JP3320753B2 - Multi-chamber type vacuum processing equipment - Google Patents

Multi-chamber type vacuum processing equipment

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JP3320753B2
JP3320753B2 JP24106691A JP24106691A JP3320753B2 JP 3320753 B2 JP3320753 B2 JP 3320753B2 JP 24106691 A JP24106691 A JP 24106691A JP 24106691 A JP24106691 A JP 24106691A JP 3320753 B2 JP3320753 B2 JP 3320753B2
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vacuum processing
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マルチチャンバ型真空
処理装置に関し、特に複数の熱処理工程を含む複数のプ
ロセスを有する真空処理に適した、装置を簡潔化したマ
ルチチャンバ型真空処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-chamber vacuum processing apparatus, and more particularly to a simplified multi-chamber vacuum processing apparatus suitable for vacuum processing having a plurality of processes including a plurality of heat treatment steps. It is.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のマルチチャンバ型真空処理装置
は、例えば図3の(A),(B)および(C)にそれぞ
れ示すようにセパレーションチャンバを中心にして各チ
ャンバを配置する構成を採用している。即ち、セパレー
ションチャンバSEPを囲み、それぞれゲートバルブG
Vを介して、ロードロックチャンバL/Lと、その他の
複数のプロセスチャンバを配設した構造となっている。
2. Description of the Related Art A conventional multi-chamber type vacuum processing apparatus adopts a structure in which each chamber is arranged around a separation chamber as shown in FIGS. 3A, 3B and 3C, for example. ing. That is, each of the gate valves G surrounds the separation chamber SEP.
A load lock chamber L / L and a plurality of other process chambers are provided via V.

【0003】プロセスチャンバのうち、SP1〜SP7
(代表して単にSPで示す。)はスパッタチャンバ、H
T1,HT2(代表してHTで示す。)は加熱チャンバ
で例えば300℃までウエハを加熱するチャンバ、AL
はアニーリングチャンバで例えば短時間に500℃〜7
00℃までウエハを加熱するチャンバ、CLは冷却チャ
ンバである。中央部に位置するセパレーションチャンバ
SEPのメンテナンスのため、プロセスチャンバ配設可
能箇所の1箇所に空のスペースを設けるか、若しくはそ
の場所のプロセスチャンバを取出し可能に構成すること
がある。(参考文献。特願平2−404777、特公平
3−22057)。
[0003] Among the process chambers, SP1 to SP7
(Represented simply by SP) is a sputtering chamber, H
T1 and HT2 (represented by HT) are heating chambers for heating a wafer to, for example, 300 ° C., AL
Is an annealing chamber, for example, 500 ° C. to 7
A chamber for heating the wafer to 00 ° C., and CL is a cooling chamber. For maintenance of the separation chamber SEP located at the center, an empty space may be provided at one of the places where the process chamber can be disposed, or the process chamber at the place may be taken out. (References: Japanese Patent Application No. 2-404777, Japanese Patent Application No. 3-22057).

【0004】これらの装置は半導体ウエハに次の処理を
施す場合に用いられる。例えば、図3の(C)の場合で
いうと、半導体ウエハをロードロックチャンバL/Lか
ら、セパレーションチャンバSEPを経由してスパッタ
チャンバSP6に移し、ここで所望のスパッタ処理を施
した後、ウエハをセパレーションチャンバSEPを経由
して加熱チャンバHTに移して加熱し、次いでウエハを
セパレーションチャンバSEPを経由してアニーリング
チャンバALに移し、そこで処理した後セパレーション
チャンバSEPを経て次のスパッタチャンバSP7へと
移し、等々、次々と所定の処理を行なった後、最後に冷
却チャンバCLに移し、冷却後ロードロックチャンバL
/Lから処理済みのウェハーを取り出す。
[0004] These devices are used when the following processing is performed on a semiconductor wafer. For example, in the case of FIG. 3 (C), the semiconductor wafer is transferred from the load lock chamber L / L to the sputter chamber SP6 via the separation chamber SEP, where a desired sputter process is performed. Is transferred to the heating chamber HT via the separation chamber SEP and heated, and then the wafer is transferred to the annealing chamber AL via the separation chamber SEP, where it is processed and then transferred to the next sputtering chamber SP7 via the separation chamber SEP. After performing predetermined processes one after another, the process finally moves to the cooling chamber CL, and after the cooling, the load lock chamber L
Remove the processed wafer from / L.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】前述したような従来の
マルチチャンバ型真空処理装置の構成では、処理工程が
多くなるとその分だけプロセスチャンバの数が多くな
る。空のスペースを確保するときは、更にプロセスチャ
ンバの個数が増す。図3にはセパレーションチャンバS
EPが6角形のものを示したが、排気装置や配管など付
属する装置の多さ、複雑さから考えても、セパレーショ
ンチャンバの周囲にチャンバ6個を配置するのが限界で
あり、6以上の数の処理工程に対処できる装置の構成は
未だ開発されていない。
In the structure of the conventional multi-chamber type vacuum processing apparatus as described above, the number of process chambers increases as the number of processing steps increases. When securing an empty space, the number of process chambers further increases. FIG. 3 shows the separation chamber S.
Although the EP has a hexagonal shape, it is limited to arrange six chambers around the separation chamber in view of the number and complexity of ancillary equipment such as an exhaust device and a pipe. An apparatus configuration that can handle several processing steps has not been developed yet.

【0006】この発明の目的は、かかる処理工程数の増
加にも十分対応できる、簡潔なマルチチャンバ型真空処
理装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a simple multi-chamber type vacuum processing apparatus which can sufficiently cope with the increase in the number of processing steps.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明によれば、セパ
レーションチャンバの周囲に複数の真空チャンバを備
え、前記複数の真空チャンバのうち少なくとも1つを、
複数の熱処理ユニットを内蔵する熱処理用プロセスチャ
ンバで構成し、かつ、この熱処理用プロセスチャンバに
は、その複数の熱処理ユニットのうちから一つを選ん
で、セパレーションチャンバとの間で被処理物を授受す
る機構を設けたマルチチャンバ型真空処理装置におい
て、熱処理用チャンバにガスバルブと排気装置と排気バ
ルブとを接続し、複数の熱処理ユニットの各ユニット間
に熱遮断板を設けたものである。
According to the present invention, a plurality of vacuum chambers are provided around a separation chamber, and at least one of the plurality of vacuum chambers is
It consists of a heat treatment process chamber containing a plurality of heat treatment units. In this heat treatment process chamber, one of the heat treatment units is selected, and an object to be processed is exchanged with the separation chamber. In a multi-chamber type vacuum processing apparatus provided with a mechanism for performing a heat treatment, a gas valve, an exhaust device, and an exhaust valve are connected to a heat treatment chamber, and a heat insulation plate is provided between each of a plurality of heat treatment units.

【0008】複数の熱処理ユニットのうちからその一つ
を選ぶ機構は、その熱処理用プロセスチャンバに、ウエ
ハが授受される平面に垂直な方向に動くエレベータ機構
を含んで構成するとき装置を簡単にできる。
The mechanism for selecting one of the plurality of heat treatment units can simplify the apparatus when the heat treatment process chamber includes an elevator mechanism that moves in a direction perpendicular to the plane where the wafer is transferred. .

【作用】上述したこの発明の構成によれば、セパレーシ
ョンチャンバにゲートバルブを介して連絡させた、各熱
処理用プロセスチャンバに、それぞれ目的の異なる熱処
理を実行するためのユニット箱を設け、これらユニット
箱をエレベータ機構によりゲートバルブの位置に移動さ
せ、各ユニット箱をセパレーションチャンバの間におい
て、被処理物のやりとりを行なうことができる。従っ
て、1つの熱処理用プロセスチャンバ内において、所要
の複数の処理を個別に行なうことができるので、セパレ
ーションチャンバに対し多数のプロセスチャンバを設け
て、従来よりも多い処理を実行可能となる。
According to the configuration of the present invention described above, unit boxes for executing different heat treatments are provided in each of the heat treatment process chambers connected to the separation chamber via the gate valve. Can be moved to the position of the gate valve by the elevator mechanism, and each unit box can exchange the object to be processed between the separation chambers. Therefore, since a plurality of required processes can be individually performed in one heat treatment process chamber, a larger number of process chambers can be provided for the separation chamber, so that more processes can be executed than in the conventional case.

【0009】[0009]

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例につ
き説明する。尚、図は、この発明が理解できる程度に、
その構成成分の寸法、形状および配置関係を概略的に示
してあるに過ぎない。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the figures are to the extent that the present invention can be understood.
It merely shows the dimensions, shape and arrangement of the components.

【0010】図1にこの発明の実施例のマルチチャンバ
型真空処理装置の要部の正面断面図を示す。図2はこの
装置の平面図であり、図1はそのB−B断面図に当たっ
ている。以下これらの図を用いて説明を行なう。各図に
おいて前述の図3で説明した構成成分と実質的に同一の
構成成分には同一の符号を付して説明を省略する。
FIG. 1 is a front sectional view of a main part of a multi-chamber type vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the device, and FIG. 1 is a sectional view taken along line BB of FIG. Hereinafter, description will be made with reference to these drawings. In each of the drawings, components that are substantially the same as the components described in FIG. 3 described above are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

【0011】図2において、中央に位置するセパレーシ
ョンチャンバSEPの周囲には、ロードロックチャンバ
L/L、と4個のプロセスチャンバ(PS1,SP1
1,SP12,SP13)が設けられてている。これら
のうち、プロセスチャンバSP11〜SP13は従来備
えられていたスパッタチャンバと同様のスパッタチャン
バであるが、この発明で新しく熱処理用プロセスチャン
バPS1が設けられている。
In FIG. 2, a load lock chamber L / L and four process chambers (PS1, SP1) are provided around a separation chamber SEP located at the center.
1, SP12, SP13). Of these, the process chambers SP11 to SP13 are the same sputter chambers as the conventionally provided sputter chamber, but a heat treatment process chamber PS1 is newly provided in the present invention.

【0012】図1からも理解できるように、熱処理用プ
ロセスチャンバPS1は以下説明するような構成となっ
ている。排気装置20と排気バルブ22でつながってい
る。さらに、このプロセスチャンバPS1は上下駆動機
構10で駆動されるエレベータ12を内蔵している。こ
のエレベータ12に、3個の熱処理ユニット即ち、加熱
ユニットHTU、アニーリングユニットALU、冷却ユ
ニットCLUを取り付けてあり、各ユニットの間には熱
遮断板30を設けてある。
As can be understood from FIG. 1, the process chamber PS1 for heat treatment has the following configuration. The exhaust device 20 and the exhaust valve 22 are connected. Further, the process chamber PS1 incorporates an elevator 12 driven by a vertical drive mechanism 10. The elevator 12 is equipped with three heat treatment units, ie, a heating unit HTU, an annealing unit ALU, and a cooling unit CLU, and a heat insulation plate 30 is provided between the units.

【0013】各熱処理ユニットは、実質的に同形の断熱
性のユニット箱14を複数備えている。さらに、これら
ユニット箱14は、シーズヒータ16(ランプヒータに
よる加熱に置き換えることがある)を具えた加熱ホルダ
ー32、同じくシーズヒータ17(同)を具えたアニー
ルホルダー34、冷却管18を具えた冷却ホルダー36
を個別に搭載させてある。尚、これら各ユニット箱には
このほかに通常、電源、冷却水源、温度制御装置等々を
具えるがこれらは省略した。これら各板上に被処理物の
ウエハ42、44、46がセパレーションチャンバSE
PからゲートバルブGVを経由して送られて載せられ、
加熱、アニール、冷却の処理がなされる。
Each heat treatment unit includes a plurality of heat insulating unit boxes 14 having substantially the same shape. Further, these unit boxes 14 include a heating holder 32 having a sheathed heater 16 (which may be replaced by heating by a lamp heater), an annealing holder 34 also having a sheathed heater 17 (same as above), and a cooling system having a cooling pipe 18. Holder 36
Are mounted individually. In addition, each of these unit boxes usually includes a power source, a cooling water source, a temperature control device, and the like, but these are omitted. The wafers 42, 44, 46 to be processed are placed on these plates in the separation chamber SE.
It is sent from P via the gate valve GV and loaded,
Heating, annealing, and cooling are performed.

【0014】図1は、エレベータ12が上下動(矢印4
1)してアニーリングユニットALUをゲートバルブG
Vの丁度真正面位置に据えて停止し、ゲートバルブGV
を開閉して、セパレーションチャンバSEPからウエハ
44がアニールホルダー34上に送られて来た(矢印4
0)状態を示す。ウエハの搬送機構は省略している。
FIG. 1 shows that the elevator 12 moves up and down (arrow 4).
1) Connect the annealing unit ALU to the gate valve G
V and stop just in front of the gate valve GV
Is opened and closed, and the wafer 44 is sent from the separation chamber SEP onto the annealing holder 34 (arrow 4).
0) Indicates the state. The wafer transfer mechanism is omitted.

【0015】尚、ガスバルブ52、54はプロセスチャ
ンバPS1内にガスの供給が必要となる場合に備えたも
のである。もし供給するガスがユニット毎で異なる場合
は、各ユニットにもゲートバルブを具え、ユニット箱を
を密閉に近いものにしてユニット相互を空間的に隔離す
ることになる。
The gas valves 52 and 54 are provided when a gas needs to be supplied into the process chamber PS1. If the gas to be supplied differs from unit to unit, each unit is also provided with a gate valve to make the unit box close to hermetically sealed to spatially isolate the units.

【0016】[0016]

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、本発
明によれば、1個の熱処理用プロセスチャンバの中に複
数の加熱、アニーリング、冷却処理用ユニットをまとめ
て配置できるため、セパレーションチャンバの周囲に実
質上従来より多くの処理用真空チャンバを設けることが
でき、スペースの利用効率を向上することができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a plurality of heating, annealing, and cooling units can be collectively arranged in one process chamber for heat treatment. A substantially larger number of processing vacuum chambers can be provided around the periphery than before, and the space utilization efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例のマルチチャンバ型真空処理
装置の熱処理用プロセスチャンバ部を中心にした要部正
面断面図である。
FIG. 1 is a front sectional view of a main part of a multi-chamber type vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention, focusing on a heat treatment process chamber.

【図2】実施例の装置の平面図である。図1はそのB−
B断面図に相当する。
FIG. 2 is a plan view of the apparatus of the embodiment. FIG. 1 shows the B-
It corresponds to a B sectional view.

【図3】(A),(B)および(C)は、従来のマルチ
チャンバ型真空処理装置のチャンバ構成例をそれぞれ示
す平面図である。
FIGS. 3 (A), (B) and (C) are plan views each showing an example of a chamber configuration of a conventional multi-chamber type vacuum processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SEP:セパレーションチャンバ L/L:ロー
ドロックチャンバ GV:ゲートバルブ SP,SP1〜SP1
3:スパッタチャンバ HT,HT1,HT2:加熱チャンバ AL:アニー
リングチャンバ CL:冷却チャンバ PS1:熱処
理用プロセスチャンバ HTU:加熱ユニット ALU:アニ
ーリングユニット CLU:冷却ユニット 10:上下駆
動機構 12:エレベータ 14:断熱性
のユニット箱 16:シーズヒータ 17:シーズ
ヒータ 18:冷却管 20:排気装
置 21:排気バルブ 30:熱遮断
板 32:加熱ホルダー 34:アニー
ルホルダー 36:冷却ホルダー 40:搬送機
構を略示する 41:エレベータの上下動を示す 42、44、
46:ウエハ 52、54:ガスバルブ
SEP: Separation chamber L / L: Load lock chamber GV: Gate valve SP, SP1 to SP1
3: Sputter chamber HT, HT1, HT2: Heating chamber AL: Annealing chamber CL: Cooling chamber PS1: Heat treatment process chamber HTU: Heating unit ALU: Annealing unit CLU: Cooling unit 10: Vertical drive mechanism 12: Elevator 14: Heat insulation Unit box 16: Sheath heater 17: Sheath heater 18: Cooling pipe 20: Exhaust device 21: Exhaust valve 30: Heat shut-off plate 32: Heating holder 34: Annealing holder 36: Cooling holder 40: Briefly showing a transport mechanism 41: Showing the vertical movement of the elevator 42, 44,
46: Wafer 52, 54: Gas valve

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 H01L 21/205 H01L 21/324 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 H01L 21/205 H01L 21/324

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 セパレーションチャンバの周囲に複数の
真空チャンバを備え、前記複数の真空チャンバは、熱処
理用プロセスチャンバを含む複数のプロセスチャンバ
と、ロードロックチャンバとからなるマルチチャンバ型
真空処理装置において、前記熱処理用プロセスチャンバ
は、シーズヒータを内蔵した加熱ユニットとアニールユ
ニットと冷却管を内蔵した冷却ユニットとからなる熱処
理ユニットを内蔵し、前記複数の熱処理ユニットのうち
一つを選んで、被処理物を前記セパレーションチャンバ
と前記熱処理用プロセスチャンバ内の間で授受する機構
を備え、該機構は、前記真空チャンバの配置される平面
に垂直な方向に動くエレベータ機構を含み、 前記熱処理用プロセスチャンバにガスバルブと排気装置
と排気バルブとを接続し、 前記複数の熱処理ユニットの各ユニット間に熱遮断板を
設け、 前記熱処理用プロセスチャンバの前記複数の熱処理ユニ
ットには、各ユニット毎に異なるガスが供給され、前記
熱処理用プロセスチャンバの前記複数の熱処理ユニット
には、各ユニット毎にゲートバルブが接続されており、
該各ユニットを構成する各ユニット箱を密閉に近いもの
にして、前記ユニット相互を空間的に隔離したことを特
徴とするマルチチャンバ型真空処理装置。
1. A multi-chamber vacuum processing apparatus comprising: a plurality of vacuum chambers around a separation chamber; wherein the plurality of vacuum chambers include a plurality of process chambers including a heat treatment process chamber and a load lock chamber. The heat treatment process chamber has a built-in heat treatment unit including a heating unit incorporating a sheathed heater, an annealing unit, and a cooling unit incorporating a cooling pipe, and selects one of the plurality of heat treatment units to be processed. Between the separation chamber and the heat treatment process chamber, the mechanism includes an elevator mechanism that moves in a direction perpendicular to a plane in which the vacuum chamber is disposed, and a gas valve is provided to the heat treatment process chamber. And the exhaust device and the exhaust valve are connected, A plurality of heat treatment units, wherein a plurality of heat treatment units are provided with a heat insulation plate, a plurality of heat treatment units of the heat treatment process chamber are supplied with different gases for each unit, and the plurality of heat treatment units of the heat treatment process chambers are provided. Has a gate valve connected to each unit,
A multi-chamber type vacuum processing apparatus characterized in that each unit box constituting each unit is made to be close to closed, and the units are spatially isolated from each other.
【請求項2】 請求項1記載のマルチチャンバ型真空処
理装置において、 前記アニールユニットがシーズヒータを内蔵しているこ
とを特徴とするマルチチャンバ型真空処理装置。
2. The multi-chamber vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein said annealing unit has a built-in sheath heater.
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JPH09321120A (en) * 1996-03-04 1997-12-12 Applied Materials Inc System and method for treating semiconductor works
JP2000031070A (en) * 1998-07-16 2000-01-28 Ulvac Corp AMORPHOUS-Si THIN FILM DEPOSITION DEVICE
JP5021112B2 (en) * 2000-08-11 2012-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 Vacuum processing equipment
JP4540953B2 (en) * 2003-08-28 2010-09-08 キヤノンアネルバ株式会社 Substrate heating apparatus and multi-chamber substrate processing apparatus
KR100654605B1 (en) * 2005-05-24 2006-12-08 태화일렉트론(주) Multi Vacuum chamber System for drying of FPD glass
JP7116558B2 (en) * 2018-03-02 2022-08-10 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing system

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