JP3319968B2 - 多層配線板製造用の樹脂付き金属箔 - Google Patents
多層配線板製造用の樹脂付き金属箔Info
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Description
に用いられる樹脂付き金属箔に関するものである。
造する方法が従来から知られている。すなわち、樹脂付
き金属箔Aは図1(a)に示すように、金属箔1の片面
に絶縁用樹脂2を塗布して設けることによって作製され
るものであり、表面に内層用の配線パターン3を形成し
た内層用基板などの回路基板4の片面あるいは両面に、
この樹脂付き金属箔Aを絶縁用樹脂2の側で重ね、加熱
加圧して積層成形することによって図1(b)のように
絶縁用樹脂2による接着作用で回路基板4の片面あるい
は両面に金属箔1を積層し、そして図1(c)に示すよ
うに、金属箔1をエッチング加工等して外層用の配線パ
ターン5を形成した後に、スルーホールやバイヤホール
などの接続用穴6を接続用樹脂2の層を通して設け、接
続用穴6の内周にめっき7を施すことによって、内外層
の配線パターン3,5をめっき7で導通接続するように
してある。
開平5−206647号公報に示されるように、絶縁用
樹脂2としては一般にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、
フッ素樹脂等が用いられる。そして、未硬化もしくは低
分子量のこれらの樹脂を溶媒に溶解または分散して液状
にするか、あるいは常温で液状の低分子量の樹脂はその
まま用いて、金属箔1の片面に塗布し、高温下で乾燥す
ると共に、場合によっては半硬化状態に硬化度を上昇さ
せることによって、樹脂付き金属箔Aを作製することが
できる。
脂付き金属箔Aを用いて製造される多層配線板におい
て、絶縁用樹脂2と接続用穴6の内周のめっき7の間の
熱膨張係数の違いから、長期間や多数回の使用による熱
履歴によって、図2に示すようにめっき7に亀裂10が
入り、内外層の配線パターン3,5間に断線が発生して
層間の接続信頼性が低下するおそれがあった。特に、接
続用穴6の開口縁でめっき7は肉厚が薄くなるので、こ
の部分に亀裂10が入り易いものであった。またこのよ
うな亀裂10による接続信頼性の低下は、絶縁用樹脂2
の厚みが大きくなる程、顕著になるものであった。
あり、層間の接続信頼性の高い多層配線板を製造するこ
とができる樹脂付き金属箔を提供することを目的とする
ものである。
属箔は、金属箔の表面に半硬化状態の絶縁用樹脂を設け
て形成され、配線パターン形成済の回路基板に絶縁用樹
脂による接着作用で積層成形して多層配線板を製造する
ために用いられる樹脂付き金属箔において、絶縁用樹脂
に熱膨張係数が10ppm/℃以下の中空粒子を配合し
て成ることを特徴とするものである。
空のガラス粒子を用いることを特徴とするものである。
また請求項3の発明は、熱膨張係数が10ppm/℃以
下の粒子として比重が0.8〜2のものを用いることを
特徴とするものである。
ppm/℃以下の粒子として平均粒径が30μm以下の
ものを用いることを特徴とするものである。また請求項
5の発明は、熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子を
絶縁用樹脂に10〜900体積%の割合で配合して成る
ことを特徴とするものである。また請求項6の発明は、
熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子の他に、絶縁用
樹脂に繊維状フィラーを配合して成ることを特徴とする
ものである。
する。樹脂付き金属箔の金属箔としては、銅箔やアルミ
ニウム箔など、多層配線板に用いられる任意の金属箔を
使用することができる。また金属箔に設ける絶縁用樹脂
としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化
性樹脂を用いるのが好ましい。そして絶縁用樹脂をDM
F(ジメチルホルムアミド)、DMAC(ジメチルアセ
トアミド)等のアミン系溶媒や、MC(メチルセロソル
ブ)、PC(プロピルセロソルブ)、MEK(メチルエ
チルケトン)等のケトン系溶媒など、溶媒に溶解して樹
脂ワニスとして用いることができるものである。
係数が10ppm/℃(10-6/℃)以下の粒子を配合
するようにしてある。このような熱膨張係数が10pp
m/℃以下の粒子としては中空の粒子を用いることがで
きる。この中空の粒子としては、例えば、ガラスバルー
ン、シリカバルーン、シラスバルーン、カーボンバルー
ン、アルミナバルーン、ジルコニアバルーンなどを例示
することができる。
下の粒子を配合した樹脂ワニスを金属箔の片面に塗布す
ることによって、熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒
子を含有する絶縁用樹脂を形成することができるもので
あり、この熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子によ
って絶縁用樹脂の熱膨張係数を低下させることができる
ものである。絶縁用樹脂の熱膨張係数を有効に低下させ
るために、粒子の熱膨張係数は10ppm/℃以下であ
ることが必要であり、熱膨張係数が10ppm/℃を超
える粒子を用いても所期の目的は達成できない。粒子の
熱膨張係数は小さい程好ましいが、実用的には0.1p
pm/℃程度が下限である。
子の配合量は、絶縁用樹脂の固形分に対して10〜90
0体積%の範囲になるように設定するのが好ましい。熱
膨張係数が10ppm/℃以下の粒子の配合量が10体
積%未満であると、絶縁用樹脂の熱膨張係数を低下させ
る効果を十分に得ることができず、また900体積%を
超えると、スルーホールやバイヤホールなどの接続用穴
を加工する際の加工性が悪くなるおそれがある。
粒子は比重が0.8〜2の範囲のものを用いるのが好ま
しい(尚、ここで粒子の比重とは、粒子が中空の場合は
その中空部分も含めた体積に基づく見掛け比重を意味す
る)。比重が小さ過ぎたり大き過ぎたりすると、樹脂ワ
ニスに粒子を分散させる際に浮遊したり沈降したりして
粒子を均一に分散させることが困難になり、また樹脂付
き金属箔を積層成形する際にも浮遊したり沈降したりす
るおそれがあり、絶縁用樹脂中に粒子を均一な分布で含
有させるのが困難になる。従って本発明では、熱膨張係
数が10ppm/℃以下の粒子は比重が0.8〜2の範
囲のものを用いるのが好ましいのである。
10ppm/℃以下の粒子の他に、繊維状フィラーを配
合することもできる。繊維状フイラーとしては特に限定
するものではないが、無機繊維として、炭化ケイ素、窒
化ケイ素、酸化チタン、炭素、チタン酸カリウムウイス
カー等のウイスカーなど、有機繊維として、ポリエーテ
ルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリイミド、ポリフェニレンサルフアイド、ポリ
スルフォン、アラミド、ポリエーテルスルフォン、ポリ
アリレート、ポリフェニレンエーテル、ノボロイド、ポ
リブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリプロピレン、ポリエステル、芳香族ポリエステ
ル、ポリアセタール、トリアセテートなどを例示するこ
とができる。このように繊維状フィラーを配合して絶縁
用樹脂に含有させることによって、絶縁用樹脂を繊維状
フィラーで補強することができ、樹脂付き金属箔を切断
する際に絶縁用樹脂から粉落ちが発生することを防ぐこ
とができるものである。この繊維状フィラーの配合量
は、絶縁用樹脂の固形分に対して5〜30体積%の範囲
になるように設定するのが好ましい。
10ppm/℃以下の粒子、さらに必要に応じて繊維状
フィラーを配合した樹脂ワニスを金属箔の片面に塗布
し、そして150〜180℃、5〜10分程度の条件で
加熱乾燥して、半硬化(Bステージ)させることによっ
て、金属箔の表面に熱膨張係数が10ppm/℃以下の
粒子及び必要に応じて繊維状フィラーを含有する絶縁用
樹脂を設けた、図1(a)のような樹脂付き金属箔Aを
作製することができるものである。この樹脂付き金属箔
Aにおいて、金属箔1の表面に設ける絶縁用樹脂2の厚
みは、30〜150μm程度が好ましい。
箔Aを用いて既述のように多層配線板を製造することが
できる。すなわち、片面あるいは両面に内層用の配線パ
ターン3を予め形成した内層用基板などの回路基板4を
用い、まず黒化処理と呼ばれる粗面化処理を配線パター
ン3に施し、次に、回路基板4の片面あるいは両面に、
樹脂付き金属箔Aを絶縁用樹脂2の側で重ねる。このと
き、回路基板4と樹脂付き金属箔Aとの間に1枚若しく
は複数枚のガラスクロス基材樹脂プリプレグを重ねるよ
うにしてもよい。この後、加熱加圧して積層成形するこ
とによって図1(b)のように絶縁用樹脂2による接着
作用で回路基板4の片面あるいは両面に金属箔1を積層
することができる。このように多層化した後、図1
(c)に示すように、金属箔1をエッチング加工等して
外層用の配線パターン5を形成し、さらにドリル加工や
レーザ加工を行なってスルーホールやバイヤホールなど
の接続用穴6を絶縁用樹脂2の層を通して設け、接続用
穴6の内周に無電解銅めっきなどのめっき7を施すこと
によって、内外層の配線パターン3,5をめっき7で導
通接続した多層回路板を得ることができるものである。
には熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子が含有され
ているので、絶縁用樹脂2は熱膨張係数が小さくなって
おり、めっき7の熱膨張係数(銅めっきの場合、16p
pm/℃)に近くなっている。従って、長期間や多数回
の使用による熱履歴が多層回路板に作用しても、接続用
穴6に設けためっき7に発生する応力を軽減することが
でき、図2のような亀裂10がめっき7に入ることを防
いで、内外層の配線パターン3,5間に断線が発生して
層間の接続信頼性が低下することを防止することができ
るものである。
加工するにあたって、熱膨張係数が10ppm/℃以下
の粒子の粒径が大きいと、接続用穴6を加工する際に粒
子が剥落し易くなり、剥落すると接続用穴6の内周に大
きな凹凸が生じて、めっき7による層間接続信頼性が生
じるおそれがある。そこで、熱膨張係数が10ppm/
℃以下の粒子としては、平均粒径が30μm以下の小さ
なものを用いるのが好ましく、接続用穴6を加工する際
に粒子が剥落することを防止することができると共に、
粒子が剥落しても大きな凹凸が生じないようにすること
ができる。熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子の平
均粒径の下限は特に設定されないが、実用的には2μm
程度が下限である。
粒子として、中空粒子を用いる場合、絶縁用樹脂2の部
分に接続用穴6を加工するにあたって、中空粒子はドリ
ル加工やレーザ加工で切削が容易であるため、穴加工が
容易になるものである。しかも中空粒子は内部が空気層
となっているため、この中空粒子を含有する絶縁用樹脂
2の誘電率を低下させることができ、多層配線板の電気
的特性を高めることができるものである。
する。 (実施例1〜10)ビスフェノールA型エポキシ樹脂と
ジシアンジアミドを主成分とするエポキシ樹脂100重
量部を、MEKとDMFの混合溶媒100重量部に混合
溶解してエポキシ樹脂ワニスを調製した。
3に示す粒子(実施例6は粒子と繊維)を、表1〜表3
に示すエポキシ樹脂に対する分散量で添加して分散させ
た。ここで、粒子のみを分散するときは、4枚翼の攪拌
翼を用いて30分間攪拌することによって混合を行な
い、粒子と繊維を分散するときは、千代田技研工業
(株)製「オムニミキサー」を使用して10分間攪拌す
ることによって混合を行なった。
ト社製「GT−18μm」)の片面に、エポキシ樹脂ワ
ニスを乾燥後の厚みが50μmとなるようにコンマコー
ターを用いて塗工し、130℃で20分間乾燥して半硬
化(Bステージ化)させることによって、樹脂付き金属
箔を作製した。 (比較例1)粒子(及び繊維)を分散させないエポキシ
樹脂ワニスを用いるようにした他は、上記の実施例1〜
10と同様にして樹脂付き金属箔を作製した。
「エクスパンセル」(塩化ビニリデン・アクリロニトリ
ルコポリマー)を用いるようにした他は、上記の実施例
1〜10と同様にして樹脂付き金属箔を作製した。(比較例3) 粒子としてシリカ粒子を用いるようにした他は、上記の
実施例1〜10と同様にして樹脂付き金属箔を作製し
た。 上記の実施例1〜10及び比較例1〜3で作製した
樹脂付き金属箔を用い、多層配線板を製造した。
層板(積層板の厚み1.0mm、銅箔の厚み35μm)
の一方の面の銅箔にプリント加工して内層の配線パター
ンを形成すると共に、他方の面は銅箔を全面に亘ってエ
ッチングにより除去し、片面配線パターン済の内層用回
路板を作製した。次に、この内層用回路板の配線パター
ンに黒化処理を施した。
面に、樹脂付き金属箔をその絶縁用樹脂の面で重ね、こ
れをステンレスプレート間に挟み、100℃、5kg/
cm 2 の条件で加熱加圧して樹脂付き金属箔の絶縁用樹
脂を溶融流動させて内層用回路板の配線パターンを埋め
込み成形させた後、170℃、30kg/cm2 の条件
で120分間加熱加圧して積層成形することによって、
表面に銅箔を積層した多層板を作製した。この多層板の
表面の銅箔をプリント加工して外層の配線パターンを形
成した後、絶縁用樹脂の厚み方向の30〜120℃にお
ける熱膨張係数を測定した。結果を表1〜表4の「熱膨
張係数」の項目に示す。
した多層板を用い、炭酸ガスレーザにより内層の配線パ
ターンを露出させるまで絶縁用樹脂に非貫通の接続用穴
をあけ、接続用穴に無電解銅めっき及び電解銅めっきを
施して厚み5μmのめっきを形成し、内層の配線パター
ンと外層の配線パターンをこのめっきで電気的に接続し
た多層配線板を作製した。この多層配線板について、1
60℃〜−60℃の熱サイクル試験を200回繰り返し
た後、内層の配線パターンと外層の配線パターンの間の
導通試験をし、断線不良率を測定した。結果を表1〜表
4の「断線不良率」の項目に示す。
た多層板について、0.5mmφの東芝タンガロイ
(株)製超硬ドリルを用いて、回転速度5万rpm、送
り速度15μm/revの加工条件で500回穴開けを
行ない、穴開けを行なった後のドリル刃先の摩耗状態を
評価した。摩耗状態の評価は、ドリル刃先を拡大鏡にて
観察し、刃面の摩耗による消失面積を初期の刃面面積で
除して、摩耗率として求めて行なった。結果を表1〜表
4の「ドリル摩耗率」の項目に示す。
作製した樹脂付き金属箔を、押し切りで切断したときの
粉落ちを目視により観察した。結果を表1〜表4の「粉
落ち」の項目に示す。さらに、実施例1〜10及び比較
例1〜3で用いた樹脂ワニスを3日間放置し、樹脂ワニ
ス中に分散させた粒子及び繊維の分散状態を目視により
観察した。結果を表1〜表4の「樹脂ワニス中の粒子の
分散性」の項目に示す。
顕微鏡で観察し、絶縁用樹脂の層中の粒子や繊維の分散
状態を目視により評価した。結果を表1〜表4の「絶縁
用樹脂中の粒子の分散性」の項目に示す。
が10ppm/℃以下の粒子を絶縁用樹脂に含有させた
各実施例のものは、熱膨張係数が10ppm/℃以下の
粒子を絶縁用樹脂に含有させていない比較例1や、熱膨
張係数が10ppm/℃を超える粒子を用いた比較例2
よりも、断線不良率が大幅に低減されていることが確認
される。
例3では粒子の沈降が生じ、粒子の比重が小さい実施例
7では粒子の浮遊が生じるものであった。また熱膨張係
数が10ppm/℃以下の粒子の配合量が少ない実施例
9では断線不良率がやや高めであり、配合量が多い実施
例10ではドリル摩耗率が高く穴加工性が低下するもの
であった。
半硬化状態の絶縁用樹脂を設けて形成され、配線パター
ン形成済の回路基板に絶縁用樹脂による接着作用で積層
成形して多層配線板を製造するために用いられる樹脂付
き金属箔において、絶縁用樹脂に熱膨張係数が10pp
m/℃以下の中空粒子を配合するようにしたので、熱膨
張係数が10ppm/℃以下の中空粒子によって絶縁用
樹脂の熱膨張係数を小さくすることができ、絶縁用樹脂
の部分において設けた接続用穴のめっきに発生する応力
を軽減することができるものであり、めっきに亀裂が生
じることを防いで層間の接続信頼性を高めることができ
るものである。また熱膨張係数が10ppm/℃以下の
粒子として中空粒子を用いるようにしたので、絶縁用樹
脂の穴加工が容易になると共に、中空粒子の内部の空気
層によって絶縁用樹脂の誘電率を低下させることができ
るものである。
空のガラス粒子を用いるようにしたので、絶縁用樹脂の
穴加工が容易になると共に、中空粒子の内部が空気層に
よって絶縁用樹脂の誘電率を低下させることができるも
のである。
ppm/℃以下の粒子として比重が0.8〜2のものを
用いるようにしたので、粒子が浮遊したり沈降したりす
ることなく、絶縁用樹脂中に均一に分散させることがで
きるものである。また請求項4の発明は、熱膨張係数が
10ppm/℃以下の粒子として平均粒径が30μm以
下のものを用いるようにしたので、絶縁用樹脂に加工す
る接続用穴の内周面を平滑に形成することができるもの
である。
ppm/℃以下の粒子を絶縁用樹脂に10〜900体積
%の割合で配合するようにしたので、加工性を損なうこ
となくめっきに亀裂が生じることを防いで層間の接続信
頼性を高めることができるものである。また請求項6の
発明は、熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子の他
に、絶縁用樹脂に繊維状フィラーを配合するようにした
ので、絶縁用樹脂を繊維状フィラーで補強して、樹脂付
き金属箔を切断する際に絶縁用樹脂から粉落ちが発生す
ることを防ぐことができるものである。
(c)は多層配線板の製造を示す断面図である。
た断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 金属箔の表面に半硬化状態の絶縁用樹脂
を設けて形成され、配線パターン形成済の回路基板に絶
縁用樹脂による接着作用で積層成形して多層配線板を製
造するために用いられる樹脂付き金属箔において、絶縁
用樹脂に熱膨張係数が10ppm/℃以下の中空粒子を
配合して成ることを特徴とする多層配線板製造用の樹脂
付き金属箔。 - 【請求項2】 中空粒子として中空のガラス粒子を用い
ることを特徴とする請求項1に記載の多層配線板製造用
の樹脂付き金属箔。 - 【請求項3】 熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子
として比重が0.8〜2のものを用いることを特徴とす
る請求項1又は2に記載の多層配線板製造用の樹脂付き
金属箔。 - 【請求項4】 熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子
として平均粒径が30μm以下のものを用いることを特
徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の多層配線板
製造用の樹脂付き金属箔。 - 【請求項5】 熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子
を絶縁用樹脂に10〜900体積%の割合で配合して成
ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の
多層配線板製造用の樹脂付き金属箔。 - 【請求項6】 熱膨張係数が10ppm/℃以下の粒子
の他に、絶縁用樹脂に繊維状フィラーを配合して成るこ
とを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の多層
配線板製造用の樹脂付き金属箔。
Priority Applications (1)
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JP6143397A JP3319968B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 多層配線板製造用の樹脂付き金属箔 |
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JPH10249993A JPH10249993A (ja) | 1998-09-22 |
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