JP3320821B2 - マイクロメカニカル装置の表面処理方法及び得られる装置 - Google Patents
マイクロメカニカル装置の表面処理方法及び得られる装置Info
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- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
- B81B3/0005—Anti-stiction coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/11—Treatments for avoiding stiction of elastic or moving parts of MEMS
- B81C2201/112—Depositing an anti-stiction or passivation coating, e.g. on the elastic or moving parts
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロメカニカル装
置、特に、マイクロメカニカル変形可能ミラー装置に関
する。
置、特に、マイクロメカニカル変形可能ミラー装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロメカニカル装置の多数の異なる
型式があり、これのうちの３つはマイクロ−モーター、
マイクロ−ギヤー、及びマイクロメカニカル変形可能ミ
ラー（以下、変形可能ミラーをＤＭＤと称する）であ
る。マイクロメカニカルＤＭＤは、１つまたは複数のヒ
ンジの下側に、アクチベーションまたはアドレス指定電
極、および１つまたは複数のポストを含み、このポスト
は、さらに、この電極をおおって懸垂された偏向部材を
支持する。これらのＤＭＤは、ミラー型偏向部材を具備
し、光学系内の光の方向上で主として使用される。
型式があり、これのうちの３つはマイクロ−モーター、
マイクロ−ギヤー、及びマイクロメカニカル変形可能ミ
ラー（以下、変形可能ミラーをＤＭＤと称する）であ
る。マイクロメカニカルＤＭＤは、１つまたは複数のヒ
ンジの下側に、アクチベーションまたはアドレス指定電
極、および１つまたは複数のポストを含み、このポスト
は、さらに、この電極をおおって懸垂された偏向部材を
支持する。これらのＤＭＤは、ミラー型偏向部材を具備
し、光学系内の光の方向上で主として使用される。
【０００３】このような装置の操作は、この電極をアク
チベートすることを含み、この電極はこれと偏向部材と
の間のギャップ内に静電荷を集結する。この偏向部材
は、次いで、その１つまたは複数のヒンジ上でたわみか
つこの電極に向けて運動する。この電荷が移動すると、
この偏向部材はその非偏向位置に復帰する。
チベートすることを含み、この電極はこれと偏向部材と
の間のギャップ内に静電荷を集結する。この偏向部材
は、次いで、その１つまたは複数のヒンジ上でたわみか
つこの電極に向けて運動する。この電荷が移動すると、
この偏向部材はその非偏向位置に復帰する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】マイクロ−ギヤーおよ
びマイクロ−モータのようなマイクロメカニカル装置の
操作部品と支持部品との間の接触は、こう着を生じるお
それがある。同様に、もしＤＭＤの偏向部材がその電極
と接触するならば、この偏向部材はおそらくその偏向位
置にこう着するであろう。ＤＭＤの偏向部材を自由にす
る１つの方法は、そのヒンジの共振周波数の周りの周波
数を持つ電圧パルス列を印加することによっている。こ
のパルス列が停止すると、この偏向部材はその非偏向位
置へ復帰する。
びマイクロ−モータのようなマイクロメカニカル装置の
操作部品と支持部品との間の接触は、こう着を生じるお
それがある。同様に、もしＤＭＤの偏向部材がその電極
と接触するならば、この偏向部材はおそらくその偏向位
置にこう着するであろう。ＤＭＤの偏向部材を自由にす
る１つの方法は、そのヒンジの共振周波数の周りの周波
数を持つ電圧パルス列を印加することによっている。こ
のパルス列が停止すると、この偏向部材はその非偏向位
置へ復帰する。
【０００５】このリセット方法は、非常に良い。しかし
ながら、電極と偏向部材との間の多くの接触の後、摩耗
のために有効接触領域を増大する。この結果、ますます
高いリセット電圧を必要とする。
ながら、電極と偏向部材との間の多くの接触の後、摩耗
のために有効接触領域を増大する。この結果、ますます
高いリセット電圧を必要とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、マイク
ロメカニカル装置内の接触点に対するパッシベーション
層を提供することにある。本発明の他の目的は、このよ
うな層を開発する方法を提供することにある。他の目的
および利点は、明白であり、また以下に部分的に明らか
にされ、かつマイクロメカニカル装置内の表面パッシベ
ーションのための技術を提供する本発明によって達成さ
れる。この技術は、この表面のクリーニング、真空排気
室内で原料物質と共にこの装置を加熱すること、この装
置上へのこの原料物質の蒸着を含み、この結果、表面パ
ッシベーションのための配向単分子層を生じる。
ロメカニカル装置内の接触点に対するパッシベーション
層を提供することにある。本発明の他の目的は、このよ
うな層を開発する方法を提供することにある。他の目的
および利点は、明白であり、また以下に部分的に明らか
にされ、かつマイクロメカニカル装置内の表面パッシベ
ーションのための技術を提供する本発明によって達成さ
れる。この技術は、この表面のクリーニング、真空排気
室内で原料物質と共にこの装置を加熱すること、この装
置上へのこの原料物質の蒸着を含み、この結果、表面パ
ッシベーションのための配向単分子層を生じる。
【０００７】
【実施例】本発明およびその利点の完全な理解のため
に、付図と関連した以下の説明を、これから参照する。
に、付図と関連した以下の説明を、これから参照する。
【０００８】図１ａは、非偏向トーションビームＤＭＤ
を示す。アドレス指定電極１０がアクチベートされる
と、静電吸引力がこの電極と偏向部材１２との間に発生
する。図１ｂにおいて、これら２つの間の吸引力によっ
てこの偏向部材がそのヒンジ１４上で曲げられ、このヒ
ンジは支持層１６によって支持されている。この部材は
ねじれ、かつその縁はランディング電極１８において基
板２０に接触すなわちランドする。
を示す。アドレス指定電極１０がアクチベートされる
と、静電吸引力がこの電極と偏向部材１２との間に発生
する。図１ｂにおいて、これら２つの間の吸引力によっ
てこの偏向部材がそのヒンジ１４上で曲げられ、このヒ
ンジは支持層１６によって支持されている。この部材は
ねじれ、かつその縁はランディング電極１８において基
板２０に接触すなわちランドする。
【０００９】電極１８と部材１２との間のこの接触の結
果、これら２つ表面の間に、普通、ファンデルワールス
力と称される吸引性分子間力が生じる。ファンデルワー
ルス力は、物質の表面エネルギーが増大するに連れて増
大する。このファンデルワールス力とこのビーム内の復
元力との比は、時間が経つに連れて増大する。接触が多
くなされるほど、これらの表面間の接触面積は増大し
て、この部材は増大するファンデルワールス力を克服す
ること、および電圧の除去によってこのアドレス指定電
極をデアクチベートするときこのランディング電極から
解放されることが困難なときに合う。遂には、この部材
は、そのランディング電極から解放されることができな
くなる。これを、そのランディング電極に電圧パルス列
を印加することによって、克服することができる。時間
が経つに連れて、この電圧の量は、増大するファンデル
ワールス力を補償するために増大しなければならない。
最後に、この部材を解放するために必要な電圧の量は、
そのビーム上の静電力より余りに多量になり、その結
果、この部材を破壊させていまい、おそらくそのビーム
をそのヒンジからひきちぎってしまうこともある。
果、これら２つ表面の間に、普通、ファンデルワールス
力と称される吸引性分子間力が生じる。ファンデルワー
ルス力は、物質の表面エネルギーが増大するに連れて増
大する。このファンデルワールス力とこのビーム内の復
元力との比は、時間が経つに連れて増大する。接触が多
くなされるほど、これらの表面間の接触面積は増大し
て、この部材は増大するファンデルワールス力を克服す
ること、および電圧の除去によってこのアドレス指定電
極をデアクチベートするときこのランディング電極から
解放されることが困難なときに合う。遂には、この部材
は、そのランディング電極から解放されることができな
くなる。これを、そのランディング電極に電圧パルス列
を印加することによって、克服することができる。時間
が経つに連れて、この電圧の量は、増大するファンデル
ワールス力を補償するために増大しなければならない。
最後に、この部材を解放するために必要な電圧の量は、
そのビーム上の静電力より余りに多量になり、その結
果、この部材を破壊させていまい、おそらくそのビーム
をそのヒンジからひきちぎってしまうこともある。
【００１０】本発明によれば、この種の問題を除去する
優れた方法が提供され、これは図２に示されるように、
この装置をパッシベートすることである。ウェーハレベ
ルにおける必要な処理は、工程２２において達成され
る。このＤＭＤの場合、このことは、なかでも、電極回
路構成、有機スペーサー、およびミラー表面を具備する
このウェーハに層を形成しおよびこのウェーハをエッチ
ングすることである。これらのウェーハは、次いで、チ
ップに分割され、プロセスは工程２４へ進む。
優れた方法が提供され、これは図２に示されるように、
この装置をパッシベートすることである。ウェーハレベ
ルにおける必要な処理は、工程２２において達成され
る。このＤＭＤの場合、このことは、なかでも、電極回
路構成、有機スペーサー、およびミラー表面を具備する
このウェーハに層を形成しおよびこのウェーハをエッチ
ングすることである。これらのウェーハは、次いで、チ
ップに分割され、プロセスは工程２４へ進む。
【００１１】工程２４により、アクチベートされるマイ
クロメカニカル装置の表面をクリーニングしなくてはな
らない。このＤＭＤの場合、その装置のクリーニングに
加えて、それらの偏向部材をそれらのポスト上へ自由に
運動させるためにその有機スぺーサーをアンダーカット
しなくてはならない。これは、典型的に、プラズマエッ
チで以て達成される。したがって、プラズマエッチの後
に、このクリーニングを、室温の酸素プラズマで以て達
成することができる。クリーニングは、この表面からい
かなる有機汚染物質、化学的吸収水、および物理的吸収
水をも除去する。この方法は、また、溶剤および高温焼
成の使用で以て起こる、このＤＭＤへの機械的損傷の可
能性を除去する。
クロメカニカル装置の表面をクリーニングしなくてはな
らない。このＤＭＤの場合、その装置のクリーニングに
加えて、それらの偏向部材をそれらのポスト上へ自由に
運動させるためにその有機スぺーサーをアンダーカット
しなくてはならない。これは、典型的に、プラズマエッ
チで以て達成される。したがって、プラズマエッチの後
に、このクリーニングを、室温の酸素プラズマで以て達
成することができる。クリーニングは、この表面からい
かなる有機汚染物質、化学的吸収水、および物理的吸収
水をも除去する。この方法は、また、溶剤および高温焼
成の使用で以て起こる、このＤＭＤへの機械的損傷の可
能性を除去する。
【００１２】この装置の表面のクリーニングの後、この
装置の表面は、次いで、これらを酸素／ふっ素プラズマ
内へ置くことによって工程２６に示されるようにアクチ
ベートされる。この工程に対する典型的な条件は；電力
−１００Ｗ；圧力−２６７Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）；流量
（ＮＦ3 −２ＳＣＣＭ、Ｏ2 −１８０ＳＣＣＭ、Ｈｅ−
５０ＳＣＣＭ）；温度−室温；時間−２０ｓ。アクチベ
ーションは高エネルギー表面を提供し、この高エネルギ
ー表面によって原料物質分子を密接に詰め合わせた配向
単分子層に形成する。
装置の表面は、次いで、これらを酸素／ふっ素プラズマ
内へ置くことによって工程２６に示されるようにアクチ
ベートされる。この工程に対する典型的な条件は；電力
−１００Ｗ；圧力−２６７Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）；流量
（ＮＦ3 −２ＳＣＣＭ、Ｏ2 −１８０ＳＣＣＭ、Ｈｅ−
５０ＳＣＣＭ）；温度−室温；時間−２０ｓ。アクチベ
ーションは高エネルギー表面を提供し、この高エネルギ
ー表面によって原料物質分子を密接に詰め合わせた配向
単分子層に形成する。
【００１３】工程２８によって要求される装置の加熱
は、多くの方法で実行することができる。好適な方法
は、これらのチップをパッシベートされるその面が充分
に露出されるように置き、かつパッシベートする物質と
して使用される少量の原料物質と一緒にカバー付きガラ
スコンテナ内に置くことである。この場合、粉末ペルフ
ルオロデカン酸（以下、ペルフルオロデカン酸をＰＦＤ
Ａと称する）を、パッシベートする物質をとしてこのコ
ンテナ内に置く。このカバー付きコンテナを、次いで、
真空オーブン内に置く。ＰＦＤＡが溶融し始めるに従
い、これが蒸気を発生し、この蒸気がこれらのチップの
露出されたかつアクチベートされた表面に蒸着する。
は、多くの方法で実行することができる。好適な方法
は、これらのチップをパッシベートされるその面が充分
に露出されるように置き、かつパッシベートする物質と
して使用される少量の原料物質と一緒にカバー付きガラ
スコンテナ内に置くことである。この場合、粉末ペルフ
ルオロデカン酸（以下、ペルフルオロデカン酸をＰＦＤ
Ａと称する）を、パッシベートする物質をとしてこのコ
ンテナ内に置く。このカバー付きコンテナを、次いで、
真空オーブン内に置く。ＰＦＤＡが溶融し始めるに従
い、これが蒸気を発生し、この蒸気がこれらのチップの
露出されたかつアクチベートされた表面に蒸着する。
【００１４】工程３０に示されるように、この蒸着が終
わると、このコンテナのカバーが除去され、このオーブ
ンが真空排気され、かつ連続的にポンプされていかなる
過剰原料物質も除去する。これによって、残っているＰ
ＦＤＡはこれらのチップ上に蒸着したものだけであるこ
とを保証する。
わると、このコンテナのカバーが除去され、このオーブ
ンが真空排気され、かつ連続的にポンプされていかなる
過剰原料物質も除去する。これによって、残っているＰ
ＦＤＡはこれらのチップ上に蒸着したものだけであるこ
とを保証する。
【００１５】図３ａは、ＰＦＤＡの分子の分子構造を示
す。ＣＯＯＨ基３４は極性末端であって、この末端はパ
ッシベートされる表面に接触するように配向される。図
３ｂは、パッシベーション後のこの基板に対するこの分
子の関係を示す。極性末端３４は、この表面と結合を作
り、このＰＦＤＡ分子をこれに従い配向させる。図３ｃ
は、ビーム３６およびランディング電極３８をこれらそ
れぞれのパッシベーション物質単分子層と共に示す。こ
れらの単分子層は、２つの部品間におけるファンデルワ
ールス力の発生を、その表面エネルギーを下げることに
よって、防止することを助援する。
す。ＣＯＯＨ基３４は極性末端であって、この末端はパ
ッシベートされる表面に接触するように配向される。図
３ｂは、パッシベーション後のこの基板に対するこの分
子の関係を示す。極性末端３４は、この表面と結合を作
り、このＰＦＤＡ分子をこれに従い配向させる。図３ｃ
は、ビーム３６およびランディング電極３８をこれらそ
れぞれのパッシベーション物質単分子層と共に示す。こ
れらの単分子層は、２つの部品間におけるファンデルワ
ールス力の発生を、その表面エネルギーを下げることに
よって、防止することを助援する。
【００１６】図４は、蒸着を達成することのできる多く
の方法の１つを示す。オーブン４０は、８０℃に余熱さ
れる。原料物質４４、この場合ＰＦＤＡ、は ガラスコ
ンテナ４８内にチップ４６と共に置かれる。これらは、
このオーブン内に置かれ、このオーブンが弁５０によっ
て真空排気され、かつ弁４２を通して乾燥Ｎ2 によって
裏込めされる。このＰＦＤＡがその溶融温度に達する
と、このＰＦＤＡが蒸気を発生し、これがこれらのチッ
プの表面に蒸着される。このコンテナのカバーは約５ｍ
ｉｎの蒸着後に除去され、このオーブンが真空排気さ
れ、かつ連続的にポンプされて過剰ＰＦＤＡを除去す
る。
の方法の１つを示す。オーブン４０は、８０℃に余熱さ
れる。原料物質４４、この場合ＰＦＤＡ、は ガラスコ
ンテナ４８内にチップ４６と共に置かれる。これらは、
このオーブン内に置かれ、このオーブンが弁５０によっ
て真空排気され、かつ弁４２を通して乾燥Ｎ2 によって
裏込めされる。このＰＦＤＡがその溶融温度に達する
と、このＰＦＤＡが蒸気を発生し、これがこれらのチッ
プの表面に蒸着される。このコンテナのカバーは約５ｍ
ｉｎの蒸着後に除去され、このオーブンが真空排気さ
れ、かつ連続的にポンプされて過剰ＰＦＤＡを除去す
る。
【００１７】図５は、蒸着プロセスに対する代替構成を
示す。２つのオーブンが使用され、これらは弁を含む導
管によって接続される。オーブン５２は原料物質５４を
含み、オーブン５６はチップ５８を含む。弁６８は開か
れ、両室は真空排気される。この弁は、次いで、閉じら
れる。これらのオーブンは、弁６０ａおよび６０ｂを通
してＮ2 で裏込めされる。この原料物質が蒸発し始める
と、弁６８が開かれ、この蒸気を導管７０、弁６８、お
よび導管７２を通して、第２オーブンに導入する。時間
が切れると、弁６８は閉じられ、第２オーブンが真空排
気され、弁６２を通してポンプされる。第２オーブン内
に残って入るＰＦＤＡは、単分子層として蒸着されたも
のだけである。
示す。２つのオーブンが使用され、これらは弁を含む導
管によって接続される。オーブン５２は原料物質５４を
含み、オーブン５６はチップ５８を含む。弁６８は開か
れ、両室は真空排気される。この弁は、次いで、閉じら
れる。これらのオーブンは、弁６０ａおよび６０ｂを通
してＮ2 で裏込めされる。この原料物質が蒸発し始める
と、弁６８が開かれ、この蒸気を導管７０、弁６８、お
よび導管７２を通して、第２オーブンに導入する。時間
が切れると、弁６８は閉じられ、第２オーブンが真空排
気され、弁６２を通してポンプされる。第２オーブン内
に残って入るＰＦＤＡは、単分子層として蒸着されたも
のだけである。
【００１８】この結果の単分子層の特質は、多くの有利
な効果を生じ、これらのうちの３つは、低表面エネルギ
ー、低摩擦係数、および高摩耗抵抗である。これらの効
果は、この層の３つの特性から結果する。第１に、その
−ＣＦ3 末端基がその吸収された単分子層の最外層を形
成し、このような単分子層で処理された表面の低ファン
デルワールス力、または低表面エネルギーおよび低摩擦
係数に寄与するのは、この基である。第２に、これらの
分子の極性末端は、このチップすなわち基板上へ強く吸
着される。第３に、分子鎖は密接に詰め合わされかつ互
いに平行に配向されるので、この基板表面に平行な方向
にこの薄膜に剛性を与える。長い鎖ほどますます大きい
摩耗抵抗を与えるが、これは、鎖長の臨界値において、
この単分子層が凝縮液から固体への相転移を経るからで
ある。
な効果を生じ、これらのうちの３つは、低表面エネルギ
ー、低摩擦係数、および高摩耗抵抗である。これらの効
果は、この層の３つの特性から結果する。第１に、その
−ＣＦ3 末端基がその吸収された単分子層の最外層を形
成し、このような単分子層で処理された表面の低ファン
デルワールス力、または低表面エネルギーおよび低摩擦
係数に寄与するのは、この基である。第２に、これらの
分子の極性末端は、このチップすなわち基板上へ強く吸
着される。第３に、分子鎖は密接に詰め合わされかつ互
いに平行に配向されるので、この基板表面に平行な方向
にこの薄膜に剛性を与える。長い鎖ほどますます大きい
摩耗抵抗を与えるが、これは、鎖長の臨界値において、
この単分子層が凝縮液から固体への相転移を経るからで
ある。
【００１９】このように、配向単分子層を使用する、パ
ッシベーション技術に対して、適切に、特定の実施例を
述べたが、このような特定実施例の引用が前掲の特許請
求の範囲に記載されている限りを除き本発明の範囲への
限定として解釈してはならない。
ッシベーション技術に対して、適切に、特定の実施例を
述べたが、このような特定実施例の引用が前掲の特許請
求の範囲に記載されている限りを除き本発明の範囲への
限定として解釈してはならない。
【００２０】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。
る。
【００２１】(1) マイクロメカニカル装置上に低表面
エネルギー摩耗抵抗薄膜を生成する方法であって、
（ａ）上記装置をクリーニングする工程と、（ｂ）上記
クリーニングされた装置の表面をアクチベートする工程
と、（ｃ）上記アクチベートされた表面を加熱する工程
と、（ｄ）蒸気を発生するために原料物質を加熱する工
程と、（ｅ）上記表面上にパッシベーション層を蒸着す
るために上記原料物質の蒸気に上記アクチベートされた
表面を露出する工程と、（ｆ）過剰原料物質から上記装
置を分離する工程と、を含む方法。
エネルギー摩耗抵抗薄膜を生成する方法であって、
（ａ）上記装置をクリーニングする工程と、（ｂ）上記
クリーニングされた装置の表面をアクチベートする工程
と、（ｃ）上記アクチベートされた表面を加熱する工程
と、（ｄ）蒸気を発生するために原料物質を加熱する工
程と、（ｅ）上記表面上にパッシベーション層を蒸着す
るために上記原料物質の蒸気に上記アクチベートされた
表面を露出する工程と、（ｆ）過剰原料物質から上記装
置を分離する工程と、を含む方法。
【００２２】(2) 第１項記載の方法において、上記摩
耗抵抗薄膜は原料物質の配向単分子層である方法。
耗抵抗薄膜は原料物質の配向単分子層である方法。
【００２３】(3) 第１項記載の方法において、上記マ
イクロメカニカル装置は変形可能ミラー装置である方
法。
イクロメカニカル装置は変形可能ミラー装置である方
法。
【００２４】(4) 第１項記載の方法において、上記ア
クチベートする工程は上記装置を酸素プラズマ内へ置く
工程を含む方法。
クチベートする工程は上記装置を酸素プラズマ内へ置く
工程を含む方法。
【００２５】(5) 第１項記載の方法において、上記表
面を加熱する工程と、上記原料物質を加熱する工程と、
上記原料物質の蒸気に上記アクチベートされた表面を露
出する工程とは、カバー付きコンテナ内に上記装置と上
記材料源とを置く工程と、次いで、真空オーブン内に上
記カバー付きコンテナを置く工程と、上記真空オーブン
を加熱する工程とを含む方法。
面を加熱する工程と、上記原料物質を加熱する工程と、
上記原料物質の蒸気に上記アクチベートされた表面を露
出する工程とは、カバー付きコンテナ内に上記装置と上
記材料源とを置く工程と、次いで、真空オーブン内に上
記カバー付きコンテナを置く工程と、上記真空オーブン
を加熱する工程とを含む方法。
【００２６】(6) 第１項記載の方法において、上記原
料物質は長鎖脂肪族ハロゲン化極性化合物である方法。
料物質は長鎖脂肪族ハロゲン化極性化合物である方法。
【００２７】(7) 第７項記載の方法において、上記長
鎖脂肪族ハロゲン化極性化合物はペルフルオロデカン酸
（ＰＦＤＡ）である方法。
鎖脂肪族ハロゲン化極性化合物はペルフルオロデカン酸
（ＰＦＤＡ）である方法。
【００２８】(8)（ａ）基板内の少なくとも１つのアド
レス指定電極と、（ｂ）上記基板内で上記アドレス指定
電極の近旁の少なくとも１つのランディング電極と、
（ｃ）上記アドレス指定電極と上記ランディング電極と
を露出する少なくと１つのギャップが支持層内に存在す
るように上記基板内に形成された上記支持層と、（ｄ）
ヒンジが上記ギャップ内をおおって懸垂されるように上
記支持層内に形成された少なくとも１つの上記ヒンジ
と、（ｅ）上記少なくとも１つのヒンジ上に形成された
少なくとも１つの偏向部材であって、上記ギャップをお
おって懸垂されるように配置された上記偏向部材と、
（ｆ）上記アドレス指定電極がアクチベートされかつ上
記偏向部材が上記ヒンジの回りにねじれて上記ランディ
ング電極に接触するとき、上記ランディング電極と上記
偏向部材が一緒にこう着しないように、上記ランディン
グ電極上に形成されたペルフルオロデカン酸（ＰＦＤ
Ａ）の配向単分子層と、を具備する；電子装置。
レス指定電極と、（ｂ）上記基板内で上記アドレス指定
電極の近旁の少なくとも１つのランディング電極と、
（ｃ）上記アドレス指定電極と上記ランディング電極と
を露出する少なくと１つのギャップが支持層内に存在す
るように上記基板内に形成された上記支持層と、（ｄ）
ヒンジが上記ギャップ内をおおって懸垂されるように上
記支持層内に形成された少なくとも１つの上記ヒンジ
と、（ｅ）上記少なくとも１つのヒンジ上に形成された
少なくとも１つの偏向部材であって、上記ギャップをお
おって懸垂されるように配置された上記偏向部材と、
（ｆ）上記アドレス指定電極がアクチベートされかつ上
記偏向部材が上記ヒンジの回りにねじれて上記ランディ
ング電極に接触するとき、上記ランディング電極と上記
偏向部材が一緒にこう着しないように、上記ランディン
グ電極上に形成されたペルフルオロデカン酸（ＰＦＤ
Ａ）の配向単分子層と、を具備する；電子装置。
【００２９】(9) 第８項記載の電子装置において、上
記配向性単分子層は長鎖脂肪族ハロゲン化極性化合物か
ら形成される電子装置。
記配向性単分子層は長鎖脂肪族ハロゲン化極性化合物か
ら形成される電子装置。
【００３０】(10) 第９項記載の電子装置において、上
記長鎖脂肪族ハロゲン化極性化合物はペルフルオロデカ
ン酸（ＰＦＤＡ）である電子装置。
記長鎖脂肪族ハロゲン化極性化合物はペルフルオロデカ
ン酸（ＰＦＤＡ）である電子装置。
【００３１】(11) ２つの部品間のファンデルワールス
力をこれらの表面にパッシベーション単分子層を生成す
ることによって限定することがきる。そのために、変形
可能ミラー装置のようなマイクロメカニカル電子装置
を、例えば、チップ上に準備し２２、パッシベートされ
る表面をブラズマでクリーニング及び／又はアンダカッ
トした２３後、その表面をプラズマでアクチベートし２
６、このチップを原料物資と共にコンテナに収容した集
合をオーブンに入れて加熱し２８、その表面を原料物質
の蒸気に露出させ３０、その表面に上記単分子層を蒸着
し、かつ過剰原料物質を排気する３２。
力をこれらの表面にパッシベーション単分子層を生成す
ることによって限定することがきる。そのために、変形
可能ミラー装置のようなマイクロメカニカル電子装置
を、例えば、チップ上に準備し２２、パッシベートされ
る表面をブラズマでクリーニング及び／又はアンダカッ
トした２３後、その表面をプラズマでアクチベートし２
６、このチップを原料物資と共にコンテナに収容した集
合をオーブンに入れて加熱し２８、その表面を原料物質
の蒸気に露出させ３０、その表面に上記単分子層を蒸着
し、かつ過剰原料物質を排気する３２。
【図１】先行技術のトーションビームＤＭＤの斜視図で
あって、ａは非偏向状態の斜視図、ｂは偏向状態の斜視
図。
あって、ａは非偏向状態の斜視図、ｂは偏向状態の斜視
図。
【図２】本発明の方法の流れ図。
【図３】ＰＦＤＡ分子の説明図あって、ａはＰＦＤＡの
分子構造、ｂは基板上のＰＦＤＡの単分子層の配置図、
ｃはビーム先端上およびパッシベーション後の電極上の
ＰＦＲＡ単分子層の配置図。
分子構造、ｂは基板上のＰＦＤＡの単分子層の配置図、
ｃはビーム先端上およびパッシベーション後の電極上の
ＰＦＲＡ単分子層の配置図。
【図４】本発明の方法によるよる単一室蒸着方式の断面
図。
図。
【図５】本発明の方法によるよる二重室蒸着方式の断面
図。
図。
１０ アドレス指定電極 １２ 偏向部材 １４ ヒンジ １６ 支持層 １８ ランディング電極 ２０ 基板 ３４ ＣＯＯＨ基 ３６ ビーム ３８ ランディング電極 ４０ オーブン ４４ 原料物質 ４６ チップ ４８ コンテナ ５２、５６ オーブン ５４ 原料物質 ５８ チップ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−282817（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−284128（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−35321（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−174112（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−211216（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−230725（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−230726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−62868（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−240949（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−310538（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−83255（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−2117（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 5/08 G02B 7/18 G02B 26/08
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロメカニカル装置上に低表面エネ
ルギー摩耗抵抗薄膜を生成する方法であって、 （ａ）上記装置をクリーニングする工程と、 （ｂ）上記クリーニングされた装置の表面をアクチベー
トする工程と、 （ｃ）上記アクチベートされた表面を加熱する工程と、 （ｄ）蒸気を発生するために原料物質を加熱する工程
と、 （ｅ）上記表面上にパッシベーション層を蒸着するため
に上記原料物質の蒸気に上記アクチベートされた表面を
露出する工程と、 （ｆ）過剰原料物質から上記装置を分離する工程と、 を含む方法。 - 【請求項２】 （ａ）基板内の少なくとも１つのアドレ
ス指定電極と、 （ｂ）上記基板内で上記アドレス指定電極の近旁の少な
くとも１つのランディング電極と、 （ｃ）上記アドレス指定電極と上記ランディング電極と
を露出する少なくと１つのギャップが支持層内に存在す
るように上記基板内に形成された上記支持層と、 （ｄ）ヒンジが上記ギャップ内をおおって懸垂されるよ
うに上記支持層内に形成された少なくとも１つの上記ヒ
ンジと、 （ｅ）上記少なくとも１つのヒンジ上に形成された少な
くとも１つの偏向部材であって、上記ギャップをおおっ
て懸垂されるように配置された上記偏向部材と、 （ｆ）上記アドレス指定電極がアクチベートされかつ上
記偏向部材が上記ヒンジの回りにねじれて上記ランディ
ング電極に接触するとき、上記ランディング電極と上記
偏向部材が一緒にこう着しないように、上記ランディン
グ電極上に形成されたペルフルオロデカン酸（ＰＦＤ
Ａ）の配向単分子層と、 を具備する；電子装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP93103749A EP0615147B1 (en) | 1992-01-16 | 1993-03-09 | Micromechanical deformable mirror device (DMD) |
| JP05425993A JP3320821B2 (ja) | 1992-01-16 | 1993-03-15 | マイクロメカニカル装置の表面処理方法及び得られる装置 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/823,580 US5331454A (en) | 1990-11-13 | 1992-01-16 | Low reset voltage process for DMD |
| EP93103749A EP0615147B1 (en) | 1992-01-16 | 1993-03-09 | Micromechanical deformable mirror device (DMD) |
| JP05425993A JP3320821B2 (ja) | 1992-01-16 | 1993-03-15 | マイクロメカニカル装置の表面処理方法及び得られる装置 |
| US08/128,459 US5411769A (en) | 1990-11-13 | 1993-09-29 | Method of producing micromechanical devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713007A JPH0713007A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3320821B2 true JP3320821B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=27442548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05425993A Expired - Fee Related JP3320821B2 (ja) | 1992-01-16 | 1993-03-15 | マイクロメカニカル装置の表面処理方法及び得られる装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0615147B1 (ja) |
| JP (1) | JP3320821B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH08330266A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体装置等の表面を浄化し、処理する方法 |
| US6190003B1 (en) | 1996-12-20 | 2001-02-20 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic actuator and manufacturing method therefor |
| DE102005010930A1 (de) * | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials |
| WO2010058204A1 (en) | 2008-11-20 | 2010-05-27 | Bae Systems Plc | Deformable mirror suspension |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62572A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-06 | Seizo Miyata | フッ素系有機薄膜の製造法 |
| DE68917561T2 (de) * | 1988-11-23 | 1995-04-13 | Applied Materials Inc | Anlage zum chemischen Bedampfen aus der Gasphase und Bauteil zur Versorgung mit Reaktionsmitteln. |
| JP2538042B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1996-09-25 | 株式会社エステック | 有機金属化合物の気化供給方法とその装置 |
| US5226099A (en) * | 1991-04-26 | 1993-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Digital micromirror shutter device |
| DE4137606C1 (ja) * | 1991-11-15 | 1992-07-30 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De |
-
1993
- 1993-03-09 EP EP93103749A patent/EP0615147B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-15 JP JP05425993A patent/JP3320821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0615147A1 (en) | 1994-09-14 |
| EP0615147B1 (en) | 1998-08-05 |
| JPH0713007A (ja) | 1995-01-17 |
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