JP3328731B2 - Organic electroluminescence device - Google Patents

Organic electroluminescence device

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JP3328731B2
JP3328731B2 JP30090392A JP30090392A JP3328731B2 JP 3328731 B2 JP3328731 B2 JP 3328731B2 JP 30090392 A JP30090392 A JP 30090392A JP 30090392 A JP30090392 A JP 30090392A JP 3328731 B2 JP3328731 B2 JP 3328731B2
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phenylenevinylene
light
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敏博 大西
公信 野口
秀二 土居
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス素子(以下有機EL素子)に関するものである。
詳しくは、置換ポリ(p−フェニレンビニレン)を発光
材料として用いた有機EL素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device (hereinafter referred to as an organic EL device).
Specifically, the present invention relates to an organic EL device using substituted poly (p-phenylenevinylene) as a light emitting material.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から用いられている無機エレクトロ
ルミネッセンス素子は発光させるのに高電圧が必要であ
った。最近、Tangらは有機蛍光色素を発光層とし、
それに電子写真の感光体等に用いられていた有機電荷輸
送化合物を積層した二層構造を有する有機EL素子を作
製し、発光層のみを有するものに比較して低電圧駆動、
高効率、高輝度の有機EL素子を実現させた(特開昭5
9−194393号公報)。有機EL素子は無機EL素
子に比べ、低電圧駆動、高輝度に加えて多数の色の発光
が容易に得られるという特長があることから、 素子構造
や有機蛍光色素、有機電荷輸送化合物について多くの試
みが報告されている〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス(Jpn.J.Appl.
Phys.)27巻、L269(1988年)〕、〔ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(J.Ap
pl.Phys.)65巻、3610頁(1989年)
〕。これまでに、発光材料としては低分子量の有機蛍
光色素が一般に用いられており、高分子量の発光材料と
しては、WO9013148号公開明細書、特開平3−
126787号公報、アプライド・フィジックス・レタ
ーズ(Appl.Phys.Lett.) 58巻、19
82頁(1991年)などで提案されているにすぎなか
った。
2. Description of the Related Art A conventionally used inorganic electroluminescent element requires a high voltage to emit light. Recently, Tang et al. Used an organic fluorescent dye as a light emitting layer,
In addition, an organic EL device having a two-layer structure in which an organic charge transporting compound used for an electrophotographic photoreceptor or the like is laminated is manufactured, and a low voltage driving is performed as compared with a device having only a light emitting layer.
A high-efficiency, high-brightness organic EL device has been realized (Japanese Unexamined Patent Publication No.
No. 9-194393). Compared to inorganic EL devices, organic EL devices have the features of low-voltage driving, high luminance, and easy emission of many colors. Attempts have been reported [Japanese Journal of Applied Physics (Jpn. J. Appl.
Phys. 27, L269 (1988)], [Journal of Applied Physics (J. Ap)
pl. Phys. 65, 3610 (1989)
]. Until now, low-molecular-weight organic fluorescent dyes have been generally used as light-emitting materials, and high-molecular-weight light-emitting materials have been described in WO 9013148, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
No. 126787, Applied Physics Letters (Appl. Phys. Lett.) 58, 19
82 (1991) and the like.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
で報告されてきた高分子発光材料を用いた有機EL素子
は駆動電圧が高く、輝度も必ずしも十分とは言い難いも
のであった。高分子発光材料は熱的に安定であり、また
塗布法により容易に均一性に優れた発光層を形成できる
ことから、それらの長所を生かしながら、より駆動電圧
が低く、高輝度である有機EL素子が要望されている。
However, the organic EL devices using the polymer light emitting materials which have been reported so far have a high driving voltage and cannot always be said to have sufficient luminance. The polymer light-emitting material is thermally stable and can easily form a light-emitting layer having excellent uniformity by a coating method. Therefore, an organic EL device having a lower driving voltage and a higher luminance while utilizing these advantages. Is required.

【0004】本発明の目的は高分子発光材料を発光層と
した低電圧駆動、高輝度の有機EL素子を提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide a low-voltage driven, high-brightness organic EL device using a polymer light-emitting material as a light-emitting layer.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、高分子発
光材料を発光層として用いた有機EL素子の低電圧駆
動、高輝度化を鋭意検討してきた。その結果、高分子発
光材料として、置換ポリ−p−フェニレンビニレンを用
い、これに、電子輸送性化合物を添加したものを発光層
として用いることにより、高分子発光材料を単独で用い
た場合に比べて、低電圧駆動化、高輝度化が実現される
ことを見い出し、本発明に至った。
Means for Solving the Problems The present inventors have intensively studied low voltage driving and high luminance of an organic EL device using a polymer light emitting material as a light emitting layer. As a result, as the polymer light-emitting material, with a substituted poly -p- phenylene vinylene, thereto, by a Turkey used after adding an electron-transporting compound as a light-emitting layer, when using the polymer light emitting material alone As a result, it has been found that lower voltage driving and higher luminance can be realized, and the present invention has been achieved.

【0006】すなわち、本発明は、少なくとも一方が透
明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電
極間に、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、該発光層が下記化2
That is, the present invention provides an organic electroluminescent device having at least a light emitting layer between a pair of anodes and cathodes, at least one of which is transparent or translucent, wherein the light emitting layer is

【0007】[0007]

【化2】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 はそれぞれ独立に水
素,炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基および
アルキルチオ基ならびに炭素数6〜20の芳香族炭化水
素基から選ばれた基を示し、且つ少なくとも一つが炭素
数4〜20のアルキル基、アルコキシ基またはアルキル
チオ基であり、nは10〜30000の数を表す。)で
表される置換ポリ(p−フェニレンビニレン)と電子輸
送性化合物を含むことを特徴とする有機EL素子を提供
することにある。
Embedded image (Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are each independently selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group, an alkylthio group, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms. And at least one is an alkyl group, an alkoxy group, or an alkylthio group having 4 to 20 carbon atoms, and n represents a number of 10 to 30,000), and a substituted poly (p-phenylenevinylene). to provide an organic EL element characterized in it to contain an electron transport compound.

【0008】以下、本発明の有機EL素子について詳細
に説明する。本発明に用いられる上記化2で表わされる
置換ポリ(p−フェニレンビニレン)は溶剤に可溶性の
ものである。ここで、R1 、R2 、R3 、R4 はそれぞ
れ独立に水素,炭素数1〜20のアルキル基、アルコキ
シ基およびアルキルチオ基ならびに炭素数6〜20の芳
香族炭化水素基から選ばれた基を示し、且つ可溶性を与
えるには、少なくともそれらの一つが炭素数4〜20の
アルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基である
ことが必要である。これらのなかで成膜性が良好なアル
キル基、アルコキシ基が特に好ましい。ここで、炭素数
1〜20のアルキル基としては、例えば、メチル基、エ
チル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、デシル基、ラウリル基、2−エチル−
ヘキシル基、3−メチル−ブチル基、イソプロピル基な
どであり、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、デシル基、2−エチル−ヘキシル基、3−メチ
ル−ブチル基が好ましい。または炭素数1〜20のアル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリル
オキシ基、2−エチル−ヘキシルオキシ基、3−メチル
−ブトキシ基、イソプルピルオキシ基などであり、ペン
チルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、
オクチルオキシ基、デシルオキシ基、2−エチル−ヘキ
シルオキシ基、3−メチル−ブトキシ基が好ましい。ア
ルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、
ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプ
チルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ラウリル
チオ基、2−エチル−ヘキシルチオ基、3−メチル−ブ
チルチオ基、イソプルピルチオ基などであり、ペンチル
チオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチ
オ基、デシルチオ基、2−エチル−ヘキシルチオ基、3
−メチル−ブチルチオ基が好ましい。芳香族炭化水素基
としてはフェニル基、4- アルコキシフェニル基、4-
アルキルフェニル基、1−ナフタレン基、2−ナフタレ
ン基が例示される。
Hereinafter, the organic EL device of the present invention will be described in detail. The substituted poly (p-phenylenevinylene) represented by the above formula 2 used in the present invention is soluble in a solvent. Here, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group and an alkylthio group, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms. In order to show a group and to provide solubility, at least one of them needs to be an alkyl group, an alkoxy group or an alkylthio group having 4 to 20 carbon atoms. Among these, an alkyl group or an alkoxy group having a good film-forming property is particularly preferable. Here, as the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, decyl group, lauryl group, 2-ethyl-
Examples include a hexyl group, a 3-methyl-butyl group, and an isopropyl group, and a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a decyl group, a 2-ethyl-hexyl group, and a 3-methyl-butyl group are preferable. Alternatively, as the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, methoxy group, ethoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group, lauryloxy group, 2-ethyl-hexyloxy A 3-methyl-butoxy group, an isopropyloxy group, and the like, and a pentyloxy group, a hexyloxy group, a heptyloxy group,
Octyloxy, decyloxy, 2-ethyl-hexyloxy and 3-methyl-butoxy are preferred. Examples of the alkylthio group include a methylthio group, an ethylthio group,
Butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, heptylthio group, octylthio group, decylthio group, laurylthio group, 2-ethyl-hexylthio group, 3-methyl-butylthio group, isopropylpropylthio group, etc., and pentylthio group, hexylthio group, heptylthio group, Octylthio, decylthio, 2-ethyl-hexylthio, 3
-A methyl-butylthio group is preferred. Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a 4-alkoxyphenyl group,
Examples thereof include an alkylphenyl group, a 1-naphthalene group, and a 2-naphthalene group.

【0009】具体的な置換ポリ(p−フェニレンビニレ
ン)としては、ポリ(2,5−ジペンチル−p−フェニ
レンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘキシル−p−フェ
ニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘプチル−p−フ
ェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジオクチル−p−
フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジデシル−p−
フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジペンチルオキ
シ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘキ
シルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5
−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2,5−ジオクチルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)、ポリ(2,5−ジデシルオキシ−p−フェニレン
ビニレン)、ポリ(2,5−ジペンチルチオ−p−フェ
ニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘキシルチオ−p
−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘプチルチ
オ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2−メトキシ−
5−ヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2−メトキシ−5−ラウリルオキシ−p−フェニレン
ビニレン)、ポリ(2−メトキシ−5−(2’−エチル
−ヘキシルオキシ)−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2−メトキシ−5−ヘプチルチオ−p−フェニレンビ
ニレン)、ポリ(2−メトキシ−5−ラウリルチオ−p
−フェニレンビニレン)、ポリ(2−メトキシ−5−
(3’−メチル−ブトキシ)−p−フェニレンビニレ
ン)などが例示される。これらの中で、ポリ(2,5−
ジペンチル−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5
−ジヘキシル−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,
5−ジヘプチル−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2,5−ジオクチル−p−フェニレンビニレン)、ポ
リ(2,5−ジペンチルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)、ポリ(2,5−ジヘキシルオキシ−p−フェニレ
ンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−
フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジオクチルオキ
シ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジデシ
ルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2−メト
キシ−5−ヘキシルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)、ポリ(2−メトキシ−5−(3’−メチル−ブト
キシ)−p−フェニレンビニレン)が好ましい。これら
の置換ポリ(p−フェニレンビニレン)は単独で用いて
もよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。
Specific examples of the substituted poly (p-phenylenevinylene) include poly (2,5-dipentyl-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dihexyl-p-phenylenevinylene), and poly (2,5). -Diheptyl-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dioctyl-p-)
Phenylene vinylene), poly (2,5-didecyl-p-)
Phenylenevinylene), poly (2,5-dipentyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dihexyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5
-Diheptyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dioctyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-didecyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dipentylthio-p) -Phenylenevinylene), poly (2,5-dihexylthio-p)
-Phenylenevinylene), poly (2,5-diheptylthio-p-phenylenevinylene), poly (2-methoxy-
5-heptyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2-methoxy-5-lauryloxy-p-phenylenevinylene), poly (2-methoxy-5- (2′-ethyl-hexyloxy) -p-phenylenevinylene) ), Poly (2-methoxy-5-heptylthio-p-phenylenevinylene), poly (2-methoxy-5-laurylthio-p)
-Phenylene vinylene), poly (2-methoxy-5-)
(3′-methyl-butoxy) -p-phenylenevinylene) and the like. Among them, poly (2,5-
Dipentyl-p-phenylenevinylene), poly (2.5)
-Dihexyl-p-phenylenevinylene), poly (2,
5-diheptyl-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dioctyl-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dipentyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dihexyloxy-p- Phenylenevinylene), poly (2,5-diheptyloxy-p-)
Phenylenevinylene), poly (2,5-dioctyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-didecyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2-methoxy-5-hexyloxy-p-phenylenevinylene), Poly (2-methoxy-5- (3'-methyl-butoxy) -p-phenylenevinylene) is preferred. These substituted poly (p-phenylenevinylenes) may be used alone or in combination of two or more.

【0010】化2において、nは繰り返し単位の数を表
、余りにも小さすぎると均一な膜が得られにくい場合
があり、また、余りに大きすぎても溶解性が低下し、均
一に製膜することが困難になる場合があるのでnの範囲
は10〜30000であり、10〜10000が好まし
い。
[0010] In formula 2, n represents the number of repeating units, may be difficult to obtain a uniform film when surplus Linimo too small, also be too large to decrease solubility, uniform manufacturing since it may be film becomes difficult range of n is from 10 to 30000, 10-10000 virtuous better <br/> physician.

【0011】これらの有機溶媒可溶性の置換ポリ(p−
フェニレンビニレン)を用いることにより、溶液から成
膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去す
るだけでよく、また、電子輸送性化合物を混合した場合
においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利で
ある。
These substituted organic solvent-soluble substituted poly (p-
When using phenylene vinylene) to form a film from a solution, it is only necessary to remove the solvent by drying after coating this solution, and the same method can be applied when an electron transporting compound is mixed, Above is very advantageous.

【0012】上記化2で示される置換ポリ(p−フェニ
レンビニレン)の合成法としては特に限定されないが、
例えば特開平1−254734号公報、特開平1−79
217号公報等に記載されている方法が用いられる。す
なわち、例えば、相当するビス(ハロゲン化メチル)化
合物、より具体的には、例えば、2,5−ジヘプチルオ
キシ−p−キシリレンジブロミドを、キシレン/第三級
ブチルアルコール混合溶媒中、第三級ブトキシカリウム
を用いて重合させる脱ハロゲン化水素法をあげることが
できる。また、相当するホスホニウム塩とアルデヒドと
をリチウムアルコラートを触媒として反応させる方法で
あるWittig法、相当するスルホニウム塩をアルカ
リ存在下に重合させ、ついで脱スルホニウム塩処理を行
なうスルホニウム塩分解法などが例示される。また、こ
れらの高分子化合物を有機EL素子の発光層として用い
る場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成
後、再沈精製、クロマトグラフによる分別等の純化処理
をすることが望ましい。
The method for synthesizing the substituted poly (p-phenylenevinylene) represented by the above formula (2) is not particularly limited.
For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos.
No. 217, for example. That is, for example, a corresponding bis (methyl halide) compound, more specifically, for example, 2,5-diheptyloxy-p-xylylenedibromide is converted to a tertiary butyl alcohol in a mixed solvent of xylene / tertiary butyl alcohol. A dehydrohalogenation method in which polymerization is performed using potassium butoxy potassium. Examples thereof include a Wittig method in which a corresponding phosphonium salt and an aldehyde are reacted with a lithium alcoholate as a catalyst, and a sulfonium salt decomposition method in which a corresponding sulfonium salt is polymerized in the presence of an alkali, followed by desulfonium salt treatment. . In addition, when these polymer compounds are used as a light emitting layer of an organic EL device, since their purity affects the light emitting characteristics, it is desirable to purify the compound after synthesis, such as reprecipitation purification and separation by chromatography.

【0013】本発明に用いられる電子輸送性化合物とし
ては、発光材料として使用する置換ポリ(p−フェニレ
ンビニレン)に対して電子輸送性が高ければ特に限定さ
れないが、例えば、オキサジアゾール系化合物、ベンゾ
キノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラシアノアンスラキノジメタン系化合
物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フルオレノ
ン系化合物、ジフェノキノン系化合物、8−ヒドロキシ
キノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。
具体的には、特開昭63−70257、同63−175
860号公報、特開平2−135361、同2−135
359、同3−152184号公報に記載されているも
の等、公知のものが使用可能であるが、オキサジアゾー
ル系化合物、ベンゾキノン系化合物、アントラキノン系
化合物、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金
属錯体が好ましく、特に、2−(4−ビフェニリル)−
5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス
(8−キノリノール)アルミニウムが好ましい。これら
の電子輸送性化合物は、単独で用いてもよいし、2種類
以上を混合して用いてもよい。電子輸送性化合物を置換
ポリ(p−フェニレンビニレン)に混合して使用する場
合、その量は少なすぎると効果が小さく、多すぎると発
光に寄与しない電流が増加するため、有機EL素子にし
た場合、輝度等の特性が悪くなる。使用する電子輸送性
化合物の分子量によっても異なるが、混合する割合は長
鎖基置換ポリ(p−フェニレンビニレン)に対して1〜
40wt%が好ましく、より好ましくは2〜30wt%
である。
The electron-transporting compound used in the present invention is not particularly limited as long as it has a high electron-transporting property with respect to substituted poly (p-phenylenevinylene) used as a light-emitting material. Examples include benzoquinone-based compounds, naphthoquinone-based compounds, anthraquinone-based compounds, tetracyanoanthraquinodimethane-based compounds, diphenyldicyanoethylene-based compounds, fluorenone-based compounds, diphenoquinone-based compounds, and metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof. .
Specifically, JP-A-63-70257 and JP-A-63-175
860, JP-A-2-135361, 2-135
Known compounds such as those described in U.S. Pat. No. 359 and No. 3-152184 can be used, but oxadiazole compounds, benzoquinone compounds, anthraquinone compounds, 8-hydroxyquinoline and metal complexes of derivatives thereof can be used. Is preferable, and in particular, 2- (4-biphenylyl)-
5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, and tris (8-quinolinol) aluminum are preferred. These electron transporting compounds may be used alone or as a mixture of two or more. When an electron transporting compound is used as a mixture with substituted poly (p-phenylenevinylene), if the amount is too small, the effect is small, and if the amount is too large, the current that does not contribute to light emission increases. , Brightness and the like are deteriorated. The mixing ratio varies depending on the molecular weight of the electron transporting compound used, but the mixing ratio is 1 to 1 based on the long-chain group-substituted poly (p-phenylenevinylene).
40 wt% is preferable, and 2 to 30 wt% is more preferable.
It is.

【0014】本発明においては、化2で示される置換ポ
リ(p−フェニレンビニレン)に、既知の発光材料を分
散させたものを発光層として用いることも含まれる。発
光材料としては特に限定されないが、例えば、ナフタレ
ン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及び
その誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン
系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキシキノリン
およびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフ
ェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェ
ニルブタジエン及びその誘導体などを用いることができ
る。具体的には、例えば特開昭57−51781、同5
9−194393号公報に記載されているもの等、公知
のものが使用可能である。
In the present invention, the use of a material obtained by dispersing a known luminescent material in the substituted poly (p-phenylenevinylene) represented by Chemical Formula 2 as a luminescent layer is also included. The light-emitting material is not particularly limited. For example, naphthalene derivatives, anthracene and its derivatives, perylene and its derivatives, polymethine-based, xanthene-based, coumarin-based, cyanine-based dyes, and metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives , Aromatic amines, tetraphenylcyclopentadiene and its derivatives, tetraphenylbutadiene and its derivatives, and the like. Specifically, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-51781, 5
Known ones such as those described in JP-A-9-194393 can be used.

【0015】本発明の有機EL素子の構造について以下
に述べる。陽極および陰極からなる一対の電極で、透明
または半透明な電極としては、ガラス、透明プラスチッ
ク等の透明基板の上に透明または半透明の電極を形成し
たものが用いられる。陽極の材料としては、導電性の金
属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的
にはインジウム・スズ・オキサイド (ITO) 、酸化ス
ズ (NESA)、Au、Pt、Ag、Cu等が用いられ
る。作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、
メッキ法などが用いられる。
The structure of the organic EL device of the present invention will be described below. As a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, a transparent or translucent electrode having a transparent or translucent electrode formed on a transparent substrate such as glass or transparent plastic is used. As the material of the anode, a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used. Specifically, indium tin oxide (ITO), tin oxide (NESA), Au, Pt, Ag, Cu and the like are used. As a manufacturing method, a vacuum evaporation method, a sputtering method,
A plating method or the like is used.

【0016】次いで、この陽極上に置換ポリ(p−フェ
ニレンビニレン)と電子輸送性化合物を含む発光層を形
成する。成膜方法としてはこれら材料の混合液を使用し
てスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピ
ング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法また
は真空蒸着法が例示されるが、混合溶液をスピンコーテ
ィング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコ
ート法、ロールコート法等の塗布法により成膜するのが
特に好ましい。
Next, a light emitting layer containing a substituted poly (p-phenylenevinylene) and an electron transporting compound is formed on the anode. Examples of the film forming method include a coating method such as a spin coating method, a casting method, a dipping method, a bar coating method, a roll coating method, or a vacuum deposition method using a mixed solution of these materials. It is particularly preferable to form a film by a coating method such as a method, a casting method, a dipping method, a bar coating method, and a roll coating method.

【0017】発光層の膜厚としては5Å〜10μm、好
ましくは10Å〜1μmである。電流密度を上げて発光
効率を上げるためには100〜5000Åの範囲が好ま
しい。なお、塗布法により薄膜化した場合には、溶媒を
除去するため、減圧下あるいは不活性雰囲気下、室温以
上で材料の分解温度以下、具体的には30〜330℃、
好ましくは60〜300℃、さらに好ましくは100〜
250℃の温度で熱処理することが望ましい。熱処理す
る時間としては、溶媒を除去するためには少なくとも1
0分以上処理することが好ましく、実用的には1〜24
時間がより好ましい。
The thickness of the light emitting layer is 5 to 10 μm, preferably 10 to 1 μm. In order to increase the current density and the luminous efficiency, the range of 100 to 5000 ° is preferable. In the case where the film is formed into a thin film by a coating method, the solvent is removed.
Preferably from 60 to 300 ° C, more preferably from 100 to 300 ° C.
It is desirable to heat-treat at a temperature of 250 ° C. The heat treatment time is at least one for removing the solvent.
The treatment is preferably performed for 0 minutes or more, and practically 1 to 24
Time is more preferred.

【0018】また、別の態様である発光層が電子輸送性
化合物を含まない場合には上記の成膜方法で発光層を設
け、その上に電子輸送層を形成する。電子輸送層の材料
としては前述の電子輸送性化合物が用いられる。
In another embodiment, when the light emitting layer does not contain an electron transporting compound, the light emitting layer is provided by the above-described film forming method, and the electron transporting layer is formed thereon. As the material of the electron transport layer, the above-described electron transport compound is used.

【0019】電子輸送性化合物の成膜方法としては、特
に限定されないが、粉末状態からの真空蒸着法、あるい
は溶媒に溶かした後のスピンコーティング法、キャステ
ィング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコー
ト法等の塗布法、あるいは上記化2の長鎖基置換ポリ
(p−フェニレンビニレン)またはそれとは別の高分子
化合物と電子輸送性化合物とを溶液状態または溶融状態
で混合し分散させた後のスピンコーティング法、キャス
ティング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコ
ート法等の塗布法を用いることができる。混合する高分
子化合物としては、特に限定されないが、電荷輸送を極
度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する
吸収が強くないものが好適に用いられる。例えば、上記
化2の長鎖基置換ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポ
リ(p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジメト
キシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジメ
チル−p−フェニレンビニレン)、ポリチオフェン及び
その誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)及び
その誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリレート、
ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリシロキサンなどが例示される。製膜が容易に
行なえるという点では、塗布法を用いることが好まし
い。
The method for forming the film of the electron transporting compound is not particularly limited, but is a vacuum evaporation method from a powder state, or a spin coating method after dissolving in a solvent, a casting method, a dipping method, a bar coating method, a roll coating method. After mixing and dispersing a long-chain-group-substituted poly (p-phenylenevinylene) or a polymer compound different therefrom and an electron-transporting compound in a solution state or a molten state. Coating methods such as spin coating, casting, dipping, bar coating, and roll coating can be used. The polymer compound to be mixed is not particularly limited, but those which do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those which do not strongly absorb visible light are suitably used. For example, long-chain group-substituted poly (p-phenylenevinylene), poly (p-phenylenevinylene), poly (2,5-dimethoxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dimethyl-p- Phenylene vinylene), polythiophene and its derivatives, poly (2,5-thienylene vinylene) and its derivatives, polycarbonate, polymethacrylate,
Examples thereof include polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, and polysiloxane. It is preferable to use a coating method in that the film can be easily formed.

【0020】電子輸送層の膜厚は、少なくともピンホー
ルが発生しないような厚みが必要であるが、あまり厚い
と素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ま
しくない。したがって、電子輸送層の膜厚は50〜20
00Åである。
The thickness of the electron transporting layer is required to be at least such that no pinholes are generated. However, if the thickness is too large, the resistance of the element increases and a high driving voltage is required, which is not preferable. Therefore, the thickness of the electron transport layer is 50 to 20.
00 °.

【0021】次いで、発光層が置換ポリ(p−フェニレ
ンビニレン)と電子輸送性化合物との混合層の場合はこ
の層の上に、また発光層と電子輸送層が積層されている
場合は電子輸送層の上に電極を設ける。この電極は電子
注入陰極となる。その材料としては、特に限定されない
が、イオン化エネルギーの小さい材料が好ましい。例え
ば、Al、In、Mg、MgとAgの合金(Mg−Ag
合金と記載することがある)、In−Ag合金、Mg−
In合金、グラファイト薄膜等が用いられる。これらの
中ではMgとAgの合金が好ましい。陰極の作製方法と
しては真空蒸着法、スパッタリング法等公知の方法が用
いられる。
Next, when the light-emitting layer is a mixed layer of substituted poly (p-phenylenevinylene) and an electron-transporting compound, the light-emitting layer is formed on this layer. When the light-emitting layer and the electron-transport layer are laminated, the electron-transport layer is formed. An electrode is provided on the layer. This electrode becomes an electron injection cathode. The material is not particularly limited, but a material having a small ionization energy is preferable. For example, Al, In, Mg, an alloy of Mg and Ag (Mg-Ag
Alloy), In-Ag alloy, Mg-
An In alloy, a graphite thin film or the like is used. Among them, an alloy of Mg and Ag is preferable. As a method for manufacturing the cathode, a known method such as a vacuum evaporation method and a sputtering method is used.

【0022】なお、本発明のEL素子の構造としては、
これまで述べた陽極/発光層/陰極(/は層を積層した
ことを示す)、あるいは陽極/発光層/電子輸送層/陰
極の構造以外に、陽極と発光層の間、または陰極と電子
輸送層との間に高分子化合物のバッファー層を有する組
み合わせの構造、すなわち陽極/バッファー層/発光層
/陰極、陽極/バッファー層/発光層/電子輸送層/陰
極、陽極/発光層/バッファー層/陰極、陽極/発光層
/電子輸送層/バッファー層/陰極、陽極/バッファー
層/発光層/バッファー層/陰極、陽極/バッファー層
/発光層/電子輸送層/バッファー層/陰極をとること
もできる。バッファー層に用いる高分子化合物としては
特に限定されないが、電荷輸送を極度に阻害しないもの
が好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないもの
が好適に用いられる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバ
ゾール)、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェ
ン及びその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレ
ン)及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体などが
例示される。成膜が容易に行なえるという点では、塗布
法を用いることが好ましい。バッファー層の厚みは通常
5Å〜10μm、電流密度を上げて発光効率を上げるた
めには好ましくは10〜5000Å、より好ましくは2
0〜1000Åである。
The structure of the EL device of the present invention is as follows.
In addition to the structure of the anode / light-emitting layer / cathode (/ indicates that the layers are stacked) or the structure of the anode / light-emitting layer / electron transport layer / cathode described above, between the anode and the light-emitting layer or between the cathode and the electron transport A combination structure having a polymer compound buffer layer between the layers, that is, anode / buffer layer / light-emitting layer / cathode, anode / buffer layer / light-emitting layer / electron transport layer / cathode, anode / light-emitting layer / buffer layer / Cathode, anode / light-emitting layer / electron transport layer / buffer layer / cathode, anode / buffer layer / light-emitting layer / buffer layer / cathode, anode / buffer layer / light-emitting layer / electron transport layer / buffer layer / cathode can also be used. . The polymer compound used for the buffer layer is not particularly limited, but those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that do not strongly absorb visible light are suitably used. For example, poly (N-vinylcarbazole), polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, poly (2,5-thienylenevinylene) and its derivatives, polysilane and its derivatives, and the like are exemplified. It is preferable to use a coating method in that the film can be easily formed. The thickness of the buffer layer is usually 5 to 10 μm, preferably 10 to 5000 °, more preferably 2 to 10 μm to increase the current density and increase the luminous efficiency.
0-1000 °.

【0023】[0023]

【実施例】以下本発明の実施例を示すが、本発明はこれ
に限定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

【0024】実施例1 スパッタリングによって、200Åの厚みでITO膜を
付けたガラス基板に、特開平1−79217号公報の実
施例6で2,5−ジヘプチル−p−キシリレンジブロミ
ドの代わりに2,5−ジヘプチルオキシ−p−キシリレ
ンジブロミドを用いて実施例6記載の方法で合成したポ
リ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)〔ゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)
によるポリスチレン換算の数平均重合度約360〕と電
子輸送性化合物として2−(4−ビフェニリル)−5−
(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール〔ポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニ
レンビニレン)に対する混合割合は5wt%〕の0.6
7wt%トルエン/クロロホルム(3/2重量比)溶液
を用い、スピンコートにより800Åの厚みで成膜し
た。次いで、これを減圧下60℃で1時間乾燥した後、
その上に陰極として、Inを3000Å蒸着して、有機
EL素子を作製した。蒸着のときの真空度は3×10-6
Torr以下であった。この素子に電圧19.4Vを印
加したところ、電流密度275mA/cm2 の電流が流
れ、輝度160.6cd/m2 のオレンジ色のEL発光
が観察された。また20cd/m2 の輝度にするための
電圧は13.2Vであった。
Example 1 A glass substrate provided with an ITO film having a thickness of 200 ° by sputtering was used in Example 6 of JP-A-1-79217, instead of 2,5-diheptyl-p-xylylenedibromide. Poly (2,5-diheptyloxy-p-phenylenevinylene) synthesized by the method described in Example 6 using 5-diheptyloxy-p-xylylene dibromide [gel permeation chromatography (GPC)
The number average degree of polymerization in terms of polystyrene is about 360], and 2- (4-biphenylyl) -5- as an electron transporting compound.
0.6% of (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (the mixing ratio to poly (2,5-diheptyloxy-p-phenylenevinylene) is 5 wt%)
Using a 7 wt% toluene / chloroform (3/2 weight ratio) solution, a film was formed to a thickness of 800 ° by spin coating. Then, after drying this at 60 ° C. under reduced pressure for 1 hour,
Then, 3000 nm of In was deposited thereon as a cathode to produce an organic EL device. The degree of vacuum at the time of vapor deposition is 3 × 10 -6
Torr or less. When a voltage of 19.4 V was applied to this device, a current having a current density of 275 mA / cm 2 flowed and orange EL light emission with a luminance of 160.6 cd / m 2 was observed. In addition, the voltage for achieving a luminance of 20 cd / m 2 was 13.2 V.

【0025】実施例2 2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾールをポリ(2,5
−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)に対し
て15wt%とした以外は実施例1と同じ方法で890Å
の厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製した。この
素子に電圧26.0Vを印加したところ、電流密度21
9mA/cm2 の電流が流れ、輝度71.9cd/m2
のオレンジ色のEL発光が観察された。また20cd/
2 の輝度にするための電圧は19.6Vであった。
Example 2 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole was converted to poly (2,5
-Diheptyloxy-p-phenylenevinylene) in the same manner as in Example 1, except that the amount was 890 ° C.
An organic EL device having a light-emitting layer having a thickness of 3 mm was produced. When a voltage of 26.0 V was applied to this element, a current density of 21
A current of 9 mA / cm 2 flows, and a luminance of 71.9 cd / m 2
Orange EL emission was observed. 20 cd /
The voltage for obtaining a luminance of m 2 was 19.6 V.

【0026】実施例3 2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾールをポリ(2,5
−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)に対し
て2.5wt%とした以外は実施例1と同じ方法で10
10Åの厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製し
た。この素子に電圧19.4Vを印加したところ、電流
密度56mA/cm2 の電流が流れ、輝度46.8cd
/m2 のオレンジ色のEL発光が観察された。また20
cd/m2 の輝度にするための電圧は17.5Vであっ
た。
Example 3 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole was converted to poly (2,5
-Diheptyloxy-p-phenylenevinylene) in the same manner as in Example 1 except that the content was 2.5 wt%.
An organic EL device having a light emitting layer having a thickness of 10 ° was produced. When a voltage of 19.4 V was applied to this device, a current having a current density of 56 mA / cm 2 flowed and luminance of 46.8 cd
/ M 2 was observed. 20
The voltage for obtaining a luminance of cd / m 2 was 17.5 V.

【0027】比較例1 ポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニ
レン)に2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブ
チルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールを混合
しない以外は実施例1と同じ方法で980Åの厚みの発
光層を持つ、有機EL素子を作製した。この素子に電圧
33.3Vを印加したところ、電流密度617mA/c
2 の電流が流れたが、輝度26.4cd/m2 のオレ
ンジ色のEL発光が観察されただけであった。また20
cd/m2 の輝度にするための電圧は32.9Vであっ
た。
Comparative Example 1 Poly (2,5-diheptyloxy-p-phenylenevinylene) was added to 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole. Was prepared in the same manner as in Example 1 except that the light-emitting layer was not mixed. When a voltage of 33.3 V was applied to this device, a current density of 617 mA / c
Although a current of m 2 flowed, only orange EL emission with a luminance of 26.4 cd / m 2 was observed. 20
The voltage for obtaining a luminance of cd / m 2 was 32.9 V.

【0028】実施例4 ポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニ
レン)の代わりに、特開平1−79217号公報の実施
例6で2,5−ジヘプチル−p−キシリレンジブロミド
の代わりに2,5−ジヘキシルオキシ−p−キシリレン
ジブロミドを用いて実施例6記載の方法で合成したポリ
(2,5−ジヘキシルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)(GPCによるポリスチレン換算数平均重合度約1
60)を用い、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−
t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール
をポリ(2,5−ジヘキシルオキシ−p−フェニレンビ
ニレン)に対して10wt%混合し、溶媒としてクロロ
ホルムを用いた以外は実施例1と同じ方法で1300Å
の厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製した。この
素子に電圧25.0Vを印加したところ、電流密度34
6mA/cm2 の電流が流れ、輝度44.6cd/m2
のオレンジ色のEL発光が観察された。また20cd/
2 の輝度にするための電圧は23.5Vであった。
Example 4 Poly (2,5-diheptyloxy-p-phenylenevinylene) was used in place of 2,5-diheptyl-p-xylylene dibromide in Example 6 of JP-A-1-79217. Poly (2,5-dihexyloxy-p-phenylenevinylene) synthesized by the method described in Example 6 using 2,5-dihexyloxy-p-xylylene dibromide (polystyrene-equivalent number average polymerization degree by GPC of about 1).
60) to give 2- (4-biphenylyl) -5- (4-
Example 1 except that t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole was mixed at 10 wt% with respect to poly (2,5-dihexyloxy-p-phenylenevinylene) and chloroform was used as a solvent. 1300Å in the same way
An organic EL device having a light-emitting layer having a thickness of 3 mm was produced. When a voltage of 25.0 V was applied to this element, a current density of 34
A current of 6 mA / cm 2 flows, and a luminance of 44.6 cd / m 2
Orange EL emission was observed. 20 cd /
The voltage for obtaining a luminance of m 2 was 23.5 V.

【0029】実施例5 ポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニ
レン)の代わりに、特開平1−79217号公報の実施
例6で2,5−ジヘプチル−p−キシリレンジブロミド
の代わりに2,5−ジペンチルオキシ−p−キシリレン
ジブロミドを用いて実施例6記載の方法で合成したポリ
(2,5−ジペンチルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)(GPCによるポリスチレン換算数平均重合度約4
00)を用い、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−
t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール
をポリ(2,5−ジペンチルオキシ−p−フェニレンビ
ニレン)に対して10wt%混合し、溶媒としてクロロ
ホルムを用いた以外は実施例1と同じ方法で1400Å
の厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製した。この
素子に電圧23.3Vを印加したところ、電流密度38
6mA/cm2 の電流が流れ、輝度51.4cd/m2
のオレンジ色のEL発光が観察された。また20cd/
2 の輝度にするための電圧は22.5Vであった。
Example 5 Poly (2,5-diheptyloxy-p-phenylenevinylene) was used instead of 2,5-diheptyl-p-xylylene dibromide in Example 6 of JP-A-1-79217. Poly (2,5-dipentyloxy-p-phenylenevinylene) synthesized by the method described in Example 6 using 2,5-dipentyloxy-p-xylylene dibromide (polystyrene-equivalent number average polymerization degree by GPC of about 4).
00) to give 2- (4-biphenylyl) -5- (4-
Example 1 was repeated except that 10% by weight of t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole was mixed with poly (2,5-dipentyloxy-p-phenylenevinylene) and chloroform was used as a solvent. 1400Å in the same way
An organic EL device having a light-emitting layer having a thickness of 3 mm was produced. When a voltage of 23.3 V was applied to this element, a current density of 38
A current of 6 mA / cm 2 flows, and a luminance of 51.4 cd / m 2
Orange EL emission was observed. 20 cd /
The voltage for obtaining a luminance of m 2 was 22.5 V.

【0030】比較例2 2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾールをポリ(2,5
−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)に対し
て44.4wt%混合した以外は実施例1と同じ方法で
2600Åの厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製
した。この素子に電圧40.0Vを印加したところ、電
流密度1360mA/cm2の電流が流れたが、輝度1
3.4cd/m2 のオレンジ色のEL発光が観察された
だけであった。また電圧を上げると絶縁破壊のため20
cd/m2 の輝度にすることができなかった。
Comparative Example 2 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole was converted to poly (2,5
-Diheptyloxy-p-phenylenevinylene) was prepared in the same manner as in Example 1 except that 44.4 wt% was mixed with respect to -diheptyloxy-p-phenylenevinylene) to produce an organic EL device having a light-emitting layer having a thickness of 2600 °. When a voltage of 40.0 V was applied to this element, a current having a current density of 1360 mA / cm 2 flowed.
Only an orange EL emission of 3.4 cd / m 2 was observed. In addition, when the voltage is increased, 20
It was not possible to achieve a luminance of cd / m 2 .

【0031】実施例6 スパッタリングによって、200Åの厚みでITO膜を
付けたガラス基板に、実施例1と同様の方法で合成した
ポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニ
レン)と電子輸送性化合物としてアントラキノン〔ポリ
(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン
に対する混合割合は5wt%〕の0.67wt%トルエ
ン/クロロホルム(3/2重量比)溶液を用い、スピン
コートにより1100Åの厚みで成膜した。次いで、こ
れを減圧下60℃で1時間乾燥した後、その上に陰極と
して、Inを3000Å蒸着して、有機EL素子を作製
した。蒸着のときの真空度は3×10-6Torr以下で
あった。この素子に電圧20.8Vを印加したところ、
電流密度165.2mA/cm 2 の電流が流れ、輝度1
46cd/m2 のオレンジ色のEL発光が観察された。
また、20cd/m2 の輝度にするための電圧は16.
8Vであった。
Example 6 An ITO film having a thickness of 200 ° was formed by sputtering.
Synthesized on the attached glass substrate in the same manner as in Example 1.
Poly (2,5-diheptyloxy-p-phenylenevinyl)
And anthraquinone [poly
(2,5-diheptyloxy-p-phenylenevinylene
0.67 wt% toluene
Spin / chloroform (3/2 weight ratio) solution
A film having a thickness of 1100 ° was formed by coating. Then,
After drying at 60 ° C. for 1 hour under reduced pressure, the cathode and
Then, In is deposited at 3000 ° to produce an organic EL device.
did. The degree of vacuum during evaporation is 3 × 10-6Under Torr
there were. When a voltage of 20.8 V was applied to this element,
Current density 165.2 mA / cm TwoCurrent flows and the brightness is 1
46 cd / mTwoOrange EL emission was observed.
In addition, 20 cd / mTwoThe voltage for achieving the luminance of 16.
It was 8V.

【0032】実施例7 ITO膜上にバッファー層としてポリ(2,5−チエニ
レンビニレン)とポリ(p−フェニレンビニレン)の
7:3(重量比)の混合物から成る層をつけた以外は、
発光層、陰極は実施例6と同じ方法で、バッファー層と
発光層の厚さの合計が1500Åの有機EL素子を作製
した。ここで、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)と
ポリ(p−フェニレンビニレン)の7:3の混合物から
成る層は、特開平1−9221号公報の実施例1に記載
の方法で得たポリ(2,5−チエニレンビニレン)(P
TV)中間体をN,N−ジメチルホルムアミド(DM
F)に溶解してPTV中間体溶液としたものと、特開昭
59−199746号公報の実施例1に記載の方法で合
成したポリ(p−フェニレンビニレン)(PPV)中間
体のBr- 塩の水溶液を大量のNaBF4水溶液に添加
して対イオン(Br- )をBF4 - に交換し、沈澱とし
て回収したPPV中間体のBF4 - 塩をDMFに溶解し
てPPV中間体溶液としたものを、熱処理後生成する両
高分子の重量比が7:3となるような割合で混合した溶
液をスピンコートにより成膜し、200℃で熱処理する
ことにより作成した。この素子に電圧24.4Vを印加
したところ、電流密度70.8mA/cm2の電流が流
れ、輝度120cd/m2 のオレンジ色のEL発光が観
察された。また、20cd/m2 の輝度にするための電
圧は18.2Vであった。
Example 7 Except that a layer composed of a mixture of poly (2,5-thienylenevinylene) and poly (p-phenylenevinylene) in a ratio of 7: 3 (weight ratio) was provided as a buffer layer on an ITO film.
The light-emitting layer and the cathode were manufactured in the same manner as in Example 6 to produce an organic EL device in which the total thickness of the buffer layer and the light-emitting layer was 1500 °. Here, a layer composed of a mixture of poly (2,5-thienylenevinylene) and poly (p-phenylenevinylene) in a ratio of 7: 3 was obtained by the method described in Example 1 of JP-A-1-9221. Poly (2,5-thienylenevinylene) (P
TV) intermediate with N, N-dimethylformamide (DM
F) and a Br - salt of a poly (p-phenylenevinylene) (PPV) intermediate synthesized by the method described in Example 1 of JP-A-59-199746. Was added to a large amount of aqueous NaBF 4 solution to exchange the counter ion (Br ) for BF 4 −, and the BF 4 salt of the PPV intermediate recovered as a precipitate was dissolved in DMF to give a PPV intermediate solution. A solution was prepared by spin-coating a solution in which both polymers produced after the heat treatment were mixed at a weight ratio of 7: 3, and heat-treated at 200 ° C. When a voltage of 24.4 V was applied to this device, a current having a current density of 70.8 mA / cm 2 flowed and orange EL emission with a luminance of 120 cd / m 2 was observed. In addition, the voltage for achieving a luminance of 20 cd / m 2 was 18.2 V.

【0033】実施例8 アントラキノンの代わりにベンゾキノンを混合した以外
は実施例6と同じ方法で630Åの厚みの発光層を持
つ、有機EL素子を作製した。この素子に電圧18.3
Vを印加したところ、電流密度163.4mA/cm2
の電流が流れ、輝度63cd/m2 のオレンジ色のEL
発光が観察された。また、20cd/m2の輝度にする
ための電圧は14.8Vであった。
Example 8 An organic EL device having a light-emitting layer having a thickness of 630 ° was produced in the same manner as in Example 6 except that benzoquinone was mixed instead of anthraquinone. A voltage of 18.3 is applied to this element.
When V was applied, the current density was 163.4 mA / cm 2
And the EL of orange with a luminance of 63 cd / m 2
Luminescence was observed. Also, the voltage required to achieve a luminance of 20 cd / m 2 was 14.8 V.

【0034】実施例9 実施例1と同じ方法でITO膜を付けたガラス基板に、
実施例1と同じ方法で合成したポリ(2,5−ジヘプチ
ルオキシ−p−フェニレンビニレン)〔ゲルパーハエー
ションクロマトグラフ(GPC)によるポリスチレン換
算の数平均重合度約360〕の0.75wt%クロロホ
ルム溶液を用い、ディッピングにより成膜した。つい
で、これを減圧下60℃で1時間乾燥した後、その上に
電子輸送層として、トリス(8−キノリノール)アルミ
ニウムを700Å蒸着し、ついで陰極として、Mg−A
g合金(重量比10:1)を1500Å、さらにその上
にAgを1000Å蒸着して、有機EL素子を作製し
た。有機層の厚さは合計910Åであった。また、蒸着
のときの真空度はいずれも3×10-6Torr以下であ
った。この素子に電圧17.8Vを印加したところ、電
流密度420mA/cm2 の電流が流れ、輝度2290
cd/m2 のオレンジ色のEL発光が観察された。発光
スペクトルはポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フ
ェニレンビニレン)の蛍光スペクトルと一致した。
Example 9 A glass substrate provided with an ITO film in the same manner as in Example 1
0.75 wt% of poly (2,5-diheptyloxy-p-phenylenevinylene) [number-average degree of polymerization in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of about 360] synthesized by the same method as in Example 1. A film was formed by dipping using a chloroform solution. Then, this was dried at 60 ° C. for 1 hour under reduced pressure, and then tris (8-quinolinol) aluminum was deposited thereon at 700 ° as an electron transporting layer, and then Mg-A was used as a cathode.
A g alloy (weight ratio 10: 1) was deposited at 1500 ° and Ag was further deposited thereon at 1000 ° to produce an organic EL device. The total thickness of the organic layer was 910 °. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 3 × 10 −6 Torr or less. When a voltage of 17.8 V was applied to this element, a current having a current density of 420 mA / cm 2 flowed and a luminance of 2290
An orange EL emission of cd / m 2 was observed. The emission spectrum was consistent with the fluorescence spectrum of poly (2,5-diheptyloxy-p-phenylenevinylene).

【0035】比較例3 電子輸送層を設けない以外は、実施例9と同じ方法で有
機EL素子を作製した。この素子に電圧9.2Vを印加
したところ、電流密度569mA/cm2 の電流が流
れ、輝度1189cd/m2 のオレンジ色のEL発光が
観察された。また、これ以上電圧を上げても輝度は向上
せず、11.7Vで素子の破壊のため発光しなくなっ
た。
Comparative Example 3 An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the electron transport layer was not provided. When a voltage of 9.2 V was applied to this device, a current having a current density of 569 mA / cm 2 flowed and orange EL emission with a luminance of 1189 cd / m 2 was observed. Further, even if the voltage was further increased, the luminance did not improve, and light emission stopped at 11.7 V due to destruction of the element.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機EL
素子は、従来のものと比較して、低電圧駆動で、しかも
輝度が向上しており、バックライトとしての面状光源、
フラットパネルディスプレイ等の装置としての使用が可
能である。
As described above, the organic EL of the present invention
The element is driven at a lower voltage and has improved brightness as compared with the conventional one, and a planar light source as a backlight,
It can be used as a device such as a flat panel display.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−244630(JP,A) 特開 平2−250292(JP,A) 特開 平2−209988(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05B 33/14 C09K 11/06 Continuation of the front page (56) References JP-A-3-244630 (JP, A) JP-A-2-250292 (JP, A) JP-A-2-209988 (JP, A) (58) Fields investigated (Int) .Cl. 7 , DB name) H05B 33/14 C09K 11/06

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】少なくとも一方が透明または半透明である
一対の陽極および陰極からなる電極間に、少なくとも発
光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、該発光層が下記化1 【化1】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 はそれぞれ独立に水
素,炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基および
アルキルチオ基ならびに炭素数6〜20の芳香族炭化水
素基から選ばれた基を示し、且つ少なくとも一つが炭素
数4〜20のアルキル基、アルコキシ基またはアルキル
チオ基であり、nは10〜30000の数を表す。)で
表される置換ポリ(p−フェニレンビニレン)と電子輸
送性化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
1. An organic electroluminescence device having at least a light emitting layer between a pair of anodes and cathodes, at least one of which is transparent or translucent, wherein the light emitting layer is represented by the following formula: (Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are each independently selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group, an alkylthio group, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms. And at least one is an alkyl group, an alkoxy group, or an alkylthio group having 4 to 20 carbon atoms, and n represents a number of 10 to 30,000), and a substituted poly (p-phenylenevinylene). An organic electroluminescence device comprising an electron transporting compound.
【請求項2】陰極がMgとAgの合金からなることを特
徴とする請求項記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the cathode is characterized by comprising an alloy of Mg and Ag.
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