JP3332120B2 - 検査回路および検査方法 - Google Patents

検査回路および検査方法

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は検査回路に関するもの
であり、特にその静電気に対する保護に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図5に、プリント基板検査装置の構成を
示す。この検査装置は、プリント基板上に形成された配
線パターンの良否を検出するためのものである。
【0003】ベース2の上に、検査対象であるプリント
基板4が載置されている。その上には、プレス装置8に
よって上下動可能であるプローブ6が設けられている。
各プローブ6は、所定のピッチで縦横方向に配置されて
いる。また、各プローブ6は、ケーブル10を介して、
検査回路12に接続されている。
【0004】検査を行う際には、プレス装置8によりプ
ローブ6を下げて、プリント基板4上の配線パターンに
接触させる。この際、プローブ6の先端部は先細り形状
となっており、プリント基板4の部品挿入穴(図示せ
ず)に、この先細り部分が挿入されて、配線パターンと
の接触が確実になされる。
【0005】なお、図においては、説明の都合上、プロ
ーブ6を数本しか表示していなが、実際には、数千本程
度設けられているのが、一般的である。
【0006】検査回路12は、これらプローブ6のうち
から、順次、2つのプローブ6を選び出して切り換えを
行い、両プローブ6間の導通、非導通を検査する。これ
により、プリント基板4上のパターンの断線やショート
を検出することができる。なお、検査回路12は、2つ
のプローブ6を選択する全ての組合わせについて、上記
の切り換えおよび検査を行う。
【0007】図6に、検査回路12の詳細を示す。検査
回路12は、電圧/電流印加回路14、電流測定回路2
4、切り換え回路221、222、・・・22nを備えてい
る。切り換え回路221、222、・・・22nは、各プロ
ーブ6に対応して設けられている。切り換え回路2
1、222、・・・22nの第1の端子161、162・・
・16nは、それぞれ、個別供給ライン281、282
・・・28nに接続されている。個別供給ライン281
282、・・・28nは、共通供給ライン26にまとめら
れ、電圧/電流印加回路14に接続されている。第3の
端子201、202、・・・20nには、それぞれ、対応
するプローブ6が接続されている。
【0008】第3の端子201、202、・・・20
nと、第1の端子161、162・・・16nとの間には、
第1のFET341、342、・・・34nが設けられて
いる。したがって、制御回路(図示せず)により第1の
FET341、342、・・・34nの何れをオンにする
かを選択することができる。これにより、各プローブ6
に対して、選択的に電圧(電流)を印加することができ
る。
【0009】一方、第2の端子181、182・・・18
nは、それぞれ、個別測定ライン381、382、・・・
38nに接続されている。個別測定ライン381、3
2、・・・38nは、共通測定ライン40にまとめら
れ、電流測定回路24に接続されている。第3の端子2
1、202、・・・20nと、第2の端子181、182
・・・18nとの間には、第2のFET361、362
・・・36nが設けられている。したがって、制御回路
(図示せず)により第2のFET361、362、・・・
36nの何れをオンにするかを選択することができる。
これにより、各プローブ6を、選択的に電流測定回路2
4に接続することができる。
【0010】以上のようにして、ある一つのプローブ6
に電圧(電流)を与え、他の一つのプローブ6からの電
流を測定することにより、導通・非導通の検査を行う。
これを、全てのプローブ6の組み合わせについて行う。
【0011】しかしながら、上記のような検査回路にお
いては、次のような問題点があった。多数の基板を連続
的に検査する場合には、プローブ6は、プリント基板4
への接触・非接触を繰り返すので、プローブ6はに静電
気を受ける。これにより、FET34、36が静電破壊
するおそれがあった。
【0012】これを解決するため、図7に示すような静
電気保護対策も考えられる。ここでは、各切り換え回路
221、222、・・・22nにおいて、第3の端子2
1、202、・・・20nに、抵抗R1、R2、・・・Rn
およびツェナー・ダイオードZD1、ZD2、・・・ZD
nを接続している。第3の端子201に生じた静電気は、
抵抗R1によって電流が制限される。また、FET3
1,361のドレイン・ソース間電圧をVDSとしたと
き、ツェナー・ダイオードZD1のツェナー電圧VZを、 VDS>VZ に選択してある。したがって、過大な静電気が生じて
も、ツェナー・ダイオードZD1によって、FET3
1,361が保護される。
【0013】また、図8に示すように、各切り換え回路
221、222、・・・22nにおいて、第3の端子2
1、202、・・・20nと接地電位との間に、リレーR
1、RL2、・・・RLnを設ける方法も考えられる。
測定を行っていない場合には、リレーRL1、RL2、・
・・RLnを閉じておく。これにより、発生した静電気
がアースされ、FET341,361が保護される。測定
を行う際には、リレーRL1、RL2、・・・RLnを開
けばよい。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7お
よび図8に示す検査回路には、次のような問題点があっ
た。
【0015】図7に示す検査回路においては、急激に電
圧の上昇する静電気が入力された場合、一時的にA点の
電圧がツェナー電圧VZを超えることがあった。これに
より、FET341,361の寄生ダイオードDa、Db
通じる電路が形成され、FET341,361のソース、
ドレイン間の電圧が大きくなって、破壊するおそれがあ
った。
【0016】図8に示す検査回路においては、上記のよ
うな問題はなく、確実に静電気に対する保護がなされ
る。しかしながら、この構成においては、各切り換え回
路221、222、・・・22nごとに、リレーRL1、R
2、・・・RLnを設けなければならず、構成が複雑で
あって、高価であるという問題があった。
【0017】この発明は、上記のような問題点を解決し
て、簡易かつ安価な構成でありながら、確実に静電気に
対する保護を行うことのできる検査回路を提供すること
を目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る検査回路
は、共通供給ライン上に第1の保護スイッチ手段を設
け、測定時には切り換え手段の第1の端子を供給手段に
接続し、非測定時には切り換え手段の第1の端子を接地
するようにするとともに、共通測定ライン上に第2の保
護スイッチ手段を設け、測定時には切り換え手段の第2
の端子を電流測定手段に接続し、非測定時には切り換え
手段の第2の端子を接地するようにしたことを特徴とし
ている。
【0019】請求項2に係る検査回路は、第3の端子と
第1の保護スイッチが接続された接地との間、および/
または、第3の端子と第2の保護スイッチが接続された
接地との間に、限流手段を設けたことを特徴としてい
る。
【0020】請求項3の検査方法は、検査を行っていな
い時には、前記共通供給ラインへの電流または電圧の供
給を停止するとともに、前記共通供給ラインを接地し、
さらに、前記共通測定ラインを接地することを特徴とし
ている。
【0021】
【作用】請求項1に係る検査回路においては、第1の保
護スイッチ手段および第2の保護スイッチ手段によっ
て、第1、第2の端子を接地できるようにしている。こ
れにより、第3の端子に生じた静電気は、第1、第2の
FETのソース、ドレイン間の寄生ダイオードを介して
接地される。したがって、第1、第2のFETのソー
ス、ドレイン間に高電圧が生じない。さらに、第1およ
び第2の保護スイッチ手段は、共通供給ライン上、共通
測定ライン上に設けられているので、構成が簡素であ
る。
【0022】請求項2に係る検査回路においては、限流
手段を設けている。したがって、静電気による電流を抑
制することができる。
【0023】請求項3の検査方法においては、検査を行
っていない時には、前記共通供給ラインへの電流または
電圧の供給を停止するとともに、前記共通供給ラインを
接地し、さらに、前記共通測定ラインを接地するように
している。したがって、静電気による影響を排除するこ
とができる。
【0024】
【実施例】図1に、この発明の一実施例による検査回路
を示す。この検査回路は、供給手段である電圧/電流印
加回路14、電流測定手段である電流測定回路24、切
り換え回路221、222、・・・22nを備えている。
【0025】切り換え回路221、222、・・・22
nは、測定端子である各プローブ6に対応して設けられ
ている。切り換え回路221、222、・・・22nの第1
の端子161、162・・・16nは、それぞれ、個別供
給ライン281、282、・・・28nに接続されてい
る。個別供給ライン281、282、・・・28nは、共
通供給ライン26にまとめられ、電圧/電流印加回路1
4に接続されている。共通供給ライン26には、第1の
保護スイッチ手段である第1のリレーRLaが設けられ
ている。第3の端子201、202、・・・20nには、
それぞれ、対応するプローブ6が接続されている。ま
た、第1のFET341、342、・・・34nおよび第
2のFET361、362、・・・36nの共通接続点C
と、第3の端子201、202、・・・20nとの間に
は、限流手段である抵抗R1、R2、・・・Rnが設けら
れている。第3の端子201、202、・・・20nと、
第1の端子161、162・・・16nとの間には、Pチ
ャネルゲートの第1のFET(MOS−FET)3
1、342、・・・34nが設けられている。
【0026】一方、第2の端子181、182・・・18
nは、それぞれ、個別測定ライン381、382、・・・
38nに接続されている。個別測定ライン381、3
2、・・・38nは、共通測定ライン40にまとめら
れ、電流測定回路24に接続されている。共通測定ライ
ン40には、第2の保護スイッチ手段である第2のリレ
ーRLbが設けられている。第3の端子201、202
・・・20nと、第2の端子181、182・・・18n
の間には、Nチャネルゲートの第2のFET(MOS−
FET)361、362、・・・36nが設けられてい
る。
【0027】まず、検査を行う場合の動作について説明
する。検査を行う場合には、第1のリレーRLa、第2
のリレーRLbをともに「A」側に切り換え、各切り換
え回路221、222、・・・22nの第1の端子161
162・・・16nを、電圧/電流印加回路14に接続
し、第2の端子181、182・・・18nを、電流測定
回路24に接続する。
【0028】この状態で、制御回路(図示せず)によ
り、第1のFET341、342、・・・34nの何れか
一つをオンにする。これにより、対応する一つのプロー
ブ6に対して、選択的に電圧(電流)を印加することが
できる。
【0029】なお、制御回路の出力はTTLレベルであ
って、直接FET341、342、・・・34nをドライ
ブすることができない。したがって、制御回路の出力
は、レベルシフト回路801、802・・・80nによっ
て、高い電圧に変換された後、FET341、342、・
・・34nのゲートに印加される。
【0030】同時に、制御回路(図示せず)により第2
のFET361、362、・・・36nの何れか一つをオ
ンにする。これにより、対応する一つのプローブ6を、
選択的に電流測定回路24に接続することができる。
【0031】なお、第2のFET361、362、・・・
36nに対しても、制御回路からの電圧を高い電圧に変
換するレベルシフト回路821、822・・・82nが設
けられている。
【0032】以上のようにして、ある一つのプローブ6
に電圧(電流)を与え、他の一つのプローブ6からの電
流を測定することにより、導通・非導通の検査を行う。
これを、プローブ6の2つの組合わせ全てについて行う
ことにより、検査を完了する。
【0033】次に、検査を行っていない場合の動作につ
いて説明する。検査を行っていない間は、第1のリレー
RLa、第2のリレーRLbをともに「B」側に切り換
え、各切り換え回路221、222、・・・22nの第1の
端子161、162・・・16nを、アースに接続し、第
2の端子181、182・・・18nも、アースに接続す
る。
【0034】これにより、第3の端子201、202、・
・・20nに生じた+の静電気は、図に示すように、第
1のFET341、342、・・・34nのソース、ドレ
イン間の寄生ダイオードDa1、Da2、・・・Dan
介して、接地される(電流Ia参照)。また、第3の端
子201、202、・・・20nに生じた−の静電気は、
図に示すように、第2のFET361、362、・・・3
nのソース、ドレイン間の寄生ダイオードDb1、Db
2、・・・Dbnを介して、接地される(電流Ib参
照)。さらに、静電気による電流は、抵抗R1、R2、・
・・Rnによって制限される。
【0035】したがって、第1のFET341、342
・・・34n、第2のFET361、362、・・・36n
が静電気によって破壊されるおそれがない。
【0036】なお、上記実施例においては、第1のFE
T341、342、・・・34nにPチャネルタイプのM
OSを用い、第2のFET361、362、・・・36n
にNチャネルタイプのMOSを用いた。しかしながら、
図2に示すように、第1のFET341、342、・・・
34nにNチャネルタイプのMOSを用い、第2のFE
T361、362、・・・36nにPチャネルタイプのM
OSを用いてもよい。この場合には、図に示すように、
静電気発生時の電流経路Ia、Ibが逆になるだけであ
り、同様の効果を得ることができる。なお、電圧/電流
印加回路14は、この場合、負極性の電源としておく。
【0037】また、上記実施例では、プリント基板の検
査回路を例に取って説明したが、複数の測定端子を切り
換えて測定を行う回路に適用することができる。
【0038】さらに、上記実施例では、切り換え回路に
MOS−FETを用いたものについて説明したが、ソー
ス・ドレイン間に寄生ダイオードを有するFETであれ
ば、どのようなFETを用いたものであってもよい。
【0039】なお、図1、図2の実施例では、限流手段
として抵抗R1、R2、・・・Rnを用いているが、電流
制限作用を有する他の素子(コイル等)を用いてもよ
い。
【0040】さらに、図1、図2の実施例では、限流手
段を第3の端子と共通接続点Cとの間に設けているが、
図3、図4に示すように、第1のリレーRLa、第2の
リレーRLbの「B」側とアースとの間に、それぞれ限
流手段(抵抗Ra、Rb)を設けるようにしてもよい。こ
のようにすれば、限流手段の数を少なくすることができ
る。
【0041】
【発明の効果】請求項1に係る検査回路においては、第
3の端子に生じた静電気を、第1、第2のFETのソー
ス、ドレイン間の寄生ダイオードを介してアースへ逃が
すことができる。したがって、簡易な構成でありなが
ら、確実に静電気からの保護を行うことのできる検査回
路を提供することができる。
【0042】請求項2に係る検査回路においては、限流
手段を設けている。したがって、静電気による電流を抑
制することができる。さらに確実に静電気からの保護を
行うことのできる検査回路を提供することができる。
【0043】請求項3の検査方法においては、検査を行
っていない時には、前記共通供給ラインへの電流または
電圧の供給を停止するとともに、前記共通供給ラインを
接地し、さらに、前記共通測定ラインを接地するように
している。したがって、静電気による影響を排除するこ
とができる検査方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による検査回路を示す回路
図である。
【図2】他の実施例による検査回路を示す回路図であ
る。
【図3】他の実施例による抵抗の挿入位置を示す図であ
る。
【図4】他の実施例による抵抗の挿入位置を示す図であ
る。
【図5】プリント基板検査装置を示す図である。
【図6】図5の検査装置における従来の検査回路を示す
図である。
【図7】静電気対策を施した検査回路を示す図である。
【図8】静電気対策を施した検査回路を示す図である。
【符号の説明】
RLa、RLb・・・第1および第2のリレー 161・・・第1の端子 181・・・第2の端子 201・・・第3の端子 26・・・共通供給ライン 40・・・共通測定ライン

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)電圧または電流を、共通供給ラインに
    供給する供給手段、 (B)共通測定ラインに流れる電流を測定する電流測定手
    段、 (C)下記(c1)〜(c5)を有する切り換え回路を、測定端子
    の数に応じて複数個設けた切り換え手段、(c1)前記供給
    手段の共通供給ラインから並列に分岐した個別供給ライ
    ンに接続された第1の端子、(c2)前記電流測定手段の共
    通測定ラインから並列に分岐した個別測定ラインに接続
    された第2の端子、(c3)測定端子が接続される第3の端
    子、(c4)ソースが第1の端子に接続され、ゲートに印加
    される制御電圧によりオンまたはオフとなる第1のFE
    T、(c5)ソースが第2の端子に接続され、ドレインが第
    1のFETのドレインおよび第3の端子に接続され、ゲ
    ートに印加される制御電圧によりオンまたはオフとなる
    第2のFET、 を備えた検査回路において、 前記共通供給ライン上に第1の保護スイッチ手段を設
    け、測定時には切り換え手段の第1の端子を供給手段に
    接続し、非測定時には切り換え手段の第1の端子を接地
    するようにするとともに、 前記共通測定ライン上に第2の保護スイッチ手段を設
    け、測定時には切り換え手段の第2の端子を電流測定手
    段に接続し、非測定時には切り換え手段の第2の端子を
    接地するようにしたこと、 を特徴とする検査回路。
  2. 【請求項2】請求項1の検査回路において、 第3の端子と第1の保護スイッチが接続された接地との
    間、および/または、第3の端子と第2の保護スイッチ
    が接続された接地との間に、限流手段を設けたことを特
    徴とするもの。
  3. 【請求項3】測定端子が接続され、測定端子と個別供給
    ラインとの接続の有無、および測定端子と個別測定ライ
    ンとの接続の有無を、FETのスイッチング動作によっ
    て切り換える切り換え回路を、各測定端子ごとに設け、 各切り換え回路からの個別供給ラインを共通に接続して
    共通供給ラインとし、共通供給ラインに電流または電圧
    を供給し、 各切り換え回路からの個別測定ラインを共通に接続して
    共通測定ラインとし、共通測定ラインの電流を測定する
    検査方法において、 検査を行っていない時には、前記共通供給ラインへの電
    流または電圧の供給を停止するとともに、前記共通供給
    ラインを接地し、さらに、前記共通測定ラインを接地す
    ることを特徴とする検査方法。
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