JP3313664B2 - Test method for semiconductor device - Google Patents

Test method for semiconductor device

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JP3313664B2
JP3313664B2 JP13574599A JP13574599A JP3313664B2 JP 3313664 B2 JP3313664 B2 JP 3313664B2 JP 13574599 A JP13574599 A JP 13574599A JP 13574599 A JP13574599 A JP 13574599A JP 3313664 B2 JP3313664 B2 JP 3313664B2
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敏夫 大城戸
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、DAコンバータお
よびADコンバータを備えた半導体装置の試験方法に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for testing a semiconductor device having a DA converter and an AD converter.

【0002】[0002]

【従来の技術】DAコンバータやADコンバータを搭載
した半導体装置ではDAコンバータおよびADコンバー
タの試験を行う場合、DAコンバータが出力するアナロ
グ信号、およびADコンバータに入力するアナログ信号
を調べる必要がある。そのため、半導体装置の試験装置
としてアナログ試験用の高価な半導体装置試験装置を用
いていた。図20は従来の半導体装置の一例を示すブロ
ック図である。この半導体装置940はDAコンバータ
902およびADコンバータ903を備え、DAコンバ
ータ902の出力は端子915に、ADコンバータ90
3の入力は端子916にそれぞれ接続されている。試験
実行時には、テスト制御回路904の制御のもとでセレ
クタ905、906を制御し、端子913から試験用の
デジタル信号をセレクタ905を通じてDAコンバータ
に供給できるようにし、また、ADコンバータ903が
出力するデジタル信号をセレクタ906を通じ端子91
4から取得できるようにする。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device equipped with a DA converter and an AD converter, when testing the DA converter and the AD converter, it is necessary to examine an analog signal output from the DA converter and an analog signal input to the AD converter. Therefore, an expensive semiconductor device test device for analog testing has been used as a semiconductor device test device. FIG. 20 is a block diagram showing an example of a conventional semiconductor device. The semiconductor device 940 includes a DA converter 902 and an AD converter 903. The output of the DA converter 902 is connected to a terminal 915 and the AD converter 90
3 inputs are connected to terminals 916 respectively. When the test is executed, the selectors 905 and 906 are controlled under the control of the test control circuit 904 so that a test digital signal can be supplied to the DA converter from the terminal 913 through the selector 905, and the AD converter 903 outputs the signal. The digital signal is supplied to the terminal 91 through the selector 906.
4 can be obtained.

【0003】そして、端子913より試験用のデジタル
信号を入力したときDAコンバータ902が出力するア
ナログ信号を端子915を通じて取得する。また、端子
916を通じて試験用のアナログ信号を入力したときA
Dコンバータ903が出力するデジタル信号を端子91
4をより取得する。これら試験信号の供給および変換後
の信号の取得は上記アナログ用の試験装置によって行
い、半導体装置に供給した試験信号と、半導体装置が出
力した変換後の信号を試験装置において比較することで
DAコンバータ902、ADコンバータ903の良否が
判定される。
An analog signal output from the DA converter 902 when a test digital signal is input from a terminal 913 is obtained through a terminal 915. When a test analog signal is input through the terminal 916, A
The digital signal output from the D converter 903 is supplied to a terminal 91
Get 4 more. The supply of the test signal and the acquisition of the converted signal are performed by the analog test device, and the test signal supplied to the semiconductor device is compared with the converted signal output by the semiconductor device in the test device to thereby provide a DA converter. 902, pass / fail of the AD converter 903 is determined.

【0004】しかし、アナログ試験用の半導体装置試験
装置はきわめて高価であるため、このような試験装置を
配備することは設備費用の上昇を招き、望ましくない。
そこで、アナログ試験用の試験装置を使用せずにDAコ
ンバータおよびADコンバータを試験する方法として、
図20に示した半導体装置のようにDAコンバータとA
Dコンバータの両方が搭載されている場合には、半導体
装置内でDAコンバータのアナログ出力とADコンバー
タのアナログ入力とを接続することにより、DAコンバ
ータおよびADコンバータの試験を行うことが考えられ
る。
[0004] However, since a semiconductor device test device for analog testing is extremely expensive, the provision of such a test device causes an increase in equipment cost, which is not desirable.
Therefore, as a method of testing a DA converter and an AD converter without using a test device for an analog test,
As in the semiconductor device shown in FIG.
When both the D converters are mounted, it is conceivable to test the DA converter and the AD converter by connecting the analog output of the DA converter and the analog input of the AD converter in the semiconductor device.

【0005】しかし、通常、DAコンバータとADコン
バータとは分解能が同じでも、DAコンバータの出力信
号の変化幅および直流レベルと、ADコンバータの入力
信号の変化幅および直流レベルとは異なっているため、
単に、DAコンバータの出力をADコンバータの入力に
接続しただけでは、すべての信号範囲で完全な試験を行
うことはできない。また、DAコンバータとADコンバ
ータの分解能が異なる場合には、上記信号の変化幅およ
び直流レベルが同じであっても、変化ピッチが異なるた
め、必要な分解能で試験を行うことができない。
[0005] However, since the change width and the DC level of the output signal of the DA converter and the change width and the DC level of the input signal of the AD converter are different even if the resolution of the DA converter and the AD converter are the same,
Simply connecting the output of the D / A converter to the input of the A / D converter does not allow a complete test to be performed in all signal ranges. If the resolution of the DA converter and the resolution of the AD converter are different, the test cannot be performed with the required resolution because the pitch of change is different even if the change width and the DC level of the signal are the same.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題を解決するためになされたもので、その目的は、DA
コンバータの出力信号の変化幅および直流レベルとAD
コンバータの入力信号の変化幅および直流レベルとが異
なっていても、また、DAコンバータとADコンバータ
の分解能が異なっていても、アナログ試験用の試験装置
を用いることなくDAコンバータおよびADコンバータ
の試験を行える半導体装置の試験方法を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem.
Converter output signal change width and DC level and AD
Even if the change width and the DC level of the input signal of the converter are different and the resolution of the DA converter and the AD converter are different, the test of the DA converter and the AD converter can be performed without using the test equipment for the analog test. It is an object of the present invention to provide a test method of a semiconductor device which can be performed.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、半導体装置を構成するDAコンバータおよ
びADコンバータを試験する方法であって、前記DAコ
ンバータに前記半導体装置の外部から信号を入力し、前
記DAコンバータの出力信号を前記半導体装置内で減衰
させるかまたは増幅し、前記DAコンバータの出力信号
の直流レベルを前記半導体装置内で変更し、減衰させる
かまたは増幅し、かつ直流レベルを変更した前記DAコ
ンバータの出力信号を前記ADコンバータに供給し、前
記ADコンバータの出力信号を前記半導体装置の外部に
取り出し、半導体装置の外部において前記DAコンバー
タの前記入力信号と前記ADコンバータの出力信号とを
比較して前記DAコンバータおよび前記ADコンバータ
の試験結果の良否を判定し、前記DAコンバータの分解
能は前記ADコンバータの分解能より低く、Nを自然数
として、前記ADコンバータに供給する信号の変化範囲
の幅が、前記ADコンバータの入力範囲の幅を2のN乗
で割った幅に一致するように、前記DAコンバータの出
力信号を減衰させ、その上で、前記ADコンバータに供
給する信号の変化範囲が、前記ADコンバータの入力範
囲を2のN乗で割って等分割した各範囲に一致するよう
に前記減衰させた前記DAコンバータの出力信号の直流
レベルを順次、変更することを特徴とする。また、本発
明は、半導体装置を構成するDAコンバータおよびAD
コンバータを試験する方法であって、前記DAコンバー
タに前記半導体装置の外部から信号を入力し、前記DA
コンバータの出力信号を前記半導体装置内で減衰させる
かまたは増幅し、前記DAコンバータの出力信号の直流
レベルを前記半導体装置内で変更し、減衰させるかまた
は増幅し、かつ直流レベルを変更した前記DAコンバー
タの出力信号を前記ADコンバータに供給し、前記AD
コンバータの出力信号を前記半導体装置の外部に取り出
し、半導体装置の外部において前記DAコンバータの前
記入力信号と前記ADコンバータの出力信号とを比較し
て前記DAコンバータおよび前記ADコンバータの試験
結果の良否を判定し、前記DAコンバータの分解能は前
記ADコンバータの分解能より高く、Nを自然数とし
て、前記DAコンバータの出力範囲を2のN乗で割って
等分割した各範囲の幅が、前記ADコンバータの入力範
囲の幅に一致するように、前記DAコンバータの出力信
号を増幅し、その上で、前記DAコンバータの出力信号
の変化範囲を2のN乗で割って等分割した各範囲が、前
記ADコンバータの入力範囲に一致するように前記増幅
した前記DAコンバータの出力信号の直流レベルを順
次、変更することを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a method for testing a D / A converter and an A / D converter constituting a semiconductor device, wherein a signal is supplied to the D / A converter from outside the semiconductor device. Input, attenuate or amplify the output signal of the DA converter in the semiconductor device, change the DC level of the output signal of the DA converter in the semiconductor device, attenuate or amplify, and Is supplied to the AD converter, the output signal of the AD converter is taken out of the semiconductor device, and the input signal of the DA converter and the output of the AD converter are output outside the semiconductor device. Whether the test results of the DA converter and the AD converter are good It is determined that the resolution of the DA converter is lower than the resolution of the AD converter, and N is a natural number, and the width of the change range of the signal supplied to the AD converter is the width of the input range of the AD converter as 2 N times. The output signal of the D / A converter is attenuated so as to match the divided width, and then the change range of the signal supplied to the A / D converter is obtained by dividing the input range of the A / D converter by 2N. The attenuated DC level of the output signal of the DA converter is sequentially changed so as to match each of the divided ranges. Further, the present invention provides a DA converter and an AD converter constituting a semiconductor device.
A method for testing a converter, comprising: inputting a signal from outside the semiconductor device to the DA converter;
The output signal of the converter is attenuated or amplified in the semiconductor device, the DC level of the output signal of the DA converter is changed in the semiconductor device, the attenuated or amplified, and the DC level is changed. The output signal of the converter is supplied to the AD converter,
The output signal of the converter is taken out of the semiconductor device, and the input signal of the D / A converter and the output signal of the A / D converter are compared outside the semiconductor device to determine whether the test results of the D / A converter and the A / D converter are good. The resolution of the D / A converter is higher than the resolution of the A / D converter, and the width of each range obtained by dividing the output range of the D / A converter by 2 N and taking N as a natural number is equal to the input of the A / D converter. Each range obtained by amplifying the output signal of the D / A converter so as to match the width of the range and equally dividing the change range of the output signal of the D / A converter by 2 to the Nth power is referred to as the A / D converter. And sequentially changing the DC level of the amplified output signal of the DA converter so as to match the input range. To.

【0008】また、本発明は、半導体装置を構成するD
AコンバータおよびADコンバータを試験する方法であ
って、前記DAコンバータに前記半導体装置の外部から
信号を入力し、前記DAコンバータの出力信号を前記半
導体装置内で減衰させるかまたは増幅し、前記DAコン
バータの出力信号の直流レベルを前記半導体装置内で変
更し、減衰させるかまたは増幅し、かつ直流レベルを変
更した前記DAコンバータの出力信号を前記ADコンバ
ータに供給し、前記ADコンバータの出力信号を前記半
導体装置の外部に取り出し、半導体装置の外部において
前記DAコンバータの前記入力信号と前記ADコンバー
タの出力信号とを比較して前記DAコンバータおよび前
記ADコンバータの試験結果の良否を判定し、前記DA
コンバータの分解能は前記ADコンバータの分解能より
高く、Nを自然数として、前記DAコンバータの出力範
囲を2のN乗で割って等分割した各範囲の信号が特定の
直流レベルとなるように前記DAコンバータの出力信号
の直流レベルを変更し、その上で、前記等分割した各範
囲の信号が、前記ADコンバータの入力範囲に一致して
変化するように前記DAコンバータの出力信号を増幅す
ることを特徴とする。
Further, the present invention provides a semiconductor device comprising a D
A method for testing an A converter and an AD converter, comprising: inputting a signal to the DA converter from outside the semiconductor device; attenuating or amplifying an output signal of the DA converter in the semiconductor device; Changing the DC level of the output signal in the semiconductor device, attenuating or amplifying, and supplying the output signal of the DA converter with the changed DC level to the AD converter, and changing the output signal of the AD converter to Taking out the semiconductor device, and comparing the input signal of the DA converter and the output signal of the AD converter outside the semiconductor device to determine whether the test results of the DA converter and the AD converter are good or not,
The resolution of the converter is higher than the resolution of the AD converter, and N is a natural number, and the DA converter is designed so that the output range of the DA converter is divided by 2 to the Nth power and equally divided so that signals in each range have a specific DC level. Changing the DC level of the output signal, and amplifying the output signal of the DA converter so that the signals in each of the equally divided ranges change in accordance with the input range of the AD converter. And

【0009】また、本発明は、半導体装置を構成するD
AコンバータおよびADコンバータを試験する方法であ
って、前記DAコンバータに前記半導体装置の外部から
信号を入力し、前記DAコンバータの出力信号を前記半
導体装置内で減衰させるかまたは増幅し、前記DAコン
バータの出力信号の直流レベルを前記半導体装置内で変
更し、減衰させるかまたは増幅し、かつ直流レベルを変
更した前記DAコンバータの出力信号を前記ADコンバ
ータに供給し、前記ADコンバータの出力信号を前記半
導体装置の外部に取り出し、半導体装置の外部において
前記DAコンバータの前記入力信号と前記ADコンバー
タの出力信号とを比較して前記DAコンバータおよび前
記ADコンバータの試験結果の良否を判定し、前記DA
コンバータと前記ADコンバータは同一の分解能を有
し、前記DAコンバータの出力信号の1ピッチの変化量
は、前記ADコンバータの入力信号の1ピッチの変化量
の半分より大きく、Nを2以上の自然数として、前記D
Aコンバータの出力信号が、前記ADコンバータの入力
範囲をN等分した幅内で変化するように前記DAコンバ
ータの出力信号を減衰させ、その上で、減衰させた前記
DAコンバータの出力信号の変化範囲が、前記ADコン
バータの入力範囲をN等分した各範囲に一致するよう
に、前記減衰させた前記DAコンバータの出力信号の直
流レベルを変更することを特徴とする。
Further, the present invention provides a semiconductor device comprising a D
A method for testing an A converter and an AD converter, comprising: inputting a signal to the DA converter from outside the semiconductor device; attenuating or amplifying an output signal of the DA converter in the semiconductor device; Changing the DC level of the output signal in the semiconductor device, attenuating or amplifying, and supplying the output signal of the DA converter with the changed DC level to the AD converter, and changing the output signal of the AD converter to Taking out the semiconductor device, and comparing the input signal of the DA converter and the output signal of the AD converter outside the semiconductor device to determine whether the test results of the DA converter and the AD converter are good or not,
The converter and the A / D converter have the same resolution, and the change amount of one pitch of the output signal of the D / A converter is larger than half of the change amount of one pitch of the input signal of the A / D converter, and N is a natural number of 2 or more. The above D
The output signal of the D / A converter is attenuated so that the output signal of the A converter changes within a width obtained by dividing the input range of the A / D converter into N equal parts, and then the attenuated change of the output signal of the D / A converter is performed. The attenuated DC level of the output signal of the DA converter is changed so that the range matches each of the input range of the AD converter divided into N equal parts.

【0010】本発明の半導体装置の試験方法では、DA
コンバータの出力信号を半導体装置内で減衰させるかま
たは増幅し、かつDAコンバータの出力信号の直流レベ
ルを半導体装置内で変更してADコンバータに供給す
る。したがって、DAコンバータの出力範囲とADコン
バータの入力範囲とが異なっていても、それらを一致さ
せて試験を行うことができ、また、DAコンバータとA
Dコンバータの分解能が異なっていても、Nを自然数と
してDAコンバータの出力信号を2のN乗倍に増幅した
り、あるいは2のN乗分の1に減衰させて必要な分解能
で試験を行うことができる。その結果、本発明の半導体
装置の試験方法では、アナログ試験用の高価な試験装置
はいっさい不要となる。
In the semiconductor device testing method of the present invention, the DA
The output signal of the converter is attenuated or amplified in the semiconductor device, and the DC level of the output signal of the DA converter is changed in the semiconductor device and supplied to the AD converter. Therefore, even if the output range of the D / A converter is different from the input range of the A / D converter, the test can be performed by matching the output range and the A / D converter.
Even if the resolution of the D converter is different, amplify the output signal of the D / A converter to 2N times as a natural number or attenuate it to 1 / Nth power and perform the test at the required resolution. Can be. As a result, in the method of testing a semiconductor device according to the present invention, no expensive test device for analog testing is required.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態例につい
て図面を参照して説明する。 (第1の実施の形態例) 図1は本発明方法における半導体装置の一例を示すブロ
ック図、図2の(A)ないし(D)は図1の半導体装置
の動作を説明するためのグラフである。以下では、これ
らの図面を参照して本発明の半導体装置の試験方法の第
1の実施の形態例について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First Embodiment FIG. 1 is a block diagram showing an example of a semiconductor device in a method of the present invention, and FIGS. 2A to 2D are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. is there. Hereinafter, a first embodiment of a method for testing a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to these drawings.

【0012】図1に示した半導体装置40は、演算処理
等を行うロジック回路や一時記憶メモリを含むデジタル
信号処理回路1を備え、デジタル信号処理回路1で信号
処理されたデジタル信号をアナログ信号に変換するDA
コンバータ2Aと、デジタル信号処理回路1で信号処理
を行うためにアナログ信号をデジタル信号に変換するA
Dコンバータ3Aとを備えている。
The semiconductor device 40 shown in FIG. 1 includes a digital signal processing circuit 1 including a logic circuit for performing arithmetic processing and the like and a temporary storage memory, and converts a digital signal processed by the digital signal processing circuit 1 into an analog signal. DA to convert
A converter 2A and an A for converting an analog signal into a digital signal for performing signal processing in the digital signal processing circuit 1
And a D converter 3A.

【0013】また、半導体装置40は、複数からなる入
力端子13より入力されるテスト用のデジタル信号とデ
ジタル信号処理回路1から出力されるデジタル信号のい
ずれかを選択してDAコンバータ2Aに供給するセレク
タ5と、ADコンバータ3Aからのデジタル信号をデジ
タル信号処理回路1と、複数からなる出力端子14のい
ずれかに選択して出力するセレクタ6とを備えている。
ここで、入力端子13およびセレクタ5は本発明に係わ
る信号入力手段を構成し、セレクタ6および出力端子1
4は本発明に係わる信号出力手段を構成している。
The semiconductor device 40 selects one of a test digital signal input from a plurality of input terminals 13 and a digital signal output from the digital signal processing circuit 1 and supplies the selected digital signal to the DA converter 2A. The digital signal processing circuit 1 includes a selector 5, a digital signal processing circuit 1, and a selector 6 that selects and outputs a digital signal from one of a plurality of output terminals 14.
Here, the input terminal 13 and the selector 5 constitute signal input means according to the present invention, and the selector 6 and the output terminal 1
Reference numeral 4 denotes signal output means according to the present invention.

【0014】さらに、半導体装置40は、DAコンバー
タ2Aのアナログ出力信号を出力端子15と、アッテネ
ータ9のいずれかに切り替えて出力するアナログスイッ
チ7と、DAコンバータ2Aのアナログ出力信号を減衰
させるアッテネータ9と、アッテネータ9の出力信号の
直流レベルを変化させるレベルシフタ10Aとを備え、
そして、入力端子16から入力されるアナログ信号と、
レベルシフタ10Aの出力信号のいずれかを選択してA
Dコンバータ3Aに供給するアナログスイッチ8(本発
明に係わる信号供給手段)と、テスト制御回路4とを備
えている。このテスト制御回路4は、デジタル信号処理
回路1、セレクタ5、セレクタ6、アナログスイッチ
7、アナログスイッチ8などに制御信号を供給してDA
コンバータおよびADコンバータの試験を行うべく制御
するように構成されている。上記アナログスイッチ7、
8、アッテネータ9、ならびにレベルシフタ10Aはア
ナログテストブロック30を構成している。また、半導
体装置40の上述した各構成要素は単一の半導体基板上
に搭載されている。
Further, the semiconductor device 40 comprises an analog switch 7 for switching the analog output signal of the DA converter 2A to one of the output terminal 15 and the attenuator 9, and outputting the analog output signal; and an attenuator 9 for attenuating the analog output signal of the DA converter 2A. And a level shifter 10A for changing a DC level of an output signal of the attenuator 9;
And an analog signal input from the input terminal 16;
Select one of the output signals of the level shifter 10A and
It has an analog switch 8 (signal supply means according to the present invention) for supplying to the D converter 3A, and a test control circuit 4. The test control circuit 4 supplies a control signal to the digital signal processing circuit 1, the selector 5, the selector 6, the analog switch 7, the analog switch 8, etc.
It is configured to control to perform a test of the converter and the AD converter. The analog switch 7,
8, the attenuator 9, and the level shifter 10A constitute an analog test block 30. The above-described components of the semiconductor device 40 are mounted on a single semiconductor substrate.

【0015】図16はアッテネータ9の一例を示す回路
図、図18はレベルシフタの一例を示す回路図である。
上記アッテネータ9は図16に示したように、入力端子
50から入力された信号を抵抗52と抵抗53とにより
分圧し、出力端子51に出力する構成となっている。な
お、アッテネータ9としては、このような構成のものを
用いる以外にも、たとえば、後述するレベルシフタ10
Aの回路定数を、入力信号を減衰させるように設定し
て、レベルシフタ10Aにアッテネータとしての機能も
持たせるようにしてもよい。本実施の形態例では、レベ
ルシフタ10Aは、図18に示したように、入力端子5
9から入力される信号に、抵抗63と抵抗64とによっ
て電源電圧62を分圧した電圧を加算することにより、
入力信号の直流レベルを変更する構成となっている。
FIG. 16 is a circuit diagram showing an example of the attenuator 9, and FIG. 18 is a circuit diagram showing an example of the level shifter.
As shown in FIG. 16, the attenuator 9 has a configuration in which a signal input from an input terminal 50 is divided by a resistor 52 and a resistor 53 and output to an output terminal 51. The attenuator 9 is not limited to the one having such a configuration, and may be, for example, a level shifter 10 described later.
The circuit constant of A may be set so as to attenuate the input signal so that the level shifter 10A also has a function as an attenuator. In the present embodiment, the level shifter 10A is connected to the input terminal 5 as shown in FIG.
By adding a voltage obtained by dividing the power supply voltage 62 by the resistors 63 and 64 to the signal input from
The DC level of the input signal is changed.

【0016】次に、このように構成された半導体装置4
0においてDAコンバータ2AおよびADコンバータ3
Aをいかに試験するかについて詳しく説明する。ここで
はDAコンバータ2AとADコンバータ3Aは同じ分解
能を有し、DAコンバータ2AがADコンバータ3Aの
入力範囲よりも広い出力範囲を持っているものとする。
なお、ADコンバータの入力範囲とは、ADコンバータ
の入力信号の最小値から最大値までの範囲を言い、最小
値の入力信号が供給されたときADコンバータが出力す
るデジタル信号が表す値、すなわち出力コードは最小値
となり、最大値の入力信号が供給されたときADコンバ
ータの出力コードは最大値となる。また、DAコンバー
タの出力範囲とは、DAコンバータの出力信号の最小値
から最大値までの範囲を言い、最小値の入力コード(入
力デジタル信号が表すコード)が供給されたときDAコ
ンバータは最小値の出力信号を出力し、最大値の入力コ
ードが供給されたときDAコンバータは最大値の出力信
号を出力する。
Next, the semiconductor device 4 configured as described above
0, the DA converter 2A and the AD converter 3
How to test A will be described in detail. Here, the DA converter 2A and the AD converter 3A have the same resolution, and the DA converter 2A has an output range wider than the input range of the AD converter 3A.
Note that the input range of the AD converter refers to a range from the minimum value to the maximum value of the input signal of the AD converter, and a value represented by a digital signal output from the AD converter when the input signal of the minimum value is supplied, that is, the output The code has the minimum value, and the output code of the AD converter has the maximum value when the input signal having the maximum value is supplied. The output range of the DA converter refers to a range from the minimum value to the maximum value of the output signal of the DA converter. When the input code of the minimum value (the code represented by the input digital signal) is supplied, the DA converter outputs the minimum value. And the DA converter outputs the maximum value output signal when the maximum value input code is supplied.

【0017】まず、テストモードを設定するため、外部
端子12に所定の信号を入力する。これによりテスト制
御回路4は、セレクタ5およびセレクタ6を制御して、
外部端子13からのデジタル信号がDAコンバータ2A
に入力され、ADコンバータ3Aの出力信号が外部端子
14に出力されるようにする。テスト制御回路4はま
た、アナログスイッチ7およびアナログスイッチ8を制
御して、DAコンバータ2Aの出力信号がアッテネータ
9へ、一方、レベルシフタ10Aの出力信号がADコン
バータ3Aに入力されるようにする。
First, a predetermined signal is input to the external terminal 12 to set a test mode. Thereby, the test control circuit 4 controls the selector 5 and the selector 6, and
The digital signal from the external terminal 13 is a DA converter 2A
And the output signal of the AD converter 3A is output to the external terminal 14. The test control circuit 4 also controls the analog switch 7 and the analog switch 8 so that the output signal of the DA converter 2A is input to the attenuator 9 and the output signal of the level shifter 10A is input to the AD converter 3A.

【0018】この状態で、外部端子13より、試験用の
デジタル信号を入力し、そのコード値を一定の速度で、
2進数の1ずつ大きくする。本実施の形態例では、アッ
テネータ9の減衰量は次のように設定されている。すな
わち、ADコンバータ3Aに供給される信号の変化範囲
の幅が、ADコンバータ3Aの入力範囲の幅に一致する
ように、アッテネータ9によりDAコンバータ2Aの出
力信号は減衰する。また、レベルシフタ10Aのシフト
量は次のように設定されている。すなわち、ADコンバ
ータ3Aに供給される信号が、ADコンバータ3Aの入
力範囲に一致して変化するようにDAコンバータ2Aの
出力信号、つまりアッテネータ9の出力信号の直流レベ
ルが、レベルシフタ10Aにより変更される。
In this state, a test digital signal is input from the external terminal 13 and the code value is changed at a constant speed.
Increase the binary number by one. In the present embodiment, the attenuation of the attenuator 9 is set as follows. That is, the output signal of the DA converter 2A is attenuated by the attenuator 9 such that the width of the change range of the signal supplied to the AD converter 3A matches the width of the input range of the AD converter 3A. The shift amount of the level shifter 10A is set as follows. That is, the output signal of the DA converter 2A, that is, the DC level of the output signal of the attenuator 9 is changed by the level shifter 10A so that the signal supplied to the AD converter 3A changes in accordance with the input range of the AD converter 3A. .

【0019】図2の(A)は、半導体装置40における
DAコンバータ2Aの入力コードとDAコンバータ2A
の出力電圧との関係を示し、(B)はアッテネータ9の
出力電圧の時間変化を示している。また、図2の(C)
はレベルシフタ10Aの出力電圧の時間変化を示し、
(D)はADコンバータ3Aの入力電圧と出力コードと
の関係を示している。
FIG. 2A shows the input code of the DA converter 2A and the DA converter 2A in the semiconductor device 40.
(B) shows the change over time of the output voltage of the attenuator 9. In addition, FIG.
Indicates a time change of the output voltage of the level shifter 10A,
(D) shows the relationship between the input voltage and the output code of the AD converter 3A.

【0020】図2の(A)に示したように、DAコンバ
ータ2Aの入力コードが一定速度で大きくなると、DA
コンバータ2Aの出力電圧(出力信号)も一定速度で、
入力コードに比例して大きくなり、この電圧がアッテネ
ータ9に供給される。アッテネータ9は減衰量が上述の
ように設定されているため、アッテネータ9の出力電圧
(出力信号)の変化範囲の幅は、図2の(B)に示した
ように、ADコンバータ3Aの入力範囲の幅に一致す
る。また、アッテネータ9の出力電圧は、レベルシフタ
10Aにより直流レベルが変更され、レベルシフタ10
Aは上述のように設定されているため、レベルシフタ1
0Aの出力電圧は、ADコンバータ3Aの入力範囲に一
致して変化する。
As shown in FIG. 2A, when the input code of the DA converter 2A increases at a constant speed, the DA
The output voltage (output signal) of the converter 2A is also constant,
The voltage increases in proportion to the input code, and this voltage is supplied to the attenuator 9. Since the attenuation of the attenuator 9 is set as described above, the width of the change range of the output voltage (output signal) of the attenuator 9 is, as shown in FIG. 2B, the input range of the AD converter 3A. Match the width of The DC voltage of the output voltage of the attenuator 9 is changed by the level shifter 10A.
Since A is set as described above, the level shifter 1
The output voltage of 0A changes in accordance with the input range of the AD converter 3A.

【0021】そして、ADコンバータ3Aの出力信号は
セレクタ6を通じて外部端子14から出力されるので、
このデジタル信号の値を期待値と比較することにより、
DAコンバータ2AおよびADコンバータ3Aが正しく
動作しているか否かを判定することができる。このよう
に本実施の形態例では、DAコンバータ2AがADコン
バータ3Aの入力範囲よりも広い出力範囲を持っている
にもかかわらず、DAコンバータ2Aの全出力範囲、お
よびADコンバータ3Aの全入力範囲で試験を行うこと
ができる。したがって、アナログ試験用の高価な試験装
置はいっさい不要である。
Since the output signal of the AD converter 3A is output from the external terminal 14 through the selector 6,
By comparing the value of this digital signal with the expected value,
It is possible to determine whether the DA converter 2A and the AD converter 3A are operating correctly. As described above, in the present embodiment, although the DA converter 2A has an output range wider than the input range of the AD converter 3A, the entire output range of the DA converter 2A and the entire input range of the AD converter 3A. The test can be performed at Therefore, no expensive test equipment for analog testing is required.

【0022】(第2の実施の形態例) 次に本発明の第2の実施の形態例の半導体装置の試験方
法について説明する。図3は第2の実施の形態例におけ
る半導体装置を示すブロック図、図4の(A)ないし
(D)は図3の半導体装置の動作を説明するためのグラ
フである。なお、図3において図1と同一の要素には同
一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明は
ここでは省略する。
Second Embodiment Next, a test method for a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a block diagram showing a semiconductor device according to the second embodiment, and FIGS. 4A to 4D are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. In FIG. 3, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

【0023】図4に示した半導体装置140が上記半導
体装置40と異なるのは、アッテネータ9に代えてアン
プ117を用いたアナログテストブロック130を備え
ている点である。図17はアンプ117を詳しく示す回
路図である。図17に示したように、アンプ117は、
OPアンプを用いた非反転増幅器であり入力端子54か
ら入力された信号を、抵抗57と抵抗58との比によっ
て決まる増幅率で増幅し出力端子55に出力する構成と
なっている。なお、レベルシフタ10Aの回路定数を、
入力信号を増幅するように設定しレベルシフタ10Aが
アンプとレベルシフタの両方の機能を合わせ持つような
回路として、アンプ117を個別には設けない構成にす
ることも可能である。
The semiconductor device 140 shown in FIG. 4 differs from the semiconductor device 40 in that an analog test block 130 using an amplifier 117 instead of the attenuator 9 is provided. FIG. 17 is a circuit diagram showing the amplifier 117 in detail. As shown in FIG. 17, the amplifier 117 includes:
It is a non-inverting amplifier using an OP amplifier, and is configured to amplify a signal input from an input terminal 54 at an amplification factor determined by a ratio of a resistor 57 to a resistor 58 and output the amplified signal to an output terminal 55. Note that the circuit constant of the level shifter 10A is
It is also possible to adopt a configuration in which the amplifier 117 is not separately provided as a circuit in which the input signal is set to be amplified and the level shifter 10A has both functions of the amplifier and the level shifter.

【0024】次に、半導体装置140の動作について説
明する。ここでは、DAコンバータ102BとADコン
バータ103Bは同じ分解能で、DAコンバータ102
BがADコンバータ103Bの入力範囲より狭い出力範
囲を持っているものとする。まず、上述の場合と同様、
テストモードを設定するために外部端子12に所定の信
号を入力する。これによりセレクタ5、6およびアナロ
グスイッチ7、8はテスト制御回路4によって半導体装
置40の場合と同様に設定される。DAコンバータ10
2Bの出力信号はアンプ117によって、その変化範囲
の幅が、ADコンバータ3Aの入力範囲の幅に一致する
ように増幅される(図4(A)、図4(B))。そし
て、アンプ117により増幅されたDAコンバータ10
2Bの出力信号は、レベルシフタ10Aにより直流レベ
ルがシフトされ、レベルシフタ10Aの出力信号の変化
範囲は、ADコンバータ103Bの入力範囲に一致する
(図4(B)、図4(C)、図4(D))。したがっ
て、第2の実施の形態例においても、外部端子13から
試験用のデジタル信号を入力し、そのとき外部端子14
から出力されるデジタル信号の値を期待値と比較するこ
とにより、DAコンバータ102Bの全出力範囲、およ
びADコンバータ103Bの全入力範囲において試験を
行うことができ、アナログ試験用の高価な試験装置はい
っさい不要である。
Next, the operation of the semiconductor device 140 will be described. Here, the DA converter 102B and the AD converter 103B have the same resolution,
B has an output range narrower than the input range of the AD converter 103B. First, as in the above case,
A predetermined signal is input to the external terminal 12 to set a test mode. Thus, the selectors 5 and 6 and the analog switches 7 and 8 are set by the test control circuit 4 in the same manner as in the case of the semiconductor device 40. DA converter 10
The output signal of 2B is amplified by the amplifier 117 so that the width of the change range matches the width of the input range of the AD converter 3A (FIGS. 4A and 4B). Then, the DA converter 10 amplified by the amplifier 117
The DC level of the output signal of 2B is shifted by the level shifter 10A, and the change range of the output signal of the level shifter 10A matches the input range of the AD converter 103B (FIGS. 4B, 4C, 4C). D)). Therefore, also in the second embodiment, a test digital signal is input from the external terminal 13 and the external terminal 14
By comparing the value of the digital signal output from the A / D converter with the expected value, a test can be performed in the entire output range of the DA converter 102B and the entire input range of the AD converter 103B. Not necessary at all.

【0025】次に、本発明の第3の実施の形態例の半導
体装置の試験方法について説明する。図5は第3の実施
の形態例における半導体装置を示すブロック図、図6の
(A)および(B)は図5の半導体装置を構成するアッ
テネータの動作を示すグラフ、図7の(A)ないし
(F)は図5の半導体装置の動作を説明するためのグラ
フである。なお、図5において図1と同一の要素には同
一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明は
ここでは省略する。
Next, a method of testing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a block diagram showing a semiconductor device according to the third embodiment, FIGS. 6A and 6B are graphs showing the operation of an attenuator included in the semiconductor device of FIG. 5, and FIG. 6F are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. In FIG. 5, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted here.

【0026】図5に示した半導体装置240が上記半導
体装置40と異なるのは、レベルシフタ10Aに代えて
レベルシフタ210Bを用いたアナログテストブロック
230を備えている点である。図19はレベルシフタ2
10Bを詳しく示す回路図である。図19に示したよう
に、レベルシフタ210Bは入力端子74から入力され
るアナログの入力信号に対して、抵抗78、抵抗79、
ならびに抵抗80によって電源電圧62を分圧した電圧
のうち、アナログスイッチ88により選択された電圧を
加算することにより、入力信号の直流レベルを変更し、
出力端子75に出力する。アナログスイッチ83は、入
力端子73を通じてテスト制御回路4より入力される制
御信号により制御されて、入力信号に加算する電圧を切
り替え、その結果、入力信号の直流レベルのシフト量が
変化する。
The semiconductor device 240 shown in FIG. 5 differs from the semiconductor device 40 in that an analog test block 230 using a level shifter 210B instead of the level shifter 10A is provided. FIG. 19 shows the level shifter 2
It is a circuit diagram which shows 10B in detail. As shown in FIG. 19, the level shifter 210B responds to an analog input signal input from the input terminal 74 with a resistor 78, a resistor 79,
And adding the voltage selected by the analog switch 88 among the voltages obtained by dividing the power supply voltage 62 by the resistor 80, thereby changing the DC level of the input signal,
Output to the output terminal 75. The analog switch 83 is controlled by a control signal input from the test control circuit 4 through the input terminal 73 to switch the voltage to be added to the input signal, and as a result, the shift amount of the DC level of the input signal changes.

【0027】次に、半導体装置240の動作について説
明する。ここでは、DAコンバータ202CがADコン
バータ203Cよりも1ビット分だけ分解能が低いもの
とする。まず、上述の場合と同様、テストモードを設定
するために外部端子12に所定の信号を入力する。これ
によりセレクタ5、6およびアナログスイッチ7、8は
テスト制御回路4によって半導体装置40の場合と同様
に設定される。本実施の形態例では、アッテネータ9が
DAコンバータ202Cの出力信号を減衰させるが、そ
の際、図6の(A)、(B)に示したように、DAコン
バータ202Cの出力信号における1ピッチの変化量
が、ADコンバータ203Cの入力信号の1ピッチの変
化量に一致するようにDAコンバータ202Cの出力信
号を減衰させる。なお、図6の(A)のグラフにおいて
横軸はDAコンバータ202Cの入力コードを表し、縦
軸はDAコンバータの出力電圧を表している。また、図
6の(B)のグラフでは、横軸はADコンバータ203
Cの出力コードを表し、縦軸はADコンバータの入力電
圧を表している。
Next, the operation of the semiconductor device 240 will be described. Here, it is assumed that the DA converter 202C has a lower resolution by one bit than the AD converter 203C. First, as in the case described above, a predetermined signal is input to the external terminal 12 to set the test mode. Thus, the selectors 5 and 6 and the analog switches 7 and 8 are set by the test control circuit 4 in the same manner as in the case of the semiconductor device 40. In the present embodiment, the attenuator 9 attenuates the output signal of the DA converter 202C. At this time, as shown in FIGS. 6A and 6B, one pitch of the output signal of the DA converter 202C is used. The output signal of the DA converter 202C is attenuated so that the amount of change matches the amount of change in one pitch of the input signal of the AD converter 203C. In the graph of FIG. 6A, the horizontal axis represents the input code of the DA converter 202C, and the vertical axis represents the output voltage of the DA converter. In the graph of FIG. 6B, the horizontal axis represents the AD converter 203.
C represents an output code, and the vertical axis represents an input voltage of the AD converter.

【0028】そして、DAコンバータの出力信号(出力
電圧)における1ピッチの変化量とは、入力コードが2
進数の1だけ変化した場合のDAコンバータの出力信号
の変化量のことである。一方、ADコンバータの入力信
号(入力電圧)の1ピッチの変化量とは、出力コードが
2進数の1だけ変化するようなADコンバータの入力信
号の変化量のことである。
The change amount of one pitch in the output signal (output voltage) of the DA converter means that the input code is 2
This is the amount of change in the output signal of the D / A converter when the value changes by 1 in radix. On the other hand, the change amount of one pitch of the input signal (input voltage) of the AD converter is a change amount of the input signal of the AD converter such that the output code changes by one binary number.

【0029】このとき、図7の(A)および(B)に示
したように、アッテネータ9は、ADコンバータ203
Cに供給される信号の変化幅が、ADコンバータの入力
範囲の幅を2で割った幅に一致するように、DAコンバ
ータの出力信号を減衰させることになる。その後、レベ
ルシフタ210Bはまず、図7の(B)、(C)、
(D)に示したように、ADコンバータに供給される信
号が、ADコンバータの入力範囲を2で割って等分割し
た各範囲のうちの下側の範囲で変化するようにDAコン
バータの出力信号の直流レベルを変更する。
At this time, as shown in FIGS. 7A and 7B, the attenuator 9
The output signal of the DA converter is attenuated so that the change width of the signal supplied to C is equal to the width of the input range of the AD converter divided by 2. Thereafter, the level shifter 210B first operates as shown in FIGS.
As shown in (D), the output signal of the D / A converter is changed so that the signal supplied to the A / D converter changes in the lower range among the equally divided ranges obtained by dividing the input range of the A / D converter by two. Change the DC level of

【0030】したがって、この状態では、外部端子13
から試験用のデジタル信号を入力し、外部端子14から
出力されるデジタル信号の値を期待値と比較することに
より、DAコンバータ202Cの全出力範囲と、ADコ
ンバータ203Cの入力範囲の下半分に対して試験を行
うことができる。
Therefore, in this state, the external terminal 13
By inputting a digital signal for test from the external terminal 14 and comparing the value of the digital signal output from the external terminal 14 with the expected value, the entire output range of the DA converter 202C and the lower half of the input range of the AD converter 203C are obtained. Test can be performed.

【0031】次に、外部端子12より所定の信号を入力
してテスト制御回路4を操作し、レベルシフタ210B
における直流レベルのシフト量を変化させ、図7の
(B)、(E)、(F)に示したように、アッテネータ
B209で減衰されたDAコンバータ202Cの出力信
号が、ADコンバータ203Cの入力範囲の上半分の範
囲で変化するようにさせる。そして、この状態で、外部
端子13から試験用のデジタル信号を入力し、外部端子
14から出力されるデジタル信号の値を期待値と比較す
ることにより、DAコンバータ202Cの全出力範囲
と、ADコンバータ203Cの入力範囲の上半分に対し
て試験を行うことができる。
Next, a predetermined signal is input from the external terminal 12 to operate the test control circuit 4, and the level shifter 210B
7B, the output signal of the DA converter 202C attenuated by the attenuator B209 is changed to the input range of the AD converter 203C as shown in FIGS. 7B, 7E, and 7F. To change in the upper half range. Then, in this state, a digital signal for testing is input from the external terminal 13 and the value of the digital signal output from the external terminal 14 is compared with an expected value, whereby the entire output range of the DA converter 202C and the AD converter Testing can be performed on the upper half of the 203C input range.

【0032】このように、第3の実施の形態例において
は、ADコンバータ203Cの入力範囲をアッテネータ
9とレベルシフタ210Bにより下半分と上半分に2分
割することで、ADコンバータ203Cよりも1ビット
分だけ分解能が低いDAコンバータ202Cで、ADコ
ンバータ203Cの全ての入力範囲において分解能を落
とすことなく試験を行うことができる。なお、ここで
は、ADコンバータの分解能がDAコンバータの分解能
よりも1ビット大きいとしたが、ADコンバータの分解
能がDAコンバータの分解能よりもNビット大きい場合
には、アッテネータ9とレベルシフタによりADコンバ
ータの入力範囲を2のN乗で割って等分割することによ
って同様に、ADコンバータの全ての入力範囲を分解能
を落とすことなく試験することができる。
As described above, in the third embodiment, the input range of the AD converter 203C is divided into the lower half and the upper half by the attenuator 9 and the level shifter 210B, so that the AD converter 203C is one bit larger than the AD converter 203C. With the DA converter 202C having only a low resolution, a test can be performed without reducing the resolution in the entire input range of the AD converter 203C. Here, it is assumed that the resolution of the AD converter is one bit larger than the resolution of the DA converter. However, if the resolution of the AD converter is N bits larger than the resolution of the DA converter, the input of the AD converter is performed by the attenuator 9 and the level shifter. Similarly, by dividing the range by 2 N and equally dividing, the entire input range of the AD converter can be tested without reducing the resolution.

【0033】次に、本発明の第4の実施の形態例の半導
体装置の試験方法について説明する。図8は第4の実施
の形態例における半導体装置を示すブロック図、図9の
(A)および(B)は図8の半導体装置を構成するアッ
テネータの動作を示すグラフ、図10の(A)ないし
(F)は図8の半導体装置の動作を説明するためのグラ
フである。なお、図8において図3、図5と同一の要素
には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい
説明はここでは省略する。
Next, a method of testing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a block diagram showing a semiconductor device according to the fourth embodiment, FIGS. 9A and 9B are graphs showing the operation of an attenuator included in the semiconductor device of FIG. 8, and FIG. 8 (F) is a graph for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. In FIG. 8, the same elements as those in FIGS. 3 and 5 are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted here.

【0034】図8に示した半導体装置340が上記半導
体装置240と異なるのは、アッテネータ9に代えてア
ンプ117を用いたアナログテストブロック330を備
えている点である。ここでは、DAコンバータ302D
がADコンバータ303Dよりも1ビット分だけ分解能
が高いものとする。まず、上述の場合と同様、テストモ
ードを設定するために外部端子12に所定の信号を入力
する。これによりセレクタ5、6およびアナログスイッ
チ7、8はテスト制御回路4によって半導体装置240
の場合と同様に設定される。本実施の形態例では、アン
プ117がDAコンバータ302Dの出力信号を増幅す
るが、その際、図9の(A)、(B)に示したように、
DAコンバータ302Dの出力信号における1ピッチの
変化量が、ADコンバータ303Dの入力信号の1ピッ
チの変化量に一致するようにDAコンバータ302Dの
出力信号を増幅する。
The semiconductor device 340 shown in FIG. 8 differs from the semiconductor device 240 in that an analog test block 330 using an amplifier 117 instead of the attenuator 9 is provided. Here, the DA converter 302D
Is 1 bit higher in resolution than the AD converter 303D. First, as in the case described above, a predetermined signal is input to the external terminal 12 to set the test mode. Thereby, the selectors 5 and 6 and the analog switches 7 and 8 are controlled by the test control circuit 4 to the semiconductor device 240.
Is set in the same way as In the present embodiment, the amplifier 117 amplifies the output signal of the DA converter 302D. At this time, as shown in FIGS. 9A and 9B,
The output signal of the DA converter 302D is amplified so that the change amount of one pitch in the output signal of the DA converter 302D matches the change amount of one pitch of the input signal of the AD converter 303D.

【0035】このとき、図10の(A)および(B)に
示したように、アンプ117は、DAコンバータ302
Dの出力範囲を2等分した各範囲の幅が、ADコンバー
タ303Dの入力範囲の幅に一致するように、DAコン
バータの出力信号を増幅することになる。
At this time, as shown in FIGS. 10A and 10B, the amplifier 117
The output signal of the DA converter is amplified so that the width of each range obtained by dividing the output range of D into two equals the width of the input range of the AD converter 303D.

【0036】その後、レベルシフタ210Bはまず、図
10の(B)、(C)、(D)に示したように、DAコ
ンバータ302Dの出力範囲における下半分の範囲が、
ADコンバータ303Dの入力信号の最小値から最大値
までの範囲に一致するようにアンプ117の出力信号の
直流レベルを変更する。したがって、この状態で、外部
端子13から試験用のデジタル信号を入力し、外部端子
14から出力されるデジタル信号の値を期待値と比較す
ることにより、DAコンバータ302Dの出力範囲の下
半分と、ADコンバータ303Dの全入力範囲に対して
試験を行うことができる。
After that, as shown in FIGS. 10B, 10C, and 10D, the level shifter 210B first shifts the lower half of the output range of the DA converter 302D.
The DC level of the output signal of the amplifier 117 is changed so as to match the range from the minimum value to the maximum value of the input signal of the AD converter 303D. Therefore, in this state, by inputting a test digital signal from the external terminal 13 and comparing the value of the digital signal output from the external terminal 14 with the expected value, the lower half of the output range of the DA converter 302D is obtained. The test can be performed on the entire input range of the AD converter 303D.

【0037】次に、外部端子12より所定の信号を入力
してテスト制御回路4を操作し、レベルシフタ210B
における直流レベルのシフト量を変化させ、図10の
(B)、(E)、(F)に示したように、アンプ117
で増幅されたDAコンバータ302Dの出力範囲におけ
る上半分が、ADコンバータ303Dの入力範囲に一致
するようにアンプ117の出力信号の直流レベルを変更
する。そして、この状態で、外部端子13から試験用の
デジタル信号を入力し、外部端子14から出力されるデ
ジタル信号の値を期待値と比較することにより、DAコ
ンバータ302Dの出力範囲の上半分と、ADコンバー
タ303Dの全入力範囲に対して試験を行うことができ
る。
Next, a predetermined signal is input from the external terminal 12 to operate the test control circuit 4, and the level shifter 210B
, The shift amount of the DC level is changed, and as shown in FIGS.
The DC level of the output signal of the amplifier 117 is changed so that the upper half of the output range of the DA converter 302D amplified by the above step matches the input range of the AD converter 303D. Then, in this state, a digital signal for testing is input from the external terminal 13 and the value of the digital signal output from the external terminal 14 is compared with an expected value, thereby obtaining the upper half of the output range of the DA converter 302D, The test can be performed on the entire input range of the AD converter 303D.

【0038】このように、第4の実施の形態例において
は、DAコンバータ302Dの出力範囲をアンプ117
とレベルシフタ210Bにより下半分と上半分に2分割
することで、DAコンバータ302Dよりも1ビット分
だけ分解能が低いADコンバータD302で、DAコン
バータ302Dの全ての出力範囲を分解能を落とすこと
なく試験を行うことができる。なお、ここでは、ADコ
ンバータの分解能がDAコンバータの分解能よりも1ビ
ット低いとしたが、ADコンバータの分解能がDAコン
バータの分解能よりもNビット低い場合には、アッテネ
ータ9とレベルシフタによりDAコンバータの出力範囲
を2のN乗で割って等分割することによって同様に、D
Aコンバータの全ての出力範囲を分解能を落とすことな
く試験することができる。
As described above, in the fourth embodiment, the output range of the DA converter 302D is
And the level shifter 210B divides the output range into two in the lower half and the upper half, so that the AD converter D302 having a resolution lower by one bit than the DA converter 302D performs a test without reducing the entire output range of the DA converter 302D. be able to. Here, the resolution of the AD converter is assumed to be one bit lower than the resolution of the DA converter. However, if the resolution of the AD converter is N bits lower than the resolution of the DA converter, the output of the DA converter is determined by the attenuator 9 and the level shifter. Similarly, by dividing the range by 2 N and dividing equally,
The entire output range of the A-converter can be tested without reducing the resolution.

【0039】次に本発明の第5の実施の形態例の半導体
装置の試験方法について説明する。図11は第5の実施
の形態例における半導体装置を示すブロック図、図12
の(A)ないし(G)は図11の半導体装置の動作を説
明するためのグラフである。なお、図11において図8
と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに
関する詳しい説明はここでは省略する。
Next, a method of testing a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention will be described. FIG. 11 is a block diagram showing a semiconductor device according to the fifth embodiment.
(A) to (G) are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. In FIG. 11, FIG.
The same elements as those described above are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted here.

【0040】図11に示した半導体装置540が上記半
導体装置340と異なるのは、アナログテストブロック
530において、アンプ117とレベルシフタ210B
の順序が入れ替わっている点である。このような構成
は、DAコンバータの出力範囲が広い場合や、DAコン
バータとADコンバータの分解能の差が大きくアンプ1
17の出力が飽和してしまう場合に有効である。アンプ
117の増幅率は、DAコンバータ302Dの出力信号
における1ピッチの変化量が、ADコンバータ303D
の入力信号における1ピッチの変化量に一致するように
設定されている。DAコンバータ302Dの出力信号
は、レベルシフタ210Bによって、DAコンバータ3
02Dの出力範囲を2等分した各範囲の信号が特定の直
流レベルとなるように直流レベルが変更される。すなわ
ち、まずDAコンバータ302Dの出力範囲の下半分が
アンプ117で増幅後にADコンバータ303Dの入力
範囲と一致するようにレベルシフタ210BによりDA
コンバータ302Dの出力信号の直流レベルがシフトさ
れる(図12の(A)、(B))。
The semiconductor device 540 shown in FIG. 11 is different from the semiconductor device 340 in that the amplifier 117 and the level shifter 210B in the analog test block 530 are different from each other.
Is that the order has been changed. Such a configuration is used when the output range of the DA converter is wide or when the resolution difference between the DA converter and the AD converter is large.
This is effective when the output of the No. 17 is saturated. The amplification factor of the amplifier 117 is such that the change amount of one pitch in the output signal of the DA converter 302D is
Is set so as to correspond to the amount of change of one pitch in the input signal of. The output signal of the DA converter 302D is output to the DA converter 3D by the level shifter 210B.
The DC level is changed so that the signal in each range obtained by bisecting the output range of 02D has a specific DC level. That is, first, the lower half of the output range of the DA converter 302D is amplified by the amplifier 117 so that the DA shift by the level shifter 210B matches the input range of the AD converter 303D.
The DC level of the output signal of converter 302D is shifted ((A) and (B) in FIG. 12).

【0041】次に、DAコンバータ302Dの各範囲の
信号がADコンバータD302の入力範囲に一致して変
化するようにレベルシフタ210Bの出力信号がアンプ
117により増幅される。すなわち、アンプ117によ
って、DAコンバータ302Dの出力範囲のまず下半分
がADコンバータ303Dの入力範囲に一致するよう
に、レベルシフタ210Bで直流レベルをシフトされた
DAコンバータ302Dの出力信号が増幅される(図1
2の(B)、(C)、(D))。
Next, the output signal of the level shifter 210B is amplified by the amplifier 117 so that the signal in each range of the DA converter 302D changes in accordance with the input range of the AD converter D302. That is, the output signal of the DA converter 302D whose DC level has been shifted by the level shifter 210B is amplified by the amplifier 117 so that the first lower half of the output range of the DA converter 302D matches the input range of the AD converter 303D (FIG. 1
2 (B), (C), (D)).

【0042】この状態で、外部端子13から試験用のデ
ジタル信号を入力し、外部端子14から出力されるデジ
タル信号の値を期待値と比較することにより、DAコン
バータ302Dの出力範囲の下半分と、ADコンバータ
303Dの全入力範囲に対して試験を行うことができ
る。
In this state, a digital signal for testing is input from the external terminal 13 and the value of the digital signal output from the external terminal 14 is compared with the expected value, thereby obtaining the lower half of the output range of the DA converter 302D. , Can be tested over the entire input range of the AD converter 303D.

【0043】次に、次に外部端子12より所定の信号を
入力してテスト制御回路4を操作し、レベルシフタ21
0Bの直流レベルのシフト量を変化させて、DAコンバ
ータ302Dの出力範囲の上半分がアンプ117で増幅
後にADコンバータ303Dの入力範囲に一致するよう
にDAコンバータ302Dの出力信号の直流レベルがシ
フトされる(図12の(A)、(E))。そして、DA
コンバータ302Dの出力範囲の上半分がADコンバー
タ303Dの入力範囲に一致するように、レベルシフタ
210Bで直流レベルが変更されたDAコンバータ30
2Dの出力信号がアンプ117によって増幅される(図
12の(E)、(F)、(G))。この状態で、外部端
子13から試験用のデジタル信号を入力し、外部端子1
4から出力されるデジタル信号の値を期待値と比較する
ことにより、DAコンバータ302Dの出力範囲の上半
分と、ADコンバータ303Dの全入力範囲に対して試
験を行うことができる。
Next, a predetermined signal is input from the external terminal 12 to operate the test control circuit 4, and the level shifter 21
By changing the shift amount of the DC level of 0B, the DC level of the output signal of the DA converter 302D is shifted so that the upper half of the output range of the DA converter 302D matches the input range of the AD converter 303D after amplification by the amplifier 117. ((A) and (E) of FIG. 12). And DA
DA converter 30 whose DC level is changed by level shifter 210B so that the upper half of the output range of converter 302D matches the input range of AD converter 303D.
The 2D output signal is amplified by the amplifier 117 ((E), (F), (G) in FIG. 12). In this state, a test digital signal is input from the external terminal 13 and the external terminal 1
By comparing the value of the digital signal output from 4 with the expected value, a test can be performed on the upper half of the output range of the DA converter 302D and the entire input range of the AD converter 303D.

【0044】このように、アンプ117とレベルシフタ
の順序を入れ替えた構成にすることにより、上記第4の
実施の形態例と同様の効果を得ることができることに加
えて、アンプ117の出力が飽和することを防止できる
という新たな効果が得られる。
As described above, by adopting a configuration in which the order of the amplifier 117 and the level shifter is switched, the same effect as that of the fourth embodiment can be obtained, and the output of the amplifier 117 is saturated. A new effect of preventing such a situation is obtained.

【0045】次に、本発明の第6の実施の形態例の半導
体装置の試験方法について説明する。図13は、第6の
実施の形態例における半導体装置を示すブロック図、図
14の(A)および(B)は図13の半導体装置を構成
するアッテネータの動作を説明するためのグラフであ
る。また、図15の(A)ないし(F)は図13の半導
体装置の動作を説明するためのグラフである。なお、図
13において図5と同一の要素には同一の符号が付され
ており、それらに関する詳しい説明はここでは省略す
る。
Next, a method of testing a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention will be described. FIG. 13 is a block diagram showing a semiconductor device according to the sixth embodiment, and FIGS. 14A and 14B are graphs for explaining the operation of an attenuator included in the semiconductor device of FIG. FIGS. 15A to 15F are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. 13, the same elements as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted here.

【0046】図13にに示した半導体装置440は、D
Aコンバータ402Eの分解能と、ADコンバータ40
3Eの分解能が等しく、そしてDAコンバータ402E
の出力信号における1ピッチの変化量が、ADコンバー
タ403Eの入力信号における1ピッチの変化量1の半
分よりも大きいという点で、図5の半導体装置240と
異なっている。
The semiconductor device 440 shown in FIG.
Resolution of A converter 402E and AD converter 40
3E have the same resolution, and the DA converter 402E
Is different from the semiconductor device 240 in FIG. 5 in that the amount of change of one pitch in the output signal of the AD converter 403E is larger than half of the amount of change of one pitch in the input signal of the AD converter 403E.

【0047】以下、図13ないし図15を参照して半導
体装置440の動作を説明する。まず、上述の場合と同
様、テストモードを設定するために外部端子12に所定
の信号を入力する。これによりセレクタ5、6およびア
ナログスイッチ7、8はテスト制御回路4によって半導
体装置240の場合と同様に設定される。この半導体装
置440では、アッテネータ9は、図14の(A)およ
び(B)に示したように、DAコンバータ402Eの出
力信号における1ピッチの変化量が、ADコンバータ4
03Eの入力信号における1ピッチの変化量の半分に一
致するようにDAコンバータ402Eの出力信号を減衰
させる。
Hereinafter, the operation of the semiconductor device 440 will be described with reference to FIGS. First, as in the case described above, a predetermined signal is input to the external terminal 12 to set the test mode. Thus, the selectors 5 and 6 and the analog switches 7 and 8 are set by the test control circuit 4 in the same manner as in the case of the semiconductor device 240. In the semiconductor device 440, as shown in FIGS. 14A and 14B, the attenuator 9 changes the amount of change of one pitch in the output signal of the DA converter 402E by the A / D converter 4E.
The output signal of the DA converter 402E is attenuated so as to coincide with half of the change amount of one pitch in the input signal of 03E.

【0048】すなわち、アッテネータ9は、DAコンバ
ータの出力範囲の幅が、ADコンバータの入力範囲の幅
の2分の1に一致するようにDAコンバータの出力信号
を減衰させる。その後、レベルシフタ210Bは、減衰
させたDAコンバータ402Eの出力範囲が、ADコン
バータ403Eの入力範囲を2等分した各範囲に一致す
るように、減衰させたDAコンバータ402Eの出力信
号の直流レベルを変更する。
That is, the attenuator 9 attenuates the output signal of the D / A converter so that the width of the output range of the D / A converter coincides with half the width of the input range of the A / D converter. Thereafter, the level shifter 210B changes the DC level of the output signal of the attenuated DA converter 402E so that the output range of the attenuated DA converter 402E matches each of the ranges obtained by bisecting the input range of the AD converter 403E. I do.

【0049】すなわち、レベルシフタ210Bは、アッ
テネータ9で減衰したDAコンバータ402Eの出力信
号の直流レベルをシフトさせ、DAコンバータ402E
の出力範囲を、ADコンバータ403Eの入力範囲にお
ける、まず下半分の範囲に一致させる(図15の
(B)、(C)、(D))。この状態で外部端子13か
ら試験用のデジタル信号を入力し、外部端子14から出
力されるデジタル信号の値を期待値と比較することによ
り、ADコンバータ403Eの入力範囲の下半分に対し
て試験を行うことができる。
That is, the level shifter 210 B shifts the DC level of the output signal of the DA converter 402 E attenuated by the attenuator 9, and
Is made to coincide with the lower half of the input range of the AD converter 403E ((B), (C), (D) in FIG. 15). In this state, a test digital signal is input from the external terminal 13 and the value of the digital signal output from the external terminal 14 is compared with an expected value, thereby performing a test on the lower half of the input range of the AD converter 403E. It can be carried out.

【0050】次に、外部端子12より所定の信号を入力
してテスト制御回路4を操作し、レベルシフタ210B
の直流レベルシフト量を変更する。これにより、レベル
シフタ210Bは、アッテネータ9で減衰したDAコン
バータ402Eの出力範囲を、ADコンバータ403E
の入力範囲の上半分に一致させる(図15の(B)、
(E)、(F))。この状態で外部端子13から試験用
のデジタル信号を入力し、外部端子14から出力される
デジタル信号の値を期待値と比較することにより、AD
コンバータ403Eの入力範囲における上半分に対して
試験を行うことができる。
Next, a predetermined signal is input from the external terminal 12 to operate the test control circuit 4, and the level shifter 210B
Change the DC level shift amount of. Accordingly, the level shifter 210B changes the output range of the DA converter 402E attenuated by the attenuator 9 to the AD converter 403E.
(B in FIG. 15)
(E), (F)). In this state, a digital signal for a test is input from the external terminal 13 and the value of the digital signal output from the external terminal 14 is compared with an expected value to obtain an AD signal.
Testing can be performed on the upper half of the input range of converter 403E.

【0051】このように、本実施の形態例においては、
ADコンバータ403Eの入力範囲をアッテネータ9と
レベルシフタ210Bにより下半分と上半分に2分割す
ることで、ADコンバータ403Eと分解能が同じDA
コンバータ402Eによって、ADコンバータ403E
を、その全入力範囲において、DAコンバータ402E
の2倍の分解能で、したがって2倍の精度で試験を行う
ことができる。
As described above, in this embodiment,
The input range of the AD converter 403E is divided into a lower half and an upper half by the attenuator 9 and the level shifter 210B, so that the DA has the same resolution as the AD converter 403E.
The AD converter 403E is provided by the converter 402E.
In the entire input range.
The test can be performed with twice the resolution, and thus with twice the accuracy.

【0052】なお、本実施の形態例では、ADコンバー
タの入力範囲を2分割する方式としたが、Nを3以上の
整数として、アッテネータ9とレベルシフタによりAD
コンバータの入力範囲をN分割することにより、ADコ
ンバータをDAコンバータの分解能のN倍の分解能で試
験を行うことも可能となる。
Although the input range of the AD converter is divided into two in this embodiment, N is an integer of 3 or more, and the A / D converter is operated by the attenuator 9 and the level shifter.
By dividing the input range of the converter by N, it is also possible to test the AD converter with N times the resolution of the DA converter.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上説明したように、半導体装置の試験
方法によれば、DAコンバータの出力信号を半導体装置
内で減衰させるかまたは増幅し、かつDAコンバータの
出力信号の直流レベルを半導体装置内で変更してADコ
ンバータに供給する。したがって、DAコンバータの出
力範囲とADコンバータの入力範囲とが異なっていて
も、それらを一致させて試験を行うことができ、また、
DAコンバータとADコンバータの分解能が異なってい
ても、Nを自然数としてDAコンバータの出力信号を2
のN乗倍に増幅したり、あるいは2のN乗分の1に減衰
させて必要な分解能で試験を行うことができる。その結
果、本発明の半導体装置の試験方法では、アナログ試験
用の高価な試験装置はいっさい不要となる。
As described above, according to the method of testing a semiconductor device, the output signal of the DA converter is attenuated or amplified in the semiconductor device, and the DC level of the output signal of the DA converter is reduced in the semiconductor device. And supply it to the AD converter. Therefore, even if the output range of the D / A converter is different from the input range of the A / D converter, the test can be performed by matching them, and
Even if the resolution of the D / A converter is different from that of the A / D converter, the output signal of the D / A
The test can be performed at a required resolution by amplifying the signal to the Nth power or attenuating it by a factor of 2N. As a result, in the method of testing a semiconductor device according to the present invention, no expensive test device for analog testing is required.

【0054】[0054]

【0055】[0055]

【0056】[0056]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明における半導体装置の一例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a semiconductor device according to the present invention.

【図2】(A)ないし(D)は図1の半導体装置の動作
を説明するためのグラフである。
FIGS. 2A to 2D are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. 1;

【図3】第2の実施の形態例における半導体装置を示す
ブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a semiconductor device according to a second embodiment.

【図4】(A)ないし(D)は図3の半導体装置の動作
を説明するためのグラフである。
FIGS. 4A to 4D are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. 3;

【図5】第3の実施の形態例における半導体装置を示す
ブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a semiconductor device according to a third embodiment.

【図6】(A)および(B)は図5の半導体装置を構成
するアッテネータの動作を示すグラフである。
FIGS. 6A and 6B are graphs showing the operation of an attenuator included in the semiconductor device of FIG. 5;

【図7】(A)ないし(F)は図5の半導体装置の動作
を説明するためのグラフである。
FIGS. 7A to 7F are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. 5;

【図8】第4の実施の形態例における半導体装置を示す
ブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram showing a semiconductor device according to a fourth embodiment.

【図9】(A)および(B)は図8の半導体装置を構成
するアッテネータの動作を示すグラフである。
FIGS. 9A and 9B are graphs showing the operation of an attenuator included in the semiconductor device of FIG.

【図10】(A)ないし(F)は図8の半導体装置の動
作を説明するためのグラフである。
FIGS. 10A to 10F are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. 8;

【図11】第5の実施の形態例における半導体装置を示
すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing a semiconductor device according to a fifth embodiment.

【図12】(A)ないし(G)は図11の半導体装置の
動作を説明するためのグラフである。
FIGS. 12A to 12G are graphs for explaining the operation of the semiconductor device of FIG. 11;

【図13】第6の実施の形態例における半導体装置を示
すブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram showing a semiconductor device according to a sixth embodiment.

【図14】(A)および(B)は図13の半導体装置を
構成するアッテネータの動作を説明するためのグラフで
ある。
FIGS. 14A and 14B are graphs for explaining the operation of an attenuator included in the semiconductor device of FIG. 13;

【図15】図15の(A)ないし(F)は図13の半導
体装置40の動作を説明するためのグラフである。
15A to 15F are graphs for explaining the operation of the semiconductor device 40 in FIG.

【図16】アッテネータの一例を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram illustrating an example of an attenuator.

【図17】アンプの一例を示す回路図である。FIG. 17 is a circuit diagram illustrating an example of an amplifier.

【図18】レベルシフタの一例を示す回路図である。FIG. 18 is a circuit diagram illustrating an example of a level shifter.

【図19】レベルシフタの他の例を示す回路図である。FIG. 19 is a circuit diagram showing another example of the level shifter.

【図20】従来の半導体装置の一例を示すブロック図で
ある。
FIG. 20 is a block diagram illustrating an example of a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……デジタル信号処理回路、3A……ADコンバー
タ、4……テスト制御回路、5……セレクタ、7……ア
ナログスイッチ、9……アッテネータ、10A……レベ
ルシフタ、13……入力端子、14……出力端子、30
……アナログテストブロック、40……半導体装置、4
0……半導体基板、40……半導体装置、57……抵
抗、102B……DAコンバータ、103B……ADコ
ンバータ、117……アンプ、130……アナログテス
トブロック、140……半導体装置、202C……DA
コンバータ、203C……ADコンバータ、210B…
…レベルシフタ、240……半導体装置、302D……
DAコンバータ、303D……ADコンバータ、330
……アナログテストブロック、340……半導体装置、
402E……DAコンバータ、403E……ADコンバ
ータ、440……半導体装置、530……アナログテス
トブロック、540……半導体装置。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Digital signal processing circuit, 3A ... AD converter, 4 ... Test control circuit, 5 ... Selector, 7 ... Analog switch, 9 ... Attenuator, 10A ... Level shifter, 13 ... Input terminal, 14 ... ... Output terminals, 30
…… Analog test block, 40 …… Semiconductor device, 4
0 ... semiconductor substrate, 40 ... semiconductor device, 57 ... resistor, 102B ... DA converter, 103B ... AD converter, 117 ... amplifier, 130 ... analog test block, 140 ... semiconductor device, 202C ... DA
Converter, 203C ... AD converter, 210B ...
... Level shifter, 240 ... Semiconductor device, 302D ...
DA converter, 303D ... AD converter, 330
…… Analog test block, 340 …… Semiconductor device,
402E ... DA converter, 403E ... AD converter, 440 ... Semiconductor device, 530 ... Analog test block, 540 ... Semiconductor device.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−199113(JP,A) 特開 平6−186291(JP,A) 特開 昭57−24121(JP,A) 特開 平10−268004(JP,A) 特開 平6−85577(JP,A) 実開 昭63−187428(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/28 - 31/3193 H03M 1/10 H03M 1/18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-5-199113 (JP, A) JP-A-6-186291 (JP, A) JP-A-57-24121 (JP, A) JP-A-10-1998 268004 (JP, A) JP-A-6-85577 (JP, A) JP-A-63-187428 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 31/28-31 / 3193 H03M 1/10 H03M 1/18

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体装置を構成するDAコンバータお
よびADコンバータを試験する方法であって、 前記DAコンバータに前記半導体装置の外部から信号を
入力し、 前記DAコンバータの出力信号を前記半導体装置内で減
衰させるかまたは増幅し、 前記DAコンバータの出力信号の直流レベルを前記半導
体装置内で変更し、 減衰させるかまたは増幅し、かつ直流レベルを変更した
前記DAコンバータの出力信号を前記ADコンバータに
供給し、 前記ADコンバータの出力信号を前記半導体装置の外部
に取り出し、半導体装置の外部において前記DAコンバ
ータの前記入力信号と前記ADコンバータの出力信号と
を比較して前記DAコンバータおよび前記ADコンバー
タの試験結果の良否を判定し、 前記DAコンバータの分解能は前記ADコンバータの分
解能より低く、 Nを自然数として、前記ADコンバータに供給する信号
の変化範囲の幅が、前記ADコンバータの入力範囲の幅
を2のN乗で割った幅に一致するように、前記DAコン
バータの出力信号を減衰させ、 その上で、前記ADコンバータに供給する信号の変化範
囲が、前記ADコンバータの入力範囲を2のN乗で割っ
て等分割した各範囲に一致するように前記減衰させた前
記DAコンバータの出力信号の直流レベルを順次、変更
する、 ことを特徴とする半導体装置の試験方法
1. A DA converter and a DA converter constituting a semiconductor device.
And a method for testing an AD converter, wherein a signal is supplied to the DA converter from outside the semiconductor device.
And the output signal of the DA converter is reduced in the semiconductor device.
Attenuates or amplifies the DC level of the output signal of the DA converter.
Changed, attenuated or amplified, and changed the DC level in the body device
Output signal of the DA converter to the AD converter
And supplies the output signal of the AD converter to the outside of the semiconductor device.
And the DA converter outside the semiconductor device.
Data and the output signal of the AD converter
Comparing the DA converter and the AD converter
To determine the quality of the data of test results, the resolution of the DA converter minute of the AD converter
A signal supplied to the AD converter , where N is a natural number , lower than the resolution
Is the width of the input range of the AD converter.
Is divided by 2 to the Nth power so that the DA converter
Attenuates the output signal of the converter, and then changes the range of the signal supplied to the AD converter.
Is the input range of the AD converter divided by 2 N
Before being attenuated to match each equally divided range
Change the DC level of the output signal of the DA converter sequentially
A method for testing a semiconductor device.
【請求項2】 半導体装置を構成するDAコンバータお
よびADコンバータを試験する方法であって、 前記DAコンバータに前記半導体装置の外部から信号を
入力し、 前記DAコンバータの出力信号を前記半導体装置内で減
衰させるかまたは増幅し、 前記DAコンバータの出力信号の直流レベルを前記半導
体装置内で変更し、 減衰させるかまたは増幅し、かつ直流レベルを変更した
前記DAコンバータの出力信号を前記ADコンバータに
供給し、 前記ADコンバータの出力信号を前記半導体装置の外部
に取り出し、半導体装置の外部において前記DAコンバ
ータの前記入力信号と前記ADコンバータの出力信号と
を比較して前記DAコンバータおよび前記ADコンバー
タの試験結果の良否を判定し、 前記DAコンバータの分解能は前記ADコンバータの分
解能より高く、 Nを自然数として、前記DAコンバータの出力範囲を2
のN乗で割って等分割した各範囲の幅が、前記ADコン
バータの入力範囲の幅に一致するように、前記DAコン
バータの出力信号を増幅し、 その上で、前記DAコンバータの出力信号の変化範囲を
2のN乗で割って等分割した各範囲が、前記ADコンバ
ータの入力範囲に一致するように前記増幅した前記DA
コンバータの出力信号の直流レベルを順次、変更する、 ことを特徴とする半導体装置の試験方法
2. A DA converter and a DA converter constituting a semiconductor device.
And a method for testing an AD converter, wherein a signal is supplied to the DA converter from outside the semiconductor device.
And the output signal of the DA converter is reduced in the semiconductor device.
Attenuates or amplifies the DC level of the output signal of the DA converter.
Changed, attenuated or amplified, and changed the DC level in the body device
Output signal of the DA converter to the AD converter
And supplies the output signal of the AD converter to the outside of the semiconductor device.
And the DA converter outside the semiconductor device.
Data and the output signal of the AD converter
Comparing the DA converter and the AD converter
To determine the quality of the data of test results, the resolution of the DA converter minute of the AD converter
Higher than the resolution, N is a natural number, and the output range of the DA converter is 2
Is divided by the Nth power of the A
The DA converter is adjusted to match the width of the input range of the inverter.
The output signal of the converter is amplified, and the change range of the output signal of the DA converter is further adjusted.
Each range divided equally by dividing by 2 to the power of N is the AD converter
The amplified DA to match the input range of the data.
A method for testing a semiconductor device , wherein a DC level of an output signal of a converter is sequentially changed .
【請求項3】 半導体装置を構成するDAコンバータお
よびADコンバータを試験する方法であって、 前記DAコンバータに前記半導体装置の外部から信号を
入力し、 前記DAコンバータの出力信号を前記半導体装置内で減
衰させるかまたは増幅し、 前記DAコンバータの出力信号の直流レベルを前記半導
体装置内で変更し、 減衰させるかまたは増幅し、かつ直流レベルを変更した
前記DAコンバータの出力信号を前記ADコンバータに
供給し、 前記ADコンバータの出力信号を前記半導体装置の外部
に取り出し、半導体装置の外部において前記DAコンバ
ータの前記入力信号と前記ADコンバータの出力信号と
を比較して前記DAコンバータおよび前記ADコンバー
タの試験結果の良否を判定し、 前記DAコンバータの分解能は前記ADコンバータの分
解能より高く、 Nを自然数として、前記DAコンバータの出力範囲を2
のN乗で割って等分割した各範囲の信号が特定の直流レ
ベルとなるように前記DAコンバータの出力信号の直流
レベルを変更し、 その上で、前記等分割した各範囲の信号が、前記ADコ
ンバータの入力範囲に 一致して変化するように前記DA
コンバータの出力信号を増幅する、 ことを特徴とする半導体装置の試験方法
3. A DA converter and a DA converter constituting a semiconductor device.
And a method for testing an AD converter, wherein a signal is supplied to the DA converter from outside the semiconductor device.
And the output signal of the DA converter is reduced in the semiconductor device.
Attenuates or amplifies the DC level of the output signal of the DA converter.
Changed, attenuated or amplified, and changed the DC level in the body device
Output signal of the DA converter to the AD converter
And supplies the output signal of the AD converter to the outside of the semiconductor device.
And the DA converter outside the semiconductor device.
Data and the output signal of the AD converter
Comparing the DA converter and the AD converter
To determine the quality of the data of test results, the resolution of the DA converter minute of the AD converter
Higher than the resolution, N is a natural number, and the output range of the DA converter is 2
The signal in each range divided equally by the Nth power of
Level of the output signal of the DA converter so that
Level, and then the signals in each of the equally divided ranges are mixed with the AD
The DA is changed so as to match the input range of the inverter.
A method for testing a semiconductor device , comprising: amplifying an output signal of a converter .
【請求項4】 半導体装置を構成するDAコンバータお
よびADコンバータを試験する方法であって、 前記DAコンバータに前記半導体装置の外部から信号を
入力し、 前記DAコンバータの出力信号を前記半導体装置内で減
衰させるかまたは増幅し、 前記DAコンバータの出力信号の直流レベルを前記半導
体装置内で変更し、 減衰させるかまたは増幅し、かつ直流レベルを変更した
前記DAコンバータの出力信号を前記ADコンバータに
供給し、 前記ADコンバータの出力信号を前記半導体装置の外部
に取り出し、半導体装置の外部において前記DAコンバ
ータの前記入力信号と前記ADコンバータの出力信号と
を比較して前記DAコンバータおよび前記ADコンバー
タの試験結果の良否を判定し、 前記DAコンバータと前記ADコンバータは同一の分解
能を有し、前記DAコンバータの出力信号の1ピッチの
変化量は、前記ADコンバータの入力信号の1ピッチの
変化量の半分より大きく、 Nを2以上の自然数として、前記DAコンバータの出力
信号が、前記ADコンバータの入力範囲をN等分した幅
内で変化するように前記DAコンバータの出力信号を減
衰させ、 その上で、減衰させた前記DAコンバータの出力信号の
変化範囲が、前記ADコンバータの入力範囲をN等分し
た各範囲に一致するように、前記減衰させた前記DAコ
ンバータの出力信号の直流レベルを変更する、 ことを特徴とする半導体装置の試験方法
4. A DA converter and a DA converter constituting a semiconductor device.
And a method for testing an AD converter, wherein a signal is supplied to the DA converter from outside the semiconductor device.
And the output signal of the DA converter is reduced in the semiconductor device.
Attenuates or amplifies the DC level of the output signal of the DA converter.
Changed, attenuated or amplified, and changed the DC level in the body device
Output signal of the DA converter to the AD converter
And supplies the output signal of the AD converter to the outside of the semiconductor device.
And the DA converter outside the semiconductor device.
Data and the output signal of the AD converter
Comparing the DA converter and the AD converter
The test results of the data converter are judged to be good or bad.
One pitch of the output signal of the DA converter.
The amount of change is one pitch of the input signal of the AD converter.
The output of the DA converter , where N is a natural number greater than or equal to 2
The signal has a width obtained by equally dividing the input range of the AD converter by N
Output signal of the D / A converter so that
Is Decay, thereon, wherein the DA converter output signal obtained by attenuating
The change range divides the input range of the AD converter into N equal parts.
The DA core is attenuated so as to correspond to each range.
A method for testing a semiconductor device , comprising changing a DC level of an output signal of an inverter .
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