JP3343421B2 - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路（以
下「ＩＣ」という）の設計開発時に利用される荷電粒子
ビーム装置に関し、特に被測定デバイスである被測定Ｉ
Ｃの表面帯電の防止技術に関する。
下「ＩＣ」という）の設計開発時に利用される荷電粒子
ビーム装置に関し、特に被測定デバイスである被測定Ｉ
Ｃの表面帯電の防止技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、試作されたＩＣの内部を解析す
るのに、荷電粒子ビーム装置を作動させて試作した素子
の各部を流れる電圧波形を参照して不良個所を特定して
いる。
るのに、荷電粒子ビーム装置を作動させて試作した素子
の各部を流れる電圧波形を参照して不良個所を特定して
いる。
【０００３】図３に従来のＥＢテスタの鏡筒１００の一
例を示す。鏡筒１００の内部は真空チャンバとなってお
り、ターボ・モレキュラ・ポンプやイオン・ゲッタ・ポ
ンプによって真空化され、その真空度は１０-4Ｐａから
１０-5Ｐａのオーダである。荷電粒子銃１０１から放射
されたエネルギーの高いパルス化された荷電粒子ビーム
１０２は、静電レンズ１０３と電磁レンズ１０４で明る
さを失わずに減速される。そして、対物レンズ１０５で
被測定ＩＣ１１０上に０．１μｍ径のスポットで焦点が
合わされる。また、荷電粒子ビーム１０２はスキャンニ
ングによって、２ｍｍ×２ｍｍの範囲で偏向され、被測
定ＩＣ１１０上を掃引照射する。
例を示す。鏡筒１００の内部は真空チャンバとなってお
り、ターボ・モレキュラ・ポンプやイオン・ゲッタ・ポ
ンプによって真空化され、その真空度は１０-4Ｐａから
１０-5Ｐａのオーダである。荷電粒子銃１０１から放射
されたエネルギーの高いパルス化された荷電粒子ビーム
１０２は、静電レンズ１０３と電磁レンズ１０４で明る
さを失わずに減速される。そして、対物レンズ１０５で
被測定ＩＣ１１０上に０．１μｍ径のスポットで焦点が
合わされる。また、荷電粒子ビーム１０２はスキャンニ
ングによって、２ｍｍ×２ｍｍの範囲で偏向され、被測
定ＩＣ１１０上を掃引照射する。
【０００４】被測定ＩＣ１１０はパルス化された荷電粒
子ビーム１０２の掃引照射により２次電子を放出する。
２次電子の量は、照射された地点の電位の大小によって
異なる。この２次電子を２次電子引出電極１０６によっ
て効率よく捕捉し、２次電子検出器１０７によって検出
する。２次電子検出器１０７は、２次電子を一度光の信
号に変換し、その後に電位コントラスト像（ＳＥＭ像：
Scanning ElectronMicroscope、ＳＩＭ像：Scanning I
on Microscope）として表示するための電気信号に変換
する。電位コントラスト像の明るさは、２次電子流の量
に従って変化する。
子ビーム１０２の掃引照射により２次電子を放出する。
２次電子の量は、照射された地点の電位の大小によって
異なる。この２次電子を２次電子引出電極１０６によっ
て効率よく捕捉し、２次電子検出器１０７によって検出
する。２次電子検出器１０７は、２次電子を一度光の信
号に変換し、その後に電位コントラスト像（ＳＥＭ像：
Scanning ElectronMicroscope、ＳＩＭ像：Scanning I
on Microscope）として表示するための電気信号に変換
する。電位コントラスト像の明るさは、２次電子流の量
に従って変化する。
【０００５】波形を観測するには、サンプリング・オッ
シロスコープと同様に、被測定ＩＣ１１０の信号と同期
して作られるパルス・ビームによって電圧をサンプリン
グする。このパルス・ビームの発生タイミングを被測定
波形の位相上で変化させることで、波形として測定され
る。
シロスコープと同様に、被測定ＩＣ１１０の信号と同期
して作られるパルス・ビームによって電圧をサンプリン
グする。このパルス・ビームの発生タイミングを被測定
波形の位相上で変化させることで、波形として測定され
る。
【０００６】図４に、被測定ＩＣ１１０と２次電子引出
電極１０６と対物レンズ１０５の拡大図を示す。被測定
ＩＣ１１０は、電極１１１を保護するためにＳｉＯ
2 （酸化シリコン）等の絶縁膜にてカバーされている。
この絶縁膜１１２に荷電粒子ビーム１０２を照射する
と、２次電子１０８を放出する。２次電子１０８の放出
電荷が入射した荷電粒子ビーム１０２の電荷と等しくて
相殺すると絶縁物１１２の表面は帯電しないが、荷電粒
子銃１０１の加速電圧を１ＫＶ程度で、絶縁膜１１２が
ＳｉＯ2 やＳｉＮ等の場合は２次電子放出率が１以上に
なるため、絶縁膜１１２の表面は正に帯電する。帯電し
た被測定ＩＣ１１０を観察、測定すると、２次電子の放
出が変動して、定量的な特性試験はもとより定性的な試
験でも多くの困難を伴う。この絶縁膜１１２表面の帯電
量は入射する荷電粒子ビーム量、加速電圧、照射面積、
照射の走査スピード、２次電子引出電界強度や絶縁物の
種類等に依存して複雑に変化する。
電極１０６と対物レンズ１０５の拡大図を示す。被測定
ＩＣ１１０は、電極１１１を保護するためにＳｉＯ
2 （酸化シリコン）等の絶縁膜にてカバーされている。
この絶縁膜１１２に荷電粒子ビーム１０２を照射する
と、２次電子１０８を放出する。２次電子１０８の放出
電荷が入射した荷電粒子ビーム１０２の電荷と等しくて
相殺すると絶縁物１１２の表面は帯電しないが、荷電粒
子銃１０１の加速電圧を１ＫＶ程度で、絶縁膜１１２が
ＳｉＯ2 やＳｉＮ等の場合は２次電子放出率が１以上に
なるため、絶縁膜１１２の表面は正に帯電する。帯電し
た被測定ＩＣ１１０を観察、測定すると、２次電子の放
出が変動して、定量的な特性試験はもとより定性的な試
験でも多くの困難を伴う。この絶縁膜１１２表面の帯電
量は入射する荷電粒子ビーム量、加速電圧、照射面積、
照射の走査スピード、２次電子引出電界強度や絶縁物の
種類等に依存して複雑に変化する。
【０００７】荷電粒子ビーム装置は、この表面電荷１１
３の帯電を最小にするために、照射面積（倍率に相当）
と２次電子引出電界強度に着眼し、その他の緒元を一定
にしていた。つまり、倍率を変えたときは２次電子引出
電極１０６の電圧を自動的に変化させて、２次電子引出
電界強度を最適値に設定していた。ところが、２次電子
引出電極１０６の電圧を変化させると、図４に示すよう
に荷電粒子ビーム１０２の焦点が、ｂ及びｃのようにず
れてしまう不都合が存在した。
３の帯電を最小にするために、照射面積（倍率に相当）
と２次電子引出電界強度に着眼し、その他の緒元を一定
にしていた。つまり、倍率を変えたときは２次電子引出
電極１０６の電圧を自動的に変化させて、２次電子引出
電界強度を最適値に設定していた。ところが、２次電子
引出電極１０６の電圧を変化させると、図４に示すよう
に荷電粒子ビーム１０２の焦点が、ｂ及びｃのようにず
れてしまう不都合が存在した。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、倍率を変
更した場合、それに基づき引出電極の電圧を変化させて
も、荷電粒子ビームの焦点が被測定ＩＣの表面に結ばれ
る荷電粒子ビーム装置を提供することを目的とする。
更した場合、それに基づき引出電極の電圧を変化させて
も、荷電粒子ビームの焦点が被測定ＩＣの表面に結ばれ
る荷電粒子ビーム装置を提供することを目的とする。
【０００９】ここで、荷電粒子ビームが被測定ＩＣに照
射されたときの、被測定ＩＣ前面の電位分布について今
一度考察する。当初、引出電極の２次電子引出電圧Ｖｅ
が正で、被測定ＩＣの絶縁膜電位Ｖｓが零である場合、
被測定ＩＣ表面の前面には２次電子に対する加速電界の
みが存在する。ここで荷電粒子ビームの照射を行うと、
前述の理由により絶縁膜上の被照射領域は正に帯電す
る。この帯電量が増大するに従い、照射領域前面の電界
は正から負に逆転する。しかしながら、更に照射領域か
ら前面により離れると、電界は再び正になる。つまり、
ここに電位鞍点が生じる。この電位鞍点の位置及び電位
は、照射領域とその帯電量及び引出電界強度の大きさに
強く依存する。
射されたときの、被測定ＩＣ前面の電位分布について今
一度考察する。当初、引出電極の２次電子引出電圧Ｖｅ
が正で、被測定ＩＣの絶縁膜電位Ｖｓが零である場合、
被測定ＩＣ表面の前面には２次電子に対する加速電界の
みが存在する。ここで荷電粒子ビームの照射を行うと、
前述の理由により絶縁膜上の被照射領域は正に帯電す
る。この帯電量が増大するに従い、照射領域前面の電界
は正から負に逆転する。しかしながら、更に照射領域か
ら前面により離れると、電界は再び正になる。つまり、
ここに電位鞍点が生じる。この電位鞍点の位置及び電位
は、照射領域とその帯電量及び引出電界強度の大きさに
強く依存する。
【００１０】図５は、電極の幅が２ａで、電位Ｖｓが５
Ｖ（ボルト）で、電極以外は０Ｖの場合の、電位分布図
の一例である。この電位分布図について考察する。表面
帯電により、照射領域の電位Ｖｓは正になり、引出電界
強度がＥ［V/mm］の場合のＺ，Ｘ平面での電位は次式で
表現できる。［日本学術振興会荷電粒子ビームの工業へ
の応用第１３２委員会：電子ビームテスティングハンド
ブック電子ビーム研究第７巻：昭和６２年５月］ Φ（z,x ）＝Ｅ＊ｚ＋Ｖｓ／π＊［tan-1{(a-x)/z}+tan
-1{(a+x)/z}］ ここで、電位鞍点の位置座標を（０，Ｚｍ）、電位をΦ
ｍとすると、 Ｚｍ＝｛（２ａＶｓ／πＥ）−ａ2 ｝1/2 Φｍ＝Ｅ＊Ｚｍ＋（２Ｖｓ／π）＊tan-1（a/Zm） となり、これをグラフに表すと図６となる。ΦｍとＶｓ
の差分は電位障壁となり、２次電子を抑制するように働
く。
Ｖ（ボルト）で、電極以外は０Ｖの場合の、電位分布図
の一例である。この電位分布図について考察する。表面
帯電により、照射領域の電位Ｖｓは正になり、引出電界
強度がＥ［V/mm］の場合のＺ，Ｘ平面での電位は次式で
表現できる。［日本学術振興会荷電粒子ビームの工業へ
の応用第１３２委員会：電子ビームテスティングハンド
ブック電子ビーム研究第７巻：昭和６２年５月］ Φ（z,x ）＝Ｅ＊ｚ＋Ｖｓ／π＊［tan-1{(a-x)/z}+tan
-1{(a+x)/z}］ ここで、電位鞍点の位置座標を（０，Ｚｍ）、電位をΦ
ｍとすると、 Ｚｍ＝｛（２ａＶｓ／πＥ）−ａ2 ｝1/2 Φｍ＝Ｅ＊Ｚｍ＋（２Ｖｓ／π）＊tan-1（a/Zm） となり、これをグラフに表すと図６となる。ΦｍとＶｓ
の差分は電位障壁となり、２次電子を抑制するように働
く。
【００１１】図６より次のことが自明である。２次電子
引出電界強度が一定の場合は、照射面積が大きくなるほ
ど電位障壁の高さは小さくなっている。つまり、低倍率
になるほど電位障壁の高さが小さい。電位障壁の高さが
小さいほど、照射領域から放出された２次電子は引出電
界に取り込まれやすいので、照射領域の表面は更に帯電
量が増加することになる。つまり、２次電子引出電界強
度が一定の場合は、電位障壁の高さが照射面積に依存す
るために、照射面積が大きくなるほど（低倍率になるほ
ど）表面帯電量が増加することになる。
引出電界強度が一定の場合は、照射面積が大きくなるほ
ど電位障壁の高さは小さくなっている。つまり、低倍率
になるほど電位障壁の高さが小さい。電位障壁の高さが
小さいほど、照射領域から放出された２次電子は引出電
界に取り込まれやすいので、照射領域の表面は更に帯電
量が増加することになる。つまり、２次電子引出電界強
度が一定の場合は、電位障壁の高さが照射面積に依存す
るために、照射面積が大きくなるほど（低倍率になるほ
ど）表面帯電量が増加することになる。
【００１２】低倍率ほど表面帯電が増加する不具合を避
けるには、倍率変化に自動的に連動して低倍率ほど２次
電子引出電界を小さくすればよい。このことにより、電
位障壁の高さを同一レベルに保ちながら、照射面積の増
大に伴う帯電量増加を防止することが可能である。ただ
し、特定倍率以上の高倍率では、引出電界強度を変化さ
せたときに生じる不具合（ＣＡＤレイアウトとＳＥＭ像
とのマッチングずれやプローブ点のシフト等）を避ける
ために、引出電界強度を一定値に保つことが現実的であ
る。
けるには、倍率変化に自動的に連動して低倍率ほど２次
電子引出電界を小さくすればよい。このことにより、電
位障壁の高さを同一レベルに保ちながら、照射面積の増
大に伴う帯電量増加を防止することが可能である。ただ
し、特定倍率以上の高倍率では、引出電界強度を変化さ
せたときに生じる不具合（ＣＡＤレイアウトとＳＥＭ像
とのマッチングずれやプローブ点のシフト等）を避ける
ために、引出電界強度を一定値に保つことが現実的であ
る。
【００１３】この引出電界強度の変更に伴い、電界によ
るレンズ作用が変化し、荷電粒子ビームの焦点が定まら
なくなる問題が新しく生じた。焦点の合う度合いによっ
て、照射領域表面の帯電量に変化をもたらすから問題で
ある。この発明は、この引出電極の電圧を変えても焦点
を結ぶ荷電粒子ビーム装置を提供するものである。
るレンズ作用が変化し、荷電粒子ビームの焦点が定まら
なくなる問題が新しく生じた。焦点の合う度合いによっ
て、照射領域表面の帯電量に変化をもたらすから問題で
ある。この発明は、この引出電極の電圧を変えても焦点
を結ぶ荷電粒子ビーム装置を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、倍率（照射面積に相当）の変化に対応し
て自動的に引出電極の電圧を変化させ、引出電界強度の
変更と同時に、その引出電極の電圧に連動して荷電粒子
ビームが焦点を結ぶように対物レンズのコイル電流を制
御する構成とする。
に、本発明は、倍率（照射面積に相当）の変化に対応し
て自動的に引出電極の電圧を変化させ、引出電界強度の
変更と同時に、その引出電極の電圧に連動して荷電粒子
ビームが焦点を結ぶように対物レンズのコイル電流を制
御する構成とする。
【００１５】この発明の構成によれば、２次電子引出電
極の電圧と、荷電粒子ビームの焦点が合う対物レンズの
コイル電流との関係を明確にし、２次電子引出電極の電
圧に連動して対物レンズのコイル電流を制御するので、
常に荷電粒子ビームの焦点が合い、従って、表面電荷は
常に最小状態で一定となり、測定誤差はほとんど無くな
る。
極の電圧と、荷電粒子ビームの焦点が合う対物レンズの
コイル電流との関係を明確にし、２次電子引出電極の電
圧に連動して対物レンズのコイル電流を制御するので、
常に荷電粒子ビームの焦点が合い、従って、表面電荷は
常に最小状態で一定となり、測定誤差はほとんど無くな
る。
【００１６】
【実施例】本発明の一実施例を図１に示す。図４と対応
する部分には同一符号を付して示す。本発明は従来の荷
電粒子ビーム装置に加えて、対物レンズ１０５用の対物
レンズ用電流源６０と、対物レンズ用電流源６０を制御
する電流制御部５０と、電流制御部５０に引出電極１０
６の変更電圧を指示する引出電極用制御電圧源４０によ
って構成される。
する部分には同一符号を付して示す。本発明は従来の荷
電粒子ビーム装置に加えて、対物レンズ１０５用の対物
レンズ用電流源６０と、対物レンズ用電流源６０を制御
する電流制御部５０と、電流制御部５０に引出電極１０
６の変更電圧を指示する引出電極用制御電圧源４０によ
って構成される。
【００１７】図１に示すように、荷電粒子ビームは荷電
粒子銃から放射されて、被測定ＩＣ１１０を照射する直
前に対物レンズ１０５と引出電極１０６の内を通過す
る。
粒子銃から放射されて、被測定ＩＣ１１０を照射する直
前に対物レンズ１０５と引出電極１０６の内を通過す
る。
【００１８】図２（Ａ）に示すように、２次電子引出電
極１０６は、前述のように、照射面積を変えても被測定
ＩＣ１１０の表面の帯電を最小にするために、照射面積
に連動して電圧を変化させ、引出電界強度を最適にす
る。２次電子引出電極１０６の電圧を変化させること
は、荷電粒子ビーム１０２の加速電圧を変化させること
になり、従って、荷電粒子ビームの速度変化となり、焦
点がずれてくるのである。
極１０６は、前述のように、照射面積を変えても被測定
ＩＣ１１０の表面の帯電を最小にするために、照射面積
に連動して電圧を変化させ、引出電界強度を最適にす
る。２次電子引出電極１０６の電圧を変化させること
は、荷電粒子ビーム１０２の加速電圧を変化させること
になり、従って、荷電粒子ビームの速度変化となり、焦
点がずれてくるのである。
【００１９】そこで、常に荷電粒子ビーム１０２の焦点
が合うように、荷電粒子ビーム１０２の各速度に対応し
た磁界、即ち、最適の屈折率を対物レンズ１０５で与え
るようにするとよい。つまり、図２（Ｂ）に示すよう
に、２次電子引出電極１０６の電圧変化に伴って、対物
レンズ１０５のコイル電流を制御して、常に焦点が合う
ようにする。
が合うように、荷電粒子ビーム１０２の各速度に対応し
た磁界、即ち、最適の屈折率を対物レンズ１０５で与え
るようにするとよい。つまり、図２（Ｂ）に示すよう
に、２次電子引出電極１０６の電圧変化に伴って、対物
レンズ１０５のコイル電流を制御して、常に焦点が合う
ようにする。
【００２０】本発明は、電流制御部５０で引出電極用制
御電圧源４０の電圧を読み取り、その電圧に適した対物
レンズ１０５の電流を定め、その電流値を対物レンズ用
電流源６０に指示し、対物レンズ用可変電流源６０は指
示された電流を対物レンズ１０５に流すようにした装置
である。ここで、最適電流値は、装置の構造により異な
るのでその機種によって定める必要がある。即ち、対物
レンズ１０５のコイルの巻数、２次電子引出電極１０６
と被測定ＩＣ１１０の表面との距離や絶縁膜１１２の種
類によって異なる。また荷電粒子ビーム１０２のパルス
幅、掃引照射速度や加速電圧等によっても異なるので、
固定できるものは一定値として、可変数を少なくすると
よい。従って、最適電流値は、可変数に基ずきテーブル
化しそのテーブル表に従って制御してもよいし、あるい
は、その値は図２（Ｂ）のように区間内は線形であるの
で区間毎に数式化し、演算により制御してもよい。
御電圧源４０の電圧を読み取り、その電圧に適した対物
レンズ１０５の電流を定め、その電流値を対物レンズ用
電流源６０に指示し、対物レンズ用可変電流源６０は指
示された電流を対物レンズ１０５に流すようにした装置
である。ここで、最適電流値は、装置の構造により異な
るのでその機種によって定める必要がある。即ち、対物
レンズ１０５のコイルの巻数、２次電子引出電極１０６
と被測定ＩＣ１１０の表面との距離や絶縁膜１１２の種
類によって異なる。また荷電粒子ビーム１０２のパルス
幅、掃引照射速度や加速電圧等によっても異なるので、
固定できるものは一定値として、可変数を少なくすると
よい。従って、最適電流値は、可変数に基ずきテーブル
化しそのテーブル表に従って制御してもよいし、あるい
は、その値は図２（Ｂ）のように区間内は線形であるの
で区間毎に数式化し、演算により制御してもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は荷電粒子
ビーム装置において、被測定ＩＣ１１０の表面電荷１１
３を最小化し、しかも常に荷電粒子ビーム１０２の焦点
が合うので、明瞭で高品質な画面が得られ、再現性に優
れているので、その測定効果は大である。
ビーム装置において、被測定ＩＣ１１０の表面電荷１１
３を最小化し、しかも常に荷電粒子ビーム１０２の焦点
が合うので、明瞭で高品質な画面が得られ、再現性に優
れているので、その測定効果は大である。
【図１】本発明の一実施例の図である。
【図２】図１に示した実施例の説明図である。
【図３】従来の主要技術を説明するための一例の図であ
る。
る。
【図４】図３に示した従来例の一部の拡大図である。
【図５】電位分布図である。
【図６】電位障壁と照射領域との関係図である。
４０ 引出電極用制御電圧源 ５０ 電流制御部 ６０ 対物レンズ用電流源 １００ 鏡筒 １０１ 荷電粒子銃 １０２ 荷電粒子ビーム １０３ 静電レンズ １０４ 電磁レンズ １０５ 対物レンズ １０６ ２次電子引出電極 １０７ ２次電子検出器 １０８ ２次電子 １１０ 被測定ＩＣ １１１ 電極 １１２ 絶縁膜 １１３ 表面電荷
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−343021（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−72280（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−218135（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−842（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−239949（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−301452（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−40452（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−2336（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/28 H01J 37/141 H01J 37/21 H01J 37/244 H01L 21/66
Claims (1)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを半導体集積回路の表面
に掃引照射し、照射点毎に発生する２次電子を検出して
半導体集積回路を解析する荷電粒子ビーム装置におい
て、 掃引する照射面積の変更に連動して２次電子引出電極
（１０６）の電圧を変更する引出電極用制御電圧源（４
０）と、 引出電極用制御電圧源（４０）の電圧変更に連動して対
物レンズ（１０５）のコイル電流を制御する電流制御部
（５０）と、 電流制御部（５０）の指示により対物レンズ（１０５）
のコイル電流を変更する対物レンズ電流源（６０）と、
を具備することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32998393A JP3343421B2 (ja) | 1993-12-01 | 1993-12-01 | 荷電粒子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32998393A JP3343421B2 (ja) | 1993-12-01 | 1993-12-01 | 荷電粒子ビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153410A JPH07153410A (ja) | 1995-06-16 |
| JP3343421B2 true JP3343421B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=18227463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32998393A Expired - Fee Related JP3343421B2 (ja) | 1993-12-01 | 1993-12-01 | 荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3343421B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8153966B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-04-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electrode unit and charged particle beam device |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4506588B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2010-07-21 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置 |
| US6946656B2 (en) | 2001-07-12 | 2005-09-20 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
| JP2004193017A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Seiko Instruments Inc | 走査型電子線装置 |
| JP4719699B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-07-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡 |
| US9390887B2 (en) * | 2013-09-17 | 2016-07-12 | Kla-Tencor Corporation | Non-invasive charged particle beam monitor |
-
1993
- 1993-12-01 JP JP32998393A patent/JP3343421B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8153966B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-04-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electrode unit and charged particle beam device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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