JP3283145B2 - Reflector umbrella for strobe light using reflector - Google Patents
Reflector umbrella for strobe light using reflectorInfo
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Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、反射体に関するもので
あり、さらに詳しくは、ストロボ用の反射傘に好適に用
いることができる反射体とその反射傘に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflector and, more particularly, to a reflector which can be suitably used for a strobe reflector and an reflector thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】ストロボ用の反射傘として従来、表面を
研磨したアルミの板を板金加工により成形加工したもの
が用いられてきたが、近年、レンズ付きフィルムの様な
簡便なカメラにもストロボが装備されるようになり、ス
トロボのシステム全体として見た場合に、軽量化および
小型化が重要視されるようになってきた。しかしてスト
ロボに用いるキセノンランプを放電させるためのコンデ
ンサが、ストロボの回路において大きな割合を占めてお
り、上記コンデンサーを小さくすることは、ストロボシ
ステム全体としての小型化ばかりでなく低コスト化につ
ながり産業上きわめて重要である。このコンデンサを小
型化する1つの方法は、キセノンランプから放射される
光を効率的に被写体に到達させるために、上記の表面研
磨したアルミ(全反射率:88%〜90%)に代わっ
て、より反射率の高い銀(全反射率:93%以上)を用
いることである。本発明者らは、アルミよりも可視光領
域で反射率が高く、かつ、アルミ板と同様に板金加工や
打ち抜き加工が可能な反射板に関する技術を提案してき
た(特開平5−162227号公報)。本発明者らが提
案した反射板は、透明高分子フィルム(B)、銀薄膜層
(C)、接着層(D)、板状成形体(E)が、BCDE
の順に形成されたものであって、銀薄膜表面を直接大気
に暴露することがなく、銀薄膜表面の腐食の問題等を解
決し、銀を用いた反射体の耐侯性を飛躍的に向上させる
ものであった。2. Description of the Related Art Conventionally, as a reflector for a strobe, an aluminum plate having a polished surface formed by sheet metal processing has been used. In recent years, however, a strobe is also used for a simple camera such as a film with a lens. As a result, the weight and size of the electronic flash system have become increasingly important as a whole. However, a capacitor for discharging a xenon lamp used for a strobe occupies a large proportion in a strobe circuit, and reducing the size of the capacitor not only leads to a reduction in the size of the entire strobe system but also a reduction in cost. It is extremely important. One method for reducing the size of this capacitor is to replace the surface-polished aluminum (total reflectance: 88% to 90%) in order to allow the light emitted from the xenon lamp to efficiently reach the subject. Silver having a higher reflectance (total reflectance: 93% or more) is used. The present inventors have proposed a technique relating to a reflector having a higher reflectivity in the visible light region than aluminum and capable of performing sheet metal working or punching like an aluminum plate (Japanese Patent Laid-Open No. 5-162227). . The reflection plate proposed by the present inventors is composed of a transparent polymer film (B), a silver thin film layer (C), an adhesive layer (D), and a plate-like molded body (E).
It does not directly expose the silver thin film surface to the atmosphere, solves the problem of corrosion of the silver thin film surface, etc., and dramatically improves the weather resistance of the silver-based reflector. Was something.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】そこで、上記銀を用い
た反射体を打ち抜き加工し、ストロボ用に板金加工し、
実際にストロボに用い10〜50回発光させたところ反
射板の透明高分子フィルム層表面が黒化するという予期
せざる問題に遭遇した。実際に使用される反射体では、
少なくとも100回の発光に対して黒化しないことが望
まれる。そこで、この問題を解決する方法を鋭意研究し
たところ、反射面に0.5μm以上の無機薄膜層を形成
することで透明高分子フィルム層の黒化が抑制されるこ
とを見いだし、本発明に到達した。Therefore, the above-mentioned reflector using silver is punched out and sheet-metal processed for strobe light.
An unexpected problem was encountered that the surface of the transparent polymer film layer of the reflection plate was blackened when the light was actually emitted 10 to 50 times by using a strobe. In the reflector actually used,
It is desired not to blacken at least 100 times of light emission. Accordingly, the present inventors have conducted intensive studies on a method for solving this problem. As a result, they have found that the blackening of the transparent polymer film layer is suppressed by forming an inorganic thin film layer of 0.5 μm or more on the reflection surface, and reached the present invention. did.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、上
記の問題を解決するためになされたものであって、透明
高分子フィルム(B)の一方の面に0.2μm以上の無
機薄膜層(A)を形成し、その裏面上に60nm以上の
膜厚の銀薄膜(C)を形成し、そのフィルムの銀薄膜層
を形成した面と板状の成形体(E)、例えば、アルミ板
を接着層(D)を介してラミネートすることにより作製
することのできる反射板を提供するものであり、すなわ
ち要するに、ABCDEの順に構成された反射体のAの
面を反射面として使用する反射板を提供するものであ
り、さらに、上記反射板を用いたストロボ用反射傘を提
供するものである。That is, the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and has an object to solve the above-mentioned problems. An inorganic thin film layer having a thickness of 0.2 μm or more is formed on one surface of a transparent polymer film (B). (A) is formed, a silver thin film (C) having a thickness of 60 nm or more is formed on the back surface thereof, and the surface of the film on which the silver thin film layer is formed and a plate-like molded product (E), for example, an aluminum plate That can be produced by laminating the above via an adhesive layer (D), that is, a reflector using the surface A of the reflector constituted in the order of ABCDE as a reflection surface And a strobe reflector using the above-mentioned reflector.
【0005】すなわち、本発明は、少なくとも、膜厚が
0.2μmないし3.7μmの無機薄膜層(A)、透明
高分子フィルム(B)、膜厚が60nmないし350n
mの銀薄膜層(C)、接着層(D)、板状成形体(E)
が、ABCDEの順に形成された、Aの面が反射面であ
る反射板であり、また無機薄膜層(A)が珪素酸化物か
らなる反射板であり、また該珪素酸化物がシラザンポリ
マーを熱処理することにより形成される反射板であっ
て、またもしくは該珪素酸化物がプラズマCVD法によ
り形成される反射板であって、また該板状成形体(E)
がアルミニウム、アルミ合金、ステンレス鋼、銅亜鉛合
金、鋼から選ばれたものである反射板であり、また、上
記反射板を成形加工してなるストロボ用反射傘である。That is, the present invention provides at least an inorganic thin film layer (A) having a thickness of 0.2 μm to 3.7 μm, a transparent polymer film (B), and a film thickness of 60 nm to 350 n.
m, a silver thin film layer (C), an adhesive layer (D), and a plate-like molded product (E)
Is a reflection plate formed in the order of ABCDE, wherein the surface of A is a reflection surface, the inorganic thin film layer (A) is a reflection plate made of silicon oxide, and the silicon oxide heat-treats the silazane polymer. And the silicon oxide is formed by a plasma CVD method, and the plate-shaped molded article (E)
Is a reflector selected from aluminum, aluminum alloy, stainless steel, copper zinc alloy, and steel, and a strobe reflector formed by forming the reflector.
【0006】以下、添付図面を参照しながら、本発明を
説明する。図1は、本発明の反射板の断面構造の一例を
示す図である。図において01は無機薄膜層、02は透
明高分子フィルム、03は銀薄膜層、04は接着層、0
5は板状成形体である。また、図2はキセノン管に反射
板を接触させたストロボ構造の断面を示す図であり、図
3はキセノン管に反射板を接触させたストロボ構造の発
光面の裏側から見た図であり、図4はストロボ発光回路
を示す図である。なお、10はキセノンランプ、20は
反射板、30はトリガ端子を示す。Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing an example of the cross-sectional structure of the reflector of the present invention. In the figure, 01 is an inorganic thin film layer, 02 is a transparent polymer film, 03 is a silver thin film layer, 04 is an adhesive layer, 0
Reference numeral 5 denotes a plate-like molded body. FIG. 2 is a diagram showing a cross section of a strobe structure in which a reflector is brought into contact with a xenon tube, and FIG. 3 is a view seen from the back side of a light emitting surface of the strobe structure in which a reflector is brought into contact with a xenon tube. FIG. 4 is a diagram showing a strobe light emitting circuit. In addition, 10 is a xenon lamp, 20 is a reflector, and 30 is a trigger terminal.
【0007】本発明における透明高分子フィルムの材料
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフ
ォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネートもしくは
ポリスチレン等が使用できるが、必ずしもこれらに限定
されるわけではなく、透明であり、ある程度常用耐熱温
度が高いものであれば利用できる。キセノンランプを発
光させた時、ランプが加熱され、ランプと接触させて配
置される反射傘もまた加熱されることになるがその熱に
対して少なくとも、変形や変色の起こらない透明高分子
フィルムを用いることが好ましい。本発明においてはか
かる透明高分子フィルムの一方の面には無機薄膜層を、
その裏面には銀薄膜層を形成することを特徴とする。し
かしてその形成過程で透明高分子フィルムが加熱される
ため、透明高分子フィルムには常用耐熱温度が80℃以
上、より好ましくは常用耐熱温度100℃以上のものを
用いるのが望ましい。なかでもポリエチレンテレフタレ
ートは常用耐熱温度が120℃であり、透明性および加
工性に優れているため、本発明の透明高分子フィルムと
して好適に使用できる。また、ポリエーテルサルフォン
は常用耐熱温度が170℃と高いため、特に耐熱性を必
要とされる場合に好ましく用いられる。As the material of the transparent polymer film in the present invention, polyethylene terephthalate, polyether sulfone, polyether ether ketone, polyimide, polyethylene, polypropylene, polycarbonate or polystyrene can be used, but it is not necessarily limited to these. It can be used as long as it is transparent and has a somewhat high normal heat resistance temperature. When the xenon lamp emits light, the lamp is heated, and the reflector placed in contact with the lamp is also heated, but at least the transparent polymer film that does not deform or discolor due to the heat is heated. Preferably, it is used. In the present invention, an inorganic thin film layer on one surface of such a transparent polymer film,
On the back surface, a silver thin film layer is formed. Since the transparent polymer film is heated during the formation process, it is desirable to use a transparent polymer film having a normal heat resistance of 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher. Among them, polyethylene terephthalate has a normal heat resistance temperature of 120 ° C. and is excellent in transparency and processability, so that it can be suitably used as the transparent polymer film of the present invention. Polyethersulfone has a high normal heat resistance temperature of 170 ° C., and is therefore preferably used particularly when heat resistance is required.
【0008】透明高分子フィルムの厚さには限定的な制
限値はないが、通常25μm〜150μm程度のものが
好ましい。使用する透明高分子フィルムの光学特性は、
波長550nmの光の光線透過率が80%以上であるこ
とが好ましい。より好ましくは、波長500〜700n
mの光に対して、光線透過率が80%以上であり、より
好ましくは85%以上である。光線透過率が80%より
低いと、反射フィルムとした時の全反射率が所望の値に
達しなくなる。The thickness of the transparent polymer film is not limited, but is preferably about 25 μm to 150 μm. The optical properties of the transparent polymer film used are
The light transmittance of light having a wavelength of 550 nm is preferably 80% or more. More preferably, wavelength 500-700n
The light transmittance for the light of m is 80% or more, more preferably 85% or more. If the light transmittance is lower than 80%, the total reflectance of the reflection film does not reach a desired value.
【0009】本発明においては、上記したごとく透明高
分子フィルムの一方の面に無機薄膜層を、その裏面に銀
薄膜層を形成するが、それらの形成前に、片面もしくは
両面に、スパッタリング処理、コロナ処理、紫外線照
射、電子線照射、などのエッチング処理や、下塗り処理
を施して、無機薄膜層もしくは銀薄膜層と透明高分子フ
ィルムとの密着性を向上させるための処理を施してもよ
い。また、必要に応じて洗剤洗浄や超音波洗浄処理等の
防塵処理を施してもよい。In the present invention, as described above, an inorganic thin film layer is formed on one surface of a transparent polymer film, and a silver thin film layer is formed on the back surface thereof. Etching treatment such as corona treatment, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, and the like, and undercoating treatment may be performed to improve adhesion between the inorganic thin film layer or the silver thin film layer and the transparent polymer film. Further, dustproofing such as detergent cleaning or ultrasonic cleaning may be performed as necessary.
【0010】無機薄膜層の材料は、珪素酸化物、チタン
酸化物、ジリコニア酸化物もしくはアルミ酸化物等が使
用できるが、必ずしもそれらに限定されるものではな
く、要するに波長400nmから750nmの範囲の光
線に対する光吸収率が20%以下であるものであれば利
用できる。波長400nmから750nmの範囲の光吸
収率が20%を超えると、キセノンランプにより発光し
た光が無機薄膜層に入射した際、光が吸収されてしまう
ため、反射板としたときの全反射率が所望の値に達しな
くなる。上記の無機酸化物のなかでも珪素酸化物は、光
吸収率が20%以下の薄膜が後に述べる方法により容易
に形成できるため好適に用いられる。As the material of the inorganic thin film layer, silicon oxide, titanium oxide, zirconia oxide, aluminum oxide, or the like can be used. However, the material is not limited to these, and in short, light having a wavelength of 400 nm to 750 nm can be used. It can be used as long as the light absorptance for the is less than 20%. If the light absorptance in the wavelength range of 400 nm to 750 nm exceeds 20%, the light emitted from the xenon lamp is absorbed when the light is incident on the inorganic thin film layer. The desired value is not reached. Among the above inorganic oxides, silicon oxide is preferably used because a thin film having a light absorption of 20% or less can be easily formed by a method described later.
【0011】ここでいう珪素酸化物とは、酸化された珪
素の総称であって、必ずしも化学量論的なものと一致す
る必要がないことは、当業者が容易に理解できるところ
であろう。すなわち、より具体的に示すとすれば、酸素
と珪素の原子比が1.5〜2.1の範囲である。また、
窒素、水素等の不純物が含まれていても、ここでいう珪
素酸化物の範中にはいることはいうまでもない。It will be readily apparent to those skilled in the art that the term "silicon oxide" as used herein is a generic term for oxidized silicon and does not necessarily need to match stoichiometric. That is, more specifically, the atomic ratio of oxygen to silicon is in the range of 1.5 to 2.1. Also,
It goes without saying that even if impurities such as nitrogen and hydrogen are contained, they are included in the range of the silicon oxide mentioned here.
【0012】無機薄膜層の形成方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物
理的気相成長法、プラズマCVD法等の化学気相成長法
といった従来公知の薄膜形成方法が利用できる。また、
酸化珪素薄膜を形成する場合にはシラザンポリマーを塗
布した後、加熱乾燥させる塗布法も利用できる。As a method for forming the inorganic thin film layer, a conventionally known thin film forming method such as a physical vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method, and a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method. Available. Also,
When a silicon oxide thin film is formed, a coating method in which a silazane polymer is applied and then heated and dried can also be used.
【0013】プラズマCVD法においては、例えば酸化
珪素薄膜を形成する場合には、1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン(室温で液体)をヘリウムガス等の
不活性ガスでバブリングすることにより気化させて真空
室に導入し、そこに酸素ガスを混合したうえでプラズマ
を発生させ、珪素酸化物を析出させることで所望の珪素
酸化物薄膜を得ることができる。プラズマCVD法は成
膜速度が早く、珪素酸化物薄膜が高速に形成できるため
好んで用いられる。また、珪素酸化物を形成する場合に
おいて、塗布法はシラザンポリマーを大気中で塗布し1
50〜500℃において0.5〜5時間程度加熱乾燥さ
せるという簡略な工程で、しかも上記成膜法とは異なり
真空装置を必要としないため、簡便な装置で所望の珪素
酸化物薄膜が得られるので、これもまた好ましく用いら
れる。塗布法において用いられるシラザンポリマーに
は、例えばポリシラザン(東燃(株)製)が利用でき
る。In the plasma CVD method, for example, when a silicon oxide thin film is formed, 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (liquid at room temperature) is bubbled with an inert gas such as helium gas. A desired silicon oxide thin film can be obtained by vaporizing and introducing the mixture into a vacuum chamber, mixing oxygen gas therein, generating plasma, and depositing silicon oxide. The plasma CVD method is preferably used because a film formation rate is high and a silicon oxide thin film can be formed at a high speed. In the case of forming a silicon oxide, the coating method is to apply a silazane polymer in the
This is a simple process of heating and drying at 50 to 500 ° C. for about 0.5 to 5 hours, and does not require a vacuum device unlike the above-described film forming method, so that a desired silicon oxide thin film can be obtained with a simple device. Therefore, this is also preferably used. As the silazane polymer used in the coating method, for example, polysilazane (manufactured by Tonen Corp.) can be used.
【0014】スパッタリング法ではターゲットに所望の
無機酸化物を、スパッタリングガスにアルゴン等の不活
性ガスを用いた高周波(RF)マグネトロンスパッタ法
が好ましく用いられる。スパッタリングガス中に、成膜
された無機酸化物の酸素欠損を補うために適量の酸素ガ
スを導入してもよい。また、例えば、酸化珪素薄膜の場
合には珪素、チタン酸化物薄膜の場合にはチタンといっ
た金属ターゲットを用い、スパッタガスにアルゴン等の
不活性ガス、反応性ガスに酸素を用いた直流(DC)反
応性スパッタ法でも所望の無機酸化物層を得ることがで
きる。スパッタリング法ではターゲットに所望の材料を
選ぶことで、さまざまな無機薄膜が形成できるため、こ
れもまた好んで用いられる。In the sputtering method, a radio frequency (RF) magnetron sputtering method using a desired inorganic oxide as a target and an inert gas such as argon as a sputtering gas is preferably used. An appropriate amount of oxygen gas may be introduced into the sputtering gas to compensate for oxygen vacancies in the formed inorganic oxide. Further, for example, a direct current (DC) using a metal target such as silicon for a silicon oxide thin film and titanium for a titanium oxide thin film, using an inert gas such as argon as a sputtering gas, and oxygen as a reactive gas. A desired inorganic oxide layer can also be obtained by a reactive sputtering method. In the sputtering method, various inorganic thin films can be formed by selecting a desired material for the target, and therefore, this is also preferably used.
【0015】無機薄膜層の膜厚は0.2μm〜3.7μ
m、より好ましくは0.3μm〜3.7μm、さらに好
ましくは0.4μm〜3.7μm、さらに好ましくは
0.5μm〜3.5μm、さらに好ましくは0.5μm
〜2.5μmである。無機薄膜層の厚さがこれより薄い
と、ストロボ発光に対する透明高分子フィルムの黒化を
抑制する保護層としての機能を果たさないため、該反射
板を用いて形成したストロボ用反射板、もしくは反射傘
は、数回のストロボ発光で透明高分子フィルムが黒化し
てしまうため好ましくない。また、無機薄膜層の膜厚が
これより厚いと、該反射板をストロボ用反射傘に加工す
る際、無機薄膜層にひび割れが生じるため好ましくな
い。なお無機薄膜層の膜厚は上記膜厚で実用上十分な性
能が得られるので、これを越える膜厚にするために成膜
時間をかけるのは材料の無駄でもあり好ましくない。The thickness of the inorganic thin film layer is 0.2 μm to 3.7 μm.
m, more preferably 0.3 μm to 3.7 μm, further preferably 0.4 μm to 3.7 μm, further preferably 0.5 μm to 3.5 μm, and still more preferably 0.5 μm.
2.52.5 μm. If the thickness of the inorganic thin film layer is thinner than this, it does not function as a protective layer for suppressing blackening of the transparent polymer film against strobe light emission. An umbrella is not preferable because the transparent polymer film is blackened by several times of strobe light emission. On the other hand, if the thickness of the inorganic thin film layer is larger than this, the inorganic thin film layer is undesirably cracked when the reflector is processed into a flash reflector. It should be noted that the inorganic thin film layer having the above-mentioned film thickness can provide practically sufficient performance. Therefore, it is not preferable to increase the film-forming time in order to make the film thickness more than this, because it wastes material.
【0016】本発明においては、かかる無機薄膜層を一
方の面上に形成した透明高分子フィルムに、図1に示す
ように、無機薄膜層を形成した面とは逆の面に、銀薄膜
層を形成する。かかる銀薄膜層の形成方法には、従来公
知の化学液相成長法及び物理気相成長法が利用できる。
化学液相成長法とはいわゆるメッキ法の総称であり、溶
液から銀を析出させ膜を形成する方法である。具体例を
挙げるとすれば、銀鏡反応等がある。一方、物理気相成
長法とは、真空成膜法の総称であり、具体的に例示する
とすれば、抵抗加熱式真空蒸着法、電子ビーム加熱式真
空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビームアシ
スト真空蒸着法、スパッタ法等がある。とりわけ、本発
明には連続的に成膜するロールツロール方式が可能な真
空成膜法が好ましく用いられる。In the present invention, as shown in FIG. 1, a silver thin film layer is formed on a transparent polymer film having such an inorganic thin film layer formed on one surface thereof, opposite to the surface on which the inorganic thin film layer is formed. To form As a method for forming such a silver thin film layer, conventionally known chemical liquid phase growth methods and physical vapor phase growth methods can be used.
The chemical liquid phase growth method is a general term for a so-called plating method, and is a method of depositing silver from a solution to form a film. Specific examples include a silver mirror reaction. On the other hand, the physical vapor deposition method is a general term for a vacuum film forming method, and specific examples thereof include a resistance heating type vacuum deposition method, an electron beam heating type vacuum deposition method, an ion plating method, and an ion beam assist method. There are a vacuum deposition method, a sputtering method and the like. In particular, in the present invention, a vacuum film forming method capable of a roll-to-roll system for continuously forming a film is preferably used.
【0017】真空蒸着法では銀の原材料を電子ビーム、
抵抗加熱、誘導加熱等で溶融させ、蒸気圧を上昇させ、
好ましくは0.1mTorr(約0.1Pa)以上導入
させ、高周波もしくは直流のグロー放電を起こしてもよ
い。In the vacuum deposition method, a silver raw material is an electron beam,
Melt by resistance heating, induction heating, etc., raise the vapor pressure,
Preferably, 0.1 mTorr (about 0.1 Pa) or more is introduced to cause high-frequency or direct-current glow discharge.
【0018】スパッタ法では、直流(DC)マグネトロ
ンスパッタ法、高周波(RF)マグネトロンスパッタ
法、イオンビームスパッタ法、ECRスパッタ法、コン
ベンショナルRFスパッタ法、コンベンショナルDCス
パッタ法等を使用し得る。スパッタ法においては、原材
料は銀の板状のターゲットを用いればよく、スパッタガ
スにはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセ
ノン等を使用し得るが、好ましくはアルゴンが用いられ
る。ガスの純度は、99.0%以上が好ましいが、より
好ましくは99.5%以上である。As the sputtering method, a direct current (DC) magnetron sputtering method, a high frequency (RF) magnetron sputtering method, an ion beam sputtering method, an ECR sputtering method, a conventional RF sputtering method, a conventional DC sputtering method, or the like can be used. In the sputtering method, a silver plate-shaped target may be used as a raw material, and helium, neon, argon, krypton, xenon, or the like may be used as a sputtering gas, but argon is preferably used. The gas purity is preferably 99.0% or more, more preferably 99.5% or more.
【0019】銀薄膜層の厚さは60nm〜350nm、
より好ましくは70nm〜300nmである。これ未満
では、銀の膜厚が十分でないために、透過する光が存在
し、反射率が十分でなくなる。一方、膜厚をこれより厚
くしても、更に反射率は上昇せず、飽和傾向を示す上
に、銀層の透明高分子フィルムに対する密着性が低下す
るので好ましくない。The thickness of the silver thin film layer is from 60 nm to 350 nm,
More preferably, it is 70 nm to 300 nm. If it is less than this, the transmitted light is present due to the insufficient silver film thickness, and the reflectance is not sufficient. On the other hand, if the film thickness is larger than this, the reflectance does not further increase, showing a saturation tendency, and the adhesion of the silver layer to the transparent polymer film is undesirably reduced.
【0020】膜厚の測定は、触針粗さ計、繰り返し反射
干渉計、マイクロバランス、水晶振動子法等があるが、
水晶振動子法では成膜中に膜厚の測定が可能なので所望
の膜厚を得るのに適している。また、前もって成膜条件
を定めておき、試料基材上に成膜を行い、成膜時間と膜
厚の関係を調べた上で、成膜時間により膜厚制御する方
法もある。For measuring the film thickness, there are a stylus roughness meter, a repetitive reflection interferometer, a microbalance, a quartz oscillator method and the like.
The quartz oscillator method is suitable for obtaining a desired film thickness because the film thickness can be measured during film formation. There is also a method in which film formation conditions are determined in advance, a film is formed on a sample substrate, the relationship between the film formation time and the film thickness is examined, and the film thickness is controlled by the film formation time.
【0021】なお、銀薄膜層には、性能に害を及ぼさな
い程度の、金、銅、ニッケル、鉄、コバルト、タングス
テン、モリブデン、タンタル、クロム、インジュウム、
マンガン、チタン等の金属不純物が含まれてもよい。さ
らに、銀層を形成した後、さらにその上に銀層の保護や
フィルムの滑り性の向上のために、インコネル、クロ
ム、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブデン、タ
ングステン等の単金属層もしくは合金層を10nm〜3
0nm積層することが有効であることは、当業者が理解
しているところであろう。In the silver thin film layer, gold, copper, nickel, iron, cobalt, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, indium, and the like which do not adversely affect the performance are provided.
Metal impurities such as manganese and titanium may be included. Further, after forming the silver layer, a single metal layer or an alloy layer of Inconel, chromium, nickel, titanium, aluminum, molybdenum, tungsten, etc. is further formed thereon to protect the silver layer and improve the slip property of the film. 10 nm to 3
Those skilled in the art will understand that stacking 0 nm is effective.
【0022】本発明で用いられる接着剤は、熱または触
媒の助けにより接着される接着剤であり具体的には、シ
リコン系接着剤、ポリエステル系接着剤、エポキシ系接
着剤、シアノアクリレート系接着剤など一般的な接着剤
を用いることができる。シリコン系接着剤、及びポリエ
ステル系接着剤は耐熱性、電気特性に優れているためト
リガを印加するストロボ用反射体用に好適に利用でき
る。エポキシ系接着剤は強度、耐熱性に優れているた
め、これもまた好適に利用できる。シアノアクリレート
系接着剤は、速攻性と強度に優れているため、効率的な
反射体作製に利用できる。これらの接着剤は、接着方法
によって熱硬化型、ホットメルト型、二液混合型に大別
されるが、好ましくは連続生産が可能な熱硬化型あるい
はホットメルト型が使用される。熱接着剤の厚みには、
特に限定はないが、通常0.5μm〜50μm、好まし
くは1μm〜20μm程度である。The adhesive used in the present invention is an adhesive bonded with the aid of heat or a catalyst, and specifically includes a silicone adhesive, a polyester adhesive, an epoxy adhesive, and a cyanoacrylate adhesive. For example, a general adhesive can be used. Silicone-based adhesives and polyester-based adhesives have excellent heat resistance and electrical properties, and thus can be suitably used for a strobe reflector for applying a trigger. Epoxy-based adhesives are excellent in strength and heat resistance, and therefore can also be suitably used. The cyanoacrylate-based adhesive has excellent quickness and strength, and can be used for efficient reflector production. These adhesives are roughly classified into a thermosetting type, a hot-melt type, and a two-component mixing type depending on the bonding method, and a thermosetting type or a hot-melt type which can be continuously produced is preferably used. The thickness of the thermal adhesive
Although not particularly limited, it is usually about 0.5 μm to 50 μm, preferably about 1 μm to 20 μm.
【0023】透明高分子フィルムと板状成形体との接着
は、銀薄膜層への接着剤のコーティング、乾燥、ローラ
ーによる板状成形体とのラミネート、の手順により行わ
れる。接着剤のコーティング方法は、基材や接着剤の種
類によって多くの方法があるが、広く使用されているの
はグラビアコーター方式及びリバースコーター方式であ
る。グラビアコーター方式では、接着剤に一部分が浸さ
れているグラビアロールを回転させ、バックアップロー
ルによって送られるフィルムを接着剤の付着したグラビ
アロールに接触させることでコーティングする。コーテ
ィング量はロールの回転数、接着剤の粘度を制御するこ
とで調整できる。リバースコーター方式も、グラビアロ
ール方式に類似した方法であるが、コーティングロール
に付着する接着剤の量を、それに接して設置されている
メタリングロールによって調整する。コーティングされ
た接着剤の乾燥温度、及びラミネート温度は接着剤の種
類によってまちまちであるが、上記に掲げた一般的な接
着剤を用いる場合は100℃前後である。The adhesion between the transparent polymer film and the plate-like molded product is performed by the procedure of coating the silver thin film layer with an adhesive, drying, and laminating the plate-like molded product with a roller. There are many methods for coating the adhesive depending on the type of the base material and the adhesive, but the gravure coater method and the reverse coater method are widely used. In the gravure coater method, coating is performed by rotating a gravure roll partially immersed in an adhesive and bringing a film sent by a backup roll into contact with the gravure roll to which the adhesive is attached. The coating amount can be adjusted by controlling the number of rotations of the roll and the viscosity of the adhesive. The reverse coater method is also a method similar to the gravure roll method, but the amount of the adhesive adhering to the coating roll is adjusted by a metering roll installed in contact with the coating roll. The drying temperature and the laminating temperature of the coated adhesive vary depending on the type of the adhesive, but are around 100 ° C. when the above-mentioned general adhesive is used.
【0024】この接着剤による銀薄膜層を形成した透明
高分子フィルムと板状成形体との密着強度は、180度
ピール強度で測定して100g/cm以上であることが
望ましい。この密着強度に達しない場合には、ストロボ
用反射体として板金加工した際、銀薄膜層を形成した透
明高分子フィルムの板状成形体からの剥がれ等が生じ、
変形等を引き起こす。The adhesive strength between the transparent polymer film on which the silver thin film layer is formed and the plate-like molded product by the adhesive is desirably 100 g / cm or more as measured at a 180 degree peel strength. If the adhesion strength is not reached, when a sheet metal is processed as a reflector for a strobe, the transparent polymer film on which the silver thin film layer is formed is peeled off from the plate-like molded body,
Causes deformation.
【0025】板状成形体には、アルミニウム、アルミ合
金、ステンレス鋼、鋼亜鉛合金、鋼等が使用されるが、
これらの金属にはそれぞれ長所があり次のように使い分
けることができる。アルミニウムは軽量かつ加工性に優
れ、また、熱伝導率が高くそれにかかる熱を効果的に大
気中に逃がすことができるため、ランプ発光によって反
射体が加熱されるストロボ用反射傘に好適に利用でき
る。アルミ合金は軽量かつ機械的強度が強いため、スト
ロボ用反射傘に好適に利用できる。ステンレス鋼は機械
的強度が高度にあり、また耐蝕性にすぐれているため、
ストロボ用反射傘に好適に利用できる。鋼亜鉛合金すな
わち黄銅またはしんちゅうは、機械的強度の強いことに
加え、はんだづけが容易なためトリガ端子をとり易くこ
れもまたストロボ用反射傘に好適に利用できる。鋼は安
価なため、コストを抑える必要がある時に好ましく用い
られる。Aluminum, aluminum alloy, stainless steel, steel zinc alloy, steel and the like are used for the plate-like molded body.
Each of these metals has advantages and can be used as follows. Aluminum is lightweight and excellent in workability, and has high thermal conductivity and can effectively release the heat applied to the atmosphere, so that it can be suitably used as a reflector for a strobe in which a reflector is heated by lamp emission. . Since aluminum alloy is lightweight and has high mechanical strength, it can be suitably used as a reflector for strobe light. Stainless steel has high mechanical strength and excellent corrosion resistance,
It can be suitably used for a strobe reflector. A steel zinc alloy, that is, brass or brass, has a high mechanical strength and is easy to solder, so that it is easy to take a trigger terminal, and this can also be suitably used for a reflector for strobe light. Since steel is inexpensive, it is preferably used when it is necessary to reduce costs.
【0026】かくして、作製された反射板の反射率は典
型的には550nmの波長の光に対して93%以上であ
り、より詳しくは450nm〜750nmの範囲で93
%以上である。当該銀反射板を成形加工してストロボ用
反射傘を作製するには、アルミ板をストロボ用反射傘に
加工する従来の方法がそのまま適用できる。例えば、反
射体を反射傘を平面的に展開した形状に裁断し、この裁
断した平板を折曲げ加工して形成される(特開昭55−
118002)。かかる方法は製造コストが安いことか
ら、レンズ付きフィルム等に好適に利用されている。The reflectivity of the reflector thus manufactured is typically 93% or more with respect to light having a wavelength of 550 nm, and more specifically, 93% in the range of 450 nm to 750 nm.
% Or more. In order to form the strobe reflector by forming the silver reflector, a conventional method of processing an aluminum plate into a strobe reflector can be applied as it is. For example, a reflector is formed by cutting a reflector into a shape obtained by expanding a reflector in a plane, and bending the cut flat plate.
118002). Since such a method is inexpensive to manufacture, it is suitably used for films with lenses.
【0027】本発明品である銀反射体の構成の代表的な
評価方法を以下に説明する。無機薄膜層、透明高分子フ
ィルム、銀薄膜層、接着層、板状成形体の各部の厚さ
は、その断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察する
ことで直接測定できる。また、オージェ電子分光(AE
S)により、層構造の深さ方向の組成を分析することに
よっても測定することが可能である。透明高分子フィル
ムの材料分析は、赤外分光(IR)により可能である。
また、接着剤の材料分析は銀薄膜層と板状成形体を引き
剥して接着剤を露出させ、適当な溶媒にそれを溶かした
試料を作製し、その赤外分光(IR)をとることで行わ
れる。無機薄膜層、銀薄膜層及び板状形成体の材料分析
は、蛍光X線分光(XRF)やオージェ電子分光(AE
S)により行える。さらに、X線マイクロアナライザ
(EPMA)では蛍光X線分光より微細な部分の元素分
析が行える。A typical method for evaluating the structure of the silver reflector according to the present invention will be described below. The thickness of each part of the inorganic thin film layer, the transparent polymer film, the silver thin film layer, the adhesive layer, and the plate-like molded body can be directly measured by observing the cross section with a transmission electron microscope (TEM). Auger electron spectroscopy (AE
According to S), the composition can be measured by analyzing the composition of the layer structure in the depth direction. Material analysis of the transparent polymer film is possible by infrared spectroscopy (IR).
In addition, the material analysis of the adhesive is performed by peeling the silver thin film layer and the plate-like molded body to expose the adhesive, preparing a sample in which the adhesive is dissolved in an appropriate solvent, and taking an infrared spectrum (IR) thereof. Done. Material analysis of the inorganic thin film layer, the silver thin film layer, and the plate-like formed body is performed by X-ray fluorescence spectroscopy (XRF) or Auger electron spectroscopy (AE).
S). Further, an X-ray microanalyzer (EPMA) can perform elemental analysis of a portion finer than X-ray fluorescence spectroscopy.
【0028】[0028]
【実施例】以下、実施例により本発明の実施の態様の一
例を説明する。なお、実施例に記載された全光線透過
率、反射率は分光光度計(日立製作所製:U−340
0)で測定した。EXAMPLES Examples of the embodiments of the present invention will be described below with reference to examples. In addition, the total light transmittance and the reflectance described in the examples are measured with a spectrophotometer (U-340, manufactured by Hitachi, Ltd.).
0).
【0029】実施例1 ポリエーテルサルフォンフィルム(厚さ50μm、全光
線透過率=87%)の一方の面に、1,1,3,3−テ
トラメチルジシロキサンガスと酸素ガスを原料としたプ
ラズマCVD法により、厚さ0.5μmの珪素酸化物を
形成した後、珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度9
9.9%の銀を原料として、電子ビーム真空蒸着法で、
厚さ150nmの銀を蒸着した。水晶式膜厚モニターで
銀層の膜厚を測定したところ150nmであった。その
フィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル系ホ
ットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成した。そ
の銀反射板の波長550nmの光線に対する全反射率を
測定した後、板金加工によってストロボ反射体用傘と
し、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて固
定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアルミ
ニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを形
成した。Example 1 A 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane gas and an oxygen gas were used as raw materials on one surface of a polyethersulfone film (thickness 50 μm, total light transmittance = 87%). After a silicon oxide having a thickness of 0.5 μm is formed by a plasma CVD method, a purity of 9 μm is formed on the back surface of the surface on which the silicon oxide is formed.
Using 9.9% silver as a raw material, electron beam vacuum evaporation
Silver having a thickness of 150 nm was deposited. The thickness of the silver layer was measured with a quartz crystal film thickness monitor to be 150 nm. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the silver reflecting plate with respect to a light having a wavelength of 550 nm, an umbrella for a strobe reflector is formed by sheet metal processing, the xenon lamp and the silicon oxide layer side are brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is silver. A strobe for photography was formed by connecting to an aluminum plate of a reflection plate.
【0030】実施例2 ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ100μ
m、全光線透過率=87%)の一方の面に、東燃(株)
製ポリシラザンを塗布し、170℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ1.0μmの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に純度99.9%の銀を
原料として、電子ビーム真空蒸着法で、厚さ150nm
の銀を蒸着した。そのフィルムの銀側とアルミニウム板
とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で接着し、銀
反射板を形成した。その銀反射板の波長550nmの光
線に対する全反射率を測定した後、板金加工によってス
トロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層
側を接触させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を
銀反射板のアルミニウム板に接続することで、写真撮影
用のストロボを形成した。Example 2 Polyethylene terephthalate film (100 μm thick)
m, total light transmittance = 87%) on one side.
After applying a polysilazane made and drying by heating at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 1.0 μm,
On the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed, silver having a purity of 99.9% was used as a raw material, and the thickness was 150 nm by electron beam vacuum evaporation.
Of silver was evaporated. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the silver reflecting plate with respect to a light having a wavelength of 550 nm, an umbrella for a strobe reflector is formed by sheet metal processing, the xenon lamp and the silicon oxide layer side are brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is silver. A strobe for photography was formed by connecting to an aluminum plate of a reflection plate.
【0031】実施例3 ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ100μ
m、全光線透過率=87%)の一方の面に、東燃(株)
製ポリシラザンを塗布し、170℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ2.5μmの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度99.99%の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス2mTorrの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ150
nmの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長55
0nmの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Example 3 Polyethylene terephthalate film (100 μm thick)
m, total light transmittance = 87%) on one side.
After applying a polysilazane made and drying by heating at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 2.5 μm,
On the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed, using a target of silver having a purity of 99.99%, under a gas atmosphere of 2 mTorr of argon gas by a DC magnetron method, a thickness of 150 mm was used.
The silver thin film layer of nm was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to a light beam of 0 nm, an umbrella for a strobe reflector was formed by sheet metal processing, and the xenon lamp and the silicon oxide layer were brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was connected to an aluminum plate of a silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.
【0032】実施例4 ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ100μ
m、全光線透過率=87%)の一方の面に、東燃(株)
製ポリシラザンを塗布し、170℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ3.5μmの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度99.99%の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス2mTorrの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ150
nmの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長55
0nmの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Example 4 Polyethylene terephthalate film (100 μm thick)
m, total light transmittance = 87%) on one side.
Polysilazane made was applied and dried by heating at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 3.5 μm.
On the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed, using a target of silver having a purity of 99.99%, under a gas atmosphere of 2 mTorr of argon gas by a DC magnetron method, a thickness of 150 mm was used.
The silver thin film layer of nm was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to a light beam of 0 nm, an umbrella for a strobe reflector was formed by sheet metal processing, and the xenon lamp and the silicon oxide layer were brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was connected to an aluminum plate of a silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.
【0033】実施例5 ポリエチレンフィルム(厚さ100μm、全光線透過率
=87%)の一方の面に、東燃(株)製ポリシラザンを
塗布し、170℃で加熱乾燥させることにより厚さ1.
0μmの珪素酸化物層を形成した後、珪素酸化物を形成
した面の裏面に、純度99.9%の銀を原料として、電
子ビーム真空蒸着法で、厚さ70nmの銀を蒸着した。
そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル
系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その銀反射板の波長550nmの光線に対する全反
射率を測定した後、板金加工によってストロボ反射体用
傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて
固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアル
ミニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを
形成した。Example 5 Polysilazane manufactured by Tonen Co., Ltd. was applied to one surface of a polyethylene film (thickness: 100 μm, total light transmittance = 87%), and dried by heating at 170 ° C.
After a silicon oxide layer having a thickness of 0 μm was formed, silver having a thickness of 70 nm was vapor-deposited on the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed by using electron beam vacuum vapor deposition using silver having a purity of 99.9% as a raw material.
The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the silver reflecting plate with respect to a light having a wavelength of 550 nm, an umbrella for a strobe reflector is formed by sheet metal processing, the xenon lamp and the silicon oxide layer side are brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is silver. A strobe for photography was formed by connecting to an aluminum plate of a reflection plate.
【0034】実施例6 ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ100μ
m、全光線透過率=87%)の一方の面に、東燃(株)
製ポリシラザンを塗布し、170℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ1.0μmの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度99.99%の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス2mTorrの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ300
nmの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長55
0nmの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Example 6 Polyethylene terephthalate film (100 μm thick)
m, total light transmittance = 87%) on one side.
After applying a polysilazane made and drying by heating at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 1.0 μm,
On the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed, using a target of silver having a purity of 99.99% and a thickness of 300 mm by a DC magnetron method under an atmosphere of 2 mTorr of argon gas.
The silver thin film layer of nm was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to a light beam of 0 nm, an umbrella for a strobe reflector was formed by sheet metal processing, and the xenon lamp and the silicon oxide layer were brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was connected to an aluminum plate of a silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.
【0035】比較例1 ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ100μ
m、全光線透過率=87%)の一方の面に電子ビーム真
空蒸着法で、純度99.9%の銀を蒸着した。水晶式膜
厚モニターで銀層の膜厚を測定したところ150nmで
あった。そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリ
エステル系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を
形成した。その銀反射板の波長550nmの光線に対す
る全反射率を測定した後、板金加工によってストロボ反
射体用傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触
させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板
のアルミニウム板に接続することで、写真撮影用のスト
ロボを形成した。Comparative Example 1 Polyethylene terephthalate film (100 μm thick)
m, total light transmittance = 87%). Silver having a purity of 99.9% was vapor-deposited by electron beam vacuum vapor deposition on one surface. The thickness of the silver layer was measured with a quartz crystal film thickness monitor to be 150 nm. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the silver reflecting plate with respect to a light having a wavelength of 550 nm, an umbrella for a strobe reflector is formed by sheet metal processing, the xenon lamp and the silicon oxide layer side are brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is silver. A strobe for photography was formed by connecting to an aluminum plate of a reflection plate.
【0036】比較例2 ポリエーテルサルフォンフィルム(厚さ50μm、全光
線透過率=87%)の一方の面に、1,1,3,3−テ
トラメチルジシロキサンガスと酸素ガスを原料としたプ
ラズマCVD法により、厚さ0.3μmの珪素酸化物を
形成した後、形成した面の裏面に電子ビーム真空蒸着法
で、純度99.9%の銀を蒸着した。水晶式膜厚モニタ
ーで銀層の膜厚を測定したところ150nmであった。
そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル
系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その銀反射板の波長550nmの光線に対する全反
射率を測定した後、板金加工によってストロボ反射体用
傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて
固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアル
ミニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを
形成した。Comparative Example 2 A 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane gas and an oxygen gas were used as raw materials on one surface of a polyethersulfone film (thickness: 50 μm, total light transmittance = 87%). After a silicon oxide having a thickness of 0.3 μm was formed by a plasma CVD method, silver having a purity of 99.9% was deposited on the back surface of the formed surface by an electron beam vacuum deposition method. The thickness of the silver layer was measured with a quartz crystal film thickness monitor to be 150 nm.
The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the silver reflecting plate with respect to a light having a wavelength of 550 nm, an umbrella for a strobe reflector is formed by sheet metal processing, the xenon lamp and the silicon oxide layer side are brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is silver. A strobe for photography was formed by connecting to an aluminum plate of a reflection plate.
【0037】比較例3 ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ100μ
m、全光線透過率=87%)の一方の面に、東燃(株)
製ポリシラザンを塗布し、170℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ4.0μmの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度99.99%の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス2mTorrの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ150
nmの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長55
0nmの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Comparative Example 3 Polyethylene terephthalate film (100 μm thick)
m, total light transmittance = 87%) on one side.
Polysilazane manufactured was applied and dried by heating at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 4.0 μm.
On the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed, using a target of silver having a purity of 99.99%, under a gas atmosphere of 2 mTorr of argon gas by a DC magnetron method, a thickness of 150 mm was used.
The silver thin film layer of nm was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to a light beam of 0 nm, an umbrella for a strobe reflector was formed by sheet metal processing, and the xenon lamp and the silicon oxide layer were brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was connected to an aluminum plate of a silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.
【0038】比較例4 ポリエチレンフィルム(厚さ100μm、全光線透過率
=87%)の一方の面に、東燃(株)製ポリシラザンを
塗布し、170℃で加熱乾燥させることにより厚さ1.
0μmの珪素酸化物層を形成した後、珪素酸化物を形成
した面の裏面に、純度99.9%の銀を原料として、電
子ビーム真空蒸着法で、厚さ50nmの銀を蒸着した。
そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル
系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その銀反射板の波長550nmの光線に対する全反
射率を測定した後、板金加工によってストロボ反射体用
傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて
固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアル
ミニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを
形成した。Comparative Example 4 Polysilazane manufactured by Tonen Co., Ltd. was applied to one surface of a polyethylene film (thickness: 100 μm, total light transmittance = 87%) and dried by heating at 170 ° C.
After a silicon oxide layer having a thickness of 0 μm was formed, silver having a thickness of 50 nm was vapor-deposited on the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed by electron beam vacuum vapor deposition using silver having a purity of 99.9% as a raw material.
The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the silver reflecting plate with respect to a light having a wavelength of 550 nm, an umbrella for a strobe reflector is formed by sheet metal processing, the xenon lamp and the silicon oxide layer side are brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is silver. A strobe for photography was formed by connecting to an aluminum plate of a reflection plate.
【0039】比較例5 ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ100μ
m、全光線透過率=87%)の一方の面に、東燃(株)
製ポリシラザンを塗布し、170℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ1.0μmの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度99.99%の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス2mTorrの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ400
nmの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長55
0nmの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Comparative Example 5 Polyethylene terephthalate film (100 μm thick)
m, total light transmittance = 87%) on one side.
After applying a polysilazane made and drying by heating at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 1.0 μm,
On the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed, using a target of silver having a purity of 99.99%, under an atmosphere of 2 mTorr of argon gas by a DC magnetron method, a thickness of 400 mm was used.
The silver thin film layer of nm was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to a light beam of 0 nm, an umbrella for a strobe reflector was formed by sheet metal processing, and the xenon lamp and the silicon oxide layer were brought into contact and fixed, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was connected to an aluminum plate of a silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.
【0040】図2及び図3は、実施例1〜6、比較例1
〜5において説明した写真撮影用のストロボの概略図で
ある。ここで図2はキセノン管に銀反射板を接触させた
ストロボ構造の断面を示し、図3はキセノン管に銀反射
板を接触させたストロボ構造の発光面の裏側から見た図
を示している。図において、10はキセノンランプ、2
0は銀反射板、30はトリガ端子である。FIGS. 2 and 3 show Examples 1 to 6 and Comparative Example 1.
It is the schematic of the strobe for photography described in-5. Here, FIG. 2 shows a cross section of a strobe structure in which a silver reflector is brought into contact with a xenon tube, and FIG. 3 shows a view seen from the back side of a light emitting surface of the strobe structure in which a silver reflector is brought into contact with a xenon tube. . In the figure, 10 is a xenon lamp, 2
0 is a silver reflection plate, and 30 is a trigger terminal.
【0041】図4はストロボを発光させるための発光回
路である。キセノンランプ10に電界コンデサで充電し
た電圧をかけ、発光を誘起するためにトリガ端子20に
高電圧、高周波のトリガを印加する。ここで、キセノン
ランプにかかる電圧、トリガ端子にかかる電圧及び周波
数は、キセノンランプを発光させ得る適当な値に設定す
ればよい。FIG. 4 shows a light emitting circuit for emitting light from a strobe. A voltage charged by an electric field capacitor is applied to the xenon lamp 10, and a high voltage and high frequency trigger is applied to the trigger terminal 20 to induce light emission. Here, the voltage applied to the xenon lamp, the voltage applied to the trigger terminal, and the frequency may be set to appropriate values that allow the xenon lamp to emit light.
【0042】実施例1〜6および比較例1〜5において
説明した写真撮影用ストロボを、図4において説明した
ストロボ回路において、キセノンランプに印加する電圧
を320V、トリガ端子に印加する電圧をピーク−ピー
ク値で15kV、周波数1MHzに設定し、キセノンラ
ンプを10秒間隔で100回繰り返し発光させた後、銀
反射傘の状態を観察した。実施例1〜6および比較例1
〜5それぞれの、発光試験前の波長550nmの光線に
対する全反射率、および発光試験後の反射傘の状態を
〔表1〕に掲げる。The strobe for photographing described in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 5 is different from the strobe circuit described in FIG. 4 in that the voltage applied to the xenon lamp is 320 V and the voltage applied to the trigger terminal is peak-to-peak. After setting the peak value at 15 kV and the frequency at 1 MHz, the xenon lamp was repeatedly emitted 100 times at 10-second intervals, and then the state of the silver reflector was observed. Examples 1 to 6 and Comparative Example 1
Table 1 shows the total reflectance of each of the samples No. to No. 5 with respect to light having a wavelength of 550 nm before the light emission test and the state of the reflector after the light emission test.
【0043】[0043]
【表1】 本発明品である実施例1〜5が、写真撮影用のストロボ
反射体として優れていることは、高い反射率を有し、1
00回の発光試験においても異常をきたさないという、
上記の実験結果から明らかである。[Table 1] The fact that Examples 1 to 5 of the present invention are excellent as strobe reflectors for photography has a high reflectance and
It is said that there is no abnormality even in the luminescence test of 00 times
It is clear from the above experimental results.
【0044】[0044]
【発明の効果】本発明に従えば、黒化が好適に防止され
たストロボの反射体に好適に用いることができる銀反射
板を提供することができる。According to the present invention, it is possible to provide a silver reflector which can be suitably used for a strobe reflector in which blackening is suitably prevented.
【図1】反射板の断面構造を示す図FIG. 1 is a diagram showing a sectional structure of a reflector.
【図2】キセノン管に反射板を接触させたストロボ構造
の断面を示す図FIG. 2 is a diagram showing a cross section of a strobe structure in which a reflector is brought into contact with a xenon tube.
【図3】キセノン管に反射板を接触させたストロボ構造
の発光面の裏側から見た図FIG. 3 is a view seen from the back side of a light emitting surface of a strobe structure in which a reflector is brought into contact with a xenon tube.
【図4】ストロボ発光回路を示す図FIG. 4 is a diagram showing a strobe light emitting circuit.
01 無機薄膜層 02 透明高分子フィルム 03 銀薄膜層 04 接着層 05 板状成形体 10 キセノンランプ 20 反射板 30 トリガ端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 01 Inorganic thin film layer 02 Transparent polymer film 03 Silver thin film layer 04 Adhesive layer 05 Plate-shaped molded object 10 Xenon lamp 20 Reflector 30 Trigger terminal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 信弘 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−162227(JP,A) 特開 平1−168443(JP,A) 特開 平4−45921(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B32B 1/00 - 35/00 G03B 15/05 F21V 1/14 - 1/24 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Nobuhiro Fukuda 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsui Toatsu Chemicals Co., Ltd. (56) References JP-A-5-162227 (JP, A) JP-A-1 -168443 (JP, A) JP-A-4-45921 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B32B 1/00-35/00 G03B 15/05 F21V 1/14 -1/24
Claims (5)
射傘であって、 前記反射体は、少なくとも、膜厚が0.2μmないし
3.7μmの無機薄膜層(A)、透明高分子フィルム
(B)、膜厚が60nmないし350nmの銀薄膜層
(C)、接着層(D)、板状成形体(E)が、ABCD
Eの順に形成され、 前記無機薄膜層(A)の面側が反射面である反射板であ
り、 前記反射板の反射面をストロボ用光源と近接する形態に
成形加工されていることを特徴とするストロボ用反射
傘。1. A strobe reflector formed by processing a reflector, wherein the reflector has an inorganic thin film layer (A) having a thickness of at least 0.2 μm to 3.7 μm, and a transparent polymer film. (B), a silver thin film layer (C) having a film thickness of 60 nm to 350 nm, an adhesive layer (D), and a plate-like molded body (E) are ABCD
E, wherein the surface side of the inorganic thin film layer (A) is a reflection plate which is a reflection surface, and the reflection surface of the reflection plate is formed so as to be close to a light source for a strobe light. Reflective umbrella for strobe.
酸化物からなることを特徴とする請求項1に記載のスト
ロボ用反射傘。2. The strobe reflector according to claim 1, wherein the inorganic thin film layer (A) of the reflector is made of silicon oxide.
珪素酸化物は、シラザンポリマーを熱処理することによ
り形成される珪素酸化物であることを特徴とする請求項
2に記載のストロボ用反射傘。3. The strobe light according to claim 2, wherein the silicon oxide used for the inorganic thin film layer (A) of the reflector is a silicon oxide formed by heat-treating a silazane polymer. Reflective umbrella.
珪素酸化物は、プラズマCVD法により形成される珪素
酸化物であることを特徴とする請求項2に記載のストロ
ボ用反射傘。4. The flash umbrella according to claim 2, wherein the silicon oxide used for the inorganic thin film layer (A) of the reflector is a silicon oxide formed by a plasma CVD method. .
ミニウム、アルミ合金、ステンレス鋼、銅亜鉛合金、鋼
から選ばれる金属材料で形成されていることを特徴とす
る請求項1〜4のいずれか一項に記載のストロボ用反射
傘。5. The reflector (E) of the reflection plate is made of a metal material selected from aluminum, aluminum alloy, stainless steel, copper zinc alloy, and steel. 5. The reflector for a strobe light according to any one of items 4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27470494A JP3283145B2 (en) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | Reflector umbrella for strobe light using reflector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH08132555A JPH08132555A (en) | 1996-05-28 |
JP3283145B2 true JP3283145B2 (en) | 2002-05-20 |
Family
ID=17545403
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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---|---|
JP (1) | JP3283145B2 (en) |
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KR100492872B1 (en) * | 2001-04-24 | 2005-06-03 | 미쯔이카가쿠 가부시기가이샤 | Lamp reflector and reflector |
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