JP3280736B2 - Dicing groove position measurement method - Google Patents

Dicing groove position measurement method

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JP3280736B2
JP3280736B2 JP4389193A JP4389193A JP3280736B2 JP 3280736 B2 JP3280736 B2 JP 3280736B2 JP 4389193 A JP4389193 A JP 4389193A JP 4389193 A JP4389193 A JP 4389193A JP 3280736 B2 JP3280736 B2 JP 3280736B2
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groove
semiconductor wafer
adhesive tape
dicing
processing
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鉄郎 西田
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Showa Denko KK
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、被加工物の面上の所望
の位置に加工が行えるように、あらかじめ切削刃に対し
て位置決めされた投影装置によって被加工物の表面を観
察しながら位置調整するようにしたダイシング装置にお
いて、切削刃と投影装置との位置関係を検出するため切
削刃によって加工された溝の位置を測定するダイシング
溝の位置測定方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for observing the surface of a workpiece by observing the surface of the workpiece using a projection device which is positioned in advance with respect to a cutting blade so that a desired position on the surface of the workpiece can be processed. The present invention relates to a dicing groove position measuring method for measuring a position of a groove machined by a cutting blade in order to detect a positional relationship between the cutting blade and a projection device in a dicing device that is adjusted.

【0002】[0002]

【従来の技術】ダイシング装置は高速に回転する切削刃
で細い溝を加工する装置であり、半導体ウエハ上に形成
された半導体チップをウエハから切り出すための加工に
広く利用されている。そのため、ここでは半導体ウエハ
に溝加工する場合を例として説明を行うこととする。
2. Description of the Related Art A dicing apparatus is an apparatus for processing a thin groove with a cutting blade rotating at a high speed, and is widely used for processing for cutting a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer from the wafer. For this reason, a case where a groove is formed in a semiconductor wafer will be described here as an example.

【0003】図3はダイシング装置の基本構成を示す図
である。図3において、参照番号1はダイアモンド等の
砥粒をニッケル等で固着した切削刃(ブレード)であ
り、スピンドルモータ11によって高速に回転する。2
は半導体ウエハ100を真空吸着によって固定するステ
ージであり、図示していないが、精密な移動機構によっ
て移動される。100は溝加工が施される半導体ウエハ
であり、回転するブレード1に対して半導体ウエハ10
0が載置されたステージ2を移動することにより溝加工
を行う。なおすべての図において、共通の機能部分には
同一の参照番号を付し、説明を省略する。
FIG. 3 is a diagram showing a basic configuration of a dicing apparatus. In FIG. 3, reference numeral 1 denotes a cutting blade (blade) in which abrasive grains such as diamond are fixed with nickel or the like, and is rotated at high speed by a spindle motor 11. 2
Is a stage for fixing the semiconductor wafer 100 by vacuum suction, which is moved by a precision moving mechanism (not shown). Reference numeral 100 denotes a semiconductor wafer on which a groove is formed.
The groove processing is performed by moving the stage 2 on which 0 is placed. In all the drawings, common functional portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0004】4はステージ2に載置された半導体ウエハ
100の位置を測定するための投影装置である。投影装
置4の視野内の所定位置とブレード1の加工位置とは精
密に一致させるのはきわめて難しく、正しく一致してい
ない投影装置4の視野内の所定位置によって半導体ウエ
ハ100の表面上の加工値を自動位置決すると、半導体
ウエハ100上の所望の位置に正確に溝を加工すること
はできない。そこで、半導体ウエハ100が載置された
ステージ2を投影装置4の視野の下に移動させ、半導体
ウエハ100上の所定位置を投影装置4の視野内の所定
位置に合わせる。投影装置4はあらかじめブレード1の
加工位置に対して所定の位置関係になるように調整され
ており、上記のような位置調整を行うことにより半導体
ウエハ100の表面上の位置とブレード1の加工位置と
の位置関係が決定され、精密な移動機構によってステー
ジ2を移動することで、半導体ウエハ100上の所望の
位置に正確に溝を加工することが可能になる。
Reference numeral 4 denotes a projection device for measuring the position of the semiconductor wafer 100 mounted on the stage 2. It is extremely difficult to precisely match the predetermined position in the field of view of the projection device 4 with the processing position of the blade 1, and the processing value on the surface of the semiconductor wafer 100 is determined by the predetermined position in the field of view of the projection device 4 that does not correctly match. When the position is automatically determined, the groove cannot be accurately processed at a desired position on the semiconductor wafer 100. Then, the stage 2 on which the semiconductor wafer 100 is mounted is moved below the field of view of the projection device 4 so that a predetermined position on the semiconductor wafer 100 is adjusted to a predetermined position within the field of view of the projection device 4. The projection device 4 is adjusted in advance so as to have a predetermined positional relationship with the processing position of the blade 1. By performing the above-described position adjustment, the position on the surface of the semiconductor wafer 100 and the processing position of the blade 1 are adjusted. Is determined, and by moving the stage 2 by a precise moving mechanism, a groove can be accurately processed at a desired position on the semiconductor wafer 100.

【0005】図3に示すように、投影装置4は、半導体
ウエハ100の表面の像を拡大して投影する顕微鏡レン
ズ41と、投影する面を照明するランプ42と、拡大さ
れた像を受けるTVカメラ43を有しており、モニタの
画像を見ながら位置合わせを行う。TVカメラ43を使
用せず、直接顕微鏡を見て位置合わせを行う場合もあ
り、またTVカメラ43のビデオ信号を画像処理して、
自動的に位置合わせを行う場合もある。
As shown in FIG. 3, a projection device 4 includes a microscope lens 41 for enlarging and projecting an image on the surface of a semiconductor wafer 100, a lamp 42 for illuminating a surface to be projected, and a TV receiving the enlarged image. It has a camera 43 and performs positioning while viewing the image on the monitor. In some cases, the position is adjusted by directly looking at the microscope without using the TV camera 43, and the video signal of the TV camera 43 is image-processed,
In some cases, alignment may be performed automatically.

【0006】半導体ウエハ100はステージ2に固定さ
れるが、加工中にばらばらになるのを防止するため、半
導体ウエハ100の裏面に粘着テープを貼り付けた上で
ステージ2に固定するのが一般的である。被加工物が半
導体ウエハ以外の場合には、接着剤を用いて固定するこ
ともある。半導体ウエハ100の裏面に粘着テープを貼
り付ける場合、図4に示すように、中央に穴を有するフ
レーム101に粘着テープ102を貼り付け、その中央
の穴の部分に半導体ウエハ100を貼り付けたものをス
テージ2に載置して固定している。工程間の搬送も図4
に示す状態で行われる。
The semiconductor wafer 100 is fixed to the stage 2. In order to prevent the semiconductor wafer 100 from falling apart during processing, an adhesive tape is stuck to the back surface of the semiconductor wafer 100 and then fixed to the stage 2. It is. If the workpiece is other than a semiconductor wafer, it may be fixed using an adhesive. When the adhesive tape is attached to the back surface of the semiconductor wafer 100, as shown in FIG. 4, the adhesive tape 102 is attached to a frame 101 having a hole in the center, and the semiconductor wafer 100 is attached to the center hole. Is mounted on the stage 2 and fixed. Fig. 4 also shows transport between processes
This is performed in the state shown in FIG.

【0007】半導体ウエハ100上には、多数のチップ
が形成され、ダイシング装置により各チップの間に溝加
工を行い分離する。図5は半導体ウエハ100上のチッ
プ110の配列状態を示す図である。半導体ウエハ10
0の直径は150mmから200mm程度であり、各チ
ップは10mm角程度の大きさである。そして各チップ
の間のストリート120と呼ばれる部分の幅dは100
μm程度であり、この部分に幅20μm程度の溝を半導
体ウエハ100の両端にわたって加工する必要がある。
[0007] A large number of chips are formed on the semiconductor wafer 100, and a groove is formed between the chips by a dicing apparatus to separate the chips. FIG. 5 is a view showing an arrangement state of the chips 110 on the semiconductor wafer 100. Semiconductor wafer 10
The diameter of 0 is about 150 mm to 200 mm, and each chip is about 10 mm square. The width d of the part called the street 120 between the chips is 100
In this portion, a groove having a width of about 20 μm needs to be formed over both ends of the semiconductor wafer 100.

【0008】上記のように、幅100μm程度の部分に
最大200mm程度の長さの溝を加工するため、ブレー
ド1の加工位置に対する半導体ウエハ100の位置合わ
せは高精度であることが要求される。この位置合わせを
高精度に行うためには、そもそも投影装置4の視野とブ
レード1の加工位置とが精密に対応していることが必要
である。ブレード1の刃の位置は、ブレード1自体の製
作誤差や取り付け誤差により、ブレード毎にある程度異
なる。そのため、投影装置4の視野とブレード1の加工
位置とを対応させる作業は、ブレード1によって加工さ
れた溝の位置を投影装置4により測定することにより行
われる。
As described above, since a groove having a length of about 200 mm at the maximum is formed in a portion having a width of about 100 μm, it is required that the positioning of the semiconductor wafer 100 with respect to the processing position of the blade 1 be performed with high precision. In order to perform this alignment with high accuracy, it is necessary that the field of view of the projection device 4 and the processing position of the blade 1 correspond precisely in the first place. The positions of the blades of the blades 1 differ to some extent from blade to blade due to manufacturing errors and mounting errors of the blades 1 themselves. Therefore, the operation of associating the field of view of the projection device 4 with the processing position of the blade 1 is performed by measuring the position of the groove processed by the blade 1 with the projection device 4.

【0009】図6は投影装置4の視野と切削刃1の加工
位置との位置関係を示す図である。図において、400
は投影装置4の視野中心を示し、ブレード1によって加
工された溝の中心をこの視野中心400に合わせるか、
図のdyで示した溝の中心と視野中心との差を記憶して
おきこの差を考慮してブレード1を移動させるようにす
る。このようにして投影装置4の視野と切削刃1の加工
位置との位置関係は装置の製作時に精密に調整される
が、図3に示したように、投影装置4とブレード1は共
に後方に設けられた台から延びるアーム状の部材又はス
ピンドルモータ11に支持された構造を有する。これは
半導体ウエハ100等が移動する範囲を確保するためで
ある。そのために、温度変化による伸縮の影響を受けや
すく、投影装置4とブレード1を支持する部分の温度膨
張係数の差により、投影装置4の視野とブレード1の加
工位置との位置関係が温度に応じて変化するという問題
がある。上記のように、投影装置による位置合わせは非
常に精密に行う必要があるため、温度変化による投影装
置4の視野とブレード1の加工位置との位置関係の変化
も無視できず、加工途中に加工した溝の部分を投影装置
4の下に移動させて溝位置を測定し、随時位置関係の補
正を行っている。測定する溝はステージ2及びステージ
2上に載置されたステージ2と共に移動可能なものであ
ればどのような部分に形成されたものであってもよい
が、溝位置の測定は頻繁に行なわれるため、ステージ2
に溝を加工するのは好ましくない。そこで、これまでは
半導体ウエハ100の表面に溝を加工し、その溝位置を
測定していた。半導体ウエハ100への溝加工は、通常
の加工で行われるものであり、加工途中で溝を加工した
部分を投影装置4の下に移動させて溝位置を測定すれ
ば、溝位置の測定のために溝を加工する必要はなくな
る。
FIG. 6 is a diagram showing the positional relationship between the field of view of the projection device 4 and the processing position of the cutting blade 1. In the figure, 400
Indicates the center of the field of view of the projection device 4, and the center of the groove processed by the blade 1 is aligned with the center of the field of view 400
The difference between the center of the groove and the center of the field of view indicated by dy in the figure is stored, and the blade 1 is moved in consideration of the difference. In this way, the positional relationship between the field of view of the projection device 4 and the processing position of the cutting blade 1 is precisely adjusted at the time of manufacturing the device, but as shown in FIG. It has a structure supported by an arm-shaped member or a spindle motor 11 extending from a provided table. This is to secure a range in which the semiconductor wafer 100 and the like move. Therefore, it is easily affected by expansion and contraction due to temperature change, and the positional relationship between the visual field of the projection device 4 and the processing position of the blade 1 depends on the temperature due to the difference in the thermal expansion coefficient between the projection device 4 and the portion supporting the blade 1. There is a problem that changes. As described above, since the alignment by the projection device needs to be performed very precisely, a change in the positional relationship between the field of view of the projection device 4 and the processing position of the blade 1 due to a temperature change cannot be ignored, and the processing during the processing is not possible. The position of the groove is moved below the projection device 4 to measure the groove position, and the positional relationship is corrected as needed. The groove to be measured may be formed in any part as long as it can be moved together with the stage 2 and the stage 2 mounted on the stage 2, but the groove position is frequently measured. So stage 2
It is not preferable to form a groove in the groove. Therefore, a groove has been processed on the surface of the semiconductor wafer 100 and the groove position has been measured. The groove processing on the semiconductor wafer 100 is performed by a normal processing. If the groove processed part is moved under the projection device 4 and the groove position is measured during the processing, the groove position is measured. It is no longer necessary to machine grooves.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】近年ダイシング装置
は、生産性の改善のため自動化が求められており、上記
の溝位置の測定についても自動化が必要である。特に上
記の溝位置の測定は、加工途中でも随時行う必要がある
ため、自動化の必要性が大きい。溝位置の測定の自動化
は、図3に示すように、投影装置4にTVカメラ43を
設け、そのビデオ出力を画像処理することにより行われ
ている。
In recent years, dicing apparatuses have been required to be automated in order to improve productivity, and automation of the measurement of the groove position is also required. In particular, since the measurement of the groove position needs to be performed at any time even during processing, the necessity of automation is great. As shown in FIG. 3, automation of the measurement of the groove position is performed by providing a TV camera 43 in the projection device 4 and performing image processing on the video output thereof.

【0011】画像処理により溝位置を認識するには、常
に良好な画像がTVカメラ43に安定して投影されるこ
とが重要であり、特に画像の明るさは重要である。その
ため半導体ウエハ100の表面を照明するランプ42が
一定の光を放出するようにする等の各種の工夫がされて
いる。しかしTVカメラ43に投影される像の状態は、
半導体ウエハ表面の反射率によっても影響されるため、
異なる被加工物に溝加工する場合には、良好な溝位置の
測定が行えず、加工する溝位置の精度が低下するという
問題が生じる。例えば、GaAs等の化合物半導体ウエ
ハの加工を行う場合、反射率は通常のシリコンウエハに
比べて低いためTVカメラ43に投影される像が暗くな
り、そのままでは溝位置の測定が行えないという問題が
生じている。このような問題は被加工物がガラス基板で
ある場合にも生じる。この問題は、溝位置の測定を自動
的に行う場合に特に重大であるが、目視により溝位置を
測定する場合でも見えにくいために誤差が大きくなると
いう形で影響する。
In order to recognize the groove position by image processing, it is important that a good image is constantly projected on the TV camera 43 in a stable manner, and particularly the brightness of the image is important. For this reason, various measures have been taken such as making the lamp 42 illuminating the surface of the semiconductor wafer 100 emit a certain amount of light. However, the state of the image projected on the TV camera 43 is
Because it is also affected by the reflectivity of the semiconductor wafer surface,
When grooving different workpieces, there is a problem that good measurement of the groove position cannot be performed and accuracy of the groove position to be processed is reduced. For example, when processing a compound semiconductor wafer such as GaAs, the reflectivity is lower than that of a normal silicon wafer, so that the image projected on the TV camera 43 becomes dark, and the groove position cannot be measured as it is. Has occurred. Such a problem also occurs when the workpiece is a glass substrate. This problem is particularly serious when the groove position is automatically measured, but has a large error because the groove position is hard to see even when the groove position is measured visually.

【0012】このような問題を低減するため、被加工物
の種類に応じて照明の強度を変えることも考えられる
が、そのためには照明の強度を変化させる装置を設ける
必要がある上、被加工物の種類に応じて照明の強度を変
化させる作業が必要になるため、煩雑であるという問題
がある。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであ
り、被加工物に形成した溝の位置を位置合わせ用の投影
装置により測定することで、加工される溝の位置と投影
装置との位置関係を補正するようにしたダイシング装置
において、被加工物の種類にかかわらず良好な測定が行
えるようにしたことを目的とする。
In order to reduce such a problem, it is conceivable to change the illumination intensity according to the type of the workpiece. However, it is necessary to provide a device for changing the illumination intensity. Since it is necessary to change the intensity of the illumination according to the type of the object, there is a problem that the operation is complicated. The present invention has been made in view of the above problems, and measures the position of a groove formed in a workpiece by a projection device for positioning, thereby obtaining a positional relationship between the position of the groove to be processed and the projection device. It is an object of the present invention to make it possible to perform a good measurement irrespective of the type of a workpiece in a dicing apparatus that corrects the above.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のダイシング溝の位置測定方法は、被加工物
が貼り付けられる粘着テープに溝加工を行い、この粘着
テープ上の溝の位置を測定する。すなわち、本発明のダ
イシング溝の位置測定方法は、高速回転する切削刃と、
粘着テープ上に貼り付けられた半導体ウエハが載置され
るステージと、ステージを移動させる移動機構と、切削
刃によって溝が形成される半導体ウエハの表面の像を投
影する投影手段とを備え、半導体ウエハの表面上の位置
を投影手段で投影された像に基づいて確認した上で溝加
工を行うダイシング装置において、切削刃によって加工
される溝の位置と投影手段の投影する像の位置との対応
関係を測定するダイシング溝の位置測定方法であって、
粘着テープは、半導体ウエハの外径を越える外径を有
し、半導体ウエハの裏面に貼り付けられ、半導体ウエハ
の表面をダイシングする時、半導体ウエハの外径を越え
て粘着テープにダイシングし、半導体ウエハの外径を越
えた粘着テープの部分で表面からダイシング溝の位置を
測定することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method for measuring the position of a dicing groove according to the present invention comprises forming a groove on an adhesive tape to which a workpiece is to be attached, and positioning the groove on the adhesive tape. Is measured. That is, the method for measuring the position of the dicing groove of the present invention, a cutting blade rotating at high speed,
Comprising a stage on which the semiconductor wafer stuck on the adhesive tape is placed, a moving mechanism for moving the stage, a projection means for projecting an image of the surface of the semiconductor wafer which grooves are formed by cutting blades, semiconductor In a dicing apparatus that performs groove processing after confirming the position on the surface of the wafer based on the image projected by the projection unit, the correspondence between the position of the groove processed by the cutting blade and the position of the image projected by the projection unit A dicing groove position measuring method for measuring the relationship,
The adhesive tape has an outside diameter that exceeds the outside diameter of the semiconductor wafer.
And attached to the back side of the semiconductor wafer.
When dicing the surface of
Dice to an adhesive tape and exceed the outside diameter of the semiconductor wafer.
Position the dicing groove from the surface with the adhesive tape
It is characterized by measuring .

【0014】[0014]

【作用】本発明のダイシング溝の位置測定方法において
は、溝位置と像の位置との対応関係の測定は同一の粘着
テープに形成された溝に対して行われるため、被加工物
の種類に影響されず、常に安定した測定が行える。粘着
テープは軟らかく、溝位置を測定するには不適当である
ように思われるが、実際に粘着テープに溝を加工して測
定を行ったところ、被加工物である半導体ウエハに溝加
工した場合に比べて、特に問題はなかった。
In the method for measuring the position of a dicing groove according to the present invention, the measurement of the correspondence between the groove position and the image position is performed on the groove formed on the same adhesive tape. Unaffected, stable measurements can always be made. The adhesive tape is soft and seems to be unsuitable for measuring the groove position.However, when the groove was actually processed on the adhesive tape and the measurement was performed, the groove was processed on the semiconductor wafer that was the workpiece. There was no particular problem compared to.

【0015】[0015]

【実施例】図1は本発明の測定方法が適用されるダイシ
ング装置の構成を示す図である。図1において、参照番
号1は切削刃(ブレード)であり、11はブレード1を
高速で回転させると共に図のy方向に移動可能なスピン
ドルモータである。2は溝加工が施される半導体ウエハ
100を保持するステージであり、移動機構3によりx
方向に移動される。これらスピンドル11のy方向移動
およびステージ2のx方向移動は制御部5によって制御
される。半導体ウエハ100は、図4に示したフレーム
101に付けられた粘着テープ102に貼り付けられた
状態でステージ2上に載置されて加工される。4は投影
装置であり、顕微鏡レンズ41と、照明用ランプ42
と、TVカメラ43とを有している。顕微鏡レンズ41
は直下に移動された半導体ウエハ100、フレーム10
1及び粘着テープ102の表面の像を拡大してTVカメ
ラ43に投影し、TVカメラ43はビデオ信号を出力す
る。44はこのビデオ信号を処理して溝の位置を判定
し、その位置を測定する画像処理部であり、画像の中心
位置と溝の中心位置の差dyを算出して出力する。制御
部5はこのdyを考慮してブレード1の移動を制御す
る。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a dicing apparatus to which the measuring method of the present invention is applied. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a cutting blade (blade), and 11 denotes a spindle motor that rotates the blade 1 at a high speed and is movable in the y direction in the figure. Reference numeral 2 denotes a stage for holding the semiconductor wafer 100 on which the groove processing is performed.
Moved in the direction. The control unit 5 controls the movement of the spindle 11 in the y direction and the movement of the stage 2 in the x direction. The semiconductor wafer 100 is placed on the stage 2 and processed while being attached to the adhesive tape 102 attached to the frame 101 shown in FIG. Reference numeral 4 denotes a projection device, which includes a microscope lens 41 and an illumination lamp 42.
And a TV camera 43. Microscope lens 41
Is the semiconductor wafer 100 and the frame 10
1 and the image of the surface of the adhesive tape 102 are enlarged and projected on the TV camera 43, and the TV camera 43 outputs a video signal. An image processing unit 44 processes the video signal to determine the position of the groove and measures the position, and calculates and outputs a difference dy between the center position of the image and the center position of the groove. The control unit 5 controls the movement of the blade 1 in consideration of the dy.

【0016】図2は投影装置4の画像の中心位置と溝の
中心位置の関係を測定するために、ステージ2を投影装
置4の下に移動させた状態を示す図であり、投影装置4
の画像の中心に粘着テープ102に形成された溝が来る
ように移動させられている。半導体ウエハに溝加工する
場合、後工程との関係で各半導体チップをウエハから完
全に切り離してしまうフルカットと呼ばれる加工方法
と、一部を切り残すハーフカットと呼ばれる加工方法と
がある。フルカット加工の場合には、通常の加工で粘着
テープ102に溝が加工されるため、適当な本数の溝を
加工した後、図2のような状態にステージを移動させて
溝位置の測定を行う。ハーフカット加工の場合には、通
常の加工では粘着テープ102に溝が加工されないた
め、適当な本数の溝を加工した後、粘着テープ102に
溝を加工し、図2のような状態にステージを移動させて
溝位置の測定を行う。
FIG. 2 is a view showing a state in which the stage 2 is moved below the projection device 4 in order to measure the relationship between the center position of the image of the projection device 4 and the center position of the groove.
Are moved so that the groove formed on the adhesive tape 102 comes to the center of the image of FIG. When a groove is formed in a semiconductor wafer, there are a processing method called full cut, which completely separates each semiconductor chip from the wafer in relation to a post-process, and a processing method called half cut, which leaves a part of the semiconductor chip. In the case of full-cut processing, grooves are formed in the adhesive tape 102 by normal processing. After processing an appropriate number of grooves, the stage is moved to a state as shown in FIG. Do. In the case of half-cut processing, grooves are not formed in the adhesive tape 102 by ordinary processing. Therefore, after processing an appropriate number of grooves, grooves are processed in the adhesive tape 102, and the stage is moved to a state as shown in FIG. Move to measure the groove position.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のダイシン
グ溝の位置測定方法においては、同一の粘着テープに形
成された溝の位置を測定するため、被測定物の種類、状
態にかかわらず安定した測定が行えるため、測定精度が
改善されるという効果が得られる。
As described above, in the dicing groove position measuring method of the present invention, the position of the groove formed on the same adhesive tape is measured. Measurement can be performed, and the effect of improving measurement accuracy is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例においてダイシング溝の位置測
定方法が適用されるダイシング装置の構成を示す斜視図
である。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a dicing apparatus to which a dicing groove position measuring method is applied in an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例において、ダイシング溝の位置
を測定する時の配置を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing an arrangement for measuring a position of a dicing groove in the embodiment of the present invention.

【図3】ダイシング装置の基本構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view showing a basic configuration of a dicing apparatus.

【図4】ダイシング装置において加工される時のフレー
ムと粘着テープに保持された状態の半導体ウエハを示す
図である。
FIG. 4 is a diagram showing a frame and a semiconductor wafer held by an adhesive tape when processed in a dicing apparatus.

【図5】半導体ウエハ上のチップ配列を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a chip arrangement on a semiconductor wafer.

【図6】切削刃と投影装置の視野のずれを示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing a deviation between a cutting blade and a visual field of a projection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…切削刃(ブレード) 2…ステージ 3…ステージ移動機構 4…投影手段 5…制御部 100…被加工物(ウエハ) 101…フレーム 102…粘着テープ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cutting blade (blade) 2 ... Stage 3 ... Stage moving mechanism 4 ... Projection means 5 ... Control part 100 ... Workpiece (wafer) 101 ... Frame 102 ... Adhesive tape

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−128907(JP,A) 特開 昭64−53813(JP,A) 特開 昭57−80737(JP,A) 特開 昭54−93956(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/301 B28D 5/00 Continuation of the front page (56) References JP-A-63-128907 (JP, A) JP-A-64-53813 (JP, A) JP-A-57-80737 (JP, A) JP-A-54-93956 (JP) , A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/301 B28D 5/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 高速回転する切削刃(1)と、 粘着テープ(102)上に貼り付けられた半導体ウエハ
(100)が載置されるステージ(2)と、 該ステージ(2)を移動させる移動機構(3)と、 前記切削刃(1)によって溝が形成される前記半導体ウ
エハ(100)の表面の像を投影する投影手段(4)と
を備え、前記半導体ウエハ(100)の表面上の位置を
前記投影手段(4)で投影された像に基づいて確認した
上で溝加工を行うダイシング装置において、前記切削刃
(1)によって加工される溝の位置と前記投影手段
(4)の投影する像の位置との対応関係を測定するダイ
シング溝の位置測定方法であって、前記粘着テープ(102)は、前記半導体ウエハ(10
0)の外径を越える外径を有し、前記半導体ウエハ(1
00)の裏面に貼り付けられ、 前記半導体ウエハ(100)の表面をダイシングする
時、前記半導体ウエハ(100)の外径を越えて前記粘
着テープ(102)にダイシングし、前記半導体ウエハ
(100)の外径を越えた前記粘着テープ(102)の
部分で表面からダイシング溝の位置を測定する ことを特
徴とするダイシング溝の位置測定方法。
1. A cutting blade (1) rotating at a high speed, a stage (2) on which a semiconductor wafer (100) stuck on an adhesive tape (102) is mounted, and the stage (2) being moved. the semiconductor moving mechanism and (3), the groove by the cutting edge (1) is formed U
Projecting means (4) for projecting an image of the surface of the eha (100), wherein the position on the surface of the semiconductor wafer (100) is confirmed based on the image projected by the projecting means (4). In a dicing apparatus for performing a groove processing, a dicing groove position measuring method for measuring a correspondence relationship between a position of a groove processed by the cutting blade (1) and a position of an image projected by the projection means (4). , The adhesive tape (102) is attached to the semiconductor wafer (10).
0) having an outer diameter exceeding the outer diameter of the semiconductor wafer (1).
00), and the surface of the semiconductor wafer (100) is diced.
At this time, the viscosity exceeds the outer diameter of the semiconductor wafer (100).
Dicing on the adhesive tape (102), the semiconductor wafer
Of the adhesive tape (102) exceeding the outer diameter of (100)
A method for measuring the position of a dicing groove, wherein the position of the dicing groove is measured from a surface at a portion .
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