JP3312874B2 - 半導体装置の製造方法、この方法に用いるスキージ装置および半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法、この方法に用いるスキージ装置および半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に半導体
素子を封止して得られる半導体装置とその製造方法およ
びその製造に用いるスキージ装置に関する。
素子を封止して得られる半導体装置とその製造方法およ
びその製造に用いるスキージ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を配線基板に実装してなる半
導体装置は、配線基板に半導体素子を搭載し、ボンディ
ングワイヤーで半導体素子を配線基板に電気的に接続し
たり、半導体素子に設けたバンプで半導体素子を配線基
板に電気的に接続したりした後、封止材料で半導体素子
を封止することによって、製造される。
導体装置は、配線基板に半導体素子を搭載し、ボンディ
ングワイヤーで半導体素子を配線基板に電気的に接続し
たり、半導体素子に設けたバンプで半導体素子を配線基
板に電気的に接続したりした後、封止材料で半導体素子
を封止することによって、製造される。
【０００３】この封止に際しては、コストアップ要因と
なる高チクソトロピー性を有する封止材料が必要となる
ディスペンサーを用いた塗布封止方法に代わって、通常
の封止材料を使用できるスキージを用いて印刷封止する
方法が採用されている。すなわち、図７の（ａ）に示す
ように、配線基板１に半導体素子２を搭載し、ボンディ
ングワイヤーＷなどで半導体素子２を配線基板１の回路
（図示省略）に電気的に接続したのち、配線基板１にお
ける前記半導体素子２の搭載位置に合わせて開口部３
１′を設けた印刷用マスク３′を、前記開口部３１′の
内側に半導体素子２が位置するようにして前記配線基板
１に重ね合わせた後、あらかじめ前記マスク３′上に液
状の封止材料４を供給しておき、封止材料４をスキージ
５で刷り込むことにより、前記マスクの開口部３１′を
通して前記封止材料４を配線基板１の表面にパターン印
刷する。図７の（ｂ）は、マスク３′を配線基板１から
除くことにより得られた半導体装置を示す。
なる高チクソトロピー性を有する封止材料が必要となる
ディスペンサーを用いた塗布封止方法に代わって、通常
の封止材料を使用できるスキージを用いて印刷封止する
方法が採用されている。すなわち、図７の（ａ）に示す
ように、配線基板１に半導体素子２を搭載し、ボンディ
ングワイヤーＷなどで半導体素子２を配線基板１の回路
（図示省略）に電気的に接続したのち、配線基板１にお
ける前記半導体素子２の搭載位置に合わせて開口部３
１′を設けた印刷用マスク３′を、前記開口部３１′の
内側に半導体素子２が位置するようにして前記配線基板
１に重ね合わせた後、あらかじめ前記マスク３′上に液
状の封止材料４を供給しておき、封止材料４をスキージ
５で刷り込むことにより、前記マスクの開口部３１′を
通して前記封止材料４を配線基板１の表面にパターン印
刷する。図７の（ｂ）は、マスク３′を配線基板１から
除くことにより得られた半導体装置を示す。
【０００４】スキージを用いて印刷封止する方法では、
ディスペンサーで封止する方法に比べて封止材料を機械
的に強い力で押し動かすため、半導体素子のワイヤーが
封止材料の流れにより倒れてしまうというトラブル（以
下では、このトラブルを「ワイヤー流れ」と言うことが
ある）が発生する場合がある。スキージで刷り込む方法
では、さらに、封止材料がスキージに合わせて動くため
に、マスクの開口部に刷り込まれた封止材料の厚みは、
入口側で比較的薄く、出口側で比較的分厚くなるという
傾向がある。この厚み不均一は、ＩＣカードやキャビテ
ィダウンＢＧＡなどの半導体パッケージの封止では形状
不合格のトラブルを発生させることになる。封止物の厚
み均一性はこれらのパッケージでは非常に重要な評価項
目であり、封止物の厚みが不均一になると、ＩＣカード
では組み立て不能という事態を、ＢＧＡではボードへの
接合不能という事態を招く。
ディスペンサーで封止する方法に比べて封止材料を機械
的に強い力で押し動かすため、半導体素子のワイヤーが
封止材料の流れにより倒れてしまうというトラブル（以
下では、このトラブルを「ワイヤー流れ」と言うことが
ある）が発生する場合がある。スキージで刷り込む方法
では、さらに、封止材料がスキージに合わせて動くため
に、マスクの開口部に刷り込まれた封止材料の厚みは、
入口側で比較的薄く、出口側で比較的分厚くなるという
傾向がある。この厚み不均一は、ＩＣカードやキャビテ
ィダウンＢＧＡなどの半導体パッケージの封止では形状
不合格のトラブルを発生させることになる。封止物の厚
み均一性はこれらのパッケージでは非常に重要な評価項
目であり、封止物の厚みが不均一になると、ＩＣカード
では組み立て不能という事態を、ＢＧＡではボードへの
接合不能という事態を招く。
【０００５】ところで、上記封止印刷を大気圧下で行う
と、液状の封止材料に空気が巻き込まれ、封止部分に気
泡が残留し、ボイド不良が発生するという問題が発生し
やすい。封止印刷後に減圧脱泡すればボイドを除くこと
ができるが、表面に泡抜け跡が残り、封止部表面を平滑
にすることができないという問題が生じていた。この問
題を解決するために、本出願人は、先に、減圧下でスキ
ージによる封止樹脂印刷を行う方法を開発した（特願平
９−１９４４７０〜９−１９４４７２号参照）。この方
法によれば、表面平滑さは達成できたが、封止印刷後に
雰囲気を大気圧に戻す過程で、封止物の表面がくぼんで
しまうという現象が現れた。これは、減圧下で開口部に
封止材料を充填すると、開口部内のワイヤーの下やチッ
プの隅などに未充填部（減圧状態の空隙）が残り、この
未充填部の上に封止材料が覆い被さった状態になりやす
いが、雰囲気を大気圧下に戻すときに、未充填部に覆い
被さった封止材料が大気圧力によって未充填部（減圧状
態の空隙）内に落ち込み、その表面が凹みとなって現れ
るのである。
と、液状の封止材料に空気が巻き込まれ、封止部分に気
泡が残留し、ボイド不良が発生するという問題が発生し
やすい。封止印刷後に減圧脱泡すればボイドを除くこと
ができるが、表面に泡抜け跡が残り、封止部表面を平滑
にすることができないという問題が生じていた。この問
題を解決するために、本出願人は、先に、減圧下でスキ
ージによる封止樹脂印刷を行う方法を開発した（特願平
９−１９４４７０〜９−１９４４７２号参照）。この方
法によれば、表面平滑さは達成できたが、封止印刷後に
雰囲気を大気圧に戻す過程で、封止物の表面がくぼんで
しまうという現象が現れた。これは、減圧下で開口部に
封止材料を充填すると、開口部内のワイヤーの下やチッ
プの隅などに未充填部（減圧状態の空隙）が残り、この
未充填部の上に封止材料が覆い被さった状態になりやす
いが、雰囲気を大気圧下に戻すときに、未充填部に覆い
被さった封止材料が大気圧力によって未充填部（減圧状
態の空隙）内に落ち込み、その表面が凹みとなって現れ
るのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の課題
は、スキージを用い、減圧下で半導体素子を封止材料で
封止印刷する場合に、ワイヤー流れが起きず、封止材料
の厚みが均一で封止物表面に凹みがない半導体装置とそ
の製造方法およびその製造に用いるスキージ装置を提供
することである。
は、スキージを用い、減圧下で半導体素子を封止材料で
封止印刷する場合に、ワイヤー流れが起きず、封止材料
の厚みが均一で封止物表面に凹みがない半導体装置とそ
の製造方法およびその製造に用いるスキージ装置を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、配線基板
に半導体素子を電気的に接続して搭載し、半導体素子の
搭載位置に合わせた開口部を有するマスクを、前記開口
部の内側に半導体素子を位置させるようにして配線基板
に重ね、前記マスク上に供給された封止材料を減圧条件
下においてスキージを往復させて前記開口部に刷り込む
ことにより、配線基板上に封止印刷する工程を備えた半
導体装置の製造方法において、前記封止印刷する際に、
初回の刷り込みはスキージのスピードを０．１mm／sec
〜７０mm／sec の低速にして行い、最終回の刷り込みは
スキージのスピードを（最終回のスピード／初回のスピ
ード）＝１．２〜３０００の条件の下で１０mm／sec 〜
３００mm／sec の高速にして行うことを特徴とする。
め、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、配線基板
に半導体素子を電気的に接続して搭載し、半導体素子の
搭載位置に合わせた開口部を有するマスクを、前記開口
部の内側に半導体素子を位置させるようにして配線基板
に重ね、前記マスク上に供給された封止材料を減圧条件
下においてスキージを往復させて前記開口部に刷り込む
ことにより、配線基板上に封止印刷する工程を備えた半
導体装置の製造方法において、前記封止印刷する際に、
初回の刷り込みはスキージのスピードを０．１mm／sec
〜７０mm／sec の低速にして行い、最終回の刷り込みは
スキージのスピードを（最終回のスピード／初回のスピ
ード）＝１．２〜３０００の条件の下で１０mm／sec 〜
３００mm／sec の高速にして行うことを特徴とする。
【０００８】前記課題を解決するため、本発明にかかる
半導体装置製造用スキージ装置は、上記半導体装置の製
造方法に用いられるスキージ装置であって、スキージ
は、少なくとも移動時において、その先端部分のマスク
に対する角度が上方部分が前になるように傾いた状態で
保持されるようになっており、移動方向が変わるごとに
前記スキージの傾きを変えるようになっていることを特
徴とする。
半導体装置製造用スキージ装置は、上記半導体装置の製
造方法に用いられるスキージ装置であって、スキージ
は、少なくとも移動時において、その先端部分のマスク
に対する角度が上方部分が前になるように傾いた状態で
保持されるようになっており、移動方向が変わるごとに
前記スキージの傾きを変えるようになっていることを特
徴とする。
【０００９】前記課題を解決するため、本発明にかかる
半導体装置は、配線基板に電気的に接続されて搭載され
た半導体素子が、上記半導体装置の製造方法における封
止印刷方法で配線基板上に封止されてなる。
半導体装置は、配線基板に電気的に接続されて搭載され
た半導体素子が、上記半導体装置の製造方法における封
止印刷方法で配線基板上に封止されてなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明にかかる半導体装置
の製造方法の１実施例を工程順に示す。図１にみるよう
に、配線基板１の上に半導体素子２を搭載するととも
に、配線基板１における半導体素子２の搭載位置に合わ
せて複数の開口部３１・・・を設けた印刷用マスク３
を、各開口部３１・・・の内側に半導体素子２が位置す
るようにして配線基板１に重ね合わせ、マスク３の上に
供給された封止材料４をスキージ５で刷り込むことによ
り、マスク３の開口部３１・・・を通して封止材料４を
配線基板１の表面に印刷するのである。
の製造方法の１実施例を工程順に示す。図１にみるよう
に、配線基板１の上に半導体素子２を搭載するととも
に、配線基板１における半導体素子２の搭載位置に合わ
せて複数の開口部３１・・・を設けた印刷用マスク３
を、各開口部３１・・・の内側に半導体素子２が位置す
るようにして配線基板１に重ね合わせ、マスク３の上に
供給された封止材料４をスキージ５で刷り込むことによ
り、マスク３の開口部３１・・・を通して封止材料４を
配線基板１の表面に印刷するのである。
【００１１】この場合に、半導体素子２の搭載、マスク
３のセットや封止材料４の供給を行なった後、配線基板
１ごと、図５のバキュームチャンバー６１内において、
減圧下で、スキージ５による封止材料４の刷り込みを行
うようにする。刷り込み印刷時には封止材料内への空気
の巻き込みが起きて、封止部に気泡（ボイド）が残るこ
とがあるが、刷り込み印刷を上述のように減圧下で行う
と、封止材料中への空気の巻き込みが起きにくい。
３のセットや封止材料４の供給を行なった後、配線基板
１ごと、図５のバキュームチャンバー６１内において、
減圧下で、スキージ５による封止材料４の刷り込みを行
うようにする。刷り込み印刷時には封止材料内への空気
の巻き込みが起きて、封止部に気泡（ボイド）が残るこ
とがあるが、刷り込み印刷を上述のように減圧下で行う
と、封止材料中への空気の巻き込みが起きにくい。
【００１２】図５において、バキュームチャンバー６１
内に開口した通路６２はチャンバー６１内を減圧状態に
するために真空ポンプ（図示省略）に繋がっている。配
線基板１は、バキュームチャンバー６１外で、受けトレ
ー６３に載置され、マスク３を重ね合わされる。マスク
３にはシリンジ６４から封止材料４が供給される。封止
材料４としては、無機充填材含有量が４０〜９０重量
％、粘度が１００〜５０００ｐｓ（２５℃）、チクソト
ロピー指数１．０〜４．５（２５℃）のものを用いるの
が好ましい。
内に開口した通路６２はチャンバー６１内を減圧状態に
するために真空ポンプ（図示省略）に繋がっている。配
線基板１は、バキュームチャンバー６１外で、受けトレ
ー６３に載置され、マスク３を重ね合わされる。マスク
３にはシリンジ６４から封止材料４が供給される。封止
材料４としては、無機充填材含有量が４０〜９０重量
％、粘度が１００〜５０００ｐｓ（２５℃）、チクソト
ロピー指数１．０〜４．５（２５℃）のものを用いるの
が好ましい。
【００１３】その後、受けトレー６３がバキュームチャ
ンバー６１内に入り、前述の封止作業が行われる。チャ
ンバー６１は、回動バー６５の働きで上下に揺動し、受
けトレー６３が入るときに上昇し、受けトレー６３が作
業台６６上の封止作業位置に着くと下降して受けトレー
６３を覆う。スキージ５はエアーシリンダ６７の働きで
刷り込み作業を行う。封止作業を例えば２５〜４０℃の
加温雰囲気下で行うと、封止材料４の粘度が下がるた
め、気泡が抜けやすくなり、また、マスク３を配線基板
１から離すときに糸曳き現象が起きにくくなる。なお、
加温雰囲気がシリンジ６４に及ぶと封止材料４のポット
ライフが短くなるので、受けトレー６３の反動体搭載部
分に電気ヒーター（図示省略）を設けるなどして、必要
部分のみ、例えば４０〜１００℃程度に加熱するのが好
ましい。
ンバー６１内に入り、前述の封止作業が行われる。チャ
ンバー６１は、回動バー６５の働きで上下に揺動し、受
けトレー６３が入るときに上昇し、受けトレー６３が作
業台６６上の封止作業位置に着くと下降して受けトレー
６３を覆う。スキージ５はエアーシリンダ６７の働きで
刷り込み作業を行う。封止作業を例えば２５〜４０℃の
加温雰囲気下で行うと、封止材料４の粘度が下がるた
め、気泡が抜けやすくなり、また、マスク３を配線基板
１から離すときに糸曳き現象が起きにくくなる。なお、
加温雰囲気がシリンジ６４に及ぶと封止材料４のポット
ライフが短くなるので、受けトレー６３の反動体搭載部
分に電気ヒーター（図示省略）を設けるなどして、必要
部分のみ、例えば４０〜１００℃程度に加熱するのが好
ましい。
【００１４】本発明の方法は、減圧下で封止印刷を行
う。この場合、初回刷り込み時における減圧度は、たと
えば３．９ｋＰａ（３０Torr）以下、好ましくは０．６
５ｋＰａ（５Torr）以下、より好ましくは０．１３ｋＰ
ａ（１Torr）以下である。初回の刷り込み時に３．９ｋ
Ｐａよりも大気圧に近くなると空気巻き込みによるボイ
ドが生じやすくなることがある。
う。この場合、初回刷り込み時における減圧度は、たと
えば３．９ｋＰａ（３０Torr）以下、好ましくは０．６
５ｋＰａ（５Torr）以下、より好ましくは０．１３ｋＰ
ａ（１Torr）以下である。初回の刷り込み時に３．９ｋ
Ｐａよりも大気圧に近くなると空気巻き込みによるボイ
ドが生じやすくなることがある。
【００１５】この減圧下での封止印刷で封止材料を未充
填部分に確実に充填させるためには、第２回以降は直前
回よりも緩和された減圧度になるように調節する（また
は、刷り込み回数を繰り返すごとに次第に減圧度を緩和
する）のが好ましい。もちろん、ある場合には前回と今
回は同じであることがあっても良いが、全体の傾向とし
て次第に減圧度を緩和する（より気圧を高める）ように
するのが好ましい。このようにすれば、例えば、初回刷
り込み時の減圧度よりも第２回刷り込み時の減圧度の方
が減圧度が低い（＝減圧度が緩和されている）ので、減
圧度変更時に、封止材料表面に圧力差に基づく加圧力が
掛かり、充填を十分にするのである。具体的には、減圧
度の高い雰囲気から減圧度の低い雰囲気へ、各減圧度の
雰囲気下で１回以上スキージを動かして封止印刷し、封
止材料の充填を進めていくのである。
填部分に確実に充填させるためには、第２回以降は直前
回よりも緩和された減圧度になるように調節する（また
は、刷り込み回数を繰り返すごとに次第に減圧度を緩和
する）のが好ましい。もちろん、ある場合には前回と今
回は同じであることがあっても良いが、全体の傾向とし
て次第に減圧度を緩和する（より気圧を高める）ように
するのが好ましい。このようにすれば、例えば、初回刷
り込み時の減圧度よりも第２回刷り込み時の減圧度の方
が減圧度が低い（＝減圧度が緩和されている）ので、減
圧度変更時に、封止材料表面に圧力差に基づく加圧力が
掛かり、充填を十分にするのである。具体的には、減圧
度の高い雰囲気から減圧度の低い雰囲気へ、各減圧度の
雰囲気下で１回以上スキージを動かして封止印刷し、封
止材料の充填を進めていくのである。
【００１６】本発明で使用される半導体素子２は、２０
ミクロン前後の金やＡｌ製などの非常に弱いボンディン
グワイヤーＷを多数使って配線基板１との電気的導通を
行っている。このような半導体素子２に液状の封止材料
４をスキージ５を用いて封止印刷すると、封止材料４の
流動の力によってワイヤーＷが封止材料４の移動方向に
押し倒されてしまうが、本発明の方法では、初回の刷り
込み時におけるスキージ５のスピードを極力低速にする
ことでワイヤーＷにかかる封止材料４の流動圧力を低減
するようにしている。このとき、スキージ・スピードを
あまりに遅くしすぎると生産性の悪化の問題が生じるの
で、初回のスキージ・スピードは０．１mm／sec 〜７０
mm／sec 、好ましくは１．０mm／sec 〜３０mm／sec で
ある。７０mm／sec を越えると、ワイヤー流れが発生し
てしまう。また、０．１mm／secよりも遅いと、生産性
が悪くなってしまう。
ミクロン前後の金やＡｌ製などの非常に弱いボンディン
グワイヤーＷを多数使って配線基板１との電気的導通を
行っている。このような半導体素子２に液状の封止材料
４をスキージ５を用いて封止印刷すると、封止材料４の
流動の力によってワイヤーＷが封止材料４の移動方向に
押し倒されてしまうが、本発明の方法では、初回の刷り
込み時におけるスキージ５のスピードを極力低速にする
ことでワイヤーＷにかかる封止材料４の流動圧力を低減
するようにしている。このとき、スキージ・スピードを
あまりに遅くしすぎると生産性の悪化の問題が生じるの
で、初回のスキージ・スピードは０．１mm／sec 〜７０
mm／sec 、好ましくは１．０mm／sec 〜３０mm／sec で
ある。７０mm／sec を越えると、ワイヤー流れが発生し
てしまう。また、０．１mm／secよりも遅いと、生産性
が悪くなってしまう。
【００１７】印刷時の空気の巻き込み（ボイド発生）防
止のために減圧下での封止印刷を行うが、減圧下でも若
干、空気が存在している。しかし、本発明では、初回の
スキージ・スピードが最終回の・スピードスピードより
も低速であるため、この希薄な空気の巻き込みが起き
ず、ボイドレスとなる。減圧下で刷り込む際に、高速で
スキージングすると、ワイヤーの下やチップの隅など、
封止材料を充填しにくい部分で、封止材料の充填不良が
起きて未充填部が生じやすいが、スキージングが低速で
あれば、封止材料がじっくりと流れるので、充填しにく
い部分にも封止材料が十分に充填される。このため、後
に大気圧に戻した場合における封止物表面の凹みを小さ
くすることができる。
止のために減圧下での封止印刷を行うが、減圧下でも若
干、空気が存在している。しかし、本発明では、初回の
スキージ・スピードが最終回の・スピードスピードより
も低速であるため、この希薄な空気の巻き込みが起き
ず、ボイドレスとなる。減圧下で刷り込む際に、高速で
スキージングすると、ワイヤーの下やチップの隅など、
封止材料を充填しにくい部分で、封止材料の充填不良が
起きて未充填部が生じやすいが、スキージングが低速で
あれば、封止材料がじっくりと流れるので、充填しにく
い部分にも封止材料が十分に充填される。このため、後
に大気圧に戻した場合における封止物表面の凹みを小さ
くすることができる。
【００１８】初回のスキージ・スピードは、低速であれ
ば巻き込みボイドの低減やワイヤー流れ防止に効果があ
るが、逆に、低速で行うと、封止材料４がスキージ５と
いっしょに引っ張られて、図１の（ｂ）に示すように、
マスク３の開口部３１入口側で封止材料厚みが薄くな
り、開口部３１出口側で厚くなり易い。これは、スキー
ジ・スピードが低い場合に、スキージ５と封止材料４の
間の摩擦力（＝封止材料を引っ張っていく力）が大きく
なるためと推測される。
ば巻き込みボイドの低減やワイヤー流れ防止に効果があ
るが、逆に、低速で行うと、封止材料４がスキージ５と
いっしょに引っ張られて、図１の（ｂ）に示すように、
マスク３の開口部３１入口側で封止材料厚みが薄くな
り、開口部３１出口側で厚くなり易い。これは、スキー
ジ・スピードが低い場合に、スキージ５と封止材料４の
間の摩擦力（＝封止材料を引っ張っていく力）が大きく
なるためと推測される。
【００１９】前回のスキージング後、減圧度を変える前
に、５秒以上１５分以内のスキージ停止を行うことが好
ましい。この停止の間に、図１の（ｃ）にみるように、
開口部３１内の封止材料４に巻き込まれた気泡４１が封
止材料４の表面に浮き上がってくるからである。この停
止時間が５秒を下回ると気泡が完全に抜けきらないおそ
れがあり、１５分を越えると生産性が悪くなるおそれが
ある。
に、５秒以上１５分以内のスキージ停止を行うことが好
ましい。この停止の間に、図１の（ｃ）にみるように、
開口部３１内の封止材料４に巻き込まれた気泡４１が封
止材料４の表面に浮き上がってくるからである。この停
止時間が５秒を下回ると気泡が完全に抜けきらないおそ
れがあり、１５分を越えると生産性が悪くなるおそれが
ある。
【００２０】なお、封止印刷を行ったのち、上記の停止
時間をおいて、バキュームチャンバー６１内の減圧度を
大気圧に近くしたとき、封止層の表面が粗面化すること
がある。そこで、このときには、チャンバー６１内を調
圧して減圧を緩めたあと、スキージ５を再駆動させて、
確かめ刷り込み（これが最終回であってもよい）を行
う。
時間をおいて、バキュームチャンバー６１内の減圧度を
大気圧に近くしたとき、封止層の表面が粗面化すること
がある。そこで、このときには、チャンバー６１内を調
圧して減圧を緩めたあと、スキージ５を再駆動させて、
確かめ刷り込み（これが最終回であってもよい）を行
う。
【００２１】充填した封止材料４の表面には、図１の
（ｃ）に示すごとく、凹凸が生じていることがある。こ
の凹凸を小さくするためには、最終回の刷り込み時にお
けるスキージ・スピードを速くすると良い。最終回で
は、図１の（ｄ）にみるように、ワイヤーＷはすでに封
止材料４で覆われているため、スキージ・スピードを高
速にしても、ワイヤーＷが倒れるほどの力が掛からな
い。この最終回のスキージ・スピードは、１０mm／sec
〜３００mm／sec 、好ましくは１００〜２００mm／sec
である。この範囲内のスキージ・スピードであると、ス
キージ・スピードが早いので、スキージ５と封止材料４
との間の摩擦力が小さくなり、封止材料４がスキージ５
に引っ張られにくくなる結果として、封止材料４の表面
が図１の（ｅ）にみるようにフラットな形状となり、封
止材料厚みが均一になる。しかし、最終回のスキージ・
スピードが１０mm／sec よりも低いと封止材料４がスキ
ージ５に引っ張られてしまい、開口部３１内の封止材料
厚みが不均一となる。また、最終回のスキージ・スピー
ドが３００mm／sec より早くなると、ワイヤーＷにかか
る力が強くなるため、ワイヤーＷが倒れてしまうおそれ
がある。
（ｃ）に示すごとく、凹凸が生じていることがある。こ
の凹凸を小さくするためには、最終回の刷り込み時にお
けるスキージ・スピードを速くすると良い。最終回で
は、図１の（ｄ）にみるように、ワイヤーＷはすでに封
止材料４で覆われているため、スキージ・スピードを高
速にしても、ワイヤーＷが倒れるほどの力が掛からな
い。この最終回のスキージ・スピードは、１０mm／sec
〜３００mm／sec 、好ましくは１００〜２００mm／sec
である。この範囲内のスキージ・スピードであると、ス
キージ・スピードが早いので、スキージ５と封止材料４
との間の摩擦力が小さくなり、封止材料４がスキージ５
に引っ張られにくくなる結果として、封止材料４の表面
が図１の（ｅ）にみるようにフラットな形状となり、封
止材料厚みが均一になる。しかし、最終回のスキージ・
スピードが１０mm／sec よりも低いと封止材料４がスキ
ージ５に引っ張られてしまい、開口部３１内の封止材料
厚みが不均一となる。また、最終回のスキージ・スピー
ドが３００mm／sec より早くなると、ワイヤーＷにかか
る力が強くなるため、ワイヤーＷが倒れてしまうおそれ
がある。
【００２２】このように、最終回のスキージ・スピード
は初回のスキージ・スピードよりも大きくするのであ
り、これを数値で表すと、（最終回のスピード／初回の
スピード）＝１．２〜３０００である。この比率が１．
０よりも低い場合には、初回が高速、最終回が低速とな
るため、前述の理由でワイヤー流れ、ボイド混入が起こ
ったり、封止材料４を引っ張る力が強くなったりしてし
まう。１．０≦前記比率＜１．２では１．２以上の場合
に比べて最終回での樹脂引きを小さくできる速度アップ
の効果が小さくなり、封止厚みを均一にすることが難し
い、又、封止印刷の全時間も長くなり、生産性が悪い。
前記比率が３０００を上回ると初回が低速すぎて印刷の
時間が長くなりすぎ生産性が悪くなったり又は最終回が
高速となりすぎてワイヤーが倒れたりするという問題が
ある。
は初回のスキージ・スピードよりも大きくするのであ
り、これを数値で表すと、（最終回のスピード／初回の
スピード）＝１．２〜３０００である。この比率が１．
０よりも低い場合には、初回が高速、最終回が低速とな
るため、前述の理由でワイヤー流れ、ボイド混入が起こ
ったり、封止材料４を引っ張る力が強くなったりしてし
まう。１．０≦前記比率＜１．２では１．２以上の場合
に比べて最終回での樹脂引きを小さくできる速度アップ
の効果が小さくなり、封止厚みを均一にすることが難し
い、又、封止印刷の全時間も長くなり、生産性が悪い。
前記比率が３０００を上回ると初回が低速すぎて印刷の
時間が長くなりすぎ生産性が悪くなったり又は最終回が
高速となりすぎてワイヤーが倒れたりするという問題が
ある。
【００２３】上述のごとく、第２回以降では直前回より
も減圧度が緩和されているのが好ましいが、減圧度が緩
和されている場合であっても、最終回の刷り込みでの減
圧度は、５０ｋＰａ（約４００Torr）以下を維持するこ
とが好ましい。これは、空気の巻き込みが生じるのを防
ぐためである。上では第２回の刷り込みを最終回とした
が、第３回目以降を最終回としてもよい。
も減圧度が緩和されているのが好ましいが、減圧度が緩
和されている場合であっても、最終回の刷り込みでの減
圧度は、５０ｋＰａ（約４００Torr）以下を維持するこ
とが好ましい。これは、空気の巻き込みが生じるのを防
ぐためである。上では第２回の刷り込みを最終回とした
が、第３回目以降を最終回としてもよい。
【００２４】最終回の印刷封止後、大気圧に戻して空気
を導入し、マスク３を配線基板１から離すようにする。
スキージ５の材質は、封止層表面のフラット化のために
は、硬質のものであることが効果的である。ウレタンゴ
ムのごとき軟質（硬度２０〜３０°）のスキージ５ａを
使うと、図２の（ａ）にみるように、スキージ５ａの中
央が凸状にたわむため、封止材料４のかき取り量が、開
口部３１の中央部で周辺部よりも多くなり、封止層厚み
の不均一化が起きる。これに対し、硬質のスキージ５ｂ
を用いると、図２の（ｂ）にみるように、中央部のたわ
みが起こらないため、封止材料４のフラット性が良くな
り、厚みが均一になる。スキージ５の材質は、硬質であ
れば特に限定はしないが、例えば、鉄、アルミニウムな
どの金属およびその合金；フッ素樹脂、ポリカーボネー
ト、硬度７０°以上のウレタンなどの硬質プラスチッ
ク；または金属とプラスチックの複合物などが挙げられ
る。金属の表面をプラスチックコートしたものも効果的
である。硬質の度合いは、図２の（ｃ）に示したよう
に、マスクの開口部をスキージが移動している時にスキ
ージの先端がたわまないでフラットになる強度、たとえ
ば０．１kgｆ／cm以上の荷重をかけても変形しない強度
を有するものであることが好ましい。
を導入し、マスク３を配線基板１から離すようにする。
スキージ５の材質は、封止層表面のフラット化のために
は、硬質のものであることが効果的である。ウレタンゴ
ムのごとき軟質（硬度２０〜３０°）のスキージ５ａを
使うと、図２の（ａ）にみるように、スキージ５ａの中
央が凸状にたわむため、封止材料４のかき取り量が、開
口部３１の中央部で周辺部よりも多くなり、封止層厚み
の不均一化が起きる。これに対し、硬質のスキージ５ｂ
を用いると、図２の（ｂ）にみるように、中央部のたわ
みが起こらないため、封止材料４のフラット性が良くな
り、厚みが均一になる。スキージ５の材質は、硬質であ
れば特に限定はしないが、例えば、鉄、アルミニウムな
どの金属およびその合金；フッ素樹脂、ポリカーボネー
ト、硬度７０°以上のウレタンなどの硬質プラスチッ
ク；または金属とプラスチックの複合物などが挙げられ
る。金属の表面をプラスチックコートしたものも効果的
である。硬質の度合いは、図２の（ｃ）に示したよう
に、マスクの開口部をスキージが移動している時にスキ
ージの先端がたわまないでフラットになる強度、たとえ
ば０．１kgｆ／cm以上の荷重をかけても変形しない強度
を有するものであることが好ましい。
【００２５】スキージ５の先端部の形状は、図３に示し
たように、スキージ５の進行方向（図中、右向きの矢印
で表示）に対する（進行方向に向いた）面５１のマスク
３との角度（α）が鋭角（９０°＞α）であり、進行方
向と反対面５２のマスク３との角度（β）が鈍角（９０
°＜β）であることが好ましい。αが鋭角であると、そ
の面の前で封止材料を回転させながら、下方向へ押し出
すことができるため、均一に封止材料を拡げることがで
きる。αが鈍角であると、下へ押し出す力がかからず均
一に封止材料を拡げることができない。また、βが鈍角
であると、スキージ背面（反対面５２）への封止材料の
反り上り（スキージ背面と封止材料の摩擦抵抗力によっ
て上にくっついてくること）を防止することができる。
βが鋭角であると、スキージ背面に封止材料が反り上っ
てくるために、印刷した封止材料表面にスジ状のもよう
ができ、均一な封止物が得られなくなる。
たように、スキージ５の進行方向（図中、右向きの矢印
で表示）に対する（進行方向に向いた）面５１のマスク
３との角度（α）が鋭角（９０°＞α）であり、進行方
向と反対面５２のマスク３との角度（β）が鈍角（９０
°＜β）であることが好ましい。αが鋭角であると、そ
の面の前で封止材料を回転させながら、下方向へ押し出
すことができるため、均一に封止材料を拡げることがで
きる。αが鈍角であると、下へ押し出す力がかからず均
一に封止材料を拡げることができない。また、βが鈍角
であると、スキージ背面（反対面５２）への封止材料の
反り上り（スキージ背面と封止材料の摩擦抵抗力によっ
て上にくっついてくること）を防止することができる。
βが鋭角であると、スキージ背面に封止材料が反り上っ
てくるために、印刷した封止材料表面にスジ状のもよう
ができ、均一な封止物が得られなくなる。
【００２６】なお、スキージのマスクと接している部分
の形状は、α、βの上記角度（αが鋭角、βが鈍角）が
実現できるのであれば、図３の（ａ）に示すような線接
触でも図３の（ｂ）に示すような面接触でもかまわな
い。スキージ先端部の固定は、図４の（ａ）に示すよう
に、上記スキージ面５１、５２のマスク３との接する角
度を実現するために、スキージ先端部固定治具５５と印
刷装置本体５６との間に可撓部分５７を有する構造であ
ることが必要である。可撓部分５７の機構は、スキージ
５にかける印圧に十分耐えるだけのＺ方向の機械的強度
の高いものである必要がある。但し、角度を変えること
が可能であるような機構を持つものであることが必要と
なる。この機構によって、スキージ５の往復動作を行っ
ても常に最適なスキージ角度を実現することが可能とな
る。図４に示す可撓部分５７の代わりに、図４の（ｂ）
に示すように、スキージ５を昇降可能な印刷装置本体５
６に軸支するようにしてもよい。
の形状は、α、βの上記角度（αが鋭角、βが鈍角）が
実現できるのであれば、図３の（ａ）に示すような線接
触でも図３の（ｂ）に示すような面接触でもかまわな
い。スキージ先端部の固定は、図４の（ａ）に示すよう
に、上記スキージ面５１、５２のマスク３との接する角
度を実現するために、スキージ先端部固定治具５５と印
刷装置本体５６との間に可撓部分５７を有する構造であ
ることが必要である。可撓部分５７の機構は、スキージ
５にかける印圧に十分耐えるだけのＺ方向の機械的強度
の高いものである必要がある。但し、角度を変えること
が可能であるような機構を持つものであることが必要と
なる。この機構によって、スキージ５の往復動作を行っ
ても常に最適なスキージ角度を実現することが可能とな
る。図４に示す可撓部分５７の代わりに、図４の（ｂ）
に示すように、スキージ５を昇降可能な印刷装置本体５
６に軸支するようにしてもよい。
【００２７】
【実施例】以下に、本発明の実施例と、本発明の範囲を
外れた比較例とを示すが、本発明は下記実施例に限定さ
れない。 （実施例１〜９および比較例１〜８）封止材料４として
は、松下電工株式会社製「パナシーラーＣＶ５４２０」
（粘度７００ｐｓ（２５℃でＢ型粘度計によって測
定）、チクソトロピー指数１．２（２５℃でＢ型粘度計
によって測定））を用いた。
外れた比較例とを示すが、本発明は下記実施例に限定さ
れない。 （実施例１〜９および比較例１〜８）封止材料４として
は、松下電工株式会社製「パナシーラーＣＶ５４２０」
（粘度７００ｐｓ（２５℃でＢ型粘度計によって測
定）、チクソトロピー指数１．２（２５℃でＢ型粘度計
によって測定））を用いた。
【００２８】マスク３は、ステンレスＳＵＳ３０４製、
厚み１．０mmのもので、サイズ２０×２０mmの開口部３
１を持つものを使用した。１２×１２×０．３mmサイズ
の半導体素子２を金ワイヤー（３０μｍ径）４４本で配
線基板１であるガラス−エポキシ基板上に実装したもの
を封止した。このとき、半導体素子２の搭載位置に合わ
せた開口部３１を有するマスク３を、開口部３１の内側
に半導体素子２を位置させるようにして配線基板１に重
ね、マスク３上に供給された封止材料４をスキージ５を
往復させて開口部３１に刷り込んだ。印刷時の基板と樹
脂の温度は３０℃±０．５℃とした。
厚み１．０mmのもので、サイズ２０×２０mmの開口部３
１を持つものを使用した。１２×１２×０．３mmサイズ
の半導体素子２を金ワイヤー（３０μｍ径）４４本で配
線基板１であるガラス−エポキシ基板上に実装したもの
を封止した。このとき、半導体素子２の搭載位置に合わ
せた開口部３１を有するマスク３を、開口部３１の内側
に半導体素子２を位置させるようにして配線基板１に重
ね、マスク３上に供給された封止材料４をスキージ５を
往復させて開口部３１に刷り込んだ。印刷時の基板と樹
脂の温度は３０℃±０．５℃とした。
【００２９】スキージングは、初回と最終回の１往復と
し、その際のスピード、減圧度、スキージ停止時間、お
よび、スキージ材質を表１に示すごとく変えた。スキー
ジの形状は、図３の（ａ）で示した様なナイフ形状（先
端は線接触型）で、α＝３０°、β＝１２０°となるも
のを用いた。初回と最終回との各スキージングでそれぞ
れスキージの先端部分のマスクに対する角度が上方部分
が前になるように傾いた状態（α＝３０°、β＝１２０
°）でスキージを保持し、初回と最終回との間でスキー
ジの傾きを変えた。
し、その際のスピード、減圧度、スキージ停止時間、お
よび、スキージ材質を表１に示すごとく変えた。スキー
ジの形状は、図３の（ａ）で示した様なナイフ形状（先
端は線接触型）で、α＝３０°、β＝１２０°となるも
のを用いた。初回と最終回との各スキージングでそれぞ
れスキージの先端部分のマスクに対する角度が上方部分
が前になるように傾いた状態（α＝３０°、β＝１２０
°）でスキージを保持し、初回と最終回との間でスキー
ジの傾きを変えた。
【００３０】封止材料４を開口部３１に刷り込んでから
マスク３を取り外した後、樹脂の硬化を、１００℃，１
ｈ＋１５０℃，３ｈで行って半導体装置を得た。樹脂厚
みは、厚み１．０mmのメタルマスク３の開口部に表１に
示す材質のスキージで表１に示す条件で印刷して得られ
た封止物について、図６に示すように、スキージ移動範
囲の中央部での封止材料４厚みａ、封止材料４の最も厚
い部分厚みｂ、ｂ−ａ＝ｔ（硬化物で比較）を求め、ｔ
を表１に示した。単位はいずれもμｍである。一般に、
ｔ≦５０μｍが実用的であると言われているので、ｔ≦
５０μｍのものが良好である。
マスク３を取り外した後、樹脂の硬化を、１００℃，１
ｈ＋１５０℃，３ｈで行って半導体装置を得た。樹脂厚
みは、厚み１．０mmのメタルマスク３の開口部に表１に
示す材質のスキージで表１に示す条件で印刷して得られ
た封止物について、図６に示すように、スキージ移動範
囲の中央部での封止材料４厚みａ、封止材料４の最も厚
い部分厚みｂ、ｂ−ａ＝ｔ（硬化物で比較）を求め、ｔ
を表１に示した。単位はいずれもμｍである。一般に、
ｔ≦５０μｍが実用的であると言われているので、ｔ≦
５０μｍのものが良好である。
【００３１】ボイドの有無は、樹脂硬化物を切断し、ボ
イドの有無を目視（倍率３０倍）で確認し、次の基準で
評価した。 ○：ボイド無し、△：ほとんど無し、×：ボイド多数有
り。 ワイヤー流れ有無は、樹脂硬化物を軟Ｘ線（装置はハイ
テックス（株）製使用）で確認し、次の基準で評価し
た。
イドの有無を目視（倍率３０倍）で確認し、次の基準で
評価した。 ○：ボイド無し、△：ほとんど無し、×：ボイド多数有
り。 ワイヤー流れ有無は、樹脂硬化物を軟Ｘ線（装置はハイ
テックス（株）製使用）で確認し、次の基準で評価し
た。
【００３２】○：ワイヤー流れ無し、△：ほとんど無
し、×：ワイヤー流れ有り。
し、×：ワイヤー流れ有り。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１にみるように、実施例で得られた半導
体装置は、樹脂厚み差が小さく、ボイドも少なく、ワイ
ヤー流れがあまり起きていない。これに対し、比較例の
ものはワイヤー流れが起きているか、樹脂厚み差が大き
いか、あるいは、ボイドが生じていた。
体装置は、樹脂厚み差が小さく、ボイドも少なく、ワイ
ヤー流れがあまり起きていない。これに対し、比較例の
ものはワイヤー流れが起きているか、樹脂厚み差が大き
いか、あるいは、ボイドが生じていた。
【００３５】
【発明の効果】本発明にかかる半導体装置の製造方法に
よれば、複数回の封止印刷のうちの初回の封止印刷はス
キージのスピードを０．１mm／sec 〜７０mm／sec の低
速にして行い、最終回の封止印刷はスキージのスピード
を１０mm／sec 〜３００mm／sec の高速にして行う〔た
だし、（最終回目のスピード／第１回目のスピード）＝
１．２〜３０００である。〕ことによって封止材料で半
導体素子を封止するため、ワイヤー流れが起きず、封止
材料の厚みが均一で封止物表面に凹みがない封止をする
ことができる。
よれば、複数回の封止印刷のうちの初回の封止印刷はス
キージのスピードを０．１mm／sec 〜７０mm／sec の低
速にして行い、最終回の封止印刷はスキージのスピード
を１０mm／sec 〜３００mm／sec の高速にして行う〔た
だし、（最終回目のスピード／第１回目のスピード）＝
１．２〜３０００である。〕ことによって封止材料で半
導体素子を封止するため、ワイヤー流れが起きず、封止
材料の厚みが均一で封止物表面に凹みがない封止をする
ことができる。
【００３６】刷り込み時における減圧度を、初回が３．
９ｋＰａ以下であり、第２回以降は直前回より緩和され
た減圧度になるよう調節することにより、減圧度変更時
に、封止材料表面に圧力差に基づく加圧力が掛かり、充
填を十分にすることができ、封止物表面により凹みが生
じにくくなる。減圧度を変える前に、５秒以上１５分以
内の間、一旦スキージを停止させた後、減圧度を変える
ようにすることにより、気泡が封止材料の上面に浮き上
がり、未充填部分が残りにくくなる。
９ｋＰａ以下であり、第２回以降は直前回より緩和され
た減圧度になるよう調節することにより、減圧度変更時
に、封止材料表面に圧力差に基づく加圧力が掛かり、充
填を十分にすることができ、封止物表面により凹みが生
じにくくなる。減圧度を変える前に、５秒以上１５分以
内の間、一旦スキージを停止させた後、減圧度を変える
ようにすることにより、気泡が封止材料の上面に浮き上
がり、未充填部分が残りにくくなる。
【００３７】本発明にかかる半導体装置製造用スキージ
装置によれば、スキージは、少なくとも移動時におい
て、その先端部分のマスクに対する角度が上方部分が前
になるように傾いており、移動方向が変わるごとにスキ
ージの傾きを変えるようになっているので、マスクの向
きなどに合わせてスジ状のもようの生じにくい角度をと
りやすくなり、また、往移動用のスキージと復移動用の
スキージとの２つのスキージを設けることなく往復移動
に同じスキージを用いることができるようになってコス
トを下げることができる。
装置によれば、スキージは、少なくとも移動時におい
て、その先端部分のマスクに対する角度が上方部分が前
になるように傾いており、移動方向が変わるごとにスキ
ージの傾きを変えるようになっているので、マスクの向
きなどに合わせてスジ状のもようの生じにくい角度をと
りやすくなり、また、往移動用のスキージと復移動用の
スキージとの２つのスキージを設けることなく往復移動
に同じスキージを用いることができるようになってコス
トを下げることができる。
【００３８】スキージは、少なくとも先端が、刷り込み
時において前記先端が開口部上を移動する際にも変形し
ない程度の硬質材料からなっていると、封止材料のフラ
ット性がより良くなり、厚みがより均一になる。少なく
とも移動時におけるスキージは、少なくとも先端部分に
おいて、その進行方向に向く面が鋭角（９０°＞）とな
り、進行方向と反対側の面が鈍角（９０°＜）となるよ
うに構成されていると、封止材料の上面にスジ状のもよ
うが生じにくくなり、より均一な封止物が得られる。
時において前記先端が開口部上を移動する際にも変形し
ない程度の硬質材料からなっていると、封止材料のフラ
ット性がより良くなり、厚みがより均一になる。少なく
とも移動時におけるスキージは、少なくとも先端部分に
おいて、その進行方向に向く面が鋭角（９０°＞）とな
り、進行方向と反対側の面が鈍角（９０°＜）となるよ
うに構成されていると、封止材料の上面にスジ状のもよ
うが生じにくくなり、より均一な封止物が得られる。
【図１】本発明にかかる製造方法の一実施例を工程順に
表す部分的断面図。
表す部分的断面図。
【図２】本発明に使用されるスキージの材質による違い
を示す部分的側断面図（ａ）、（ｂ）と、このときの平
面図（ｃ）。
を示す部分的側断面図（ａ）、（ｂ）と、このときの平
面図（ｃ）。
【図３】スキージのマスクに対する角度を表す部分的側
断面図（ａ）、（ｂ）。
断面図（ａ）、（ｂ）。
【図４】本発明にかかるスキージ装置の二実施例を表す
拡大図（ａ）、（ｂ）。
拡大図（ａ）、（ｂ）。
【図５】本発明にかかる半導体装置の製造方法の一実施
例を示す側面図。
例を示す側面図。
【図６】実施例において樹脂厚み差を調べる方法を示す
側断面図。
側断面図。
【図７】従来のマスクの使用状態を示す部分的側断面図
（ａ）とこのマスクを使用して得られた封止型半導体装
置の部分的側断面図（ｂ）。
（ａ）とこのマスクを使用して得られた封止型半導体装
置の部分的側断面図（ｂ）。
１ 配線基板 ２ 半導体素子 ５ スキージ ３ マスク ３１ 開口部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−114620（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−157069（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−188889（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56 B05D 1/28 B41F 15/40 B41N 1/24
Claims (6)
- 【請求項１】配線基板に半導体素子を電気的に接続して
搭載し、半導体素子の搭載位置に合わせた開口部を有す
るマスクを、前記開口部の内側に半導体素子を位置させ
るようにして配線基板に重ね、前記マスク上に供給され
た封止材料を減圧条件下においてスキージを往復させて
前記開口部に刷り込むことにより、配線基板上に封止印
刷する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前
記封止印刷する際に、初回の刷り込みはスキージのスピ
ードを０．１mm／sec 〜７０mm／sec の低速にして行
い、最終回の刷り込みはスキージのスピードを（最終回
のスピード／初回のスピード）＝１．２〜３０００の条
件の下で１０mm／sec 〜３００mm／sec の高速にして行
うことを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】刷り込み時における減圧度を、初回が３．
９ｋＰａ以下であり、第２回以降は直前回より緩和され
た減圧度になるよう調節する、請求項１に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】減圧度を変える前に、５秒以上１５分以内
の間、一旦スキージを停止させた後、減圧度を変える、
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】請求項１から３までのいずれかに記載の半
導体装置の製造方法に用いられるスキージ装置であっ
て、前記スキージは、少なくとも移動時において、その
先端部分のマスクに対する角度が上方部分が前になるよ
うに傾いた状態で保持されるようになっており、移動方
向が変わるごとに前記スキージの傾きを変えるようにな
っていることを特徴とする、半導体装置製造用スキージ
装置。 - 【請求項５】少なくとも移動時における前記スキージ
は、少なくとも先端部分において、その進行方向に向く
面がマスク面と鋭角（９０°＞）をなし、進行方向と反
対側の面がマスク面と鈍角（９０°＜）をなすように構
成されている、請求項４に記載のスキージ装置。 - 【請求項６】前記スキージは、少なくとも先端が、刷り
込み時において前記先端が開口部上を移動する際にも変
形しない程度の硬質材料からなっている、請求項４また
は５に記載のスキージ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20094998A JP3312874B2 (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 半導体装置の製造方法、この方法に用いるスキージ装置および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20094998A JP3312874B2 (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 半導体装置の製造方法、この方法に用いるスキージ装置および半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031174A JP2000031174A (ja) | 2000-01-28 |
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|---|---|---|---|
| JP20094998A Expired - Fee Related JP3312874B2 (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 半導体装置の製造方法、この方法に用いるスキージ装置および半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3312874B2 (ja) |
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