JP3304632B2 - インターリーブ方法およびインターリーブ回路 - Google Patents

インターリーブ方法およびインターリーブ回路

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【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、誤り訂正を目的とし
たインターリーブ方法およびインターリーブ回路の改良
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来よりよく知られているように、イン
ターリーブ方式を採用することで誤り訂正符号における
バースト誤りの訂正能力が向上する。つまり、インター
リーブ方式を適用することでバースト誤りが分散するこ
とになり(誤りの集中が緩和される)、誤り訂正符号が
本来もっている訂正能力の範囲内に誤りの集中を抑える
ことが可能になる。
【0003】図1はインターリーブ回路の構成を示す。
2はセレクタ、100及び200はそれぞれメモリ回路
ブロック、6はメモリ回路ブロック100および200
に並列データを取り込むためのコントローラ、7はメモ
リ回路ブロック100および200からの出力データを
制御するコントローラ、8はセレクタである。メモリ回
路ブロック100の内部はシリアル/パラレル変換器3
1、m個のFIFOメモリ401〜40m、出力データ
セレクタ51で構成されており、メモリ回路ブロック2
00も同様に構成されており、シリアル/パラレル変換
器32、m個のFIFOメモリ411〜41m、出力デ
ータセレクタ52からなる。
【0004】セレクタ2は入力データストリームをメモ
リ回路ブロック100側に送り込むか、あるいは200
側に送り込むかを切り替えている。今、かりにセレクタ
2がメモリ回路ブロック100を選択しているとすると
このメモリ回路ブロック100は書き込みモードであ
り、もう一方のメモリ回路ブロック200は読み出しモ
ードになっている。そして、セレクタ8は読み出しモー
ドのメモリ回路ブロック200を選択し、メモリの内容
が出力される。書き込みモードのメモリ回路ブロック1
00へ規定数のデータを書き終えたとき、読み出しモー
ドのメモリ回路ブロック200からのデータもちょうど
読み終えるので、それぞれのメモリ回路ブロックのモー
ドを逆転して同様の動作を繰り返す。
【0005】ここで従来のメモリ回路ブロックの動作を
説明する。メモリ回路ブロック100が書き込みモード
時にはセレクタ2からの入力データはシリアル/パラレ
ル変換器31に供給される。シリアル/パラレル変換器
31では供給されたデータを入力側コントローラ6の制
御のもとにm個のパラレルデータ変換し、FIFO40
1〜FIFO40mまでのm個のFIFOに書き込んで
ゆく。図2にはこのシリアル/パラレル変換器31とF
IFOメモリ401〜40mとの接続を示した。このよ
うにパラレル/シリアル変換器31により入力されたm
個のデータを順次FIFO401からFIFO40mま
でのFIFOに書き込み、順次このような書き込み動作
を繰り返して規定数のデータをメモリに書き込んでゆ
く。
【0006】一方、この時メモリ回路ブロック200は
読み出しモードであり、出力側セレクタコントローラ7
の制御のもとに最初にFIFO411に書き込まれたす
べてのデータを読み出し、このFIFO411に書き込
まれたデータをすべて読み出した後、次のFIFO41
2のデータを読み出し、同様にFIFO41mまでのす
べてのFIFOに書き込まれたデータを逐次読み出す。
セレクタ52はこのように読み出されたFIFO出力を
セレクタ8に供給するように切り替え動作を行ってい
る。セレクタ8は読み出しモード側のメモリ回路ブロッ
クの出力を選択しているから、このセレクタ52の出力
がセレクタ8より出力され出力データストリームにな
る。
【0007】図3はコントローラ6,7の具体的構成を
示す。61および71はm進カウンタであり72はn進
カウンタである。上述の動作を行うためにコントローラ
6のm進カウンタ61はm個のデータクロック毎にS/
P変換器のロード信号を発生し、実際にこのmビットの
並列データをFIFO401からFIFO40mのFI
FOに書き込んでゆく。またコントローラ7はm進カウ
ンタ71とn進カウンタ72で構成されており、n進カ
ウンタ72でたとえばFIFO401の全内容を読み出
したことを検出してm進カウンタ71の状態を進めるよ
うに構成している。具体的には、n進カウンタ72のn
カウント出力毎に、m進カウンタ71のクロックをイネ
ーブルして状態を進めるように構成している。そして、
このm進カウンタ71のカウント出力を出力側セレクタ
51および52の制御信号としている。
【0008】図4はこのような従来のインターリーブ方
式によるメモリのアクセス状況を説明している。図示し
たようにメモリ回路ブロックにおける2次元行列的に構
成されたメモリの書き込み及び読み出しの方向が隣あう
行および列の順にシーケンシャルであることに特徴があ
る。この結果、図5に示すように出力データストリーム
は入力データの位置が入れ替えられて出力される。
【0009】このようなインターリーブ回路はブロック
符号と畳み込み符号の連接符号化を行う場合にしばしば
用いられる。連接符号化された受信データストリームの
畳み込み符号をビタビ複号すると、もし訂正能力以上の
伝送路誤りがあるとビタビ複号回路はバースト的な誤り
を発生する。インターリーブ処理を施さなければ、外符
号として連接されたブロック符号の一つのブロックの中
に誤りが集中してしまい、このブロック内の誤りを訂正
できなくなる。しかし、インターリーブ処理を施すこと
により、このバースト的な誤りを分散させることができ
るので、ブロック符号で分散された誤りを訂正できるの
である。
【0010】またフェーディングにより受信レベルが低
下し、いわゆる瞬時C/Nが低下して誤りがバースト的
に発生するような伝送路において、このインターリーブ
方式がしばしば使用される。この場合も、インターリー
ブ処理を行うことによって、誤り訂正能力以上の誤りが
フェーディングにより集中的に発生することがなくな
り、誤りを分散させることによって効果的な誤り訂正を
施すことができる。
【0011】このように、インターリーブ処理はバース
ト的に集中して発生する誤りを分散させることによって
誤り訂正処理の効果を向上させることを目的に用いられ
ているので、その能力はいかに誤りを分散させるかで評
価される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】従来のインターリーブ
方式では、図4および図5に示したように、m行n列の
マトリックス状に構成されているメモリを用いたとき、
入力データはnデータ毎に分散される。したがって、入
力データの分散間隔を大きくするにはメモリの回路規模
を大きくする必要がある。
【0013】この発明の目的は、メモリの回路規模を大
きくしなくても、入力データの分散間隔を従来よりも大
きくすることができるようにしたインターリーブ方法
よびインターリーブ回路を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】第1の発明では、行列2
次元配列の記憶セルアレイを有する2組のメモリに対し
て、一方のメモリの読み出し動作と他方のメモリの書き
込み動作とが交互に逆になるように制御して共通の入出
力データストリームを取り扱うインターリーブ方法にお
いて、一方の書き込みモードのメモリに対しては、記憶
セルアレイの行方向に入力データを順次連続的に書き込
み、その行の書き込みを終えたならば、隣の行について
同様の書き込み動作を順次行い、他方の読み出しモード
のメモリに対しては、記憶セルアレイの列方向に順次連
続的にデータを読み出し、その列のすべてのデータを読
み出したならば、セット分割法又はビット反転法により
規定された非連続的な順序でつぎに読み出すべき列の選
択を行い、選択された列について同様の読み出し動作を
順次行い、それぞれのメモリに対して前記の書き込みモ
ードおよび読み出しモードの一連の動作を終えたなら
ば、両メモリの動作モードを逆転させて同様な動作を繰
り返すようにした。
【0015】第2の発明では、行列2次元配列の記憶セ
ルアレイを有する2組のメモリに対して、一方のメモリ
の読み出し動作と他方のメモリの書き込み動作とが交互
に逆になるように制御して共通の入出力データストリー
ムを取り扱うインターリーブ方法において、一方の書き
込みモードのメモリに対しては、記憶セルアレイの行方
向に順次連続的に入力データを書き込み、その行の書き
込みを終えたならば、セット分割法又はビット反転法に
より規定された非連続的な順序でつぎに書き込むべき
の選択を行い、選択された行について同様の書き込み動
作を順次行い、他方の読み出しモードのメモリに対して
は、記憶セルアレイの列方向にデータを順次連続的に読
み出し、その列のすべてのデータを読み出したならば、
隣の列について同様の読み出し動作を順次行い、それぞ
れのメモリに対して前記の書き込みモードおよび読み出
しモードの一連の動作を終えたならば、両メモリの動作
モードを逆転させて同様な動作を繰り返すようにした。
【0016】また第1の発明のインターリーブ方法を適
用したインターリーブ回路は、行列2次元配列の記憶セ
ルアレイを有する2組のメモリに対して、一方のメモリ
の読み出し動作と他方のメモリの書き込み動作とが交互
に逆になるように制御して共通の入出力データストリー
ムを取り扱うインターリーブ回路であって、一方の書き
込みモードのメモリに対しては、記憶セルアレイの行方
向に入力データを順次連続的に書き込み、その行の書き
込みを終えたならば、隣の行について同様の書き込み動
作を順次行う書き込み順序制御手段と、他方の読み出し
モードのメモリに対しては、記憶セルアレイの列方向に
順次連続的にデータを読み出し、その列のすべてのデー
タを読み出したならば、セット分割法又はビット反転法
により規定された非連続的な順序でつぎに読み出すべき
列の選択を行い、選択された列について同様の読み出し
動作を順次行う読み出し順序制御手段と、それぞれのメ
モリに対して前記の書き込みモードおよび読み出しモー
ドの一連の動作を終えたならば、両メモリの動作モード
を逆転させて同様な動作を繰り返すモード切り替え制御
手段とを備える。
【0017】また第2の発明のインターリーブ方法を適
用したインターリーブ回路は、行列2次元配列の記憶セ
ルアレイを有する2組のメモリに対して、一方のメモリ
の読み出し動作と他方のメモリの書き込み動作とが交互
に逆になるように制御して共通の入出力データストリー
ムを取り扱うインターリーブ回路であって、一方の書き
込みモードのメモリに対しては、記憶セルアレイの行方
向に順次連続的に入力データを書き込み、その行の書き
込みを終えたならば、セット分割法又はビット反転法に
より規定された非連続的な順序でつぎに書き込むべき
の選択を行い、選択された行について同様の書き込み動
作を順次行う書き込み順序制御手段と、他方の読み出し
モードのメモリに対しては、記憶セルアレイの列方向に
データを順次連続的に読み出し、その列のすべてのデー
タを読み出したならば、隣の列について同様の読み出し
動作を順次行う読み出し順序制御手段と、それぞれのメ
モリに対して前記の書き込みモードおよび読み出しモー
ドの一連の動作を終えたならば、両メモリの動作モード
を逆転させて同様な動作を繰り返すモード切り替え制御
手段とを備える。
【0018】
【0019】
【作用】書き込みモードか読み出しモードのいずれか一
方の動作において、セット分割法あるいはビット反転法
に従った非連続的な順序でメモリをアクセスすること
で、入力データの分散間隔を、同一の回路規模のメモリ
について従来の方式よりも大きくすることができ、誤り
訂正の特性が向上する。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
【0021】対象とするインターリーブ回路の構成は図
1で表現されたレベルでは従来例と同一であるが、シリ
アル/パラレル変換器31および32からFIFO40
1〜40mおよびFIFO411〜41mへの接続が異
なる。従来例におけるメモリのアクセスは、図2に示し
たように、インターリーブメモリの行および列の若い順
に読み書きを行っていた。これに対して本発明では、メ
モリへの書き込み(またはメモリからの読み出し)時は
従来どうりにメモリをアクセスするが、メモリからの読
み出し(またはメモリへの書き込み)時にはあらかじめ
決められた規則に従った順序による。この規則としてセ
ット分割法とビット反転法を用いていることが特徴であ
る。
【0022】図6はセット分割法の例を示す。この例の
ように、たとえばFIFO数が8のメモリからなる集合
があったとき、この集合をそれぞれの最小ユークリッド
距離がもとの集合の最小ユークリッド距離よりも大きく
なるようなふたつの四つのFIFOからなる集合に分割
し、さらにこの分割した集合に対しても順次同様の分割
を繰り返し行ってゆく。そして各FIFOに対して読み
出し順序番号を割り振る。この図6の例では隣あう順序
番号間では平均では約3.8行、最小でも2行離れてお
り、従来の常に1行しか離れない配列よりもデータを分
散させることができていることがわかる。さらに図7に
は同様のセット分割法を用いて図6とは異なる位置番号
および順序番号を割り当てた例であるが、この例での隣
あう順序番号間では約4.4行、最小でも3行離れてお
り、図6の割り当てよりもさらにデータを分散させるこ
とができる。
【0023】図8(a),(b)はビット反転法による
順序規則の定義の仕方について説明している。この方法
はFIFO401〜40mに順にメモリ行番号を割り付
け、このメモリ行番号を2進数で表した数のビットの並
び順を反転した数を求め、このビット反転数に従ってF
IFOからの読み出し順序を決定する手法である。この
ビット反転法を用いたときも隣合う順序番号間では平均
で約3.6行、最小でも2行離れており、このようなビ
ット反転法による順序規則を用いても従来の常に1行し
か離れない配列よりもデータを分散させことができる。
【0024】図9は図6の割り当て法の順序番号に従っ
てその位置番号に相当するメモリの行あるいは列番号を
呼んでゆくときの本発明の第1の実施例によるメモリア
クセスの方法を示す。このようなメモリアクセスを実現
する回路として図1のインターリーブ回路を用いること
ができるが、入出力回路としては図10に示したように
メモリからの読み出し順序を制御するために、あらかじ
め読み出し順序がプログラムされたROM70をm進カ
ウンタ71の出力でアクセスしている。
【0025】第1の実施例である図9および図10の例
ではメモリへの書き込みは従来どうりとし、メモリから
の読み出しの時に読み出し順序をあらかじめプログラム
されたROMを用いて制御していたが、第2の実施例と
して逆にメモリへの書き込み時に書き込み順序を制御
し、メモリからの読み出しの時には従来どうりにFIF
O1からFIFOmまで順序読み出してゆくこともでき
る。このようなメモリのアクセス法を図11に示した。
この図11に示すようなメモリアクセス法は図1の従来
のインターリーブ回路においてシリアル/パラレル変換
部31および32を図12のように構成するだけで実現
できる。即ちシリアル/パラレル変換器31および32
からのパラレル出力の各ビットをメモリからの読み出し
順序規則に対応して接続する構成にする。このようにシ
リアル/パラレル変換器の各ビットとFIFOの接続の
対応を変えるだけで入出力制御回路6および7も従来の
どうりでよいので、第1の実施例のようにROMを追加
する必要もない。
【0026】
【発明の効果】以上述べたように、本発明ではメモリア
クセス順序にセット分割法やビット反転法などの規則を
用いることで、メモリの回路規模を大きくすることな
く、従来よりも大きな間隔に入力データを分散できるよ
うなインターリーブ方法および回路となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】インターリーブ回路の構成(従来と本発明に共
通する)を説明する図。
【図2】従来のシリアル/パラレル変換器とFIFOメ
モリの接続を説明する図。
【図3】従来の入出力制御回路の構成図。
【図4】従来のインターリーブメモリの構成とそのアク
セス法を説明する図。
【図5】従来のインターリーブメモリの入出力データス
トリームの概念図。
【図6】第1のセット分割法による順序規則を説明する
図。
【図7】第2のセット分割法による順序規則を説明する
図。
【図8】(a)はビット反転法によるメモリ行番号と読
み出し順序番号の対応を示す図、(b)はビット反転法
による順序規則を説明する図。
【図9】(a),(b)はそれぞれ第1の実施例におけ
るインターリーブメモリのアクセス法を示す概念図。
【図10】第1の実施例における入出力回路の構成を説
明する図。
【図11】(a),(b)はそれぞれ第2の実施例にお
けるインターリーブメモリのアクセス法を示す概念図。
【図12】第2の実施例におけるシリアル/パラレル変
換器とFIFOの接続を説明する図。
【符号の説明】
1…入力データストリーム 2…セレクタ 100,200…メモリ回路ブロック 6,7…コントローラ 8…セレクタ 9…出力データストリーム 31,32…シリアル/パラレル変換器 401〜40n…FIFOメモリ 411〜41n…FIFOメモリ 51,52…出力データセレクタ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−208925(JP,A) 特開 平2−135924(JP,A) 特開 平2−143714(JP,A) 特開 平3−242027(JP,A) 特開 平7−202728(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03M 13/00 G06F 11/10 330 G06F 12/16 320 H04B 14/04

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 行列2次元配列の記憶セルアレイを有す
    る2組のメモリに対して、一方のメモリの読み出し動作
    と他方のメモリの書き込み動作とが交互に逆になるよう
    に制御して共通の入出力データストリームを取り扱うイ
    ンターリーブ方法において、 一方の書き込みモードのメモリに対しては、記憶セルア
    レイの行方向に入力データを順次連続的に書き込み、そ
    の行の書き込みを終えたならば、隣の行について同様の
    書き込み動作を順次行い、 他方の読み出しモードのメモリに対しては、記憶セルア
    レイの列方向に順次連続的にデータを読み出し、その列
    のすべてのデータを読み出したならば、セット分割法又
    はビット反転法により規定された非連続的な順序でつぎ
    に読み出すべき列の選択を行い、選択された列について
    同様の読み出し動作を順次行い、 それぞれのメモリに対して前記の書き込みモードおよび
    読み出しモードの一連の動作を終えたならば、両メモリ
    の動作モードを逆転させて同様な動作を繰り返すことを
    特徴とするインターリーブ方法。
  2. 【請求項2】 行列2次元配列の記憶セルアレイを有す
    る2組のメモリに対して、一方のメモリの読み出し動作
    と他方のメモリの書き込み動作とが交互に逆になるよう
    に制御して共通の入出力データストリームを取り扱うイ
    ンターリーブ方法において、 一方の書き込みモードのメモリに対しては、記憶セルア
    レイの行方向に順次連続的に入力データを書き込み、そ
    の行の書き込みを終えたならば、セット分割法又はビッ
    ト反転法により規定された非連続的な順序でつぎに書き
    込むべき行の選択を行い、選択された行について同様の
    書き込み動作を順次行い、 他方の読み出しモードのメモリに対しては、記憶セルア
    レイの列方向にデータを順次連続的に読み出し、その列
    のすべてのデータを読み出したならば、隣の列について
    同様の読み出し動作を順次行い、 それぞれのメモリに対して前記の書き込みモードおよび
    読み出しモードの一連の動作を終えたならば、両メモリ
    の動作モードを逆転させて同様な動作を繰り返すことを
    特徴とするインターリーブ方法。
  3. 【請求項3】 行列2次元配列の記憶セルアレイを有す
    る2組のメモリに対して、一方のメモリの読み出し動作
    と他方のメモリの書き込み動作とが交互に逆になるよう
    に制御して共通の入出力データストリームを取り扱うイ
    ンターリーブ回路であって、 一方の書き込みモードのメモリに対しては、記憶セルア
    レイの行方向に入力データを順次連続的に書き込み、そ
    の行の書き込みを終えたならば、隣の行について同様の
    書き込み動作を順次行う書き込み順序制御手段と、 他方の読み出しモードのメモリに対しては、記憶セルア
    レイの列方向に順次連続的にデータを読み出し、その列
    のすべてのデータを読み出したならば、セット分割法又
    はビット反転法により規定された非連続的な順序でつぎ
    に読み出すべき列の選択を行い、選択された列について
    同様の読み出し動作を順次行う読み出し順序制御手段
    と、 それぞれのメモリに対して前記の書き込みモードおよび
    読み出しモードの一連の動作を終えたならば、両メモリ
    の動作モードを逆転させて同様な動作を繰り返すモード
    切り替え制御手段とを備えたことを特徴とするインター
    リーブ回路。
  4. 【請求項4】 行列2次元配列の記憶セルアレイを有す
    る2組のメモリに対して、一方のメモリの読み出し動作
    と他方のメモリの書き込み動作とが交互に逆になるよう
    に制御して共通の入出力データストリームを取り扱うイ
    ンターリーブ回路であって、 一方の書き込みモードのメモリに対しては、記憶セルア
    レイの行方向に順次連続的に入力データを書き込み、そ
    の行の書き込みを終えたならば、セット分割法又はビッ
    ト反転法により規定された非連続的な順序でつぎに書き
    込むべき行の選択を行い、選択された行について同様の
    書き込み動作を順次行う書き込み順序制御手段と、 他方の読み出しモードのメモリに対しては、記憶セルア
    レイの列方向にデータを順次連続的に読み出し、その列
    のすべてのデータを読み出したならば、隣の列について
    同様の読み出し動作を順次行う読み出し順序制御手段
    と、 それぞれのメモリに対して前記の書き込みモードおよび
    読み出しモードの一連の動作を終えたならば、両メモリ
    の動作モードを逆転させて同様な動作を繰り返 すモード
    切り替え制御手段とを備えたことを特徴とするインター
    リーブ回路。
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