と、該分配器により分配された信号光を受光する
受光素子とを備えている構成とするものである。
は、光伝送システムを、半導体レーザよりなる励起光を
出力すると共に該励起光が出力用光ファイバから取り出
せるようにモジュール化された半導体レーザモジュール
よりなる励起光源と、発振波長領域が１．３μｍ〜１．
３５μｍである１．３μｍ帯半導体レーザ光よりなる信
号光を出力すると共に該信号光が出力用光ファイバで取
り出せるようにモジュール化された半導体レーザモジュ
ールよりなる信号光源と、前記信号光源に電気信号を出
力する電気信号源と、前記励起光源から出力された励起
光と前記信号光源から出力された信号光とを合波する光
ファイバカップラ又は導波路型カップラよりなる第１の
カップラと、高光屈折領域と低光屈折領域とを有し前記
高光屈折領域を構成する光学材料にＤｙイオンが添加さ
れており前記第１のカップラから出射された出力光を増
幅して出射する光ファイバと、該光ファイバから出射さ
れた出力光を励起光と信号光とに分波する光ファイバカ
ップラ又は導波路型カップラよりなる第２のカップラ
と、該第２のカップラから出射された信号光を分配する
分配器と、該分配器により分配された信号光を受光する
受光素子とを備えている構成とするものである。
【００２５】請求項９の発明は、請求項８における高光
屈折領域を構成する光学材料をフッ化物系材料又はＳｉ
Ｏ2 系材料に限定するものである。
屈折領域を構成する光学材料をフッ化物系材料又はＳｉ
Ｏ2 系材料に限定するものである。
【００２６】請求項１０の発明は、請求項８又は９にお
けるＤｙイオンのイオン価を３価に限定するものであ
る。
けるＤｙイオンのイオン価を３価に限定するものであ
る。
【００２７】具体的に請求項１１の発明が講じた解決手
段は、固体レーザを、発振波長領域が８００ｎｍ〜８６
０ｎｍである８００ｎｍ帯半導体レーザ光よりなる励起
光を出力する励起光源と、高光屈折領域と低光屈折領域
とを有し前記高光屈折領域を構成する光学材料にＤｙイ
オンが添加されており前記励起光源からの励起光が入射
部から入射される光ファイバと、該光ファイバの入射部
に設けられ波長領域が８００ｎｍ〜９００ｎｍの光に対
して高反射であり且つ波長領域が１２００ｎｍ〜１４０
０ｎｍの光に対して高反射である入射部反射板と、前記
光ファイバの出射部に設けられ波長領域が８００ｎｍ〜
９００の光に対して高反射であり且つ波長領域が１２０
０ｎｍ〜１４００ｎｍの光に対して８０％〜９９．５％
の反射率を有する出射部反射板とを備え、前記入射部反
射板と出射部反射板とによって共振器を構成するもので
ある。
段は、固体レーザを、発振波長領域が８００ｎｍ〜８６
０ｎｍである８００ｎｍ帯半導体レーザ光よりなる励起
光を出力する励起光源と、高光屈折領域と低光屈折領域
とを有し前記高光屈折領域を構成する光学材料にＤｙイ
オンが添加されており前記励起光源からの励起光が入射
部から入射される光ファイバと、該光ファイバの入射部
に設けられ波長領域が８００ｎｍ〜９００ｎｍの光に対
して高反射であり且つ波長領域が１２００ｎｍ〜１４０
０ｎｍの光に対して高反射である入射部反射板と、前記
光ファイバの出射部に設けられ波長領域が８００ｎｍ〜
９００の光に対して高反射であり且つ波長領域が１２０
０ｎｍ〜１４００ｎｍの光に対して８０％〜９９．５％
の反射率を有する出射部反射板とを備え、前記入射部反
射板と出射部反射板とによって共振器を構成するもので
ある。
【００２８】請求項１２の発明は、請求項１１における
高光屈折領域を構成する光学材料をフッ化物系材料又は
ＳｉＯ2 系材料に限定するものである。
高光屈折領域を構成する光学材料をフッ化物系材料又は
ＳｉＯ2 系材料に限定するものである。
【００２９】請求項１３の発明は、請求項１１又は１２
におけるＤｙイオンのイオン価を３価に限定するもので
ある。
におけるＤｙイオンのイオン価を３価に限定するもので
ある。
【００３０】
【作用】請求項１〜３の構成により、高光屈折領域を構
成する光学材料に濃度が１００p.p.m.〜１００００p.p.
m.のＤｙイオンが添加されており、該Ｄｙイオンは光学
材料例えばフッ化物系の光学材料中では７０００ｃｍ-1
〜１３０００ｃｍ-1のエネルギーの間に吸収励起準位を
持つ。そして、該Ｄｙイオンは高出力の８００ｎｍ半導
体レーザによって励起されることにより、そのエネルギ
ー準位は吸収励起準位に遷移する。
成する光学材料に濃度が１００p.p.m.〜１００００p.p.
m.のＤｙイオンが添加されており、該Ｄｙイオンは光学
材料例えばフッ化物系の光学材料中では７０００ｃｍ-1
〜１３０００ｃｍ-1のエネルギーの間に吸収励起準位を
持つ。そして、該Ｄｙイオンは高出力の８００ｎｍ半導
体レーザによって励起されることにより、そのエネルギ
ー準位は吸収励起準位に遷移する。
【００３１】また、Ｄｙイオンは、反転分布の下位の準
位から非発光遷移つまりフォノン放出による遷移によっ
て基底準位に達することがなく、反転分布の下位の準位
の分布が大きくなって飽和するという現象が生じないの
で、反転分布の下位で飽和することはない。
位から非発光遷移つまりフォノン放出による遷移によっ
て基底準位に達することがなく、反転分布の下位の準位
の分布が大きくなって飽和するという現象が生じないの
で、反転分布の下位で飽和することはない。
【００３２】請求項４〜７の光増幅器によると、８００
ｎｍ帯半導体レーザ光よりなる励起光を出力する励起光
源と、該励起光源から出力された励起光と１．３μｍ帯
の信号光とを合波するカップラと、高光屈折領域を構成
する光学材料にＤｙイオンが添加されており、前記カッ
プラから出射された出力光を増幅して出射する光ファイ
バとを備えているため、前記と同様の作用により、Ｄｙ
イオンは高出力の８００ｎｍ半導体レーザによって励起
されて、そのエネルギー準位は吸収励起準位に遷移す
る。また、Ｄｙイオンは反転分布の下位の準位で飽和し
ない。
ｎｍ帯半導体レーザ光よりなる励起光を出力する励起光
源と、該励起光源から出力された励起光と１．３μｍ帯
の信号光とを合波するカップラと、高光屈折領域を構成
する光学材料にＤｙイオンが添加されており、前記カッ
プラから出射された出力光を増幅して出射する光ファイ
バとを備えているため、前記と同様の作用により、Ｄｙ
イオンは高出力の８００ｎｍ半導体レーザによって励起
されて、そのエネルギー準位は吸収励起準位に遷移す
る。また、Ｄｙイオンは反転分布の下位の準位で飽和し
ない。
【００３３】請求項８〜１０の光伝送システムによる
と、請求項５の光増幅器を備えているため、前記と同様
の作用により、光ファイバの高光屈折領域に添加された
Ｄｙイオンは高出力の８００ｎｍ半導体レーザによって
励起され、そのエネルギー準位は吸収励起準位に遷移す
ると共にＤｙイオンは反転分布の下位の準位で飽和しな
いので、分配器には高出力な信号光が入射される。
と、請求項５の光増幅器を備えているため、前記と同様
の作用により、光ファイバの高光屈折領域に添加された
Ｄｙイオンは高出力の８００ｎｍ半導体レーザによって
励起され、そのエネルギー準位は吸収励起準位に遷移す
ると共にＤｙイオンは反転分布の下位の準位で飽和しな
いので、分配器には高出力な信号光が入射される。
【００３４】請求項１１〜１３の固体レーザによると、
８００ｎｍ帯半導体レーザ光よりなる励起光を出力する
励起光源と、高光屈折領域を構成する光学材料にＤｙイ
オンが添加された光ファイバと、波長領域が８００ｎｍ
〜９００ｎｍの光に対して高反射であり且つ波長領域が
１２００ｎｍ〜１４００ｎｍの光に対して高反射である
入射部反射板と波長領域が８００ｎｍ〜９００の光に対
して高反射であり且つ波長領域が１２００ｎｍ〜１４０
０ｎｍの光に対して８０％〜９９．５％の反射率を有す
る出射部反射板とからなる共振器とを備えているため、
前記と同様の作用により、光ファイバの高光屈折領域に
添加されたＤｙイオンが高出力の８００ｎｍ半導体レー
ザによって励起されると共に反転分布の下位の準位で飽
和しないので、出射部から高出力の１．３μｍ帯半導体
レーザが出力する。
８００ｎｍ帯半導体レーザ光よりなる励起光を出力する
励起光源と、高光屈折領域を構成する光学材料にＤｙイ
オンが添加された光ファイバと、波長領域が８００ｎｍ
〜９００ｎｍの光に対して高反射であり且つ波長領域が
１２００ｎｍ〜１４００ｎｍの光に対して高反射である
入射部反射板と波長領域が８００ｎｍ〜９００の光に対
して高反射であり且つ波長領域が１２００ｎｍ〜１４０
０ｎｍの光に対して８０％〜９９．５％の反射率を有す
る出射部反射板とからなる共振器とを備えているため、
前記と同様の作用により、光ファイバの高光屈折領域に
添加されたＤｙイオンが高出力の８００ｎｍ半導体レー
ザによって励起されると共に反転分布の下位の準位で飽
和しないので、出射部から高出力の１．３μｍ帯半導体
レーザが出力する。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００３６】まず、図１に基づき本発明の第１実施例に
係る光ファイバについて説明する。図１は該光ファイバ
に添加されたＤｙイオンのエネルギー準位図であって、
同図において、１０１はフッ化物系の光ファイバ中に添
加されたＤｙ（ディスプロジウム）イオンのエネルギー
準位を、１１１は８３０ｎｍの励起光の吸収遷移を、１
２１は非発光遷移を、１１２は発光遷移をそれぞれ示し
ている。また、同図において、１０２，１０３，１０４
Ａ，１０４Ｂ，１０４Ｃ，１０５はそれぞれＤｙイオン
固有のエネルギー準位であって、１０２は基底準位であ
る 6Ｈ15/2準位、１０３は準安定励起準位である 6Ｈ
9/2 ， 6Ｆ11/2準位、１０４Ａは 6Ｆ9/2， 6Ｈ7/2 準
位、１０４Ｂは 6Ｈ5/2 準位、１０４Ｃは 6Ｆ7/2 準
位、１０５は吸収励起準位である 6Ｆ5/2 を示してい
る。尚、縦軸はエネルギーをｃｍ-1（カイザー）の単位
であらわしたものである。
係る光ファイバについて説明する。図１は該光ファイバ
に添加されたＤｙイオンのエネルギー準位図であって、
同図において、１０１はフッ化物系の光ファイバ中に添
加されたＤｙ（ディスプロジウム）イオンのエネルギー
準位を、１１１は８３０ｎｍの励起光の吸収遷移を、１
２１は非発光遷移を、１１２は発光遷移をそれぞれ示し
ている。また、同図において、１０２，１０３，１０４
Ａ，１０４Ｂ，１０４Ｃ，１０５はそれぞれＤｙイオン
固有のエネルギー準位であって、１０２は基底準位であ
る 6Ｈ15/2準位、１０３は準安定励起準位である 6Ｈ
9/2 ， 6Ｆ11/2準位、１０４Ａは 6Ｆ9/2， 6Ｈ7/2 準
位、１０４Ｂは 6Ｈ5/2 準位、１０４Ｃは 6Ｆ7/2 準
位、１０５は吸収励起準位である 6Ｆ5/2 を示してい
る。尚、縦軸はエネルギーをｃｍ-1（カイザー）の単位
であらわしたものである。
【００３７】光ファイバの高光屈折領域であるコア部分
の光学材料としてのフッ化物系光学材料すなわちＺＢＬ
ＡＮ（ＺｒＦ4 −ＢａＦ2 −ＬａＦ3 −ＡｌＦ3 −Ｎａ
Ｆ）には、Ｄｙイオンが１００p.p.m.から１００００p.
p.m.（重量当り１００００００分の１００から１０００
０）添加されている。このため、該光ファイバのコア部
分に、該コア部分のエネルギー吸収領域である波長８３
０ｎｍの励起光を入射すると、コア部分に添加されたＤ
ｙイオンのエネルギー準位は、吸収遷移１１１により吸
収励起準位１０５に遷移した後、フォノン放出による非
発光遷移１２１によって準安定励起準位１０３に遷移す
る。その後、波長が１．２５μｍ〜１．３５μｍの光を
放出して基底準位１０２に戻る。
の光学材料としてのフッ化物系光学材料すなわちＺＢＬ
ＡＮ（ＺｒＦ4 −ＢａＦ2 −ＬａＦ3 −ＡｌＦ3 −Ｎａ
Ｆ）には、Ｄｙイオンが１００p.p.m.から１００００p.
p.m.（重量当り１００００００分の１００から１０００
０）添加されている。このため、該光ファイバのコア部
分に、該コア部分のエネルギー吸収領域である波長８３
０ｎｍの励起光を入射すると、コア部分に添加されたＤ
ｙイオンのエネルギー準位は、吸収遷移１１１により吸
収励起準位１０５に遷移した後、フォノン放出による非
発光遷移１２１によって準安定励起準位１０３に遷移す
る。その後、波長が１．２５μｍ〜１．３５μｍの光を
放出して基底準位１０２に戻る。
【００３８】次に、本発明の第２実施例である光増幅器
について説明する。該第２実施例に係る光増幅器は第１
実施例で説明した光ファイバを用いたものである。
について説明する。該第２実施例に係る光増幅器は第１
実施例で説明した光ファイバを用いたものである。
【００３９】図２は第２実施例に係る光増幅器の構成を
示し、同図において、２０１は出力光が出力用ファイバ
２０２で取り出せるようにモジュール化され、励起用の
発振波長領域が８００ｎｍ〜８５０ｎｍである８００ｎ
ｍ帯半導体レーザ光を出力する半導体レーザモジュー
ル、２０３は半導体レーザモジュール２０１から出力さ
れた励起光と１．３μｍ帯の信号光とを合波する光ファ
イバカップラ、２０５はコア部分にＤｙイオンが添加さ
れており光ファイバカップラ２０３からの出力光を入射
する光ファイバである。半導体レーザモジュール２０１
の出力用ファイバ２０２は光ファイバカップラ２０３の
一の入力端子に接続されており、半導体レーザモジュー
ル２０１からの励起光は光ファイバ２０５に入射され
る。一方、アイソレータ２０９を通過した１．３μｍ帯
信号光は、入力用ファイバ２０４を介して光ファイバカ
ップラ２０３の他の入力端子から該光ファイバカップラ
２０３に入射された後、光ファイバ２０５に入射され
る。これにより、増幅された出力光を光ファイバ２０５
の終端から得ることができる。さらに、光ファイバ２０
５から出射した出力光を、アイソレータ２１０を通過さ
せた後、光ファイバカップラ２０６に入射させると、信
号光出射用ファイバ２０７の終端から信号光が出射され
ると共に、励起光出射用ファイバ２０８からは８３０ｎ
ｍの励起光が出射される。
示し、同図において、２０１は出力光が出力用ファイバ
２０２で取り出せるようにモジュール化され、励起用の
発振波長領域が８００ｎｍ〜８５０ｎｍである８００ｎ
ｍ帯半導体レーザ光を出力する半導体レーザモジュー
ル、２０３は半導体レーザモジュール２０１から出力さ
れた励起光と１．３μｍ帯の信号光とを合波する光ファ
イバカップラ、２０５はコア部分にＤｙイオンが添加さ
れており光ファイバカップラ２０３からの出力光を入射
する光ファイバである。半導体レーザモジュール２０１
の出力用ファイバ２０２は光ファイバカップラ２０３の
一の入力端子に接続されており、半導体レーザモジュー
ル２０１からの励起光は光ファイバ２０５に入射され
る。一方、アイソレータ２０９を通過した１．３μｍ帯
信号光は、入力用ファイバ２０４を介して光ファイバカ
ップラ２０３の他の入力端子から該光ファイバカップラ
２０３に入射された後、光ファイバ２０５に入射され
る。これにより、増幅された出力光を光ファイバ２０５
の終端から得ることができる。さらに、光ファイバ２０
５から出射した出力光を、アイソレータ２１０を通過さ
せた後、光ファイバカップラ２０６に入射させると、信
号光出射用ファイバ２０７の終端から信号光が出射され
ると共に、励起光出射用ファイバ２０８からは８３０ｎ
ｍの励起光が出射される。
【００４０】本実施例の励起方法は前方励起と呼ばれて
いるものであって、信号光の入射端と同じ端面に励起光
を入射するものである。これ以外にも、後方励起と呼ば
れ、信号光の出射端から励起光が入射されるものもあ
る。この場合には、励起光出射用光ファイバ２０８の出
射端に半導体レーザモジュール２０１の出力端が接続さ
れることになる。これ以外にも、２つの励起光用半導体
モジュールを信号光の入射端及び出射端の両方に接続す
る場合もある。
いるものであって、信号光の入射端と同じ端面に励起光
を入射するものである。これ以外にも、後方励起と呼ば
れ、信号光の出射端から励起光が入射されるものもあ
る。この場合には、励起光出射用光ファイバ２０８の出
射端に半導体レーザモジュール２０１の出力端が接続さ
れることになる。これ以外にも、２つの励起光用半導体
モジュールを信号光の入射端及び出射端の両方に接続す
る場合もある。
【００４１】以下、前記の前方励起型の光増幅器の特性
について説明する。
について説明する。
【００４２】半導体レーザモジュール２０１からの励起
光が１Ｗの場合、この励起光は効率良く光ファイバ２０
５に吸収され、Ｄｙイオンのエネルギー準位は吸収励起
準位１０５に遷移する。その後、非発光遷移であるフォ
ノン放出により準安定励起準位１０３に遷移した後、１
１２の発光遷移により１．０３μｍ帯の信号光が増幅さ
れる。入力信号光の強度と増幅後の出力信号光の強度と
を比較すると、３０〜４０ｄＢ（デシブル）の利得が得
られる。
光が１Ｗの場合、この励起光は効率良く光ファイバ２０
５に吸収され、Ｄｙイオンのエネルギー準位は吸収励起
準位１０５に遷移する。その後、非発光遷移であるフォ
ノン放出により準安定励起準位１０３に遷移した後、１
１２の発光遷移により１．０３μｍ帯の信号光が増幅さ
れる。入力信号光の強度と増幅後の出力信号光の強度と
を比較すると、３０〜４０ｄＢ（デシブル）の利得が得
られる。
【００４３】次に、本発明の第３実施例に係る光伝送シ
ステムについて説明する。該第３実施例の光伝送システ
ムは第２実施例で説明した光増幅器２００を用いたもの
である。
ステムについて説明する。該第３実施例の光伝送システ
ムは第２実施例で説明した光増幅器２００を用いたもの
である。
【００４４】図３は第３実施例に係る光伝送システムの
構成図であって、同図において、２０１，２０２，２０
３，２０４，２０５，２０６，２０７及び２０８はそれ
ぞれ第２実施例で説明したものと同じ構成である。同図
において、３０１は出力が出力用ファイバ３０４で取り
出せるようにモジュール化され、信号光の発振波長領域
が１．３μｍ〜１．３５μｍである１．３μｍ帯半導体
レーザを出力する半導体レーザモジュール、３０３は半
導体レーザモジュール３０１に電気信号を出力する電気
信号源、３０４は半導体レーザモジュール３０１からの
信号光を出力する出力用ファイバ、３０５は第２実施例
に係る光増幅器２００により増幅され、該光増幅器２０
０を構成する信号光出射用ファイバ２０７の終端から出
射された信号光を伝送する伝送用ファイバ、３０６は伝
送用ファイバ３０５から出力された信号光を分配する分
配器、３０７は分配器３０６により分配された信号光を
伝送する伝送用ファイバ、３０８は伝送用ファイバ３０
７により伝送された信号光を受光する受光素子である。
構成図であって、同図において、２０１，２０２，２０
３，２０４，２０５，２０６，２０７及び２０８はそれ
ぞれ第２実施例で説明したものと同じ構成である。同図
において、３０１は出力が出力用ファイバ３０４で取り
出せるようにモジュール化され、信号光の発振波長領域
が１．３μｍ〜１．３５μｍである１．３μｍ帯半導体
レーザを出力する半導体レーザモジュール、３０３は半
導体レーザモジュール３０１に電気信号を出力する電気
信号源、３０４は半導体レーザモジュール３０１からの
信号光を出力する出力用ファイバ、３０５は第２実施例
に係る光増幅器２００により増幅され、該光増幅器２０
０を構成する信号光出射用ファイバ２０７の終端から出
射された信号光を伝送する伝送用ファイバ、３０６は伝
送用ファイバ３０５から出力された信号光を分配する分
配器、３０７は分配器３０６により分配された信号光を
伝送する伝送用ファイバ、３０８は伝送用ファイバ３０
７により伝送された信号光を受光する受光素子である。
【００４５】半導体レーザモジュール３０１から出力さ
れる信号光は、電気信号源３０３により変調され、出力
用ファイバ３０４を伝搬した後、終端に接続された入力
用ファイバ２０４から光増幅器２００に入射される。光
増幅器２００の機能は第２実施例で説明した通りであ
る。信号光出射用ファイバ２０７から出射された増幅さ
れた信号光は、信号光出射用ファイバ２０７の終端に接
続された光ファイバ３０５に入射される。光ファイバ３
０５から出射された信号光は、分配器３０６に入射され
た後、８つの信号光に分割され、その１つの信号光は伝
送用ファイバ３０７を伝搬して、受光素子３０８におい
て検出される。本伝送システムにおいては、光増幅器２
００の利得が高いため、分配器３０６により信号光を多
重分配することが可能になる。
れる信号光は、電気信号源３０３により変調され、出力
用ファイバ３０４を伝搬した後、終端に接続された入力
用ファイバ２０４から光増幅器２００に入射される。光
増幅器２００の機能は第２実施例で説明した通りであ
る。信号光出射用ファイバ２０７から出射された増幅さ
れた信号光は、信号光出射用ファイバ２０７の終端に接
続された光ファイバ３０５に入射される。光ファイバ３
０５から出射された信号光は、分配器３０６に入射され
た後、８つの信号光に分割され、その１つの信号光は伝
送用ファイバ３０７を伝搬して、受光素子３０８におい
て検出される。本伝送システムにおいては、光増幅器２
００の利得が高いため、分配器３０６により信号光を多
重分配することが可能になる。
【００４６】次に、本発明の第４実施例である希土類イ
オン添加固体レーザについて説明する。該第４実施例に
係る希土類イオン添加固体レーザは前記第１実施例で説
明した光ファイバを用いるものである。
オン添加固体レーザについて説明する。該第４実施例に
係る希土類イオン添加固体レーザは前記第１実施例で説
明した光ファイバを用いるものである。
【００４７】図４は第４実施例に係る希土類イオン添加
固体レーザの構成を示し、同図において、２０１は出力
が光ファイバで取り出せるようにモジュール化され、励
起用の発振波長領域が８００ｎｍ〜８５０ｎｍである８
００ｎｍ帯半導体レーザを出力する半導体レーザモジュ
ール、４０２は半導体レーザモジュール２０１からの励
起光を光ファイバ２０５に導入する光ファイバカップラ
であって、光ファイバ２０５における光ファイバカップ
ラ４０２からの励起光が入力されるコア部分には第１実
施例で説明したようにＤｙイオンが添加されている。４
０３は波長１．３μｍ帯用のアイソレータ、４０１は
１．３μｍ帯の光を出力する光ファイバカップラ、４０
４は出力用ファイバである。半導体レーザモジュール２
０１より発振する波長８３０ｎｍの励起光は光ファイバ
カップラ４０２から光ファイバ２０５に導入される。発
光遷移により放出された波長１．３μｍの光は光ファイ
バ２０５を伝搬する。このとき、特定の方向にのみ波長
１．３μｍの光が伝搬するようにアイソレータ４０３が
設けられている。光ファイバ２０５に導入された光は増
幅媒質であるＤｙイオンが添加されている光ファイバ２
０５を伝搬することにより増幅され、誘導放出光として
存在する。その出力を取り出すために、波長１．３μｍ
の光に対して０．１％〜３０％対９９．９％〜１００％
の分岐比及び波長８３０ｎｍの光に対して０．１％対９
９．９％以上の分岐比を持つファイバカップラ４０１を
光ファイバ２０５に設けている。これにより、ファイバ
カップラ４０１の出力端子から１．０３μｍ帯のレーザ
光が得られる。この共振器の構造はリング型共振器と呼
ばれるものであって、波長線幅が極めて細いのが特徴で
ある。
固体レーザの構成を示し、同図において、２０１は出力
が光ファイバで取り出せるようにモジュール化され、励
起用の発振波長領域が８００ｎｍ〜８５０ｎｍである８
００ｎｍ帯半導体レーザを出力する半導体レーザモジュ
ール、４０２は半導体レーザモジュール２０１からの励
起光を光ファイバ２０５に導入する光ファイバカップラ
であって、光ファイバ２０５における光ファイバカップ
ラ４０２からの励起光が入力されるコア部分には第１実
施例で説明したようにＤｙイオンが添加されている。４
０３は波長１．３μｍ帯用のアイソレータ、４０１は
１．３μｍ帯の光を出力する光ファイバカップラ、４０
４は出力用ファイバである。半導体レーザモジュール２
０１より発振する波長８３０ｎｍの励起光は光ファイバ
カップラ４０２から光ファイバ２０５に導入される。発
光遷移により放出された波長１．３μｍの光は光ファイ
バ２０５を伝搬する。このとき、特定の方向にのみ波長
１．３μｍの光が伝搬するようにアイソレータ４０３が
設けられている。光ファイバ２０５に導入された光は増
幅媒質であるＤｙイオンが添加されている光ファイバ２
０５を伝搬することにより増幅され、誘導放出光として
存在する。その出力を取り出すために、波長１．３μｍ
の光に対して０．１％〜３０％対９９．９％〜１００％
の分岐比及び波長８３０ｎｍの光に対して０．１％対９
９．９％以上の分岐比を持つファイバカップラ４０１を
光ファイバ２０５に設けている。これにより、ファイバ
カップラ４０１の出力端子から１．０３μｍ帯のレーザ
光が得られる。この共振器の構造はリング型共振器と呼
ばれるものであって、波長線幅が極めて細いのが特徴で
ある。
【００４８】以下、第４実施例に係る希土類イオン添加
固体レーザの特性について説明する。励起光源２０１か
らの光の出力が１Ｗの場合、１．３μｍのレーザ光には
６０ｍＷの出力が得られた。従ってレーザの効率が６％
であった。従来のＰｒイオン添加レーザは励起光源の出
力が２．５Ｗの場合、出力が４．５ｍＷであって、レー
ザ効率は０．１３％であった。従って、レーザ効率がお
よそ５０倍に向上したことになる。
固体レーザの特性について説明する。励起光源２０１か
らの光の出力が１Ｗの場合、１．３μｍのレーザ光には
６０ｍＷの出力が得られた。従ってレーザの効率が６％
であった。従来のＰｒイオン添加レーザは励起光源の出
力が２．５Ｗの場合、出力が４．５ｍＷであって、レー
ザ効率は０．１３％であった。従って、レーザ効率がお
よそ５０倍に向上したことになる。
【００４９】半導体レーザでも１．３μｍで発振するも
のもあるが、いずれもファブリペロ型共振器を用いるも
ので、線幅は数ＭＨｚから数十ＭＨｚのものである。こ
れに対して、本実施例に係る固体レーザによると、リン
グ型共振器で波長線幅が１０ｋＨｚである１．３μｍの
レーザ光を得ることができた。
のもあるが、いずれもファブリペロ型共振器を用いるも
ので、線幅は数ＭＨｚから数十ＭＨｚのものである。こ
れに対して、本実施例に係る固体レーザによると、リン
グ型共振器で波長線幅が１０ｋＨｚである１．３μｍの
レーザ光を得ることができた。
【００５０】尚、本実施例ではリング型共振器を用いた
が、通常のファブリペロ型共振器を用いると、線幅は太
くなるが、出力が増加する。
が、通常のファブリペロ型共振器を用いると、線幅は太
くなるが、出力が増加する。
【００５１】また、前記各実施例においては、ファイバ
を構成する光学材料としてフッ化物系材料を用いたが、
光学材料はこれに限られるものではなく、ＳｉＯ2 等レ
ーザ用の結晶であれば何でもよい。
を構成する光学材料としてフッ化物系材料を用いたが、
光学材料はこれに限られるものではなく、ＳｉＯ2 等レ
ーザ用の結晶であれば何でもよい。
【００５２】また、本実施例の光増幅器は光通信に使用
される１．３μｍ帯の増幅について述べたが、ほかの波
長の増幅にも使用できる。
される１．３μｍ帯の増幅について述べたが、ほかの波
長の増幅にも使用できる。
【００５３】また、本実施例の光増幅器は反転分布の下
位を基底準位としたが、基底準位よりも高い準位が反転
分布の下位であってもよい。
位を基底準位としたが、基底準位よりも高い準位が反転
分布の下位であってもよい。
【００５４】また、本実施例では、励起光によって励起
される準位よりもエネルギーの低い準位を反転分布の上
位としたが、励起された準位よりも高いエネルギーの持
つ準位、いわゆるアップコンバージョンによる発光につ
いても有効である。このようにすると、メリットが大な
るものがあり、赤外領域にある８００ｎｍ帯の励起光を
アップコンバージョンにより可視領域又は紫外領域の光
の発光、増幅に用いることが可能になり、効率の良い波
長変換を行なうことができる。
される準位よりもエネルギーの低い準位を反転分布の上
位としたが、励起された準位よりも高いエネルギーの持
つ準位、いわゆるアップコンバージョンによる発光につ
いても有効である。このようにすると、メリットが大な
るものがあり、赤外領域にある８００ｎｍ帯の励起光を
アップコンバージョンにより可視領域又は紫外領域の光
の発光、増幅に用いることが可能になり、効率の良い波
長変換を行なうことができる。
【００５５】また、本実施例では光ファイバの高光屈折
領域にＤｙイオンを添加する場合について説明したが、
技術の上では、添加される光学材料が結晶でも、ガラス
でも、半導体でもよいし、形状が光ファイバでなくても
よい。それは、励起光の吸収及び発光は、添加される希
土類イオンにより行われるものであり、母材によるもの
ではないからである。
領域にＤｙイオンを添加する場合について説明したが、
技術の上では、添加される光学材料が結晶でも、ガラス
でも、半導体でもよいし、形状が光ファイバでなくても
よい。それは、励起光の吸収及び発光は、添加される希
土類イオンにより行われるものであり、母材によるもの
ではないからである。
【００５６】さらに、本実施例では、８３０ｎｍの励起
光源を用いてＤｙイオンの 6Ｆ5/2準位を励起したが、
これは８３０ｎｍの半導体レーザモジュールが存在する
からである。他の波長での励起であっても、Ｄｙイオン
に吸収準位があるものならば可能である。
光源を用いてＤｙイオンの 6Ｆ5/2準位を励起したが、
これは８３０ｎｍの半導体レーザモジュールが存在する
からである。他の波長での励起であっても、Ｄｙイオン
に吸収準位があるものならば可能である。
【００５７】
【発明の効果】本発明に係る光ファイバは、その高光屈
折領域を構成する光学材料に添加されたＤｙイオンが高
出力の８００ｎｍ半導体レーザによって励起されてエネ
ルギー準位が吸収励起準位に遷移すると共に反転分布の
下位の準位の分布が大きくなって飽和するという現象が
生じないので、高効率で光伝送性に優れている。
折領域を構成する光学材料に添加されたＤｙイオンが高
出力の８００ｎｍ半導体レーザによって励起されてエネ
ルギー準位が吸収励起準位に遷移すると共に反転分布の
下位の準位の分布が大きくなって飽和するという現象が
生じないので、高効率で光伝送性に優れている。
【００５８】また、本発明に係る光増幅器は、前記同
様、Ｄｙイオンが高出力の８００ｎｍ半導体レーザによ
って励起されるため、高出力、小型、低消費電力である
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体レーザを励起光源と
して用いることができる共に、反転分布の下位で飽和し
ないので高い利得が得られる。このため、本発明による
と、８００ｎｍ半導体レーザによってＴｉ：Ａｌ２０３
の大型レーザと同様の利得を得ることができ、小型で実
用性に優れ且つ高効率な光増幅器を提供することができ
る。
様、Ｄｙイオンが高出力の８００ｎｍ半導体レーザによ
って励起されるため、高出力、小型、低消費電力である
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体レーザを励起光源と
して用いることができる共に、反転分布の下位で飽和し
ないので高い利得が得られる。このため、本発明による
と、８００ｎｍ半導体レーザによってＴｉ：Ａｌ２０３
の大型レーザと同様の利得を得ることができ、小型で実
用性に優れ且つ高効率な光増幅器を提供することができ
る。
【００５９】また、本発明に係る光伝送システムによる
と、前記の光増幅器を用いているため、分配器には高出
力な信号光が入射されるので、分配器によって信号光を
多重分配することが可能になる。このため、本発明によ
ると、小型で実用性に優れ且つ高効率な光伝送システム
を提供することができると共に、従来できなかった１．
３μｍ帯の多重分配型光伝送システムを実現することが
可能になる。
と、前記の光増幅器を用いているため、分配器には高出
力な信号光が入射されるので、分配器によって信号光を
多重分配することが可能になる。このため、本発明によ
ると、小型で実用性に優れ且つ高効率な光伝送システム
を提供することができると共に、従来できなかった１．
３μｍ帯の多重分配型光伝送システムを実現することが
可能になる。
【００６０】さらに、本発明に係る固体レーザによる
と、前記同様、Ｄｙイオンが反転分布の下位で飽和しな
いので、出射部から高出力の１．３μｍ帯半導体レーザ
が出力する。このため、本発明によると、小型で且つレ
ーザ効率が高い固体レーザを提供することができる。
と、前記同様、Ｄｙイオンが反転分布の下位で飽和しな
いので、出射部から高出力の１．３μｍ帯半導体レーザ
が出力する。このため、本発明によると、小型で且つレ
ーザ効率が高い固体レーザを提供することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る光ファイバの高光屈
折領域に添加されたＤｙイオンのエネルギー準位図であ
る。
折領域に添加されたＤｙイオンのエネルギー準位図であ
る。
【図２】本発明の第２実施例に係る光増幅器の構成図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第３実施例に係る光伝送システムの構
成図である。
成図である。
【図４】本発明の第４実施例に係る固体レーザの構成図
である。
である。
１０１ Ｄｙイオンのエネルギー準位 １０２ 基底準位 １０３ 準安定励起準位 １０４Ａ エネルギー準位 １０４Ｂ エネルギー準位 １０４Ｃ エネルギー準位 １０５ 吸収励起準位 １１１ 吸収遷移 １１２ 発光遷移 １２１ 非発光遷移 ２００ 増幅器 ２０１ 半導体レーザモジュール ２０２ 出力用ファイバ ２０３ 光ファイバカップラ ２０４ 入力用ファイバ ２０５ 光ファイバ ２０６ 光ファイバカップラ ２０７ 信号光出射用ファイバ ２０８ 励起光出射用ファイバ ２０９ アイソレータ ２１０ アイソレータ ３０１ 半導体レーザモジュール ３０３ 電気信号源 ３０４ 出力用ファイバ ３０５ 伝送用ファイバ ３０６ 分配器 ３０７ 伝送用ファイバ ３０８ 受光素子 ４０１ 光ファイバカップラ ４０２ 光ファイバカップラ ４０３ アイソレータ ４０４ 出力用ファイバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/094 3/17 8934−4Ｍ (72)発明者 藤田 俊弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 高光屈折領域と低光屈折領域とを有し、
高光屈折領域と低屈折領域との間の屈折率差が０．０１
％〜１％であり、波長領域が８００ｎｍ〜１４００ｎｍ
である光信号を単一モードで伝播する光ファイバであっ
て、前記高光屈折領域を構成する光学材料に濃度が１０
０p.p.m.〜１００００p.p.m.であるＤｙイオンが添加さ
れていることを特徴とする光ファイバ。 - 【請求項２】 前記高光屈折領域を構成する光学材料は
フッ化物系材料又はＳｉＯ2 系材料であることを特徴と
する請求項１に記載の光ファイバ。 - 【請求項３】 前記Ｄｙイオンのイオン価は３価である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光ファイバ。 - 【請求項４】 半導体レーザよりなる励起光を出力する
と共に、該励起光が出力用光ファイバから取り出せるよ
うにモジュール化された半導体レーザモジュールよりな
る励起光源と、 該励起光源から出力された励起光と１．３μｍ帯の信号
光とを合波する光ファイバカップラ又は導波路型カップ
ラよりなるカップラと、 高光屈折領域と低光屈折領域とを有し、前記高光屈折領
域を構成する光学材料にＤｙイオンが添加されており、
前記カップラから出射された出力光を入射部から入射せ
しめると共に増幅して出射部から出射する光ファイバと
を備えていることを特徴とする光増幅器。 - 【請求項５】 前記光ファイバの出射部に接続され、該
出射部から出射された出力光を励起光と信号光とに分波
する光ファイバカップラ又は導波路型カップラを備えて
いることを特徴とする請求項４に記載の光増幅器。 - 【請求項６】 前記高光屈折領域を構成する光学材料は
フッ化物系材料又はＳｉＯ2 系材料であることを特徴と
する請求項４又は５に記載の光増幅器。 - 【請求項７】 前記Ｄｙイオンのイオン価は３価である
ことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の
光増幅器。 - 【請求項８】 半導体レーザよりなる励起光を出力する
と共に、該励起光が出力用光ファイバから取り出せるよ
うにモジュール化された半導体レーザモジュールよりな
る励起光源と、 発振波長領域が１．３μｍ〜１．３５μｍである１．３
μｍ帯半導体レーザ光よりなる信号光を出力すると共
に、該信号光が出力用光ファイバで取り出せるようにモ
ジュール化された半導体レーザモジュールよりなる信号
光源と、 前記信号光源に電気信号を出力する電気信号源と、 前記励起光源から出力された励起光と前記信号光源から
出力された信号光とを合波する光ファイバカップラ又は
導波路型カップラよりなる第１のカップラと、 高光屈折領域と低光屈折領域とを有し、前記高光屈折領
域を構成する光学材料にＤｙイオンが添加されており、
前記第１のカップラから出射された出力光を増幅して出
射する光ファイバと、 該光ファイバから出射された出力光を励起光と信号光と
に分波する光ファイバカップラ又は導波路型カップラよ
りなる第２のカップラと、 該第２のカップラから出射された信号光を分配する分配
器と、 該分配器により分配された信号光を受光する受光素子と
を備えていることを特徴とする光伝送システム。 - 【請求項９】 前記高光屈折領域を構成する光学材料は
フッ化物系材料又はＳｉＯ2 系材料であることを特徴と
する請求項８に記載の光伝送システム。 - 【請求項１０】 前記Ｄｙイオンのイオン価は３価であ
ることを特徴とする請求項８又は９に記載の光伝送シス
テム。 - 【請求項１１】 発振波長領域が８００ｎｍ〜８６０ｎ
ｍである８００ｎｍ帯半導体レーザよりなる励起光を出
力する励起光源と、 高光屈折領域と低光屈折領域とを有し、前記高光屈折領
域を構成する光学材料にＤｙイオンが添加されており、
前記励起光源からの励起光が入射される光ファイバと、 該光ファイバの入射部に設けられ、波長領域が８００ｎ
ｍ〜１０００ｎｍの光に対して高反射で且つ波長領域が
１２００ｎｍ〜１４００ｎｍの光に対して高反射である
入射部反射板と、 前記光ファイバの出射部に設けられ、波長領域が８００
ｎｍ〜１０００の光に対して高反射であり且つ波長領域
が１２００ｎｍ〜１４００ｎｍの光に対して８０％〜９
９．５％の反射率を有する出射部反射板とを備え、 前記入射部反射板と出射部反射板とによって共振器が構
成されていることを特徴とする固体レーザ。 - 【請求項１２】 前記高光屈折領域を構成する光学材料
はフッ化物系材料又はＳｉＯ2 系材料であることを特徴
とする請求項１１に記載の固体レーザ - 【請求項１３】 前記Ｄｙイオンのイオン価は３価であ
ることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の固体レ
ーザ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4116259A JPH05310440A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 光ファイバ、光増幅器、光伝送システム及び固体レーザ |
| US08/039,772 US5321708A (en) | 1992-05-08 | 1993-03-26 | Optical fiber amplifier doped with dysprosium ion for the 1.3 μm wavelength band |
| EP93107078A EP0570743B1 (en) | 1992-05-08 | 1993-04-30 | An optical fiber doped with rare earth ions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4116259A JPH05310440A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 光ファイバ、光増幅器、光伝送システム及び固体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05310440A true JPH05310440A (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=14682679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4116259A Pending JPH05310440A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | 光ファイバ、光増幅器、光伝送システム及び固体レーザ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5321708A (ja) |
| EP (1) | EP0570743B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05310440A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9025207D0 (en) * | 1990-11-20 | 1991-01-02 | British Telecomm | An optical network |
| US5426656A (en) * | 1993-01-25 | 1995-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser element doped with rare earth ions, optical amplifier element doped with rare earth ions and rare-earth-ion-doped short-wavelength laser light source apparatus |
| GB2290150B (en) * | 1994-04-22 | 1998-08-26 | Univ Southampton | Doped optical waveguide amplifier |
| US5541766A (en) * | 1994-11-30 | 1996-07-30 | At&T Corp. | Gain control for optically amplified systems |
| US5629953A (en) * | 1995-05-05 | 1997-05-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Chalcogenide optical pumping system driven by broad absorption band |
| US5568497A (en) * | 1995-06-07 | 1996-10-22 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Chalcogenide optical pumping system having broad emission band |
| US5694500A (en) * | 1995-10-23 | 1997-12-02 | The Regents Of The University Of California | Optical amplifier operating at 1.3 microns useful for telecommunications and based on dysprosium-doped metal chloride host materials |
| US5768012A (en) * | 1997-03-07 | 1998-06-16 | Sdl, Inc. | Apparatus and method for the high-power pumping of fiber optic amplifiers |
| KR100322129B1 (ko) | 1999-01-20 | 2002-02-04 | 윤종용 | 광증폭기용 광섬유 |
| FR2811148B1 (fr) * | 2000-06-30 | 2006-07-21 | Thomson Csf | Laser pompe et milieu laser optimise |
| US20030202770A1 (en) * | 2002-01-03 | 2003-10-30 | Garito Anthony F. | Optical waveguide amplifiers |
| US6995899B2 (en) * | 2002-06-27 | 2006-02-07 | Baker Hughes Incorporated | Fiber optic amplifier for oilfield applications |
| US20070258717A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-08 | Masaaki Hirano | Optical device and wavelength conversion method and optical fiber suitable for them |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311546A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フアラデ−効果の大きなフツ化物ｓｍフアイバ |
| JPH0513864A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光機能性ガラス |
| JPH0529699A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光機能性ガラス |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4701928A (en) * | 1985-10-02 | 1987-10-20 | Board Of Trustees, Leland J. Stanford University | Diode laser pumped co-doped laser |
| JP2546711B2 (ja) * | 1988-12-22 | 1996-10-23 | 国際電信電話株式会社 | Ｅｒドープ光ファイバレーザ素子 |
| US5131069A (en) * | 1991-08-12 | 1992-07-14 | Corning Incorporated | Fiber amplifier having modified gain spectrum |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP4116259A patent/JPH05310440A/ja active Pending
-
1993
- 1993-03-26 US US08/039,772 patent/US5321708A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-30 EP EP93107078A patent/EP0570743B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311546A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フアラデ−効果の大きなフツ化物ｓｍフアイバ |
| JPH0513864A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光機能性ガラス |
| JPH0529699A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光機能性ガラス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0570743A1 (en) | 1993-11-24 |
| EP0570743B1 (en) | 1997-07-16 |
| US5321708A (en) | 1994-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980818 |