JP3322981B2 - 永久電流スイッチ - Google Patents
永久電流スイッチInfo
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Description
の超電導磁石に使用される永久電流スイッチに関する。
共鳴イメージング(MRI)等に用いられる超電導磁石
は、長時間に亘り一定の電流を流し続ける必要から永久
電流モードで使用される。永久電流モードとは超電導磁
石を閉ループにして電流を閉じ込めるようにした状態で
ある。つまり、超電導磁石に外部から通電した状態で該
超電導磁石を閉ループにして永久電流モードとすること
で、その超電導磁石内を電流が減衰せずに半永久的に流
れ続けて、その超電導磁石が定磁場を保持するようにな
る。このように超電導磁石を永久電流モードにしたり或
いは解除したりする開閉動作のために永久電流スイッチ
が用いられている。
用い、これをヒータにより温度調整して超電導状態と常
電導状態との間で転位させて開閉動作を行う熱式のもの
が多い。
は、巻枠に超電導線とヒータ線を巻き込み、エポキシ等
の樹脂を含浸して構成している。その超電導線はスイッ
チ開時の電気抵抗を出来るだけ大きくするために、例え
ば銅ニッケル合金(Cu−Ni合金)などの比抵抗値が
大きい金属を母材とする極細多芯線が一般に用いられて
いる。
チの比抵抗値が高い母材を用いた超電導線は、CuやA
lのような比抵抗値の小さい金属を母材とする超電導線
よりも、通電時にクエンチ(超電導状態から常電導状態
に転位すること)しやすいという不安定性がある。特
に、大電流を通電する目的で超電導線の断面積を大きく
すると、クエンチ電流値は高くなる反面、不安定性は増
加する傾向にある。
どの大電流を通電し安定性を必要とする熱式の永久電流
スイッチでは、断面積を極力小さくした超電導線を用い
て複数個のスイッチ要素(スイッチ小単体)を形成し、
これら複数個のスイッチ要素を電気的に並列接続してい
る構成のものが多い。
例を示すもので、複数個の円盤状のスイッチ要素2を重
合して固定ボルト3により締結固定すると共に、これら
各スイッチ要素2を電気的に並列接続した構成である。
例を示すもので、複数個の円筒状のスイッチ要素5を一
束にバインダ6により結束固定すると共に、これら各ス
イッチ要素5を電気的に並列接続した構成である。
要素5の一般的な基本構造を図8に示している。つま
り、巻枠7に超電導線8とヒータ線を巻き込み、エポキ
シ等の樹脂9を含浸して固定している。その超電導線8
は前述の如くスイッチ開時の電気抵抗を出来るだけ大き
くするために、銅ニッケル合金(Cu−Ni合金)など
の比抵抗値が大きい金属よりなる母材10に、Nb−T
i等の多数本の超電導体フィラメント11を設けた極細
多芯線構造である。その超電導体フィラメント11は母
材10内部の斜線を入れて示す超導電部12に一定密度
で均一に分布するように配列されている。
イッチ要素の並列個数をNとし、通電電流をIとすると
き、何らかの攪乱によりスイッチ要素のうちのM個がク
エンチしても、残り(N−M)個のスイッチ要素で電流
Iを維持することができる余裕度を持たせている場合が
多く、通常Mは1としている。そのスイッチ要素のM個
がクエンチし、これに流れていた電流が他の(N−M)
個のスイッチ要素に分流して流れ込んで、通電電流Iを
維持する現象を転流と呼んでいる。
うな従来の熱式の永久電流スイッチでは、転流時に(N
−M)個のスイッチ要素に流れ込む電流の速度は、最高
で104 〜105 [A/S]のレベルに達することが確
認されている。つまり、各スイッチ要素に流れる電流を
I1 (各スイッチ要素に均等に電流が流れていると考え
るとI1 =I/N)とすると、転流時には電流I1 を保
持しているスイッチ要素(N−M)個に各々約I1 /
(N−M)の電流が通電速度104 〜105 [A/S]
で通電したことになる。
各スイッチ要素の超電導線8は、一般に通電速度が高速
になるに従ってクエンチ電流値(臨界電流値)が低下す
る傾向にある。もし超電導線8の通電速度104 〜10
5 [A/S]のときのクエンチ電流値が、転流後のスイ
ッチ要素(N−M)個のそれぞれの電流値I1 +I1/
(N−M)と同等或いは若干高い場合、転流時に他の何
らかの攪乱がおきるとv転流できず、スイッチ要素全体
(永久電流スイッチ自体)がクエンチに至ってしまう虞
れがある。
やし、転流後の各スイッチ要素に流れる電流値I1 +I
1 /(N−M)を小さくすれば良いのであるが、永久電
流スイッチ全体の外形寸法が大きくなってしまう。特に
磁気浮上式鉄道等に使用される場合は、超電導磁石の艤
装寸法制約上、永久電流スイッチ自体も寸法を余り大き
くすることは出来ない。
導線8の径を若干増やしても、通電速度が高速になるに
従ってクエンチ電流値が低下する現象は逆に著しい。そ
の原因の一つとして、自己磁界ロスが挙げられる。つま
り超電導線8はシールド作用を持つことから、自己磁界
は線材表面に限定され、電流の増加と共に磁界は外周部
から徐々に内部へと侵入していくようになるので、ロス
が生じ、超電導線8に電圧が発生する。よって電流は一
挙に超電導線断面全体に流れるのではく外周部から徐々
に内部へと侵入する。このときの磁束移動に伴う発熱を
自己磁界ロスと呼んでいる。
高速になると、磁束の動きに伴う誘導起電力が大きくな
り、超電導線8の電圧が上昇し、それに伴い超電導線8
の温度も上昇する。
よる排熱の効果が弱くなってしまう。従って、通電速度
が高速になるにつれて、超電導線8の温度上昇が激し
く、電流分流温度(電流が超電導フィラメント11から
母材10に流れ始める限界温度)に達するのが速くな
り、クエンチ電流値が低くなってしまう。特に、通電速
度が転流のような超高速の104 〜105 [A/S]に
なると、超電導線8内部に電流が侵入する過程で電流分
量温度に達するため、クエンチ電流値が著しく低くな
る。こうしたことから、通電速度が超高速の104 〜1
05 [A/S]にもなると、超電導線8が自己磁界ロス
により内部に電流が流れる前にクエンチに至ってしま
う。
とするところは、通電速度が104〜105 [A/S]
というような超高速域での超電導線のクエンチ電流値を
向上させるか、超高速域での超電導線の内部温度上昇を
小さくてクエンチ電流値の低下を押さえることにより、
転流時の各スイッチ要素の余裕度を高めて、安定性の向
上を図るようにした熱式の永久電流スイッチを提供する
ことにある。
明は、極低温で比抵抗値が大きい合金を用いた母材に多
数本の超電導体フィラメントを設けた多芯線構造の超電
導線を巻回してなる永久電流スイッチにおいて、前記超
電導線の母材中の断面外周部に超電導体フィラメントを
高密度で配設し、断面内周部は中空として構成し、その
中空部に通電時には液体ヘリウムを流して導体を安定化
し、スイッチオフ時にはその中空部を蒸発ヘリウムガス
にして中空部を断熱化することを特徴としている。
ィラメントをなくすことにより、内部の自己磁界ロスは
なくなることになり、また内部が中空であるので、内部
冷却効果が期待できることになる。
体が無い分、クエンチ電流値は、従来の超電導線に劣る
ものの、通電速度が早くなるにつれて内部のロスが無く
なる分、クエンチ電流値の減少が緩和され、104 〜1
05 [A/S]程度では従来の超電導線より高い電流ま
で流せるようになる。
超電導線の断面外周部は、該超電導線の直径に対し50
〜70%の範囲内の比率で設定するのが望ましい。ま
た、前述の永久電流スイッチにおいて、超電導線の断面
内周部は、該超電導線の直径に対し30〜50%の範囲
内の比率で設定するのが望ましい。
1実施例を図1により説明する。なお、ここではスイッ
チの全体的構成は図6乃至図8で示しとと同様であるの
で、その説明と図面は省略し、超電導線20の断面構造
のみ説明する。
0は、極低温で比抵抗値が大きい例えば銅とニッケル合
金(Cu−Ni合金)を用いた母材21に、Nb−Ti
等の合金よりなる多数本の超電導体フィラメント22を
設けた多芯線構造で、この超電導線20の母材21中の
断面外周部(格子線を入れて示す部分)23の超電導体
フィラメント22の密度を、断面内周部(斜線を入れて
示す部分)24の超電導体フィラメント22の密度より
も高く設定している。
が、該超電導線20の超電導部の断面外周部23では高
く、内周部24では低くされている。その断面外周部2
3の超電導体フィラメント22の密度は、内周部24の
それに対し少なくとも10%以上高くされている。即
ち、超電導線20の母材21中の断面内周部24では超
電導体フィラメント22の密度が従来品と同程度である
のに対し、外周部23では超電導体フィラメント22の
密度が10%以上高く(密集)して構成されている。
導体フィラメント22の配置数を増やす方法と、フィラ
メント径を細かくして配置数を増やす方法の両方が可能
である。また、母材に対しフィラメント密度が異なる少
なくとも2種類以上の部材を別々に製作して内外で合成
してハイブリット(複合型)構造とすることで構成する
方法もある。
度を高くした断面外周部23とは、通電速度が104 〜
105 [A/S]の超高速域でも電流が集中すると推定
される範囲、つまり該超電導線20の直径に対し50〜
70%の範囲内の比率で設定されている。
巻枠に巻回してモールド樹脂により固めてスイッチ要素
を構成し、これを複数個電気的に並列接続して熱式の永
久電流スイッチを構成している。
れると推定される超電導線20外周のある範囲までの断
面外周部(超電導部)23の超電導体フィラメント22
の密度を、内周部(超電導部)24のそれより高密度化
したので、その超電導線20の外周部23での電流密度
が高くとれ、全体としての電流密度が高く保たれるた
め、従来の超電導線より通電速度の低速域から高速域の
広範囲に亘りクエンチ電流値を高くすることができるよ
うになる。
品とのクエンチ電流値の比較図で、超電導線20の外径
は従来と同一であるが、本実施例のクエンチ電流値Aは
従来の超電導線のクエンチ電流値Bより通電速度全域に
亘り向上する。
した並列接続式の永久電流スイッチは、転流時の高速通
電に対して各スイッチ要素の負荷率(スイッチ要素に流
れる電流/クエンチ電流値)が低減し、安定性が向上す
る。また低速域でのクエンチ電流値も向上するため、通
常通電時(1〜10[A/S])での安定性も向上する
ようになる。
第2実施例を示すもので、ここで用いた超電導線30の
断面構造は、極低温で比抵抗値が大きい例えば銅とニッ
ケル合金(Cu−Ni合金)を用いた母材31に、Nb
−Ti等の合金よりなる多数本の超電導体フィラメント
32を設けた多芯線構造であるが、その超電導線30の
母材31中の断面外周部33に超電導体フィラメント3
1を前記実施例同様に高密度で配設し、内周部34は超
電導体フィラメントを持たない全てCu−Ni合金母材
31のみで構成されている。
ば、超電導線30は超電導体の総面積が従来品より若干
小さくでき、通電速度が低速域では、従来の超電導線よ
りクエンチ電流値は若干小さくなるが、通電速度が10
4 〜105 [A/S]の超高速域では、電流が集中する
と推定される断面外周部(外径の6〜7割程度の範囲)
33に高密度化した超電導体フィラメント32が存在
し、しかも内周部は母材31のみで超電導体フィラメン
トが無い分、自己磁界ロスによる発熱が減少するので、
図5に示したように本実施例のクエンチ電流値Cは従来
の超電導線のクエンチ電流値Bより超高速域で向上す
る。よって、通電速度の(1〜10[A/S])の低速
域では各スイッチ要素の負荷率は若干従来のものに比し
高くなるが、転流による電流増加に対しては安定性が大
幅に向上するようになる。
永久電流スイッチの場合は、超電導線30の断面外周部
33の超電導体フィラメント32を密度を高密度化せず
に従来度同等程度にして、その超電導線30の外径の3
〜4割程度の範囲の内周部34をCu−Ni等の合金母
材31のみとしただけでも、自己磁界ロスによる内部発
熱が少なくなる分、転流時の安定性は従来の永久電流ス
イッチより良くなる。
第3実施例を示すもので、ここで用いた超電導線40の
断面構造は、極低温で比抵抗値が大きい例えば銅とニッ
ケル合金(Cu−Ni合金)を用いた母材41に、Nb
−Ti等の合金よりなる多数本の超電導体フィラメント
(図示省略)を設けた多芯線構造であるが、その超電導
線40の内部の冷却効率を向上して排熱特性を向上させ
るため、超電導線40の断面外周部43では比抵抗値が
大きく、内周部44では比抵抗値が小さくなる状態に、
合金含有成分率が異なる少なくとも2種類以上の母材4
1,42を内外に配して構成されている。
ントを高密度で設けた断面外周部43の母材41aは比
抵抗値が大きいCu−30%Ni合金とし、フィラメン
トを持たない内周部44の母材41bは比抵抗値が小さ
いCu−10%Ni合金(Niの含有成分率を少なくし
た)で構成されている。
第4実施例を示すもので、ここで用いた超電導線50の
断面構造は、極低温で比抵抗値が大きい例えば銅とニッ
ケル合金(Cu−Ni合金)を用いた母材51に、Nb
−Ti等の合金よりなる多数本の超電導体フィラメント
(図示省略)を設けた多芯線構造であるが、その超電導
線50の内部の冷却効率を向上して排熱特性を向上させ
るため、超電導線50の母材51中の断面外周部53に
超電導体フィラメントを高密度で配設し、断面内周部5
4は中空とされている。つまり、超電導線50の断面内
周部54がCu−Ni合金母材51を取り除いて中空と
され、全体的に断面ドーナツ形状に構成されている。
50の内周部54が中空であるので、内部冷却効果が期
待でき、自己磁界ロスによる超電導体部最内周側の放熱
特性を向上させることができることになると共に、通電
速度が低速域では内部超電導体が無い分、クエンチ電流
値は、従来の超電導線に劣るものの、通電速度が早くな
るにつれて内部のロスが無くなる分、クエンチ電流値の
減少が緩和され、通電速度が104 〜105 [A/S]
の超高速域では従来の超電導線より高い電流まで流せる
ようになる。
0の内周部54を中空とした場合、その中空部に液体ヘ
リウムを流すことも可能であり、大型機器の大電流用の
永久電流スイッチとして、通電時には液体ヘリウムを流
して導体を安定化し、スイッチOFF時には中空部を蒸
発ヘリウムガスにして、中空部を断熱化することが可能
である。
において、超電導線の断面外周部は、該超電導線の直径
に対し50〜70%の範囲内の比率で設定するのが望ま
しい。また、超電導線の断面内周部は、該超電導線の直
径に対し30〜50%の範囲内の比率で設定するのが望
ましい。
超電導線20〜50の断面外周部23〜53は、該超電
導線の直径に対し50〜70%の範囲内の比率で設定す
るのが望ましい。また、超電導線20〜50の断面内周
部24〜54は、該超電導線の直径に対し30〜50%
の範囲内の比率で設定するのが望ましい。
〜50は円形断面のものとして図示しているが、それ以
外に例えば矩形断面形状或いは多角形断面形状とした場
合においても前述と略同様に安定性の高い永久電流スイ
ッチを得ることができる。
従来に比べ高速通電時のクエンチ電流値が向上するの
で、転流時のスイッチ要素間の104 〜105 [A/
S]と言う超高速な電流移動に対し安定性が向上する。
久電流スイッチは、走行時に超電導磁石が受ける振動の
影響で加振されると共に、磁場変動を受けるが、このと
き永久電流スイッチは転流が起こらなくても振動とのそ
の影響で起きる磁場変動により、スイッチ要素間の電流
移動があり、この電流移動速度も超高速的なものと考え
られる。このような場合についても、高速通電時の電流
容量を向上させた本発明の永久電流スイッチは従来のタ
イプより安定性が良いものとなる。従って非常に安定性
が向上した永久電流スイッチを構成することができて更
に超電導磁石システム全体の信頼性も高くすることがで
きる。
く構成したので、通電速度が104 〜105 [A/S]
というような超高速域での超電導線のクエンチ電流値を
向上させることができ、或いは超高速域での超電導線の
内部温度上昇を小さくてクエンチ電流値の低下を押さえ
ることができ、転流時の各スイッチ要素の余裕度を高め
て、安定性の向上が図れる。
超電導線の断面図及びその部分拡大断面図。
超電導線の断面図及びその部分拡大断面図。
超電導線の断面図。
超電導線の断面図。
チ電流値の比較図。
した永久電流スイッチの斜視図。
した永久電流スイッチの斜視図。
一部断面した斜視図及びその一部分の拡大断面図。
…超電導体フィラメント、23〜53…断面外周部、2
4〜44…内周部、54…中空内周部。
Claims (3)
- 【請求項1】 極低温で比抵抗値が大きい合金を用いた
母材に多数本の超電導体フィラメントを設けた多芯線構
造の超電導線を巻回してなる永久電流スイッチにおい
て、前記超電導線の母材中の断面外周部に超電導体フィ
ラメントを高密度で配設し、断面内周部は中空として構
成し、その中空部に通電時には液体ヘリウムを流して導
体を安定化し、スイッチオフ時にはその中空部を蒸発ヘ
リウムガスにして中空部を断熱化することを特徴とする
永久電流スイッチ。 - 【請求項2】請求項1に記載の永久電流スイッチにおい
て、超電導線の断面外周部は、該電導線の直径に対し5
0〜70%の範囲内の比率に設定されていることを特徴
とする永久電流スイッチ。 - 【請求項3】請求項1に記載の永久電流スイッチにおい
て、超電導線の断面内周部は、該電導線の直径に対し3
0〜50%の範囲内の比率に設定されていることを特徴
とする永久電流スイッチ。
Priority Applications (1)
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JP03461094A JP3322981B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 永久電流スイッチ |
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JPH07245427A JPH07245427A (ja) | 1995-09-19 |
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JP03461094A Expired - Lifetime JP3322981B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 永久電流スイッチ |
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JP (1) | JP3322981B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014096995A1 (en) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | Koninklijke Philips N.V. | Low-loss persistent current switch with heat transfer arrangement |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP03461094A patent/JP3322981B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2014096995A1 (en) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | Koninklijke Philips N.V. | Low-loss persistent current switch with heat transfer arrangement |
US10107879B2 (en) | 2012-12-17 | 2018-10-23 | Koninklijke Philips N.V. | Low-loss persistent current switch with heat transfer arrangement |
Also Published As
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JPH07245427A (ja) | 1995-09-19 |
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