JP3346176B2 - 偏光子の製造方法 - Google Patents
偏光子の製造方法Info
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- Japan
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- prism
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、四ほう酸リチウム
単結晶から成る偏光子の製造方法に関する。
単結晶から成る偏光子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、四ほう酸リチウム（以下、Ｌ
ｉ2 Ｂ4 Ｏ7 ）は、ＳＡＷ（弾性表面波）デバイス用の
基板材料に用いられている。ＳＡＷデバイス用の基板材
料としては、従来より水晶、タンタル酸リチウム、ニオ
ブ酸リチウムなどが用いられていたが、水晶は温度特性
が優れているものの電気機械結合係数がきわめて小さい
という欠点があり、逆に、ニオブ酸リチウムは電気機械
結合係数が優れているものの温度特性が劣っているとい
う欠点があった。一方、タンタル酸リチウムはこれらの
中間的な特性を有しているが、四ほう酸リチウムは、こ
のタンタル酸リチウムの持つ中間的な特性をさらに高め
た特性を有していることが報告されている。
ｉ2 Ｂ4 Ｏ7 ）は、ＳＡＷ（弾性表面波）デバイス用の
基板材料に用いられている。ＳＡＷデバイス用の基板材
料としては、従来より水晶、タンタル酸リチウム、ニオ
ブ酸リチウムなどが用いられていたが、水晶は温度特性
が優れているものの電気機械結合係数がきわめて小さい
という欠点があり、逆に、ニオブ酸リチウムは電気機械
結合係数が優れているものの温度特性が劣っているとい
う欠点があった。一方、タンタル酸リチウムはこれらの
中間的な特性を有しているが、四ほう酸リチウムは、こ
のタンタル酸リチウムの持つ中間的な特性をさらに高め
た特性を有していることが報告されている。
【０００３】一方、情報および通信の進展に伴い、光ア
イソレータ、スイッチなどの受動部品が必要になってき
た。これらの素子には偏光子が必要となる。偏光子とし
て要求される特性には、次の特性がある。 複屈折が大きいことが要求される。すなわち、異常光
と通常光の屈折率差が大きいことが要求される。
イソレータ、スイッチなどの受動部品が必要になってき
た。これらの素子には偏光子が必要となる。偏光子とし
て要求される特性には、次の特性がある。 複屈折が大きいことが要求される。すなわち、異常光
と通常光の屈折率差が大きいことが要求される。
【０００４】化学的に安定であることが要求される。 結晶の歪または粒界、積層欠陥などの結晶欠陥が少な
いことが要求される。 旋光能がない、または小さいことが要求される。 現在用いられている偏光子材料には、水晶、方解石、ル
チルなどがある。
いことが要求される。 旋光能がない、または小さいことが要求される。 現在用いられている偏光子材料には、水晶、方解石、ル
チルなどがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの材料
が、上記の４つの条件をすべて満足しているわけではな
く、新たな偏光子材料が求められている。特に、ＦＺ法
またはベルヌーイ法で人工的に作製されているルチルで
見られるような結晶欠陥および屈折率変動による結晶内
の歪によるコノスコープ像の干渉縞の変形のような光学
的不均一性が、精密な偏光子作製上から大きな問題にな
っていた。
が、上記の４つの条件をすべて満足しているわけではな
く、新たな偏光子材料が求められている。特に、ＦＺ法
またはベルヌーイ法で人工的に作製されているルチルで
見られるような結晶欠陥および屈折率変動による結晶内
の歪によるコノスコープ像の干渉縞の変形のような光学
的不均一性が、精密な偏光子作製上から大きな問題にな
っていた。
【０００６】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、光学的な不均一性などの欠点を有さない新規な偏光
子の製造方法を提供することを目的とする。
れ、光学的な不均一性などの欠点を有さない新規な偏光
子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、光学的な
不均一性などの欠点を有さない新たな偏光子材料につい
て鋭意検討した結果、四ほう酸リチウム単結晶が、偏光
子として優れた特性を有することを見い出し、本発明を
完成させるに至った。
不均一性などの欠点を有さない新たな偏光子材料につい
て鋭意検討した結果、四ほう酸リチウム単結晶が、偏光
子として優れた特性を有することを見い出し、本発明を
完成させるに至った。
【０００８】すなわち、本発明を用いて製造される偏光
子は、四ほう酸リチウム単結晶からなることを特徴とす
る。好ましくは、結晶内の格子変動が５×１０-5以下
で、且つエッチピット密度（ＥＰＤ）が１００／ｃｍ2
以下である四ほう酸リチウム単結晶から成ることを特徴
とする。
子は、四ほう酸リチウム単結晶からなることを特徴とす
る。好ましくは、結晶内の格子変動が５×１０-5以下
で、且つエッチピット密度（ＥＰＤ）が１００／ｃｍ2
以下である四ほう酸リチウム単結晶から成ることを特徴
とする。
【０００９】結晶内の格子変動は、たとえばボンド法に
より測定される。ＥＰＤは、たとえばエッチング法によ
り測定される。結晶内の格子変動が５×１０-5より大き
い場合には、屈折率変動が１０-5より大きくなる傾向に
あり好ましくない。また、ＥＰＤが１００／ｃｍ2 より
も大きい場合には、上と同様の傾向にあり好ましくな
い。
より測定される。ＥＰＤは、たとえばエッチング法によ
り測定される。結晶内の格子変動が５×１０-5より大き
い場合には、屈折率変動が１０-5より大きくなる傾向に
あり好ましくない。また、ＥＰＤが１００／ｃｍ2 より
も大きい場合には、上と同様の傾向にあり好ましくな
い。
【００１０】本発明を用いて製造される偏光子は、コノ
スコープ像干渉縞の変形のような光学的不均一性がみら
れない再現性に富む精密な偏光子である。また、本発明
を用いて製造される偏光子は、消光比も高く、優秀な偏
光子である。本発明に係る偏光子の製造方法は、チョク
ラルスキー法により四ほう酸リチウム単結晶から成る偏
光子を製造する方法において、融液表面と融液直上１ｃ
ｍの間の雰囲気の温度勾配を３０℃／ｃｍ〜２００℃／
ｃｍとし、それより上部の雰囲気の温度勾配を１０℃／
ｃｍ〜５０℃／ｃｍとし、引き上げ速度を０．１ｍｍ／
時間〜２ｍｍ／時間として結晶内の格子変動が５×１０
-5以下で、且つエッチピット密度が１０2 ／ｃｍ2 以下
である四ほう酸リチウム単結晶から成る偏光子を製造す
ることを特徴とする。本発明に係る偏光子の製造方法に
よれば、結晶欠陥の少ない偏光子を容易に量産的に製造
することができる。
スコープ像干渉縞の変形のような光学的不均一性がみら
れない再現性に富む精密な偏光子である。また、本発明
を用いて製造される偏光子は、消光比も高く、優秀な偏
光子である。本発明に係る偏光子の製造方法は、チョク
ラルスキー法により四ほう酸リチウム単結晶から成る偏
光子を製造する方法において、融液表面と融液直上１ｃ
ｍの間の雰囲気の温度勾配を３０℃／ｃｍ〜２００℃／
ｃｍとし、それより上部の雰囲気の温度勾配を１０℃／
ｃｍ〜５０℃／ｃｍとし、引き上げ速度を０．１ｍｍ／
時間〜２ｍｍ／時間として結晶内の格子変動が５×１０
-5以下で、且つエッチピット密度が１０2 ／ｃｍ2 以下
である四ほう酸リチウム単結晶から成る偏光子を製造す
ることを特徴とする。本発明に係る偏光子の製造方法に
よれば、結晶欠陥の少ない偏光子を容易に量産的に製造
することができる。
【００１１】
【実施の形態】以下、本発明の実施形態を、図面に基づ
いて説明する。図１は本実施形態で用いる四ほう酸リチ
ウム単結晶の引き上げ装置１０である。
いて説明する。図１は本実施形態で用いる四ほう酸リチ
ウム単結晶の引き上げ装置１０である。
【００１２】この引き上げ装置１０は、四ほう酸リチウ
ムが融解される白金坩堝１を有している。この白金坩堝
１の周囲には、断熱材２，３を介して、坩堝内の四ほう
酸リチウムを融解させるためのヒータ４（例えば抵抗加
熱ヒータ）が設けられている。一方、白金坩堝１の上部
には、断熱壁５，６が二重に設けられており、種結晶が
取り付けられる引き上げ軸７が、この断熱壁５，６を貫
通するようになっている。
ムが融解される白金坩堝１を有している。この白金坩堝
１の周囲には、断熱材２，３を介して、坩堝内の四ほう
酸リチウムを融解させるためのヒータ４（例えば抵抗加
熱ヒータ）が設けられている。一方、白金坩堝１の上部
には、断熱壁５，６が二重に設けられており、種結晶が
取り付けられる引き上げ軸７が、この断熱壁５，６を貫
通するようになっている。
【００１３】このような引き上げ装置１０を用いて、四
ほう酸リチウム単結晶を育成する。すなわち、所定モル
比の四ほう酸リチウム多結晶体を白金坩堝内に充填し、
ヒータで融解した後、引き上げ方位＜１１０＞で単結晶
を引き上げる。このとき、融液表面と融液直上１０ｍｍ
の間の温度勾配を５０〜１５０°Ｃ／ｃｍ、それより上
部の温度勾配を５〜１０°Ｃ／ｃｍとし、単結晶の直胴
部を引き上げる際の引き上げ速度を０．３〜１ｍｍ／時
間とすることが好ましい。
ほう酸リチウム単結晶を育成する。すなわち、所定モル
比の四ほう酸リチウム多結晶体を白金坩堝内に充填し、
ヒータで融解した後、引き上げ方位＜１１０＞で単結晶
を引き上げる。このとき、融液表面と融液直上１０ｍｍ
の間の温度勾配を５０〜１５０°Ｃ／ｃｍ、それより上
部の温度勾配を５〜１０°Ｃ／ｃｍとし、単結晶の直胴
部を引き上げる際の引き上げ速度を０．３〜１ｍｍ／時
間とすることが好ましい。
【００１４】このようにして引き上げられた四ほう酸リ
チウム単結晶から成るウェーハを切断し、図２（Ａ），
（Ｂ）に示す形状の偏光子としてのプリズム２０を作製
する。図２（Ａ）はプリズム２０の正面図、同図（Ｂ）
は側面図である。入射面２２と出射面２４と両側面２
６，２６は、ラッピング、ポリッシングなどの研磨手段
で研磨される。
チウム単結晶から成るウェーハを切断し、図２（Ａ），
（Ｂ）に示す形状の偏光子としてのプリズム２０を作製
する。図２（Ａ）はプリズム２０の正面図、同図（Ｂ）
は側面図である。入射面２２と出射面２４と両側面２
６，２６は、ラッピング、ポリッシングなどの研磨手段
で研磨される。
【００１５】本実施形態に係るプリズム２０は、コノス
コープ像干渉縞の変形のような光学的不均一性がみられ
ない再現性に富む精密な偏光子である。また、本実施形
態に係るプリズム２０は、消光比も高く、優秀な偏光子
である。なお、本発明は、上述した実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で種々に改変すること
ができる。
コープ像干渉縞の変形のような光学的不均一性がみられ
ない再現性に富む精密な偏光子である。また、本実施形
態に係るプリズム２０は、消光比も高く、優秀な偏光子
である。なお、本発明は、上述した実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で種々に改変すること
ができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明のさらに詳細な実施例を説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されない。実施例１ 図１に示す引き上げ装置１０を用いて、四ほう酸リチウ
ム単結晶を作製した。白金坩堝１としては、直径９０ｍ
ｍ、高さ１００ｍｍのものを用いた。
るが、本発明はこれら実施例に限定されない。実施例１ 図１に示す引き上げ装置１０を用いて、四ほう酸リチウ
ム単結晶を作製した。白金坩堝１としては、直径９０ｍ
ｍ、高さ１００ｍｍのものを用いた。
【００１７】まず、所定モル比の純度９９．９９％の四
ほう酸リチウム多結晶体１３００ｇを白金坩堝内に充填
し、ヒータで融解したのち、引き上げ方位＜１１０＞で
直径２インチの単結晶を引き上げた。このとき、融液表
面と融液直上１０ｍｍの間の温度勾配を８０°Ｃ／ｃ
ｍ、それより上部の温度勾配を３０°Ｃ／ｃｍとし、単
結晶の直胴部を引き上げる際の引き上げ速度を０．５ｍ
ｍ／時間とした。
ほう酸リチウム多結晶体１３００ｇを白金坩堝内に充填
し、ヒータで融解したのち、引き上げ方位＜１１０＞で
直径２インチの単結晶を引き上げた。このとき、融液表
面と融液直上１０ｍｍの間の温度勾配を８０°Ｃ／ｃ
ｍ、それより上部の温度勾配を３０°Ｃ／ｃｍとし、単
結晶の直胴部を引き上げる際の引き上げ速度を０．５ｍ
ｍ／時間とした。
【００１８】この単結晶の結晶内の格子変動をボンド法
により調べたところ、１×１０-6／ｍｍであった。ま
た、エッチピット密度（ＥＰＤ）をエッチング法により
調べたところ、１０／ｃｍ2 であった。この単結晶を図
２に示す形状に切断して偏光子としてのグラントムプリ
ズム２０を得た。プリズム２０の光入射面２２は、四ほ
う酸リチウム単結晶の（０１０）面に対して、０°の角
度で傾いており、プリズム２０の光出射面２４は、入射
面２２に垂直な底面に対して、θ＝６０±０．５度傾い
ていた。入射面２２と出射面２４と両側面２６，２６
は、ラッピングにより光学研磨した。
により調べたところ、１×１０-6／ｍｍであった。ま
た、エッチピット密度（ＥＰＤ）をエッチング法により
調べたところ、１０／ｃｍ2 であった。この単結晶を図
２に示す形状に切断して偏光子としてのグラントムプリ
ズム２０を得た。プリズム２０の光入射面２２は、四ほ
う酸リチウム単結晶の（０１０）面に対して、０°の角
度で傾いており、プリズム２０の光出射面２４は、入射
面２２に垂直な底面に対して、θ＝６０±０．５度傾い
ていた。入射面２２と出射面２４と両側面２６，２６
は、ラッピングにより光学研磨した。
【００１９】図２において、プリズム２０の幅ａは５．
０９mmであり、底面の長さｂは１０mmであり、高さｈは
１０mmであった。このプリズム２０を、図３に示すよう
に、ポーラライザーＰと２つのアナライザーＡとの間に
配置した。ポーラライザーＰは、レーザ装置から照射さ
れたレーザ光の偏光方向を１つに揃える作用を有する。
アナライザーＡも、ポーラライザーＰと同様な偏光子で
あり、これらをそれぞれ回転させることにより、ポーラ
ライザーＰと同じ偏光の光を通したり、通さないように
したりする。アナライザーＡを回転させ、ポーラライザ
ーＰと同じ偏光方向の光を通す位置にすると、最大の明
るさで光を通し、ポーラライザーＰと直交する位置に回
転させると、光をほとんど通さず暗くなる。アナライザ
ーＡを透過後の光の明るさを測定した。最大の明るさと
最大の暗さとの比が消光比である。なお、２つのアナラ
イザーＡのうちの一方が、常光のためのものであり、他
方が異常光のためのものである。
０９mmであり、底面の長さｂは１０mmであり、高さｈは
１０mmであった。このプリズム２０を、図３に示すよう
に、ポーラライザーＰと２つのアナライザーＡとの間に
配置した。ポーラライザーＰは、レーザ装置から照射さ
れたレーザ光の偏光方向を１つに揃える作用を有する。
アナライザーＡも、ポーラライザーＰと同様な偏光子で
あり、これらをそれぞれ回転させることにより、ポーラ
ライザーＰと同じ偏光の光を通したり、通さないように
したりする。アナライザーＡを回転させ、ポーラライザ
ーＰと同じ偏光方向の光を通す位置にすると、最大の明
るさで光を通し、ポーラライザーＰと直交する位置に回
転させると、光をほとんど通さず暗くなる。アナライザ
ーＡを透過後の光の明るさを測定した。最大の明るさと
最大の暗さとの比が消光比である。なお、２つのアナラ
イザーＡのうちの一方が、常光のためのものであり、他
方が異常光のためのものである。
【００２０】ポーラライザーＰへ入射するレーザ光とし
ては、λ＝６３３ｎｍ、ビーム径１mm、出力２００ｍＪ
のＨｅ−Ｎｅレーザ光と、λ＝１５５０ｎｍ、ビーム径
０．２mm、出力１００ｍＪのレーザ光とを用いた。それ
ぞれのレーザ光を用いて、同一単結晶から切り出したサ
ンプルＡ，Ｂに関して、常光および異常光の消光比を求
めた結果を表１に示す。
ては、λ＝６３３ｎｍ、ビーム径１mm、出力２００ｍＪ
のＨｅ−Ｎｅレーザ光と、λ＝１５５０ｎｍ、ビーム径
０．２mm、出力１００ｍＪのレーザ光とを用いた。それ
ぞれのレーザ光を用いて、同一単結晶から切り出したサ
ンプルＡ，Ｂに関して、常光および異常光の消光比を求
めた結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１に示すように、消光比は、５０ｄＢ以
上になり、四ほう酸リチウム単結晶が、偏光子として優
れていることが確認された。また、直線偏光を四ほう酸
リチウムに通した時の出力光の形の観測から、旋光能が
ないかどうかを調べたところ、旋光能はないことが確認
された。
上になり、四ほう酸リチウム単結晶が、偏光子として優
れていることが確認された。また、直線偏光を四ほう酸
リチウムに通した時の出力光の形の観測から、旋光能が
ないかどうかを調べたところ、旋光能はないことが確認
された。
【００２３】さらに、異常光と常光との屈折率差を測定
したところ、約０．０６であり、大きいことが確認され
た。さらにまた、本実施例のプリズムは、四ほう酸リチ
ウム単結晶から成るので、化学的に安定であると共に、
結晶欠陥が少ない。なお、結晶欠陥の測定は、前述した
ように、格子変動とＥＰＤとを測定することにより行っ
た。
したところ、約０．０６であり、大きいことが確認され
た。さらにまた、本実施例のプリズムは、四ほう酸リチ
ウム単結晶から成るので、化学的に安定であると共に、
結晶欠陥が少ない。なお、結晶欠陥の測定は、前述した
ように、格子変動とＥＰＤとを測定することにより行っ
た。
【００２４】比較例１ 図３に示すプリズム２０として、方解石〔ＣａＣＯ
3 （化学組成）〕を用いた以外は、前記実施例１と同様
にして、消光比を求めた。消光比は、４５ｄＢであっ
た。
3 （化学組成）〕を用いた以外は、前記実施例１と同様
にして、消光比を求めた。消光比は、４５ｄＢであっ
た。
【００２５】この方解石の格子変動を測定したところ、
８×１０-5であった。また、ＥＰＤは１０3 ／ｃｍ2 で
あった。また、旋光能は、観察されなかった。さらに、
異常光と常光との屈折率差を測定したところ、０．１７
２であった。
８×１０-5であった。また、ＥＰＤは１０3 ／ｃｍ2 で
あった。また、旋光能は、観察されなかった。さらに、
異常光と常光との屈折率差を測定したところ、０．１７
２であった。
【００２６】方解石は、水に弱く溶解し、また酸により
ふ食する。又モース硬度が３なので軟らかく研磨は難し
かった。このように比較例１に係るプリズムの場合に
は、製品としてのバラ付き、ケンマの困難さ等あること
から、プリズムとしては、好ましくない。
ふ食する。又モース硬度が３なので軟らかく研磨は難し
かった。このように比較例１に係るプリズムの場合に
は、製品としてのバラ付き、ケンマの困難さ等あること
から、プリズムとしては、好ましくない。
【００２７】比較例２ 図３に示すプリズム２０として、ＴｉＯ2 （ルチル）を
用いた以外は、前記実施例１と同様にして、消光比を求
めた。消光比は、３５ｄＢであった。このＴｉＯ2 の格
子変動を測定したところ、１×１０-4であった。また、
ＥＰＤは１０4 ／ｃｍ2 であった。
用いた以外は、前記実施例１と同様にして、消光比を求
めた。消光比は、３５ｄＢであった。このＴｉＯ2 の格
子変動を測定したところ、１×１０-4であった。また、
ＥＰＤは１０4 ／ｃｍ2 であった。
【００２８】また、旋光能は、観察されなかった。さら
に、異常光と常光との屈折率差を測定したところ、０．
２９６であった。ＴｉＯ2 は、化学的に安定である。こ
のように比較例２に係るプリズムの場合には、製品のバ
ラ付き、育成が難しいことから、プリズムとしては、好
ましくない。
に、異常光と常光との屈折率差を測定したところ、０．
２９６であった。ＴｉＯ2 は、化学的に安定である。こ
のように比較例２に係るプリズムの場合には、製品のバ
ラ付き、育成が難しいことから、プリズムとしては、好
ましくない。
【００２９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、復屈折率が大きく、旋光能がなく、結晶欠陥が少な
く、化学的に安定した優れた特性の偏光子を容易に量産
的に製造することができる。
ば、復屈折率が大きく、旋光能がなく、結晶欠陥が少な
く、化学的に安定した優れた特性の偏光子を容易に量産
的に製造することができる。
【００３０】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る四ほう酸リチ
ウム単結晶の製造装置の一例を示す概略断面図である。
ウム単結晶の製造装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２（Ａ），（Ｂ）は実施例で用いるプリズム
の正面図および側面図である。
の正面図および側面図である。
【図３】図３は実施例の実験装置の概略図である。
２０… プリズム ２２… 光入射面 ２４… 光出射面 ２６… 側面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−15976（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−97690（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−178940（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 5/30 C30B 15/14 H01S 3/108
Claims (1)
- 【請求項１】チョクラルスキー法により四ほう酸リチウ
ム単結晶から成る偏光子を製造する方法において、 融液表面と融液直上１ｃｍの間の雰囲気の温度勾配を３
０℃／ｃｍ〜２００℃／ｃｍとし、それより上部の雰囲
気の温度勾配を１０℃／ｃｍ〜５０℃／ｃｍとし、引き
上げ速度を０．１ｍｍ／時間〜２ｍｍ／時間として結晶
内の格子変動が５×１０-5以下で、且つエッチピット密
度が１０2 ／ｃｍ2 以下である四ほう酸リチウム単結晶
から成る偏光子を製造することを特徴とする偏光子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16551696A JP3346176B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 偏光子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16551696A JP3346176B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 偏光子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002196929A Division JP3858776B2 (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 偏光子とそれを用いたプリズム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010319A JPH1010319A (ja) | 1998-01-16 |
| JP3346176B2 true JP3346176B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=15813883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16551696A Expired - Fee Related JP3346176B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 偏光子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3346176B2 (ja) |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP16551696A patent/JP3346176B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1010319A (ja) | 1998-01-16 |
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