JP3302698B2 - 調整可能な減衰器を有する集積エバネセントモードフィルタ - Google Patents
調整可能な減衰器を有する集積エバネセントモードフィルタInfo
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
-
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- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 発明の分野 本発明は、モノリシックなマイクロ波集積回路（MMI
C）モジュール上での集積と両立する調整可能な減衰器
が集積された導波管エバネセントモードフィルタに関す
る。
C）モジュール上での集積と両立する調整可能な減衰器
が集積された導波管エバネセントモードフィルタに関す
る。
従来技術の説明 導波管フィルタは、低い通過帯域挿入損失特性と、高
い帯域外排除特性を容易に達成することができ、それは
フィルタにとって望ましい特性である。導波管は遮断周
波数を有しており、それより低い周波数の信号は導波管
中伝搬できない。幅が（ａ）である長方形の導波管の場
合、遮断周波数より低い周波数での導波管の減衰は、次
の式によって特徴付けられ、 ここにおいて、αは１メートル毎のネーパー単位の減衰
であり、ａは導波管の幅であり、ｆは周波数であり、fc
はTE10モードの場合の遮断周波数＝（c/2a）であり、ｃ
は電磁波の伝搬の速度である。遮断周波数より低い周波
数のこの導波管特性はエバネセントモードと呼ばれ、S.
Ramo氏等による文献“Fields and Waves in Communicat
ion electronics"（John Wiley ＆ Sons,Inc.,2nd ed.,
1984,pages 444−446）に記載されている。
い帯域外排除特性を容易に達成することができ、それは
フィルタにとって望ましい特性である。導波管は遮断周
波数を有しており、それより低い周波数の信号は導波管
中伝搬できない。幅が（ａ）である長方形の導波管の場
合、遮断周波数より低い周波数での導波管の減衰は、次
の式によって特徴付けられ、 ここにおいて、αは１メートル毎のネーパー単位の減衰
であり、ａは導波管の幅であり、ｆは周波数であり、fc
はTE10モードの場合の遮断周波数＝（c/2a）であり、ｃ
は電磁波の伝搬の速度である。遮断周波数より低い周波
数のこの導波管特性はエバネセントモードと呼ばれ、S.
Ramo氏等による文献“Fields and Waves in Communicat
ion electronics"（John Wiley ＆ Sons,Inc.,2nd ed.,
1984,pages 444−446）に記載されている。
導波管のこの特性を使用して、長方形の導波管の幅を
漸次狭くして不所望な低周波数信号を消去し、高い周波
数の信号が導波管を通過するようにすることによって高
域通過フィルタを実現することができる。このフィルタ
はエバネセントモードフィルタと呼ばれる。
漸次狭くして不所望な低周波数信号を消去し、高い周波
数の信号が導波管を通過するようにすることによって高
域通過フィルタを実現することができる。このフィルタ
はエバネセントモードフィルタと呼ばれる。
導波管の幅の広いほうの壁の１つにおけるスロット開
口から導波管中に薄い抵抗性のあるカードが挿入され、
それによってR.E.Collin氏による文献“Foundations fo
r Microwave Engineering"（McGraw−Hill,Inc.,1966,p
age 262）に記載されているような調整可能な減衰器が
形成される。減衰量は、カードの侵入の深さを調節する
ことによって制御できる。この減衰器は、導波管を通過
する全ての周波数に対して減衰を行う。
口から導波管中に薄い抵抗性のあるカードが挿入され、
それによってR.E.Collin氏による文献“Foundations fo
r Microwave Engineering"（McGraw−Hill,Inc.,1966,p
age 262）に記載されているような調整可能な減衰器が
形成される。減衰量は、カードの侵入の深さを調節する
ことによって制御できる。この減衰器は、導波管を通過
する全ての周波数に対して減衰を行う。
マイクロ波およびミリメートル波周波数では、MMICモ
ジュール上の受動装置は一般にマイクロストリップある
いはストリップ線路回路装置であり、フィルタおよび減
衰器を含んでいる。MMICアプリケーションのためのマイ
クロストリップあるいはストリップ線路フィルタは、米
国特許第5,485,131号明細書および米国特許第5,319,329
号明細書に記載されている。マイクロストリップおよび
ストリップ線路回路において得られるフィルタは、一般
に導波管フィルタとの比較において高い通過帯域挿入損
失を有し、帯域外のすそ部の排除特性が不良である。
ジュール上の受動装置は一般にマイクロストリップある
いはストリップ線路回路装置であり、フィルタおよび減
衰器を含んでいる。MMICアプリケーションのためのマイ
クロストリップあるいはストリップ線路フィルタは、米
国特許第5,485,131号明細書および米国特許第5,319,329
号明細書に記載されている。マイクロストリップおよび
ストリップ線路回路において得られるフィルタは、一般
に導波管フィルタとの比較において高い通過帯域挿入損
失を有し、帯域外のすそ部の排除特性が不良である。
マイクロストリップおよびストリップ線路回路は、横
方向の電磁（TEM）フィールドパターンを示し、TEM回路
において受動可変素子で実現することは困難である。可
変減衰器は、米国特許第4,837,530号、米国特許第4,87
5,023号、米国特許第4,890,077号、米国特許第4,996,50
4号、および米国特許第5,309,048号明細書において開示
されているように、電界効果トランジスタ（FET）回路
を使用してMMIC回路中で達成できる。しかしながら、こ
れらの回路は複雑であり、能動素子、すなわちFETを必
要とする。純粋に受動手段を使用する可変減衰器は、マ
イクロストリップあるいはストリップ線路回路において
構成することは困難である。
方向の電磁（TEM）フィールドパターンを示し、TEM回路
において受動可変素子で実現することは困難である。可
変減衰器は、米国特許第4,837,530号、米国特許第4,87
5,023号、米国特許第4,890,077号、米国特許第4,996,50
4号、および米国特許第5,309,048号明細書において開示
されているように、電界効果トランジスタ（FET）回路
を使用してMMIC回路中で達成できる。しかしながら、こ
れらの回路は複雑であり、能動素子、すなわちFETを必
要とする。純粋に受動手段を使用する可変減衰器は、マ
イクロストリップあるいはストリップ線路回路において
構成することは困難である。
発明の解決しようとする課題 ミリメートル波のアプリケーションに使用される通常
のMMICモジュールにおいては、フィルタと調整可能な減
衰器とは別個の装置として構成することが必要とされ、
その結果、モジュールの容積、重量が増加し、コストも
高くなる欠点がある。また、マイクロストリップマイク
ロ波およびミリメートル波回路で抵抗のような受動素子
だけで満足できるような周波数応答特性を有する調整が
可能な減衰器を得ることは困難である。
のMMICモジュールにおいては、フィルタと調整可能な減
衰器とは別個の装置として構成することが必要とされ、
その結果、モジュールの容積、重量が増加し、コストも
高くなる欠点がある。また、マイクロストリップマイク
ロ波およびミリメートル波回路で抵抗のような受動素子
だけで満足できるような周波数応答特性を有する調整が
可能な減衰器を得ることは困難である。
本発明の目的は、MMICモジュール上に集積することの
できる小型に構成することのできる導波管フィルタおよ
び減衰器装置が複合されたMMICモジュールを提供するこ
とである。
できる小型に構成することのできる導波管フィルタおよ
び減衰器装置が複合されたMMICモジュールを提供するこ
とである。
課題解決のための手段 この目的は本発明のMMICモジュールによって達成され
る。
る。
本発明のMMICモジュールは、導電性の接地面と、この
接地面上のMMICと、エバネセントモードフィルタを構成
している導波管と、この導波管に電磁波を結合する位置
および導波管から電磁波を結合して取出す位置にそれぞ
れ配置された２個のプローブを含む導波管とMMICとの間
の信号接続部と、導波管を伝搬する電磁波を減衰るよう
に設置された調整可能な減衰器とを具備し、導波管は接
地面に形成されている凹部と、この凹部を覆い、接地面
の凹部と対応している凹部を有する上部構造とにより構
成され、それら２つの凹部によって導波管の内部空間が
規定され、導波管の幅の広い側壁が接地面に垂直に位置
しており、凹部の少なくとも一方はその深さが急激に変
化する階段状の底面を有し、それによって導波管の幅の
広い側壁の幅が階段状に変化して複数の段状のインピー
ダンス変換器を形成し、その最小の幅の部分の断面が電
磁波の振幅が抑制される導波管の遮断周波数を決定し、
調整可能な減衰器は、導波管の接地面に垂直な側壁に設
けられた開口を通って導波管の内部へ挿入される抵抗体
カードを備え、この抵抗体カードは減衰量を変化させる
ために導波管内部へ侵入する深さが変化可能に構成され
ていることを特徴とする。
接地面上のMMICと、エバネセントモードフィルタを構成
している導波管と、この導波管に電磁波を結合する位置
および導波管から電磁波を結合して取出す位置にそれぞ
れ配置された２個のプローブを含む導波管とMMICとの間
の信号接続部と、導波管を伝搬する電磁波を減衰るよう
に設置された調整可能な減衰器とを具備し、導波管は接
地面に形成されている凹部と、この凹部を覆い、接地面
の凹部と対応している凹部を有する上部構造とにより構
成され、それら２つの凹部によって導波管の内部空間が
規定され、導波管の幅の広い側壁が接地面に垂直に位置
しており、凹部の少なくとも一方はその深さが急激に変
化する階段状の底面を有し、それによって導波管の幅の
広い側壁の幅が階段状に変化して複数の段状のインピー
ダンス変換器を形成し、その最小の幅の部分の断面が電
磁波の振幅が抑制される導波管の遮断周波数を決定し、
調整可能な減衰器は、導波管の接地面に垂直な側壁に設
けられた開口を通って導波管の内部へ挿入される抵抗体
カードを備え、この抵抗体カードは減衰量を変化させる
ために導波管内部へ侵入する深さが変化可能に構成され
ていることを特徴とする。
本発明による可調整減衰器を有する導波管フィルタを
備えたMMICモジュールは、ダイカストあるいは注入成形
され金属被覆されたプラスチック等の低コストの技術を
使用して製造することができ、しかも従来の別個の導波
管フィルタおよび可調整減衰器によって得られるような
フィルタ性能および減衰器の調節性を得ることが可能で
ある。本発明のMMICモジュールは、物理的に小型であ
り、製造コストは廉価であり、通信および自動車の電子
装置等の商業的アプリケーションに適している。
備えたMMICモジュールは、ダイカストあるいは注入成形
され金属被覆されたプラスチック等の低コストの技術を
使用して製造することができ、しかも従来の別個の導波
管フィルタおよび可調整減衰器によって得られるような
フィルタ性能および減衰器の調節性を得ることが可能で
ある。本発明のMMICモジュールは、物理的に小型であ
り、製造コストは廉価であり、通信および自動車の電子
装置等の商業的アプリケーションに適している。
本発明は、Ｅ平面である導波管の広い幅の側壁の中心
線が接地面の表面に近い位置になるように構成されるこ
とができる。したがって、このような位置で側壁に設け
た開口から減衰のための薄い抵抗体カードを挿入して導
波管を通過する信号を減衰させ、導波管中へのカードの
侵入の深さを外部からカードを動かして調節することに
よって信号に対して可変の減衰を行うようにすればMMIC
モジュールの高さが低くなるからモジュールを小型にす
ることができる。
線が接地面の表面に近い位置になるように構成されるこ
とができる。したがって、このような位置で側壁に設け
た開口から減衰のための薄い抵抗体カードを挿入して導
波管を通過する信号を減衰させ、導波管中へのカードの
侵入の深さを外部からカードを動かして調節することに
よって信号に対して可変の減衰を行うようにすればMMIC
モジュールの高さが低くなるからモジュールを小型にす
ることができる。
本発明のこれらおよびその他の特徴は、添付図面を参
照して以下の詳細な説明から当業者には明らかとなる。
照して以下の詳細な説明から当業者には明らかとなる。
図面の簡単な説明 図１は、本発明に従って入力および出力においてプロ
ーブで結合されているフィルタ／減衰器の上部構造を有
するMMICモジュールの平面図である。
ーブで結合されているフィルタ／減衰器の上部構造を有
するMMICモジュールの平面図である。
図２は、図１の線２−２に沿って切り取られた断面図
であり、凹部を設けられた接地面および導波管の上部構
造部分における段による変化を示している。
であり、凹部を設けられた接地面および導波管の上部構
造部分における段による変化を示している。
図３は、図２に類似した別の実施形態の断面図である
が、導波管の上部構造部分においてのみ段が変化してい
る様子を表している。
が、導波管の上部構造部分においてのみ段が変化してい
る様子を表している。
図４は、図２および図３に類似した別の実施形態の断
面図であるが、導波管の上部構造部分において傾斜して
変化している様子を表している。
面図であるが、導波管の上部構造部分において傾斜して
変化している様子を表している。
図５は、図１の線５−５に沿って切り取られた端部断
面図であり、図２、図３、図４の実施形態の導波管の端
部を示している。
面図であり、図２、図３、図４の実施形態の導波管の端
部を示している。
実施例 本発明は、モノリシックなマイクロ波集積回路（MMI
C）モジュール上で容易に製造でき、性能が良好であ
り、低コストであり、生産率の高い集積された導波管フ
ィルタおよび減衰器を提供する。
C）モジュール上で容易に製造でき、性能が良好であ
り、低コストであり、生産率の高い集積された導波管フ
ィルタおよび減衰器を提供する。
図１はMMICモジュール６を示しており、その上にフィ
ルタ／減衰器８およびMMIC回路10のその他の部品が集積
されている。フィルタ／減衰器８は、導波管14を覆う上
部構造12を有している。上部構造12は、複数のねじ17に
よってMMICモジュール６の接地面15に締付けて固定され
ていることが好ましい。導波管14の内部は、導電性の壁
によって取り囲まれて中空であり、上部構造12および接
地面15によって範囲を定められている。導波管14は、マ
イクロ波を受信するためにその一方の端部の近くに入力
結合プローブ16を有し、濾波および／または減衰された
電磁波を送信するために他方の端部の近くに出力結合プ
ローブ18を有している。
ルタ／減衰器８およびMMIC回路10のその他の部品が集積
されている。フィルタ／減衰器８は、導波管14を覆う上
部構造12を有している。上部構造12は、複数のねじ17に
よってMMICモジュール６の接地面15に締付けて固定され
ていることが好ましい。導波管14の内部は、導電性の壁
によって取り囲まれて中空であり、上部構造12および接
地面15によって範囲を定められている。導波管14は、マ
イクロ波を受信するためにその一方の端部の近くに入力
結合プローブ16を有し、濾波および／または減衰された
電磁波を送信するために他方の端部の近くに出力結合プ
ローブ18を有している。
導波管14はその幅の広い側壁が接地面15に垂直に位置
しており、図２に示されるようにその幅が導波管の縦方
向で順次階段状に変化して複数の段状のインピーダンス
変換器20を形成している。導波管が高域通過フィルタに
使用されたとき、導波管の幅は、入力結合（プローブ）
より先では狭くなっており、それによって、遮断周波数
より低い入力されたマイクロ波周波数を拒否する。長方
形の導波管のTE10モードの遮断周波数feは、次のような
関係で導波管の幅（ａ）によって決定され、 fc＝c/sa （２） ここにおいて、ｃは電磁波の伝搬の速度である。長方形
の導波管の場合、TE10モードは伝搬の主要モードであ
り、最低の遮断周波数を有している。
しており、図２に示されるようにその幅が導波管の縦方
向で順次階段状に変化して複数の段状のインピーダンス
変換器20を形成している。導波管が高域通過フィルタに
使用されたとき、導波管の幅は、入力結合（プローブ）
より先では狭くなっており、それによって、遮断周波数
より低い入力されたマイクロ波周波数を拒否する。長方
形の導波管のTE10モードの遮断周波数feは、次のような
関係で導波管の幅（ａ）によって決定され、 fc＝c/sa （２） ここにおいて、ｃは電磁波の伝搬の速度である。長方形
の導波管の場合、TE10モードは伝搬の主要モードであ
り、最低の遮断周波数を有している。
遮断周波数よりも低い周波数の場合、入力信号は減衰
し、導波管中を伝播しない。長方形の導波管内での遮断
周波数よりも低い周波数の減衰は、先に与えられた式
（１）によって特徴付けられる。
し、導波管中を伝播しない。長方形の導波管内での遮断
周波数よりも低い周波数の減衰は、先に与えられた式
（１）によって特徴付けられる。
高域通過フィルタは、導波管14の幅を減少することに
よって実現される。低コストで信頼できるフィルタを製
造するために、導波管の断面はその長手方向に沿ったデ
ィスクリートな位置において急激に変化することが好ま
しい。好ましい実施形態において、複数の段であるイン
ピーダンス変換器20は、導波管14の長手方向に沿って設
けられる。各変換器20は、インピーダンス整合のため
に、隣接した段とのとぎれ目の間に約1/4波長の長さを
有している。変換器は、電気力学加工、鋳造あるいはス
タンピングの技術を使用して上部構造12および接地面を
機械加工することによって形成される。導波管の最も狭
い幅（ａ）によってフィルタの遮断周波数feが決定され
る。導波管のセクション22は、セクション22の内部に侵
入する薄い抵抗体カード26を受入れるためのスロット形
開口24を有している。スロット形開口24は、接地面15の
上部表面と同一平面上にあることが好ましい。抵抗体カ
ード26は、導波管中を伝送される全ての周波数の信号を
減衰する可変減衰器として機能する。抵抗性カード26
は、カーボン等の高抵抗材料で作られていることが好ま
しい。抵抗体カード26は、それが導波管中に侵入する深
さが調整可能となるように移動可能である。好ましい実
施形態において、抵抗体カード26は軸28によって保持さ
れ、軸28を中心に回転することができる。抵抗体カード
26は、それを手動で回転させることによって調整するこ
とができ、軸28と抵抗体カード26との間の摩擦力によっ
て位置を保持される。導波管中の全ての信号周波数の減
衰は、抵抗体カード26が導波管セクション22の奥深くに
侵入するにつれて増加する。
よって実現される。低コストで信頼できるフィルタを製
造するために、導波管の断面はその長手方向に沿ったデ
ィスクリートな位置において急激に変化することが好ま
しい。好ましい実施形態において、複数の段であるイン
ピーダンス変換器20は、導波管14の長手方向に沿って設
けられる。各変換器20は、インピーダンス整合のため
に、隣接した段とのとぎれ目の間に約1/4波長の長さを
有している。変換器は、電気力学加工、鋳造あるいはス
タンピングの技術を使用して上部構造12および接地面を
機械加工することによって形成される。導波管の最も狭
い幅（ａ）によってフィルタの遮断周波数feが決定され
る。導波管のセクション22は、セクション22の内部に侵
入する薄い抵抗体カード26を受入れるためのスロット形
開口24を有している。スロット形開口24は、接地面15の
上部表面と同一平面上にあることが好ましい。抵抗体カ
ード26は、導波管中を伝送される全ての周波数の信号を
減衰する可変減衰器として機能する。抵抗性カード26
は、カーボン等の高抵抗材料で作られていることが好ま
しい。抵抗体カード26は、それが導波管中に侵入する深
さが調整可能となるように移動可能である。好ましい実
施形態において、抵抗体カード26は軸28によって保持さ
れ、軸28を中心に回転することができる。抵抗体カード
26は、それを手動で回転させることによって調整するこ
とができ、軸28と抵抗体カード26との間の摩擦力によっ
て位置を保持される。導波管中の全ての信号周波数の減
衰は、抵抗体カード26が導波管セクション22の奥深くに
侵入するにつれて増加する。
導波管の断面は、方形、円形、楕円形、あるいは長円
形等の多数の異なる形を有していてもよい。ダイカスト
あるいは金属被覆された注入成形プラスティック等の技
術を使用してMMICモジュール上で導波管の製造を容易に
するためには、長方形の断面を有していることが好まし
い。
形等の多数の異なる形を有していてもよい。ダイカスト
あるいは金属被覆された注入成形プラスティック等の技
術を使用してMMICモジュール上で導波管の製造を容易に
するためには、長方形の断面を有していることが好まし
い。
導波管14への、あるいは導波管14からのマイクロ波の
エネルギの結合は、入力プローブ16および出力プローブ
18のそれぞれによって達成される。プローブ16および18
は、導波管の短絡端部28および30の付近で導波管22の広
い壁の中に部分的に貫通する導電性伝送線のセグメント
である。調整可能な減衰器を有する集積されたフィルタ
はほぼ対称的な側断面を有しているため、装置の入力お
よび出力は動作において互いに変換することができる。
エネルギの結合は、入力プローブ16および出力プローブ
18のそれぞれによって達成される。プローブ16および18
は、導波管の短絡端部28および30の付近で導波管22の広
い壁の中に部分的に貫通する導電性伝送線のセグメント
である。調整可能な減衰器を有する集積されたフィルタ
はほぼ対称的な側断面を有しているため、装置の入力お
よび出力は動作において互いに変換することができる。
図３に示された好ましい実施形態において、MMICモジ
ュール48の接地面46は、導波管52の一部分を形成する凹
部50を有しているが、凹所を設けられた部分50は、導波
管の長手方向全体を通して平坦であり、段状の不連続部
を含まない。上部構造56によって境界を定められた導波
管上部54において、導波管52の上部構造部分54のディス
クリートな位置においてのみ急激に変化しているため、
それぞれが約1/4波長の長さを有する一連の段状の変換
器58が形成される。MMICモジュール48の接地面46は、深
さに変化のない１つの平坦な長方形の凹部を有している
ため、この構成によって、低コストで生産性の高いフィ
ルタ／減衰器装置を製造することができる。
ュール48の接地面46は、導波管52の一部分を形成する凹
部50を有しているが、凹所を設けられた部分50は、導波
管の長手方向全体を通して平坦であり、段状の不連続部
を含まない。上部構造56によって境界を定められた導波
管上部54において、導波管52の上部構造部分54のディス
クリートな位置においてのみ急激に変化しているため、
それぞれが約1/4波長の長さを有する一連の段状の変換
器58が形成される。MMICモジュール48の接地面46は、深
さに変化のない１つの平坦な長方形の凹部を有している
ため、この構成によって、低コストで生産性の高いフィ
ルタ／減衰器装置を製造することができる。
図４に示された別の構成において、図２および３の段
状の変換器は、導波管60の幅がその長手方向に沿って傾
斜する構成に置換される。MMICモジュール64の接地面62
は平坦な方形の凹部66を有しており、それによって導波
管60の下方部分を形成する。上部構造68は、導波管60の
上部を形成し、導波管60の２つの端部から中心に向かっ
て傾斜した転移部70を有する。導波管における最も狭い
幅（ａ）によって、その遮断周波数が決定される。
状の変換器は、導波管60の幅がその長手方向に沿って傾
斜する構成に置換される。MMICモジュール64の接地面62
は平坦な方形の凹部66を有しており、それによって導波
管60の下方部分を形成する。上部構造68は、導波管60の
上部を形成し、導波管60の２つの端部から中心に向かっ
て傾斜した転移部70を有する。導波管における最も狭い
幅（ａ）によって、その遮断周波数が決定される。
導波管フィルタおよび減衰装置へ、および導波管フィ
ルタおよび減衰装置からマイクロ波エネルギを結合する
ための多数の可能な構成が存在する。MMICモジュール上
の導波管中の入力および出力の結合の実行を容易にする
好ましい実施形態において、装置への、および装置から
のエネルギを結合するためにプローブが使用される。図
５において、接地面15は部分的に凹所を設けられ、上部
構造12と整列されて長方形の導波管14を形成する。スト
リップ線路あるいはマイクロストリップから延長された
導電性伝送線のセグメントであるMMICプローブ16は、部
分的に導波管14中に侵入している。プローブの侵入した
部分の長さおよび導波管の短絡端部28からプローブ16へ
の距離は、マイクロ波エネルギがプローブ16を通って導
波管へ、あるいは導波管から結合されたときに反射およ
び損失を最小にするために正確に決定される。
ルタおよび減衰装置からマイクロ波エネルギを結合する
ための多数の可能な構成が存在する。MMICモジュール上
の導波管中の入力および出力の結合の実行を容易にする
好ましい実施形態において、装置への、および装置から
のエネルギを結合するためにプローブが使用される。図
５において、接地面15は部分的に凹所を設けられ、上部
構造12と整列されて長方形の導波管14を形成する。スト
リップ線路あるいはマイクロストリップから延長された
導電性伝送線のセグメントであるMMICプローブ16は、部
分的に導波管14中に侵入している。プローブの侵入した
部分の長さおよび導波管の短絡端部28からプローブ16へ
の距離は、マイクロ波エネルギがプローブ16を通って導
波管へ、あるいは導波管から結合されたときに反射およ
び損失を最小にするために正確に決定される。
本発明の幾つかの実施形態が図示および説明されてき
たが、多数の変更および別の実施形態が当業者によって
実施されるであろう。そのような変更および別の実施形
態は、添付された請求の範囲において定義されたような
本発明の意図および技術的範囲から逸脱せずに考えら
れ、実施される。
たが、多数の変更および別の実施形態が当業者によって
実施されるであろう。そのような変更および別の実施形
態は、添付された請求の範囲において定義されたような
本発明の意図および技術的範囲から逸脱せずに考えら
れ、実施される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポール、ジェフリー・エー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90501、トランス、ウエスト・トゥーハ ンドレッドサーティサード・ストリート 2027 (72)発明者 ウォルツマン、チェイム アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90505、トランス、ブラッフ・ストリー ト 4078 (72)発明者 ウィーン、ロイ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90703、セリトス、ステファニー・アベ ニュー 18728 (72)発明者 ヘネガン、リチャード・ティー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90278、レドンド・ビーチ、グレビリ ー・アベニュー 18337 (56)参考文献 特開 平８−62326（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−204404（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−235744（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−54901（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−194604（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−222501（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/20 - 1/22 H01P 5/00
Claims (2)
- 【請求項１】導電性の接地面（15）と、 前記接地面（15）上のモノリシックマイクロ波集積回路
（10）と、 エバネセントモードフィルタを構成している導波管（1
4）と、 前記導波管（14）に電磁波を結合する位置および前記導
波管（14）から電磁波を結合して取出す位置にそれぞれ
配置された２個のプローブ（16,18）を含む前記導波管
（14）と前記モノリシックマイクロ波集積回路（10）と
の間の信号接続部と、 前記導波管（14）を伝搬する電磁波を減衰するように設
置された調整可能な減衰器（22）とを具備し、 前記導波管（14）は接地面（15）に形成されている凹部
と、この凹部を覆い、前記接地面（15）の凹部と対応し
ている凹部を有する上部構造（12）とにより構成され、
それら２つの凹部によって導波管（14）の内部空間が規
定され、導波管（14）の幅の広い側壁が接地面（15）に
垂直に位置しており、前記凹部の少なくとも一方はその
深さが急激に変化する階段状の底面を有し、それによっ
て導波管（14）の幅の広い側壁の幅が階段状に変化して
複数の段状のインピーダンス変換器（20）を形成してお
り、その最小の幅の部分の断面が電磁波の振幅が抑制さ
れる導波管の遮断周波数を決定し、 前記調整可能な減衰器（22）は、前記導波管（14）の接
地面（15）に垂直な側壁に設けられた開口（24）を通っ
て導波管（14）の内部へ挿入される抵抗体カード（26）
を備え、この抵抗体カード（26）は減衰量を変化させる
ために導波管（14）の内部へ侵入する深さが変化可能に
構成されていることを特徴とするモノリシックマイクロ
波集積回路モジュール。 - 【請求項２】導波管（14）の横断面は長方形である請求
項１記載のモジュール。
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|---|---|---|---|
| US08/707,277 US5786739A (en) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | Integrated evanescent mode filter with adjustable attenuator |
| US707,277 | 1996-09-03 | ||
| PCT/US1997/014856 WO1998010481A1 (en) | 1996-09-03 | 1997-08-22 | Integrated evanescent mode filter with adjustable attenuator |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11504194A JPH11504194A (ja) | 1999-04-06 |
| JP3302698B2 true JP3302698B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=24841066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51270798A Expired - Lifetime JP3302698B2 (ja) | 1996-09-03 | 1997-08-22 | 調整可能な減衰器を有する集積エバネセントモードフィルタ |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0858680B1 (ja) |
| JP (1) | JP3302698B2 (ja) |
| KR (1) | KR100296889B1 (ja) |
| AT (1) | ATE252278T1 (ja) |
| AU (1) | AU697736B2 (ja) |
| CA (1) | CA2237615C (ja) |
| DE (1) | DE69725551T2 (ja) |
| DK (1) | DK0858680T3 (ja) |
| ES (1) | ES2208949T3 (ja) |
| IL (1) | IL124304A (ja) |
| NO (1) | NO315400B1 (ja) |
| WO (1) | WO1998010481A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6507252B1 (en) | 2001-06-21 | 2003-01-14 | Thinh Q. Ho | High rejection evanescent MIC multiplexers for multifunctional systems |
| US6956444B2 (en) * | 2003-02-14 | 2005-10-18 | Intel Corporation | Method and apparatus for rejecting common mode signals on a printed circuit board and method for making same |
| KR100790760B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2008-01-03 | 한국전자통신연구원 | 다중 도파로 구조를 이용한 대역 신호 전송기 |
| US20080252401A1 (en) * | 2007-04-13 | 2008-10-16 | Emag Technologies, Inc. | Evanescent Mode Resonator Including Tunable Capacitive Post |
| BRPI1007544B1 (pt) * | 2009-01-30 | 2018-12-04 | Sumitomo Chemical Co | semente revestida |
| US9892365B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-02-13 | Rigetti & Co., Inc. | Operating a multi-dimensional array of qubit devices |
| US10749256B1 (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-18 | Raytheon Company | Waveguide adapter for slot antennas |
| GB2582656A (en) * | 2019-03-29 | 2020-09-30 | Sony Semiconductor Solutions Corp | Substrate integrated waveguide signal level control element and signal processing circuitry |
| CN114865254B (zh) * | 2022-06-27 | 2023-06-02 | 成都威频科技有限公司 | 一种波导型可调带通滤波器 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2705780A (en) * | 1946-11-02 | 1955-04-05 | Polytechnie Inst | Matched resistance film type wave guide attenuators |
| US3209288A (en) * | 1963-09-23 | 1965-09-28 | North American Aviation Inc | Attenuator with constant phase shift effected by the compensatory insertion and removal of dielectric material |
| US3958194A (en) * | 1975-01-03 | 1976-05-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Frequency-sensitive attenuator |
| US4458222A (en) * | 1981-05-06 | 1984-07-03 | Microwave Semiconductor Corporation | Waveguide to microstrip coupler wherein microstrip carries D.C. biased component |
| JPS5999801A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-08 | Toshiba Corp | マイクロ波受信装置 |
| JPH0758847B2 (ja) * | 1985-03-28 | 1995-06-21 | 新日本無線株式会社 | 導波管−同軸変換器 |
| JPH0413845Y2 (ja) * | 1985-09-30 | 1992-03-30 | ||
| US4837530A (en) * | 1987-12-11 | 1989-06-06 | Hewlett-Packard Company | Wideband (DC-50 GHz) MMIC FET variable matched attenuator |
| US4875023A (en) * | 1988-05-10 | 1989-10-17 | Grumman Aerospace Corporation | Variable attenuator having voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship |
| JPH0280503A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-20 | Nippon Steel Corp | 高炉の操業方法 |
| EP0360916A1 (de) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithisch integrierbares Mirkowellen-Dämpfungsglied |
| JPH02155301A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波回路装置 |
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| US4994775A (en) * | 1989-10-23 | 1991-02-19 | Valentine Research, Inc. | High-pass filter for microstrip circuit |
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| US5485131A (en) * | 1994-10-13 | 1996-01-16 | Motorola, Inc. | Transmission line filter for MIC and MMIC applications |
-
1996
- 1996-09-03 US US08/707,277 patent/US5786739A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-22 IL IL12430497A patent/IL124304A/en not_active IP Right Cessation
- 1997-08-22 DK DK97939525T patent/DK0858680T3/da active
- 1997-08-22 EP EP97939525A patent/EP0858680B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-22 DE DE69725551T patent/DE69725551T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-22 JP JP51270798A patent/JP3302698B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-22 ES ES97939525T patent/ES2208949T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-22 AT AT97939525T patent/ATE252278T1/de active
- 1997-08-22 AU AU41593/97A patent/AU697736B2/en not_active Expired
- 1997-08-22 KR KR1019980703298A patent/KR100296889B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-08-22 CA CA002237615A patent/CA2237615C/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-22 WO PCT/US1997/014856 patent/WO1998010481A1/en active IP Right Grant
-
1998
- 1998-05-04 NO NO19982011A patent/NO315400B1/no not_active IP Right Cessation
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