JP3324126B2 - α−ブロモエステル類の製造法 - Google Patents

α−ブロモエステル類の製造法

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    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、エステル類またはその
誘導体とN−ブロモラクタムまたはN−ブロモイミドと
を反応させることによりα─ブロモエステル類を得る製
造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、Nーブロモイミド例えば、Nーブ
ロモスクシンイミドなどを用いるブロム化反応は古くか
ら知られている。しかしながら、下記一般式 化3〜5
で示されるNーブロモラクタムまたはNーブロモイミド
を用いるαーブロモエステル類の製造法については知ら
れていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、エス
テル類またはその誘導体とN−ブロモラクタムまたはN
−ブロモイミドとを反応させることによりα─ブロモエ
ステル類を得る製造法を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決するため、種々検討の結果本発明に至った。すなわ
ち本発明は、一般式 化2 (式中、R’は炭素数1〜6のアルキル基を示し、Zは
トリメチルシリル基またはt−ブチルジメチルシリル基
を示し、Yは前記と同じ意味を表わす。)で示されるエ
ステル誘導体と、一般式 化3 (式中、Aは水酸基の保護基を示し、*印は不斉炭素原
子を示す。)または式 化4 で示されるN−ブロモラクタムまたは一般式 化5 (式中、Aおよび*印は前記と同じ意味を表わす。)で
示されるN−ブロモイミドとを反応させることにより一
般式 化6 (R’、*印およびYは前記と同じ意味を表わす。)で
示されるα─ブロモエステル類の製造法を提供するもの
である。
【0005】本発明において用いられる一般式 化1お
よび2で示されるカルボン酸エステルおよびエステル誘
導体として、例えば、酢酸、酪酸、分岐していても良い
ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸等のカ
ルボン酸のエステルまたそれらのトリメチルシリルエノ
ールエーテル、t−ブチルジメチルシリルエノールエー
テル等があげられる。また、一般式 化3で示されるN
−ブロモイミドにおいて、水酸基の保護基Aとしては、
例えば、低級アシル基、トリアルキルシリル基、エーテ
ル基があげられ、具体的にはアセチル基、プロパノイル
基、トリメチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル
基、テトラヒドロピラニル基等があげられる。
【0006】本発明には、通常、溶媒が用いられ、例え
ば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジクロロ
メタン、クロロホルム、四塩化炭素、ベンゼン、ヘキサ
ン等のエーテル、ハロゲン化炭化水素、炭化水素等の反
応に不活性な溶媒が挙げられる。
【0007】本発明に用いる一般式3〜5で示されるN
−ブロモラクタムまたはN−ブロモイミドの使用量は、
一般式 化1または2で示されるカルボン酸エステルま
たはエステル誘導体に対して、通常、1当量以上であ
る。
【0008】反応温度は、通常、−70℃〜100℃の
範囲であり、好ましくは、−70℃〜50℃の範囲であ
る。また、反応時間については、特に制限されない。
【0009】反応終了後は、通常の後処理操作、例え
ば、抽出、分液、濃縮、再結晶、蒸留等により一般式
化6で示される光学活性なαーブロモエステル類を得る
ことができ、必要により、さらにカラムクロマトグラフ
ィー等により精製することもできる。
【0010】
【発明の効果】本発明の製造法により、光学活性なαー
ブロモエステル類を効率よく得ることができ、これら
は、医薬、農薬等をはじめ種々の中間体の製造に有用で
ある。
【0011】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0012】実施例1 1−エトキシ−1−トリメチルシロキシ−1−ヘキセン
2.16 g(10mmol)を無水テトラヒドロフラン50mlに溶
解し、光学活性なN−ブロモ1−メチル−8,8−ジメ
チル−2−オキソ−3−アザビシクロ〔3,2,1〕オ
クタン 2.46g(10mmol) を加え、室温で6時間攪拌し
た。反応終了後、反応混合物を減圧下に濃縮したのち、
シリカゲルカラムクロマトで分離精製し、光学活性なα
−ブロモ−ヘキサン酸エチルエステル1.7gを得た。光学
純度15%
【0013】実施例2 1−エトキシ−1−トリメチルシロキシ−1−ヘキセン
2.16 g(10mmol)を無水テトラヒドロフラン50mlに溶
解し、N−ブロモ−5−(t−ブチルジメチルシリルオ
キシ)−メチル−2−ピロリドン3.08g(10mmolを加え、
室温で6時間攪拌した。 反応終了後、反応混合物を減
圧下に濃縮したのち、シリカゲルカラムクロマトで分離
精製し、光学活性なα−ブロモ−ヘキサン酸エチルエス
テル1.6gを得た。光学純度12%
【0014】実施例36−アセトキシ−3−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプ
タン−2,4−ジオンの合成 500mlの光反応器(125W高圧水銀ランプ)にマ
レインイミド(4.3g,44.3ミリモル)、ベンゾ
フェノン(485mg,2.66ミリモル),ビニルア
セテート(4.96g,57.6ミリモル)および塩化
メチレン500mlを仕込み、水冷下66時間攪拌し
た。反応終了後、反応混合物を減圧下に濃縮し、濃縮残
渣を得た。
【0015】この残渣を酢酸エチル:クロロホルム=
1:3の溶液でカラムクロマト精製し、Syn/Ant
iの混合物を結晶として得た。この結晶を冷酢酸エチル
にて洗浄し、さらにエーテルにて再結晶し、Syn体の
6−アセトキシ−3−アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプ
タン−2,4−ジオンの白色結晶4.45g(収率55
%)を得た。
【0016】融点 127℃ TLC(酢酸エチル)Rf0.47H NMR(500MHz,CDCl3 ) δ 2.02(3H,s,CH3 CO),2.34〜
2.40(1H,m,C−7−H),3.03〜3.0
6(2H,m,C−1−H,C−7−H),3.68〜
3.71(1H,m,C−5−H),5.32〜5.3
8(1H,m,C−6−H),9.10(1H,s,N
H) 13C NMR(50MHz,CDCl3 ) ppm 20.6(q),32.0(t),34.4
(d),46.3(d),64.0(d),169.8
(s),174.7(s),179.3(s) IR(KBr)3200,1750,1710cm-1 元素分析:C8 9 4 Nとしての計算値:C,52.46;
H,4.96;N,7.65 分析値:C,52.55;H,4.79;N,7.88
【0017】濾液を濃縮して残渣1.89g得た。Sy
n/Anti=1/1 また、冷酢酸エチル洗浄濾液からは、Anti体が回収
される。Anti体の物性を以下に示す。H NMR(500MHz,CDCl3 ) δ 2.08(3H,s,CH3 CO),2.60〜
2.74(2H,m,C−7−H),3.28〜3.4
6(2H,m,C−1−H,C−5−H),5.13〜
5.20(1H,m,C−6−H),9.22(1H,
s,NH) 13C NMR(50MHz,CDCl3 ) ppm 20.7(q),31.4(t),35.7
(d),48.6(d),69.5(d),169
(s),176.2(s),179.1(s) Syn/Antiの決定は、H NMRにおけるNOE
測定により行った。SynのC−1,6間のNOEは1
0.8%であり、Antiのそれは2.0%であった。
【0018】6−アセトキシ−3−ブロモ−3−アザビ
シクロ〔3,2,0〕ヘプタン−2,4−ジオンの合成 100mlの反応器に6−アセトキシ−3−アザビシク
ロ〔3,2,0〕ヘプタン−2,4−ジオン1.32g
(7.24ミリモル)および水50mlを加え0℃に冷
却する。次に、臭素0.37ml(7.24ミリモル)
を加え、さらに水酸化ナトリウム287mg(7.24
ミリモル)と水5mlの溶液を加えた。2.5時間攪拌
し、反応終了後、生成した白色沈澱物を濾取し、エーテ
ルにて2回洗浄し、6−アセトキシ−3−ブロモ−3−
アザビシクロ〔3,2,0〕ヘプタン−2,4−ジオン
1.27g(収率67%)を得た。
【0019】H NMR(500MHz,CDCl3 ) δ 2.04(3H,s,OAc),2.37(1H,
m),3.08(1H,m),3.91(1H,m),
5.38(1H,m) 13C NMR(125MHz,CDCl3 ) ppm 20.5(q),32.2(t),33.5
(d),45.4(d),64.2(d),169.6
(s),170.2(s),174.7(s) IR(KBr)1720cm-1 元素分析:C8 8 4 NBrとしての計算値:C,3
6.67;H,3.08;N,5.35 分析値:C,36.66;H,3.08;N,5.29
【0020】α−ブロモヘキサン酸エチルエステルの合
1−エトキシ−1−トリメチルシロキシ−1−ヘキセン
0.65g (3mmol)を無水テトラヒドロフラン50mlに溶解
し、−70℃で6−アセトキシ−3−ブロモ−3−アザビ
シクロ〔3,2,0〕ヘプタン−2,4−ジオン0.79g
(3mmol)を加え、同温で6時間攪拌した。反応終了後、
反応混合物を減圧下に濃縮したのち、シリカゲルカラム
クロマトで分離精製し、光学活性なα−ブロモ−ヘキサ
ン酸エチルエステル0.49g を得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−85987(JP,A) 特開 昭63−313792(JP,A) 特開 平3−190843(JP,A) 特開 昭51−39624(JP,A) 特開 昭55−157519(JP,A) 特開 昭46−1519(JP,A) 特開 昭54−39013(JP,A) 特開 昭58−138704(JP,A) 特開 昭58−183739(JP,A) 特開 昭57−26639(JP,A) 特開 昭64−45334(JP,A) 特公 昭46−26930(JP,B1) 特表 平1−501549(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07C 69/62 C07C 67/307

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 化2 (式中、R’は炭素数1〜6のアルキル基を示し、Zは
    トリメチルシリル基またはt−ブチルジメチルシリル基
    を示し、Yは前記と同じ意味を表わす。)で示されるエ
    ステル誘導体と、一般式 化3 (式中、Aは水酸基の保護基を示し、*印は不斉炭素原
    子を示す。)または式 化4 で示されるN−ブロモラクタムまたは一般式 化5 (式中、Aおよび*印は前記と同じ意味を表わす。)で
    示されるN−ブロモイミドとを反応させることを特徴と
    する一般式 化6 (R’、*印およびYは前記と同じ意味を表わす。)で
    示されるα─ブロモエステル類の製造法。
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