JP3333084B2 - Method of manufacturing bare chip molded part and bare chip molded part manufactured by the method - Google Patents

Method of manufacturing bare chip molded part and bare chip molded part manufactured by the method

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ベアチップモー
ルド部品の製造方法およびその方法により製造されるベ
アチップモールド部品に関し、さらに詳しくは、製造工
程におけるベアチップのワイヤ断線を防止し得るベアチ
ップモールド部品の製造方法およびその方法により製造
されるベアチップモールド部品に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a bare chip molded part and a bare chip molded part produced by the method, and more particularly, to a method for producing a bare chip molded part capable of preventing wire breakage of a bare chip in a production process. And a bare chip molded part manufactured by the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話などに内蔵されるベアチップモ
ールド部品は、一般に、電子部品搭載用の基板上にワイ
ヤボンディングしたベアチップを、樹脂によって封止し
た構造を採用している。かかるベアチップモールド部品
の構造および製造方法としては、実開昭63−1556
45号公報に開示されているものが知られている。図7
は、そのようなベアチップモールド部品の説明図であ
る。
2. Description of the Related Art A bare chip molded component incorporated in a cellular phone or the like generally employs a structure in which a bare chip wire-bonded on a substrate for mounting electronic components is sealed with a resin. As a structure and a manufacturing method of such a bare chip molded part, Japanese Utility Model Laid-Open No. 63-1556 discloses
One disclosed in Japanese Patent Publication No. 45 is known. FIG.
FIG. 2 is an explanatory view of such a bare chip molded part.

【0003】このベアチップモールド部品600の製造
においては、まず、基板1上にベアチップ2a、2b、
2cを配設し、ベアチップ2a〜2cから延出するワイ
ヤ21を基板1上の回路(図示省略)に対してボンディ
ングする。
In manufacturing the bare chip molded part 600, first, bare chips 2a, 2b,
2c is provided, and wires 21 extending from the bare chips 2a to 2c are bonded to a circuit (not shown) on the substrate 1.

【0004】つぎに、ベアチップ2a〜2cの周囲に、
ダム枠610を形成する。続いて、各ベアチップ2a〜
2cを各々仕切るための仕切り611a、611bを形
成する。この仕切り611a、611bにより、ダム枠
610がベアチップの個数だけ区画化される。
Next, around the bare chips 2a to 2c,
The dam frame 610 is formed. Then, each bare chip 2a ~
Partitions 611a and 611b for partitioning 2c are formed. The partitions 611a and 611b partition the dam frame 610 by the number of bare chips.

【0005】つぎに、封止樹脂612を上記区画毎に滴
下する。ベアチップ2a〜2cは封止樹脂612に埋没
する。この封止樹脂612としては、例えばシリコーン
樹脂である。続いて、封止部材612を加熱硬化させ、
ダム枠610内において封止樹脂層612aを形成し、
ベアチップ2a〜2cを封止する。
Next, a sealing resin 612 is dropped for each of the above sections. The bare chips 2a to 2c are buried in the sealing resin 612. The sealing resin 612 is, for example, a silicone resin. Subsequently, the sealing member 612 is cured by heating.
Forming a sealing resin layer 612a in the dam frame 610;
The bare chips 2a to 2c are sealed.

【0006】このようにすれば、仕切り611なしでダ
ム枠610内に封止樹脂612を滴下する場合に比べ、
封止樹脂612がダム枠610からはみ出るのを抑制す
ることができ、良好にベアチップ2a〜2cをダム枠6
10内において封止することができる。
[0006] In this case, compared with the case where the sealing resin 612 is dropped into the dam frame 610 without the partition 611,
The sealing resin 612 can be prevented from protruding from the dam frame 610, and the bare chips 2a to 2c can be satisfactorily removed.
It can be sealed in 10.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来におけるベアチップモールド部品600の製造に際し
ては、封止樹脂612が熱膨張する場合や、サイズの異
なるベアチップ2を配設する場合について、特に考慮さ
れていない。
However, when manufacturing the above-described conventional bare chip molded component 600, special consideration is given to the case where the sealing resin 612 thermally expands and the case where the bare chips 2 having different sizes are provided. Absent.

【0008】一般に、ベアチップ封止時の加熱や、他の
電子部品実装時の加熱などで、封止樹脂612が熱膨張
する。このため、ベアチップ2のワイヤ21が引っ張ら
れることにより断線するおそれがあるという問題点があ
った。
Generally, the sealing resin 612 thermally expands due to heating at the time of sealing a bare chip or heating at the time of mounting another electronic component. For this reason, there is a problem that the wire 21 of the bare chip 2 may be disconnected by being pulled.

【0009】また、封止樹脂層612aの部位(例え
ば、中央部と外周部)によって、その熱膨張率に差が生
じるため、封止樹脂層612aに内部応力が生じ、ベア
チップ2のワイヤ21が引っ張られることにより断線す
るおそれがあるという問題点があった。
Further, since the thermal expansion coefficient differs depending on the portion (for example, the central portion and the outer peripheral portion) of the sealing resin layer 612a, internal stress is generated in the sealing resin layer 612a, and the wire 21 of the bare chip 2 is There is a problem that the wire may be disconnected by being pulled.

【0010】また、サイズの違うベアチップ2a〜2c
を配設した場合、ベアチップ2a〜2cへの放熱差など
に起因して封止樹脂612各部において熱膨張率に差が
生じる。このため、封止樹脂層612aに内部応力が生
じ、ワイヤ21が引っ張られて断線するおそれがあると
いう問題点があった。
Also, bare chips 2a to 2c having different sizes are provided.
Is provided, a difference occurs in the coefficient of thermal expansion in each part of the sealing resin 612 due to a difference in heat radiation to the bare chips 2a to 2c. For this reason, there is a problem that an internal stress is generated in the sealing resin layer 612a, and the wire 21 may be pulled and disconnected.

【0011】さらに、大きいサイズのベアチップ(例え
ば、ベアチップ2c)を配設したにもかかわらず、普通
サイズ分の封止樹脂612を滴下すると、封止樹脂61
2が余ってダム枠610の外や、隣の区画にあふれ、は
みだしてしまう。このため、適切な封止樹脂層612を
確保することができず、基板1上における他の電子部品
の実装面積が少なくなるという問題点があった。
Further, even though a large-sized bare chip (for example, bare chip 2c) is provided, the sealing resin 612 of a normal size is dropped.
The extra 2 overflows the outside of the dam frame 610 and the adjacent section and protrudes. For this reason, there is a problem that an appropriate sealing resin layer 612 cannot be secured, and the mounting area of other electronic components on the substrate 1 is reduced.

【0012】この発明は、上記に鑑みてなされたもので
あって、ワイヤの断線を防止し、封止樹脂のはみ出しを
防止することができるベアチップモールド部品の製造方
法およびその方法により製造されるベアチップモールド
部品を得ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, and has been made in consideration of the above circumstances, and a method of manufacturing a bare chip molded component capable of preventing disconnection of a wire and preventing protrusion of a sealing resin, and a bare chip manufactured by the method. The purpose is to obtain a molded part.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、この発明のベアチップモールド部品の製造方法
は、低膨張率で高粘度の第1の樹脂により、複数個のベ
アチップの周囲の樹脂壁と、前記ベアチップ単位に前記
樹脂壁内を区画する仕切壁と、を同時に形成する工程
と、前記第1の樹脂と膨張率および粘度が略同じ第2の
樹脂を前記樹脂壁内に充填する工程と、前記第1の樹脂
および第2の樹脂を略同時に加熱硬化させることで前記
ベアチップを封止する工程と、を含み、サイズの異なる
ベアチップを複数配設する場合、前記樹脂壁および仕切
壁をそれぞれのベアチップのサイズに見合った高さに形
成したものである。
In order to achieve the above-mentioned object, a method of manufacturing a bare chip molded part according to the present invention comprises a first resin having a low expansion coefficient and a high viscosity, a resin around a plurality of bare chips. Simultaneously forming a wall and a partition wall for partitioning the inside of the resin wall in units of the bare chips; and filling the inside of the resin wall with a second resin having substantially the same expansion coefficient and viscosity as the first resin. A step of sealing the bare chip by substantially simultaneously heating and curing the first resin and the second resin. When a plurality of bare chips having different sizes are provided, the resin wall and the partition wall are provided. Is formed at a height commensurate with the size of each bare chip.

【0014】この製造方法は、製造したベアチップモー
ド部品に優れた特徴を与える。一般にベアチップを封止
した後のベアチップモード部品は、他の電子部品を実装
するため、種々の工程を経ることになる。ところが、例
えば、はんだ付け等のためリフロー炉内において加熱さ
れると、ベアチップを封止している樹脂が膨張し、当該
ベアチップから延出するワイヤに引っ張り応力が生じて
断線する。しかし、上記の如く、樹脂壁と仕切壁と充填
する樹脂とを低膨張率の樹脂で構成しているので、加熱
しても殆ど膨張しない。このため、膨張によるワイヤの
断線を防止できるようになる。
This manufacturing method gives excellent characteristics to the manufactured bare chip mode component. Generally, a bare chip mode component after a bare chip is sealed undergoes various processes for mounting other electronic components. However, when heated in a reflow furnace for soldering or the like, for example, the resin sealing the bare chip expands, and a wire extending from the bare chip generates a tensile stress and breaks. However, as described above, since the resin wall, the partition wall, and the resin to be filled are made of a resin having a low expansion coefficient, they hardly expand even when heated. Therefore, disconnection of the wire due to expansion can be prevented.

【0015】また、ベアチップは、始めにベアチップ周
囲に樹脂壁を形成しておき、その中に樹脂を充填するこ
とで封止されるが、樹脂壁(第1の樹脂)と充填する樹
脂(第2の樹脂)とを別々に加熱硬化すると、例えば、
両樹脂の界面にワイヤが位置するような場合には当該ワ
イヤに引っ張り応力がかかり、断線するおそれがある。
そこで、第1の樹脂と第2の樹脂とに同じ程度の膨張率
の樹脂を使用し、これらを同時に加熱硬化させることで
内部応力の発生を抑制するようにしたものである。その
結果、ワイヤに引っ張り応力がかからず、断線を防止す
ることができる。
Further, the bare chip is sealed by first forming a resin wall around the bare chip and filling the inside thereof with a resin. However, the bare chip is sealed with the resin wall (first resin). 2) and heat-cured separately, for example,
When the wire is located at the interface between the two resins, a tensile stress is applied to the wire, and there is a possibility that the wire is disconnected.
In view of this, the first resin and the second resin are made of resins having the same degree of expansion, and simultaneously heated and cured to suppress the generation of internal stress. As a result, no tensile stress is applied to the wire, and disconnection can be prevented.

【0016】また、ベアチップモールドにおいては、樹
脂壁(第1の樹脂)内に封止樹脂(第2の樹脂)を均一
に流動させる必要があるが、樹脂壁形状がL字形状など
の場合には、滴下した樹脂が全体に対して均一に流動し
ない。このため、仕切りにより前記樹脂壁内を区画し
て、区画毎に樹脂を滴下している。
In the bare chip mold, it is necessary to make the sealing resin (second resin) flow uniformly in the resin wall (first resin). Does not allow the dropped resin to flow uniformly over the whole. For this reason, the inside of the resin wall is partitioned by a partition, and the resin is dropped on each partition.

【0017】しかしながら、低粘度の樹脂を使用する
と、表面張力が小さいために樹脂壁や仕切りからあふれ
やすくなる。そこで、表面張力が大きい高粘度の樹脂を
使用することとし、樹脂があふれにくいようにした。ま
た、高粘度の樹脂であっても、樹脂壁内の区画ごとなら
ば十分なる流動が確保できる。特に、大きなサイズのベ
アチップに対し樹脂を滴下しすぎた場合であっても、樹
脂があふれにくくなる。この結果、樹脂が基板上にあふ
れないので、他の電子部品との関係で基板上における電
子部品実装密度が向上する。
However, when a low-viscosity resin is used, the resin easily overflows from the resin walls and partitions due to low surface tension. Therefore, a high-viscosity resin having a large surface tension is used to prevent the resin from overflowing. In addition, even with a high-viscosity resin, sufficient flow can be ensured for each section in the resin wall. In particular, even when the resin is dripped too much onto a large-sized bare chip, the resin is unlikely to overflow. As a result, the resin does not overflow onto the substrate, and the mounting density of electronic components on the substrate is improved in relation to other electronic components.

【0018】また、ベアチップを封止する樹脂は適量で
あるべきであるから、仕切りの高さによって樹脂量を調
節するようにしたものである。例えば、大きなベアチッ
プならば、仕切りを高くして樹脂充填量を増やし、小さ
なベアチップなら仕切りを低くして樹脂充填量を減ら
す。その結果、樹脂の歩留まりが向上する。
Since the amount of resin for sealing the bare chip should be an appropriate amount, the amount of resin is adjusted according to the height of the partition. For example, for a large bare chip, the partition is raised to increase the resin filling amount, and for a small bare chip, the partition is lowered to reduce the resin filling amount. As a result, the yield of the resin is improved.

【0019】つぎの発明によるベアチップモールド部品
の製造方法は、前記第1の樹脂で、ベアチップから延出
するワイヤの一部分が埋まるように樹脂壁または仕切壁
を形成する工程と、前記第2の樹脂で、前記ワイヤの他
の部分が埋まるように前記樹脂壁内を充填する工程と、
前記第1の樹脂および第2の樹脂を略同時に加熱硬化さ
せることで前記ベアチップを封止する工程と、を含むも
のである。
A method of manufacturing a bare chip molded part according to the next invention is a step of forming a resin wall or a partition wall so that a part of a wire extending from a bare chip is filled with the first resin; In filling the inside of the resin wall so that the other part of the wire is filled,
Sealing the bare chip by heating and curing the first resin and the second resin substantially simultaneously.

【0020】すなわち、ベアチップのワイヤの根元を樹
脂壁(第1の樹脂)で覆う場合、第1の樹脂と第2の樹
脂との膨張率が異なると、両樹脂界面においてワイヤが
引っ張られて断線する。そこで、第1の樹脂と第2の樹
脂とを、略同一の膨張率の樹脂とし、断線を防止するよ
うにしたものである。また、ボンディング部分の剥離に
ついても防止することができる。
That is, when the base of the wire of the bare chip is covered with a resin wall (first resin), if the expansion rates of the first resin and the second resin are different, the wire is pulled at the interface between the two resins and the wire is disconnected. I do. Thus, the first resin and the second resin are made of resins having substantially the same expansion coefficient to prevent disconnection. Also, peeling of the bonding portion can be prevented.

【0021】つぎの発明によるベアチップモールド部品
の製造方法は、前記ベアチップを複数配設する場合、所
定のベアチップから延出するワイヤの一部分どうしが同
時に埋まるように、前記第1の樹脂により樹脂壁または
仕切壁を形成するものである。
In the method of manufacturing a bare chip molded part according to the next invention, when a plurality of the bare chips are provided, a resin wall or a resin wall is formed by the first resin so that a part of a wire extending from a predetermined bare chip is simultaneously filled. It forms a partition wall.

【0022】すなわち、電子部品の実装密度を高めるた
めに基板の同一回路上に複数のワイヤをボンディングす
ることがあるが、かかるような場合でも複数のワイヤを
第1の樹脂により覆うようにすれば、断線を防止しつつ
実装密度を高めることが可能となる。
That is, a plurality of wires may be bonded on the same circuit of the substrate in order to increase the mounting density of electronic components. In such a case, if the plurality of wires are covered with the first resin, In addition, it is possible to increase the mounting density while preventing disconnection.

【0023】つぎの発明によるベアチップモールド部品
は、ベアチップの周囲に形成された樹脂壁と、前記ベア
チップごとに前記樹脂壁内を区画する仕切壁とを構成す
る第1の樹脂と、前記樹脂壁内に充填硬化されて前記ベ
アチップを封止する第2の樹脂とを、少なくとも略同じ
膨張率とし、かつ、高粘度の樹脂により構成し、サイズ
の異なるベアチップを複数配設する場合、前記樹脂壁お
よび仕切壁をそれぞれのベアチップに見合った高さとし
たものである。
A bare chip molded part according to the next invention is a first resin forming a resin wall formed around a bare chip, a partition wall for partitioning the inside of the resin wall for each bare chip, The second resin that is filled and cured to seal the bare chip has at least approximately the same expansion coefficient, and is made of a high-viscosity resin, and when a plurality of bare chips having different sizes are provided, the resin wall and The partition wall has a height suitable for each bare chip.

【0024】ここでは、第1の樹脂と第2の樹脂とを、
少なくとも膨張率が略同じの樹脂により構成したので、
すなわち、略同じ膨張率の樹脂により、ベアチップ周囲
の樹脂壁および仕切壁と、ベアチップを封止する樹脂と
を構成したので、樹脂内部でのワイヤ断線が少なく、品
質の良いベアチップモールド部品が得られる。
Here, the first resin and the second resin are
Because at least the expansion rate is made of the same resin,
That is, since the resin wall and the partition wall around the bare chip and the resin for sealing the bare chip are configured by the resin having substantially the same expansion coefficient, the wire breakage inside the resin is reduced, and a high quality bare chip molded part is obtained. .

【0025】また、各ベアチップに見合った仕切りの高
さで樹脂を充填するので、樹脂の歩留がよくなる。
Further, since the resin is filled at the height of the partition corresponding to each bare chip, the yield of the resin is improved.

【0026】つぎの発明によるベアチップモールド部品
は、前記第1の樹脂と第2の樹脂との界面を、ベアチッ
プから延出するワイヤが通る構成としたものである。
A bare chip molded part according to the next invention is configured such that a wire extending from the bare chip passes through an interface between the first resin and the second resin.

【0027】すなわち、ベアチップのワイヤの根元を樹
脂壁で覆うと、第1の樹脂と第2の樹脂との界面をワイ
ヤが通ることになるが、両樹脂は少なくも略同じ低膨張
率の樹脂であるから、ワイヤに引っ張り応力がかからな
い。その結果、ワイヤの断線が防止される。
That is, if the base of the wire of the bare chip is covered with a resin wall, the wire passes through the interface between the first resin and the second resin, and both resins have at least substantially the same low expansion coefficient. Therefore, no tensile stress is applied to the wire. As a result, disconnection of the wire is prevented.

【0028】つぎの発明によるベアチップモールド部品
は、前記ベアチップを複数配設する場合、所定のベアチ
ップから延出するワイヤの一部分どうしが前記第1の樹
脂に埋設された構造である。
The bare chip molded part according to the next invention has a structure in which, when a plurality of the bare chips are provided, a part of the wire extending from a predetermined bare chip is embedded in the first resin.

【0029】すなわち、上記同様、基板の同一回路上に
複数のワイヤをボンディングする場合においても、複数
のワイヤを第1の樹脂により覆うようにすれば、断線を
防止しつつ実装密度を高めることができる。
That is, as described above, even when a plurality of wires are bonded on the same circuit of the substrate, if the plurality of wires are covered with the first resin, the disconnection can be prevented and the mounting density can be increased. it can.

【0030】つぎの発明によるベアチップモールド部品
の製造方法は、サイズの異なる複数のベアチップ周囲
で、かつ、前記ベアチップ周囲のワイヤボール上に、高
粘度で低膨張率の第1の樹脂によって、樹脂壁と、前記
樹脂壁内を前記ベアチップごとに区画する仕切壁と、を
形成する工程と、前記樹脂壁および仕切壁と略同じ主成
分からなる第2の樹脂を、前記樹脂壁内に充填する工程
と、前記第1の樹脂および第2の樹脂を略同時に加熱硬
化させることで前記ベアチップを封止する工程と、を含
み、前記樹脂壁および仕切壁を、各ベアチップのサイズ
に見合った高さとしたものである。
A method of manufacturing a bare chip molded part according to the next invention is characterized in that a resin wall having a high viscosity and a low expansion coefficient is formed around a plurality of bare chips having different sizes and on a wire ball around the bare chip. Forming a partition wall for partitioning the inside of the resin wall for each bare chip, and filling the inside of the resin wall with a second resin having substantially the same main components as the resin wall and the partition wall. And a step of sealing the bare chip by heating and curing the first resin and the second resin substantially simultaneously, wherein the resin wall and the partition wall have a height corresponding to the size of each bare chip. Things.

【0031】すなわち、高粘度で低膨張率の第1の樹脂
で樹脂壁と仕切壁とを形成し、この樹脂壁内に、第1の
樹脂と同成分の第2の樹脂を充填している。これより、
ベアチップのワイヤ断線を防止することができる。ま
た、樹脂があふれるのを防止することもできるから、基
板の電子部品実装密度が向上する。
That is, a resin wall and a partition wall are formed of a first resin having a high viscosity and a low expansion coefficient, and the resin wall is filled with a second resin having the same component as the first resin. . Than this,
Wire breakage of the bare chip can be prevented. Further, since the resin can be prevented from overflowing, the electronic component mounting density of the substrate is improved.

【0032】また、樹脂壁および仕切壁を、各ベアチッ
プのサイズに見合った高さとしたので、樹脂の滴下量の
コントロールが容易に行え、樹脂の歩留まりが良くな
る。
Further, since the height of the resin wall and the partition wall is set in accordance with the size of each bare chip, the amount of resin dripped can be easily controlled, and the yield of resin can be improved.

【0033】つぎの発明によるベアチップモールド部品
は、サイズの異なる複数のベアチップの周囲で、かつ、
前記ベアチップ周囲のワイヤボール上に形成される樹脂
壁と、前記樹脂壁内を区画する仕切壁とが、高粘度で低
膨張率の第1の樹脂により形成され、前記樹脂壁内が、
前記樹脂壁および仕切壁と同じ主成分からなる第2の樹
脂により充填形成された構造であり、前記樹脂壁および
仕切壁が各ベアチップのサイズに見合った高さとしたも
のである。
The bare chip molded part according to the next invention is provided around a plurality of bare chips having different sizes, and
A resin wall formed on the wire ball around the bare chip and a partition wall for partitioning the inside of the resin wall are formed of a first resin having a high viscosity and a low expansion coefficient, and the inside of the resin wall is
The resin wall and the partition wall have a structure filled with a second resin composed of the same main component as the resin wall and the partition wall, and the resin wall and the partition wall have a height corresponding to the size of each bare chip.

【0034】すなわち、樹脂壁および仕切壁と同じ主成
分からなる第2の樹脂により充填形成された構造である
ため、ベアチップのワイヤの断線が少なく、電子部品実
装密度も高いことから品質が向上する。
That is, since the structure is filled with the second resin composed of the same main component as the resin wall and the partition wall, there is little disconnection of the bare chip wires, and the quality is improved because the electronic component mounting density is high. .

【0035】また、樹脂壁および仕切壁が各ベアチップ
のサイズに見合った高さとしたので、樹脂の歩留まりが
良なり、低コストで製品を製造することができる。
Further, since the resin wall and the partition wall have a height corresponding to the size of each bare chip, the yield of resin is improved and a product can be manufactured at low cost.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下、この発明に係るベアチップ
モールド部品の製造方法およびその方法により製造され
るベアチップモールド部品につき図面を参照しつつ詳細
に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限
定されるものではない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method of manufacturing a bare chip molded part according to the present invention and a bare chip molded part manufactured by the method will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the embodiment.

【0037】(実施の形態1) 図1は、この発明に係る製造方法により製造されるベア
チップモールド部品を示す説明図であり、図2は、図1
に示したA−A'断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is an explanatory view showing a bare chip molded part manufactured by a manufacturing method according to the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ shown in FIG.

【0038】このベアチップモールド部品100におい
て、1は電子部品を実装するための基板である。この基
板1の回路形成面にはベアチップ2d、2eが配設され
ている。ベアチップ2d、2eの周囲には、ダム枠11
が形成されており、このダム枠11は仕切り12により
ベアチップ毎に区画されている。また、ベアチップ2
d、2eは、封止樹脂層20aにより封止されている。
In this bare chip molded component 100, reference numeral 1 denotes a substrate on which electronic components are mounted. Bare chips 2d and 2e are provided on the circuit forming surface of the substrate 1. Around the bare chips 2d and 2e, a dam frame 11 is provided.
The dam frame 11 is partitioned by a partition 12 for each bare chip. In addition, bare chip 2
d and 2e are sealed by the sealing resin layer 20a.

【0039】図3は、この発明のベアチップモールド部
品の製造工程を示すフローチャートである。ステップS
1では、まず、基板1上にベアチップ2d、2eを配設
し、ベアチップ2d、2eから延出するワイヤ21を基
板1の回路上にボンディングする。
FIG. 3 is a flowchart showing the steps of manufacturing the bare chip molded part of the present invention. Step S
In 1, first, the bare chips 2 d and 2 e are arranged on the substrate 1, and the wires 21 extending from the bare chips 2 d and 2 e are bonded on the circuit of the substrate 1.

【0040】ステップS2では、ベアチップ2d、2e
の周囲にダム枠11と、および、各ベアチップ2d、2
eを仕切るための仕切り12とを同時に形成する。例え
ば、ノズルから樹脂を押し出すことで、まず、仕切り1
2の一端部から塗布してゆき、続いて周囲のダム枠11
を塗布し、最後に仕切り12の他端部まで塗布し終了す
る。この仕切り12により、ダム枠11がベアチップ2
d、2e毎の区画(10a、10b)に分割される。ま
た、ダム枠11および仕切り12(あわせたものを、以
下共通セル10という)は、図4に示すように、ワイヤ
ボール22上に形成される。
In step S2, bare chips 2d, 2e
Around the dam frame 11, and each bare chip 2d, 2
and a partition 12 for partitioning e. For example, by extruding the resin from the nozzle, first, partition 1
2 from one end, and then the surrounding dam frame 11
And finally to the other end of the partition 12, and the process is completed. This partition 12 allows the dam frame 11 to bear the bare chip 2
It is divided into sections (10a, 10b) for each of d and 2e. Further, the dam frame 11 and the partition 12 (the combined one is hereinafter referred to as a common cell 10) are formed on a wire ball 22, as shown in FIG.

【0041】上記共通セル10は、例えば、エポキシ樹
脂、酸無水物、触媒、添加剤、無機フィラーからなるエ
ポキシ樹脂混合物(菱電化成製:商品名V974)や、
無溶剤型の一液性酸無水物硬化系封止材(日立化成製:
商品名CEC−0041、0042)などの高粘度で低
膨張率の材料である。
The common cell 10 includes, for example, an epoxy resin mixture (product name: V974, manufactured by Ryoden Kasei) comprising an epoxy resin, an acid anhydride, a catalyst, an additive, and an inorganic filler.
Solvent-free, one-part acid anhydride-curing encapsulant (Hitachi Chemical:
It is a material having a high viscosity and a low coefficient of expansion such as CEC-0041, 0042).

【0042】また、共通セル10の高さは、ベアチップ
2d、2eのサイズにより決定される。例えば、図2に
示すように、厚いベアチップ2dの周囲には高い共通セ
ル10を、薄いベアチップ2eの周囲には低い共通セル
10を形成する。共通セル10の高低は、樹脂を押し出
すノズルの径および圧力によりコントロールする。
The height of the common cell 10 is determined by the size of the bare chips 2d and 2e. For example, as shown in FIG. 2, a high common cell 10 is formed around a thick bare chip 2d, and a low common cell 10 is formed around a thin bare chip 2e. The height of the common cell 10 is controlled by the diameter and pressure of a nozzle for extruding resin.

【0043】ステップS3では、封止樹脂20を各区画
10a、10b毎に滴下する。封止樹脂20は、例えば
エポキシ樹脂、酸無水物、触媒、添加剤、無機フィラー
からなるエポキシ樹脂混合物(菱電化成製:商品名V9
75)や、無溶剤型の一液性酸無水物硬化系封止材(日
立化成製:商品名CEC−1900)などの高粘度で低
膨張率の材料である。この封止樹脂20は、表面張力に
より共通セル10の頂部から盛った状態で充填される
(図2参照)。ベアチップ2d、2eは、封止樹脂20
に埋没する。
In step S3, the sealing resin 20 is dropped for each of the sections 10a and 10b. The sealing resin 20 is, for example, an epoxy resin mixture (product name: V9, manufactured by Ryoden Kasei) comprising an epoxy resin, an acid anhydride, a catalyst, an additive, and an inorganic filler.
75) or a high-viscosity, low-expansion material such as a non-solvent type one-component acid anhydride-curing sealing material (trade name: CEC-1900, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.). The sealing resin 20 is filled in a state where the sealing resin 20 rises from the top of the common cell 10 due to surface tension (see FIG. 2). The bare chips 2d and 2e are made of a sealing resin 20.
Buried in

【0044】また、封止樹脂20の滴下量は、ベアチッ
プ2d、2eのサイズおよび共通セル10の高さにより
調整する。例えば、ベアチップ2dのような厚めで表面
積が小さく、周囲の共通セル10が高い場合には滴下量
を少なめに、ベアチップ2eのように薄めで表面積が大
きく、周囲の共通セル10が低い場合には滴下量を多め
に、調整する。
The amount of the sealing resin 20 dropped is adjusted according to the size of the bare chips 2 d and 2 e and the height of the common cell 10. For example, when the thickness is large and the surface area is small like the bare chip 2d and the surrounding common cell 10 is high, the amount of dripping is small. When the surrounding common cell 10 is thin and the surface area is small like the bare chip 2e. Adjust the dropping amount to a larger amount.

【0045】ステップS4では、共通セル10および封
止樹脂20を同時に加熱硬化させる。共通セル10およ
び封止樹脂20は、低膨張率の略同じ材料であるから、
加熱による熱膨張の膨張率にほとんど差はない。また、
封止樹脂20の膨張率が大きいときでも、封止樹脂20
の膨張は共通セル10により防止される。これより、ベ
アチップ2は、硬化した封止樹脂層20aにより封止さ
れる。
In step S4, the common cell 10 and the sealing resin 20 are simultaneously cured by heating. Since the common cell 10 and the sealing resin 20 are substantially the same material having a low expansion coefficient,
There is almost no difference in the coefficient of thermal expansion due to heating. Also,
Even when the expansion coefficient of the sealing resin 20 is large, the sealing resin 20
Is prevented by the common cell 10. Thus, the bare chip 2 is sealed by the cured sealing resin layer 20a.

【0046】加熱はつぎのように行う。まず、封止樹脂
20の粘度が下がる温度(80〜110℃)で40分間
加熱し、つぎに、封止樹脂20が硬化する温度(140
〜150℃)で30分間加熱し硬化させる。その後、1
30〜140℃、120〜130℃、と温度を下げつつ
30分間加熱する。
The heating is performed as follows. First, the sealing resin 20 is heated at a temperature at which the viscosity of the sealing resin 20 decreases (80 to 110 ° C.) for 40 minutes.
(~ 150 ° C) for 30 minutes to cure. Then 1
Heat for 30 minutes while lowering the temperature to 30 to 140 ° C and 120 to 130 ° C.

【0047】以上のようにベアチップモールド部品10
0を製造すれば、封止されるベアチップ2から延出され
るワイヤ21に引っ張り応力がかからない。その結果、
ワイヤ21の断線が防止される。
As described above, the bare chip molded part 10
If 0 is manufactured, no tensile stress is applied to the wire 21 extending from the bare chip 2 to be sealed. as a result,
Disconnection of the wire 21 is prevented.

【0048】また、共通セル10をベアチップ2d、2
eそれぞれに見合った適当な高さとしたので、ベアチッ
プ2d、2e個々の樹脂使用量が適量化され、樹脂の歩
留まりがよくなる。さらに、共通セル10は、ワイヤボ
ール22上に形成されているので、小面積でベアチップ
2d、2eをモールドすることができ、基板1の表面を
有効に利用することができるようになる。この結果、電
子部品の実装密度が向上する。
The common cell 10 is connected to the bare chips 2d, 2d,
Since the height is set to an appropriate value for each of the e, the amount of resin used for each of the bare chips 2d and 2e is made appropriate, and the yield of resin is improved. Further, since the common cell 10 is formed on the wire ball 22, the bare chips 2d and 2e can be molded in a small area, and the surface of the substrate 1 can be used effectively. As a result, the mounting density of electronic components is improved.

【0049】さらに、高粘度の封止樹脂20を用いたこ
と、および仕切り12によりベアチップ毎の区画を形成
したことにより封止樹脂20がうまく滴下充填され、あ
ふれることがなく、各ベアチップ2d、2e毎に必要な
樹脂厚を確保することができる。さらに進んで、滴下す
る封止樹脂20の量を調整しやすくなる。
Further, the use of the high-viscosity sealing resin 20 and the formation of the partition for each bare chip by the partition 12 allow the sealing resin 20 to be filled well by dropping, without overflowing, thereby preventing the bare chips 2d, 2e The required resin thickness can be secured every time. Further, it becomes easy to adjust the amount of the sealing resin 20 to be dropped.

【0050】また、ベアチップ封止後の次工程におい
て、他の電子部品実装のため加熱された場合でも、少な
くとも封止樹脂20の膨張は効果的に抑制されるから、
ワイヤ21の断線が防止される。
Also, in the next step after the bare chip sealing, even if it is heated for mounting other electronic parts, at least the expansion of the sealing resin 20 is effectively suppressed.
Disconnection of the wire 21 is prevented.

【0051】すなわち、上記製造方法により製造すれ
ば、種々のサイズのベアチップ2d、2eを、ワイヤ2
1が断線することなく、コンパクトに、かつ、簡易に実
装可能となる。従って、かかる方法で製造されたベアチ
ップモールド部品100は、ワイヤ断線が少なくコンパ
クトといった、優れた品質特性を有することになる。
That is, if manufactured by the above manufacturing method, the bare chips 2d and 2e of various sizes can be
1 can be compactly and easily mounted without disconnection. Therefore, the bare chip molded component 100 manufactured by such a method has excellent quality characteristics such as compactness with little wire breakage.

【0052】(実施の形態2) また、図5に示すベアチップモールド部品200のよう
に、ベアチップ2f、2gのワイヤ21f、21gを同
一の回路上に交互にボンディングし、これらワイヤボー
ル22f、22g上に共通セル10を形成するようにし
てもよい。かかる構成によれば、実施の形態1と同様の
効果を保持しつつ、ベアチップ2f、2gをコンパクト
にモールドできるので基板1の電子部品実装密度をさら
に向上させることができる。
(Embodiment 2) Also, as in a bare chip molded part 200 shown in FIG. 5, the wires 21f and 21g of the bare chips 2f and 2g are alternately bonded on the same circuit, and these wire balls 22f and 22g are Alternatively, the common cell 10 may be formed. According to such a configuration, the bare chips 2f and 2g can be compactly molded while maintaining the same effects as in the first embodiment, so that the electronic component mounting density of the substrate 1 can be further improved.

【0053】(実施の形態3) また、図6に示すベアチップモールド部品300のよう
に、封止樹脂20を、仕切り12を超えて充填硬化させ
てることで封止樹脂層20aを形成してもよい。かかる
構成でも封止樹脂20の高粘度、かつ、低膨張率である
特性が生かされ、ワイヤ21の断線を有効に防止するこ
とができる。
(Embodiment 3) Also, as in the bare chip molded part 300 shown in FIG. 6, the sealing resin 20 is filled and cured beyond the partition 12 to form the sealing resin layer 20a. Good. Even in such a configuration, the characteristics of the sealing resin 20 having a high viscosity and a low expansion coefficient are utilized, and the disconnection of the wire 21 can be effectively prevented.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によるベ
アチップモールド部品の製造方法およびその方法により
製造されるベアチップモールド部品によれば、低膨張率
の樹脂でベアチップを封止するから、当該ベアチップか
ら延出するワイヤに引っ張り応力がかからない。その結
果、ワイヤの断線を防止でき、ベアチップモールド部品
の品質を向上させることができる。また、仕切りにより
前記樹脂壁内を区画して、区画毎に高粘度の樹脂を滴下
して製造するため、樹脂が区画内からあふれにくく、そ
の結果、コンパクトにモールドでき、基板上の電子部品
実装密度を向上させることができる。また、仕切りの高
さによって樹脂量を調節するので、滴下樹脂量を適量化
でき、樹脂の歩留まりを向上させ、製造コストを低減さ
せることができる。
As described above, according to the method for producing a bare chip molded part and the bare chip molded part produced by the method according to the present invention, the bare chip is sealed with a resin having a low expansion coefficient. No tensile stress is applied to the extending wire. As a result, disconnection of the wire can be prevented, and the quality of the bare chip molded component can be improved. In addition, since the inside of the resin wall is partitioned by partitions and high-viscosity resin is dropped for each partition to manufacture the resin, the resin is unlikely to overflow from the inside of the partition, and as a result, compact molding can be performed, and electronic component mounting on the substrate can be performed. Density can be improved. Further, since the amount of resin is adjusted according to the height of the partition, the amount of dropped resin can be adjusted to an appropriate amount, the yield of resin can be improved, and the manufacturing cost can be reduced.

【0055】つぎの発明によるベアチップモールド部品
の製造方法およびその方法により製造されたベアチップ
モールド部品によれば、ベアチップのワイヤの根元を樹
脂壁(第1の樹脂)で覆う場合でも、第1の樹脂と第2
の樹脂との界面をワイヤが通ることになるが、前記第1
の樹脂と第2の樹脂との膨張率が略同じなので、ワイヤ
に引っ張り応力がかからない。このため、ワイヤの断線
を防止でき、根元のボンディング部分の剥離も防止する
ことができる。
According to the method for manufacturing a bare chip molded part and the bare chip molded part manufactured by the method according to the next invention, even if the base of the wire of the bare chip is covered with a resin wall (first resin), the first resin can be used. And the second
The wire passes through the interface with the resin, but the first
Since the expansion coefficients of the resin and the second resin are substantially the same, no tensile stress is applied to the wire. Therefore, disconnection of the wire can be prevented, and peeling of the bonding portion at the root can also be prevented.

【0056】つぎの発明によるベアチップモールド部品
の製造方法およびその方法により製造されるベアチップ
モールド部品によれば、複数のベアチップから延出する
ワイヤを基板上の同一回路上にボンディングし、そのワ
イヤの一部分どうしを同時に第1の樹脂により覆うの
で、ワイヤ断線を防止しつつ実装密度を高めることがで
きる。
According to the method for manufacturing a bare chip molded component according to the next invention and the bare chip molded component manufactured by the method, wires extending from a plurality of bare chips are bonded on the same circuit on a substrate, and a part of the wires is formed. Since the members are simultaneously covered with the first resin, the mounting density can be increased while preventing wire breakage.

【0057】つぎの発明によるベアチップモールド部品
の製造方法およびその方法により製造されるベアチップ
モールド部品によれば、高粘度で低膨張率の第1の樹脂
で樹脂壁と仕切壁とを形成し、この樹脂壁内に、第1の
樹脂と同成分の第2の樹脂を充填した。このため、ワイ
ヤ断線を有効に防止でき、ベアチップモールド部品の品
質を向上させることができ、また、樹脂があふれるのを
防止できるので、ベアチップの実装スペースがコンパク
トになり、基板の電子部品実装密度を向上させることが
できる。
According to the method for producing a bare chip molded part according to the next invention and the bare chip molded part produced by the method, a resin wall and a partition wall are formed of a first resin having a high viscosity and a low expansion coefficient. The second resin having the same component as the first resin was filled in the resin wall. For this reason, wire breakage can be effectively prevented, the quality of bare chip molded parts can be improved, and resin can be prevented from overflowing, so that the mounting space for bare chips is compact and the mounting density of electronic components on the board is reduced. Can be improved.

【0058】つぎの発明によるベアチップモールド部品
の製造方法およびその方法により製造されるベアチップ
モールド部品によれば、樹脂壁および仕切壁を、各ベア
チップのサイズに見合った高さとしたので、樹脂の滴下
量の調整を容易に行え、樹脂の歩留まりが良くなる。そ
の結果、ベアチップモールド部品のコストを低減するこ
とができる。
According to the method for manufacturing a bare chip molded part according to the next invention and the bare chip molded part manufactured by the method, the resin wall and the partition wall have a height corresponding to the size of each bare chip. Can be easily adjusted, and the yield of resin is improved. As a result, the cost of the bare chip molded part can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明に係る実施の形態1のベアチップモ
ールド部品の構造を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a structure of a bare chip molded part according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示したA−A'断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ shown in FIG.

【図3】 この発明のベアチップモールド部品の製造工
程を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a manufacturing process of the bare chip molded part of the present invention.

【図4】 図2に示したH部分拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of a part H shown in FIG. 2;

【図5】 この発明に係る実施の形態2のベアチップモ
ールド部品の構造を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing a structure of a bare chip molded part according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 この発明に係る実施の形態3のベアチップモ
ールド部品の構造を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a structure of a bare chip molded part according to a third embodiment of the present invention.

【図7】 従来におけるベアチップモール部品の構造を
示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing the structure of a conventional bare chip molding component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 ベアチップモールド部品、1 基板、2 ベア
チップ、21 ワイヤ、11 ダム枠、12 仕切り、
10 共通セル、20 封止樹脂、20a 封止樹脂層
200 ベアチップモールド部品、300 ベアチッ
プモールド部品。
100 bare chip molded parts, 1 substrate, 2 bare chips, 21 wires, 11 dam frames, 12 partitions,
Reference Signs List 10 common cell, 20 sealing resin, 20a sealing resin layer 200 bare chip molded part, 300 bare chip molded part.

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 低膨張率で高粘度の第1の樹脂により、
複数個のベアチップの周囲の樹脂壁と、前記ベアチップ
単位に前記樹脂壁内を区画する仕切壁と、を同時に形成
する工程と、 前記第1の樹脂と膨張率および粘度が略同じ第2の樹脂
を前記樹脂壁内に充填する工程と、 前記第1の樹脂および第2の樹脂を略同時に加熱硬化さ
せることで前記ベアチップを封止する工程と、 を含み、 サイズの異なるベアチップを複数配設する場合、前記樹
脂壁および仕切壁をそれぞれのベアチップのサイズに見
合った高さに形成することを特徴とするベアチップモー
ルド部品の製造方法。
1. A low-expansion, high-viscosity first resin,
A step of simultaneously forming a resin wall around a plurality of bare chips and a partition wall for partitioning the inside of the resin wall in units of the bare chips; and a second resin having an expansion coefficient and a viscosity substantially equal to those of the first resin. And a step of sealing the bare chip by heating and curing the first resin and the second resin substantially simultaneously, and disposing a plurality of bare chips having different sizes. In this case, a method of manufacturing a bare chip molded part, wherein the resin wall and the partition wall are formed at a height corresponding to the size of each bare chip.
【請求項2】 前記第1の樹脂で、ベアチップから延出
するワイヤの一部分が埋まるように樹脂壁または仕切壁
を形成する工程と、 前記第2の樹脂で、前記ワイヤの他の部分が埋まるよう
に前記樹脂壁内を充填する工程と、 前記第1の樹脂および第2の樹脂を略同時に加熱硬化さ
せることで前記ベアチップを封止する工程と、 を含むことを特徴とする請求項1に記載のベアチップモ
ールド部品の製造方法。
2. A step of forming a resin wall or a partition wall so that a part of a wire extending from a bare chip is filled with the first resin, and another part of the wire is filled with the second resin. The method according to claim 1, further comprising: a step of filling the inside of the resin wall, and a step of heating and curing the first resin and the second resin substantially simultaneously to seal the bare chip. A method for producing a bare chip molded part as described in the above.
【請求項3】 前記ベアチップを複数配設する場合、所
定のベアチップから延出するワイヤの一部分どうしが同
時に埋まるように、前記第1の樹脂により樹脂壁または
仕切壁を形成することを特徴とする請求項1または2に
記載のベアチップモールド部品の製造方法。
3. When a plurality of bare chips are provided, a resin wall or a partition wall is formed of the first resin so that a part of wires extending from a predetermined bare chip is simultaneously buried. A method for producing a bare chip molded part according to claim 1.
【請求項4】 ベアチップの周囲に形成された樹脂壁
と、前記ベアチップごとに前記樹脂壁内を区画する仕切
壁とを構成する第1の樹脂と、前記樹脂壁内に充填硬化
されて前記ベアチップを封止する第2の樹脂とを、少な
くとも略同じ膨張率とし、かつ、高粘度の樹脂により構
成し、 サイズの異なるベアチップを複数配設する場合、前記樹
脂壁および仕切壁をそれぞれのベアチップに見合った高
さとしたことを特徴とするベアチップモールド部品。
4. A resin wall formed around a bare chip, a first resin constituting a partition wall for partitioning the inside of the resin wall for each bare chip, and the bare chip being filled and cured in the resin wall. When the second resin for sealing is at least approximately the same expansion coefficient, and is made of a high-viscosity resin, and a plurality of bare chips having different sizes are provided, the resin wall and the partition wall are attached to each bare chip. Bare chip molded parts characterized by the appropriate height.
【請求項5】 前記第1の樹脂と第2の樹脂との界面
を、ベアチップから延出するワイヤが通る構成としたこ
とを特徴とする請求項4に記載のベアチップモールド部
品。
5. The bare chip molded part according to claim 4, wherein a wire extending from a bare chip passes through an interface between the first resin and the second resin.
【請求項6】 前記ベアチップを複数配設する場合、所
定のベアチップから延出するワイヤの一部分どうしが前
記第1の樹脂に埋設された構造であることを特徴とする
請求項4または5に記載のベアチップモールド部品。
6. The structure according to claim 4, wherein when a plurality of bare chips are provided, a part of wires extending from a predetermined bare chip is embedded in the first resin. Bare chip mold parts.
【請求項7】 サイズの異なる複数のベアチップ周囲
で、かつ、前記ベアチップ周囲のワイヤボール上に、高
粘度で低膨張率の第1の樹脂によって、樹脂壁と、前記
樹脂壁内を前記ベアチップごとに区画する仕切壁と、を
形成する工程と、前記樹脂壁および仕切壁と略同じ主成
分からなる第2の樹脂を、前記樹脂壁内に充填する工程
と、 前記第1の樹脂および第2の樹脂を略同時に加熱硬化さ
せることで前記ベアチップを封止する工程と、 を含み、 前記樹脂壁および仕切壁を、各ベアチップのサイズに見
合った高さとしたことを特徴とするベアチップモールド
部品の製造方法。
7. A resin wall having a high viscosity and a low expansion coefficient around a plurality of bare chips having different sizes and on a wire ball around the bare chip. Forming a partition wall, and filling the inside of the resin wall with a second resin having substantially the same main component as the resin wall and the partition wall; and forming the first resin and the second resin. A step of sealing the bare chip by heating and curing the resin substantially simultaneously, wherein the resin wall and the partition wall have a height corresponding to the size of each bare chip. Method.
【請求項8】 サイズの異なる複数のベアチップの周囲
で、かつ、前記ベアチップ周囲のワイヤボール上に形成
される樹脂壁と、前記樹脂壁内を区画する仕切壁とが、
高粘度で低膨張率の第1の樹脂により形成され、前記樹
脂壁内が、前記樹脂壁および仕切壁と同じ主成分からな
る第2の樹脂により充填形成された構造であり、 前記樹脂壁および仕切壁が各ベアチップのサイズに見合
った高さとしたことを特徴とするベアチップモールド部
品。
8. A resin wall formed around a plurality of bare chips having different sizes and on a wire ball around the bare chip, and a partition wall for partitioning the inside of the resin wall,
The resin wall is formed of a first resin having a high viscosity and a low expansion coefficient, and the inside of the resin wall is filled with a second resin composed of the same main component as the resin wall and the partition wall. A bare chip molded part, wherein the partition wall has a height corresponding to the size of each bare chip.
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JP2011146588A (en) * 2010-01-15 2011-07-28 Dainippon Printing Co Ltd Wiring board with built-in electronic component and method of manufacturing wiring board with built-in electronic component
JP5673616B2 (en) * 2012-07-10 2015-02-18 株式会社デンソー Electronic equipment
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