JP3280747B2 - Dicing processing management method and processing quality management system - Google Patents

Dicing processing management method and processing quality management system

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ダイシング加工の管理
方法および加工品質管理システム、特に半導体ウエハを
所要の半導体チップに切断するダイシング加工装置の管
理方法およびそれを応用した加工品質管理システムに関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing process management method and a process quality control system, and more particularly to a dicing process control method for cutting a semiconductor wafer into required semiconductor chips and a process quality control system using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、ダイシング加工装置における
加工状態をモニタするものとしては、カットラインチェ
ック機能が用いられている。このチェック機能は、図4
Aに示すように、顕微鏡手段によりウエハ上の極限られ
た数点、最大でも10点、のカッティング結果を計測
し、それらの点におけるカッティング状況とカット中心
位置をモニタすることを目的として、それらの点におけ
るカッティングが指定パラメータ以内となっているか否
かを判定するものである。図2は、チェックされるカッ
トラインの一例を示しており、通常60〜100μmの
カット予定溝すなわちストリートのセンターと実際のカ
ットラインのセンターとのずれDY、カッティング幅の最
大値W max および最小値W min 、中心からカッティング
最大端までの長さL あるいは最大チッピングDDY 等が測
定される。これらのパラメータは、カッティングの状況
とカッティングの位置を示すもので、予め設定された値
より大きい場合には、ダイシング加工装置をエラースト
ップさせ、必要なアクションをオペレータがとることと
なる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a cut line check function has been used to monitor a processing state in a dicing processing apparatus. This check function is shown in FIG.
As shown in A, the cutting results of a very limited number of points on the wafer, at most 10 points, are measured by the microscope means, and the monitoring of the cutting status and the cutting center position at those points is performed for the purpose of monitoring the cutting conditions and the cutting center position. It is determined whether or not cutting at a point is within specified parameters. FIG. 2 shows an example of a cut line to be checked, which is usually 60 to 100 μm, which is a groove to be cut, that is, a deviation DY between the center of the street and the center of the actual cut line, the maximum value W max and the minimum value of the cutting width. W min , the length L from the center to the maximum cutting edge or the maximum chipping DDY is measured. These parameters indicate a cutting situation and a cutting position. If the parameters are larger than a preset value, the dicing processing apparatus is error-stopped and a necessary action is taken by an operator.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のカットラインチェック機能におけるように選
択された計測点の周辺のみで計測を行うのでは、例えば
図3に示すように、カット中心位置CLC がストリート・
センターSTC から例えば10μm程度のずれ幅で比較的
長い範囲の蛇行を示す場合に、それを十分把握すること
ができないという問題がある。
However, when the measurement is performed only around the selected measurement point as in the conventional cut line check function, for example, as shown in FIG. Is a street
For example, when a meandering of a relatively long range is shown with a deviation width of about 10 μm from the center STC, there is a problem that it cannot be sufficiently grasped.

【0004】また、そのような従来のチェック機能によ
る計測データは、ウエハのカッティング状況、すなわ
ち、ダイシング加工における加工状況を把握するという
観点からのデータとしては大幅に不足している。これ
は、ウエハ中の特定の部分しか検査しないため、モニタ
としての役割しかもたず、ウエハ全体にわたる加工品質
としての加工状態のバラツキを判定するためには不十分
である。すなわち、ダイシング加工におけるカッティン
グの結果について判定を行う場合、統計的な意味でバラ
ツキがどの程度のものであるかが得られないと加工状態
の品質を示すものとしては十分な情報とはいえないが、
上記した従来のカットラインチェック機能ではそれを満
足することはできない。
Further, the measurement data obtained by such a conventional check function is largely inadequate as data from the viewpoint of grasping the cutting state of a wafer, that is, the processing state in dicing. Since the inspection is performed only on a specific portion of the wafer, it has only a role as a monitor, and is insufficient for judging a variation in processing state as processing quality over the entire wafer. In other words, when making a decision on the result of cutting in dicing, it is not sufficient information to indicate the quality of the machining state unless the degree of variation in the statistical sense is obtained. ,
The above-described conventional cut line check function cannot satisfy such a requirement.

【0005】このように、従来のカットラインチェック
技術では、カッティングの全体としてバラツキがどの程
度のものであるかを把握することはできず、ブレードの
十分な解析に役立つ程のデータとはならないという問題
があり、また、切断されたウエハの加工品質を表すデー
タとしても不十分なものである。そこで、本発明は、こ
のような状況に鑑み、カッティングの加工状態をバラツ
キにより管理するために、半導体ウエハの加工品質を把
握し、かつ、ブレード等の状況や加工条件が変化してい
ないか等を把握して、ブレードを適正な時期に交換し、
安定な加工を継続的に実施することができるダイシング
加工管理方法および加工品質管理システムを提供するこ
とを目的とする。
As described above, according to the conventional cut line check technique, it is impossible to grasp the degree of variation as a whole of the cutting, and the data is not enough to be useful for sufficient analysis of the blade. There is a problem, and it is also insufficient as data representing the processing quality of the cut wafer. In view of such circumstances, the present invention grasps the processing quality of a semiconductor wafer in order to manage the processing state of cutting with variations, and checks whether the state of the blade or the like or the processing condition has changed. And replace the blade at the right time,
An object of the present invention is to provide a dicing processing management method and a processing quality management system capable of continuously performing stable processing.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明によるダイシング
加工管理方法は、半導体ウエハ上の選択された複数のカ
ットラインに対して各々そのほぼ全長にわたりカットラ
インチェックのための撮影を実施してカットラインの画
像信号を得、他のカットラインと交差する全交差部分を
削除した画像信号を得て、加工状態を示すデータを検出
し、検出されたデータを統計処理し、その統計処理結果
に基づいてダイシング加工品質およびダイシング加工手
段を管理することを特徴とする。
According to the dicing processing management method of the present invention, a plurality of selected cut lines on a semiconductor wafer are photographed for a cut line check over substantially the entire length of each of the cut lines. Image signal of all the intersections that intersect with other cut lines
It is characterized in that a deleted image signal is obtained, data indicating a processing state is detected, the detected data is statistically processed, and dicing processing quality and dicing processing means are managed based on the statistical processing result.

【0007】また、本発明によるダイシング加工品質管
理システムは、搬送されてくる半導体ウエハに対して選
択的にダイシング加工を施す複数のダイシング加工手段
と、共通の計測手段であって、半導体ウエハ上のカット
ラインのうちの選択された複数のカットラインについて
ほぼ全長にわたる領域で他のカットラインと交差する全
交差部分を削除したカットラインのカットラインチェッ
クを実施する計測手段と、計測手段により計測される半
導体ウエハとダイシング加工を施したダイシング加工手
段との対応関係を識別し、計測結果から該当するダイシ
ング加工手段に関する加工品質の統計処理データ得、そ
の結果に基づいて該識別されたダイシング加工手段を制
御・管理することを特徴とする。
Further, the dicing quality control system according to the present invention comprises a plurality of dicing means for selectively performing dicing on a semiconductor wafer to be conveyed, and a common measuring means. All of the selected cut lines that intersect with other cut lines in a region extending over substantially the entire length of the selected cut lines.
Identify the corresponding relationship between the measuring means for performing the cut line check of the cut line with the intersection removed and the semiconductor wafer measured by the measuring means and the dicing processing means which has performed the dicing processing, and the corresponding dicing processing from the measurement results. The method is characterized in that statistical processing data of processing quality relating to the means is obtained, and the identified dicing processing means is controlled and managed based on the result.

【0008】[0008]

【作用】本発明によるダイシング加工管理方法によれ
ば、カットラインのほぼ全長にわたってカットラインチ
ェックを実施することができ、統計的データに基づく加
工品質管理が可能となる。また、本発明によるダイシン
グ加工品質管理システムによれば、複数のダイシング加
工手段を並行稼働させることにより、上記連続的なカッ
トラインチェック法によっても加工のスループットを低
下させないようにすることができる。
According to the dicing processing management method of the present invention, the cut line can be checked over substantially the entire length of the cut line, and the processing quality can be controlled based on statistical data. Further, according to the dicing processing quality management system of the present invention, by operating a plurality of dicing processing means in parallel, it is possible to prevent the processing throughput from being lowered even by the continuous cut line check method.

【0009】[0009]

【実施例】図1は、半導体ウエハをアライメントし、そ
の上に形成された半導体チップをウエハから切り出すた
めのダイシング装置の典型例における切断部の構成を示
す概略構成図であり、100は溝加工が施される半導体
ウエハ、111はダイアモンド等の砥粒をニッケル等で
固着した切削刃すなわちブレード、112はブレード1
11を高速回転させるスピンドルモータ、113は半導
体ウエハ100を真空吸着によって固定するステージ、
114は精密移動機構であり、半導体ウエハ100は、
加工中ばらばらになるのを防止するために、中央部を打
ち抜いたフレーム101に貼り付けられた粘着テープ1
02の中央部に貼り付けられ、ステージ113上に載置
されて固定される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a cutting portion in a typical example of a dicing apparatus for aligning a semiconductor wafer and cutting out semiconductor chips formed thereon from the wafer. Wafer 111, a cutting blade or blade 111 in which abrasive grains such as diamond are fixed with nickel or the like, and 112 is a blade 1
A spindle motor 11 for rotating the semiconductor wafer 100 at high speed; a stage 113 for fixing the semiconductor wafer 100 by vacuum suction;
114 is a precision moving mechanism, and the semiconductor wafer 100
An adhesive tape 1 attached to a frame 101 having a central portion punched out to prevent the pieces from falling apart during processing.
02 is mounted on the stage 113 and fixed.

【0010】半導体ウエハ100の表面を拡大投影する
対物レンズ116、鏡筒117、TVカメラ118から
なる顕微鏡手段と、スピンドルモータ112や精密移動
機構114を駆動制御する管理・制御部115および画
像処理部119とにより、半導体ウエハ100の表面上
の位置とブレード111の加工位置との位置関係が自動
的に決定されて、自動アライメント動作が行われる。同
時に、TVカメラ118からのビデオ信号はモニタ表示
手段にも表示される。また、この顕微鏡手段は、カッテ
ィング結果のモニタおよびチェックにも用いられてお
り、管理・制御部115においてビデオ信号を処理して
カット結果としてのカットラインに対して各種チェック
を実施する。前述したように、カットラインのモニタ例
が図2に示されており、カットラインの中心位置、カッ
トラインのセンターとストリートのセンターとのずれ、
カッティングの最大幅および最小幅、チッピング等が測
定される。
A microscope means including an objective lens 116, a lens barrel 117, and a TV camera 118 for enlarging and projecting the surface of the semiconductor wafer 100, a management / control unit 115 for driving and controlling a spindle motor 112 and a precision moving mechanism 114, and an image processing unit With 119, the positional relationship between the position on the surface of the semiconductor wafer 100 and the processing position of the blade 111 is automatically determined, and an automatic alignment operation is performed. At the same time, the video signal from the TV camera 118 is also displayed on the monitor display means. The microscope means is also used for monitoring and checking the cutting result. The management / control unit 115 processes the video signal and performs various checks on the cut line as the cut result. As described above, a monitor example of the cut line is shown in FIG. 2, and the center position of the cut line, the deviation between the center of the cut line and the center of the street,
The maximum and minimum width of the cutting, chipping, etc. are measured.

【0011】図4は、半導体ウエハ上での測定方法を示
す説明図であり、同図Aは従来の限られた測定点での測
定法を示し、同図Bは本発明による連続測定法を示して
いる。ウエハ100上に施されたカットラインCLを、
従来はAに示すように複数の測定点MPでモニタしてい
たが、本発明においては、例えばBに示すように、これ
を少なくとも測定すべきカットラインのほぼ全長MLに
わたってカットラインチェックを実施するようにする。
各ラインにおいて、中心位置、最大値、最小値、チッピ
ング等の平均値およびバラツキを求め、統計的な加工品
質データを得る。
FIG. 4 is an explanatory view showing a measuring method on a semiconductor wafer. FIG. 4A shows a conventional measuring method at a limited number of measuring points, and FIG. 4B shows a continuous measuring method according to the present invention. Is shown. The cut line CL provided on the wafer 100 is
Conventionally, monitoring is performed at a plurality of measurement points MP as shown in A, but in the present invention, as shown in B, for example, a cut line check is performed over at least the substantially entire length ML of the cut line to be measured. To do.
In each line, the center position, the maximum value, the minimum value, the average value such as chipping, and the variation are obtained, and statistical processing quality data is obtained.

【0012】このような連続的なカットラインチェック
は、全てのカットラインについて実施する必要はなく、
測定すべきカットラインとその数については従来と同様
でよいが、各カットラインについてほぼ全長にわたり加
工品質データを得ることが重要である。なお、通常、ダ
イシングは、図4BのCRに示すように、チャンネル1
およびチャンネル2の切断を行うが、一方のチャンネル
のカットラインチェック後に、他方のカットラインのチ
ェックを行う場合は、それらのクロス点CRのチェック
においては正常な測定値が得られなくなるので、例えば
画像信号処理によりこの部分にマスクを施す等の手法に
より、統計データから除けば、評価上問題はなくなる。
Such a continuous cut line check need not be performed for all cut lines.
The cut lines to be measured and the number of cut lines may be the same as in the past, but it is important to obtain machining quality data over substantially the entire length of each cut line. Normally, dicing is performed on channel 1 as indicated by CR in FIG. 4B.
When the channel 2 is cut, and the cut line of the other channel is checked after the cut line of one channel is checked, a normal measurement value cannot be obtained in the check of the cross point CR. If this portion is excluded from the statistical data by a method such as applying a mask to this portion by signal processing, there is no problem in evaluation.

【0013】上記したような加工品質に関する統計デー
タを用いれば、従来と同様にカッティングのモニタリン
グおよび調整を実施することができるとともに、加工品
質の管理に加えて、ダイシング装置の管理、特に、ブレ
ードの寿命が近づくとバラツキが生じてくることから、
ブレードの状態管理を実現することができる。以上のよ
うな連続的なカットラインチェックによる管理方法を実
施すれば、ウエハ1枚当たりの処理時間が長くなり、ダ
イシング加工のスループットが低下することとなる。そ
こで、FA化ライン等の中でこの管理方法を実施するた
めには、ダイシング加工のスループットを改良した専用
のシステムをライン中に設ける必要がある。
[0013] By using the statistical data on the processing quality as described above, monitoring and adjustment of the cutting can be carried out in the same manner as in the past, and in addition to the management of the processing quality, the management of the dicing apparatus, especially the blade Variations occur as the service life approaches,
Blade state management can be realized. If the management method based on the continuous cut line check as described above is performed, the processing time per wafer becomes longer, and the throughput of the dicing process is reduced. Therefore, in order to implement this management method in an FA line or the like, it is necessary to provide a dedicated system in the line for improving the dicing processing throughput.

【0014】図5は、本発明によるダイシング加工の加
工品質管理システムの構成を示す概念構成図であり、1
−1〜1−4は半導体ウエハをダイシング加工する複数
のダイサー、2は共通の計測装置、3は半導体ウエハの
搬送制御、ダイサーの駆動制御や計測の操作およびデー
タ管理を司るコントローラ、11はダイシング加工を施
すべき半導体ウエハを準備するマウンタ、12は半導体
ウエハの搬送路、13はダイシング加工済の半導体ウエ
ハを一時的に蓄えるストッカーである。特に図示しては
いないが、各ダイサーへの半導体ウエハのロード/アン
ロード機構、アライメント機構、半導体ウエハ移動機構
等が設けられている。そして、このシステムは例えばF
A化ラインの中に設置されている。
FIG. 5 is a conceptual diagram showing a configuration of a processing quality management system for dicing according to the present invention.
Reference numerals -1 to 1-4 denote a plurality of dicers for dicing a semiconductor wafer, 2 denotes a common measuring device, 3 denotes a controller which controls semiconductor wafer transfer control, dicer drive control, measurement operation and data management, and 11 denotes dicing. A mounter for preparing a semiconductor wafer to be processed, 12 is a semiconductor wafer transfer path, and 13 is a stocker for temporarily storing dicing-processed semiconductor wafers. Although not particularly shown, a mechanism for loading / unloading a semiconductor wafer to / from each dicer, an alignment mechanism, a semiconductor wafer moving mechanism, and the like are provided. And this system is, for example, F
It is installed in the A line.

【0015】計測装置2は、搬送されてくるダイシング
加工済の半導体ウエハに対して上記した連続的なカット
ラインチェックを実行するためのもので、複数のダイサ
ー1−1〜1−4に共通に設けられており、最大限で、
1枚の半導体ウエハのダイシング加工に要する時間とカ
ットラインチェックに要する時間との比に応じた数のダ
イサーの管理に対応することができる。複数のダイサー
1−1〜1−4のダイシング加工動作はコントローラ3
により群管理されており、また、各ダイサーにより加工
される半導体ウエハもコントローラ3により管理・制御
されており、例えば、特定の半導体ウエハがどのダイサ
ーで加工されたかは識別されている。
The measuring device 2 is for performing the above-mentioned continuous cut line check on the dicing-processed semiconductor wafer to be conveyed, and is commonly used for a plurality of dicers 1-1 to 1-4. It is provided and at the maximum,
It is possible to cope with the management of the number of dicers corresponding to the ratio between the time required for dicing a single semiconductor wafer and the time required for cut line checking. The dicing operation of the plurality of dicers 1-1 to 1-4 is performed by the controller 3.
The semiconductor wafers processed by each dicer are also managed and controlled by the controller 3, and, for example, which dicer a specific semiconductor wafer has been processed is identified.

【0016】上記複数のダイサーに共通に計測装置を設
けたシステムによれば、前述した連続的なカットライン
チェックによるダイシング加工管理方法を効率的に実施
することができ、FA化ラインの中に設置することが可
能となる。
According to the system in which a measuring device is provided in common for the plurality of dicers, the dicing processing management method by the continuous cut line check described above can be efficiently implemented, and the dicing process can be installed in the FA line. It is possible to do.

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明によるダイシング加工管理方法に
よれば、加工品質に関する統計データを得ることがで
き、従来と同様にカッティングのモニタリングおよび調
整を実施することができるとともに、加工品質の管理に
加えて、ダイシング装置の管理、特に、ブレードの状態
管理を実現することができる。
According to the dicing process management method of the present invention, statistical data relating to the process quality can be obtained, the monitoring and adjustment of the cutting can be carried out in the same manner as in the past, and in addition to the control of the process quality, Thus, management of the dicing apparatus, in particular, management of the state of the blade can be realized.

【0018】そして、本発明によるダイシング加工品質
管理システムによれば、そのような連続的なカットライ
ンチェックによるダイシング加工管理方法を効率的に実
施することができ、ダイシング加工のスループットを低
下させることなくFA化ラインの中に設置することが可
能となる。
According to the dicing process quality control system according to the present invention, such a dicing process control method based on continuous cut line checking can be efficiently carried out without lowering the dicing process throughput. It can be installed in the FA line.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ダイシング装置における切断部の構成を示す概
略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a cutting unit in a dicing device.

【図2】ダイシング加工によるカットラインの一例を示
す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a cut line by dicing.

【図3】蛇行するカットラインの例を示す説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an example of a meandering cut line.

【図4】カットラインチェックのための半導体ウエハ上
での測定方法を説明する説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a measurement method on a semiconductor wafer for checking a cut line.

【図5】本発明によるダイシング加工の加工品質管理シ
ステムの構成を示す概念構成図である。
FIG. 5 is a conceptual configuration diagram showing a configuration of a processing quality management system for dicing according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1−1〜1−4…ダイサー 2…計測装置 3…コントローラ 11…マウンタ 12…ウエハ搬送路 13…ストッカー 100…半導体ウエハ 111…ブレード 112…スピンドルモータ 113…ステージ 114…移動機構 115…移動制御部 116…対物レンズ 117…鏡筒 118…TVカメラ 119…画像処理部 1-1 to 1-4 Dicer 2 Measurement device 3 Controller 11 Wafer transfer path 13 Stocker 100 Semiconductor wafer 111 Blade 112 Spindle motor 113 Stage 114 Movement mechanism 115 Movement control unit 116: Objective lens 117: Lens barrel 118: TV camera 119: Image processing unit

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 交差する複数のカットラインが形成され
半導体ウエハ上のカットラインのうちから複数のカッ
トラインを選択し、 上記複数のカットラインの各々に対してそのほぼ全長に
わたりカットラインチェックのための撮影を実施してカ
ットラインの画像信号を得、 上記画像信号の全長域で他のカットラインと交差する
交差部分を削除した画像信号を得、 上記全交差部分を削除した画像信号から加工状態を示す
データを検出し、 上記検出されたデータを統計処理し、その統計処理結果
に基づいてダイシング加工品質およびダイシング加工手
段を管理することを特徴とするダイシング加工管理方
法。
1. A plurality of intersecting cut lines are formed.
A plurality of cut lines are selected from among the cut lines on the semiconductor wafer, and photographing is performed on each of the plurality of cut lines over substantially the entire length thereof so as to obtain a cut line image signal. , All the lines that intersect other cut lines in the entire length of the image signal
Obtaining an image signal obtained by deleting the intersection, to detect the data indicating the processing state from the image signal to delete the entire intersection, by statistically processing the detected data, the dicing process quality and based on the statistical processing results A dicing processing management method, wherein dicing processing means is managed.
【請求項2】 半導体ウエハの搬送手段と、 上記半導体ウエハ搬送手段に結合され、搬送されてきた
半導体ウエハに対して選択的にダイシング加工を施す複
数のダイシング加工手段と、 上記半導体ウエハ搬送手段に結合され、少なくとも交差
する複数のカットラインを形成するダイシング加工を施
された半導体ウエハに対してカットラインチェックのた
めの計測を実施する共通の計測手段であって、該半導体
ウエハ上のカットラインのうちの選択された複数のカッ
トラインについてほぼ全長にわたる領域で他のカットラ
インと交差する全交差部分を削除したカットラインの
ットラインチェックを実施する計測手段と、 上記計測手段の計測を制御するとともに、計測される半
導体ウエハにダイシング加工を施したダイシング加工手
段を識別し、計測結果から該識別されたダイシング加工
手段に関する加工品質の統計処理データを得、その結果
に基づいて該識別されたダイシング加工手段を制御・管
理する制御・管理手段とを備えたことを特徴とするダイ
シング加工品質管理システム。
2. A semiconductor wafer transfer means, a plurality of dicing means coupled to the semiconductor wafer transfer means and selectively dicing the transferred semiconductor wafer, and a plurality of semiconductor wafer transfer means. Combined and at least crossed
A common measuring means for performing measurement for a cut line check on a semiconductor wafer which has been subjected to a dicing process to form a plurality of cut lines , wherein a selected one of the cut lines on the semiconductor wafer is selected. For other cut lines in the area almost over the entire length of multiple cut lines
Measuring means for performing a cut line check of a cut line in which all intersecting portions intersecting with the in have been removed; and dicing which has performed dicing processing on the semiconductor wafer to be measured while controlling the measurement of the measuring means. Control / management means for identifying a processing means, obtaining statistical processing data of processing quality related to the identified dicing processing means from the measurement result, and controlling / managing the identified dicing processing means based on the result. A dicing process quality control system.
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