JP3340416B2 - 描画パターンデータ生成方法、パターン描画方法及び荷電粒子描画装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、液晶
ディスプレイ装置又は薄膜磁気ヘッド装置等の製造時
に、荷電粒子からなる露光ビームを用いて被描画基板に
設計パターンを描画する際の描画パターンデータ生成方
法、パターン描画方法及び荷電粒子描画装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体装置の製造に用いられてい
る光リソグラフィ技術は波長が３６５ｎｍの水銀灯の輝
線（ｉ線）や、波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレー
ザ光を光源としている。また、次世代の光源として波長
が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光が用いられよう
としている。しかしながら、微細化をさらに推し進めて
いくと、光リソグラフィ技術では限界がある。そこで、
様々なリソグラフィ技術が提案されており、なかでも荷
電粒子、特に電子線を用いた描画技術が注目されてい
る。

【０００３】以下、従来の電子線描画装置を用いた描画
方法について図面を参照しながら説明する。

【０００４】図１８は従来の電子線描画装置の電子光学
鏡筒部を模式的に表わしている。図１８に示すように、
移動ステージ２０１の上面に保持されたウェハ２０２の
上方には、電子線２０３をウェハ２０２に向けて出射す
る電子銃２０４が設けられている。移動ステージ２０１
と電子銃２０４との間には、該電子銃２０４に近い側か
ら順に、方形状の第１の開口部２０５ａを有する第１の
アパーチャ２０５、該第１のアパーチャ２０５ａを通過
した電子線２０３を選択的に偏向させる選択偏向器２０
６、方形状の第２の開口部２０７ａを有する第２のアパ
ーチャ２０７、及び第２の開口部２０７ａを透過してな
る断面方形状の露光ビームを絞る縮小レンズ２０８が設
けられている。

【０００５】縮小レンズ２０８の内側には、露光ビーム
を偏向させる主偏向器２０９Ａが設けられ、主偏向器２
０９Ａの内側の上部には副偏向器２０９Ｂ、下部には副
副偏向器２０９Ｃが設けられている。

【０００６】以下、前記のような構成を持つ描画装置の
動作方法について説明する。

【０００７】まず、５０ｋＶ程度の加速電圧が印加され
た電子銃２０４から出射された電子線２０３は、第１の
開口部２０５ａにより、電子線２０３の進行方向に対し
て垂直な方向の断面形状が方形状に成形される。成形さ
れた電子線２０３は第２の開口部２０７ａに到達するま
での間に選択偏向器２０６によって偏向されることによ
り、第２の開口部２０７ａを通過する電子線２０３の形
状を任意の方形、例えば、断面長方形状に成形すること
ができる。

【０００８】次に、所望の方形状に成形された電子線２
０３は各偏向器２０９Ａ、２０９Ｂ、２０９Ｃにより、
ウェハ２０２上の所定領域に照射されることにより、設
計データと対応する描画パターンが順次描画される。

【０００９】ところで、主偏向器２０９Ａの偏向領域は
最大で縦×横が３ｍｍ〜５ｍｍ程度の方形である。一般
に、描画されるべきパターンは、この偏向領域よりも十
分に大きいため、電子線を用いる露光方法においては、
パターン形成領域を偏向可能な最大幅又はそれよりも小
さいストライプ状の部分露光領域に区画し、区画された
部分露光領域ごとに描画する方法が採られている。従っ
て、複数の部分露光領域にまたがるパターンデータは、
部分露光領域ごとに分割された設計データとして装置の
データ記憶部に格納される。

【００１０】図１９は従来の描画パターンデータをスト
ライプ領域により分割する描画パターンデータ生成方法
の一例を示している。図１９に示すように、データ配置
領域２１０には、描画パターンデータ２１１〜２１６が
配置されており、データ配置領域２１０はそれぞれ幅が
５ｍｍの第１〜第３のストライプ領域２２１、２２２、
２２３に区画されている。描画パターンデータ２１１及
び２１２は第１のストライプ領域２２１に収まってお
り、描画パターンデータ２１３は第１のストライプ領域
２２１及び第２のストライプ領域２２２にまたがってい
る。同様に、描画パターンデータ２１４は第２のストラ
イプ領域２２２及び第３のストライプ領域２２３にまた
がっている。従って、例えば、描画パターンデータ２１
３は第１のストライプ領域２２１と第２のストライプ領
域２２２とに分割されて生成されることになる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の描画パターンデータ生成方法は、以下に示すような
問題がある。すなわち、図１９に示すように、各ストラ
イプ領域２２１、２２２、２２３内においては、電子線
の偏向動作により描画されるため、各描画パターンの位
置精度は十分に高いが、互いに隣接するストライプ領域
間においては、図１８に示すウェハ２０２を保持する移
動ステージ２０１の移動を伴うため、隣接するストライ
プ領域同士で接続誤差が生じる。従って、図２０（ａ）
に示すように、第１のストライプ領域２２１と対応する
第１の部分露光領域２２１Ａと第２のストライプ領域２
２２と対応する第２の部分露光領域２２２Ａとが互いに
離れたり、該第２の部分露光領域２２２Ｂと第３のスト
ライプ領域２２３と対応する第３の部分露光領域２２３
Ａとが互いに重なったりする。

【００１２】この接続誤差は、移動ステージ２０１の位
置決め精度又は電子線出力の安定性が十分でないことに
起因している。このような接続誤差が生じると、隣接す
る部分露光領域にまたがる描画パターンデータ２１３、
２１４においては、図２０（ｂ）に示すように、隣接す
る部分露光領域が互いに離れると、ネガレジストの場合
には、第１の異常パターン２１７Ａのように断線が生
じ、部分露光領域同士が離れる距離がわずかな場合には
接続部分が局所的に細る第２の異常パターン２１７Ｂが
生じることにより断線のおそれが生じる。また、部分露
光領域同士が互いに重なると、接続部分が太る第３の異
常パターン２１７Ｃが生じ、いずれの場合にも、回路パ
ターンの不良につながるため、デバイスの歩留まりを劣
化させる原因となる。

【００１３】本発明は、前記従来の問題に鑑み、荷電粒
子線を用いる際の互いに隣接する部分露光領域間の接続
誤差に起因するレジストパターンの変形を防止し、所定
の形状を有するレジストパターンを得られるようにする
ことを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、設計データから描画パターンデータを生
成する際に、設計パターン形成領域と対応するデータ配
置領域に複数の設計データを配置しておき、該データ配
置領域を複数の部分露光領域に区画する。区画されたデ
ータ配置領域上の複数の設計データのうち、２つ以上の
部分露光領域にまたがる設計データを抽出し、抽出され
た設計データのうちの少なくとも１つの設計データが１
つの部分露光領域に収まるようにデータ配置領域を再度
区画し直すか、又は抽出された設計データに対して多重
露光を行なう構成とする。

【００１５】具体的に、本発明に係る第１の描画パター
ンデータ生成方法は、設計パターンと対応する複数の設
計データから、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基
板上に設計パターンと対応して描画される描画パターン
データを生成する描画パターンデータ生成方法を対象と
し、設計パターンが形成される領域と対応し且つ複数の
設計データが配置されている所定領域を、露光ビームの
偏向幅と対応する幅を持つストライプ状の複数の部分露
光領域に区画する領域区画工程と、複数の設計データか
ら、複数の部分露光領域のうちのいずれか１つの領域に
収まる設計データを第１の設計データ群として抽出する
と共に、複数の部分露光領域のうちの２つ以上の領域に
またがる設計データを第２の設計データ群として抽出す
るデータ群抽出工程と、第１の設計データ群に含まれる
設計データを複数の部分露光領域ごとに第１の描画パタ
ーンデータとして生成する第１の描画パターンデータ生
成工程と、第２の設計データ群に含まれる設計データを
複数の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデータと
して生成する第２の描画パターンデータ生成工程とを備
えている。

【００１６】第１の描画パターンデータ生成方法による
と、複数の部分露光領域のうちのいずれか１つの領域に
収まる設計データを第１の設計データ群として抽出する
と共に、複数の部分露光領域のうちの２つ以上の領域に
またがる設計データを第２の設計データ群として抽出す
る。この抽出した第２の設計データ群を、部分露光領域
と異なる区画位置で区画し直した他の部分露光領域で描
画パターンデータを生成するか、又は元の部分露光領域
により分割されたまま描画パターンデータを生成して多
重露光することにより、第２の設計データ群に属する設
計データの接続異常を防止できる。

【００１７】第１の描画パターンデータ生成方法におい
て、データ群抽出工程における第１の設計データ群を抽
出する工程は、複数の部分露光領域のうちの２つ以上の
領域にまたがる設計データのうち、該設計データにおけ
る部分露光領域同士の境界との交差部分の寸法が所定寸
法よりも大きい設計データを第１の設計データ群に含め
る工程を含むことが好ましい。このようにすると、２つ
以上の部分露光領域にまたがる設計データのうち部分露
光領域同士の境界との交差部分の寸法が所定寸法よりも
大きい設計データは、複数の部分露光領域に区画される
第１の設計データ群に取り込まれるようになる。このよ
うな場合でも、部分露光領域にまたがる設計データの交
差部分の寸法が所定寸法よりも大きいため、露光時にお
ける分割された設計データの接続部の幅が他の分割され
ない設計データの幅よりも大きいので、これにより、接
続異常の影響を受けにくくなる。また、第２の設計デー
タ群のデータ数を減らせるため、一般的なデータ処理の
手法である繰り返し処理の処理回数をも減らすことがで
きるので、スループットが向上する。

【００１８】本発明に係る第２の描画パターンデータ生
成方法は、設計パターンと対応する複数の設計データか
ら、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基板上に設計
パターンと対応して描画される描画パターンデータを生
成する描画パターンデータ生成方法を対象とし、設計パ
ターンが形成される領域と対応し且つ複数の設計データ
が配置されている所定領域を、露光ビームの偏向幅と対
応する幅を持つストライプ状の複数の第１の部分露光領
域に区画する第１の領域区画工程と、複数の設計データ
から、複数の第１の部分露光領域のうちのいずれか１つ
の領域に収まる設計データを第１の設計データ群として
抽出すると共に、複数の第１の部分露光領域のうちの２
つ以上の領域にまたがる設計データを第２の設計データ
群として抽出するデータ群抽出工程と、第１の設計デー
タ群に含まれる設計データを複数の第１の部分露光領域
ごとに第１の描画パターンデータとして生成する第１の
描画パターンデータ生成工程と、所定領域を、第２の設
計データ群のうちの少なくとも１つの設計データが収ま
り且つ第１の部分露光領域と異なる複数の第２の部分露
光領域に区画する第２の領域区画工程と、第２の設計デ
ータ群に含まれる設計データを複数の第２の部分露光領
域ごとに第２の描画パターンデータとして生成する第２
の描画パターンデータ生成工程とを備えている。

【００１９】第２の描画パターンデータ生成方法による
と、第２の設計データ群のうちの少なくとも１つの設計
データが２つ以上の部分露光領域にまたがらなくなるよ
うにするため、複数の設計データのうち２つ以上の部分
露光領域に分割される設計データの数を確実に減らすこ
とができるので、描画パターンの精度が向上する。その
結果、接続異常が生じたレジストパターンに起因する描
画パターンの断線又は変形を防止できるので、半導体装
置の性能が向上すると共に製造時の歩留まりが向上す
る。

【００２０】第２の描画パターンデータ生成方法におい
て、第２の領域区画工程が、第２の部分露光領域を第１
の部分露光領域の幅と異なる幅で区画する工程を含むこ
とが好ましい。このようにすると、所定領域を複数の第
２の部分露光領域に区画する際に、該第２の部分露光領
域を第１の部分露光領域の幅と異なる幅で区画できるた
め、第２の設計データ群に属する設計データをいずれか
の第２の部分露光領域に収め易くなるので、分割される
設計データの数を低減できる。

【００２１】第２の描画パターンデータ生成方法におい
て、データ群抽出工程における第１の設計データ群を抽
出する工程が、第１の部分露光領域の幅を所定量だけ拡
大し、拡大された第１の部分露光領域に基づいて第１の
設計データ群を抽出する工程を含むことが好ましい。こ
のように、露光ビームの偏向幅のマージンを見越して第
１の設計データ群に取り込む設計データの取り込み幅を
拡大するため、第１の部分露光領域の境界上に位置する
設計データであっても１つの領域に収まり、第１の設計
データ群に属する設計データが増えるので、逆に、第２
の設計データ群に属する設計データを減らすこができ
る。このため、部分露光領域を複数回繰り返して区画し
直す場合には、繰り返し処理の収束が早くなり、スルー
プットが向上する。

【００２２】第２の描画パターンデータ生成方法におい
て、データ群抽出工程における第１の設計データ群を抽
出する工程が、複数の第１の部分露光領域のうちの２つ
以上の領域にまたがる設計データのうち、該設計データ
における第１の部分露光領域同士の境界との交差部分の
寸法が所定寸法よりも大きい設計データを第１の設計デ
ータ群に含める工程を含むことが好ましい。

【００２３】本発明に係る第３の描画パターンデータ生
成方法は、設計パターンと対応する複数の設計データか
ら、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基板上に設計
パターンと対応して描画される描画パターンデータを生
成する描画パターンデータ生成方法を対象とし、設計パ
ターンが形成される領域と対応し且つ複数の設計データ
が配置されている所定領域を、露光ビームの偏向幅と対
応する幅を持つストライプ状の複数の第１の部分露光領
域に区画する第１の領域区画工程と、複数の設計データ
から、複数の第１の部分露光領域のうちのいずれか１つ
の領域に収まる設計データを第１の設計データ群として
抽出すると共に、複数の第１の部分露光領域のうちの２
つ以上の領域にまたがる設計データを第２の設計データ
群として抽出する第１のデータ群抽出工程と、第１の設
計データ群に含まれる設計データを複数の第１の部分露
光領域ごとに第１の描画パターンデータとして生成する
第１の描画パターンデータ生成工程と、所定領域を、第
２の設計データ群のうちの少なくとも１つの設計データ
が収まり且つ第１の部分露光領域と異なる複数の第２の
部分露光領域に区画する第２の領域区画工程と、第２の
設計データ群から、複数の第２の部分露光領域のうちの
いずれか１つの領域に収まる設計データを第３の設計デ
ータ群として抽出すると共に、複数の第２の部分露光領
域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計データを第４
の設計データ群として抽出する第２のデータ群抽出工程
と、第３の設計データ群に含まれる設計データを複数の
第２の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデータと
して生成する第２の描画パターンデータ生成工程と、所
定領域を、第４の設計データ群のうちの少なくとも１つ
の設計データが収まり且つ第２の部分露光領域と異なる
複数の第３の部分露光領域に区画する第３の領域区画工
程と、第４の設計データ群に含まれる設計データを複数
の第３の部分露光領域ごとに第３の描画パターンデータ
として生成する第３の描画パターンデータ生成工程とを
備えている。

【００２４】第３の描画パターンデータ生成方法による
と、本発明の第２の描画パターンデータ生成方法の構成
に加えて、第２の設計データ群から、複数の第２の部分
露光領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計デー
タを第３の設計データ群として抽出すると共に、複数の
第２の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
設計データを第４の設計データ群として抽出するため、
すべての設計データのうち部分露光領域の境界にまたが
る設計データをさらに減らすことができるので、接続異
常がさらに減少する。

【００２５】第３の描画パターンデータ生成方法におい
て、第２の領域区画工程が、第２の部分露光領域を第１
の部分露光領域の幅とは異なる幅で区画する工程を含
み、第３の領域区画工程が、第３の部分露光領域を第１
の部分露光領域の幅又は第２の部分露光領域の幅と異な
る幅で区画する工程を含むことが好ましい。

【００２６】第３の描画パターンデータ生成方法が、第
３の描画パターン生成工程よりも後に、２つ以上の部分
領域にまたがる設計データがなくなるまで、所定領域を
複数の部分露光領域に区画する工程及び描画パターンデ
ータの生成工程を繰り返し行なう繰り返し工程をさらに
備えていることが好ましい。このようにすると、設計デ
ータのすべての描画パターンデータに接続異常が生じな
くなる。

【００２７】第３の描画パターンデータ生成方法におい
て、第１のデータ群抽出工程における第１の設計データ
群を抽出する工程が、第１の部分露光領域の幅を所定量
だけ拡大し、拡大された第１の部分露光領域に基づいて
第１の設計データ群を抽出する工程を含み、第２のデー
タ群抽出工程における第３の設計データ群を抽出する工
程は、第２の部分露光領域の幅を所定量だけ拡大し、拡
大された第２の部分露光領域に基づいて第３の設計デー
タ群を抽出する工程を含むことが好ましい。

【００２８】第３の描画パターンデータ生成方法におい
て、第１のデータ群抽出工程における第１の設計データ
群を抽出する工程が、複数の第１の部分露光領域のうち
の２つ以上の領域にまたがる設計データのうち、該設計
データにおける第１の部分露光領域同士の境界との交差
部分の寸法が所定寸法よりも大きい設計データを第１の
設計データ群に含める工程を含み、第２のデータ群抽出
工程における第３の設計データ群を抽出する工程は、複
数の第２の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまた
がる設計データのうち、該設計データにおける第２の部
分露光領域同士の境界との交差部分の寸法が所定寸法よ
りも大きい設計データを第３の設計データ群に含める工
程を含むことが好ましい。このようにすると、部分露光
領域同士の境界との交差部分の寸法が所定寸法よりも大
きい設計データは、接続異常が生じにくい設計データを
第１の設計データ群又は第３の設計データ群に取り込め
るため、第２の設計データ群及び第４の設計データ群に
含まれる設計データの数を減らすことができる。

【００２９】第３の描画パターンデータ生成方法が、第
３の描画パターンデータ生成工程よりも後に、第４の設
計データ群に属する設計データのうち、第３の部分露光
領域の幅方向の大きさが第３の部分露光領域の幅よりも
大きい設計データであって第３の部分露光領域が延びる
露光方向と垂直な方向の長さが第３の部分露光領域の幅
よりも小さく且つ露光方向の幅が所定値よりも大きい張
り出し部を有する設計データを抽出する工程と、所定領
域を複数の第４の部分露光領域に、その境界が張り出し
部上に位置するように区画する工程とをさらに備えてい
ることが好ましい。このようにすると、第４の設計デー
タ群に含まれる設計データのうち、第３の部分露光領域
の幅方向の大きさが第３の部分露光領域の幅よりも大き
い設計データは、部分露光領域の区画位置を変更しても
１つの部分露光領域に収まらないため、繰り返し処理が
収束しないが、露光方向の幅が所定値よりも大きい張り
出し部を有する設計データを抽出し、抽出された設計デ
ータの張り出し部に部分露光領域同士の境界が位置する
ように区画するため、分割されたデータであっても描画
パターンの接続異常が生じにくくなる。

【００３０】第３の描画パターンデータ生成方法におい
て、第３の描画パターンデータ生成工程が、第４の設計
データ群に属する設計データのうち、第３の部分露光領
域の幅方向の大きさが第３の部分露光領域の幅よりも大
きい設計データにおける第３の部分露光領域同士の境界
との交差部分に対して、基板上に描画された描画パター
ンの変形を防止する補助パターンデータを付加する工程
を含むことが好ましい。このようにすると、第３の部分
露光領域の幅方向の大きさが第３の部分露光領域の幅よ
りも大きい設計データは、区画位置を変更しても１つの
部分露光領域に収まらないため、繰り返し処理が収束し
ないが、設計データにおける第３の部分露光領域同士の
境界との交差部分に対して描画パターンの変形を防止す
る補助パターンデータを付加するため、分割されたデー
タであっても描画パターンの接続異常が生じにくくな
る。

【００３１】本発明に係る第４の描画パターンデータ生
成方法は、設計パターンと対応する複数の設計データか
ら、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基板上に設計
パターンと対応して描画される描画パターンデータを生
成する描画パターンデータ生成方法を対象とし、複数の
設計データから、パターン幅が所定値よりも大きい第１
の設計データ群及びパターン幅が所定値よりも小さい第
２の設計データ群を生成するデータ群生成工程と、設計
パターンが形成される領域と対応し且つ第１の設計デー
タ群及び第２の設計データ群が配置されている所定領域
を、露光ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライプ
状の複数の第１の部分露光領域に区画する第１の領域区
画工程と、第１の設計データ群に含まれる設計データを
複数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデ
ータとして生成する第１の描画パターンデータ生成工程
と、第２の設計データ群から、複数の第１の部分露光領
域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データを第
３の設計データ群として抽出すると共に、複数の第１の
部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計デ
ータを第４の設計データ群として抽出するデータ群抽出
工程と、第３の設計データ群に含まれる設計データを複
数の第１の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデー
タとして生成する第２の描画パターンデータ生成工程
と、所定領域を、第４の設計データ群のうちの少なくと
も１つの設計データが収まり且つ第１の部分露光領域と
異なる複数の第２の部分露光領域に区画する第２の領域
区画工程と、第４の設計データ群に含まれる設計データ
を複数の第２の部分露光領域ごとに第３の描画パターン
データとして生成する第３の描画パターンデータ生成工
程とを備えている。

【００３２】第４の描画パターンデータ生成方法による
と、所定領域を複数の第１の部分露光領域に区画する前
に、あらかじめパターン幅が所定値よりも大きい設計デ
ータからなる第１の設計データ群とパターン幅が所定値
よりも小さい設計データからなる第２の設計データ群と
を生成しているため、第２の描画パターンデータ生成方
法と同様の方法により、所定領域を複数の第２の部分露
光領域に区画したとしても、該第２の部分露光領域に区
画される第４の設計データ群のデータの数は第２の描画
パターンデータ生成方法の場合における第２の設計デー
タ群のデータ数よりも少なくなる。このため、所定領域
における部分露光領域の区画位置を変更しながら繰り返
し処理を行なったとしても、繰り返し回数を大幅に減ら
すことができる。

【００３３】本発明に係る第１のパターン描画方法は、
設計パターンと対応する複数の設計データから、基板上
に設計パターンと対応して描画される描画パターンデー
タを生成し、生成された描画パターンデータを、荷電粒
子からなる露光ビームを用いて基板上に描画するパター
ン描画方法を対象とし、設計パターンが形成される領域
と対応し且つ複数の設計データが配置されている所定領
域を、露光ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライ
プ状の複数の第１の部分露光領域に区画する第１の領域
区画工程と、複数の設計データから、複数の第１の部分
露光領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計デー
タを第１の設計データ群として抽出すると共に、複数の
第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
設計データを第２の設計データ群として抽出するデータ
群抽出工程と、第１の設計データ群に含まれる設計デー
タを複数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画パター
ンデータとして生成する第１の描画パターンデータ生成
工程と、所定領域を、第２の設計データ群のうちの少な
くとも１つの設計データが収まり且つ第１の部分露光領
域と異なる複数の第２の部分露光領域に区画する第２の
領域区画工程と、第２の設計データ群に含まれる設計デ
ータを複数の第２の部分露光領域ごとに第２の描画パタ
ーンデータとして生成する第２の描画パターンデータ生
成工程と、第１の描画パターンデータに基づいて露光ビ
ームを調節することにより、基板上に第１の描画パター
ンデータと対応する第１の描画パターンを描画する第１
のパターン描画工程と、第２の描画パターンデータに基
づいて露光ビームを調節することにより、基板上に第２
の描画パターンデータと対応する第２の描画パターンを
描画する第２のパターン描画工程とを備えている。

【００３４】第１のパターン描画方法によると、設計デ
ータの配置領域である所定領域を、第２の設計データ群
のうちの少なくとも１つの設計データが収まり且つ第１
の部分露光領域と異なる複数の第２の部分露光領域に区
画するため、複数の設計データのうち２つ以上の部分露
光領域に分割される設計データの数を減らすことができ
る。このため、２つ以上の部分露光領域に分割される設
計データを含む第２の描画パターンデータに基づいて基
板上に第２の描画パターンを描画する際に、分割されて
いる設計データの数が減るので、接続異常の描画パター
ンを減らすことができる。

【００３５】第１のパターン描画方法において、データ
群抽出工程における第１の設計データ群を抽出する工程
が、第１の部分露光領域の幅を所定量だけ拡大し、拡大
された第１の部分露光領域に基づいて第１の設計データ
群を抽出する工程を含むことが好ましい。

【００３６】第１のパターン描画方法において、データ
群抽出工程における第１の設計データ群を抽出する工程
が、複数の第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域
にまたがる設計データのうち、該設計データにおける第
１の部分露光領域同士の境界との交差部分の寸法が所定
寸法よりも大きい設計データを第１の設計データ群に含
める工程を含むことが好ましい。

【００３７】この場合に、第２のパターン描画工程が、
第２の設計データ群に属する設計データに対して多重露
光を行なう工程を含むことが好ましい。このようにする
と、部分露光領域の境界をまたぐ設計データ同士の接続
異常、特に部分露光領域同士が互いに離れるような場合
の接続異常を防止できる。その上、第２の部分露光領域
にまたがる設計データに対してのみ多重露光を行なうた
め、スループットが向上する。

【００３８】本発明に係る第２のパターン描画方法は、
設計パターンと対応する複数の設計データから、基板上
に設計パターンと対応して描画される描画パターンデー
タを生成し、生成された描画パターンデータを、荷電粒
子からなる露光ビームを用いて基板上に描画するパター
ン描画方法を対象とし、設計パターンが形成される領域
と対応し且つ複数の設計データが配置されている所定領
域を、露光ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライ
プ状の複数の第１の部分露光領域に区画する第１の領域
区画工程と、複数の設計データから、複数の第１の部分
露光領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計デー
タを第１の設計データ群として抽出すると共に、複数の
第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
設計データを第２の設計データ群として抽出する第１の
データ群抽出工程と、第１の設計データ群に含まれる設
計データを複数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画
パターンデータとして生成する第１の描画パターンデー
タ生成工程と、所定領域を、第２の設計データ群のうち
の少なくとも１つの設計データが収まり且つ第１の部分
露光領域と異なる複数の第２の部分露光領域に区画する
第２の領域区画工程と、第２の設計データ群から、複数
の第２の部分露光領域のうちのいずれか１つの領域に収
まる設計データを第３の設計データ群として抽出すると
共に、複数の第２の部分露光領域のうちの２つ以上の領
域にまたがる設計データを第４の設計データ群として抽
出する第２のデータ群抽出工程と、第３の設計データ群
に含まれる設計データを複数の第２の部分露光領域ごと
に第２の描画パターンデータとして生成する第２の描画
パターンデータ生成工程と、所定領域を、第４の設計デ
ータ群のうちの少なくとも１つの設計データが収まり且
つ第２の部分露光領域と異なる複数の第３の部分露光領
域に区画する第３の領域区画工程と、第４の設計データ
群に含まれる設計データを複数の第３の部分露光領域ご
とに第３の描画パターンデータとして生成する第３の描
画パターンデータ生成工程と、第１の描画パターンデー
タに基づいて、露光ビームの出力状態、偏向状態又は基
板上における露光ビームの照射位置とを調節することに
より、基板上に第１の描画パターンデータと対応する第
１の描画パターンを描画する第１のパターン描画工程
と、第２の描画パターンデータに基づいて、露光ビーム
の出力状態、偏向状態又は基板上における露光ビームの
照射位置とを調節することにより、基板上に第２の描画
パターンデータと対応する第２の描画パターンを描画す
る第２のパターン描画工程と、第３の描画パターンデー
タに基づいて、露光ビームの出力状態、偏向状態又は基
板上における露光ビームの照射位置とを調節することに
より、基板上に第３の描画パターンデータと対応する第
３の描画パターンを描画する第３のパターン描画工程と
を備えている。

【００３９】第２のパターン描画方法によると、本発明
の第３の描画パターンデータ生成方法を用いて、設計パ
ターンと対応する複数の設計データから基板上に設計パ
ターンと対応して描画される描画パターンデータを生成
するため、すべての設計データのうち２つ以上の部分露
光領域にまたがる設計データをさらに減らすことができ
る。その結果、２つ以上の部分露光領域に分割される設
計データを含む第３の描画パターンデータに基づいて基
板上に第３の描画パターンを描画する際に、分割されて
いる設計データ同士の接続部の数が減るため、接続異常
もさらに低減するので、さらに高精度な描画パターンを
得ることができる。

【００４０】第２のパターン描画方法において、第１の
データ群抽出工程における第１の設計データ群を抽出す
る工程が、第１の部分露光領域の幅を所定量だけ拡大
し、拡大された第１の部分露光領域に基づいて第１の設
計データ群を抽出する工程を含み、第２のデータ群抽出
工程における第３の設計データ群を抽出する工程が、第
２の部分露光領域の幅を所定量だけ拡大し、拡大された
第２の部分露光領域に基づいて第３の設計データ群を抽
出する工程を含むことが好ましい。

【００４１】第２のパターン描画方法において、第１の
データ群抽出工程における第１の設計データ群を抽出す
る工程が、複数の第１の部分露光領域のうちの２つ以上
の領域にまたがる設計データのうち、該設計データにお
ける第１の部分露光領域同士の境界との交差部分の寸法
が所定寸法よりも大きい設計データを第１の設計データ
群に含める工程を含み、第２のデータ群抽出工程におけ
る第３の設計データ群を抽出する工程が、複数の第２の
部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計デ
ータのうち、該設計データにおける第２の部分露光領域
同士の境界との交差部分の寸法が所定寸法よりも大きい
設計データを第３の設計データ群に含める工程を含むこ
とが好ましい。

【００４２】この場合に、第３のパターン描画工程が、
第４の設計データ群に属する設計データに対して多重露
光を行なう工程を含むことが好ましい。

【００４３】本発明に係る第３のパターン描画方法は、
設計パターンと対応する複数の設計データから、基板上
に設計パターンと対応して描画される描画パターンデー
タを生成し、生成された描画パターンデータを、荷電粒
子からなる露光ビームを用いて基板上に描画するパター
ン描画方法を対象とし、設計パターンが形成される領域
と対応し且つ複数の設計データが配置されている所定領
域を、露光ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライ
プ状の複数の部分露光領域に区画する領域区画工程と、
複数の設計データから、複数の部分露光領域のうちのい
ずれか１つの領域に収まる設計データを第１の設計デー
タ群として抽出すると共に、複数の部分露光領域のうち
の２つ以上の領域にまたがる設計データを第２の設計デ
ータ群として抽出するデータ群抽出工程と、第１の設計
データ群に含まれる設計データを複数の部分露光領域ご
とに第１の描画パターンデータとして生成する第１の描
画パターンデータ生成工程と、第２の設計データ群に含
まれる設計データを複数の部分露光領域ごとに第２の描
画パターンデータとして生成する第２の描画パターンデ
ータ生成工程と、第１の描画パターンデータに基づいて
露光ビームを調節することにより、基板上に第１の描画
パターンデータと対応する第１の描画パターンを描画す
る第１のパターン描画工程と、第２の描画パターンデー
タに基づいて露光ビームを調節し且つ多重露光を行なう
ことにより、基板上に第２の描画パターンデータと対応
する第２の描画パターンを描画する第２のパターン描画
工程とを備えている。

【００４４】第３のパターン描画方法によると、設計デ
ータから、複数の部分露光領域のうちの２つ以上の領域
にまたがる設計データを第２の設計データ群として抽出
し、抽出された第２の設計データ群に属する設計データ
からなる第２の描画パターンデータに対して多重露光を
行なうため、隣接する部分露光領域に分割される第２の
描画パターンデータであっても、分割された描画パター
ンデータに基づいて基板上に描画された描画パターンに
接続異常が生じにくくなる。

【００４５】第３のパターン描画方法において、データ
群抽出工程における第１の設計データ群を抽出する工程
が、複数の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまた
がる設計データのうち、該設計データにおける部分露光
領域同士の境界との交差部分の寸法が所定寸法よりも大
きい設計データを第１の設計データ群に含める工程を含
むことが好ましい。

【００４６】本発明に係る荷電粒子描画装置は、設計パ
ターンと対応する複数の設計データから、基板上に設計
パターンと対応して描画される描画パターンデータを生
成し、生成された描画パターンデータを、荷電粒子から
なる露光ビームを用いて基板上に描画する荷電粒子描画
装置を対象とし、露光ビームを基板に向かって出射する
荷電粒子発生手段と、基板を保持する基板保持手段と、
荷電粒子発生手段と基板保持手段との間に設けられ、露
光ビームを所定の形状に成形するビーム成形手段と、荷
電粒子発生手段の出力状態を調節する荷電粒子制御手段
と、基板保持手段に対して、該基板保持手段と荷電粒子
発生手段との相対位置を決定する基板位置制御手段と、
ビーム成形手段に対して露光ビームの成形形状を規制す
るビーム形状制御手段と、複数の設計データから描画パ
ターンデータを生成する描画パターンデータ生成手段と
を備え、描画パターンデータ生成手段は、設計パターン
が形成される領域と対応し、複数の設計データが配置さ
れている所定領域を、露光ビームの偏向幅と対応し且つ
変更可能な幅を持つストライプ状の複数の部分露光領域
に区画する領域区画部と、複数の設計データから、複数
の部分露光領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設
計データを第１の設計データ群として抽出すると共に、
複数の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
設計データを第２の設計データ群として抽出するデータ
群抽出部と、第１の設計データ群に含まれる設計データ
を複数の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデータ
として生成すると共に、第２の設計データ群に含まれる
設計データを複数の部分露光領域ごとに第２の描画パタ
ーンデータとして生成するデータ生成部とを有し、荷電
粒子制御手段は、生成された描画パターンデータに基づ
いて、荷電粒子発生手段の出力状態を調節し、基板位置
制御手段は、生成された描画パターンデータに基づい
て、基板保持手段に保持されている基板と荷電粒子発生
手段が出射する露光ビームとの相対位置を変動させ、ビ
ーム形状制御手段は、生成された描画パターンデータに
基づいて、露光ビームを部分露光領域と対応するストラ
イプ形状に成形する。

【００４７】本発明の荷電粒子描画装置によると、設計
パターンと対応する複数の設計データから基板上に設計
パターンと対応して描画される描画パターンデータを生
成する描画パターンデータ生成手段が、設計パターン形
成領域と対応し且つ複数の設計データが配置されている
所定領域を露光ビームの偏向幅と対応し且つ変更可能な
幅を持つストライプ状の複数の部分露光領域に区画する
領域区画部と、複数の設計データから複数のストライプ
領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データを
第１の設計データ群として抽出すると共に複数の部分露
光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計データを
第２の設計データ群として抽出するデータ群抽出部とを
有している。このため、領域区画部に対して、第２の設
計データ群に含まれる設計データが配置されている所定
領域を第２の設計データ群のうちの少なくとも１つの設
計データが部分露光領域の境界をまたがないように他の
複数の部分露光領域に区画させるようにすると、本発明
の第１のパターン描画方法又は第２のパターン描画方法
を確実に実現できる。

【００４８】本発明の荷電粒子描画装置において、描画
パターンデータ生成手段が、第２の描画パターンデータ
に対して多重露光を行なわせることが好ましい。

【００４９】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態について図面を参照しながら説明す
る。

【００５０】図１は本発明の第１の実施形態に係る描画
パターンデータ生成方法の処理フローを示し、図２
（ａ）〜図２（ｃ）は本実施形態に係る描画パターンデ
ータ生成方法における設計データの工程順のレイアウト
構成を示している。まず、図１に示す設計データ準備工
ＳＴ０１程において、図２（ａ）に示すように、基板上
に形成される設計パターンと対応する複数の設計データ
１１〜１６を準備する。これらの設計データ１１〜１６
は設計パターン形成領域と対応するようにデータ配置領
域１０に配置される。

【００５１】次に、図１に示す第１の領域区画工程ＳＴ
０２において、データ配置領域１０を３本のストライプ
領域６１ａ〜６１ｃからなる第１のストライプ領域群６
１に区画する。各ストライプ領域６１ａ〜６１ｃの幅
は、例えば、電子線描画装置における露光ビームの部分
露光領域と対応しており、従って、電子線描画装置の主
偏向器の最大偏向幅により規制される。ここでは、第１
のストライプ領域群６１のストライプ幅を５ｍｍとして
いる。

【００５２】次に、図１に示す第１のデータ群抽出工程
ＳＴ０３において、複数の設計データ１１〜１６から、
各ストライプ領域６１ａ〜６１ｃのうちのいずれか１つ
の領域に収まる、すなわち、複数のストライプ領域６１
ａ〜６１ｃのいずれの境界をもまたがない設計データを
第１の設計データ群として抽出する。従って、図２
（ｂ）においては、設計データ１１〜１５が各ストライ
プ領域６１ａ〜６１ｃのうちのいずれか１つの領域に収
まるため、設計データ１１〜１５は第１の設計データ群
を形成する。続いて、第１の設計データ群に含まれる設
計データ１１〜１５を第１のストライプ群６１のストラ
イプ領域ごとに第１の描画パターンデータ１として生成
する。

【００５３】次に、図１に示す第２のデータ群抽出工程
ＳＴ０４において、第１のストライプ領域群６１の複数
の領域にまたがる設計データを第２の設計データ群とし
て抽出する。図２（ｂ）においては、設計データ１６が
隣接するストライプ領域６１ａ、６１ｂにまたがるた
め、該設計データ１６が第２の設計データ群を形成す
る。

【００５４】ここでは、設計データ１１〜１６に対し
て、説明の都合上、第１の設計データ群抽出工程ＳＴ０
３及び第２の設計データ群抽出工程ＳＴ０４の２度の抽
出工程を行なっているが、第１の設計データ１１〜１６
から第１の設計データ群及び第２の設計データ群のうち
の一方のデータ群を抽出すれば、他方のデータ群が決定
されることはいうまでもない。

【００５５】次に、図１に示す第２の領域区画工程ＳＴ
０５において、図２（ｃ）に示すように、データ配置領
域１０を、設計データ１６が収まり且つ第１のストライ
プ領域群６１の区画位置と異なる第２のストライプ領域
６２に区画する。この第２のストライプ領域６２に収ま
る設計データ１６を第２の描画パターンデータ２として
生成する。ここで、第２のストライプ領域６２のストラ
イプ幅は、第１のストライプ領域群６１のストライプ幅
と同一でもよく、また異なっていてもよい。

【００５６】このように、本実施形態によると、設計デ
ータ１１〜１６のうち、第１のストライプ領域群６１に
おける領域の境界をまたぐ設計データ１６が、第１のス
トライプ領域群６１と異なる第２のストライプ領域６２
に完全に収まるため、設計データ１６から生成される第
２の描画パターンデータ２には接続異常が決して生じな
くなるので、第２の描画パターンデータ２に基づいて描
画される描画パターンの精度が向上する。

【００５７】また、本実施形態においては、荷電粒子か
らなる露光ビームを電子線としているが、描画パターン
データの生成には荷電粒子の種類は問われない。

【００５８】すなわち、本発明は、描画（露光）領域が
設計パターンの形成領域よりも小さく、従って、設計パ
ターンと対応する描画パターンデータを複数の描画領域
に分割する必要がある描画パターンデータを生成する際
に有効となる。

【００５９】また、描画対象として半導体集積回路装置
の半導体基板上の設計パターンを想定しているが、これ
に限らず、半導体集積回路装置の製造に用いる露光用マ
スクのマスクパターン、液晶ディスプレイ装置の表示基
板の設計パターン又は薄膜磁気ヘッド装置の磁気ヘッド
の設計パターン等の描画にも有効である。

【００６０】（第１の実施形態の第１変形例）以下、本
発明の第１の実施形態の第１変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００６１】図３（ａ）〜図３（ｃ）は本変形例に係る
描画パターンデータ生成方法における設計データの工程
順のレイアウト構成を示している。ここで、図３（ａ）
〜図３（ｃ）において、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示す
構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことに
より説明を省略する。図３（ａ）に示すように、その大
部分が第１のストライプ領域群６１のストライプ領域６
１ｃに含まれる設計データ１７は、ストライプ領域６１
ｂ側の先端部が該ストライプ領域６１ｂとストライプ領
域６１ｃとにまたがって配置されている。

【００６２】本変形例は、図１に示す第１の設計データ
群抽出工程ＳＴ０３において、抽出時にのみ第１のスト
ライプ領域群６１の各ストライプ幅を所定幅だけ拡大
し、拡大されたストライプ領域６１ａ〜６１ｃを用いて
第１の設計データ群を抽出することを特徴とする。

【００６３】図３（ａ）において、拡大された所定幅を
取り込み幅６１ｄとして表わしており、該取り込み幅６
１ｄを、例えば０．５μｍ程度に設定している。このよ
うにすると、図３（ｂ）に示すように、設計データ１７
は、第１の設計データ群抽出工程ＳＴ０３において、デ
ータ抽出時にストライプ領域６１ｃに含まれていると判
定されるため、第１の設計データ群として取り込まれ
る。なお、主偏向器の最大偏向領域を５ｍｍとしている
が、通常の電子線描画装置の主偏向器の偏向幅は、数μ
ｍのマージンを持っているため、図３（ｂ）に示す設計
データ１７に示すように、ストライプ領域６１ｂに描画
パターンが突き出していても描画は可能である。

【００６４】このように、本変形例によると、第１の実
施形態の特徴に加えて、第１の設計データ群に属する設
計データの数が増え、逆に第２の設計データ群に属する
設計データの数が減るため、ストライプ分割の繰り返し
処理を行なうような場合には繰り返し処理が収束し易く
なる。

【００６５】なお、取り込み幅６１ｄの値を０．５μｍ
としたが、電子線描画装置によって適当な値を選択すれ
ばよい。

【００６６】（第１の実施形態の第２変形例）以下、本
発明の第１の実施形態の第２変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００６７】図４（ａ）〜図４（ｃ）は本変形例に係る
描画パターンデータ生成方法における設計データの工程
順のレイアウト構成を示している。ここで、図４（ａ）
〜図４（ｃ）において、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示す
構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことに
より説明を省略する。

【００６８】図４（ａ）に示すように、データ配置領域
１０上に配置された複数の設計データのうち、設計デー
タ１６及び１８は隣接するストライプ領域間にまたがっ
ている。また、設計データ１６におけるストライプ領域
同士の境界との交差部分の寸法が０．４μｍであり、一
方、設計データ１８における境界との交差部分の寸法が
１．２μｍであるとする。

【００６９】本変形例は、図１に示す第１の設計データ
群抽出工程ＳＴ０３において、隣接するストライプ領域
同士にまたがる設計データのうち、設計データにおける
ストライプ領域同士の境界との交差部分の寸法が１．０
μｍ以上の設計データを第１の設計データ群として取り
込み、該交差部分の寸法が１．０μｍ未満の設計データ
を第２の設計データ群に含めることを特徴とする。

【００７０】分割されたデータ同士が隣接して接続され
る際の接続誤差は５０ｎｍ程度であるが、設計データ１
８は交差部分の寸法が１μｍ以上であるため、接続誤差
の影響はほとんど問題にならず、接続される描画パター
ンに対して十分な精度を維持できるので、第１の設計デ
ータ群に含めることができる。

【００７１】従って、第１の実施形態の特徴に加えて、
第２の設計データ群に属する設計データのデータ数を減
らせるため、ストライプ分割の繰り返し処理を行なうよ
うな場合には繰り返し処理が収束し易くなる。

【００７２】なお、本変形例においては、設計データに
おけるストライプ領域との交差部分の幅寸法が１μｍ未
満の設計データのみを第２の設計データ群として抽出す
るようにしているが、描画装置の精度又はプロセス条件
等により最適化すれば良い。

【００７３】また、本変形例においては、領域の境界に
おける交差部分の寸法が所定寸法値、例えば、１μｍと
一致する場合には、第１の設計データ群に含めている
が、第２の設計データ群に含めてもよい。

【００７４】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００７５】図５は本発明の第２の実施形態に係る描画
パターンデータ生成方法の処理フローを示し、図６
（ａ）〜図６（ｅ）は第２の実施形態に係る描画パター
ンデータ生成方法における設計データの工程順のレイア
ウト構成を示している。まず、図５に示す設計データ準
備工程ＳＴ１１において、図６（ａ）に示すように、基
板上に形成される設計パターンと対応する複数の設計デ
ータ２１〜２６をデータ配置領域１０上に用意する。

【００７６】次に、図５に示す第１の領域区画工程ＳＴ
１２において、データ配置領域１０を幅が５ｍｍ程度の
ストライプ領域６１ａ〜６１ｃからなる第１のストライ
プ領域群６１に区画する。

【００７７】次に、図５に示す第１のデータ群抽出工程
ＳＴ１３において、複数の設計データから、各ストライ
プ領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データ
を第１の設計データ群として抽出する。従って、図６
（ｂ）においては、設計データ２１〜２３がストライプ
領域６１ａ、６１ｃのいずれかに収まるため、設計デー
タ２１〜２３は第１の設計データ群を形成する。続い
て、該第１の設計データ群に含まれる設計データ２１〜
２３を第１のストライプ群６１のストライプ領域ごとに
第１の描画パターンデータ１として生成する。

【００７８】次に、図５に示す第２のデータ群抽出工程
ＳＴ１４において、第１のストライプ領域群６１の複数
の領域にまたがる設計データを第２の設計データ群とし
て抽出する。図６（ａ）に示すように、設計データ２４
が互いに隣接するストライプ領域６１ａ、６１ｂにまた
がり、設計データ２５、２６が互いに隣接するストライ
プ領域６１ｂ、６１ｃにまたがるため、該設計データ２
４〜２６が第２の設計データ群を形成する。

【００７９】次に、図５に示す第２の領域区画工程ＳＴ
１５において、図６（ｃ）に示すように、データ配置領
域１０を、設計データ２４、２５が収まり且つ第１のス
トライプ領域群６１と異なる第２のストライプ領域６２
に区画する。

【００８０】次に、図５に示す第３のデータ群抽出工程
ＳＴ１６において、第２の設計データ群から、各ストラ
イプ領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計デー
タを第３の設計データ群として抽出する。従って、図６
（ｄ）においては、設計データ２４、２５がストライプ
領域６２ａ、６２ｂにそれぞれ収まるため、設計データ
２４、２５は第３の設計データ群を形成する。従って、
該第３の設計データ群に含まれる設計データ２４、２５
を第２のストライプ群６２のストライプ領域ごとに第２
の描画パターンデータ２として生成する。

【００８１】次に、図５に示す第４のデータ群抽出工程
ＳＴ１７において、第２のストライプ領域群６２の隣接
する領域にまたがる設計データを第４の設計データ群と
して抽出する。図６（ｃ）に示すように、設計データ２
６が互いに隣接するストライプ領域６２ａ、６２ｂにま
たがるため、該設計データ２６が第４の設計データ群を
なす。

【００８２】次に、図５に示す第３の領域区画工程ＳＴ
１８において、図６（ｅ）に示すように、データ配置領
域１０を、第４の設計データ群に属する設計データ２６
が収まり且つ第２のストライプ領域群６２の区画位置と
異なる第３のストライプ領域６３に区画する。

【００８３】次に、図５に示す第５のデータ群抽出工程
ＳＴ１９において、第４の設計データ群から、各ストラ
イプ領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計デー
タを第５の設計データ群として抽出する。従って、図６
（ｅ）においては、設計データ２６が第３のストライプ
領域６３に収まるため、設計データ２６は第５の設計デ
ータ群を形成する。従って、第５の設計データ群に含ま
れる設計データ２６を第３のストライプ領域６３上の第
３の描画パターンデータ３として生成する。

【００８４】次に、図５に示す第６のデータ群抽出工程
ＳＴ２０において、第３のストライプ領域６３の境界に
またがる設計データを第６の設計データ群として抽出
し、抽出された第６の設計データ群に含まれる設計デー
タを第３のストライプ領域６３ごとに第４の描画パター
ンデータとして生成する。

【００８５】但し、図６（ｅ）に示す例では、第３のス
トライプ領域６３の境界にまたがる設計データは存在せ
ず、従って、この例では、第６の設計データ群は生成さ
れない。

【００８６】また、本変形例においては、発明の基本概
念を説明したに過ぎず、第４及び第５の設計データ群の
要素を設計データ２６のみとしている。実際の半導体装
置の設計データ数は膨大であり、第３のストライプ領域
（群）６３までの３度の区画処理だけでは、隣接するス
トライプ領域の境界にまたがる設計データは多数残ると
考えられる。従って、実際に描画パターンデータを生成
する際には、コンピュータ装置を用いたデータ処理であ
って、ストライプ領域群の区画位置を順次変更しなが
ら、隣接するストライプ領域にまたがる設計データの数
が減少するように、望ましくは隣接するストライプ領域
にまたがる設計データがなくなるまで繰り返し処理を行
なうようにする。但し、設計データの規模によっては、
繰り返し処理の回数が多いとスループットタイムが著し
く増加するため、繰り返し回数の調整は当然に必要とな
る。

【００８７】なお、本実施形態においても、第１の実施
形態の第１変形例と同様に、第１のデータ群抽出工程Ｓ
Ｔ１３、第３のデータ群抽出工程ＳＴ１６又は第５のデ
ータ群抽出工程ＳＴ１９において、各ストライプ領域に
対して幅が０．５μｍの取り込み幅を設けてもよい。ま
た、第１の実施形態の第２変形例と同様に、第１のデー
タ群抽出工程ＳＴ１３、第３のデータ群抽出工程ＳＴ１
６又は第５のデータ群抽出工程ＳＴ１９において、各ス
トライプ領域の境界にまたがる設計データのうち、設計
データにおけるストライプ領域同士の境界との交差部分
の寸法が所定値以上の設計データを第１の設計データ
群、第３の設計データ群又は第５の設計データ群として
それぞれ取り込んでもよい。

【００８８】このように、本実施形態によると、データ
配置領域１０に対して、露光ビームの偏向可能幅により
規制される部分露光領域と対応する一のストライプ領域
群を用いて区画する。次に、隣接するストライプ領域間
にまたがる設計データのみを抽出し、領域間にまたがる
設計データのうちの少なくとも１つが境界をまたがらな
いように他のストライプ領域群を用いてデータ配置領域
１０を区画し直す。従って、用意された複数の設計デー
タのいずれもがストライプ領域に分割されなくなるまで
区画処理を繰り返すことにより、生成される描画パター
ンデータには接続異常が決して生じなくなるため、これ
ら描画パターンデータに基づいて描画される描画パター
ンの精度が飛躍的に向上する。

【００８９】（第２の実施形態の第１変形例）以下、本
発明の第２の実施形態の第１変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００９０】図７（ａ）〜図７（ｄ）及び図８（ａ）〜
図８（ｃ）は本変形例に係る描画パターンデータ生成方
法における設計データの工程順のレイアウト構成を示し
ている。ここで、図７（ａ）〜図７（ｄ）及び図８
（ａ）〜図８（ｃ）において、図６（ａ）〜図６（ｅ）
に示す構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付す
ことにより説明を省略する。図７（ａ）に示すように、
本変形例においては、ストライプ領域の幅方向の大きさ
（＝長さ）がストライプ領域の幅よりも大きく且つ張り
出し部２７ａを有する設計データ２７が配置されている
場合のデータの生成方法を説明する。

【００９１】まず、図７（ｂ）に示すように、設計デー
タ２１〜２３が第１の設計データ群を形成し、設計デー
タ２４〜２８が第２の設計データ群を形成する。

【００９２】次に、図７（ｃ）に示すように、データ配
置領域１０が、第２の設計データ群のうち設計データ２
４、２５が１つのストライプ領域に収まるように第２の
ストライプ領域群６２に区画されているため、図７
（ｄ）に示すように、設計データ２７、２８は第４の設
計データ群を形成する。

【００９３】次に、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すよ
うに、データ配置領域１０を第４の設計データ群のうち
設計データ２８が第３のストライプ領域６３に収まるよ
うに区画すると、設計データ２７は領域の境界をまたぐ
ため第６の設計データ群に属する。

【００９４】次に、図８（ｃ）に示すように、第６の設
計データ群に属する設計データのうち、ストライプ領域
の幅方向の大きさがストライプ領域の幅よりも大きい設
計データを抽出する。ストライプ領域の幅方向の大きさ
がストライプ領域の幅よりも大きい設計データは１つの
ストライプ領域には決して収まらないため、データ配置
領域１０に対する区画処理を繰り返し行なっても収束し
ない。

【００９５】従って、本変形例においては、ストライプ
領域が延びる露光方向と垂直な方向の長さがストライプ
領域の幅よりも小さく、且つ、幅が接続異常が生じにく
い、例えば１μｍ以上の張り出し部２７ａを有する設計
データ２７を抽出する。続いて、データ配置領域１０を
ストライプ領域６４ａ、６４ｂからなる第４のストライ
プ領域群６４に、その境界が設計データ２７の張り出し
部２７ａ上に位置するように区画する。

【００９６】このように、幅が所定値を超える張り出し
部２７ａを有する設計データ２７における張り出し部２
７ａ上に第４のストライプ領域群６４の領域の境界が位
置するようにデータ配置領域１０を区画することによ
り、ストライプ領域間に分割される設計データであって
も、描画パターンの接続異常が生じにくくなる。

【００９７】（第２の実施形態の第２変形例）以下、本
発明の第２の実施形態の第２変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００９８】図９（ａ）〜図９（ｄ）及び図１０（ａ）
〜図１０（ｃ）は本変形例に係る描画パターンデータ生
成方法における設計データの工程順のレイアウト構成を
示している。ここで、図９（ａ）〜図９（ｄ）及び図１
０（ａ）〜図１０（ｃ）において、図７（ａ）〜図７
（ｄ）及び図８（ａ）〜図８（ｃ）に示す構成要素と同
一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省
略する。

【００９９】第１変形例においては、図８（ｂ）及び図
８（ｃ）に示すように、第６の設計データ群に属する設
計データのうち、ストライプ領域の幅方向の大きさがス
トライプ領域の幅よりも大きい設計データ２７を抽出し
た後、抽出された設計データ２７に幅が所定値を超える
張り出し部２７ａを有しているため、該張り出し部２７
ａが境界となるように、データ配置領域１０を第４のス
トライプ領域群６４に区画している。

【０１００】本変形例は、図１０（ｃ）に示すように、
ストライプ領域の幅方向の大きさがストライプ領域の幅
よりも大きい設計データ２９は、第１変形例の設計デー
タ２７のような張り出し部を持たないため、第４のスト
ライプ領域群６４の領域の境界と交差する交差部分に描
画パターンの変形を防止する補助パターンデータ３０を
積極的に付加する。

【０１０１】このようにすると、第１変形例のように張
り出し部を持たない設計データ２９であっても、描画パ
ターンの接続異常が生じにくくなる。

【０１０２】さらには、第３変形例として、複数のスト
ライプ領域に分割される設計データ２７に対して、フォ
トマスクを描画する際に用いられる多重描画処理を行な
ってもよい。領域の境界をまたぐ設計データ２９に対し
て多重描画を行なうことにより、接続異常を防止するこ
とができる。

【０１０３】このように、領域の境界をまたぐ設計デー
タ２９に対して補助パターンデータ３０を付加したり、
多重描画処理を施したりすることにより、高精度な描画
パターンを得ることができる。その上、補助パターンデ
ータの付加処理又は多重描画処理は特定の設計データに
のみ施されるため、スループットの低下を防止できる。

【０１０４】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１０５】図１１（ａ）〜図１１（ｅ）は本発明の第
３の実施形態に係る描画パターンデータ生成方法におけ
る設計データの工程順のレイアウト構成を示している。

【０１０６】本実施形態は、用意した設計データをあら
かじめパターン幅に応じて選別することを特徴とする。

【０１０７】まず、１１（ａ）に示すように、設計デー
タ配置領域１０上に複数の設計データ３１〜３６を配置
する。このうち設計データ３２、３５はパターン幅が相
対的に大きい図形と相対的に小さい図形とが接続されて
なる複合図形である。

【０１０８】次に、図１１（ｂ）に示すように、例え
ば、パターン幅が１μｍを超える第１の設計データ群と
パターン幅が１μｍ以下の第２の設計データ群とを選別
する。さらに、ここでは、設計データ３２、３５に対し
ては図形単位で分割する。従って、第１の設計データ群
には設計データ３１、３２Ａ、３４、３５Ａ、３６が含
まれ、第２の設計データ群には設計データ３２Ｂ、３
３、３５Ｂが含まれる。

【０１０９】次に、図１１（ｃ）に示すように、第１の
設計データ群が配置されているデータ配置領域１０を、
幅が５ｍｍ程度のストライプ領域６１ａ〜６１ｃからな
る第１のストライプ群６１に区画し、第１の設計データ
群に含まれる設計データ３１、３２Ａ、３４、３５Ａ、
３６を第１のストライプ領域群６１のストライプ領域ご
とに第１の描画パターンデータとして生成する。ここ
で、設計データ３６はストライプ領域６１ｂ、６１ｃの
境界により分割されるが、そのパターン幅が１μｍより
も大きいため、接続異常は生じにくい。同様に、第２の
設計データ群が配置されているデータ配置領域１０をス
トライプ領域６１ａ、６１ｂからなる第１のストライプ
群６１に区画する。

【０１１０】次に、図１１（ｄ）に示すように、第１の
ストライプ群６１のうちのいずれか１つのストライプ領
域に収まる設計データ３２Ｂ、３３を第３の設計データ
群として抽出すると共に、領域の境界にまたがる設計デ
ータ３５Ｂを第４の設計データ群として抽出する。続い
て、第３の設計データ群に含まれる設計データ３２Ｂ、
３３を第１のストライプ群６１のストライプ領域ごとに
第２の描画パターンデータとして生成する。

【０１１１】次に、図１１（ｅ）に示すように、データ
配置領域１０を、設計データ３５Ｂが収まり且つ第１の
ストライプ領域群６１の区画位置と異なる第２のストラ
イプ領域６２に区画する。続いて、第４の設計データ群
に含まれる設計データ３５Ｂを第２のストライプ領域６
２における第３の描画パターンデータとして生成する。
ここで、第２のストライプ領域６２のストライプ幅は、
第１のストライプ領域群６１のストライプ幅と同一でも
よく、また異なっていてもよい。

【０１１２】このように、本実施形態によると、第１の
ストライプ領域群６１によりデータ配置領域１０を区画
する以前に、設計データ群３１〜３６に対してパターン
幅に基づいた選別を行なうため、パターン幅が所定値以
下で且つストライプ領域の境界により分割される設計デ
ータのデータ数を大幅に減らすことができる。その結
果、描画パターンの接続異常がより一層生じにくくなる
と共に、ストライプ領域による分割処理を繰り返して行
なう場合には繰り返し処理の収束が早くなり、スループ
ットが向上する。

【０１１３】なお、本実施形態においては、設計データ
３２、３５に対して図形単位の分割を行なったが、１つ
の図形を分割する処理は必ずしも必要ではない。

【０１１４】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１１５】図１２は本発明の第４の実施形態に係る電
子線描画装置の機能構成を示している。図１２に示すよ
うに、本実施形態に係る電子線描画装置９０は、各部の
動作が制御ＣＰＵ９１により制御されて動作する。描画
パターンデータ生成部９２は、本発明の描画パターンデ
ータ生成方法、すなわち、第１〜第３の実施形態に示し
た描画パターンデータ生成方法を実現するソフトウェア
プログラムにより機能する。

【０１１６】描画パターンデータ生成部９２は、基板上
のパターン形成領域と対応するデータ配置領域を、露光
ビームの偏向幅と対応するストライプ状の複数の部分露
光領域に区画する領域区画部と、データ記憶部９３に格
納されている設計データから、複数の部分露光領域のう
ちのいずれか１つの領域に収まる設計データを第１の設
計データ群として抽出すると共に、２つ以上の部分露光
領域にまたがる設計データを第２の設計データ群として
抽出するデータ群抽出部と、部分露光領域ごとに第１の
設計データ群及び第２の設計データ群から描画パターン
データをそれぞれ生成するデータ生成部とを有してい
る。

【０１１７】符号１００は電子光学鏡筒部を表わしてお
り、上部に電子銃１０４が設けられ、電子ビームを受け
る位置に被描画基板を保持する移動ステージが配設され
ている。なお、電子光学鏡筒部１００の構成は後述す
る。

【０１１８】荷電粒子制御手段、基板位置制御手段及び
ビーム形状制御手段としての描画制御部９４は、描画パ
ターンデータ生成部９２により生成された描画パターン
データに基づいて、電子銃１０４の出力状態を調節して
ブランキングの制御を行なうと共に、ステージ位置制御
部９５に指示して被描画基板を保持する移動ステージと
電子銃１０４との相対位置を調整させ、また、偏向制御
部９６に指示して電子ビームの偏向状態を調整させるこ
とにより電子ビームの成形形状を規制する。

【０１１９】機構制御部９７は、電子光学鏡筒部１００
の圧力調整等の描画環境の調整を行なう。

【０１２０】図１３は本実施形態に係る電子光学鏡筒部
１００の構成を模式的に表わしている。図１３に示すよ
うに、基板保持手段としての移動ステージ１０１に保持
された基板１０２の上方には、電子ビーム１０３を基板
１０２に向けて出射する荷電粒子発生手段としての電子
銃１０４が設けられている。移動ステージ１０１と電子
銃１０４との間には、該電子銃１０４に近い側から順
に、方形状の第１の開口部１０５ａを有するビーム成形
手段としての第１のアパーチャ１０５、該第１のアパー
チャ１０５ａを通過した電子ビーム１０３を適当に偏向
させるビーム成形手段としての選択偏向器１０６、方形
状の第２の開口部１０７ａを有するビーム成形手段とし
ての第２のアパーチャ１０７、及び第２の開口部１０７
ａを透過してなる断面方形状の露光ビームを絞る縮小レ
ンズ１０８が設けられている。

【０１２１】縮小レンズ１０８の内側には、露光ビーム
を偏向させる主偏向器１０９Ａが設けられ、主偏向器１
０９Ａの内側の上部には副偏向器１０９Ｂ、下部には副
副偏向器１０９Ｃが設けられている。

【０１２２】このように構成された電子線描画装置の動
作を簡単に説明すると、まず、図１３に示すように、移
動ステージ１０１上に、電子ビームに感光する感光性材
料が塗布された基板１０２を保持する。

【０１２３】次に、加速電圧が５０ｋＶ程度に印加され
た電子銃１０４から電子ビーム（露光ビーム）を出射す
る。出射された電子ビーム１０３は、第１のアパーチャ
１０５の第１の開口部１０５ａにより断面方形状に成形
される。断面方形状に形成された電子ビーム１０３は、
第２の開口部１０７ａに到達するまでの間に選択偏向器
１０６により偏向されることにより、第２の開口部１０
７ａを通過する電子ビーム１０３の形状が長方形状に成
形される。成形された電子線ビーム１０３は各偏向器１
０９Ａ、１０９Ｂ、１０９Ｃにより、基板１０２上の所
定領域に照射され、設計データに従って描画パターンが
順次描画される。このように偏向器を多段に設けること
により、偏向精度を向上させている。

【０１２４】以下、前記のように構成された電子線描画
装置を用いたパターン描画方法について図面を参照しな
がら説明する。

【０１２５】図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は本実施形態
に係るパターン描画方法における描画パターンの工程順
のレイアウト構成を示している。

【０１２６】図１２に示すデータ記憶部９３のメモリ空
間に、図１４（ａ）に示すような、基板上の露光領域と
対応するデータ配置領域１０を形成しておき、該データ
配置領域１０上には、基板上に形成される設計パターン
と対応する複数の設計データ４１Ａ〜４６Ａを準備す
る。設計データ４１Ａ〜４６Ａは第２の実施形態で説明
した設計データと同一の配置及び形状としている。

【０１２７】まず、設計データ４１Ａ〜４６Ａから描画
パターンデータを生成する。ここで、本実施形態におい
ては、第２の実施形態に係る生成方法を用いて描画パタ
ーンデータが生成されているとする。従って、第１の設
計データ群は設計データ４１Ａ、４２Ａ、４３Ａからな
り、この第１の設計データ群から第１の描画パターンデ
ータが生成されている。第３の設計データ群は設計デー
タ４４Ａ、４５Ａからなり、第３の設計データ群から第
２の描画パターンデータが生成されている。第４の設計
データ群は設計データ４６Ａからなり、第４の設計デー
タ群から第３の描画パターンデータが生成されている。
生成された第１の〜第３の描画パターンデータは、デー
タ記憶部９３に格納されている。

【０１２８】次に、図１４（ｂ）に示すように、データ
記憶部９３に格納されている第１の描画パターンデータ
を描画する。具体的には、基板上のパターン形成領域７
０上に、幅がそれぞれ５ｍｍ程度のストライプ状であっ
て、第１のストライプ領域群６１の各ストライプ領域６
１ａ〜６１ｃのいずれかに含まれる設計データ４１Ａ〜
４３Ａと対応する描画パターンデータ４１Ｂ〜４１Ｃを
第１の部分露光領域群７１の各領域７１ａ、７１ｂ、７
１ｃごとに順次描画していく。

【０１２９】次に、図１４（ｃ）に示すように、データ
記憶部９３に格納されている第２の描画パターンデータ
を描画する。すなわち、基板上のパターン形成領域７０
上に、第２のストライプ領域群６２の各ストライプ領域
６２ａ、６２ｂに含まれる設計データ４４Ａ、４５Ａと
対応する描画パターンデータ４４Ｂ、４５Ｂを第２の部
分露光領域群７２の領域７２ａ及び７２ｂごとに順次描
画していく。

【０１３０】次に、図１４（ｄ）に示すように、データ
記憶部９３に格納されている第３の描画パターンデータ
を描画する。すなわち、基板上のパターン形成領域７０
上に、第３のストライプ領域６３に含まれる設計データ
４６Ａと対応する描画パターンデータ４６Ｂを第３の部
分露光領域７３に描画する。

【０１３１】ここでは、説明を簡単にするために、デー
タ配置領域１０の大きさとパターン形成領域７０の大き
さとを同一としており、従って、データ配置領域１０を
区画するストライプ領域の幅とパターン形成領域７０を
区画する部分露光領域の幅とを同一としているが、描画
パターンは、縮小又は拡大できることがごく一般的であ
り、設計データと描画パターンとの相対的な位置と大き
さとの関係が保たれていればよい。

【０１３２】また、第１の描画パターンデータ、第２の
描画パターンデータ及び第３の描画パターンの順に描画
を行なったが、すべての描画パターンデータが基板上に
描画されればよく、描画の順番は規定されない。同様
に、部分露光領域群７１、７２に対しても、図面の左端
部の領域から順次右端側へ描画したが、この順序も規定
されない。但し、一のストライプ領域から他のストライ
プ領域へ描画処理を移行するには、図１３に示す移動ス
テージ１０１を移動させる必要があるため、ストライプ
領域が隣接するように描画するのが効率的である。

【０１３３】従来の描画装置及び描画方法は、すべての
設計データに対してただ一度の分割操作を行なって描画
しているため、複数の部分露光領域が１つの描画パター
ンにまたがってしまうので、該描画パターンが分断され
てしまう。この分断により、描画の際にパターンの接続
異常が生じ易かった。しかしながら、本実施形態による
と、隣接する部分露光領域にまたがる描画パターンの数
を減らせるため、結果的に接続異常が減少するので、高
精度な描画パターンを得ることができる。

【０１３４】本実施形態に係る電子線描画装置９０は、
図１２に示す描画パターンデータ生成部９２が生成する
描画パターンデータに基づいて動作するため、以下に列
挙する、第１〜第３の実施形態及び各変形例に示した補
助的な機能は、生成される描画パターンデータに反映さ
せることができる。 （１）データ群抽出時のストライプ幅に所定の取り込み
幅を持たせて、より初期の段階の設計データ群のデータ
数を増やす。 （２）ストライプ領域にまたがる設計データのうち、ス
トライプ領域の境界との交差部分の寸法が所定値よりも
大きいデータを、より初期の段階の設計データ群に含め
て、初期の段階の設計データ群のデータ数を増やす。 （３）すべての設計データのいずれもが分割されなくな
るまでデータ配置領域のストライプによる区画処理を繰
り返す。 （４）ストライプ領域と交差する方向の大きさがストラ
イプ幅を超えるため、分割を余儀なくされる設計データ
であって、ストライプ領域の境界との交差部分の寸法が
所定値よりも大きい張り出し部を有する設計データの場
合には、該張り出し部にストライプ領域の境界を設定す
る。 （５）ストライプ領域と交差する方向の大きさがストラ
イプ幅を超えるため、分割を余儀なくされる設計データ
に対して、ストライプ領域の境界との交差部分に該交差
部分の寸法が所定値よりも大きい補助パターンデータを
付加する。 （６）ストライプ領域と交差する方向の大きさがストラ
イプ幅を超えるため、分割を余儀なくされる設計データ
に対して多重露光を行なう。

【０１３５】なお、本実施形態に係る電子線描画装置９
０は、露光用のビームに電子ビームを用いたが、イオン
ビームであってもよい。

【０１３６】また、ストライプ領域又は部分露光領域の
幅は５ｍｍ程度しているが、装置の電子銃１０４やその
制御条件又は設計データによって最適値を選べばよく、
また、繰り返し区画し直すストライプ領域群（又は部分
露光領域群）のストライプ幅は、ストライプ領域ごとに
露光ビームが偏向可能な範囲で適当に選べばよい。

【０１３７】（第４の実施形態の第１変形例）以下、上
記（６）の具体例としての第４の実施形態の第１変形例
について図面を参照しながら説明する。

【０１３８】図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は本実施形態
に係るパターン描画方法における描画パターンの工程順
のレイアウト構成を示している。ここで、図１５（ａ）
〜図１５（ｄ）において、図１４（ａ）〜図１４（ｄ）
に示す構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付す
ことにより説明を省略する。図１５（ａ）に示すよう
に、設計データ４７Ａは、第１のストライプ領域群６１
のストライプ領域が延びる方向と交差する方向の大きさ
がストライプ領域の幅よりも大きい。このため、設計デ
ータ４７Ａは、１つのストライプ領域に収まらず、必然
的に分割されるデータであるので、第４の設計データ群
に含まれる。

【０１３９】従って、図１５（ｄ）に示すように、第４
の設計データ群からなる第３の描画パターンデータを描
画する際には、部分露光領域７３ａ、７３ｂからなる第
３の部分露光領域群７３により分割される描画パターン
データ４７Ｂに対して多重露光を行なう。これにより、
パターンの接続異常を生じ難くすることができるため、
パターン分割が避けられない描画パターンの精度を向上
させることができる。

【０１４０】また、必然的に分割される描画パターンデ
ータに限って、多重露光を行なうため、スループットの
劣化を最小限に抑えることができる。

【０１４１】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１４２】図１６は本発明の第５の実施形態に係る描
画パターンデータ生成方法の処理フローを示し、図１７
（ａ）〜図１７（ｃ）は本実施形態に係る描画パターン
データ生成方法によるパターン描画方法を用いた描画パ
ターンの工程順のレイアウト構成を示している。

【０１４３】まず、図１６に示す設計データ準備工ＳＴ
２１程において、図１７（ａ）に示すように、基板上に
形成される設計パターンと対応する複数の設計データ４
１Ａ〜４６Ａを準備する。これらの設計データ４１Ａ〜
４６Ａは設計パターン形成領域と対応するようにデータ
配置領域１０に配置される。

【０１４４】次に、図１６に示す領域区画工程ＳＴ２２
において、データ配置領域１０を３本のストライプ領域
６１ａ〜６１ｃからなるストライプ領域群６１に区画す
る。

【０１４５】次に、図１６に示す第１のデータ群抽出工
程ＳＴ２３において、複数の設計データ４１Ａ〜４６Ａ
から、各ストライプ領域６１ａ〜６１ｃのうちのいずれ
か１つの領域に収まる、すなわち、複数のストライプ領
域６１ａ〜６１ｃのいずれの境界をもまたがない設計デ
ータを第１の設計データ群として抽出し、続いて、第１
の設計データ群を構成する設計データ４１Ａ〜４３Ａか
ら第１の描画パターンデータ４１Ｂ〜４３Ｂをストライ
プ領域６１ａ〜６１ｃごとに作成する。

【０１４６】次に、図１６に示す第２のデータ群抽出工
程ＳＴ２４において、第１のストライプ領域群６１の複
数の領域にまたがる設計データを第２の設計データ群と
して抽出し、続いて、第２の設計データ群を構成する設
計データ４４Ａ〜４６Ａから第２の描画パターンデータ
４４Ｂ〜４６Ｂをストライプ領域６１ａ〜６１ｃごとに
作成する。

【０１４７】次に、図１７（ｂ）に示すように、作成さ
れた第１の描画パターンデータ４１Ｂ〜４３Ｂをパター
ン形成領域７０に転写し、その後、図１７（ｃ）に示す
ように、作成された第２の描画パターンデータ４４Ｂ〜
４６Ｂに対しては多重露光を行なうことにより、パター
ン形成領域７０に転写する。

【０１４８】このように本実施形態によると、分割され
た第２の描画パターンデータ４４Ｂ〜４６Ｂに対しての
み多重露光を行なうことにより、簡便に接続異常を減ら
すことができる。本実施形態においても、第１の描画パ
ターンデータ及び第２の描画パターンデータの描画の順
序は規定されない。

【０１４９】なお、第１のデータ群抽出工程ＳＴ２３に
おいて、本発明の第１の実施形態の第１変形例に示した
ように、抽出時に第１のストライプ領域群６１の各スト
ライプ幅を所定の幅だけ拡大してデータの抽出を行なっ
てもよい。

【０１５０】また、本発明の各実施形態においては、主
として、主偏向によるストライプ接続の接続異常に対す
る解決方法を説明したが、副偏向又は副副偏向に起因す
る接続異常に対しても同様の効果を奏する。

【０１５１】

【発明の効果】本発明に係る描画パターンデータ生成方
法及びパターン描画方法によると、複数の設計データか
ら、部分露光領域のうちの１つの領域に収まる第１の設
計データ群と２つ以上の領域にまたがる第２の設計デー
タ群とを抽出し、抽出された第２の設計データ群に対し
て、初期の部分露光領域を少なくとも１つの設計データ
が収まるように更新した第２の部分露光領域ごとに描画
パターンデータを生成するか、又は分割された状態で描
画パターンデータを生成して多重露光することにより、
第２の設計データ群に属する設計データの接続異常を防
止できる。

【０１５２】本発明に係る荷電粒子描画装置によると、
設計データの配置領域を露光ビームの偏向幅と対応し且
つ変更可能な幅を持つストライプ状の複数の部分露光領
域に区画する領域区画部と、複数の設計データから第１
の部分露光領域のうちの１つの領域に収まる第１の設計
データ群及び２つ以上の領域にまたがる第２の設計デー
タ群を抽出するデータ群抽出部とを備えているため、本
発明に係るパターン描画方法を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る描画パターンデ
ータ生成方法を示す処理フロー図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係
る描画パターンデータ生成方法における設計データ群を
示す工程順の平面図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態の第
１変形例に係る描画パターンデータ生成方法における設
計データ群を示す工程順の平面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態の第
２変形例に係る描画パターンデータ生成方法における設
計データ群を示す工程順の平面図である。

【図５】本発明の第２の実施形態に係る描画パターンデ
ータ生成方法を示す処理フロー図である。

【図６】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施形態に係
る描画パターンデータ生成方法における設計データ群を
示す工程順の平面図である。

【図７】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態の第
１変形例に係る描画パターンデータ生成方法における設
計データ群を示す工程順の平面図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態の第
１変形例に係る描画パターンデータ生成方法における設
計データ群を示す工程順の平面図である。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態の第
２変形例に係る描画パターンデータ生成方法における設
計データ群を示す工程順の平面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態の
第２変形例に係る描画パターンデータ生成方法における
設計データ群を示す工程順の平面図である。

【図１１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第３の実施形態に
係る描画パターンデータ生成方法における設計データ群
を示す工程順の平面図である。

【図１２】本発明の第４の実施形態に係る電子線描画装
置を示す機能ブロック図である。

【図１３】本発明の第４の実施形態に係る電子線描画装
置の電子光学鏡筒部を示す模式的な斜視図である。

【図１４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施形態に
係るパターン描画方法における描画パターンを示す工程
順の平面図である。

【図１５】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施形態に
一変形例に係るパターン描画方法における描画パターン
を示す工程順の平面図である。

【図１６】本発明の第５の実施形態に係る描画パターン
データ生成方法を示す処理フロー図である。

【図１７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第５の実施形態に
係る描画パターンデータ生成方法によるパターン描画方
法を用いた描画パターンを示す工程順の平面図である。

【図１８】従来の電子線描画装置の電子光学鏡筒部を示
す模式的な斜視図である。

【図１９】従来の描画パターンデータ生成方法の一例を
示す平面図である。

【図２０】（ａ）及び（ｂ）は従来の電子線描画装置を
用いた描画動作及びその描画パターンを示し、（ａ）は
部分露光領域が隣接して形成される様子を示す平面図で
あり、（ｂ）は描画パターンの接続異常を示す平面図で
ある。

【符号の説明】

１０ データ配置領域 １１ 設計データ １２ 設計データ １３ 設計データ １４ 設計データ １５ 設計データ １６ 設計データ １７ 設計データ １８ 設計データ ２１ 設計データ ２２ 設計データ ２３ 設計データ ２４ 設計データ ２５ 設計データ ２６ 設計データ ２７ 設計データ ２８ 設計データ ２９ 設計データ ３０ 補助パターンデータ ３１ 設計データ ３１ 設計データ ３２ 設計データ ３２Ａ 設計データ ３２Ｂ 設計データ ３３ 設計データ ３４ 設計データ ３５ 設計データ ３５Ａ 設計データ ３５Ｂ 設計データ ３６ 設計データ ４１Ａ 設計データ ４２Ａ 設計データ ４３Ａ 設計データ ４４Ａ 設計データ ４５Ａ 設計データ ４６Ａ 設計データ ４７Ａ 設計データ ４１Ｂ 描画パターンデータ ４２Ｂ 描画パターンデータ ４３Ｂ 描画パターンデータ ４４Ｂ 描画パターンデータ ４５Ｂ 描画パターンデータ ４６Ｂ 描画パターンデータ ４７Ｂ 描画パターンデータ ６１ 第１のストライプ領域群 ６１ａ ストライプ領域 ６１ｂ ストライプ領域 ６１ｃ ストライプ領域 ６１ｄ 取り込み幅 ６２ 第２のストライプ領域（群） ６２ａ ストライプ領域 ６２ｂ ストライプ領域 ６３ 第３のストライプ領域群 ６４ 第４のストライプ領域群 ６４ａ ストライプ領域 ６４ｂ ストライプ領域 ７０ パターン形成領域 ７１ 第１の部分露光領域群 ７１ａ 部分露光領域 ７１ｂ 部分露光領域 ７１ｃ 部分露光領域 ７２ 第２の部分露光領域群 ７２ａ 部分露光領域 ７２ｂ 部分露光領域 ７３ 第３の部分露光領域（群） ７３ａ 部分露光領域 ７３ｂ 部分露光領域 ９０ 電子線描画装置 ９１ 制御ＣＰＵ ９２ 描画パターン生成部 ９３ データ記憶部 ９４ 描画制御部（荷電粒子制御手段、基板位置制
御手段及びビーム形状制御手段） ９５ ステージ位置制御部 ９６ 偏向制御部 ９７ 機構制御部 １００ 電子光学鏡筒部 １０１ 移動ステージ（基板保持手段） １０２ 基板 １０３ 電子ビーム（露光ビーム） １０４ 電子銃（荷電粒子発生手段） １０５ 第１のアパーチャ（ビーム成形手段） １０５ａ 第１の開口部 １０６ 選択択偏向器（ビーム成形手段） １０７ 第２のアパーチャ（ビーム成形手段） １０７ａ 第２の開口部 １０８ 縮小レンズ １０９Ａ 主偏向器 １０９Ｂ 副偏向器 １０９Ｃ 副副偏向器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−189418（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−139322（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−257226（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−67648（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−40482（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−297823（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 21/027 G03F 7/20 H01J 37/305

Claims (20)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 設計パターンと対応する複数の設計デー
   タから、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基板上に
   前記設計パターンと対応して描画される描画パターンデ
   ータを生成する描画パターンデータ生成方法であって、 前記設計パターンが形成される領域と対応し且つ前記複
   数の設計データが配置されている所定領域を、前記露光
   ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライプ状の複数
   の部分露光領域に区画する領域区画工程と、 前記複数の設計データから、前記複数の部分露光領域の
   うちのいずれか１つの領域に収まる設計データを第１の
   設計データ群として抽出すると共に、前記複数の部分露
   光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計データを
   第２の設計データ群として抽出するデータ群抽出工程
   と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデータとし
   て生成する第１の描画パターンデータ生成工程と、 前記第２の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデータとし
   て生成する第２の描画パターンデータ生成工程とを備
   え、 前記データ群抽出工程における前記第１の設計データ群
   を抽出する工程は、前記複数の部分露光領域のうちの２
   つ以上の領域にまたがる設計データのうち、該設計デー
   タにおける前記部分露光領域同士の境界との交差部分の
   寸法が所定寸法よりも大きい設計データを前記第１の設
   計データ群に含める工程を含む ことを特徴とする描画パ
   ターンデータ生成方法。
2. 【請求項２】 設計パターンと対応する複数の設計デー
   タから、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基板上に
   前記設計パターンと対応して描画される描画パターンデ
   ータを生成する描画パターンデータ生成方法であって、 前記設計パターンが形成される領域と対応し且つ前記複
   数の設計データが配置されている所定領域を、前記露光
   ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライプ状の複数
   の第１の部分露光領域に区画する第１の領域区画工程
   と、 前記複数の設計データから、前記複数の第１の部分露光
   領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データを
   第１の設計データ群として抽出すると共に、前記複数の
   第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
   設計データを第２の設計データ群として抽出するデータ
   群抽出工程と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデー
   タとして生成する第１の描画パターンデータ生成工程
   と、 前記所定領域を、前記第２の設計データ群のうちの少な
   くとも１つの設計データが収まり且つ前記第１の部分露
   光領域と異なる複数の第２の部分露光領域に区画する第
   ２の領域区画工程と、 前記第２の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の第２の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデー
   タとして生成する第２の描画パターンデータ生成工程と
   を備え、 前記データ群抽出工程における前記第１の設計データ群
   を抽出する工程は、前記複数の第１の部分露光領域のう
   ちの２つ以上の領域にまたがる設計データのうち、該設
   計データにおける前記第１の部分露光領域同士の境界と
   の交差部分の寸法が所定寸法よりも大きい設計データを
   前記第１の設計データ群に含める工程を含む ことを特徴
   とする描画パターンデータ生成方法。
3. 【請求項３】 前記第２の領域区画工程は、前記第２の
   部分露光領域を前記第１の部分露光領域の幅と異なる幅
   で区画する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載
   の描画パターンデータ生成方法。
4. 【請求項４】 前記データ群抽出工程における前記第１
   の設計データ群を抽出する工程は、前記第１の部分露光
   領域の幅を所定量だけ拡大し、拡大された第１の部分露
   光領域に基づいて前記第１の設計データ群を抽出する工
   程を含むことを特徴とする請求項２に記載の描画パター
   ンデータ生成方法。
5. 【請求項５】 設計パターンと対応する複数の設計デー
   タから、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基板上に
   前記設計パターンと対応して描画される描画パターンデ
   ータを生成する描画パターンデータ生成方法であって、 前記設計パターンが形成される領域と対応し且つ前記複
   数の設計データが配置されている所定領域を、前記露光
   ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライプ状の複数
   の第１の部分露光領域に区画する第１の領域区画工程
   と、 前記複数の設計データから、前記複数の第１の部分露光
   領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データを
   第１の設計データ群として抽出すると共に、前記複数の
   第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
   設計データを第２の設計データ群として抽出する第１の
   データ群抽出工程と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデー
   タとして生成する第１の描画パターンデータ生成工程
   と、 前記所定領域を、前記第２の設計データ群のうちの少な
   くとも１つの設計データが収まり且つ前記第１の部分露
   光領域と異なる複数の第２の部分露光領域に区画する第
   ２の領域区画工程と、 前記第２の設計データ群から、前記複数の第２の部分露
   光領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データ
   を第３の設計データ群として抽出すると共に、前記複数
   の第２の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたが
   る設計データを第４の設計データ群として抽出する第２
   のデータ群抽出工程と、 前記第３の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の第２の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデー
   タとして生成する第２の描画パターンデータ生成工程
   と、 前記所定領域を、前記第４の設計データ群のうちの少な
   くとも１つの設計データが収まり且つ前記第２の部分露
   光領域と異なる複数の第３の部分露光領域に区画する第
   ３の領域区画工程と、 前記第４の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の第３の部分露光領域ごとに第３の描画パターンデー
   タとして生成する第３の描画パターンデータ生成工程と
   を備え、 前記第１のデータ群抽出工程における前記第１の設計デ
   ータ群を抽出する工程は、前記複数の第１の部分露光領
   域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計データのう
   ち、該設計データにおける前記第１の部分露光領域同士
   の境界との交差部分の寸法が所定寸法よりも大きい設計
   データを前記第１の設計データ群に含める工程を含み、 前記第２のデータ群抽出工程における前記第３の設計デ
   ータ群を抽出する工程は、前記複数の第２の部分露光領
   域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計データのう
   ち、該設計データにおける前記第２の部分露光領域同士
   の境界との交差部分の寸法が所定寸法よりも大きい設計
   データを前記第３の設計データ群に含める工程を含む こ
   とを特徴とする描画パターンデータ生成方法。
6. 【請求項６】 前記第２の領域区画工程は、前記第２の
   部分露光領域を前記第１の部分露光領域の幅とは異なる
   幅で区画する工程を含み、 前記第３の領域区画工程は、前記第３の部分露光領域を
   前記第１の部分露光領域の幅又は前記第２の部分露光領
   域の幅と異なる幅で区画する工程を含むことを特徴とす
   る請求項５に記載の描画パターン生成方法。
7. 【請求項７】 前記第３の描画パターン生成工程よりも
   後に、 ２つ以上の部分露光領域にまたがる設計データがなくな
   るまで、前記所定領域を複数の部分露光領域に区画する
   工程及び描画パターンデータの生成工程を繰り返し行な
   う繰り返し工程をさらに備えていることを特徴とする請
   求項５に記載の描画パターンデータ生成方法。
8. 【請求項８】 前記第１のデータ群抽出工程における前
   記第１の設計データ群を抽出する工程は、前記第１の部
   分露光領域の幅を所定量だけ拡大し、拡大された第１の
   部分露光領域に基づいて前記第１の設計データ群を抽出
   する工程を含み、 前記第２のデータ群抽出工程における前記第３の設計デ
   ータ群を抽出する工程は、前記第２の部分露光領域の幅
   を所定量だけ拡大し、拡大された第２の部分露光領域に
   基づいて前記第３の設計データ群を抽出する工程を含む
   ことを特徴とする請求項５に記載の描画パターンデータ
   生成方法。
9. 【請求項９】 設計パターンと対応する複数の設計デー
   タから、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基板上に
   前記設計パターンと対応して描画される描画パターンデ
   ータを生成する描画パターンデータ生成方法であって、 前記設計パターンが形成される領域と対応し且つ前記複
   数の設計データが配置されている所定領域を、前記露光
   ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライプ状の複数
   の第１の部分露光領域に区画する第１の領域区画工程
   と、 前記複数の設計データから、前記複数の第１の部分露光
   領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データを
   第１の設計データ群として抽出すると共に、前記複数の
   第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
   設計データを第２の設計データ群として抽出する第１の
   データ群抽出工程と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデー
   タとして生成する第１の描画パターンデータ生成工程
   と、 前記所定領域を、前記第２の設計データ群のうちの少な
   くとも１つの設計データが収まり且つ前記第１の部分露
   光領域と異なる複数の第２の部分露光領域に区画する第
   ２の領域区画工程と、 前記第２の設計データ群から、前記複数の第２の部分露
   光領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データ
   を第３の設計データ群として抽出すると共に、前記複数
   の第２の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたが
   る設計データを第４の設計データ群として抽出する第２
   のデータ群抽出工程と、 前記第３の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の第２の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデー
   タとして生成する第２の描画パターンデータ生成工程
   と、 前記所定領域を、前記第４の設計データ群のうちの少な
   くとも１つの設計データが収まり且つ前記第２の部分露
   光領域と異なる複数の第３の部分露光領域に区画する第
   ３の領域区画工程と、 前記第４の設計データ群に含まれる設計データを前記複
   数の第３の部分露光領域ごとに第３の描画パターンデー
   タとして生成する第３の描画パターンデータ生成工程と
   を備え、 前記第３の描画パターンデータ生成工程よりも後に、 前記第４の設計データ群に属する設計データのうち、前
   記第３の部分露光領域の幅方向の大きさが前記第３の部
   分露光領域の幅よりも大きい設計データであって前記第
   ３の部分露光領域が延びる露光方向と垂直な方向の長さ
   が前記第３の部分露光領域の幅よりも小さく且つ露光方
   向の幅が所定値よりも大きい張り出し部を有する設計デ
   ータを抽出する工程と、 前記所定領域を複数の第４の部分露光領域に、その境界
   が前記張り出し部上に位置するように区画する工程とを
   さらに備えていることを特徴とする描画パターンデータ
   生成方法。
10. 【請求項１０】 設計パターンと対応する複数の設計デ
    ータから、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基板上
    に前記設計パターンと対応して描画される描画パターン
    データを生成する描画パターンデータ生成方法であっ
    て、 前記設計パターンが形成される領域と対応し且つ前記複
    数の設計データが配置されている所定領域を、前記露光
    ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライプ状の複数
    の第１の部分露光領域に区画する第１の領域区画工程
    と、 前記複数の設計データから、前記複数の第１の部分露光
    領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データを
    第１の設計データ群として抽出すると共に、前記複数の
    第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
    設計データを第２の設計データ群として抽出する第１の
    データ群抽出工程と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデー
    タとして生成する第１の描画パターンデータ生成工程
    と、 前記所定領域を、前記第２の設計データ群のうちの少な
    くとも１つの設計データが収まり且つ前記第１の部分露
    光領域と異なる複数の第２の部分露光領域に区画する第
    ２の領域区画工程と、 前記第２の設計データ群から、前記複数の第２の部分露
    光領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データ
    を第３の設計データ群として抽出すると共に、前記複数
    の第２の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたが
    る設計データを第４の設計データ群として抽出する第２
    のデータ群抽出工程と、 前記第３の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第２の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデー
    タとして生成する第２の描画パターンデータ生成工程
    と、 前記所定領域を、前記第４の設計データ群のうちの少な
    くとも１つの設計データが収まり且つ前記第２の部分露
    光領域と異なる複数の第３の部分露光領域に区画する第
    ３の領域区画工程と、 前記第４の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第３の部分露光領域ごとに第３の描画パターンデー
    タとして生成する第３の描画パターンデータ生成工程と
    を備え、 前記第３の描画パターンデータ生成工程は、 前記第４の設計データ群に属する設計データのうち、前
    記第３の部分露光領域の幅方向の大きさが前記第３の部
    分露光領域の幅よりも大きい設計データにおける前記第
    ３の部分露光領域同士の境界との交差部分に対して、前
    記基板上に描画される描画パターンの変形を防止する補
    助パターンデータを付加する工程を含むことを特徴とす
    る描画パターンデータ生成方法。
11. 【請求項１１】 設計パターンと対応する複数の設計デ
    ータから、荷電粒子からなる露光ビームを用いて基板上
    に前記設計パターンと対応して描画される描画パターン
    データを生成する描画パターンデータ生成方法であっ
    て、 前記複数の設計データから、パターン幅が所定値よりも
    大きい第１の設計データ群及びパターン幅が前記所定値
    よりも小さい第２の設計データ群を生成するデータ群生
    成工程と、 前記設計パターンが形成される領域と対応し且つ前記第
    １の設計データ群及び第２の設計データ群が配置されて
    いる所定領域を、前記露光ビームの偏向幅と対応する幅
    を持つストライプ状の複数の第１の部分露光領域に区画
    する第１の領域区画工程と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデー
    タとして生成する第１の描画パターンデータ生成工程
    と、 前記第２の設計データ群から、前記複数の第１の部分露
    光領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データ
    を第３の設計データ群として抽出すると共に、前記複数
    の第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたが
    る設計データを第４の設計データ群として抽出するデー
    タ群抽出工程と、 前記第３の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第１の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデー
    タとして生成する第２の描画パターンデータ生成工程
    と、 前記所定領域を、前記第４の設計データ群のうちの少な
    くとも１つの設計データが収まり且つ前記第１の部分露
    光領域と異なる複数の第２の部分露光領域に区画する第
    ２の領域区画工程と、 前記第４の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第２の部分露光領域ごとに第３の描画パターンデー
    タとして生成する第３の描画パターンデータ生成工程と
    を備えていることを特徴とする描画パターンデータ生成
    方法。
12. 【請求項１２】 設計パターンと対応する複数の設計デ
    ータから、基板上に前記設計パターンと対応して描画さ
    れる描画パターンデータを生成し、生成された描画パタ
    ーンデータを、荷電粒子からなる露光ビームを用いて前
    記基板上に描画するパターン描画方法であって、 前記設計パターンが形成される領域と対応し且つ前記複
    数の設計データが配置されている所定領域を、前記露光
    ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライプ状の複数
    の第１の部分露光領域に区画する第１の領域区画工程
    と、 前記複数の設計データから、前記複数の第１の部分露光
    領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データを
    第１の設計データ群として抽出すると共に、前記複数の
    第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
    設計データを第２の設計データ群として抽出するデータ
    群抽出工程と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデー
    タとして生成する第１の描画パターンデータ生成工程
    と、 前記所定領域を、前記第２の設計データ群のうちの少な
    くとも１つの設計データが収まり且つ前記第１の部分露
    光領域と異なる複数の第２の部分露光領域に区画する第
    ２の領域区画工程と、 前記第２の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第２の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデー
    タとして生成する第２の描画パターンデータ生成工程
    と、 前記第１の描画パターンデータに基づいて前記露光ビー
    ムを調節することにより、前記基板上に前記第１の描画
    パターンデータと対応する第１の描画パターンを描画す
    る第１のパターン描画工程と、 前記第２の描画パターンデータに基づいて前記露光ビー
    ムを調節することにより、前記基板上に前記第２の描画
    パターンデータと対応する第２の描画パターンを描画す
    る第２のパターン描画工程とを備え、 前記データ群抽出工程における前記第１の設計データ群
    を抽出する工程は、前記複数の第１の部分露光領域のう
    ちの２つ以上の領域にまたがる設計データのうち、該設
    計データにおける前記第１の部分露光領域同士の境界と
    の交差部分の寸法が所定寸法よりも大きい設計データを
    前記第１の設計データ群に含める工程を含む ことを特徴
    とするパターン描画方法。
13. 【請求項１３】 前記データ群抽出工程における前記第
    １の設計データ群を抽出する工程は、前記第１の部分露
    光領域の幅を所定量だけ拡大し、拡大された第１の部分
    露光領域に基づいて前記第１の設計データ群を抽出する
    工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載のパター
    ン描画方法。
14. 【請求項１４】 前記第２のパターン描画工程は、前記
    第２の設計データ群に属する設計データに対して多重露
    光を行なう工程を含むことを特徴とする請求項１２に記
    載のパターン描画方法。
15. 【請求項１５】 設計パターンと対応する複数の設計デ
    ータから、基板上に前記設計パターンと対応して描画さ
    れる描画パターンデータを生成し、生成された描画パタ
    ーンデータを、荷電粒子からなる露光ビームを用いて前
    記基板上に描画するパターン描画方法であって、 前記設計パターンが形成される領域と対応し且つ前記複
    数の設計データが配置されている所定領域を、前記露光
    ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライプ状の複数
    の第１の部分露光領域に区画する第１の領域区画工程
    と、 前記複数の設計データから、前記複数の第１の部分露光
    領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データを
    第１の設計データ群として抽出すると共に、前記複数の
    第１の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる
    設計データを第２の設計データ群として抽出する第１の
    データ群抽出工程と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第１の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデー
    タとして生成する第１の描画パターンデータ生成工程
    と、 前記所定領域を、前記第２の設計データ群のうちの少な
    くとも１つの設計データが収まり且つ前記第１の部分露
    光領域と異なる複数の第２の部分露光領域に区画する第
    ２の領域区画工程と、 前記第２の設計データ群から、前記複数の第２の部分露
    光領域のうちのいずれか１つの領域に収まる設計データ
    を第３の設計データ群として抽出すると共に、前記複数
    の第２の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたが
    る設計データを第４の設計データ群として抽出する第２
    のデータ群抽出工程と、 前記第３の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第２の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデー
    タとして生成する第２の描画パターンデータ生成工程
    と、 前記所定領域を、前記第４の設計データ群のうちの少な
    くとも１つの設計データが収まり且つ前記第２の部分露
    光領域と異なる複数の第３の部分露光領域に区画する第
    ３の領域区画工程と、 前記第４の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の第３の部分露光領域ごとに第３の描画パターンデー
    タとして生成する第３の描画パターンデータ生成工程
    と、 前記第１の描画パターンデータに基づいて、前記露光ビ
    ームの出力状態、偏向状態又は前記基板上における前記
    露光ビームの照射位置とを調節することにより、前記基
    板上に前記第１の描画パターンデータと対応する第１の
    描画パターンを描画する第１のパターン描画工程と、 前記第２の描画パターンデータに基づいて、前記露光ビ
    ームの出力状態、偏向状態又は前記基板上における前記
    露光ビームの照射位置とを調節することにより、前記基
    板上に前記第２の描画パターンデータと対応する第２の
    描画パターンを描画する第２のパターン描画工程と、 前記第３の描画パターンデータに基づいて、前記露光ビ
    ームの出力状態、偏向状態又は前記基板上における前記
    露光ビームの照射位置とを調節することにより、前記基
    板上に前記第３の描画パターンデータと対応する第３の
    描画パターンを描画する第３のパターン描画工程とを備
    え、 前記第１のデータ群抽出工程における前記第１の設計デ
    ータ群を抽出する工程 は、前記複数の第１の部分露光領
    域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計データのう
    ち、該設計データにおける前記第１の部分露光領域同士
    の境界との交差部分の寸法が所定寸法よりも大きい設計
    データを前記第１の設計データ群に含める工程を含み、 前記第２のデータ群抽出工程における前記第３の設計デ
    ータ群を抽出する工程は、前記複数の第２の部分露光領
    域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計データのう
    ち、該設計データにおける前記第２の部分露光領域同士
    の境界との交差部分の寸法が所定寸法よりも大きい設計
    データを前記第３の設計データ群に含める工程を含む こ
    とを特徴とするパターン描画方法。
16. 【請求項１６】 前記第１のデータ群抽出工程における
    前記第１の設計データ群を抽出する工程は、前記第１の
    部分露光領域の幅を所定量だけ拡大し、拡大された第１
    の部分露光領域に基づいて前記第１の設計データ群を抽
    出する工程を含み、 前記第２のデータ群抽出工程における前記第３の設計デ
    ータ群を抽出する工程は、前記第２の部分露光領域の幅
    を所定量だけ拡大し、拡大された第２の部分露光領域に
    基づいて前記第３の設計データ群を抽出する工程を含む
    ことを特徴とする請求項１５に記載のパターン描画方
    法。
17. 【請求項１７】 前記第３のパターン描画工程は、前記
    第４の設計データ群に属する設計データに対して多重露
    光を行なう工程を含むことを特徴とする請求項１５に記
    載のパターン描画方法。
18. 【請求項１８】 設計パターンと対応する複数の設計デ
    ータから、基板上に前記設計パターンと対応して描画さ
    れる描画パターンデータを生成し、生成された描画パタ
    ーンデータを、荷電粒子からなる露光ビームを用いて前
    記基板上に描画するパターン描画方法であって、 前記設計パターンが形成される領域と対応し且つ前記複
    数の設計データが配置されている所定領域を、前記露光
    ビームの偏向幅と対応する幅を持つストライプ状の複数
    の部分露光領域に区画する領域区画工程と、 前記複数の設計データから、前記複数の部分露光領域の
    うちのいずれか１つの領域に収まる設計データを第１の
    設計データ群として抽出すると共に、前記複数の部分露
    光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計データを
    第２の設計データ群として抽出するデータ群抽出工程
    と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデータとし
    て生成する第１の描画パターンデータ生成工程と、 前記第２の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の部分露光領域ごとに第２の描画パターンデータとし
    て生成する第２の描画パターンデータ生成工程と、 前記第１の描画パターンデータに基づいて前記露光ビー
    ムを調節することにより、前記基板上に前記第１の描画
    パターンデータと対応する第１の描画パターンを描画す
    る第１のパターン描画工程と、 前記第２の描画パターンデータに基づいて前記露光ビー
    ムを調節し且つ多重露光を行なうことにより、前記基板
    上に前記第２の描画パターンデータと対応する第２の描
    画パターンを描画する第２のパターン描画工程とを備
    え、 前記データ群抽出工程における前記第１の設計データ群
    を抽出する工程は、前記複数の部分露光領域のうちの２
    つ以上の領域にまたがる設計データのうち、該設計デー
    タにおける前記部分露光領域同士の境界との交差部分の
    寸法が所定寸法よりも大きい設計データを前記第１の設
    計データ群に含める工程を含む ことを特徴とするパター
    ン描画方法。
19. 【請求項１９】 設計パターンと対応する複数の設計デ
    ータから、基板上に前記設計パターンと対応して描画さ
    れる描画パターンデータを生成し、生成された描画パタ
    ーンデータを、荷電粒子からなる露光ビームを用いて前
    記基板上に描画する荷電粒子描画装置であって、 前記露光ビームを前記基板に向かって出射する荷電粒子
    発生手段と、 前記基板を保持する基板保持手段と、 前記荷電粒子発生手段と前記基板保持手段との間に設け
    られ、前記露光ビームを所定の形状に成形するビーム成
    形手段と、 前記荷電粒子発生手段の出力状態を調節する荷電粒子制
    御手段と、 前記基板保持手段に対して、該基板保持手段と前記荷電
    粒子発生手段との相対位置を決定する基板位置制御手段
    と、 前記ビーム成形手段に対して前記露光ビームの成形形状
    を規制するビーム形状制御手段と、 前記複数の設計データから前記描画パターンデータを生
    成する描画パターンデータ生成手段とを備え、 前記描画パターンデータ生成手段は、 前記設計パターンが形成される領域と対応し、前記複数
    の設計データが配置されている所定領域を、前記露光ビ
    ームの偏向幅と対応し且つ変更可能な幅を持つストライ
    プ状の複数の部分露光領域に区画する領域区画部と、 前記複数の設計データから、前記複数の部分露光領域の
    うちのいずれか１つの領域に収まる設計データを第１の
    設計データ群として抽出すると共に、前記複数の部分露
    光領域のうちの２つ以上の領域にまたがる設計データを
    第２の設計データ群として抽出するデータ群抽出部と、 前記第１の設計データ群に含まれる設計データを前記複
    数の部分露光領域ごとに第１の描画パターンデータとし
    て生成すると共に、前記第２の設計データ群に含まれる
    設計データを前記複数の部分露光領域ごとに第２の描画
    パターンデータとして生成するデータ生成部とを有し、 前記荷電粒子制御手段は、生成された前記描画パターン
    データに基づいて、前記荷電粒子発生手段の出力状態を
    調節し、 前記基板位置制御手段は、生成された前記描画パターン
    データに基づいて、前記基板保持手段に保持されている
    基板と前記荷電粒子発生手段が出射する露光ビームとの
    相対位置を変動させ、 前記ビーム形状制御手段は、生成された前記描画パター
    ンデータに基づいて、前記露光ビームを前記部分露光領
    域と対応するストライプ形状に成形し、 前記描画パターンデータ生成手段における前記データ群
    抽出部は、前記第１の設計データ群を抽出する際に、前
    記複数の部分露光領域のうちの２つ以上の領域にまたが
    る設計データのうち、該設計データにおける前記部分露
    光領域同士の境界との交差部分の寸法が所定寸法よりも
    大きい設計データを前記第１の設計データ群に含める こ
    とを特徴とする荷電粒子描画装置。
20. 【請求項２０】 前記描画パターンデータ生成手段は、 前記第２の描画パターンデータに対して多重露光を行な
    うこと特徴とする請求項１９に記載の荷電粒子描画装
    置。