JP3275117B2 - 高温ひずみゲージのみかけひずみ補償回路 - Google Patents

高温ひずみゲージのみかけひずみ補償回路

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JP3275117B2
JP3275117B2 JP19093093A JP19093093A JP3275117B2 JP 3275117 B2 JP3275117 B2 JP 3275117B2 JP 19093093 A JP19093093 A JP 19093093A JP 19093093 A JP19093093 A JP 19093093A JP 3275117 B2 JP3275117 B2 JP 3275117B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高温ひずみゲージのみ
かけひずみ補償回路に係り、より詳細には、リード線の
抵抗値が温度分布の変化によって変わりこの抵抗値の変
化によって発生するみかけひずみ量を抑制する、高温ひ
ずみゲージのみかけひずみ補償回路に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図2および図3は、高温ひずみゲージの
一種である溶接型高温ひずみゲージの構成を示す縦断面
図および平面図である。この高温ひずみゲージは、ステ
ンレス鋼等よりなるチューブ1とその中央部に配設され
たアクティブゲージ2およびダミーゲージ3等により構
成されている。
【0003】すなわち、アクティブゲージ2は、ひずみ
に感応してその抵抗値を変化するニッケル・クロム線等
の線材を略U字状に折曲形成され、また、このアクティ
ブゲージ2の周囲には同じ材質よりなるダミーゲージ3
がひずみに不感なるように巻回されている。アクティブ
ゲージ2およびダミーゲージ3が配設されたチューブ1
内には、酸化マグネシウムMgOの粉末が絶縁物として
固く封入されている。チューブ1は、その先端は封じら
れ、基端からはアクティブゲージ2およびダミーゲージ
3に接続された入出力線であるリード線4が導き出さ
れ、その導出口は、セラミック系の耐高温接着剤5によ
って封止されている。チューブ1の受感部1aは、フラ
ンジ部6a,6bを有するベース6に固着され、受感部
1aは、このベース6のフランジ部6a,6bを介して
被測定対象物7にスポット溶接により取付けられる。
【0004】図3は、高温ひずみゲージを被測定対象物
7上に固着させた状態を示すものであり、チューブ1の
両側方向に突出したフランジ部6a,6b上の8の位置
で被測定対象物7にスポット溶接で固着される。
【0005】高温ひずみゲージからの出力は、耐熱構造
のMIケーブル(Mineral Insulated Metal Sheathed C
able)によって保護されたリード線4を介して計測機器
に導かれる。
【0006】被測定対象物7に生じたひずみは、フラン
ジ部6a,6b、チューブ1の受感部1aおよび酸化マ
グネシウムMgOを介して圧縮または引張作用を受ける
アクティブゲージ2の抵抗変化として検出される。アク
ティブゲージ2自体の温度による抵抗値の変化は、ホイ
ートストンブリッジ回路の一辺に挿入されるダミーゲー
ジ3の温度のみに感応した抵抗値の変化によって電気的
に相殺され補償される。
【0007】しかしながら、高温ひずみゲージの一般的
使用方法では、被測定対象物7とアクティブゲージ2の
線膨張係数が異なるため、被測定対象物7に応力が加わ
らなくとも、ひずみゲージには温度によるみかけひずみ
が発生する。この温度によるみかけひずみを補償するた
め、従来はホイートストンブリッジ回路の一片に補償抵
抗(以下「ゲージ補償抵抗」と称し、また数式上では
「RTC」と表わす)を挿入している。
【0008】そこで、温度によるみかけひずみを補償す
る従来の回路例を図6に示す。同図のホイートストンブ
リッジ回路は、アクティブゲージ2、ダミーゲージ3、
固定抵抗9,10およびゲージ補償抵抗12,13とに
より構成される。尚、図6において、11,11,11
は、リード線4,4,4のリード線抵抗(内部抵抗)で
ある。
【0009】また、アクティブゲージ2とダミーゲージ
3の接続点から延長されたリード線4の他端に接続され
た端子16と、固定抵抗9,10の接続点に接続された
端子17とが出力端子を構成する。また、一端同士が接
続された固定抵抗9,10の両他端は、ブリッジ電源の
入力端子18,19に接続されている。
【0010】ゲージ補償抵抗RTC12,13のうち、ひ
ずみゲージの温度によるみかけひずみが正の場合は、ブ
リッジ電源Einの正電圧側に抵抗12を挿入し、負電圧
側の抵抗13を短絡する。また、温度によるみかけひず
みが負の場合は、この逆にする。通常、このゲージ補償
抵抗12,13は、2つの温度、例えば室温と1,00
0℃、におけるみかけひずみ量により、それらを相殺し
得る最適値に選択的に決められる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来方
法のみかけひずみの温度特性を、図6の等価回路に基づ
いて検証してみる。例えば、図6の回路において、ひず
みゲージの温度によるみかけひずみ補償抵抗12,13
のうちの一方の抵抗13のみ適宜の抵抗値RTCを使用
し、他方の抵抗12は、短絡して用いないものとする。
室温における出力電圧Eout0 は、ブリッジ電源電圧を
Ein、アクティブゲージ2の抵抗値をRA 、ダミーゲー
ジ3の抵抗値をRD 、リード線11の内部抵抗値をRL
としたとき、下記の(1)式で表わされる。
【0012】 Eout0 ={(RD +RL +RTC)/(RA +RD +2RL +RTC)}Ein (1) また、高温時の出力電圧EoutT は、それぞれの高温時
におけるアクティブゲージ2の抵抗値をRAT、ダミーゲ
ージ3の抵抗値をRDT、リード線11の内部抵抗値をR
LTとしたとき、下記の(2)式で表わされる。
【0013】 EoutT ={(RDT+RLT+RTC)/(RAT+RDT+2RLT+RTC)}Ein (2) ここで(1)式において、ひずみが0(με=1×10
-6ひずみ。以下「με」と記載する)の場合の出力電圧
Eout(0)と、1,000[με]つまり0.1%ひずみ
の場合の出力電圧Eout(0.1)を求める。この数値を求め
るに先んじ、条件を次のように設定する。ゲージ率を
2、ホイートストンブリッジ回路へのブリッジ電源電圧
をEinとし、アクティブゲージの初期抵抗値RA0とダミ
ーゲージの抵抗値RD は等しい(RA0=RD )とする。
アクティブゲージの初期抵抗値RA0と0.1%ひずみ時
の抵抗値RA0.1との間には次の(3)式が成立する。
【0014】 RA0.1=RA0(1+0.1×0.01×2) =1.002RA0 (3) 上記の条件において、出力電圧Eout(0)およびEout(0.
1)は、次の(4)式および(5)式によって得られる。
【0015】 Eout(0)={RD /(RA +RD )}×Ein=0.5Ein (4) Eout(0.1)={RD /(1.002RA +RD )}×Ein =0.4995004Ein (5) 0.1%ひずみ発生時の出力電圧eout(0.1)は、ひずみ
量が0の時の出力電圧からひずみが加わった時の出力電
圧を引いた値であるため、下記の(6)式によって得ら
れる。
【0016】 eout(0.1)=Eout(0)−Eout(0.1) =0.5Ein−0.49950Ein=0.0005Ein (6) 出力電圧0.0005[V]が1,000[με]のひ
ずみ量に相当するため、みかけひずみMTC[με]の大
きさは、次の(7)式で表わされる。
【0017】 MTC={Eout(0)−Eout(T)}×1,000/0.0005 (7) 上記(7)式のパラメータを数値化した具体例が、図7
のグラフであり、リード線種に銅線を用い、リード線4
の加熱部分の長さ(m)とみかけひずみMTCとの関係を
示した特性図である。各パラメータの数値は、後述する
本発明に係る実施例の欄に記載されている数値と同一で
ある。ただし、ゲージ補償抵抗値(従来例のRTC=4.
582Ω)のみが、実施例ではリード線抵抗変化補償抵
抗が追加されている関係上で実施例のものとは異なって
いる。また、図8は、リード線にニッケル線を用いた場
合であり、このパラメータ数値の記載は省略するが、リ
ード線の加熱部分の長さの変化に伴う影響が大きく現わ
れている。
【0018】これらの図から解るように、従来の補償方
法は、リード線の抵抗値が一定であることを条件になさ
れていると言える。しかしながら、高温環境下でひずみ
を測定する場合、リード線の温度分布は、使用する環境
により変化するので、上記の温度によるみかけひずみの
補償回路では完全に補償がされないという大きな問題点
を有している。
【0019】すなわち、通常300℃以上の環境下にお
けるひずみ測定においては、高温ひずみゲージから導出
されるリード線として、上述したように金属のチューブ
内に酸化マグネシュウムMgOをもって保持された、い
わゆるMIケーブルが使用される。このMIケーブル
は、その環境温度が1,000℃程度になると抵抗値が
4〜6倍程度変化し、特に、MIケーブルの全長のう
ち、高温に晒されている部分が測定環境(条件)によっ
て変ると、そのリード線抵抗も大きく変化するため、上
述した従来の補償回路では、補償不能となってしまうの
である。
【0020】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、その目的は、リード線の温度分布条件が変化して
もみかけひずみ量の変化の少ない、高温ひずみゲージの
みかけひずみ補償回路を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、高温下の被測定対象物に添着され該被
測定対象物からひずみを受けるとそのひずみに応じた電
気信号を出力する高温ひずみゲージのみかけひずみ補償
回路において、前記被測定対象物からひずみを受けると
その抵抗値を変化するアクティブゲージと、前記ひずみ
には不感な状態で前記アクティブゲージとほぼ同じ環境
下に配設され一端が前記アクティブゲージの一端と直列
に接続されたダミーゲージと、一端同士が直列に接続さ
れ且つ一方の出力端子に接続され各他端が一方および他
方のブリッジ電源入力端子に接続された2個の固定抵抗
と、一端が前記アクティブゲージの他端に接続され他端
が前記一方のブリッジ電源入力端子に直接または温度に
よるみかけひずみ補償抵抗を介して接続された第1のリ
ード線と、一端が前記ダミーゲージの他端に接続され他
端が前記他方のブリッジ電源入力端子に直接または温度
によるみかけひずみ補償抵抗を介して接続された第2の
リード線と、一端が前記アクティブゲージと前記ダミー
ゲージとの接続点に接続され他端が他方の出力端子に接
続された第3のリード線と、前記一方のブリッジ電源入
力端子および前記他方のブリッジ電源入力端子の一方ま
たは両方と前記他方の出力端子との間に接続され前記リ
ード線の抵抗変化に伴うみかけひずみを補償するリード
線抵抗変化補償抵抗と、を有し、前記リード線が高温に
晒される部分の長さが異なることに伴うみかけひずみの
発生を前記リード線抵抗変化補償抵抗によって補償する
ように構成したことを特徴としたものである。
【0022】
【作用】上記のように構成された高温ひずみゲージのみ
かけひずみ補償回路は、リード線の抵抗が一定であると
した場合のひずみゲージの温度によるみかけひずみを、
2本のリード線の一方または両方の延長端側にみかけひ
ずみ補償抵抗を回路挿入することで補償している。一
方、リード線の全長に対する高温に晒されるリード線部
分の長さによってリード線抵抗が大きく変化し、温度に
よるみかけひずみも大きく変化するのを、アクティブゲ
ージとダミーゲージの接続点に接続された第3のリード
線の他端側と、アクティブゲージとダミーゲージの各他
端に各一端が接続された第1および第2のリード線の一
方または両方の各他端側との間に、リード線の温度分布
変化に起因した抵抗変化に伴うみかけひずみを抑制する
リード線抵抗変化補償抵抗を回路挿入することで補償し
ている。
【0023】
【実施例】以下、本発明の構成を図面に示す実施例に基
づいて詳細に説明する。図1は、本発明の高温ひずみゲ
ージのみかけひずみ補償回路の一実施例を示す回路図で
ある。本実施例の回路は、ホイートストンブリッジ回路
にリード線の温度分布変化に起因した抵抗変化に伴うみ
かけひずみを補償するリード線抵抗変化補償抵抗を追加
して構成したものである。
【0024】高温環境側Iには、高温ひずみゲージのチ
ューブ1内のアクティブゲージ2とダミーゲージ3およ
びMIケーブルからなるリード線4a,4b,4cと
を、また、常温環境側IIには、ひずみゲージの温度によ
るみかけひずみを補償するみかけひずみ補償抵抗12,
13と固定抵抗9,10とを有してホイートストンブリ
ッジ回路が構成されている。
【0025】上述したように、アクティブゲージ2とダ
ミーゲージ3とは、ほぼ同じ環境下に置かれ、互いに一
端同士が接続されて直列回路を構成している。また、2
個の固定抵抗9,10も、互いに一端同士が接続されて
直列回路を構成している。
【0026】アクティブゲージ2の他端と一方の固定抵
抗9の他端との間は、第1のリード線4aと温度による
みかけひずみ補償抵抗12を介して接続されている。但
し、温度によるみかけひずみが正の場合は、省略される
かその両端が短絡される。
【0027】ダミーゲージ3の他端と他方の固定抵抗1
0の他端との間は、第2のリード線4bと温度によるみ
かけひずみ補償抵抗13を介して接続されている。但
し、温度によるみかけひずみ補償抵抗13は、ひずみゲ
ージによるみかけひずみが正の場合は、省略されるか、
その両端が短絡される。
【0028】上記2個の固定抵抗9,10の各他端は、
ブリッジ電源電圧Einの供給を受けるブリッジ電源入力
端子18,19にそれぞそれ接続されている。ブリッジ
回路の一方の出力端子17は、2個の固定抵抗9と10
との接続点に接続されている。
【0029】また、ブリッジ回路の他方の出力端子16
は、アクティブゲージ2とダミーゲージ3との接続点に
一端が接続された第3のリード線4cの延長端に接続さ
れている。
【0030】この他方の出力端子16と、一方のブリッ
ジ電源入力端子18との間および一方のブリッジ電源入
力端子19との間には、リード線の温度分布変化(リー
ド線4a,4b,4cの高温に晒される長さの変化)に
起因した内部抵抗11(抵抗値:RL )の変化に伴うみ
かけひずみを補償するリード線抵抗変化補償抵抗14お
よび15が回路挿入されている。但し、このリード線抵
抗変化補償抵抗14および15は、通常の場合、一方の
みが使用されるが、両方用いてもよい。
【0031】次に、リード線抵抗変化補償抵抗の抵抗値
RLCの効果について、具体例において説明する。今、図
1の回路においてゲージの温度によるみかけひずみ補償
抵抗12,13のうちの一方13のみを使用し他方12
は、破線にて示すように短絡して用いないものとする。
また、リード線抵抗変化補償抵抗14,15のうち一方
14のみを使用し他方15は開放して用いないものとす
る。
【0032】上記の条件においてブリッジ電源Einが印
加された場合のアクティブゲージ2(ゲージ抵抗値RA
)とダミーゲージ3(ゲージ抵抗値RD )の接続点の電
圧E1は、(8)式により得られる。
【0033】 E1 ={R2 /(R1 +R2 )}×Ein =[(RD+RL+RTC)/{(RA+RL)(RL+RLC)/(RA+2RL +RLC)+(RD+RL+RLC)}]×Ein (8) 但し、上記(8)式のR1 およびR2 は、下記による。
【0034】R1 =(RA +RL )(RL +RLC)/
(RA +2RL +RLC) R2 =RD +RL +RTC 図1の実施例の回路において、アクティブゲージ2にひ
ずみが加わっていない時の出力電圧Eout(0′) は、ブ
リッジ電源電圧Einと数式(7)で得られる電圧E1 と
の電位差(Ein−E1 )とリード線抵抗変化補償抵抗R
LCとリード線の内部抵抗11の抵抗RL とを下記の関係
式に代入して求められる。
【0035】 Eout(0′) ={RL /(RL +RLC)}×(Ein−E1 )+E1 (9) 図1の高温環境領域Iが高温下に晒されているときの出
力電圧Eout(T′ )は、(9)式に基づきリード線の高
温等の内部抵抗値をRLTとしたとき、(10)式および
(11)式で得られる。
【0036】 Eout(T ′)={RLT/(RLT+RLC)}×(Ein−E1T)+E1T (10 ) E1T={R2T/(R1T+R2T)}×Ein (11) (10),(11)式のR1TおよびR2Tは、(9)式の
常温時の抵抗値RA ,RL に対する高温時の抵抗値RA
T,RLTによる下記関係式によって得られる。
【0037】 R1T=(RAT+RLT)(RLT+RLC)/(RAT+2RLT+RLC) (12) R2T=RDT+RLT+RTC (13) また、みかけひずみMTCは、(5)式および(6)式と
同様手順による(14)式によって得られる。
【0038】 MTC={Eout(0′)−Eout(T′)}×1,000/0.0005 (14) 数式(14)のパラメータを下記に示す数値とした場合
のリード線の加熱部分の長さの変化に対するみかけひず
みの大きさの変化を表わした具体例が図4のグラフであ
り、リード線種に銅線を用いた場合の特性図である。ま
た、図5は同じくニッケル線の場合の特性図であり、こ
の場合のパラメータ数値の記載は省略する。
【0039】(1).常温(室温)時のパラメータ RA =120Ω,RD =120Ω,RL =2Ω, RTC=8.75Ω, RLC=6,190Ω (2).高温時(例えば1,000℃)におけるパラメ
ータ RAT=129.532Ω,RDT=130Ω, リード線の抵抗温度係数=0.8/1,000℃ (3).高温加熱部のリード線長とリード線抵抗値とみ
かけひずみ出力値との関係は、下表の通りである。
【0040】
【表1】 図4および図5は、上述した図7および図8の従来例の
特性図と夫々対比される特性図である。これら相対する
図を比較してみると、本発明に係る実施例のものは、高
温加熱部のリード線長の影響が大幅に緩和されているこ
とが解る。また、図5に示すようにニッケル線を用いた
場合の特性曲線は、銅線に比べ補償効果は劣るが、耐熱
性、機械的強度等の優位性において利用される場合があ
る。
【0041】なお、本発明は、上記の実施例のみに限定
されるべきものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲内において、種々に変形実施が可能である。例えば、
リード線抵抗変化補償抵抗14,15を2個用いてもよ
いし、ゲージの温度によるみかけひずみ12,13の一
方または両方を省略してもよい場合がある。
【0042】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、ホイー
トストンブリッジ回路のブリッジ電源入力端子とひずみ
ゲージ側出力端子との間に所定の抵抗値のリード線抵抗
変化補償抵抗を挿入することにより、リード線の温度分
布状態の変化に起因するリード線の抵抗値の変化によっ
て生じるみかけひずみの変化が抑制補償され、ひいては
この補償効果によってリード線の温度分布条件の変化、
リード線長の変更等の度毎にみかけひずみを補償をし直
すといった煩わしさがなく、所望の測定温度で高温下に
おける被測定対象物のひずみを高精度で測定し得る高温
ひずみゲージのみかけひずみ補償回路を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の回路構成を示す回路図であ
る。
【図2】高温ひずみゲージの構成を示す縦断面図であ
る。
【図3】図2に示す高温ひずみゲージの平面図である。
【図4】図1に示した実施例の回路のリード線に、銅線
を用いた場合のリード線の加熱部分の長さとみかけひず
みの変化特性を示すグラフである。
【図5】図1に示した実施例の回路のリード線に、ニッ
ケル線を用いた場合のリード線の加熱部分の長さとみか
けひずみの変化特性を示すグラフである。
【図6】従来の線膨張係数を考慮したみかけひずみ補償
回路の一例を示した回路図である。
【図7】図6に示した従来の線膨張係数を考慮したみか
けひずみ補償回路のリード線に、銅線を用いた場合のリ
ード線の加熱部分の長さとみかけひずみの変化特性を示
すグラフである。
【図8】図6に示した従来の線膨張係数を考慮したみか
けひずみ補償回路のリード線に、ニッケル線を用いた場
合のリード線の加熱部分の長さとみかけひずみの変化特
性を示すグラフである。
【符号の説明】
1 チューブ 1a 受感部 2 アクティブゲージ 3 ダミーゲージ 4,4a,4b,4c リード線 5 耐高温接着剤 6 ベース 6a,6b フランジ部 7 被測定対象物 8 スポット溶接箇所 9,10 固定抵抗 11 リード線抵抗 12,13 ひずみゲージの温度によるみかけひずみ補
償抵抗 14,15 リード線抵抗変化補償抵抗 16,17 出力端子 18,19 ブリッジ電源入力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 7/16 G01D 3/028

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高温下の被測定対象物に添着され該被測
    定対象物からひずみを受けるとそのひずみに応じた電気
    信号を出力する高温ひずみゲージのみかけひずみ補償回
    路において、前記被測定対象物からひずみを受けるとそ
    の抵抗値を変化するアクティブゲージと、前記ひずみに
    は不感な状態で前記アクティブゲージとほぼ同じ環境下
    に配設され一端が前記アクティブゲージの一端と直列に
    接続されたダミーゲージと、一端同士が直列に接続され
    且つ一方の出力端子に接続され各他端が一方および他方
    のブリッジ電源入力端子に接続された2個の固定抵抗
    と、一端が前記アクティブゲージの他端に接続され他端
    が前記一方のブリッジ電源入力端子に直接または温度に
    よるみかけひずみ補償抵抗を介して接続された第1のリ
    ード線と、 一端が前記ダミーゲージの他端に接続され他端が前記他
    方のブリッジ電源入力端子に直接または温度によるみか
    けひずみ補償抵抗を介して接続された第2のリード線
    と、一端が前記アクティブゲージと前記ダミーゲージと
    の接続点に接続され他端が他方の出力端子に接続された
    第3のリード線と、 前記一方のブリッジ電源入力端子および前記他方のブリ
    ッジ電源入力端子の一方または両方と前記他方の出力端
    子との間に接続され前記リード線の抵抗変化に伴うみか
    けひずみを補償するリード線抵抗変化補償抵抗と、 を有し、前記リード線が高温に晒される部分の長さが異
    なることに伴うみかけひずみの発生を前記リード線抵抗
    変化補償抵抗によって補償するように構成したことを特
    徴とする高温ひずみゲージのみかけひずみ補償回路。
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