JP3263365B2 - Liquid crystal display panel and inspection method thereof - Google Patents

Liquid crystal display panel and inspection method thereof

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JP3263365B2
JP3263365B2 JP21071498A JP21071498A JP3263365B2 JP 3263365 B2 JP3263365 B2 JP 3263365B2 JP 21071498 A JP21071498 A JP 21071498A JP 21071498 A JP21071498 A JP 21071498A JP 3263365 B2 JP3263365 B2 JP 3263365B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、画素スイッチング
素子として薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Tran
sistor)などのアクティブ素子を使用したアクティブマ
トリクス方式の液晶表示パネルに関し、特に、液晶注入
工程前のアレイ基板の状態において画素欠陥を検査する
ことが可能な液晶表示パネルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element.
The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display panel using an active element such as a sistor, and more particularly to a liquid crystal display panel capable of inspecting pixel defects in a state of an array substrate before a liquid crystal injection step.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリシリコン薄膜トランジスタ(以下p
−SiTFTと略す)をスイッチング素子とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示パネルは、表示部を構成する
画素トランジスタと同一の基板上に駆動回路を内蔵する
ことができるという特徴がある。このようなTFTマト
リクスアレイを備えた液晶表示パネルの駆動方式として
は、点順次駆動方式と線順次駆動方式の2通りがある。
2. Description of the Related Art A polysilicon thin film transistor (hereinafter referred to as p
An active matrix type liquid crystal display panel using a switching element of -SiTFT) has a feature that a driving circuit can be built in on the same substrate as a pixel transistor included in a display portion. There are two driving methods for a liquid crystal display panel including such a TFT matrix array, a dot sequential driving method and a line sequential driving method.

【0003】ところで、近年の液晶パネルの大画面化、
高精細化に伴い、1枚の液晶パネルの画素数が極めて大
きくなり、これに応じて画素スイッチング素子としての
TFTや画像信号線・走査信号線の配線もまた極めて多
数となる。そのため、TFTの不良に起因した画素欠陥
や、ソース線等の断線・短絡その他の線欠陥の発生する
頻度も高い。従って、TFTの不良やソース線等の線欠
陥を、予め検査しておくことが必要となる。しかも、画
素欠陥等の検査は、液晶表示パネルの製造の際の最終工
程である液晶注入工程以前の状態、即ちTFTアレイ基
板の状態において検査することが要請される。なぜな
ら、液晶注入工程後に画素欠陥の検査を行うと、画素欠
陥を発見した場合に液晶表示パネル全体を破棄しなけれ
ばならず、製造歩留りの低下を招くからである。
[0003] By the way, in recent years, the screen size of liquid crystal panels has been increased,
With the increase in definition, the number of pixels of one liquid crystal panel becomes extremely large, and accordingly, the number of TFTs as pixel switching elements and wiring of image signal lines and scanning signal lines also become extremely large. For this reason, pixel defects due to TFT defects, disconnection and short-circuiting of source lines and other line defects, and other line defects frequently occur. Therefore, it is necessary to inspect TFT defects and line defects such as source lines in advance. In addition, inspection for pixel defects and the like is required to be performed in a state before a liquid crystal injection step, which is a final step in manufacturing a liquid crystal display panel, that is, in a state of a TFT array substrate. This is because, if a pixel defect is inspected after the liquid crystal injection step, when a pixel defect is found, the entire liquid crystal display panel must be discarded, which lowers the manufacturing yield.

【0004】しかしながら、従来ではTFTアレイ基板
の状態において、効率的な検査方法はほとんど確立され
ておらず、断線・短絡その他の線欠陥についてのみ検査
することができる程度であった。画素欠陥を検査する場
合は、TFTアレイ基板と対向基板間に液晶を注入して
液晶表示パネルを作製した後、液晶表示パネルに電圧を
印加し、液晶表示動作を目視により観察して画素欠陥の
有無を検査していた。しかし、液晶表示パネル作製後に
検査を行うため、上記したように画素欠陥が発見された
場合に、液晶が注入された液晶表示パネル全体を破棄す
ることになり、製造歩留りの低下を招く。
However, in the prior art, in the state of the TFT array substrate, an efficient inspection method has hardly been established, and only an inspection for disconnection, short circuit, and other line defects can be performed. When inspecting pixel defects, a liquid crystal display panel is manufactured by injecting liquid crystal between the TFT array substrate and the opposing substrate, a voltage is applied to the liquid crystal display panel, and the liquid crystal display operation is visually observed to observe the pixel defects. Had been checked for presence. However, since the inspection is performed after the liquid crystal display panel is manufactured, when a pixel defect is found as described above, the entire liquid crystal display panel into which liquid crystal has been injected is discarded, and the manufacturing yield is reduced.

【0005】そこで、液晶注入工程前の状態において、
画素欠陥を検出することが要請されており、かかる要請
に答えるべく、特開平7ー77553号公報に開示され
ている画素欠陥検査装置が提案されている。この画素欠
陥検査装置は、液晶注入工程前のTFTアレイ基板の状
態において、TFTアレイ基板に内蔵されている駆動回
路の一部を構成する走査用シフトレジスタを利用するこ
とにより、1画素毎に順次画素欠陥を検査するように構
成されている。
Therefore, in a state before the liquid crystal injection step,
There is a demand for detecting a pixel defect, and a pixel defect inspection apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-77553 has been proposed to respond to the request. This pixel defect inspection apparatus uses a scanning shift register which forms a part of a driving circuit built in the TFT array substrate in a state of the TFT array substrate before a liquid crystal injection step, thereby sequentially forming one pixel at a time. It is configured to inspect for pixel defects.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例では、駆動回路に走査用シフトレジスタが組み込
まれた点順次駆動方式の液晶表示パネルにしか使用でき
ず、線順次駆動方式の液晶表示パネルに使用することが
できないという課題がある。
However, in the above-mentioned conventional example, it can be used only for a liquid crystal display panel of a dot-sequential drive system in which a scanning shift register is incorporated in a drive circuit. There is a problem that can not be used for.

【0007】また、点順次駆動方式の液晶表示パネルで
あっても、アレイ基板に駆動回路を形成した、駆動回路
内蔵型の液晶表示パネルの場合、上記従来例の検査装置
を用いて検査を行っても、信頼性の点において問題が生
じる。なぜなら、駆動回路を基板に作り込む工程におい
て駆動回路自体に何等かの不良が発生するおそれがあ
り、かかる駆動回路自体の不良の発生に起因して、画素
欠陥検査の信頼性が低下することになるからである。
Further, even in the case of a liquid crystal display panel of a dot sequential driving system, in the case of a liquid crystal display panel with a built-in driving circuit in which a driving circuit is formed on an array substrate, an inspection is performed using the above-described inspection apparatus of the prior art. However, a problem arises in terms of reliability. This is because there is a possibility that some failure occurs in the drive circuit itself in the process of forming the drive circuit on the substrate, and the occurrence of the failure in the drive circuit itself lowers the reliability of the pixel defect inspection. Because it becomes.

【0008】更に、上記従来技術では、1画素毎に順次
画素欠陥を検査するため、検査時間が長く、検査効率が
悪いという課題がある。
Further, in the above-mentioned prior art, since pixel defects are sequentially inspected for each pixel, there is a problem that the inspection time is long and the inspection efficiency is poor.

【0009】本発明の目的は、上記課題に鑑み、液晶注
入工程前のアレイ基板の状態において、画素欠陥の検査
を行うことができ、しかも短い時間で検査を行うことが
できるようにした液晶表示パネルを提供することであ
る。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display capable of performing a pixel defect inspection in a state of an array substrate before a liquid crystal injecting step, and performing an inspection in a short time. Is to provide a panel.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明のうちの請求項1記載の発明は、複数の画像
信号線と複数の走査信号線とがマトリクス状に形成さ
れ、且つ画像信号線と走査信号線との各交点近傍位置に
それぞれ画素スイッチング素子が形成されたアレイ基板
を備え、前記走査信号線に走査信号を伝達する走査信号
線駆動回路及び前記画像信号線に画像信号を伝達する画
像信号線駆動回路が、前記アレイ基板上に形成された半
導体層により構成され、線順次駆動方式により表示を行
う液晶表示パネルにおいて、前記画像信号線の一方側の
端部には、前記画像信号線駆動回路が接続され、画像信
号線の他方側の端部には、画素欠陥を検査するための画
素欠陥検査用回路が接続されており、この画素欠陥検査
用回路は、前記アレイ基板上に形成された半導体層によ
り構成されていることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, a plurality of image signal lines and a plurality of scanning signal lines are formed in a matrix, and A scanning signal line driving circuit for transmitting a scanning signal to the scanning signal line; and an image signal to the image signal line, comprising: an array substrate on which pixel switching elements are respectively formed near intersections between the image signal line and the scanning signal line. An image signal line driving circuit for transmitting the image signal is constituted by a semiconductor layer formed on the array substrate, and in a liquid crystal display panel that performs display by a line-sequential driving method, in one end of the image signal line, The image signal line driving circuit is connected, and a pixel defect inspection circuit for inspecting a pixel defect is connected to the other end of the image signal line, and the pixel defect inspection circuit includes the array. Characterized in that it is constituted by a semiconductor layer formed on the substrate.

【0011】上記の如く画素欠陥検査用回路を設けるこ
とにより、線順次駆動方式の液晶表示パネルにおいて、
液晶注入工程前の状態で画素欠陥の検査を行うことが可
能となる。そのため、画素欠陥を内包するアレイ基板に
液晶を注入して欠陥のある液晶表示パネルを製造する無
駄を排除することができ、最終製品の歩留まりを向上す
ることができる。
By providing the pixel defect inspection circuit as described above, a liquid crystal display panel of a line-sequential drive system can be used.
Inspection of pixel defects can be performed before the liquid crystal injection step. Therefore, it is possible to eliminate waste of manufacturing a defective liquid crystal display panel by injecting liquid crystal into an array substrate containing pixel defects, thereby improving the yield of final products.

【0012】尚、画素欠陥を検査するに際しては、液晶
注入工程前のアレイ基板の状態において、画像信号電圧
を印加することによりアレイ基板を駆動し、1走査信号
線上の各画素に蓄積された電荷を放電電圧波形(または
放電電流波形)として1走査信号線毎に取り出し、この
取出された放電電圧波形を画素欠陥検査用回路により検
査し、画素欠陥の存否を判断する。このように、1走査
信号線毎に画素欠陥の検査を行うことができるので、1
画素毎に画素欠陥検査を行う従来例に比べて、検査効率
の向上を図ることができる。
When inspecting for pixel defects, the array substrate is driven by applying an image signal voltage in the state of the array substrate before the liquid crystal injection step, and the electric charge accumulated in each pixel on one scanning signal line is determined. Is extracted for each scanning signal line as a discharge voltage waveform (or discharge current waveform), and the extracted discharge voltage waveform is inspected by a pixel defect inspection circuit to determine the presence or absence of a pixel defect. In this manner, pixel defects can be inspected for each scanning signal line.
Inspection efficiency can be improved as compared with the conventional example in which pixel defect inspection is performed for each pixel.

【0013】また請求項2記載の発明は、請求項1記載
の液晶表示パネルにおいて、前記画素欠陥検査用回路
は、各画像信号線毎に設けられ、各画像信号線を介して
1走査信号線毎に読み出された各画素毎の容量に蓄積さ
れている電荷の放電電流値または放電電圧値と、予め定
めた基準値とを比較して、大小関係に応じた論理値に変
換して出力する比較回路と、前記各比較回路からの出力
の論理積を求めて出力する論理回路と、を有することを
特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the liquid crystal display panel according to the first aspect, the pixel defect inspection circuit is provided for each image signal line, and one scanning signal line is provided via each image signal line. The discharge current value or the discharge voltage value of the electric charge stored in the capacitance of each pixel read out for each pixel is compared with a predetermined reference value, and converted to a logical value according to the magnitude relation and output. And a logic circuit for calculating and outputting a logical product of outputs from the respective comparison circuits.

【0014】上記した構成により、例えば、放電電圧値
が予め定めた基準値以上のとき、比較回路は論理「1」
を出力し、放電電圧値が予め定めた基準値未満のとき、
比較回路は論理「0」を出力する。従って、1走査信号
線毎に読み出された各画素全てに関して、その放電電圧
値が予め定めた基準値以上の場合のみ、論理回路の出力
は論理「1」となる。放電電圧値が予め定めた基準値未
満となる画素が少なくとも1以上あれば、論理回路の出
力は論理「0」となる。一方、画素欠陥が存在する場合
は、画素の容量に電荷が殆ど蓄積されないため、放電電
圧値が基準値未満となり、画素欠陥が存在しない場合
は、画素の容量に充分な電荷が蓄積されるため、放電電
圧値が基準値以上となる。よって、論理回路の出力の論
理状態により、画素欠陥の有無を検出することが可能と
なる。
With the above-described configuration, for example, when the discharge voltage value is equal to or higher than a predetermined reference value, the comparison circuit outputs a logic “1”.
Is output, and when the discharge voltage value is less than a predetermined reference value,
The comparison circuit outputs logic “0”. Therefore, the output of the logic circuit becomes logic "1" only when the discharge voltage value is equal to or higher than the predetermined reference value for all the pixels read out for each scanning signal line. If at least one pixel has a discharge voltage value lower than a predetermined reference value, the output of the logic circuit becomes logic “0”. On the other hand, when a pixel defect is present, almost no charge is accumulated in the pixel capacitance, so that the discharge voltage value is lower than the reference value. When no pixel defect exists, sufficient charge is accumulated in the pixel capacitance. , The discharge voltage value becomes equal to or higher than the reference value. Thus, the presence or absence of a pixel defect can be detected based on the logic state of the output of the logic circuit.

【0015】また請求項3記載の発明は、請求項2記載
の液晶表示パネルにおいて、前記比較回路と前記論理回
路との間に、比較回路の出力パルスのパルス幅を広げる
信号処理回路が設けられていることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the liquid crystal display panel of the second aspect, a signal processing circuit for increasing a pulse width of an output pulse of the comparison circuit is provided between the comparison circuit and the logic circuit. It is characterized by having.

【0016】上記の如く、比較回路の出力パルスのパル
ス幅を広げることにより、検査精度の向上を図ることが
できる。
As described above, the inspection accuracy can be improved by increasing the pulse width of the output pulse of the comparison circuit.

【0017】また請求項4記載の発明は、複数の画像信
号線と複数の走査信号線とがマトリクス状に形成され、
且つ画像信号線と走査信号線との各交点近傍位置にそれ
ぞれ画素スイッチング素子が形成されたアレイ基板を備
え、前記走査信号線に走査信号を伝達する走査信号線駆
動回路及び前記画像信号線に画像信号を伝達する画像信
号線駆動回路が、前記アレイ基板上に形成された半導体
層により構成され、点順次駆動方式により表示を行う液
晶表示パネルにおいて、前記画像信号線の一方側の端部
には、前記画像信号線駆動回路が接続され、画像信号線
の他方側の端部には、画素欠陥を検査するための画素欠
陥検査用回路が接続されており、この画素欠陥検査用回
路は、前記画像信号線駆動回路と同一の回路構成を有
し、且つ前記アレイ基板上に形成された半導体層により
構成されていることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, a plurality of image signal lines and a plurality of scanning signal lines are formed in a matrix.
A scanning signal line driving circuit for transmitting a scanning signal to the scanning signal line; and an image signal line for transmitting an image to the scanning signal line. An image signal line driving circuit for transmitting a signal is constituted by a semiconductor layer formed on the array substrate, and in a liquid crystal display panel performing display by a dot sequential driving method, one end of the image signal line is The image signal line drive circuit is connected, and a pixel defect inspection circuit for inspecting a pixel defect is connected to the other end of the image signal line. It has the same circuit configuration as the image signal line drive circuit, and is constituted by a semiconductor layer formed on the array substrate.

【0018】上記の如く、画素欠陥検査用駆動回路が画
像信号線駆動回路と同一回路構成であるため、画像信号
線駆動回路が不良により正常に動作しない場合、画素欠
陥検査用駆動回路を画像信号線駆動回路に転用すること
ができ、最終製品の歩留まりを向上することができる。
As described above, since the pixel defect inspection drive circuit has the same circuit configuration as the image signal line drive circuit, if the image signal line drive circuit does not operate normally due to a defect, the pixel defect inspection drive circuit is switched to the image signal line drive circuit. It can be diverted to a line drive circuit, and the yield of final products can be improved.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)図1は実施の形
態1に係る液晶表示パネルの一部分を示す斜視図であ
り、図2は実施の形態1に係る液晶表示パネルの回路図
である。本発明に係る液晶表示パネルは、液晶表示部を
駆動するための駆動回路が、アレイ基板に一体的に形成
された、いわゆる駆動回路内蔵型の液晶表示パネルであ
る。また、この液晶表示パネルは、線順次駆動方式の液
晶表示パネルである。液晶表示パネルは、アレイ基板1
1と、アレイ基板11に対向する対向基板12と、アレ
イ基板11と対向基板12間に挟持された液晶層13と
を有する。アレイ基板11及び対向基板12は、共に、
透明なガラス基板である。アレイ基板11の表面には、
複数の走査信号線V1,V2,…,Vn(走査信号線を
総称するときは参照符号Vで示す)と、各走査信号線V
に直交する複数の画像信号線S1,S2,…,Sn(画
像信号線を総称するときは参照符号Sで示す)と、画像
信号線Sと走査信号線Vの各交点に対応して配置される
複数の画素スイッチング素子としての低温ポリシリコン
薄膜トランジスタ(以下、TFTと略称する)15…
と、複数の画素電極16…とが形成されている。TFT
15のソース電極15aは、画像信号線Sに接続され、
TFT15のゲート電極15bは走査信号線Vに接続さ
れている。また、TFT15のドレイン電極15cは、
液晶容量CLc及び保持容量Cstg に共通に接続されてい
る。尚、これら複数のTFT15…、複数の画素電極1
6…、画像信号線S及び走査信号線Vなどにより、液晶
表示部5が構成されている。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view showing a part of a liquid crystal display panel according to Embodiment 1, and FIG. 2 is a circuit diagram of the liquid crystal display panel according to Embodiment 1. is there. The liquid crystal display panel according to the present invention is a so-called drive circuit built-in type liquid crystal display panel in which a drive circuit for driving a liquid crystal display unit is formed integrally with an array substrate. This liquid crystal display panel is a line sequential drive type liquid crystal display panel. The liquid crystal display panel is an array substrate 1
1, a counter substrate 12 facing the array substrate 11, and a liquid crystal layer 13 sandwiched between the array substrate 11 and the counter substrate 12. Both the array substrate 11 and the opposing substrate 12
It is a transparent glass substrate. On the surface of the array substrate 11,
The plurality of scanning signal lines V1, V2,...
Are arranged corresponding to the intersections of a plurality of image signal lines S1, S2,..., Sn (the image signal lines are collectively referred to by reference numeral S) and the image signal lines S and the scanning signal lines V. Low-temperature polysilicon thin film transistors (hereinafter abbreviated as TFTs) 15 as a plurality of pixel switching elements
And a plurality of pixel electrodes 16 are formed. TFT
The 15 source electrodes 15a are connected to the image signal lines S,
The gate electrode 15b of the TFT 15 is connected to the scanning signal line V. The drain electrode 15c of the TFT 15 is
It is commonly connected to the liquid crystal capacitance CLc and the storage capacitance Cstg. The plurality of TFTs 15 and the plurality of pixel electrodes 1
6, the image signal line S and the scanning signal line V constitute the liquid crystal display unit 5.

【0020】更に、アレイ基板11上の液晶表示部5の
周辺部には、画像信号を画像信号線Sを介して伝達する
画像信号線駆動回路17と、走査信号線Vを介してTF
T15のゲート電極15bに走査信号を伝達する走査信
号線駆動回路18と、画素欠陥を検出する画素欠陥検査
用回路20とが設けられている。画像信号線駆動回路1
7は、画像信号線Sの一方の端部に接続されており、画
素欠陥検査用回路20は、画像信号線Sの他方の端部に
接続されている。ここで、画素欠陥検査用回路20によ
り検査対象となる画素欠陥とは、TFT15の機能欠陥
のため、そのTFT15の対応する画素が全く表示され
ないか、或いは表示されたとしても所定の明るさに満た
ない場合などを意味する。
Further, an image signal line driving circuit 17 for transmitting an image signal through an image signal line S and a TF through a scanning signal line V are provided around the liquid crystal display unit 5 on the array substrate 11.
A scanning signal line driving circuit 18 for transmitting a scanning signal to the gate electrode 15b of T15 and a pixel defect inspection circuit 20 for detecting a pixel defect are provided. Image signal line drive circuit 1
Reference numeral 7 is connected to one end of the image signal line S, and the pixel defect inspection circuit 20 is connected to the other end of the image signal line S. Here, the pixel defect to be inspected by the pixel defect inspection circuit 20 is a functional defect of the TFT 15, and therefore, the corresponding pixel of the TFT 15 is not displayed at all, or even if it is displayed, the pixel has a predetermined brightness. This means that there is no such thing.

【0021】また、前記対向基板12の内側表面には、
透明導電膜から成る対向電極21が形成されており、対
向基板12の外側表面には、偏光板22が形成されてい
る。また、前記アレイ基板11の外側表面には、偏光板
23が形成されている。尚、画素欠陥検査用回路20、
画像信号線駆動回路17及び走査信号駆動回路18は、
TFT15と同一の製造プロセスでアレイ基板11上に
作り込まれた、いわゆる内蔵回路である。
Also, on the inner surface of the counter substrate 12,
An opposing electrode 21 made of a transparent conductive film is formed, and a polarizing plate 22 is formed on the outer surface of the opposing substrate 12. A polarizing plate 23 is formed on the outer surface of the array substrate 11. Note that the pixel defect inspection circuit 20,
The image signal line driving circuit 17 and the scanning signal driving circuit 18
This is a so-called built-in circuit formed on the array substrate 11 in the same manufacturing process as the TFT 15.

【0022】図3は画像信号線駆動回路及び画素欠陥検
査用回路の具体的な構成を示す回路図である。画像信号
線駆動回路17は、シフトレジスタ回路30と、画像デ
ータライン部31と、サンプルホールド回路32と、バ
ッフア回路33と、アナログスイッチa1,a2,…,
anとから構成されている。このような構成の画像信号
線駆動回路17による線順次駆動の表示動作の概略を説
明すると、先ず、シフトレジスタ回路30からのドット
タイミング信号が、サンプルホールド回路32に与えら
れる。これにより、サンプルホールド回路32は、ドッ
トタイミング信号に応じて画像データライン部31より
送られてきた画像信号を順次サンプルホールドしてい
く。そして、サンプルホールド回路32が1走査分のデ
ータをサンプル・ホールドし終えると、1走査分のデー
タがサンプルホールド回路32からバッファ回路33に
送り込まれる。その後、バッファ回路33は、1水平走
査期間に相当する時間をかけて各画像信号線S1,S
2,…,Snに同時にデータを書き込む。このような動
作が1走査信号線毎に順次行われ、1フレームの画像デ
ータが書き込まれることになる。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific configuration of the image signal line drive circuit and the pixel defect inspection circuit. The image signal line driving circuit 17 includes a shift register circuit 30, an image data line unit 31, a sample and hold circuit 32, a buffer circuit 33, and analog switches a1, a2,.
and an. The outline of the line sequential driving display operation by the image signal line driving circuit 17 having such a configuration will be described. First, a dot timing signal from the shift register circuit 30 is supplied to the sample and hold circuit 32. Accordingly, the sample hold circuit 32 sequentially samples and holds the image signal sent from the image data line unit 31 in accordance with the dot timing signal. When the sample and hold circuit 32 finishes sampling and holding the data for one scan, the data for one scan is sent from the sample and hold circuit 32 to the buffer circuit 33. After that, the buffer circuit 33 takes each of the image signal lines S1, S over a time corresponding to one horizontal scanning period.
Data is simultaneously written to 2,..., Sn. Such an operation is sequentially performed for each scanning signal line, and one frame of image data is written.

【0023】また前記画素欠陥検査用回路20は、各画
像信号線S毎に設けられる比較回路B1,B2,…,B
n(比較回路を総称するときは参照符号Bで示す)と、
アンド回路A1,A2,…,An-1 (アンド回路を総称
するときは参照符号Aで示す)から構成されている。ア
ンド回路A1の一方の入力端子は比較回路B1の出力ラ
インに接続され、アンド回路A1の他方の入力端子は比
較回路B2の出力ラインに接続されている。またアンド
回路A2,A3,…,An-1 の一方の入力端子は、それ
ぞれ前段のアンド回路(例えばアンド回路An-1 に関す
る前段のアンド回路とは、アンド回路An-2 を意味す
る)の出力ラインに接続され、アンド回路A2,A3,
…,An-1 の他方の入力端子は、それぞれ比較回路B
2,B3,…,Bnの出力ラインに接続されている。前
記比較回路Bは、各画像信号線Sを介して1走査信号線
V毎に読み出された各画素毎の容量に蓄積されている電
荷の放電電圧値と、予め定めた基準電圧値Vref とを比
較し、大小関係に応じた論理値に変換して出力する機能
を果たす。例えば、放電電圧値が基準電圧値Vref 以上
のときには、比較回路Bは論理「1」を出力し、放電電
圧値が基準電圧値Vref未満のときには、比較回路Bは
論理「0」を出力する。尚、放電電圧値に代えて放電電
流値を読み出しすように構成してもよい。
The pixel defect inspection circuit 20 includes comparison circuits B1, B2,..., B provided for each image signal line S.
n (when the comparison circuits are generically indicated by reference numeral B),
.., An-1 (the AND circuit is generally indicated by reference numeral A). One input terminal of the AND circuit A1 is connected to the output line of the comparison circuit B1, and the other input terminal of the AND circuit A1 is connected to the output line of the comparison circuit B2. One input terminal of each of the AND circuits A2, A3,..., An-1 is an output of a preceding AND circuit (for example, the preceding AND circuit related to the AND circuit An-1 means the AND circuit An-2). Connected to the lines and AND circuits A2, A3,
, An-1 are connected to the comparison circuit B, respectively.
, B3,..., Bn. The comparison circuit B includes a discharge voltage value of the electric charge stored in the capacitance of each pixel read out for each scanning signal line V via each image signal line S, a predetermined reference voltage value Vref, , And outputs a logical value corresponding to the magnitude relation. For example, when the discharge voltage value is equal to or higher than the reference voltage value Vref, the comparison circuit B outputs logic "1", and when the discharge voltage value is less than the reference voltage value Vref, the comparison circuit B outputs logic "0". Note that a configuration may be adopted in which a discharge current value is read instead of the discharge voltage value.

【0024】このような画素欠陥検査用回路20による
画素欠陥検査の概要を説明すると、液晶注入工程前のT
FTアレイ基板の状態において、画像信号電圧を印加す
ることによりTFTアレイ基板を駆動し、アレイ基板内
部において1走査信号線V上の各画素に蓄積された電荷
を放電電圧波形として、1走査信号線V毎に取り出し
て、画素欠陥検査用回路20により検査し、画素欠陥の
存否を認識するものである。
The outline of the pixel defect inspection by the pixel defect inspection circuit 20 will be described.
In the state of the FT array substrate, the TFT array substrate is driven by applying an image signal voltage, and the electric charge accumulated in each pixel on one scanning signal line V in the array substrate is set as a discharge voltage waveform to form one scanning signal line. It is taken out for each V and inspected by the pixel defect inspection circuit 20 to recognize the presence or absence of a pixel defect.

【0025】図4は画素欠陥検査の動作を説明するため
のタイミングチャートである。図4を参照して、画素欠
陥検査の具体的な動作を説明する。先ず、図4(a)に
示すように、走査信号線V1に選択パルスを印加して、
走査信号線V1に接続されているすべてのTFT15を
所定期間だけON状態にする。これに同期して、アナロ
グスイッチa1,a2,a3,…,anをON状態にす
る。これにより、図4(b)に示すように、サンプルホ
ールド回路32に保持されている画像信号電圧が画像信
号線Sに読み出され、走査信号線V1に接続されている
各TFT15…に関連する容量(液晶容量CLc及び保持
容量Cstg に相当する)に同時に充電が行われる。尚、
ここで使用される画像信号電圧としては、TFT15に
関連する液晶容量CLcに十分に充電が行われるように使
用画像信号電圧範囲のうちの最高レベルの電圧が用いら
れる。
FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of the pixel defect inspection. A specific operation of the pixel defect inspection will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 4A, a selection pulse is applied to the scanning signal line V1,
All the TFTs 15 connected to the scanning signal line V1 are turned on for a predetermined period. In synchronization with this, the analog switches a1, a2, a3,..., An are turned on. As a result, as shown in FIG. 4B, the image signal voltage held in the sample hold circuit 32 is read out to the image signal line S, and is associated with each of the TFTs 15 connected to the scanning signal line V1. The capacitors (corresponding to the liquid crystal capacitor CLc and the storage capacitor Cstg) are simultaneously charged. still,
As the image signal voltage used here, the highest level voltage in the used image signal voltage range is used so that the liquid crystal capacitance CLc associated with the TFT 15 is sufficiently charged.

【0026】次に、走査信号線V1に接続されているす
べてのTFT15及びアナログスイッチa1,a2,a
3,a4,…,anをOFF状態として充電状態を保持
する。その後、アナログスイッチa1,a2,a3,a
4,…,anをOFF状態にしたまま、TFT15のみ
を再度ON状態とする。これにより、図4(c)に示す
ように、各画素に蓄積された電荷が画像信号線Sを介し
て放電され、放電電圧(または放電電流)が画素欠陥検
査用回路20に与えられる。
Next, all the TFTs 15 connected to the scanning signal line V1 and the analog switches a1, a2, a
3, a4,..., An are turned off to maintain the charged state. Then, the analog switches a1, a2, a3, a
While only 4,..., An are in the OFF state, only the TFT 15 is turned on again. Thereby, as shown in FIG. 4C, the charges accumulated in each pixel are discharged through the image signal line S, and a discharge voltage (or discharge current) is given to the pixel defect inspection circuit 20.

【0027】画素欠陥検査用回路20では、以下の信号
処理により画素欠陥の有無を診断する。即ち、画素欠陥
検査用回路20を構成する比較回路Bにおいて、基準電
圧値Vref と画像信号線Sを介して与えられた放電電圧
値とが比較され、図4(d)に示すように、放電電圧値
が基準電圧値Vref 以上のときには比較回路Bは論理値
「1」を出力し、放電電圧値が基準電圧値Vref 未満の
ときには比較回路Bは論理値「0」を出力する。そし
て、比較回路Bの出力のアンド条件がアンド回路A1,
A2,…,An-1 により求められ、検出端子DIVから
出力される。従って、1走査信号線V上の全てのTFT
15が正常である場合、検出端子DIVの出力は論理
「1」になり、TFT15に欠陥がある場合(画素欠陥
がある場合に相当する)は、検出端子DIVの出力は論
理「0」になる。よって、検出端子DIVの出力の論理
状態により、画素欠陥の有無を検出することが可能とな
る。
The pixel defect inspection circuit 20 diagnoses the presence or absence of a pixel defect by the following signal processing. That is, in the comparison circuit B constituting the pixel defect inspection circuit 20, the reference voltage value Vref is compared with the discharge voltage value given via the image signal line S, and as shown in FIG. When the voltage value is equal to or higher than the reference voltage value Vref, the comparison circuit B outputs a logical value "1", and when the discharge voltage value is lower than the reference voltage value Vref, the comparison circuit B outputs a logical value "0". Then, the AND condition of the output of the comparison circuit B becomes AND circuit A1,
A2,..., An-1 are output from the detection terminal DIV. Therefore, all the TFTs on one scanning signal line V
When the pixel 15 is normal, the output of the detection terminal DIV becomes logic "1". When the TFT 15 has a defect (corresponding to the case where there is a pixel defect), the output of the detection terminal DIV becomes logic "0". . Therefore, the presence or absence of a pixel defect can be detected based on the logic state of the output of the detection terminal DIV.

【0028】例えば、走査信号線V2と画像信号線S2
の交点に関するTFT15の性能が不良である場合を想
定する。走査信号線V1に接続されているすべてのTF
T15の性能が良好であるので、図4(c)に示すよう
に、放電電圧のピークが基準値Vref 以上となる。従っ
て、比較回路B1,B2,…,Bnの出力は、図4
(d)に示すように、論理「1」となる。よって、検出
端子DIVの出力は、図4(e)に示すように、論理
「1」となる。次いで、走査信号線V2に接続されてい
るTFT15の検査が行われると、図4(c)に示すよ
うに、画像信号線S2に関する放電電圧のピークが基準
値Vref 未満となる。従って、比較回路B2の出力のみ
が、論理「0」で、残余の比較回路B1,B3,…,B
nの出力は論理値「1」となる。よって、検出端子DI
Vの出力は、図4(e)に示すように、論理「0」とな
る。こうして、画素欠陥の有無に対応して、検出端子D
IVの出力の論理レベルが変化し、これにより画素欠陥
の有無を認識することが可能となる。
For example, the scanning signal line V2 and the image signal line S2
It is assumed that the performance of the TFT 15 with respect to the intersection of is poor. All TFs connected to the scanning signal line V1
Since the performance of T15 is good, the peak of the discharge voltage becomes equal to or higher than the reference value Vref, as shown in FIG. Therefore, the outputs of the comparison circuits B1, B2,.
As shown in (d), the logic becomes "1". Therefore, the output of the detection terminal DIV becomes logic “1” as shown in FIG. Next, when the inspection of the TFT 15 connected to the scanning signal line V2 is performed, as shown in FIG. 4C, the peak of the discharge voltage for the image signal line S2 becomes lower than the reference value Vref. Therefore, only the output of the comparison circuit B2 is logic “0”, and the remaining comparison circuits B1, B3,.
The output of n has a logical value “1”. Therefore, the detection terminal DI
The output of V becomes logical "0" as shown in FIG. In this way, the detection terminal D
The logic level of the output of the IV changes, which makes it possible to recognize the presence or absence of a pixel defect.

【0029】尚、基準値Vref は、TFTの性能として
許容できる電圧レベルまで充電能力を有するか否かによ
り、設定すればよい。例えば、TFTの性能欠陥により
対応する画素が全く表示されない状態を画素欠陥と考え
るときは、基準値Vref をほぼ0レベルに設定すればよ
い。また、対応する画素が全く表示されない状態ではな
いが、所定の明るさに満たない状態を画素欠陥と考える
ときは、所定の明るさが得られる電圧レベルを基準値V
ref に設定すればよい。このようにして、基準値Vref
を任意に設定することにより、TFTの性能として許容
できる範囲においての画素欠陥を検査することができ
る。また、本実施の形態1では、1走査信号線毎に画素
欠陥を検査することができ、1画素毎に検査を行う従来
例に比べて、短時間で検査を行うことができ、検査効率
の向上を図ることができる。
The reference value Vref may be set depending on whether or not the TFT has a charging capability up to a voltage level allowable as the performance of the TFT. For example, when a state in which a corresponding pixel is not displayed at all due to a performance defect of a TFT is considered as a pixel defect, the reference value Vref may be set to substantially zero level. Further, when a state in which the corresponding pixel is not displayed at all but is less than the predetermined brightness is considered as a pixel defect, the voltage level at which the predetermined brightness is obtained is set to the reference value V.
Set it to ref. Thus, the reference value Vref
Is set arbitrarily, it is possible to inspect pixel defects within a range allowable as the performance of the TFT. Further, in the first embodiment, the pixel defect can be inspected for each scanning signal line, and the inspection can be performed in a shorter time as compared with the conventional example in which the inspection is performed for each pixel. Improvement can be achieved.

【0030】尚、具体的に画素欠陥の有無を認識するた
めには、例えば、図5に示すような発光装置25の入力
端子I1に、検出端子DIVを接続するようにすればよ
い。検出端子DIVの出力が論理「1」のときは、トラ
ンジスタTrがON状態となり、発光ダイオードDに順
方向電流が流れ、発光ダイオード26が点灯する。検出
端子DIVの出力が論理「0」のときは、トランジスタ
TrがOFF状態となり、発光ダイオード26に電流が
流れず、発光ダイオード26は点灯しない。こうして、
画素欠陥の有無を目視により認識することができる。
尚、発光ダイオード26に代えて、ブザー等により画素
欠陥の有無を認識するようにしてもよい。また、上記実
施の形態では、画素欠陥検査用回路20において2入力
アンド回路が用いられたけれども、3以上の多数入力ア
ンド回路を用いる構成であってもよい。
In order to specifically recognize the presence or absence of a pixel defect, for example, the detection terminal DIV may be connected to the input terminal I1 of the light emitting device 25 as shown in FIG. When the output of the detection terminal DIV is logic “1”, the transistor Tr is turned on, a forward current flows through the light emitting diode D, and the light emitting diode 26 is turned on. When the output of the detection terminal DIV is logic “0”, the transistor Tr is turned off, no current flows through the light emitting diode 26, and the light emitting diode 26 does not turn on. Thus,
The presence or absence of a pixel defect can be visually recognized.
Instead of the light emitting diode 26, the presence or absence of a pixel defect may be recognized by a buzzer or the like. Further, in the above embodiment, although the two-input AND circuit is used in the pixel defect inspection circuit 20, a configuration using three or more multi-input AND circuits may be employed.

【0031】(実施の形態2)図6は実施の形態2に係
る液晶表示パネルの画素欠陥検査用回路の構成を示す回
路図である。実施の形態2では、上記実施の形態1にお
ける画素欠陥検査用回路20に代えて画素欠陥検査用回
路20Aが用いられる。この画素欠陥検査用回路20A
は、比較回路B1,B2,…,Bnとアンド回路A1,
A2,…,Anとの間に、T形フリップフロップFF
1,FF2,…,FFn(T形フリップフロップを総称
するときは参照符号FFで示す)がそれぞれ介在するよ
うに構成されている。このような構成により、後述する
ように、アンド回路Aへの入力信号のパルス幅を大きく
することが可能となる。
(Embodiment 2) FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a pixel defect inspection circuit of a liquid crystal display panel according to Embodiment 2. In the second embodiment, a pixel defect inspection circuit 20A is used in place of the pixel defect inspection circuit 20 in the first embodiment. This pixel defect inspection circuit 20A
Are compared with the comparison circuits B1, B2,..., Bn and the AND circuits A1,
A2,..., An, a T-type flip-flop FF
1, FF2,..., FFn (T-type flip-flops are generally denoted by reference numeral FF) are interposed. With such a configuration, the pulse width of the input signal to the AND circuit A can be increased as described later.

【0032】ここで、図7に示すT形フリップフロップ
FFの動作機能を表1に示す。
Here, the operating functions of the T-type flip-flop FF shown in FIG. 7 are shown in Table 1.

【表1】 [Table 1]

【0033】図7及び表1において、記号「*」は反転
を意味するものとする。例えば、*PRはPRの反転を
意味し、*CLはCLの反転を意味し、*QはQの反転
を意味する。
In FIG. 7 and Table 1, the symbol “*” means inversion. For example, * PR means inversion of PR, * CL means inversion of CL, and * Q means inversion of Q.

【0034】次いで、上記表1を参考にしつつ、本実施
の形態2の画素欠陥検査用回路の動作を説明する。画素
欠陥の検査処理は、基本的には実施の形態1と同様であ
る。但し、画素欠陥検査用回路にT形フリップフロップ
FFを備える構成としたことにより、画素欠陥検査用回
路20Aにおける検査処理が画素欠陥検査用回路20と
は異なる。先ず、実施の形態1と同様に、走査信号線V
1に選択パルスを印加し、走査信号線V1に接続してい
る全てのTFT15…を所定時間ON状態にする。これ
と同期して、アナログスイッチa1,a2,a3,…,
anをON状態にしてサンプルホールドしている画像信
号を入力して、各TFT15に関連する液晶容量CLcに
画像信号線Sを通じて同時に充電が行なわれる。次い
で、TFT15…及びアナログスイッチa1,a2,a
3,a4,…,anをOFF状態として充電状態を保持
した後、再度TFT15…をON状態とすることによっ
て、各画素に蓄積された電荷の放電電圧(または放電電
流)を画素欠陥検査用回路20Aに与え、走査信号線V
1に関する画素の欠陥を検出する。走査信号線V1に関
して画素欠陥がないと判断した場合は、上記の走査信号
線V1に関する検査処理と同様の処理を、走査信号線V
2について行い、画素欠陥がなければ、同様な検査処理
を走査信号線V3,V4,…と順次行っていく。
Next, the operation of the pixel defect inspection circuit according to the second embodiment will be described with reference to Table 1 above. The inspection process for pixel defects is basically the same as in the first embodiment. However, due to the configuration in which the T-type flip-flop FF is provided in the pixel defect inspection circuit, the inspection processing in the pixel defect inspection circuit 20A is different from that of the pixel defect inspection circuit 20. First, similarly to the first embodiment, the scanning signal line V
1, a selection pulse is applied to turn on all the TFTs 15 connected to the scanning signal line V1 for a predetermined time. In synchronization with this, the analog switches a1, a2, a3,.
An is turned on, an image signal being sampled and held is input, and the liquid crystal capacitance CLc associated with each TFT 15 is simultaneously charged through the image signal line S. Next, the TFTs 15 and the analog switches a1, a2, a
3, a4,..., An are turned off to maintain the charged state, and then the TFTs 15 are turned on again, so that the discharge voltage (or discharge current) of the electric charge accumulated in each pixel is changed to a pixel defect inspection circuit. 20A, the scanning signal line V
The defect of the pixel related to No. 1 is detected. If it is determined that there is no pixel defect on the scanning signal line V1, the same processing as the inspection processing on the scanning signal line V1 is performed.
2, and if there is no pixel defect, similar inspection processing is sequentially performed on the scanning signal lines V3, V4,.

【0035】図8は画素欠陥検査用回路20Aの動作を
示すタイミングチャートである。尚、図8は走査信号線
V1及びフリップフロップFF1に関連する波形のみを
描いている。以下、説明の便宜上、走査信号線V1及び
フリップフロップFF1に関連する動作を中心に説明す
る。上記のように走査信号線V1に接続しているTFT
15に関連する液晶容量CLcが、図8(c)に示すよう
に放電され、画像信号線B1の出力が、図8(d)に示
すよう状態となった場合を想定する。ここで、画像信号
線B1の出力はフリップフロップFF1のカウント入力
Tに相当する。従って、図8(d)に示すよう、時刻t
1において、フリップフロップFF1のカウント入力T
が論理「0」から論理「1」に変化する。一方、この時
刻t1では、図8(e)に示すようにプリセット*PR
は論理「1」であり、且つクリア*CLも図8(f)に
示すように論理「1」であるので、フリップフロップF
F1は表1よりトグル動作状態である。よって、出力Q
は*Qn-1 となる。ここで、Qn-1 は時刻t1以前のQ
の出力を意味するので、図8(g)に示すように、Qn-
1 は論理「0」である。従って、*Qn-1 は論理「1」
となり、出力Qは図8(g)に示すようにカウント入力
Tの立ち上がりエッジである時刻t1において論理
「1」に変化する。そして、時刻t2まで論理「1」を
維持する。尚、カウント入力Tが論理「1」から論理
「0」に変化しても、表1より出力Qに変化はない。そ
して時刻t2では、クリア*CLが論理「1」から論理
「0」に変化するので、このときの出力Qは表1よりト
グル動作となる。よって、出力Qは、図8(g)に示す
ように、時刻t2において論理「1」から論理「「0」
に変化する。
FIG. 8 is a timing chart showing the operation of the pixel defect inspection circuit 20A. FIG. 8 shows only the waveforms related to the scanning signal line V1 and the flip-flop FF1. Hereinafter, for convenience of explanation, operations related to the scanning signal line V1 and the flip-flop FF1 will be mainly described. The TFT connected to the scanning signal line V1 as described above
Assume that the liquid crystal capacitance CLc associated with No. 15 is discharged as shown in FIG. 8C, and the output of the image signal line B1 is in a state as shown in FIG. 8D. Here, the output of the image signal line B1 corresponds to the count input T of the flip-flop FF1. Therefore, as shown in FIG.
1, the count input T of the flip-flop FF1
Changes from logic “0” to logic “1”. On the other hand, at this time t1, as shown in FIG.
Is a logic "1" and the clear * CL is also a logic "1" as shown in FIG.
F1 is in the toggle operation state according to Table 1. Therefore, the output Q
Becomes * Qn-1. Here, Qn-1 is the Q before time t1.
Therefore, as shown in FIG. 8 (g), Qn-
1 is logic "0". Therefore, * Qn-1 is logical "1"
The output Q changes to logic "1" at time t1, which is the rising edge of the count input T, as shown in FIG. Then, the logic “1” is maintained until time t2. It should be noted that even when the count input T changes from logic "1" to logic "0", the output Q does not change from Table 1. Then, at time t2, the clear * CL changes from logic "1" to logic "0", so that the output Q at this time is a toggle operation from Table 1. Therefore, as shown in FIG. 8 (g), the output Q changes from logic “1” to logic “0” at time t2.
Changes to

【0036】こうして得られた図8(g)に示す出力Q
と、図8(d)に示すカウント入力Tとを比較すれば、
出力Qの方がカウント入力Tよりも、パルス幅が大きく
なっていることが認められる。このことは、他のフリッ
プフロップFF2,…FFnの出力に関しても同様であ
る。こうして、比較回路Bとアンド回路Aとの間に、T
形フリップフロップFFをそれぞれ介在する構成とする
ことにより、アンド回路Aへの入力信号のパルス幅を大
きくすることが可能となり、画素欠陥検査用回路20A
の精度を向上することができる。尚、後続するアンド回
路Aの信号処理は、実施の形態1と同様であり、1走査
信号線V上の全てのTFTが正常である場合には、検出
端子DIVの出力が論理「1」になり、画素欠陥がある
場合には、検出端子DIVの出力が論理「0」になり、
画素欠陥の有無を識別することが可能となる。
The thus obtained output Q shown in FIG.
And the count input T shown in FIG.
It is recognized that the pulse width of the output Q is larger than that of the count input T. The same applies to the outputs of the other flip-flops FF2,... FFn. Thus, between the comparison circuit B and the AND circuit A, T
With the configuration in which each of the flip-flops FF is interposed, the pulse width of the input signal to the AND circuit A can be increased, and the pixel defect inspection circuit 20A
Accuracy can be improved. Note that the subsequent signal processing of the AND circuit A is the same as in the first embodiment. If all the TFTs on one scanning signal line V are normal, the output of the detection terminal DIV changes to logic “1”. When there is a pixel defect, the output of the detection terminal DIV becomes logic “0”,
The presence or absence of a pixel defect can be identified.

【0037】(実施の形態3)図9は実施の形態3に係
る液晶表示パネルの全体構成図である。この実施の形態
3は、実施の形態1に類似し対応する部分には同一の参
照符号を付す。上記実施の形態1では線順次駆動方式の
液晶表示パネルであったけれども、本実施の形態3では
点順次駆動方式の液晶表示パネルである点が異なる。従
って、本実施の形態3では、実施の形態1における画像
信号線駆動回路17に代えて点順次駆動用の画像信号線
駆動回路17Aが用いられる。この画像信号線駆動回路
17Aは、各画像信号線S1,S2,S3,…,Snに
接続するアナログスイッチa1,a2,a3,…,a n
と、このアナログスイッチa1,a2,a3,…,an
をON状態にするパルスをドットタイミング信号で順番
に送る走査用シフトレジスタ50とから構成されてい
る。また、本実施の形態3における画素欠陥検査用回路
20Bは、各画像信号線Sに接続するアナログスイッチ
a12,a22,a32,a42,…,an2と、この
アナログスイッチa12,a22,a32,a42,
…,an2をON状態にするパルスをドットタイミング
信号で順番に送るシフトレジスタ62とから構成されて
おり、画像信号線駆動回路17Aと同じ回路構成となっ
ている。
(Embodiment 3) FIG. 9 is an overall configuration diagram of a liquid crystal display panel according to Embodiment 3. The third embodiment is similar to the first embodiment and corresponding parts are denoted by the same reference numerals. Although the liquid crystal display panel of the line-sequential drive system is used in the first embodiment, the difference is that the liquid crystal display panel of the point-sequential drive system is used in the third embodiment. Therefore, in the third embodiment, an image signal line driving circuit 17A for dot sequential driving is used instead of the image signal line driving circuit 17 in the first embodiment. The image signal line driving circuit 17A includes analog switches a1, a2, a3,..., An n connected to the image signal lines S1, S2, S3,.
And the analog switches a1, a2, a3,.
And a scanning shift register 50 for sequentially sending pulses for turning ON the dot timing signal. The pixel defect inspection circuit 20B according to the third embodiment includes analog switches a12, a22, a32, a42,..., An2 connected to the respective image signal lines S, and analog switches a12, a22, a32, a42,
, And a shift register 62 that sequentially sends pulses for turning on an2 by a dot timing signal, and has the same circuit configuration as the image signal line driving circuit 17A.

【0038】次に、本実施の形態3における画素欠陥の
検査処理を説明する。本実施の形態3における画素欠陥
検査は、基本的には上記実施の形態1と同様である。但
し、本実施の形態3の液晶表示パネルでは、点順次駆動
方式により駆動されるため、各画素を構成するTFT1
5に関連する液晶容量CLcに蓄積した電荷を放電電圧波
形として画素欠陥検査用回路20Bより1画素毎に検出
する点において相違する。以下に具体的に説明する。例
えば、走査信号線V1を選択し、ゲート電圧が印加され
ている期間に、シフトレジスタ50を走査させアナログ
スイッチa1,a2,a3,a4,…,anを順次ON
状態にする。これにより、画像データが、データライン
D1を介して、画像信号線S1,S2,…,Snに順次
導出され、対応する各画素を構成するTFT15に関連
する液晶容量CLcが充電される。次いで、アナログスイ
ッチa1,a2,a3,a4,…,anをOFF状態に
する。
Next, an inspection process for a pixel defect according to the third embodiment will be described. The pixel defect inspection in the third embodiment is basically the same as that in the first embodiment. However, since the liquid crystal display panel of the third embodiment is driven by the dot sequential driving method, the TFT
5 in that the electric charge accumulated in the liquid crystal capacitance CLc related to No. 5 is detected as a discharge voltage waveform by the pixel defect inspection circuit 20B for each pixel. This will be specifically described below. For example, when the scanning signal line V1 is selected and the shift register 50 is scanned while the gate voltage is being applied, the analog switches a1, a2, a3, a4,.
State. Thereby, the image data is sequentially derived to the image signal lines S1, S2,..., Sn via the data line D1, and the liquid crystal capacitance CLc associated with the TFT 15 forming each corresponding pixel is charged. Next, the analog switches a1, a2, a3, a4,..., An are turned off.

【0039】次いで、画素欠陥検査用回路20Bを構成
するシフトレジスタ62を走査させ、各TFT15に関
連する液晶容量CLcに蓄積された電荷を放電する。すな
わち、シフトレジスタ62を走査させてアナログスイッ
チa12,a22,a32,a42,…,an2をこの
順序で順次にONさせることにより、このスイッチa1
2,a22,a32,a42,…,an2を介して1画
素毎の電荷を放電電圧波形(または放電電流波形)とし
てデータラインD2より取り出す。尚、具体的に画素欠
陥の有無の判断は、例えば従来例(特開平7ー7755
3号公報)に開示されている画素欠陥検査装置を使用す
ればよい。即ち、データラインD2より取り出された放
電電圧波形を、当該画素欠陥検査装置に入力して、画素
欠陥の有無を検査すればよい。
Next, the shift register 62 constituting the pixel defect inspection circuit 20B is scanned, and the electric charge accumulated in the liquid crystal capacitance CLc associated with each TFT 15 is discharged. That is, by scanning the shift register 62 and sequentially turning on the analog switches a12, a22, a32, a42,..., An2 in this order, the switches a1
2, a22, a32, a42,..., An2, the charge of each pixel is taken out from the data line D2 as a discharge voltage waveform (or discharge current waveform). It should be noted that the specific determination of the presence / absence of a pixel defect is performed, for example, in a conventional example (Japanese Patent Laid-Open No.
No. 3) may be used. That is, the discharge voltage waveform extracted from the data line D2 may be input to the pixel defect inspection device to inspect the presence or absence of a pixel defect.

【0040】また、上記のように画像信号線Sの一方の
端部から画像信号を書き込み、この書き込まれた画像信
号を画像信号線Sの他方の端部から読み出すため、例え
ば選択パルスが印加された走査信号線Vと画像信号線S
との交点から画素欠陥検査用回路20Bまでの間に線欠
陥が存在している場合に、そのことを併せて検査するこ
とが可能となる。例えば、図9に示す画像信号線S2上
の×印の位置に線欠陥が存在している場合、第1行、第
2列の画素の欠陥を検査する際に放電電圧波形を画素欠
陥検査用回路20Bが読み出すことができず、データラ
インD2より取り出された電圧波形はほぼ0レベルとな
り、線欠陥が検出される。このようにして、画素欠陥の
みならず、線欠陥をも検査することができるので、検査
効率を向上することができる。なぜなら、画素欠陥の検
査処理中において線欠陥が検出されると、その線欠陥の
存在するTFTアレイ基板は破棄されるので、それ以降
に画素欠陥検査をする必要がなくなるからである。
As described above, in order to write an image signal from one end of the image signal line S and read out the written image signal from the other end of the image signal line S, for example, a selection pulse is applied. Scanning signal line V and image signal line S
If a line defect exists between the intersection with the pixel defect inspection circuit 20B and the pixel defect inspection circuit 20B, it can be inspected together. For example, when a line defect is present at the position of the mark X on the image signal line S2 shown in FIG. 9, the discharge voltage waveform is used for inspecting a pixel defect in the first row and the second column. The circuit 20B cannot read out the data, and the voltage waveform taken out from the data line D2 becomes almost 0 level, and a line defect is detected. In this manner, not only pixel defects but also line defects can be inspected, so that inspection efficiency can be improved. This is because, if a line defect is detected during the inspection process for a pixel defect, the TFT array substrate having the line defect is discarded, and there is no need to perform a pixel defect inspection thereafter.

【0041】尚、本実施の形態3では、画素欠陥検査用
駆動回路20Bが画像信号線駆動回路17Aと同一回路
構成であるため、画像信号線駆動回路17Aが不良によ
り正常に動作しない場合、画素欠陥検査用駆動回路20
Bを画像信号線駆動回路17Aに転用することができる
という特有の効果を有する。
In the third embodiment, since the pixel defect inspection drive circuit 20B has the same circuit configuration as the image signal line drive circuit 17A, if the image signal line drive circuit 17A does not operate normally due to a defect, the pixel defect inspection drive circuit 20B Driving circuit 20 for defect inspection
B has a specific effect that it can be diverted to the image signal line driving circuit 17A.

【0042】次に、上記実施の形態1〜3において使用
される走査信号線駆動回路18、画像信号線駆動回路1
7,17A及び画素欠陥検査用回路20,20A,20
B等の内蔵回路を構成するポリシリコン薄膜トランジス
タの製造方法を、図10を参照して説明する。先ず、例
えば歪み点670℃の透光性ガラスからなるガラス基板
100上に、例えばSiO2 といった材料からなる下地
絶縁膜101を、450℃の温度条件での常圧CVD法
といった手法にて成膜する。下地絶縁膜101の膜厚
は、例えば2000Åとする。
Next, the scanning signal line driving circuit 18 and the image signal line driving circuit 1 used in the first to third embodiments will be described.
7, 17A and pixel defect inspection circuits 20, 20A, 20
A method for manufacturing a polysilicon thin film transistor constituting a built-in circuit such as B will be described with reference to FIG. First, a base insulating film 101 made of a material such as SiO2 is formed on a glass substrate 100 made of a translucent glass having a strain point of 670 ° C. by a method such as a normal pressure CVD method at a temperature of 450 ° C. . The thickness of the base insulating film 101 is, eg, 2000 °.

【0043】下地絶縁膜101を生成した後、a−S
i:H(アモルファスシリコンと水素との化合物)から
成る半導体材料膜102’をプラズマCVD法にて所定
の膜厚(例えば500Å)となるように成膜し、さらに
リソグラフィー工程にて所定の形状にパターニングす
る。パターニングした半導体材料膜102’に対して所
定の条件(例えば処理温度450℃ 、処理時間60
分)で脱水素処理を行う。この工程は、結晶化を行う際
に水素の脱離による半導体材料膜102’のアブレーシ
ョンの発生を防ぐことを目的としている。
After the formation of the base insulating film 101, a-S
i: A semiconductor material film 102 ′ made of H (a compound of amorphous silicon and hydrogen) is formed to a predetermined thickness (for example, 500 °) by a plasma CVD method, and further formed into a predetermined shape by a lithography process. Perform patterning. A predetermined condition (for example, a processing temperature of 450 ° C. and a processing time of 60 ° C.) is applied to the patterned semiconductor material film 102 ′.
Min) to perform dehydrogenation treatment. The purpose of this step is to prevent ablation of the semiconductor material film 102 'due to desorption of hydrogen during crystallization.

【0044】脱水素後、波長380nmのXeClエキ
シマレーザーの照射といった手法により、半導体材料膜
102’の結晶化を行い、半導体材料膜102’をp−
Siの半導体層102にする(図10(a)参照)。
After dehydrogenation, the semiconductor material film 102 'is crystallized by a method such as irradiation with a XeCl excimer laser having a wavelength of 380 nm, and the semiconductor material film 102'
The semiconductor layer 102 is made of Si (see FIG. 10A).

【0045】次に、半導体層102上に例えばSiO2
からなるゲート酸化膜103を450℃の温度条件で常
圧CVD法により、例えば1000Åといった極薄い膜
厚に成膜する。ゲート酸化膜103の成膜後、Al等か
らなる導電体膜104’を所定の膜厚(例えば3000
Å)となるようにスパッタリング等の手法により形成す
る。そして、導電体膜104’をAlエッチング液を用
いたリソグラフィー工程にて、所定の形状にパターンニ
ングし、これより、導電体膜104’をゲート電極10
4にする(図10(b)参照)。
Next, on the semiconductor layer 102, for example, SiO 2
The gate oxide film 103 is formed at a temperature of 450 ° C. by atmospheric pressure CVD to a very thin film thickness of, for example, 1000 °. After the gate oxide film 103 is formed, the conductor film 104 ′ made of Al or the like is formed to a predetermined thickness (for example, 3000).
The film is formed by a method such as sputtering so as to satisfy Å). Then, the conductor film 104 ′ is patterned into a predetermined shape by a lithography process using an Al etching solution.
4 (see FIG. 10B).

【0046】次に、ゲート電極104をマスクとして半
導体層102の両側部位に、イオンドーピング法等の手
法を用いてリン、ボロンなどの不純物をイオンに注入す
る(セルフアライン構成)。これにより、半導体層10
2には、中央部にチャネル領域102aが、チャネル領
域102aの両側にソース領域102b及びドレイン領
域102cがそれぞれ形成される(図10(c)参
照)。
Next, impurities such as phosphorus and boron are implanted into ions on both sides of the semiconductor layer 102 by using the gate electrode 104 as a mask by a technique such as an ion doping method (self-aligned structure). Thereby, the semiconductor layer 10
In FIG. 2, a channel region 102a is formed in the center, and a source region 102b and a drain region 102c are formed on both sides of the channel region 102a (see FIG. 10C).

【0047】次に、ゲート酸化膜103上にSiO2 等
からなる層間絶縁間105を所定の膜厚(例えば400
0Å)に形成し、形成した層間絶縁膜105によってゲ
ート電極104を被覆する。層間絶縁膜105は、例え
ば、450℃の温度条件での常圧CVD法にて成膜する
(図10(d)参照)。
Next, an interlayer insulating layer 105 made of SiO 2 or the like is formed on the gate oxide film 103 by a predetermined thickness (for example, 400 μm).
0 °), and the gate electrode 104 is covered with the formed interlayer insulating film 105. The interlayer insulating film 105 is formed by, for example, a normal pressure CVD method at a temperature of 450 ° C. (see FIG. 10D).

【0048】次に、層間絶縁膜105とゲート絶縁膜1
03とに、リソグラフィー工程を用いて、ソース領域1
02b、ドレイン領域102cに達するコンタクトホー
ル106を形成する。コンタクトホール106を形成し
たのち、層間絶縁膜105上に、Ti膜、Al膜等の2
種類の導電体の積層体からなる導電膜107’を形成す
る。導電膜107’は例えば、スパッタリングにより形
成する。またTi膜の膜厚は例えば1000Åが適当で
あり、Al膜の膜厚は例えば7000Åが適当である。
このようにして形成した導電膜107’によりコンタク
トホール106を完全に充填する。さらに、導電膜10
7’をBCl3 /Cl2 系ガスを用いたリソグラフィー
工程にて所定の形状にパターンニングすることで、ソー
ス・ドレイン電極107を形成する(図10(e)参
照)。
Next, the interlayer insulating film 105 and the gate insulating film 1
03 and the source region 1 using a lithography process.
02b, a contact hole 106 reaching the drain region 102c is formed. After forming the contact hole 106, a second film such as a Ti film or an Al film is formed on the interlayer insulating film 105.
A conductive film 107 ′ made of a stacked body of various types of conductors is formed. The conductive film 107 'is formed by, for example, sputtering. The thickness of the Ti film is suitably, for example, 1000 °, and the thickness of the Al film is, for example, 7000 °.
The contact hole 106 is completely filled with the conductive film 107 'thus formed. Further, the conductive film 10
The source / drain electrodes 107 are formed by patterning 7 'into a predetermined shape by a lithography process using a BCl3 / Cl2 based gas (see FIG. 10E).

【0049】次に保護膜となるパッシベーション膜10
8を成膜する。続いて、処理温度350℃、重水素ガス
流量300sccm、RFパワー800Wの条件下で、
2時間のプラズマ水素化処理を行う。最後に、リソグラ
フィー工程にて、パッシベーション膜108を所定の形
状にてパターンニングすることで、内蔵駆動回路を構成
する薄膜トランジスタが完成する。
Next, a passivation film 10 serving as a protective film
8 is formed. Subsequently, under the conditions of a processing temperature of 350 ° C., a deuterium gas flow rate of 300 sccm, and an RF power of 800 W,
Perform a plasma hydrogenation treatment for 2 hours. Finally, in a lithography process, the passivation film 108 is patterned in a predetermined shape, whereby a thin film transistor forming a built-in drive circuit is completed.

【0050】上記実施の形態1〜3では、低温ポリシリ
コンTFTを用いたけれども、他の単結晶質或いは多結
晶質半導体材料により構成されるTFTを用いるように
してもよい。
In the first to third embodiments, a low-temperature polysilicon TFT is used, but a TFT made of another single-crystal or polycrystalline semiconductor material may be used.

【0051】また、液晶表示部5のマトリクスを構成す
るTFTがアモルファスTFT、内蔵回路(走査信号線
駆動回路18、画像信号線駆動回路17,17A及び画
素欠陥検査用回路20,20A,20B)を構成するT
FTが低温ポリシリコンTFTというように、表示部と
内蔵駆動回路が異なる材料を用いたTFTで構成するよ
うにしてもよい。
The TFTs constituting the matrix of the liquid crystal display unit 5 are amorphous TFTs, and built-in circuits (scanning signal line driving circuit 18, image signal line driving circuits 17, 17A and pixel defect inspection circuits 20, 20A, 20B). Constituent T
The display unit and the built-in drive circuit may be constituted by TFTs using different materials, such as a FT being a low-temperature polysilicon TFT.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、線順次駆
動方式の液晶表示パネルについて、液晶注入工程以前の
アレイ基板の状態において画素欠陥を検出することがで
きる。従って、画素欠陥のある液晶表示パネルを製造す
る無駄を排除することができ、最終製品の歩留まりを向
上することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to detect a pixel defect in a liquid crystal display panel of a line-sequential drive system in a state of an array substrate before a liquid crystal injection step. Therefore, waste of manufacturing a liquid crystal display panel having a pixel defect can be eliminated, and the yield of a final product can be improved.

【0053】また、1走査信号線毎に画素欠陥を検査で
きるため、1画素毎に検査する従来例に比べて検査効率
の向上を図ることができる。
Further, since a pixel defect can be inspected for each scanning signal line, the inspection efficiency can be improved as compared with the conventional example in which inspection is performed for each pixel.

【0054】また、点順次駆動方式の液晶表示パネルに
ついて、画素欠陥検査用駆動回路が画像信号線駆動回路
と同一回路構成であるため、画像信号線駆動回路が不良
により正常に動作しない場合、画素欠陥検査用駆動回路
を画像信号線駆動回路に転用することができ、最終製品
の歩留まりを向上することができる。
Further, in the liquid crystal display panel of the dot sequential driving system, the pixel defect inspection drive circuit has the same circuit configuration as the image signal line drive circuit. The drive circuit for defect inspection can be diverted to the image signal line drive circuit, and the yield of final products can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態1に係る液晶表示パネルの一部分を
示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a part of a liquid crystal display panel according to a first embodiment.

【図2】実施の形態1に係る液晶表示パネルの回路図で
ある。
FIG. 2 is a circuit diagram of the liquid crystal display panel according to Embodiment 1.

【図3】実施の形態1に係る液晶表示パネルに使用され
る画像信号線駆動回路及び画素欠陥検査用回路の具体的
な構成を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific configuration of an image signal line driving circuit and a pixel defect inspection circuit used in the liquid crystal display panel according to the first embodiment.

【図4】実施の形態1の画素欠陥検査の動作を説明する
ためのタイミングチャートである。
FIG. 4 is a timing chart illustrating an operation of a pixel defect inspection according to the first embodiment;

【図5】発光装置の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a light emitting device.

【図6】実施の形態2における画素欠陥検査用回路の構
成を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a pixel defect inspection circuit according to a second embodiment.

【図7】T型フリップフロップの回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram of a T-type flip-flop.

【図8】実施の形態2における画素欠陥検査用回路の動
作を示すタイミングチャートである。
FIG. 8 is a timing chart showing the operation of the pixel defect inspection circuit according to the second embodiment.

【図9】実施の形態3に係る液晶表示パネルの全体構成
図である。
FIG. 9 is an overall configuration diagram of a liquid crystal display panel according to a third embodiment.

【図10】ポリシリコンTFTの製造工程を示す断面図
である。
FIG. 10 is a sectional view showing a manufacturing process of a polysilicon TFT.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11:アレイ基板 12:対向基板 13:液晶層 15:TFT 16:画素電極 17,17A:画像信号線 18:走査信号線 20,20A,20B:画素欠陥検査用回路 A1,A2,…,An-1 :アンド回路 B1,B2,…,Bn:比較回路 V1,V2,…,Vn:走査信号線 S1,S2,…,Sn:画像信号線 FF1,FF2,…,FFn:フリップフロップ DIV:検出端子 11: Array substrate 12: Counter substrate 13: Liquid crystal layer 15: TFT 16: Pixel electrode 17, 17A: Image signal line 18: Scanning signal line 20, 20A, 20B: Pixel defect inspection circuit A1, A2,... 1: AND circuit B1, B2,..., Bn: comparison circuit V1, V2,..., Vn: scanning signal line S1, S2,.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−214065(JP,A) 特開 平7−77553(JP,A) 特開 平4−288588(JP,A) 特開 平3−18891(JP,A) 特開 平2−154292(JP,A) 特開 昭63−52121(JP,A) 特開 平9−15645(JP,A) 特開 平5−10999(JP,A) 特開 平5−265026(JP,A) 特開 平5−297826(JP,A) 特開 平7−104709(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/136 G02F 1/1345 G02F 1/13 G02F 1/133 Continuation of the front page (56) References JP-A-10-214065 (JP, A) JP-A-7-77553 (JP, A) JP-A-4-288588 (JP, A) JP-A-3-18891 (JP) JP-A-2-154292 (JP, A) JP-A-63-52121 (JP, A) JP-A-9-15645 (JP, A) JP-A-5-10999 (JP, A) 5-265026 (JP, A) JP-A-5-297826 (JP, A) JP-A-7-104709 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/136 G02F 1/1345 G02F 1/13 G02F 1/133

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の画像信号線と複数の走査信号線と
がマトリクス状に形成され、且つ画像信号線と走査信号
線との各交点近傍位置にそれぞれ画素スイッチング素子
が形成されたアレイ基板を備え、前記走査信号線に走査
信号を伝達する走査信号線駆動回路及び前記画像信号線
に画像信号を伝達する画像信号線駆動回路が、前記アレ
イ基板に形成された半導体層により構成される内蔵回路
であり、線順次駆動方式により表示を行う液晶表示パネ
ルにおいて、 前記画像信号線駆動回路には、各画像信号線と画像信号
線駆動回路とが電気的に分離状態とすることができるア
ナログスイッチが、各画像信号線毎に設けられており、 前記画像信号線の前記画像信号線駆動回路とは反対側の
端部に、画素欠陥を検査するための画素欠陥検査用回路
が接続されており、 この画素欠陥検査用回路は、前記アレイ基板に形成され
た半導体層により構成される内蔵回路であって、 各画像信号線毎に設けられ、各画像信号線を介して1走
査信号線毎に読み出された各画素毎の容量に蓄積されて
いる電荷の放電電流値または放電電圧値と、予め定めた
基準値とを比較して、大小関係に応じた論理値に変換し
て出力する比較回路と、 前記各比較回路からの出力の論理積を求め、この求めら
れた論理積を画素欠陥の有無を示す信号として出力する
論理回路と、 を有することを特徴とする液晶表示パネル。
1. An array substrate in which a plurality of image signal lines and a plurality of scanning signal lines are formed in a matrix, and a pixel switching element is formed at a position near each intersection of the image signal lines and the scanning signal lines. A scanning signal line driving circuit for transmitting a scanning signal to the scanning signal line, and an image signal line driving circuit for transmitting an image signal to the image signal line, a built-in circuit comprising a semiconductor layer formed on the array substrate In a liquid crystal display panel that performs display by a line-sequential driving method, the image signal line driving circuit includes an analog switch capable of electrically separating each image signal line from the image signal line driving circuit. A pixel defect inspection circuit for inspecting pixel defects is provided at an end of the image signal line opposite to the image signal line driving circuit. The pixel defect inspection circuit is a built-in circuit composed of a semiconductor layer formed on the array substrate, and is provided for each image signal line, and one scanning signal is provided via each image signal line. The discharge current value or the discharge voltage value of the electric charge stored in the capacitance of each pixel read for each line is compared with a predetermined reference value, and converted to a logical value according to the magnitude relation. A liquid crystal display panel, comprising: a comparison circuit that outputs a signal; and a logic circuit that calculates a logical product of outputs from the respective comparison circuits and outputs the calculated logical product as a signal indicating the presence or absence of a pixel defect. .
【請求項2】 前記比較回路と前記論理回路との間に、
比較回路の出力パルスのパルス幅を広げるT形フリップ
フロップが設けられていることを特徴とする請求項1記
載の液晶表示パネル。
2. The method according to claim 1, wherein the comparing circuit and the logic circuit include:
2. The liquid crystal display panel according to claim 1, further comprising a T-type flip-flop for increasing a pulse width of an output pulse of the comparison circuit.
【請求項3】 前記論理回路からの出力が供給されると
ともに、発光状態の有無により画素欠陥の有無を認識可
能とする発光装置又は音響の有無により画素欠陥の有無
を認識可能とするブザー装置が接続可能な単一の検出端
子を有することを特徴とする請求項1又は2記載の液晶
表示パネル。
3. A light emitting device to which an output from the logic circuit is supplied and which can recognize the presence or absence of a pixel defect by the presence or absence of a light emitting state, or a buzzer device which can recognize the presence or absence of a pixel defect by the presence or absence of sound. 3. The liquid crystal display panel according to claim 1, further comprising a single connectable detection terminal.
【請求項4】 複数の画像信号線と複数の走査信号線と
がマトリクス状に形成され、且つ画像信号線と走査信号
線との各交点近傍位置にそれぞれ画素スイッチング素子
が形成されたアレイ基板を備え、前記走査信号線に走査
信号を伝達する走査信号線駆動回路及び前記画像信号線
に画像信号を伝達する画像信号線駆動回路が、前記アレ
イ基板に形成された半導体層により構成される内蔵回路
であり、点順次駆動方式により表示を行う液晶表示パネ
ルにおいて、 前記画像信号線駆動回路は、各画像信号線にそれぞれ接
続されるアナログスイッチと、各アナログスイッチを順
次的にONにするシフトレジスタとから構成され、 前記画像信号線の前記画像信号線駆動回路とは反対側の
端部に、画素欠陥を検査するための画素欠陥検査用回路
が接続されており、 この画素欠陥検査用回路は、画像信号線駆動回路が不良
で正常に動作しない場合に画像信号線駆動回路に代えて
点順次駆動することができるように、前記画像信号線駆
動回路と同一の回路構成を有し、 更に、この画素欠陥検査用回路は、前記アレイ基板に形
成された半導体層により構成される内蔵回路であること
を特徴とする液晶表示パネル。
4. An array substrate in which a plurality of image signal lines and a plurality of scanning signal lines are formed in a matrix and a pixel switching element is formed at a position near each intersection of the image signal lines and the scanning signal lines. A scanning signal line driving circuit for transmitting a scanning signal to the scanning signal line, and an image signal line driving circuit for transmitting an image signal to the image signal line, a built-in circuit comprising a semiconductor layer formed on the array substrate Wherein the image signal line driving circuit includes an analog switch connected to each image signal line, and a shift register for sequentially turning on each analog switch. A pixel defect inspection circuit for inspecting a pixel defect is connected to an end of the image signal line opposite to the image signal line driving circuit. The pixel signal inspection circuit is provided with the image signal line drive circuit so that the image signal line drive circuit can be driven in a dot-sequential manner in place of the image signal line drive circuit when the image signal line drive circuit is defective and does not operate normally. A liquid crystal display panel having the same circuit configuration, wherein the pixel defect inspection circuit is a built-in circuit composed of a semiconductor layer formed on the array substrate.
【請求項5】 請求項1又は2に記載の液晶表示パネル
の検査方法であって、 前記アナログスイッチをON状態とするとともに、画像
信号線駆動回路および走査信号線駆動回路による線順次
駆動により、1走査信号線に連なる全ての画素に画像信
号を書き込むステップと、 前記アナログスイッチをOFF状態とし、画素に書き込
まれている画像信号を画素欠陥検査用回路に読み出し、
画素欠陥検査用回路により画素欠陥の有無を検査して画
素欠陥の有無を示す信号を出力するステップと、 を有することを特徴とする液晶表示パネルの検査方法。
5. The inspection method for a liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the analog switch is turned on, and the image signal line driving circuit and the scanning signal line driving circuit perform line sequential driving. Writing an image signal to all pixels connected to one scanning signal line, turning off the analog switch, reading the image signal written to the pixel to a pixel defect inspection circuit,
Inspecting the presence / absence of a pixel defect by a pixel defect inspection circuit and outputting a signal indicating the presence / absence of the pixel defect. A method for inspecting a liquid crystal display panel, comprising:
【請求項6】 請求項3に記載の液晶表示パネルの検査
方法であって、 前記アナログスイッチをON状態とするとともに、画像
信号線駆動回路および走査信号線駆動回路による線順次
駆動により、1走査信号線に連なる全ての画素に画像信
号を書き込むステップと、 前記アナログスイッチをOFF状態とし、画素に書き込
まれている画像信号を画素欠陥検査用回路に読み出し、
画素欠陥検査用回路により画素欠陥の有無を検査して画
素欠陥の有無を示す信号を検出端子に出力するステップ
と、 前記検出端子に予め発光装置または音響装置を接続して
おき、この発光装置の発光の有無またはブザー装置の音
響の有無により画素欠陥の有無を認識可能とするステッ
プと、 を有することを特徴とする液晶表示パネルの検査方法。
6. The inspection method for a liquid crystal display panel according to claim 3, wherein the analog switch is turned on, and one scan is performed by line sequential driving by an image signal line driving circuit and a scanning signal line driving circuit. Writing an image signal to all pixels connected to the signal line; turning off the analog switch, reading the image signal written to the pixel to a pixel defect inspection circuit,
A step of outputting a signal indicating the presence or absence of a pixel defect to a detection terminal by inspecting the presence or absence of a pixel defect by a pixel defect inspection circuit, and connecting a light emitting device or an audio device to the detection terminal in advance, A step of enabling the presence or absence of a pixel defect to be recognized based on the presence or absence of light emission or the presence or absence of sound of a buzzer device, and a method for inspecting a liquid crystal display panel.
【請求項7】 請求項4記載の液晶表示パネルの検査方
法であって、 前記複数の走査信号線のうち1本の走査信号線を選択
し、この選択期間中に画像信号線駆動回路内のシフトレ
ジスタを走査して画像信号線駆動回路内のアナログスイ
ッチを順次ON状態とし、画像信号を前記複数の画像信
号線に順次出力して、選択された走査信号線に連なる画
素毎に順次画像信号電圧を書き込むステップと、 画像信号線駆動回路内のアナログスイッチをOFF状態
とするとともに、画素欠陥検査用回路内のシフトレジス
タを走査して画素欠陥検査用回路内のアナログスイッチ
を順次ON状態とし、前記選択された走査信号線に連な
る画素毎に順次画像信号電圧を読み出し、外部検査装置
に出力するステップと、 を有することを特徴とする液晶表示パネルの検査方法。
7. The method for inspecting a liquid crystal display panel according to claim 4, wherein one of the plurality of scanning signal lines is selected, and during the selection period, a signal in the image signal line driving circuit is selected. The shift register is scanned to sequentially turn on the analog switches in the image signal line driving circuit, the image signals are sequentially output to the plurality of image signal lines, and the image signals are sequentially output for each pixel connected to the selected scanning signal line. Writing the voltage, turning off the analog switches in the image signal line driving circuit, and scanning the shift register in the pixel defect inspection circuit to sequentially turn on the analog switches in the pixel defect inspection circuit; Reading the image signal voltage sequentially for each pixel connected to the selected scanning signal line, and outputting the read image signal voltage to an external inspection device. Inspection methods.
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