JP3348739B2 - 電子ビームテスタの電圧波形測定方法 - Google Patents
電子ビームテスタの電圧波形測定方法Info
- Publication number
- JP3348739B2 JP3348739B2 JP18626193A JP18626193A JP3348739B2 JP 3348739 B2 JP3348739 B2 JP 3348739B2 JP 18626193 A JP18626193 A JP 18626193A JP 18626193 A JP18626193 A JP 18626193A JP 3348739 B2 JP3348739 B2 JP 3348739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- level
- slice level
- secondary electron
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の診断等
に使用される電子ビームテスタによる電圧波形測定方法
に関し、特に、電圧波形測定方法におけるスライスレベ
ルの補正方法及び設定方法に関する。
に使用される電子ビームテスタによる電圧波形測定方法
に関し、特に、電圧波形測定方法におけるスライスレベ
ルの補正方法及び設定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームテスタにおいては、試料の測
定点に電子ビームを照射し、照射点から放出される二次
電子を検出し、二次電子信号量を電圧値に変換すること
によって、試料の測定点の電圧波形を測定している。
定点に電子ビームを照射し、照射点から放出される二次
電子を検出し、二次電子信号量を電圧値に変換すること
によって、試料の測定点の電圧波形を測定している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電子ビームに試料を照
射すると、照射点にコンタミネーションが付着したり、
帯電するという問題が生じる。これらが原因となり、電
圧波形測定中に二次電子のエネルギ分析器に印加する電
圧を変化させることによって得られる測定点の電圧波形
の各位相点での検出二次電子信号量の変化曲線（以下、
Ｓカーブという）の形状変化が発生する。
射すると、照射点にコンタミネーションが付着したり、
帯電するという問題が生じる。これらが原因となり、電
圧波形測定中に二次電子のエネルギ分析器に印加する電
圧を変化させることによって得られる測定点の電圧波形
の各位相点での検出二次電子信号量の変化曲線（以下、
Ｓカーブという）の形状変化が発生する。
【０００４】電子ビームテスタによる電圧波形測定は、
Ｓカーブと予め求めていたスライスレベルとの交点を与
える分析電圧を求めることによって行われるので、この
ように測定途中でＳカーブの形状変化が生じた場合、測
定波形の精度が低下したり測定が不安定になったりす
る。
Ｓカーブと予め求めていたスライスレベルとの交点を与
える分析電圧を求めることによって行われるので、この
ように測定途中でＳカーブの形状変化が生じた場合、測
定波形の精度が低下したり測定が不安定になったりす
る。
【０００５】そのため、Ｓカーブの形状変化が生じた場
合、その変化に応じてスライスレベルを補正し、測定精
度や安定性を維持する必要がある。
合、その変化に応じてスライスレベルを補正し、測定精
度や安定性を維持する必要がある。
【０００６】しかし、Ｓカーブの形状変化は振幅低下，
ドリフト，シフトといったものが複合して生じることが
あり、スライスレベルの補正を適切に行うことは困難で
あった。
ドリフト，シフトといったものが複合して生じることが
あり、スライスレベルの補正を適切に行うことは困難で
あった。
【０００７】次に、図１２及び図１３を参照しながら、
上記問題点を更に説明する。
上記問題点を更に説明する。
【０００８】一般に、試料に電子ビームを照射すると、
照射点にコンタミネーションの付着や帯電といった問題
が生じることが知られている。これが原因で測定中にＳ
カーブ形状の変化が生じ、測定に影響を及ぼすことが少
なくない。
照射点にコンタミネーションの付着や帯電といった問題
が生じることが知られている。これが原因で測定中にＳ
カーブ形状の変化が生じ、測定に影響を及ぼすことが少
なくない。
【０００９】図１２は電圧波形測定中における上記問題
点によるＳカーブの変化を示しており、図１２（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれＳカーブの振幅低下，シフ
ト，ドリフトを示したものである。そして、図１３は従
来法による補正スライスレベルの位置を示したものであ
り、図１３（Ｂ），（Ｃ）の場合、補正ＳL の設定に誤
りが生じている。
点によるＳカーブの変化を示しており、図１２（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれＳカーブの振幅低下，シフ
ト，ドリフトを示したものである。そして、図１３は従
来法による補正スライスレベルの位置を示したものであ
り、図１３（Ｂ），（Ｃ）の場合、補正ＳL の設定に誤
りが生じている。
【００１０】ここで、Ｓカーブの振幅が低下した場合
や、Ｓカーブのドリフトが生じた場合、固定スライスレ
ベルではＳカーブの飽和レベルを越えてしまったり、過
大なフィードバックが生じるなど、電圧波形測定に大き
な影響を及ぼす。そのため、振幅低下の際にスライスレ
ベルＳL の補正が必要となる。
や、Ｓカーブのドリフトが生じた場合、固定スライスレ
ベルではＳカーブの飽和レベルを越えてしまったり、過
大なフィードバックが生じるなど、電圧波形測定に大き
な影響を及ぼす。そのため、振幅低下の際にスライスレ
ベルＳL の補正が必要となる。
【００１１】一方、Ｓカーブシフトが生じた場合には、
スライスレベルＳL の補正を行う必要はない。しかし、
振幅低下とシフトが同時に発生することが多く、それぞ
れを分離して検出する方法がないため、この場合にもス
ライスレベルの補正が必要となる。
スライスレベルＳL の補正を行う必要はない。しかし、
振幅低下とシフトが同時に発生することが多く、それぞ
れを分離して検出する方法がないため、この場合にもス
ライスレベルの補正が必要となる。
【００１２】次に、図１４に従来法によるスライスレベ
ルの設定法を示す。
ルの設定法を示す。
【００１３】理想的なＳカーブは図１４（Ａ）のような
形である。図１４（Ａ）のＳカーブでの部分をＳカー
ブのベースレベル，の部分を立ち上がり領域，の部
分をＳカーブの飽和状態と定義すれば，の部分は飽
和状態へ移行する遷移領域あるいは遷移点である。一般
に、のＳカーブの立ち上がり領域は、測定電圧が変化
すれば平行移動するため、この移動量を求めることで電
圧測定を行う。しかし、の遷移領域は、立ち上がり領
域よりも平行移動量が大きい場合や小さい場合があり、
正確な測定をこの領域では行うことは困難である。
形である。図１４（Ａ）のＳカーブでの部分をＳカー
ブのベースレベル，の部分を立ち上がり領域，の部
分をＳカーブの飽和状態と定義すれば，の部分は飽
和状態へ移行する遷移領域あるいは遷移点である。一般
に、のＳカーブの立ち上がり領域は、測定電圧が変化
すれば平行移動するため、この移動量を求めることで電
圧測定を行う。しかし、の遷移領域は、立ち上がり領
域よりも平行移動量が大きい場合や小さい場合があり、
正確な測定をこの領域では行うことは困難である。
【００１４】また、局所電界効果がある場合には、図１
４（Ｂ）の様にＳカーブの飽和レベルがＬＯＷレベル
位相とＨＩＧＨレベル位相では分離してしまう。しか
も、測定配線の周辺の配線も動作しているため、周辺の
配線の作る電界によってＳカーブ形状変化が生じ、特
に、飽和レベルが一定とならず図１４（Ｃ）に示すよう
な形状となることが少なくない。このため、電圧波形測
定では、どのレベルにスライスレベルを設定するかが、
測定精度に大きく影響を及ぼす。
４（Ｂ）の様にＳカーブの飽和レベルがＬＯＷレベル
位相とＨＩＧＨレベル位相では分離してしまう。しか
も、測定配線の周辺の配線も動作しているため、周辺の
配線の作る電界によってＳカーブ形状変化が生じ、特
に、飽和レベルが一定とならず図１４（Ｃ）に示すよう
な形状となることが少なくない。このため、電圧波形測
定では、どのレベルにスライスレベルを設定するかが、
測定精度に大きく影響を及ぼす。
【００１５】ここで、従来法によるスライスレベルの設
定方法は、理想的なＳカーブ形状を対象としてＳカーブ
のベースレベルＳmin と最大値Ｓmax を検出し、そのＳ
minとＳmax との間にスライスレベルを設定するもので
ある。
定方法は、理想的なＳカーブ形状を対象としてＳカーブ
のベースレベルＳmin と最大値Ｓmax を検出し、そのＳ
minとＳmax との間にスライスレベルを設定するもので
ある。
【００１６】例えば、Ｓカーブ振幅の５０％にスライス
レベルを設定するとすれば、理想的なＳカーブに対して
は図１４（Ａ）に示すようにスライスレベルＳL が設定
される。また、局所電解効果がある場合、図１４（Ｂ）
のように飽和レベルが分離した場合でも、Ｓカーブの
最大値のうち小さいほうをＳmax とすれば、図１４
（Ｂ）に示すようにスライスレベルＳL が設定される。
レベルを設定するとすれば、理想的なＳカーブに対して
は図１４（Ａ）に示すようにスライスレベルＳL が設定
される。また、局所電解効果がある場合、図１４（Ｂ）
のように飽和レベルが分離した場合でも、Ｓカーブの
最大値のうち小さいほうをＳmax とすれば、図１４
（Ｂ）に示すようにスライスレベルＳL が設定される。
【００１７】しかし、図１４（Ｃ）のように形状になる
と、Ｓmax をＳカーブの最大値のうち小さいほうにとっ
ても図１４（Ｃ）のようにスライスレベルが設定されて
しまい、電圧波形を正しく測定することが出来なくなっ
てしまう。つまり、Ｓカーブの飽和レベルへの遷移点
（飽和点）を越えてスライスレベルが設定されてしま
う。後述する図７（Ｂ）は、図１４（Ｃ）のＳカーブの
ような場合に、遷移領域にスライスレベルが設定された
場合の測定波形である。この図７（Ｂ）のように、ＨＩ
ＧＨ位相側の波形形状が変化してしまう。
と、Ｓmax をＳカーブの最大値のうち小さいほうにとっ
ても図１４（Ｃ）のようにスライスレベルが設定されて
しまい、電圧波形を正しく測定することが出来なくなっ
てしまう。つまり、Ｓカーブの飽和レベルへの遷移点
（飽和点）を越えてスライスレベルが設定されてしま
う。後述する図７（Ｂ）は、図１４（Ｃ）のＳカーブの
ような場合に、遷移領域にスライスレベルが設定された
場合の測定波形である。この図７（Ｂ）のように、ＨＩ
ＧＨ位相側の波形形状が変化してしまう。
【００１８】また、本発明の目的は、電子ビームテスタ
においてスライスレベルを適切に設定することができる
設定方法を提供することにある。
においてスライスレベルを適切に設定することができる
設定方法を提供することにある。
【００１９】そこで、本発明の他の目的は、電子ビーム
テスタにおいてスライスレベルを適切に補正することが
できる補正方法を提供することにある。
テスタにおいてスライスレベルを適切に補正することが
できる補正方法を提供することにある。
【００２０】また、本発明のさらに他の目的は、電子ビ
ームテスタにおいて収束係数を適切に設定することがで
きる設定方法及びその収束係数の評価方法を提供するこ
とにある。
ームテスタにおいて収束係数を適切に設定することがで
きる設定方法及びその収束係数の評価方法を提供するこ
とにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】第１の発明の電子ビーム
テスタの電圧波形測定方法は、二次電子のエネルギ分析
器に印加する電圧を変化させることによって得られる二
次電子信号量の変化曲線とスライスレベルとの交点を与
える分析器印加電圧を求めることによって、該二次電子
信号量を電圧値に変換して測定点の電圧波形とする電子
ビームテスタの電圧波形測定方法において、ＬＯＷ位相
及びＨＩＧＨ位相で求めた被測定波形の変化曲線を微分
することにより該変化曲線が飽和領域へ移行する遷移点
に対応する二次電子信号量を検出し、スライスレベルを
前記二次電子信号量よりも小さく設定し、前記ＬＯＷ位
相に対応して検出された二次電子信号量ＳmaxＬとし、
前記ＨＩＧＨ位相に対応して検出された二次電子信号量
ＳmaxＨとし、ＳmaxＬ又はＳmaxＨのうち小さいほうを
Ｓmaxとし、前記変化曲線のベースレベルをＳminとし
て、スライスレベルＸをＳminとＳmaxとの間に設定する
ことを特徴とする。
テスタの電圧波形測定方法は、二次電子のエネルギ分析
器に印加する電圧を変化させることによって得られる二
次電子信号量の変化曲線とスライスレベルとの交点を与
える分析器印加電圧を求めることによって、該二次電子
信号量を電圧値に変換して測定点の電圧波形とする電子
ビームテスタの電圧波形測定方法において、ＬＯＷ位相
及びＨＩＧＨ位相で求めた被測定波形の変化曲線を微分
することにより該変化曲線が飽和領域へ移行する遷移点
に対応する二次電子信号量を検出し、スライスレベルを
前記二次電子信号量よりも小さく設定し、前記ＬＯＷ位
相に対応して検出された二次電子信号量ＳmaxＬとし、
前記ＨＩＧＨ位相に対応して検出された二次電子信号量
ＳmaxＨとし、ＳmaxＬ又はＳmaxＨのうち小さいほうを
Ｓmaxとし、前記変化曲線のベースレベルをＳminとし
て、スライスレベルＸをＳminとＳmaxとの間に設定する
ことを特徴とする。
【００２２】また、第２の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、二次電子のエネルギ分析器に印加す
る電圧を変化させることによって得られる二次電子信号
量の変化曲線とスライスレベルとの交点を与える分析器
印加電圧を求めることによって、該二次電子信号量を電
圧値に変換して測定点の電圧波形とする電子ビームテス
タの電圧波形測定方法において、ＬＯＷ位相で求めた被
測定波形の変化曲線の微分極大値に対応する二次電子信
号量ＳmaxＬとし、ＨＩＧＨ位相で求めた被測定波形の
変化曲線の微分極大値に対応する二次電子信号量Ｓmax
Ｈとし、ＳmaxＬ又はＳmaxＨのうち小さいほうをスライ
スレベルＸに設定することを特徴とする。
圧波形測定方法は、二次電子のエネルギ分析器に印加す
る電圧を変化させることによって得られる二次電子信号
量の変化曲線とスライスレベルとの交点を与える分析器
印加電圧を求めることによって、該二次電子信号量を電
圧値に変換して測定点の電圧波形とする電子ビームテス
タの電圧波形測定方法において、ＬＯＷ位相で求めた被
測定波形の変化曲線の微分極大値に対応する二次電子信
号量ＳmaxＬとし、ＨＩＧＨ位相で求めた被測定波形の
変化曲線の微分極大値に対応する二次電子信号量Ｓmax
Ｈとし、ＳmaxＬ又はＳmaxＨのうち小さいほうをスライ
スレベルＸに設定することを特徴とする。
【００２３】
【００２４】また、第３の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、二次電子信号量の変化曲線の振幅変
化と変化曲線の上下へのドリフトが生じた場合に、その
時のスライスレベルをＳLとし、スライスレベルＳLと前
記変化曲線の交点における収束係数をＣ1とし、前記変
化曲線のベースレベルをＳb1とし、前記変化曲線の変化
後のスライスレベルＳLでの収束係数をＣ2とし、その時
の前記変化曲線のベースレベルをＳb2とした場合、スラ
イスレベルの補正量ｄＳＬを
圧波形測定方法は、二次電子信号量の変化曲線の振幅変
化と変化曲線の上下へのドリフトが生じた場合に、その
時のスライスレベルをＳLとし、スライスレベルＳLと前
記変化曲線の交点における収束係数をＣ1とし、前記変
化曲線のベースレベルをＳb1とし、前記変化曲線の変化
後のスライスレベルＳLでの収束係数をＣ2とし、その時
の前記変化曲線のベースレベルをＳb2とした場合、スラ
イスレベルの補正量ｄＳＬを
【００２５】
【数７】 として求め、該補正量ｄＳＬに基づいてスライスレベル
の補正を行うことを特徴とする。
の補正を行うことを特徴とする。
【００２６】更に、第４の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、二次電子信号量の変化曲線の振幅変
化と変化曲線の上下へのドリフトが生じた場合に、前記
変化曲線のベースレベル（Ｓb1，Ｓb2）の変動を無視し
てＳb2をＳb1とし、スライスレベルの補正量ｄＳＬを以
下の式で求め、
圧波形測定方法は、二次電子信号量の変化曲線の振幅変
化と変化曲線の上下へのドリフトが生じた場合に、前記
変化曲線のベースレベル（Ｓb1，Ｓb2）の変動を無視し
てＳb2をＳb1とし、スライスレベルの補正量ｄＳＬを以
下の式で求め、
【００２７】
【数８】 さらに、ベースレベルをＳb1の測定開始前に前記変化曲
線ベースレベルを測定しておくことによって、測定中に
おけるスライスレベルの補正量ｄＳＬを収束係数の変化
であるＣ2−Ｃ1を調べることによって求め、該補正量に
基づいてスライスレベルの補正を行うことを特徴とす
る。
線ベースレベルを測定しておくことによって、測定中に
おけるスライスレベルの補正量ｄＳＬを収束係数の変化
であるＣ2−Ｃ1を調べることによって求め、該補正量に
基づいてスライスレベルの補正を行うことを特徴とす
る。
【００２８】また、第５の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、二次電子のエネルギ分析器に印加す
る電圧を変化させることによって得られる二次電子信号
量の変化曲線とスライスレベルとの交点を与える分析器
印加電圧を求めることによって、該二次電子信号量を電
圧値に変換して測定点の電圧波形とする電子ビームテス
タの電圧波形測定方法において、ＬＯＷ位相レベルでの
収束係数をＣＣ（LOW）とし、ＨＩＧＨ位相レベルでの
収束係数をＣＣ（HIGH）とし、係数Ｐｒを以下の式で求
めた場合、
圧波形測定方法は、二次電子のエネルギ分析器に印加す
る電圧を変化させることによって得られる二次電子信号
量の変化曲線とスライスレベルとの交点を与える分析器
印加電圧を求めることによって、該二次電子信号量を電
圧値に変換して測定点の電圧波形とする電子ビームテス
タの電圧波形測定方法において、ＬＯＷ位相レベルでの
収束係数をＣＣ（LOW）とし、ＨＩＧＨ位相レベルでの
収束係数をＣＣ（HIGH）とし、係数Ｐｒを以下の式で求
めた場合、
【００２９】
【数９】 Ｐｒ＝（ＨＩＧＨ位相レベル点数／全位相点数） 求める重み付収束係数ＣＣWを、
【００３０】
【数１０】 ＣＣW＝ＣＣ（LOW）＋（ＣＣ（HIGH）−ＣＣ（LOW））×Ｐｒ として求めることを特徴とする。
【００３１】また、第６の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、前記特定位相における分析電圧差を
ΔＶrとし、当該分析電圧差ΔＶrを有する２つのサンプ
リング点における複数回のサンプリングによる二次電子
信号量の差ΔＳの平均値をΔＳMEANとし、そのノイズ成
分をεとし、かつ、ε／ΔＳMEAN＜＜１である場合に、
求める前記特定位相における収束係数Ｃを、
圧波形測定方法は、前記特定位相における分析電圧差を
ΔＶrとし、当該分析電圧差ΔＶrを有する２つのサンプ
リング点における複数回のサンプリングによる二次電子
信号量の差ΔＳの平均値をΔＳMEANとし、そのノイズ成
分をεとし、かつ、ε／ΔＳMEAN＜＜１である場合に、
求める前記特定位相における収束係数Ｃを、
【００３２】
【数１１】 （但し、ＣMEANは複数回のサンプリングによる収束係数
の平均値）として求めることを特徴とする。
の平均値）として求めることを特徴とする。
【００３３】また、第７の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、複数回のサンプリングによる二次電
子信号量の差ΔＳの分散をσdsとした場合に、収束係数
のＳ／Ｎを、
圧波形測定方法は、複数回のサンプリングによる二次電
子信号量の差ΔＳの分散をσdsとした場合に、収束係数
のＳ／Ｎを、
【００３４】
【数１２】 とし、このＳ／Ｎに基づいて収束係数を評価することを
特徴とする。
特徴とする。
【００３５】
【作用】電子ビームテスタの電圧波形測定方法について
説明すると、スライスレベルはベースレベルと飽和レベ
ルとの間に設定されることが必要条件である。しかし、
従来法では飽和レベルがどこになるか検出することがで
きず、電圧波形測定に影響を及ぼしていた。そこで、本
発明では変化曲線の飽和レベルへの遷移点を検出し、前
記遷移点を越えないようにスライスレベルの初期設定レ
ベルを設定する。
説明すると、スライスレベルはベースレベルと飽和レベ
ルとの間に設定されることが必要条件である。しかし、
従来法では飽和レベルがどこになるか検出することがで
きず、電圧波形測定に影響を及ぼしていた。そこで、本
発明では変化曲線の飽和レベルへの遷移点を検出し、前
記遷移点を越えないようにスライスレベルの初期設定レ
ベルを設定する。
【００３６】第１の発明の電子ビームテスタの電圧波形
測定方法では、飽和点の検出方法は、Ｓカーブの微分
カーブ（微分Ｓカーブ）をＬＯＷ位相と，ＨＩＧＨ位相
の２本求め、微分カーブと０レベルの交点をそれぞれの
遷移点とする方法（図４（Ａ），（Ｂ））である。
測定方法では、飽和点の検出方法は、Ｓカーブの微分
カーブ（微分Ｓカーブ）をＬＯＷ位相と，ＨＩＧＨ位相
の２本求め、微分カーブと０レベルの交点をそれぞれの
遷移点とする方法（図４（Ａ），（Ｂ））である。
【００３７】また、第２の発明の電圧波形測定方法で
は、飽和点の検出方法は、Ｓカーブの微分カーブの極大
値に基づいてスライスレベルを設定する方法（図５
（Ａ），（Ｂ））、である。
は、飽和点の検出方法は、Ｓカーブの微分カーブの極大
値に基づいてスライスレベルを設定する方法（図５
（Ａ），（Ｂ））、である。
【００３８】
【００３９】また、第３の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、スライスレベルの補正量ｄＳＬを
圧波形測定方法は、スライスレベルの補正量ｄＳＬを
【００４０】
【数１３】 として求める。
【００４１】更に、第４の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、スライスレベルの補正量ｄＳＬを以
下の式で求め、
圧波形測定方法は、スライスレベルの補正量ｄＳＬを以
下の式で求め、
【００４２】
【数１４】 さらに、ベースレベルをＳb1の測定開始前に前記変化曲
線ベースレベルを測定しておくことによって、測定中に
おけるスライスレベルの補正量ｄＳＬを収束係数の変化
であるＣ2−Ｃ1を調べることによって求め、該補正量に
基づいてスライスレベルの補正を行う。従って、上記式
に基づいて、スライスレベルの補正量ｄＳＬを収束係数
変化（Ｃ2−Ｃ1）のみから求めることができる。
線ベースレベルを測定しておくことによって、測定中に
おけるスライスレベルの補正量ｄＳＬを収束係数の変化
であるＣ2−Ｃ1を調べることによって求め、該補正量に
基づいてスライスレベルの補正を行う。従って、上記式
に基づいて、スライスレベルの補正量ｄＳＬを収束係数
変化（Ｃ2−Ｃ1）のみから求めることができる。
【００４３】第５の発明の電子ビームテスタの電圧波形
測定方法では、特定位相であるＬＯＷ位相レベルでの収
束係数をＣＣ（LOW）とし、特定位相であるＨＩＧＨ位
相レベルでの収束係数をＣＣ（HIGH）とし、係数Ｐｒ＝
（ＨＩＧＨ位相レベル点数／全位相点数）とした場合、
求める重み付収束係数ＣＣwを、
測定方法では、特定位相であるＬＯＷ位相レベルでの収
束係数をＣＣ（LOW）とし、特定位相であるＨＩＧＨ位
相レベルでの収束係数をＣＣ（HIGH）とし、係数Ｐｒ＝
（ＨＩＧＨ位相レベル点数／全位相点数）とした場合、
求める重み付収束係数ＣＣwを、
【００４４】
【数１５】 ＣＣw＝ＣＣ（LOW）＋（ＣＣ（HIGH）−ＣＣ（LOW））×Ｐｒ として求めるので、位相レベルの比に応じた重みを付け
た収束係数を求めることができ、正しいフィードバック
制御が行われる。
た収束係数を求めることができ、正しいフィードバック
制御が行われる。
【００４５】また、第６の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法は、特定位相における収束係数Ｃを、
圧波形測定方法は、特定位相における収束係数Ｃを、
【００４６】
【数１６】 （但し、ＣMEANは複数回のサンプリングによる収束係数
の平均値） として求めるので、所望の精度で収束係数を求めること
が可能となる。
の平均値） として求めるので、所望の精度で収束係数を求めること
が可能となる。
【００４７】また、第７の発明の電子ビームテスタの電
圧波形測定方法では、収束係数のＳ／Ｎを、
圧波形測定方法では、収束係数のＳ／Ｎを、
【００４８】
【数１７】 として求めることができ、収束係数のＳ／Ｎを評価する
ことができるので所望の精度で収束係数を求めることが
できる。
ことができるので所望の精度で収束係数を求めることが
できる。
【００４９】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例
を説明する。電子ビームテスタの構成 まず、図２に電子ビームテスタの構成のブロック図を示
す。
を説明する。電子ビームテスタの構成 まず、図２に電子ビームテスタの構成のブロック図を示
す。
【００５０】図２において、電子ビーム円筒１０内で
は、試料１２がステージ１４上に載置されており、電子
銃１６からの電子ビームＥＢは、磁界レンズ１８，パル
ス化用偏光板２０，パルス化用アパチャー２２，磁界レ
ンズ２４，偏向器２６，分析グリッド２８，バッファグ
リッド３０，引出しグリッド３２，対物レンズ３４を介
してステージ１４上の試料１２に照射され、前記試料１
２からの２次電子ＳＥは検出器３６により検出される。
この検出器３６では、２次電子信号量が電圧値に変換さ
れ、前記電圧値はアンプ３８で増幅され、Ａ／Ｄ変換器
４０でディジタル信号に変換された後、コンピュータ４
２に供給される。なお、コンピュータ４２にはキーボー
ド４４及び表示装置４６が接続されている。
は、試料１２がステージ１４上に載置されており、電子
銃１６からの電子ビームＥＢは、磁界レンズ１８，パル
ス化用偏光板２０，パルス化用アパチャー２２，磁界レ
ンズ２４，偏向器２６，分析グリッド２８，バッファグ
リッド３０，引出しグリッド３２，対物レンズ３４を介
してステージ１４上の試料１２に照射され、前記試料１
２からの２次電子ＳＥは検出器３６により検出される。
この検出器３６では、２次電子信号量が電圧値に変換さ
れ、前記電圧値はアンプ３８で増幅され、Ａ／Ｄ変換器
４０でディジタル信号に変換された後、コンピュータ４
２に供給される。なお、コンピュータ４２にはキーボー
ド４４及び表示装置４６が接続されている。
【００５１】前記コンピュータ４２はドライバ４８を制
御して電子ビーム円筒１０を制御する。また、コンピュ
ータ４２はクロック発生器５０を制御してクロックφ1
及びφ2を出力させる。クロックφ1はカウンタ５２に供
給され、そのカウント値がディレイユニット５４に供給
されるとともに、コンピュータ４２に供給される。ま
た、クロックφ2はテスト信号発生回路５６に供給さ
れ、前記テスト信号発生回路５６はクロックφ2に基づ
くタイミングで試料１２へのテスト信号を制御する。ク
ロックφ2は更にディレイユニット５４に供給され、前
記ディレイユニット５４はクロックφ2に基づくタイミ
ング及びカウンタ５２からのカウント値に従って、Ａ／
Ｄ変換器４０を制御するとともに電子ビーム円筒１０を
制御する。スライスレベルの補正方法 図１には本発明の実施例によるスライスレベルの補正方
法を説明するためのグラフが示されている。
御して電子ビーム円筒１０を制御する。また、コンピュ
ータ４２はクロック発生器５０を制御してクロックφ1
及びφ2を出力させる。クロックφ1はカウンタ５２に供
給され、そのカウント値がディレイユニット５４に供給
されるとともに、コンピュータ４２に供給される。ま
た、クロックφ2はテスト信号発生回路５６に供給さ
れ、前記テスト信号発生回路５６はクロックφ2に基づ
くタイミングで試料１２へのテスト信号を制御する。ク
ロックφ2は更にディレイユニット５４に供給され、前
記ディレイユニット５４はクロックφ2に基づくタイミ
ング及びカウンタ５２からのカウント値に従って、Ａ／
Ｄ変換器４０を制御するとともに電子ビーム円筒１０を
制御する。スライスレベルの補正方法 図１には本発明の実施例によるスライスレベルの補正方
法を説明するためのグラフが示されている。
【００５２】図１ではＳカーブに振幅低下＋シフト＋ド
リフトがある場合を考えており、この場合、２次電子信
号量に関してのスライスレベルＳL ，ベースレベル
Ｓb1，Ｓb2は次の（１）式のようになる。
リフトがある場合を考えており、この場合、２次電子信
号量に関してのスライスレベルＳL ，ベースレベル
Ｓb1，Ｓb2は次の（１）式のようになる。
【００５３】
【数１８】 ここで、Ｃ1，Ｃ2は収束係数であり、Ｖ 3 ，Ｖ 4 はＳLと
Ｓカーブの交点を与える分析電圧であり、Ｖ2−Ｖ1はＳ
カーブのシフト量を示す。なお、ｂ，ｃは図１に示され
るように、Ｓカーブの傾斜部の延長線と縦軸との交点を
示す。
Ｓカーブの交点を与える分析電圧であり、Ｖ2−Ｖ1はＳ
カーブのシフト量を示す。なお、ｂ，ｃは図１に示され
るように、Ｓカーブの傾斜部の延長線と縦軸との交点を
示す。
【００５４】上記（１）式を変形すると、
【００５５】
【数１９】 Ｃ2×（ＳL−Ｓb2）−Ｃ1×（ＳL−Ｓb1）＝（Ｖ4−Ｖ3）−（Ｖ2−Ｖ1）…（１ ）´ となる。
【００５６】ここで、Ｖ2 −Ｖ1 はシフト量を表すから
（１）´式は次のように変形される。
（１）´式は次のように変形される。
【００５７】
【数２０】 そして、上記（２）式によって、スライスレベルの補正
量ｄＳＬを求めることができる。
量ｄＳＬを求めることができる。
【００５８】ところで、実際にはＳカーブのドリフト
は、電圧波形測定が行われる短時間にはあまり発生する
ことはなく、発生してもほとんど無視できる量である。
そのため、ベースレベルを測定前に予め求めておくこと
によって、Ｓb1＝Ｓb2＝Ｓb とすることができ、上記
（２）式は次のように変形される。
は、電圧波形測定が行われる短時間にはあまり発生する
ことはなく、発生してもほとんど無視できる量である。
そのため、ベースレベルを測定前に予め求めておくこと
によって、Ｓb1＝Ｓb2＝Ｓb とすることができ、上記
（２）式は次のように変形される。
【００５９】
【数２１】 従って、上記（３）式に基づいて、スライスレベルの補
正量ｄＳＬを収束係数変化（Ｃ2−Ｃ1）のみから求める
ことができる。
正量ｄＳＬを収束係数変化（Ｃ2−Ｃ1）のみから求める
ことができる。
【００６０】ここで、前述したように、ＳLはスライス
レベル、Ｃ1，Ｃ2はフィードバック１回目と２回目にお
ける収束係数であり、Ｖ1，Ｖ2はＳカーブのベースレベ
ルＳbとＳカーブの交点を与える分析電圧、Ｖ3，Ｖ4は
スライスレベルＳLとＳカーブとの交点を与える分析電
圧、ｄＳＬはスライスレベルの補正量である。
レベル、Ｃ1，Ｃ2はフィードバック１回目と２回目にお
ける収束係数であり、Ｖ1，Ｖ2はＳカーブのベースレベ
ルＳbとＳカーブの交点を与える分析電圧、Ｖ3，Ｖ4は
スライスレベルＳLとＳカーブとの交点を与える分析電
圧、ｄＳＬはスライスレベルの補正量である。
【００６１】図３はＳカーブがシフトした場合の測定波
形を示す。
形を示す。
【００６２】図３（Ａ）の従来法の場合には、波形の立
ち下がりあるいは立ち上がり部分が鈍ってしまい、正し
い波形を測定することができない。一方、図３（Ｂ）の
本発明の実施例の場合には、正しい電圧波形を測定する
ことができている。スライスレベルの設定方法 スライスレベルを設定する際には、Ｓカーブの飽和レベ
ルへの遷移点を検出し、前記遷移点を越えないようにス
ライスレベルの初期設定レベルを設定する。ここで、飽
和レベルへの遷移点である飽和点の検出方法としては、
微分Ｓカーブ法、Ｓカーブシフト法があり、以下、
両方法について説明する。微分Ｓカーブ法 本方法では、図４及び図５に示されるように、まず２本
のＳカーブ（ＬＯＷ位相レベル及びＨＩＧＨ位相レベ
ル）を取得する。この場合において、取得ＳカーブのＳ
／Ｎを向上させるため、Ｓカーブを複数回加算すること
ができる。ここで、取得Ｓカーブは従来の取得点数の４
倍のデータ間隔（１／４のデータ点数）で取得し、この
離散Ｓカーブに対して微分Ｓカーブを平滑化微分法で求
める。これは、Ｓカーブの取得時間の短縮とデータに含
まれるノイズを除去する効果があり、滑らかな微分Ｓカ
ーブを取得することが可能である。
ち下がりあるいは立ち上がり部分が鈍ってしまい、正し
い波形を測定することができない。一方、図３（Ｂ）の
本発明の実施例の場合には、正しい電圧波形を測定する
ことができている。スライスレベルの設定方法 スライスレベルを設定する際には、Ｓカーブの飽和レベ
ルへの遷移点を検出し、前記遷移点を越えないようにス
ライスレベルの初期設定レベルを設定する。ここで、飽
和レベルへの遷移点である飽和点の検出方法としては、
微分Ｓカーブ法、Ｓカーブシフト法があり、以下、
両方法について説明する。微分Ｓカーブ法 本方法では、図４及び図５に示されるように、まず２本
のＳカーブ（ＬＯＷ位相レベル及びＨＩＧＨ位相レベ
ル）を取得する。この場合において、取得ＳカーブのＳ
／Ｎを向上させるため、Ｓカーブを複数回加算すること
ができる。ここで、取得Ｓカーブは従来の取得点数の４
倍のデータ間隔（１／４のデータ点数）で取得し、この
離散Ｓカーブに対して微分Ｓカーブを平滑化微分法で求
める。これは、Ｓカーブの取得時間の短縮とデータに含
まれるノイズを除去する効果があり、滑らかな微分Ｓカ
ーブを取得することが可能である。
【００６３】図４（Ａ），（Ｂ）において、遷移点は、
求めた微分Ｓカーブと０レベルとの交点ＶLOW，ＶHigh
となる。求めたＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レ
ベルでの２つの遷移点ＶLOW，ＶHighに対応するＳmaxＬ
とＳmaxＨを比較し、小さいほうをＳmaxとして、Ｓmin
とＳmaxとの間にスライスレベルを設定する。
求めた微分Ｓカーブと０レベルとの交点ＶLOW，ＶHigh
となる。求めたＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レ
ベルでの２つの遷移点ＶLOW，ＶHighに対応するＳmaxＬ
とＳmaxＨを比較し、小さいほうをＳmaxとして、Ｓmin
とＳmaxとの間にスライスレベルを設定する。
【００６４】あるいは、図５（Ａ），（Ｂ）に示される
ように、微分Ｓカーブの極大値ＤＬ，ＤＨを検出し、そ
の極大値ＤＬ，ＤＨに対応するＳカーブのレベルにＳ
maxＬ，ＳmaxＨのうち小さいほうにスライスレベルを設
定する方法もある。この理由としては、微分Ｓカーブの
極大値ＤＬ，ＤＨはＳカーブの傾きが最も大きくなる場
所であるため、収束係数がＳカーブの傾きの逆数と定義
すると、フィードバックが早くなるという効果があるか
らである。この時の微分Ｓカーブの極大値ＤＬ，ＤＨの
検出法としては、まず、微分Ｓカーブの最大値を求め、
最大値の１／２をスライスレベルｓｌとして、ｓｌを越
える範囲でピーク検出を行う。この検出方法によれば、
ベースレベル付近のノイズ成分による微小なピークを誤
って極大値として検出することを防ぐことが可能とな
る。Ｓカーブシフト法 図６（Ａ），（Ｂ）はＳカーブの遷移点を、ＬＯＷ位相
レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルのＳカーブのシフト量
からも求める方法を示したものであり、本方法では、遷
移点を境にシフト量が急激に変化することを利用する。
このシフト量の変化点を遷移点Ｓmaxとし、ＳminとＳ
maxとの間にスライスレベルを設定する。
ように、微分Ｓカーブの極大値ＤＬ，ＤＨを検出し、そ
の極大値ＤＬ，ＤＨに対応するＳカーブのレベルにＳ
maxＬ，ＳmaxＨのうち小さいほうにスライスレベルを設
定する方法もある。この理由としては、微分Ｓカーブの
極大値ＤＬ，ＤＨはＳカーブの傾きが最も大きくなる場
所であるため、収束係数がＳカーブの傾きの逆数と定義
すると、フィードバックが早くなるという効果があるか
らである。この時の微分Ｓカーブの極大値ＤＬ，ＤＨの
検出法としては、まず、微分Ｓカーブの最大値を求め、
最大値の１／２をスライスレベルｓｌとして、ｓｌを越
える範囲でピーク検出を行う。この検出方法によれば、
ベースレベル付近のノイズ成分による微小なピークを誤
って極大値として検出することを防ぐことが可能とな
る。Ｓカーブシフト法 図６（Ａ），（Ｂ）はＳカーブの遷移点を、ＬＯＷ位相
レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルのＳカーブのシフト量
からも求める方法を示したものであり、本方法では、遷
移点を境にシフト量が急激に変化することを利用する。
このシフト量の変化点を遷移点Ｓmaxとし、ＳminとＳ
maxとの間にスライスレベルを設定する。
【００６５】次に、図７（Ａ），（Ｂ）には、電圧波形
の測定例が示されている。図７（Ｂ）のスライスレベル
が遷移点を越えて設定された場合（従来例）と比較し
て、図７（Ａ）のスライスレベルが遷移点より下に設定
された場合（本発明の実施例）では正しい電圧波形を測
定することができている。収束係数の評価方法 次に、半導体集積回路の判断等に使用されている電子ビ
ームテスタによる電圧波形測定に用いられる収束係数の
評価方法について説明する。
の測定例が示されている。図７（Ｂ）のスライスレベル
が遷移点を越えて設定された場合（従来例）と比較し
て、図７（Ａ）のスライスレベルが遷移点より下に設定
された場合（本発明の実施例）では正しい電圧波形を測
定することができている。収束係数の評価方法 次に、半導体集積回路の判断等に使用されている電子ビ
ームテスタによる電圧波形測定に用いられる収束係数の
評価方法について説明する。
【００６６】測定点に電子ビームを照射し、かつ、分析
グリットに与える分析電圧Ｖr を最低値から最大値まで
掃引すると、分析グリッドを通過して分析器に補足され
る二次電子の量は、上記の掃引動作に伴って、ほぼＳ字
上に変化する。すなわち、所定の最小値で安定的に推移
する段階から、関数カーブを描きつつ急激に増大する段
階を得た後、所定の最大値に至って安定化するようなＳ
字状のカーブを描く。
グリットに与える分析電圧Ｖr を最低値から最大値まで
掃引すると、分析グリッドを通過して分析器に補足され
る二次電子の量は、上記の掃引動作に伴って、ほぼＳ字
上に変化する。すなわち、所定の最小値で安定的に推移
する段階から、関数カーブを描きつつ急激に増大する段
階を得た後、所定の最大値に至って安定化するようなＳ
字状のカーブを描く。
【００６７】図８（Ａ）は、理想的なＳカーブを示す図
であり、横軸は分析電圧Ｖr の大きさ、縦軸は二次電子
信号量を表している。ＳL はスライスレベル（以下、目
標電圧）であり、この目標電圧と分析器の出力が一致す
るように分析電圧をフィードバックする。
であり、横軸は分析電圧Ｖr の大きさ、縦軸は二次電子
信号量を表している。ＳL はスライスレベル（以下、目
標電圧）であり、この目標電圧と分析器の出力が一致す
るように分析電圧をフィードバックする。
【００６８】例えば、分析電圧がＶroの時Ｓ０なる二次
電子信号量が得られた場合には、Ｓカーブに沿って「α
（Ｓ０−ＳL ）」だけ右側にずらされた新たな分析電圧
ＶR1になり、さらに、このＶR1に対して得られたＳ１を
用いて「α（Ｓ１−ＳL ）」だけ右側にずらされた新た
な分析電圧ＶR2になる。すなわち、この例では、Ｓカー
ブの傾きが小さい領域では、分析電圧を増大側（但し、
Ｓ０＜ＳL のとき、Ｓ０＞ＳL の時は減少側）に大きく
変化させる一方、Ｓカーブの傾きが大きい領域では分析
電圧を増大側（但し、Ｓ１＜ＳL のとき、Ｓ１＞ＳL の
時は減少側）に小さく変化させるようにして徐々に目標
電圧ＳL に収束させている。
電子信号量が得られた場合には、Ｓカーブに沿って「α
（Ｓ０−ＳL ）」だけ右側にずらされた新たな分析電圧
ＶR1になり、さらに、このＶR1に対して得られたＳ１を
用いて「α（Ｓ１−ＳL ）」だけ右側にずらされた新た
な分析電圧ＶR2になる。すなわち、この例では、Ｓカー
ブの傾きが小さい領域では、分析電圧を増大側（但し、
Ｓ０＜ＳL のとき、Ｓ０＞ＳL の時は減少側）に大きく
変化させる一方、Ｓカーブの傾きが大きい領域では分析
電圧を増大側（但し、Ｓ１＜ＳL のとき、Ｓ１＞ＳL の
時は減少側）に小さく変化させるようにして徐々に目標
電圧ＳL に収束させている。
【００６９】ここで、上記のαはフィードバックゲイン
（いわゆる収束係数）であり、図８（Ｂ）に示すよう
に、ＳカーブとスライスレベルＳL の交点に接する直線
の傾きβの逆数（但し、符号反転）で得られる。すなわ
ち、α＝δＶ／δＳである。
（いわゆる収束係数）であり、図８（Ｂ）に示すよう
に、ＳカーブとスライスレベルＳL の交点に接する直線
の傾きβの逆数（但し、符号反転）で得られる。すなわ
ち、α＝δＶ／δＳである。
【００７０】従来の電圧波形測定方法においては、用い
られる収束係数は固定であり、測定の前処理として求め
られていた。しかも、固定加算回数の条件のもとで、特
定位相において求めた収束係数は、その評価精度が常に
変動するといった問題点が生じていた。
られる収束係数は固定であり、測定の前処理として求め
られていた。しかも、固定加算回数の条件のもとで、特
定位相において求めた収束係数は、その評価精度が常に
変動するといった問題点が生じていた。
【００７１】また、測定中の電子ビーム照射によるコン
タミネーションの付着により、二次電子信号量の低下が
起こり、固定収束係数では測定誤差や電圧分解の評価誤
差を引き起こすおそれがあった。
タミネーションの付着により、二次電子信号量の低下が
起こり、固定収束係数では測定誤差や電圧分解の評価誤
差を引き起こすおそれがあった。
【００７２】従来の電圧測定方法における収束係数評価
方法では、Ｓ／Ｎを上げるための加算平均回数は固定で
あったため、測定点の二次電子信号量のＳ／Ｎが良い場
合には、過度な加算を行い、逆にＳ／Ｎが悪い場合に
は、十分な加算平均を行わないため、精度の過不足が生
じている。
方法では、Ｓ／Ｎを上げるための加算平均回数は固定で
あったため、測定点の二次電子信号量のＳ／Ｎが良い場
合には、過度な加算を行い、逆にＳ／Ｎが悪い場合に
は、十分な加算平均を行わないため、精度の過不足が生
じている。
【００７３】そのため、測定時間に対する前処理時間の
占める割合や増加や、精度不足によるフィードバックの
不具合や、測定時間の長大化、電圧分解の評価精度の低
下を招くことになる。
占める割合や増加や、精度不足によるフィードバックの
不具合や、測定時間の長大化、電圧分解の評価精度の低
下を招くことになる。
【００７４】また、測定中にコンタミネーションの付着
などによりＳカーブの振幅低下が生じた場合、固定収束
係数は実際に用いる必要のある収束係数に誤差を生じ、
電圧測定誤差の増加や不安定になる場合がある。
などによりＳカーブの振幅低下が生じた場合、固定収束
係数は実際に用いる必要のある収束係数に誤差を生じ、
電圧測定誤差の増加や不安定になる場合がある。
【００７５】また、局所電解効果により、各位相におけ
るＳカーブの振幅あるいは傾きが変化する。そのため、
特定位相で求めた固定収束係数を全位相の測定に用いる
と不都合が生じる。
るＳカーブの振幅あるいは傾きが変化する。そのため、
特定位相で求めた固定収束係数を全位相の測定に用いる
と不都合が生じる。
【００７６】なお、図９（Ｂ）は、精度不足の収束係数
で測定を行った場合の電圧波形の例を示す。この図９
（Ｂ）の例では、図９（Ａ）の電圧波形（正しい収束係
数で測定を行った場合）と比較して、測定波形に発散が
生じていることが分かる。
で測定を行った場合の電圧波形の例を示す。この図９
（Ｂ）の例では、図９（Ａ）の電圧波形（正しい収束係
数で測定を行った場合）と比較して、測定波形に発散が
生じていることが分かる。
【００７７】上述したように、従来、収束係数は測定前
に求め、測定中は、その収束係数のみを用いる固定収束
係数であった。しかも、収束係数評価は固定加算回数で
行っていたため、求めた収束係数の精度が良くない場合
もあった。また、特定位相（ＬＯＷ位相レベル）におい
て求めた収束係数で測定を行っていた。特定位相の収束
係数で全位相を測定した場合、各位相の実際の傾きと異
なる場合がある。特に、収束係数を求めたい位相レベル
が全位相に占める割合が小さい場合、不利な条件でフィ
ードバックを行うことになり、測定の安定性や信頼性を
損なうおそれがある。また、全位相については予め収束
係数を求め、各位相ごとの収束係数を用いてフィードバ
ックすれば良いが、実際には収束係数を前もって求めて
おく処理時間が長くなる。また、測定中に収束係数を評
価し、補正を行う動的収束係数補正方法を用いることに
よって、常に、最適な収束係数で測定を行うと、測定精
度の向上が見込まれる。しかし、この動的収束係数補正
方法で評価される収束係数は全位相の収束係数の平均
値、すなわち、重み付収束係数であるため、測定開始時
に求める収束係数として、特定位相での収束係数を用い
ると、最初のフィードバック時に誤差を大きく含むこと
となり、不都合が生じる。
に求め、測定中は、その収束係数のみを用いる固定収束
係数であった。しかも、収束係数評価は固定加算回数で
行っていたため、求めた収束係数の精度が良くない場合
もあった。また、特定位相（ＬＯＷ位相レベル）におい
て求めた収束係数で測定を行っていた。特定位相の収束
係数で全位相を測定した場合、各位相の実際の傾きと異
なる場合がある。特に、収束係数を求めたい位相レベル
が全位相に占める割合が小さい場合、不利な条件でフィ
ードバックを行うことになり、測定の安定性や信頼性を
損なうおそれがある。また、全位相については予め収束
係数を求め、各位相ごとの収束係数を用いてフィードバ
ックすれば良いが、実際には収束係数を前もって求めて
おく処理時間が長くなる。また、測定中に収束係数を評
価し、補正を行う動的収束係数補正方法を用いることに
よって、常に、最適な収束係数で測定を行うと、測定精
度の向上が見込まれる。しかし、この動的収束係数補正
方法で評価される収束係数は全位相の収束係数の平均
値、すなわち、重み付収束係数であるため、測定開始時
に求める収束係数として、特定位相での収束係数を用い
ると、最初のフィードバック時に誤差を大きく含むこと
となり、不都合が生じる。
【００７８】そこで、位相レベルの比に応じた重みを付
けた収束係数で最初からフィードバックを行うことが必
要で、従来方法では、Ｓ／Ｎの良い状態で重み付収束係
数を求めることは困難である。
けた収束係数で最初からフィードバックを行うことが必
要で、従来方法では、Ｓ／Ｎの良い状態で重み付収束係
数を求めることは困難である。
【００７９】そこで、次の方法によって、初期値とし
て、特定位相ＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベ
ルの２位相で、それぞれ収束係数を求める。ここで、Ｌ
ＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベル比は既知であ
るとすると、重み付収束係数ＣＣWは、次のようにな
る。
て、特定位相ＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベ
ルの２位相で、それぞれ収束係数を求める。ここで、Ｌ
ＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベル比は既知であ
るとすると、重み付収束係数ＣＣWは、次のようにな
る。
【００８０】
【数２２】 ＣＣW＝ＣＣ（LOW）＋（ＣＣ（HIGH）−ＣＣ（LOW））×Ｐｒ ここで、
【００８１】
【数２３】 Ｐｒ＝（ＨＩＧＨ位相レベル点数／全位相点数） ＣＣ（LOW）、ＣＣ（HIGH）は、それぞれ、ＬＯＷ位相
レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルでの収束係数である。
レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルでの収束係数である。
【００８２】また、それぞれのレベルでの収束係数を精
度よく求めるため、次の方法によって、収束係数を求め
る。
度よく求めるため、次の方法によって、収束係数を求め
る。
【００８３】まず、特定位相の収束係数を所望のＳ／Ｎ
で求めるためには次のようになる。
で求めるためには次のようになる。
【００８４】二次電子信号と収束係数の関数は次のよう
になる。
になる。
【００８５】分析電圧差ΔＶr をもつ２条件でサンプリ
ングした二次電子信号差をΔＳ、その平均値をΔ
ＳMEAN、そのノイズ成分をεとすると、収束係数Ｃは次
式で定義される。
ングした二次電子信号差をΔＳ、その平均値をΔ
ＳMEAN、そのノイズ成分をεとすると、収束係数Ｃは次
式で定義される。
【００８６】
【数２４】 ここで、ＳＥ信号ノイズεが十分小さい場合（ε／ΔＳ
MEAN＜＜１）には、次のようになる。
MEAN＜＜１）には、次のようになる。
【００８７】
【数２５】 ただし、ＣMEANは収束係数の平均値である。ここで、二
次電子信号差ΔＳの分離をσdsとすると、収束係数のノ
イズ３σ及びそのＳ／Ｎは、次のようになる。
次電子信号差ΔＳの分離をσdsとすると、収束係数のノ
イズ３σ及びそのＳ／Ｎは、次のようになる。
【００８８】
【数２６】 この結果から、２点間でサンプリングした二次電子信号
差ΔＳとその分散σdsに基づいて、収束係数のＳ／Ｎを
評価することが可能となり、故に所望の精度で収束係数
を求めることが可能となる。
差ΔＳとその分散σdsに基づいて、収束係数のＳ／Ｎを
評価することが可能となり、故に所望の精度で収束係数
を求めることが可能となる。
【００８９】上記方法によって、ＬＯＷ位相およびＨＩ
ＧＨ位相において求めた収束係数を用いることによっ
て、測定電圧波形のＬＯＷ位相レベル／ＨＩＧＨ位相レ
ベル比を知ることにより、重み付収束係数を得ることが
可能となる。
ＧＨ位相において求めた収束係数を用いることによっ
て、測定電圧波形のＬＯＷ位相レベル／ＨＩＧＨ位相レ
ベル比を知ることにより、重み付収束係数を得ることが
可能となる。
【００９０】図１０は、上記収束係数評価方法のフロー
チャートを示し、ステップ１００〜ステップ１１４の処
理に基づいて重み付収束係数ＣＣWが求められる。
チャートを示し、ステップ１００〜ステップ１１４の処
理に基づいて重み付収束係数ＣＣWが求められる。
【００９１】重み付収束係数を求めるための別の例とし
て、次のようにしてもＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ
位相レベルの収束係数を求めることが可能である。
て、次のようにしてもＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ
位相レベルの収束係数を求めることが可能である。
【００９２】収束係数はＳカーブの傾きの逆数で定義さ
れるから、ＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベル
でのＳカーブの微分カーブ（微分Ｓカーブと呼ぶ）を取
得し、微分Ｓカーブ法を利用したスライスレベル設定方
法によるスライスレベルに対応した収束係数を求めるこ
とが可能である。
れるから、ＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベル
でのＳカーブの微分カーブ（微分Ｓカーブと呼ぶ）を取
得し、微分Ｓカーブ法を利用したスライスレベル設定方
法によるスライスレベルに対応した収束係数を求めるこ
とが可能である。
【００９３】つまり、スライスレベルが設定されれば、
そのスライスレベルとＳカーブの交点におけるＳカーブ
の傾きは、微分Ｓカーブから求めることができる。この
ようにして求めた収束係数を用いて、上記と同様に重み
付収束係数を求めることが可能となる。
そのスライスレベルとＳカーブの交点におけるＳカーブ
の傾きは、微分Ｓカーブから求めることができる。この
ようにして求めた収束係数を用いて、上記と同様に重み
付収束係数を求めることが可能となる。
【００９４】なお、図１１には、動的スライスレベル補
正結果の変動と電圧波形の測定結果が示されている。図
１１（Ａ）は、最適な収束係数で測定した場合（本方法
の場合）を示している。図１１（Ｂ）は誤差の大きい収
束係数で測定した場合（従来法の場合）を示しており、
本方法によれば動的スライスレベルの変動が少なく（図
１１（Ａ）の左側のグラフ）、適切な電圧波形が得られ
る（図１１（Ａ）の右側のグラフ）ことが分かる。
正結果の変動と電圧波形の測定結果が示されている。図
１１（Ａ）は、最適な収束係数で測定した場合（本方法
の場合）を示している。図１１（Ｂ）は誤差の大きい収
束係数で測定した場合（従来法の場合）を示しており、
本方法によれば動的スライスレベルの変動が少なく（図
１１（Ａ）の左側のグラフ）、適切な電圧波形が得られ
る（図１１（Ａ）の右側のグラフ）ことが分かる。
【００９５】以上説明したように、本方法によれば、所
望のＳ／Ｎで収束係数を評価することが可能となる。ま
た、測定の安定化を図ることが可能となる。
望のＳ／Ｎで収束係数を評価することが可能となる。ま
た、測定の安定化を図ることが可能となる。
【００９６】次に、本方法の実施の態様を以下に示す。
【００９７】電子ビームを試料上の測定点に照射し、
照射点から放出された二次電子が電圧Ｖrが印加されて
いる分析器を通り、印加電圧Ｖrに応じて検出二次電子
信号量が変化することを利用して、検出二次電子信号量
スライスレベルの差が０となるように、分析電圧へフィ
ードバックを行い、測定点の電圧波形を測定する電子ビ
ームテスタにおいて、分析電圧のフィードバック電圧を
求めるために用いられる収束係数を、測定電圧波形のＬ
ＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルで求め、求め
た２つの収束係数を用いてＬＯＷ位相レベルおよびＨＩ
ＧＨ位相レベル点数比に応じた重み付収束係数ＣＣ W に
変換し、電圧波形測定の収束係数初期値とすることを特
徴とする収束係数評価方法。
照射点から放出された二次電子が電圧Ｖrが印加されて
いる分析器を通り、印加電圧Ｖrに応じて検出二次電子
信号量が変化することを利用して、検出二次電子信号量
スライスレベルの差が０となるように、分析電圧へフィ
ードバックを行い、測定点の電圧波形を測定する電子ビ
ームテスタにおいて、分析電圧のフィードバック電圧を
求めるために用いられる収束係数を、測定電圧波形のＬ
ＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルで求め、求め
た２つの収束係数を用いてＬＯＷ位相レベルおよびＨＩ
ＧＨ位相レベル点数比に応じた重み付収束係数ＣＣ W に
変換し、電圧波形測定の収束係数初期値とすることを特
徴とする収束係数評価方法。
【００９８】上記の収束係数評価方法において、収
束係数評価と収束係数のＳ／Ｎ評価を同時に行い、測定
点の二次電子信号量のＳ／Ｎによらずに、所望の精度で
収束係数初期値を求めることを特徴とする収束係数評価
方法。
束係数評価と収束係数のＳ／Ｎ評価を同時に行い、測定
点の二次電子信号量のＳ／Ｎによらずに、所望の精度で
収束係数初期値を求めることを特徴とする収束係数評価
方法。
【００９９】上記の収束係数評価方法において、Ｓ
カーブとスライスレベルの交点を与える分析電圧Ｖrの
近傍、Ｖr±ｄＶrの２点間でサンプリングした二次電子
信号量差ΔＳを複数回求め、その平均値ΔＳMEANとΔＳ
の分散σdsから、収束係数のＳ／Ｎを、
カーブとスライスレベルの交点を与える分析電圧Ｖrの
近傍、Ｖr±ｄＶrの２点間でサンプリングした二次電子
信号量差ΔＳを複数回求め、その平均値ΔＳMEANとΔＳ
の分散σdsから、収束係数のＳ／Ｎを、
【０１００】
【数２７】 で求め、収束係数評価と収束係数精度の評価を同時に行
い、測定点の二次電子信号量のＳ／Ｎによらずに、所望
の精度で収束係数を求めることを特徴とする収束係数評
価方法。
い、測定点の二次電子信号量のＳ／Ｎによらずに、所望
の精度で収束係数を求めることを特徴とする収束係数評
価方法。
【０１０１】上記の収束係数評価方法において、Ｌ
ＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルの収束係数を
ＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルのＳカーブ
を微分した微分Ｓカーブから求め、求めた２つの収束係
数を用いてＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベル
点数比に応じた重み付収束係数ＣＣWに変換し、電圧波
形測定の収束係数初期値とすることを特徴とする収束係
数評価方法。
ＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルの収束係数を
ＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベルのＳカーブ
を微分した微分Ｓカーブから求め、求めた２つの収束係
数を用いてＬＯＷ位相レベルおよびＨＩＧＨ位相レベル
点数比に応じた重み付収束係数ＣＣWに変換し、電圧波
形測定の収束係数初期値とすることを特徴とする収束係
数評価方法。
【０１０２】等がある。
【０１０３】
【発明の効果】以上、説明したように、第１及び第２の
発明によれば、電子ビームテスタにおいて、スライスレ
ベルを適切に設定することが可能となり、電圧波形測定
を安全かつ正確に行うことができるという効果を奏す
る。
発明によれば、電子ビームテスタにおいて、スライスレ
ベルを適切に設定することが可能となり、電圧波形測定
を安全かつ正確に行うことができるという効果を奏す
る。
【０１０４】また、第３及び第４の発明によれば、電子
ビームテスタにおいて、スライスレベルを適切に補正す
ることが可能となり、電圧波形測定を安全かつ正確に行
うことができるという効果を奏する。
ビームテスタにおいて、スライスレベルを適切に補正す
ることが可能となり、電圧波形測定を安全かつ正確に行
うことができるという効果を奏する。
【０１０５】また、第５の発明によれば、位相レベルの
比に応じた重みを付けた収束係数を求めることができ、
正しいフィードバック制御が行われるので、動的なスラ
イスレベルの変動がなく適切な電圧波形測定を行うこと
ができる。
比に応じた重みを付けた収束係数を求めることができ、
正しいフィードバック制御が行われるので、動的なスラ
イスレベルの変動がなく適切な電圧波形測定を行うこと
ができる。
【０１０６】また、第６及び第７の発明によれば、収束
係数のＳ／Ｎを評価することができるので所望の精度で
収束係数を求めることができ、さらに測定の安定化を図
ることができる。
係数のＳ／Ｎを評価することができるので所望の精度で
収束係数を求めることができ、さらに測定の安定化を図
ることができる。
【図１】本発明の実施例によるスライスレベルの補正方
法を説明するためのグラフ図である。
法を説明するためのグラフ図である。
【図２】電子ビームテスタの構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図３】Ｓカーブがシフトした場合の判定波形を示すグ
ラフ図であり、（Ａ）は従来法の場合を示し、（Ｂ）は
本発明の実施例の場合を示す。
ラフ図であり、（Ａ）は従来法の場合を示し、（Ｂ）は
本発明の実施例の場合を示す。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の実施例によるスラ
イスレベルの補正方法を説明するためのグラフ図（微分
Ｓカーブ法を示し、求めた微分Ｓカーブと０レベルの交
点から遷移点を求める）である。
イスレベルの補正方法を説明するためのグラフ図（微分
Ｓカーブ法を示し、求めた微分Ｓカーブと０レベルの交
点から遷移点を求める）である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の実施例によるスラ
イスレベルの補正方法を説明するためのグラフ図（微分
Ｓカーブ法を示し、求めた微分Ｓカーブの極大値に基づ
いてスライスレベルを設定する）である。
イスレベルの補正方法を説明するためのグラフ図（微分
Ｓカーブ法を示し、求めた微分Ｓカーブの極大値に基づ
いてスライスレベルを設定する）である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の実施例によるスラ
イスレベルの補正方法を説明するためのグラフ図（Ｓカ
ーブシフト法を示す）である。
イスレベルの補正方法を説明するためのグラフ図（Ｓカ
ーブシフト法を示す）である。
【図７】電圧波形の判定波形を示すグラフ図であり、
（Ａ）はスライスレベルが遷移点より下に設定された場
合（本発明の実施例）を示し、（Ｂ）はスライスレベル
が遷移点を越えて設定された場合（従来例）を示す。
（Ａ）はスライスレベルが遷移点より下に設定された場
合（本発明の実施例）を示し、（Ｂ）はスライスレベル
が遷移点を越えて設定された場合（従来例）を示す。
【図８】Ｓカーブを説明するためのグラフ図であり、
（Ａ）は理想的なＳカーブを示し、（Ｂ）は収束係数α
の概念を示す。
（Ａ）は理想的なＳカーブを示し、（Ｂ）は収束係数α
の概念を示す。
【図９】電圧波形の判定波形を示すグラフ図であり、
（Ａ）は正しい収束係数で判定を行った場合を示し、
（Ｂ）は正しくない収束係数で測定を行った場合を示
す。
（Ａ）は正しい収束係数で判定を行った場合を示し、
（Ｂ）は正しくない収束係数で測定を行った場合を示
す。
【図１０】収束係数評価方法のフローチャート図であ
る。
る。
【図１１】動的スライスレベルの判定結果の変動と電圧
波形の測定結果を示すグラフ図であり、（Ａ）は最適な
収束係数で判定した場合を示し、（Ｂ）は誤差の大きい
収束係数で測定した場合を示す。
波形の測定結果を示すグラフ図であり、（Ａ）は最適な
収束係数で判定した場合を示し、（Ｂ）は誤差の大きい
収束係数で測定した場合を示す。
【図１２】Ｓカーブの形状変化を示すグラフ図であり、
（Ａ）（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ、Ｓカーブの振幅低
下、シフト、ドリフトを示す。
（Ａ）（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ、Ｓカーブの振幅低
下、シフト、ドリフトを示す。
【図１３】従来法による補正スライスレベルを示すグラ
フ図であり、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、それぞれ、Ｓ
カーブの振幅低下の場合、Ｓカーブの振幅低下＋シフト
の場合、Ｓカーブの振幅低下＋シフト＋ドリフトの場合
を示す。
フ図であり、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、それぞれ、Ｓ
カーブの振幅低下の場合、Ｓカーブの振幅低下＋シフト
の場合、Ｓカーブの振幅低下＋シフト＋ドリフトの場合
を示す。
【図１４】従来法によるスライスレベルの設定方法を示
すグラフ図であり、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、それぞ
れ、理想Ｓカーブの場合、局所電界効果がある場合、従
来法によるスライスレベルの誤設定例を示す。
すグラフ図であり、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、それぞ
れ、理想Ｓカーブの場合、局所電界効果がある場合、従
来法によるスライスレベルの誤設定例を示す。
ＳL …スライスレベル ｄＳＬ…スライスレベルの補正量 Ｃ1 ，Ｃ2 …収束係数（Ｃ1 ：変化前，Ｃ2 ：変化後） Ｓb1，Ｓb2…ベースレベル（Ｓb1：変化前，Ｓb2：変化
後）
後）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−93676（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−156329（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/66 G01R 19/00 G01R 31/302
Claims (7)
- 【請求項１】 二次電子のエネルギ分析器に印加する電
圧を変化させることによって得られる二次電子信号量の
変化曲線とスライスレベルとの交点を与える分析器印加
電圧を求めることによって、該二次電子信号量を電圧値
に変換して測定点の電圧波形とする電子ビームテスタの
電圧波形測定方法において、 ＬＯＷ位相及びＨＩＧＨ位相で求めた被測定波形の変化
曲線を微分することにより該変化曲線が飽和領域へ移行
する遷移点に対応する二次電子信号量を検出し、スライ
スレベルを前記二次電子信号量よりも小さく設定し、 前記ＬＯＷ位相に対応して検出された二次電子信号量Ｓ
maxＬとし、 前記ＨＩＧＨ位相に対応して検出された二次電子信号量
ＳmaxＨとし、 ＳmaxＬ又はＳmaxＨのうち小さいほうをＳmaxとし、 前記変化曲線のベースレベルをＳminとして、 スライスレベルＸをＳminとＳmaxとの間に設定すること
を特徴とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法。 - 【請求項２】 二次電子のエネルギ分析器に印加する電
圧を変化させることによって得られる二次電子信号量の
変化曲線とスライスレベルとの交点を与える分析器印加
電圧を求めることによって、該二次電子信号量を電圧値
に変換して測定点の電圧波形とする電子ビームテスタの
電圧波形測定方法において、 ＬＯＷ位相で求めた被測定波形の変化曲線の微分極大値
に対応する二次電子信号量ＳmaxＬとし、 ＨＩＧＨ位相で求めた被測定波形の変化曲線の微分極大
値に対応する二次電子信号量ＳmaxＨとし、 ＳmaxＬ又はＳmaxＨのうち小さいほうをスライスレベル
Ｘに設定することを特徴とする電子ビームテスタの電圧
波形測定方法。 - 【請求項３】 二次電子のエネルギ分析器に印加する電
圧を変化させることによって得られる二次電子信号量の
変化曲線とスライスレベルとの交点を与える分析器印加
電圧を求めることによって、該二次電子信号量を電圧値
に変換して測定点の電圧波形とする電子ビームテスタの
電圧波形測定方法において、 前記変化曲線の振幅変化と前記変化曲線の上下へのドリ
フトが生じた場合に、 その時のスライスレベルをＳ L とし、スライスレベルＳ L
と前記変化曲線の交点における収束係数をＣ 1 とし、前
記変化曲線のベースレベルをＳ b1 とし、前記変化曲線の
変化後のスライスレベルＳ L での収束係数をＣ 2 とし、そ
の時の前記変化曲線のベースレベルをＳ b2 とした場合、
スライスレベルの補正量ｄＳＬを 【数１】 として求め、該補正量ｄＳＬに基づいてスライスレベル
の補正を行うことを特徴とする電子ビームテスタの電圧
波形測定方法。 - 【請求項４】 二次電子のエネルギ分析器に印加する電
圧を変化させることによって得られる二次電子信号量の
変化曲線とスライスレベルとの交点を与える分析器印加
電圧を求めることによって、該二次電子信号量を電圧値
に変換して測定点の電圧波形とする電子ビームテスタの
電圧波形測定方法において、 前記変化曲線の振幅変化と前記変化曲線の上下へのドリ
フトが生じた場合に、前記変化曲線のベースレベル（Ｓ
b1 ，Ｓ b2 ）の変動を無視してＳ b2 をＳ b1 とし、スライス
レベルの補正量ｄＳＬを以下の式で求め、 【数２】 さらに、ベースレベルをＳ b1 の測定開始前に前記変化曲
線ベースレベルを測定しておくことによって、測定中に
おけるスライスレベルの補正量ｄＳＬを収束係数の変化
であるＣ 2 −Ｃ 1 を調べることによって求め、該補正量ｄ
ＳＬに基づいてスライスレベルの補正を行うことを特徴
とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法。 - 【請求項５】 二次電子のエネルギ分析器に印加する電
圧を変化させることによって得られる二次電子信号量の
変化曲線とスライスレベルとの交点を与える分析器印加
電圧を求めることによって、該二次電子信号量を電圧値
に変換して測定点 の電圧波形とする電子ビームテスタの
電圧波形測定方法において、 ＬＯＷ位相レベルでの収束係数をＣＣ（ LOW ）とし、Ｈ
ＩＧＨ位相レベルでの収束係数をＣＣ（ HIGH ）とし、 係数Ｐｒを以下の式で求めた場合、 【数３】Ｐｒ＝（ＨＩＧＨ位相レベル点数／全位相点数） 求める重み付収束係数ＣＣ W を、 【数４】 ＣＣ W ＝ＣＣ（ LOW ）＋（ＣＣ（ HIGH ）−ＣＣ（ LOW ））×Ｐｒ として求めることを特徴とする電子ビームテスタの電圧
波形測定方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の電子ビームテスタの電圧
波形測定方法において、前記特定位相における分析電圧
差をΔＶ r とし、当該分析電圧差ΔＶ r を有する２つのサ
ンプリング点における複数回のサンプリングによる二次
電子信号量の差ΔＳの平均値をΔＳ MEAN とし、そのノイ
ズ成分をεとし、かつ、ε／ΔＳ MEAN ＜＜１である場合
に、求める前記特定位相における収束係数Ｃを、 【数５】 （但し、Ｃ MEAN は複数回のサンプリングによる収束係数
の平均値）として求めることを特徴とする電子ビームテ
スタの電圧波形測定方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の電子ビームテスタの電圧
波形測定方法であって、複数回のサンプリングによる二
次電子信号量の差ΔＳの分散をσ ds とした場合に、 収束係数のＳ／Ｎを、 【数６】 とし、このＳ／Ｎに基づいて収束係数を評価することを
特徴とする電子ビームテスタの電圧波形測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626193A JP3348739B2 (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 電子ビームテスタの電圧波形測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626193A JP3348739B2 (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 電子ビームテスタの電圧波形測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745674A JPH0745674A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3348739B2 true JP3348739B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=16185189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18626193A Expired - Fee Related JP3348739B2 (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | 電子ビームテスタの電圧波形測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3348739B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109633243B (zh) * | 2019-01-22 | 2021-06-18 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 一种基于多相位采样的束流信号峰值幅度精确提取方法 |
| CN112289698A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-29 | 天合光能股份有限公司 | 切片电池标片的标定方法 |
-
1993
- 1993-07-28 JP JP18626193A patent/JP3348739B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745674A (ja) | 1995-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6384408B1 (en) | Calibration of a scanning electron microscope | |
| TWI405979B (zh) | 機率密度函數分離裝置、機率密度函數分離方法、雜訊分離裝置、雜訊分離方法、測試裝置、測試方法、計算裝置、計算方法、程式以及記錄媒體 | |
| JP3348739B2 (ja) | 電子ビームテスタの電圧波形測定方法 | |
| US10914844B2 (en) | Signal processing device for X-ray analysis and adjustment method for a signal processing device for X-ray analysis | |
| US7890074B2 (en) | Data acquisition system | |
| JP4313234B2 (ja) | 質量分析用データ処理装置および方法 | |
| EP0740234A2 (en) | Delta-T measurement circuit | |
| JP2973554B2 (ja) | 電子ビーム装置による電圧測定方法 | |
| US5093616A (en) | Voltage measurement method using electron beam | |
| US20040135591A1 (en) | Method for automatically changing current ranges | |
| JPH09166631A (ja) | Ｐｃｂの手動素子分離測定回路 | |
| JP2986974B2 (ja) | 電子ビームテスタ | |
| USH1458H (en) | Signal amplitude distribution analyzer | |
| JP3145497B2 (ja) | 電子ビームテスタによる電圧波形測定方法 | |
| US5486769A (en) | Method and apparatus for measuring quantitative voltage contrast | |
| US20030171883A1 (en) | Method and system for measuring characteristics of liquid crystal display driver chips | |
| US4642566A (en) | Method for the registration and representation of signals in the interior of integrated circuits by considering edge steepness and apparatus for implementing the method | |
| US20230176100A1 (en) | Identifying glitches and levels in mixed-signal waveforms | |
| JPH063406A (ja) | 動作信号測定装置及び動作信号測定方法 | |
| JP2630706B2 (ja) | 部分放電測定における放電開始及び／又は消滅電圧の測定方法 | |
| US6445197B1 (en) | Electron beam tester, recording medium therefor and signal data detecting method | |
| Sims | A speech‐to‐noise ratio measurement algorithm | |
| JPS63119542A (ja) | ２次電子取込み装置 | |
| JPH0661749A (ja) | 補正係数決定方法 | |
| JPH1145677A (ja) | 電子ビーム着地誤差補正方法及び電子ビームテスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011016 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020827 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110913 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |