JP3241219B2 - Method of manufacturing image display device - Google Patents

Method of manufacturing image display device

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JP3241219B2
JP3241219B2 JP26365994A JP26365994A JP3241219B2 JP 3241219 B2 JP3241219 B2 JP 3241219B2 JP 26365994 A JP26365994 A JP 26365994A JP 26365994 A JP26365994 A JP 26365994A JP 3241219 B2 JP3241219 B2 JP 3241219B2
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back plate
plate
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support frame
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昌宏 多川
俊彦 宮▲崎▼
正人 新部
正 金子
尚人 中村
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/316Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
    • H01J2201/3165Surface conduction emission type cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86Vessels
    • H01J2329/8625Spacing members

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子源を用いたフラッ
トな画像形成装置に関し、より詳しくは真空容器の内部
にスペーサを有する薄型の画像形成装置及びその製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat image forming apparatus using an electron source, and more particularly to a thin image forming apparatus having a spacer inside a vacuum vessel and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、大きく重いブラウン管に代わる画
像形成装置として、軽く、薄型のいわゆるフラットディ
スプレイが注目されている。フラットディスプレイとし
ては液晶表示装置(Liquid Crystal D
isplay)が盛んに研究開発されているが液晶表示
装置には画像が暗い、視野角が狭いといった課題が依然
として残っている。液晶表示装置に代わるものとして電
子源より放出される電子ビームを蛍光体に照射して蛍光
を発生させることで画像を形成する自発光型のフラット
ディスプレイがある。電子源を用いた自発光型のフラッ
トディスプレイは液晶表示装置に比べて明るい画像が得
られると共に視野角も広い、しかしながら電子源を用い
たフラットディスプレイにあっては、電子ビームを蛍光
体にあてて画像を形成するため、10-5torr程度以
下の真空雰囲気の真空容器内に電子源、蛍光体、その他
の構成部品を作り込まねばならず、真空容器には耐大気
圧構造が要求される。
2. Description of the Related Art In recent years, a light and thin so-called flat display has attracted attention as an image forming apparatus replacing a large and heavy cathode ray tube. As the flat display, a liquid crystal display (Liquid Crystal D)
However, there are still problems such as dark images and narrow viewing angles in liquid crystal display devices. As a substitute for the liquid crystal display device, there is a self-luminous type flat display that forms an image by irradiating a phosphor with an electron beam emitted from an electron source to generate fluorescent light. A self-luminous flat display using an electron source provides a brighter image and a wider viewing angle than a liquid crystal display device. However, in a flat display using an electron source, an electron beam is applied to a phosphor. In order to form an image, an electron source, a phosphor, and other components must be built in a vacuum vessel in a vacuum atmosphere of about 10 −5 torr or less, and the vacuum vessel requires an atmospheric pressure resistant structure.

【0003】耐大気圧構造を有する真空容器について
は、前面板(face plate)と、背面板(re
ar plate)との間にスペーサを配して構成する
ものがある。実開昭58−107554号公報には、蛍
光表示管用の真空容器として前面ガラス基板と、陽極基
板との間にスペーサを配し、これらをフリットガラスを
用いて接着したカバーガラス(真空容器)が開示されて
いる。実開昭58−107554号公報に開示されたカ
バーガラスは図22に示す構成のものである。図22に
おいては、前面ガラス15と陽極基板11との間にスペ
ーサ16を配し、これらをフリットガラス19a,19
bを用いて接着しており、真空容器としてのカバーガラ
スが構成される。14は電子線発生源となるフィラメン
トワイヤ、13は制御グリッド、12は発光陽極部であ
り、これらはカバーガラス内部に作り込まれる。18は
カバーガラス内を減圧排気するための排気管穴、17は
排気管である。図22に示された蛍光表示管において
は、発光陽極部12は行列状には配されておらず、1列
のみ示されていることから理解されるように、大画面の
表示を目的としたものではない。
[0003] With respect to a vacuum vessel having an atmospheric pressure resistant structure, a face plate and a back plate (re
There is a structure in which a spacer is arranged between the first and second plates. Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 58-107554 discloses a cover glass (vacuum container) in which a spacer is disposed between a front glass substrate and an anode substrate as a vacuum container for a fluorescent display tube and these are adhered using frit glass. It has been disclosed. The cover glass disclosed in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 58-107554 has the configuration shown in FIG. In FIG. 22, a spacer 16 is arranged between a front glass 15 and an anode substrate 11, and these are fitted to frit glasses 19a, 19a.
b, and a cover glass as a vacuum container is formed. Reference numeral 14 denotes a filament wire serving as an electron beam generating source, 13 denotes a control grid, and 12 denotes a light emitting anode section, which are formed inside a cover glass. Reference numeral 18 denotes an exhaust pipe hole for evacuating and exhausting the inside of the cover glass, and 17 denotes an exhaust pipe. In the fluorescent display tube shown in FIG. 22, the light-emitting anode portions 12 are not arranged in a matrix but are shown in only one column. Not something.

【0004】耐大気圧構造を得る方法としては、前面
板、背面板の板厚を厚くするか、あるいは画像形成装置
内に補助部材として耐大気圧スペーサを設けるか、いず
れかの方法が考えられる。大面積の画像形成装置を考え
た場合、画像形成装置重量の軽量化という観点からは耐
大気圧スペーサを画像形成装置内に設けるのが望まし
い。
[0004] As a method of obtaining an atmospheric pressure resistant structure, either of the methods of increasing the thickness of the front plate and the back plate or providing an atmospheric pressure resistant spacer as an auxiliary member in the image forming apparatus can be considered. . When an image forming apparatus having a large area is considered, it is desirable to provide an anti-atmospheric pressure spacer in the image forming apparatus from the viewpoint of reducing the weight of the image forming apparatus.

【0005】平板状の耐大気圧スペーサを画像形成装置
内に用いた例としては特開平5−36363号公報に開
示されたものがある。特開平5−36363号公報に
は、平板状の耐大気圧スペーサのフェースプレートと接
する部分を楔型形状にし、これを適切な間隔で配置させ
ることによって耐大気圧構造を維持する画像形成装置が
開示されている。しかし特開平5−36363号公報に
開示された画像形成装置においては、製造の際、スペー
サの精度、バラツキ等の制御、更にはスペーサを介して
位置の定まる前面板、背面板のうねり等の精密な制御が
必要となる。そして組み立ての際には、細心の注意が要
求されるが、注意を怠った場合には、スペーサによる蛍
光体あるいは配線等の破損といった事態の他、組み立て
られた画像形成装置の動作が不安定となるといった事態
も懸念される。
An example in which a flat anti-atmospheric spacer is used in an image forming apparatus is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-36363. Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-36363 discloses an image forming apparatus in which a portion of a flat atmospheric pressure-resistant spacer in contact with a face plate is formed in a wedge shape and arranged at appropriate intervals to maintain an atmospheric pressure resistant structure. It has been disclosed. However, in the image forming apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-36363, during manufacturing, control of the accuracy and variation of spacers, and precision of undulation and the like of the front and rear plates determined through the spacers are performed. Control is required. When assembling, careful attention is required, but if care is not taken, the operation of the assembled image forming apparatus may be unstable, in addition to the situation such as damage of the phosphor or wiring by the spacer. There is also a concern that the situation will occur.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した技
術的課題に鑑みてなされたもので、画像形成装置の製造
の際の自由度を増すと共に、動作安定性に優れた画像形
成装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned technical problems, and provides an image forming apparatus which has an increased degree of freedom in manufacturing an image forming apparatus and has excellent operation stability. The purpose is to provide.

【0007】本発明の別の目的は、電子放出素子(el
ectron emittingdevice)が設け
られた背面板(rear plate)と、画像形成部
材が設けられ前記背面板とは対向する位置に配された前
面板(face plate)と、前記背面板と前記前
面板との間にあって、両者の周縁を包囲すると共に両者
の間隔を規定する支持枠と、前記背面板と前記前面板と
の間に配されたスペーサと、を有し、前記電子放出素子
から放出される電子を前記画像形成部材に照射して、画
像を形成する画像形成装置の製造方法において、前記ス
ペーサに前記支持枠により規定される前記背面板と前記
前面板との間隔よりも短い長さのものを用い、該スペー
サの少なくとも一端を接着部材を用いて前記背面板もし
くは前記前面板に固定させる画像形成装置の製造方法を
提供することにある。本発明の更に別の目的は、電子放
出素子が設けられた背面板と、画像形成部材が設けられ
前記背面板とは対向する位置に配された前面板と、前記
背面板と前記前面板との間にあって、両者の周縁を包囲
すると共に両者の間隔を規定する支持枠と、前記背面板
と前記前面板との間に配されたスペーサと、を有し、前
記電子放出素子から放出される電子を前記画像形成部材
に照射して、画像を形成する画像形成装置において、前
記スペーサの長さは、前記支持枠により規定される前記
背面板と前記前面板との間隔よりも短く、該スペーサの
少なくとも一端を接着部材を用いて前記背面板もしくは
前記前面板に固定させた画像形成装置を提供することに
ある。
Another object of the present invention is to provide an electron-emitting device (el
a rear plate provided with an electron emitting device, a front plate provided with an image forming member and arranged at a position facing the rear plate, and a back plate and the front plate. A support frame surrounding the periphery of the two and defining a space between the two, and a spacer disposed between the back plate and the front plate; and electrons emitted from the electron-emitting device. Irradiating the image forming member with an image forming member, the spacer having a length shorter than the distance between the back plate and the front plate defined by the support frame. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an image forming apparatus, wherein at least one end of the spacer is fixed to the back plate or the front plate using an adhesive member. Still another object of the present invention is to provide a back plate provided with an electron-emitting device, a front plate provided with an image forming member and arranged at a position facing the back plate, and the back plate and the front plate. And a support frame surrounding the peripheral edges of the two and defining the distance between the two, and a spacer disposed between the back plate and the front plate, and are emitted from the electron-emitting device. In the image forming apparatus that forms an image by irradiating the image forming member with electrons, a length of the spacer is shorter than a distance between the back plate and the front plate defined by the support frame, and The present invention provides an image forming apparatus having at least one end fixed to the back plate or the front plate using an adhesive member.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の画像形成装置は
下述する構成のものである。
The image forming apparatus of the present invention has the following configuration.

【0009】本発明は、電子放出素子が形成された背面
板と、画像形成部材が形成され前記背面板と対向する位
置に配された前面板と、前記背面板と前記前面板との間
にあって、前記背面板と前記前面板の周縁を包囲する支
持枠と、前記背面板と前記前面板の間に配置された耐大
気圧支持のためのスペーサとを有する画像表示装置の製
造方法において、前記スペーサとして長さが前記支持枠
により規定される前記背面板と前記前面板との間隔より
も短いものを使用し、該スペーサを第1のガラスフリッ
トを用いて前面板(または背面板)に接着固定し、さら
に前記支持枠を前面板(または背面板)に接着固定する
工程と、一方、背面板(または前面板)の前記スペーサ
および前記支持枠固定位置に、第1のガラスフリットよ
り軟化温度の低い第2のガラスフリットを、前記のスペ
ーサおよび支持枠が固定された前面板(または背面板)
を重ね合わせる際に、前記スペーサの端部が第2のガラ
スフリットに触れないような厚さで形成する工程と、前
記のスペーサおよび支持枠が固定された前面板(または
背面板)と、第2のガラスフリットが形成された背面板
(または前面板)とを重ね合わせ、加熱加圧して接着固
定する工程とを有する画像表示装置の製造方法に関す
る。また本発明は、電子放出素子が形成された背面板
と、画像形成部材が形成され前記背面板と対向する位置
に配された前面板と、前記背面板と前記前面板との間に
あって、前記背面板と前記前面板の周縁を包囲する支持
枠と、前記背面板と前記前面板の間に配置された耐大気
圧支持のためのスペーサとを有する画像表示装置の製造
方法において、前記スペーサとして長さが前記支持枠に
より規定される前記背面板と前記前面板との間隔よりも
短いものを使用し、その端部に第1のガラスフリットを
形成する工程と、端部に第1のガラスフリットが形成さ
れたスペーサの反対側の端部を前記背面板に接着固定
し、さらに前記支持枠を前記背面板に接着固定する工程
と、前記前面板の前記支持枠固定位置に、第1のガラス
フリットと軟化温度の等しい第2のガラスフリットを、
前記のスペーサおよび支持枠が固定された背面板を重ね
合わせる際に、前記スペーサの端部が、前面基板または
前面基板上に形成された部材に触れないような厚さで形
成する工程と、前記のスペーサおよび支持枠が固定され
た背面板と、第2のガラスフリットが形成された前面板
とを重ね合わせ、加熱して接着固定する工程とを有する
画像表示装置の製造方法に関する。本出願の特許請求の
範囲および上記の記載において、背面板(または前面
板)および前面板(または背面板)の記載は、カッコ内
の記載に置き換えるときは、同一請求項内、同一文内の
すべてを同時に置き換えることを意味する。
According to the present invention, there is provided a back plate on which electron-emitting devices are formed, a front plate on which an image forming member is formed and arranged at a position opposite to the back plate, and between the back plate and the front plate. A method for manufacturing an image display device, comprising: a support frame surrounding the periphery of the back plate and the front plate; and a spacer for supporting atmospheric pressure provided between the back plate and the front plate. A spacer having a length shorter than the distance between the back plate and the front plate defined by the support frame is used, and the spacer is bonded and fixed to the front plate (or the back plate) using a first glass frit. And a step of bonding and fixing the support frame to a front plate (or a back plate). On the other hand, the spacer and the support frame fixing position of the back plate (or the front plate) have a lower softening temperature than the first glass frit. The second glass frit, the front plate of the spacer and the support frame is fixed (or backplate)
A step of forming the spacer such that the end of the spacer does not touch the second glass frit when overlapping, a front plate (or a rear plate) to which the spacer and the support frame are fixed; 2. A method of manufacturing an image display device, comprising: laminating a back plate (or a front plate) on which two glass frit are formed, and applying heat and pressure to adhere and fix. Further, according to the present invention, a back plate on which electron-emitting devices are formed, a front plate on which an image forming member is formed and arranged at a position facing the back plate, and the back plate and the front plate, In a method for manufacturing an image display device, comprising: a support frame surrounding a peripheral edge of a back plate and the front plate; and a spacer for supporting atmospheric pressure provided between the back plate and the front plate, wherein the spacer has a length. A step of forming a first glass frit at an end thereof using a substrate shorter than a distance between the back plate and the front plate defined by the support frame, and a first glass frit at an end. Adhering and fixing the opposite end of the formed spacer to the back plate, and further adhering and fixing the support frame to the back plate; and a first glass frit at the support frame fixing position of the front plate. And softening temperature equal The second glass frit,
When overlapping the back plate on which the spacer and the support frame are fixed, forming an end of the spacer with a thickness that does not touch a front substrate or a member formed on the front substrate, And a front plate on which the second glass frit is formed, and a step of heating and bonding and fixing the rear plate on which the spacer and the support frame are fixed. In the claims and the above description of the present application, when the description of the back plate (or the front plate) and the front plate (or the back plate) is replaced with the description in parentheses, the description in the same claim and the same sentence It means replacing everything at the same time.

【0010】[0010]

【0011】以下、図面を参照しながら本発明を説明す
る。
The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図1は、本発明の画像形成装置の1例を示
す模式的断面図である。同図において1は画像形成部材
5を搭載した前面板であり、2は電子放出素子群を搭載
した背面板である。前面板1と背面板2は支持枠3を用
いて気密接合され、気密容器を形成している。前面板1
と背面板2の間に大気圧支持部材としてスペーサ4が挿
入されていて、スペーサ4の1端は、接着部材8を介し
て背面板2に固定されている。ここでは、スペーサ4は
接着部材8を介して背面板2に固定されているが、接着
部材8を介して前面板1に固定することも、また、両側
を接着部材8を介して固定することも可能である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the image forming apparatus of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a front plate on which the image forming member 5 is mounted, and 2 denotes a back plate on which the electron-emitting device group is mounted. The front plate 1 and the rear plate 2 are hermetically joined by using a support frame 3 to form an airtight container. Front panel 1
A spacer 4 is inserted between the back plate 2 and the rear plate 2 as an atmospheric pressure support member. One end of the spacer 4 is fixed to the back plate 2 via an adhesive member 8. Here, the spacer 4 is fixed to the rear plate 2 via the adhesive member 8. However, the spacer 4 may be fixed to the front plate 1 via the adhesive member 8, or both sides may be fixed via the adhesive member 8. Is also possible.

【0013】図2は図1で示した画像形成装置の側壁部
を拡大した模式図である。ここでは、図1に示した部位
と同じ部位には同一の符号を付している。図2におい
て、5は画像形成部材であり、これは、ガラス板、ブラ
ックマトリクスなどと呼ばれる黒色部材、蛍光体、メタ
ルバック等から構成される。7は配線取出部であり、電
子放出素子群6の配線部は、支持枠3と背面板2の間を
通って気密容器内から外に出ており、配線取出部7を介
して駆動回路へ接続されている。
FIG. 2 is an enlarged schematic view of the side wall of the image forming apparatus shown in FIG. Here, the same parts as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 2, reference numeral 5 denotes an image forming member, which includes a glass plate, a black member called a black matrix, a phosphor, a metal back, and the like. Reference numeral 7 denotes a wiring take-out part. The wiring part of the electron-emitting device group 6 passes through the space between the support frame 3 and the back plate 2 and goes out of the hermetic container to the drive circuit via the wiring take-out part 7. It is connected.

【0014】図2においてL1は支持枠3により規定さ
れる前面板1と背面板2の距離であり、L2はスペーサ
4の長さである。図に示したように本発明においては、
L1>L2の関係がある。
In FIG. 2, L1 is the distance between the front plate 1 and the back plate 2 defined by the support frame 3, and L2 is the length of the spacer 4. As shown in the figure, in the present invention,
There is a relationship of L1> L2.

【0015】L1−L2で規定される隙間には、接着部
材8が充填されている。ここで、前面板1と支持枠3と
の間、支持枠3とスペーサ4との間、及び支持枠3と背
面板2との間は、接着剤を用いて封着されているが、こ
こでは説明の都合上接着剤を不図示とした。
The gap defined by L1-L2 is filled with an adhesive member 8. Here, the space between the front plate 1 and the support frame 3, the space between the support frame 3 and the spacer 4, and the space between the support frame 3 and the back plate 2 are sealed with an adhesive. Then, the adhesive is not shown for convenience of explanation.

【0016】L1−L2で規定される隙間の距離は、使
用する接着部材の材質によっても変わってくるが、フリ
ットガラスを用いた場合には、一般的には50〜500
μmとすることが好ましい。更に好ましくは50μm〜
300μmの範囲内であり、最適には50μm〜200
μmの範囲である。
The distance of the gap defined by L1-L2 varies depending on the material of the adhesive member used, but when frit glass is used, it is generally 50-500.
It is preferably set to μm. More preferably 50 μm or more
Within the range of 300 μm, optimally between 50 μm and 200 μm.
It is in the range of μm.

【0017】この隙間は50μm以下の場合においては
フリットガラスの接着強度が不十分になる場合があり、
また耐大気圧スペーサの前面板あるは背面板と接する一
辺を接着固定させる際に一部間隙部分が生じるなどして
好ましくない。また500μm以上になると耐大気圧ス
ペーサを接着固定させる際にフリットガラスが望ましく
ない部分にまで流れだしてしまうことがある。よってフ
リットガラスの膜厚は500μm以下が一般的に用いら
れるが300μm以下にすることによりフリットガラス
の塗布が容易になり好ましい。更に200μm以下にす
ることによって塗布も容易であってフリットガラスの流
出をも極力抑えられるようになる。
If the gap is less than 50 μm, the adhesive strength of the frit glass may be insufficient.
In addition, when one side of the anti-atmospheric pressure spacer that is in contact with the front plate or the back plate is adhered and fixed, a gap portion is formed, which is not preferable. On the other hand, when the thickness is 500 μm or more, the frit glass may flow to an undesired part when the anti-atmospheric pressure spacer is bonded and fixed. Therefore, the thickness of the frit glass is generally 500 μm or less, but preferably 300 μm or less because the frit glass can be easily applied. Further, when the thickness is 200 μm or less, the coating is easy and the outflow of the frit glass can be suppressed as much as possible.

【0018】図3に、図2に示した画像形成装置の封着
前の模式図を示す。ここでは、図2に示した部位と同じ
部位には同一の符号を付している。図3は、スペーサ4
と背面板2との間に接着部材を配して仮焼成を行なった
時点の模式図を示しており、この後、本焼成を行なうこ
とで封着がなされ、図2に示した画像形成装置が得られ
る。
FIG. 3 is a schematic view of the image forming apparatus shown in FIG. 2 before sealing. Here, the same parts as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. FIG. 3 shows the spacer 4
FIG. 3 is a schematic diagram showing a state in which an adhesive member is disposed between the substrate and the back plate 2 and pre-baking is performed. Thereafter, by performing main firing, sealing is performed, and the image forming apparatus shown in FIG. Is obtained.

【0019】図3に示されるように、背面板上に塗布す
る接着部材の仮焼成後の膜厚L3は、L1−L2により
規定される距離よりも長くすることが望ましい。そして
L3−(L1−L2)で規定される距離は、スペーサの
加工精度及び配線の段差等による起伏を考慮すると、2
0μm以上とするのが望ましい。
As shown in FIG. 3, it is desirable that the thickness L3 of the adhesive member applied to the back plate after the calcination be longer than the distance defined by L1-L2. The distance defined by L3− (L1−L2) is 2 in consideration of the processing accuracy of the spacer and the undulation due to the wiring step.
It is desirable that the thickness be 0 μm or more.

【0020】本発明において用いられるスペーサの形
状、個数、配置等は特に限定されるものではなく、画面
の大きさ、画素配列、画像形成部材の構造等を考慮して
適宜設計し得る。スペーサが設けられる位置についても
限定されるものではないが、1例として、画像への悪影
響のないブラックマトリクス上とすることができる。
The shape, number, arrangement, etc. of the spacers used in the present invention are not particularly limited, and can be appropriately designed in consideration of the size of the screen, the pixel arrangement, the structure of the image forming member, and the like. Although the position where the spacer is provided is not limited, as an example, it can be on a black matrix that does not adversely affect the image.

【0021】スペーサの材質については、支持枠、前面
板、背面板と熱膨張係数がほぼ等しいものが好ましく、
最適には同じ熱膨張係数の材料を使用するのが良い。具
体的には、熱膨張係数の比が0.8〜1.2の範囲とな
る材料を用いるのが良い。熱膨張係数が等しい材料を用
いることによって、加熱工程を経た後も密閉容器自体の
歪みを抑止することが可能となる。具体的な材質として
は、ガラス、セラミックス、金属に絶縁物を塗布した物
等の絶縁物を挙げることができる。
The spacer is preferably made of a material having substantially the same thermal expansion coefficient as that of the support frame, the front plate, and the back plate.
Optimally, materials having the same coefficient of thermal expansion should be used. Specifically, it is preferable to use a material having a coefficient of thermal expansion in the range of 0.8 to 1.2. By using a material having the same coefficient of thermal expansion, it is possible to suppress the distortion of the sealed container itself even after the heating step. Specific materials include insulating materials such as glass, ceramics, and a material obtained by applying an insulating material to a metal.

【0022】更にスペーサと支持枠とは別体のもので構
成しても良いが、例えばエッチング等で加工し一体構造
とすることもできる。
Further, the spacer and the support frame may be formed separately, but may be formed into an integral structure by, for example, etching.

【0023】接着部材については、前面板あるいは背面
板とスペーサとを接着固定し得るもののなかから適宜選
択し得るが、1例としては、フリットガラスを挙げるこ
とができる。
The adhesive member can be appropriately selected from those capable of adhering and fixing the front plate or the rear plate and the spacer, but one example is frit glass.

【0024】フリットガラスとしては軟化温度が410
℃以下のものが好ましく、色は黒色のものが望ましい。
The frit glass has a softening temperature of 410.
C. or lower is preferable, and the color is desirably black.

【0025】フリットガラスの組成については、スペー
サ、支持枠、前面板、背面板の熱膨張係数と同等の熱膨
張係数が得られる組織とするのが望ましい。
As for the composition of the frit glass, it is desirable that the composition has a structure capable of obtaining a thermal expansion coefficient equivalent to that of the spacer, the support frame, the front plate, and the rear plate.

【0026】本発明の画像形成装置には、種々の電子放
出素子を用いることができる。電子放出素子(elec
tron emitting device)の例とし
ては、表面伝導型電子放出素子(Surface Co
nductive Emitter)が挙げられる。表
面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の
薄膜に、該薄膜の面に実質的に平行に電流を流すことに
より、電子放出が生ずる現象を利用するものである。図
4を用いて表面伝導型電子放出素子について説明する。
図4(A)は、表面伝導型電子放出素子の模式的平面
図、図4(B)は、表面伝導型電子放出素子の模式的断
面図である。図4において、2001は基板であり、こ
れは、図1乃至図3に示した背面板2に相当するもので
ある。
Various electron-emitting devices can be used in the image forming apparatus of the present invention. Electron emitting device (elect
As an example of the tron emitting device, a surface conduction electron-emitting device (Surface Co., Ltd.) may be used.
Negative Emitter). The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which electron emission occurs when a current is applied to a small-area thin film formed on a substrate in a direction substantially parallel to the surface of the thin film. The surface conduction electron-emitting device will be described with reference to FIG.
FIG. 4A is a schematic plan view of the surface conduction electron-emitting device, and FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the surface conduction electron-emitting device. In FIG. 4, reference numeral 2001 denotes a substrate, which corresponds to the back plate 2 shown in FIGS.

【0027】2002、2003は素子電極、2004
は導電性薄膜、2005は電子放出部である。
Reference numerals 2002 and 2003 denote device electrodes;
Is a conductive thin film, and 2005 is an electron emitting portion.

【0028】図4に示した表面伝導型電子放出素子にあ
っては、素子電極2002、2003間に電圧を印加し
て、導電性薄膜2004中に電流を流すことで電子放出
部2005より電子が放出される。基板2001として
は、石英ガラス、Na等の不純物含有量の少ないガラ
ス、青板ガラス、SiO2 を表面に形成したガラス基板
やアルミナ等のセラミック基板を用いることができる。
素子電極2002、2003の材料としては一般的な導
電材料が用いられる。
In the surface conduction electron-emitting device shown in FIG. 4, a voltage is applied between the device electrodes 2002 and 2003 and a current flows through the conductive thin film 2004, so that electrons are emitted from the electron-emitting portion 2005. Released. As the substrate 2001, quartz glass, glass with a low impurity content such as Na, blue plate glass, a glass substrate having SiO 2 formed on its surface, or a ceramic substrate such as alumina can be used.
As a material for the device electrodes 2002 and 2003, a general conductive material is used.

【0029】導電性薄膜2004を構成する材料は、P
d、Pt、Ru、Ag、Au、Ti、In、Cu、C
r、Fe、Zn、Sn、Ta、W、Pb等の金属、Pd
O、SnO2 、In23 、PbO、Sb23 等の酸
化物、HfB2 、ZrB2 、LaB6 、CeB6 、YB
4 、GdB4 等の硼化物、TiC、ZrC、HfC、T
aC、SiC、WC等の炭化物、TiN、ZrN、Hf
N等の窒化物、Si、Ge等の半導体、カーボン等の中
から適宜選択できる。
The material forming the conductive thin film 2004 is P
d, Pt, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cu, C
metals such as r, Fe, Zn, Sn, Ta, W, Pb, Pd
Oxide such as O, SnO 2 , In 2 O 3 , PbO, Sb 2 O 3 , HfB 2 , ZrB 2 , LaB 6 , CeB 6 , YB
4, GdB boride such as 4, TiC, ZrC, HfC, T
carbides such as aC, SiC, WC, TiN, ZrN, Hf
It can be appropriately selected from nitrides such as N, semiconductors such as Si and Ge, and carbon.

【0030】電子放出部2005は導電性薄膜2004
の一部に形成された高抵抗の亀裂であり、所謂通電フォ
ーミング等により形成される。
The electron emitting portion 2005 is made of a conductive thin film 2004.
Is a high-resistance crack formed in a part of the substrate, and is formed by so-called energization forming or the like.

【0031】図5を参照しながら表面伝導型電子放出素
子の作製方法の1例について説明する。図5において
は、図4に示した部位と同じ部位には、図4に示した符
号と同一の符号を付している。 1)基板2001を洗剤、純水および有機溶剤等を用い
て十分に洗浄後、真空蒸着法、スパッタ法等により素子
電極材料を堆積する。その後、例えばフォトリソグラフ
ィー技術を用いて基板2001上に素子電極2002,
2003を形成する(図5(A))。 2)素子電極2002,2003を設けた基板2001
に、有機金属溶液を塗布して、有機金属薄膜を形成す
る。有機金属薄膜を加熱焼成処理し、リフトオフ、エッ
チング等によりパターニングし、導電性薄膜2004を
形成する(図5(B))。 3)つづいて、フォーミングと呼ばれる通電処理を施
す。素子電極2002,2003間に、不図示の電源を
用いて、通電を行うと、導電性薄膜2004の部位に、
構造の変化した電子放出部2005が形成される(図5
(C))。通電フォーミングによれば導電性薄膜200
4に局所的に破壊、変形もしくは変質等の構造の変化し
た部位が形成される。該部位が電子放出部2005を構
成する。通電フォーミングの電圧波形は、パルス波形
が、好ましい。
An example of a method for manufacturing a surface conduction electron-emitting device will be described with reference to FIG. 5, the same parts as those shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals as those shown in FIG. 1) After sufficiently cleaning the substrate 2001 using a detergent, pure water, an organic solvent, or the like, an element electrode material is deposited by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. Thereafter, the device electrodes 2002 and 2002 are formed on the substrate 2001 by using, for example, photolithography technology.
2003 is formed (FIG. 5A). 2) Substrate 2001 provided with device electrodes 2002 and 2003
Then, an organometallic solution is applied to form an organometallic thin film. The organic metal thin film is heated and baked, and is patterned by lift-off, etching, or the like to form a conductive thin film 2004 (FIG. 5B). 3) Subsequently, an energization process called forming is performed. When power is applied between the device electrodes 2002 and 2003 using a power supply (not shown), a portion of the conductive thin film 2004
An electron emitting portion 2005 having a changed structure is formed.
(C)). According to the energization forming, the conductive thin film 200
In 4, a portion where the structure such as destruction, deformation or alteration is locally formed is formed. The portion constitutes the electron emission section 2005. The voltage waveform of the energization forming is preferably a pulse waveform.

【0032】次に、本発明に適用可能な背面板として、
表面伝導型電子放出素子を作り込んだ電子源基板につい
て説明する。電子源基板上の表面伝導型電子放出素子の
配列については種々のものが採用できる。ここでは単純
マトリクス型電子源基板の例について説明する。図6
は、単純マトリクス型電子源基板の1例を示す模式図で
ある。図6において、2は電子源基板、11はX方向配
線、12はY方向配線、2074は表面伝導型電子放出
素子、2075は結線である。電子源基板2に用いる基
板は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が
適宜設定される。m本のX方向配線11は、DX1、D
X2、・・・DXmからなり、Y方向配線12はDY
1、DY2、・・・DYnのn本の配線よりなる。
Next, as a back plate applicable to the present invention,
An electron source substrate incorporating a surface conduction electron-emitting device will be described. Various arrangements of the surface conduction electron-emitting devices on the electron source substrate can be adopted. Here, an example of a simple matrix type electron source substrate will be described. FIG.
FIG. 2 is a schematic view showing an example of a simple matrix type electron source substrate. In FIG. 6, 2 is an electron source substrate, 11 is an X-direction wiring, 12 is a Y-direction wiring, 2074 is a surface conduction electron-emitting device, and 2075 is a connection. The substrate used for the electron source substrate 2 is the above-mentioned glass substrate or the like, and the shape is appropriately set according to the application. The m X-directional wires 11 are DX1, D
.., DXm, and the Y-direction wiring 12 is DY.
1, DY2,... DYn.

【0033】また多数の表面伝導型素子にほぼ均等な電
圧が供給される様に材料、膜厚、配線幅が適宜設定され
る。これらm本のX方向配線11とn本のY方向配線1
2間は不図示の層間絶縁層により電気的に分離されてマ
トリックス配線を構成する。不図示の層間絶縁層はX方
向配線11を形成した基板2の全面或は一部に所望の領
域に形成される。X方向配線11とY方向配線12はそ
れぞれ外部端子として引き出される。
The material, film thickness, and wiring width are appropriately set so that a substantially uniform voltage is supplied to a large number of surface conduction elements. These m X-directional wirings 11 and n Y-directional wirings 1
The matrix wirings are electrically separated from each other by an interlayer insulating layer (not shown). An interlayer insulating layer (not shown) is formed in a desired region on the entire surface or a part of the substrate 2 on which the X-directional wiring 11 is formed. The X-direction wiring 11 and the Y-direction wiring 12 are led out as external terminals.

【0034】更に、表面伝導型放出素子2074の素子
電極(不図示)がm本のX方向配線11とn本のY方向
配線12と結線2075によって電気的に接続されてい
る。また表面伝導型電子放出素子は基板あるいは不図示
の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。X方向配線
11はX方向に配列する表面伝導型放出素子2074の
行を入力信号に応じて選択するための信号を印加する手
段である不図示の走査信号発生手段と電気的に接続され
ている。
Further, the device electrodes (not shown) of the surface conduction electron-emitting device 2074 are electrically connected to the m X-directional wires 11 and the n Y-directional wires 12 by connection 2075. The surface conduction electron-emitting device may be formed on either the substrate or the interlayer insulating layer (not shown). The X-direction wiring 11 is electrically connected to a scanning signal generating means (not shown) which is a means for applying a signal for selecting a row of the surface conduction electron-emitting devices 2074 arranged in the X direction according to an input signal. .

【0035】Y方向配線12にはY方向に配列する表面
伝導型放出素子2074の列の各列を入力信号に応じ
て、変調するための変調信号を印加する不図示の変調信
号発生手段と電気的に接続されている。
The Y direction wiring 12 is connected to a modulation signal generating means (not shown) for applying a modulation signal for modulating each of the rows of the surface conduction electron-emitting devices 2074 arranged in the Y direction in accordance with an input signal. Connected.

【0036】表面伝導型電子放出素子の各素子に印加さ
れる駆動電圧は当該素子に印加される走査信号と変調信
号の差電圧として供給される。
The driving voltage applied to each of the surface conduction electron-emitting devices is supplied as a difference voltage between a scanning signal and a modulation signal applied to the device.

【0037】このような構成をとることにより、単純な
マトリクス配線だけで個別の素子を選択して独立に駆動
可能になる。
By adopting such a configuration, individual elements can be selected and driven independently only by simple matrix wiring.

【0038】次に、図7を参照しながら本発明による画
像形成装置の1例について説明する。図7は画像形成装
置の模式的斜視図である。図7において、1は画像形成
部材5を搭載した前面板であり、前面板1はガラス板1
5と画像形成部材5とから構成されている。画像形成部
材5はブラックマトリクスなどと呼ばれる黒色部材1
6、蛍光体17、メタルバック18から構成されてい
る。2は背面板であり、該背面板2には、マトリクス状
に形成された配線11、12、層間絶縁膜(不図示)及
び電子放出素子13が形成されている。
Next, an example of the image forming apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic perspective view of the image forming apparatus. 7, reference numeral 1 denotes a front plate on which the image forming member 5 is mounted, and the front plate 1 is a glass plate 1.
5 and an image forming member 5. The image forming member 5 is a black member 1 called a black matrix or the like.
6, a phosphor 17, and a metal back 18. Reference numeral 2 denotes a back plate, on which wires 11, 12 formed in a matrix, an interlayer insulating film (not shown), and an electron-emitting device 13 are formed.

【0039】前面板1と背面板2は支持枠3を介して気
密接合され、気密容器を形成している。前面板1と背面
板2の間には、大気圧支持部材としてスペーサ4が挿入
されている。スペーサ4は、接着部材8を用いて配線1
2上に配されている。この画像形成装置には、配線12
に対応した端子Dox1ないしDoxmと配線11に対
応した端子Doy1ないしDoynを介して電圧が印加
される。端子Dox1ないしDoxmにはM行N列の行
列状にマトリクス配線された表面伝導型電子放出素子群
を一行(N素子)ずつ順次駆動してゆく為の走査信号が
印加される。端子Dy1ないしDynには前記走査信号
により選択された一行の表面伝導型電子放出素子の各素
子の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加され
る。
The front plate 1 and the back plate 2 are air-tightly joined via a support frame 3 to form an airtight container. A spacer 4 is inserted between the front plate 1 and the back plate 2 as an atmospheric pressure support member. The spacer 4 uses the adhesive member 8 to form the wiring 1.
2 above. The image forming apparatus includes a wiring 12
Are applied via terminals Dox1 to Doxm corresponding to the wiring and terminals Doy1 to Doyn corresponding to the wiring 11. A scanning signal is applied to the terminals Dox1 to Doxm to sequentially drive the surface conduction electron-emitting device groups arranged in a matrix of M rows and N columns, one row at a time (N elements). To the terminals Dy1 to Dyn, a modulation signal for controlling an output electron beam of each of the surface conduction electron-emitting devices in one row selected by the scanning signal is applied.

【0040】また、不図示の高圧端子には、表面伝導型
電子放出素子より出力される電子ビームに蛍光体を励起
するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧とし
て直流電圧が印加される。
A DC voltage is applied to a high-voltage terminal (not shown) as an accelerating voltage for applying sufficient energy to an electron beam output from the surface conduction electron-emitting device to excite the phosphor. .

【0041】本例の画像形成装置にはディスプレイに通
常用いられる一般的な走査回路を用いることができる。
入力信号としては、NTSC方式の他、PAL、SEC
AM方式、あるいは多数の走査線からなるTV信号(例
えば、MUSE方式をはじめとする高品位TV)方式等
を採用することができる。
In the image forming apparatus of this embodiment, a general scanning circuit usually used for a display can be used.
Input signals include PAL and SEC in addition to the NTSC system.
An AM system, a TV signal including a large number of scanning lines (for example, a high-quality TV including the MUSE system), or the like can be employed.

【0042】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳
しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるも
のではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要
素の置換や設計変更がなされたものをも包含する。 (実施例1)図7に模式的に示される画像形成装置を作
製した例について説明する。本例においては、ガラス板
15、背面板2、支持枠3には青板ガラスを切削加工し
たものを用いた。耐大気圧スペーサ4には薄板ガラスを
研磨した平板状のものを使用した。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these examples, and each element within the range in which the object of the present invention is achieved. It also includes replacements and design changes. (Example 1) An example in which an image forming apparatus schematically shown in FIG. 7 is manufactured will be described. In this example, the glass plate 15, the back plate 2, and the support frame 3 used were made by cutting blue sheet glass. As the anti-atmospheric pressure spacer 4, a flat plate made of polished thin glass was used.

【0043】前面板1を構成する画像形成部材5として
は、ブラックマトリクス16として黒鉛を主成分とした
ものを用い、蛍光体17としては三原色蛍光体を用い、
メタルバックとしてAlの蒸着膜を用いた。スペーサ4
はフリットガラス8を用いて、背面板上に形成された配
線12上に固定した。本例においては、図2のL1−L
2で規定される距離は250μmとした。電子放出素子
13として表面伝導型電子放出素子をフォトリソグラフ
ィ法を用いて背面板2上に作製した。配線部は、同様に
フォトリソグラフィ法を用いて下配線11、層間絶縁膜
(SiO2 )、上配線12を積層させ、マトリクス配線
を形成した。
As the image forming member 5 constituting the front plate 1, a black matrix 16 containing graphite as a main component is used, and a phosphor 17 is a three primary color phosphor.
An Al evaporated film was used as a metal back. Spacer 4
Was fixed on the wiring 12 formed on the back plate using the frit glass 8. In this example, L1-L in FIG.
The distance specified by 2 was 250 μm. A surface conduction electron-emitting device as the electron-emitting device 13 was formed on the back plate 2 by using a photolithography method. In the wiring section, a lower wiring 11, an interlayer insulating film (SiO 2 ), and an upper wiring 12 were similarly stacked by photolithography to form a matrix wiring.

【0044】以下、電子放出素子13が設けられた背面
板2の作製について図8乃至図11を用いて詳しく説明
する。
Hereinafter, the manufacture of the back plate 2 provided with the electron-emitting devices 13 will be described in detail with reference to FIGS.

【0045】図8は、下配線11と上配線12とがマト
リクス状に配され、両者の交点に対応する位置に電子放
出素子13が設けられたことを示す模式図である。図8
におけるA−A’断面を示した模式図が図9である。図
9において、2001は基板であり、これは、図7にお
ける背面板2に相当するものである。図9において、1
4は下配線11と上配線12とを絶縁分離するための層
間絶縁膜である。2002と2003は表面伝導型電子
放出素子を構成する一対の素子電極であり、2004は
電子放出部が形成される導電性薄膜である。19は、素
子電極2002と下配線11との電気的接続をとるため
のコンタクトホールである。図9に示した構造の製造工
程について、図10及び図11を用いて説明する。尚、
これらの図において、共通する部位には、それぞれ同一
の符号を付している。
FIG. 8 is a schematic diagram showing that the lower wiring 11 and the upper wiring 12 are arranged in a matrix, and the electron-emitting device 13 is provided at a position corresponding to the intersection of the two. FIG.
FIG. 9 is a schematic view showing a section taken along the line AA ′ in FIG. 9, reference numeral 2001 denotes a substrate, which corresponds to the back plate 2 in FIG. In FIG. 9, 1
Reference numeral 4 denotes an interlayer insulating film for insulating and separating the lower wiring 11 and the upper wiring 12. Reference numerals 2002 and 2003 denote a pair of device electrodes constituting a surface conduction electron-emitting device, and 2004 denotes a conductive thin film on which an electron-emitting portion is formed. 19 is a contact hole for making an electrical connection between the element electrode 2002 and the lower wiring 11. The manufacturing process of the structure shown in FIG. 9 will be described with reference to FIGS. still,
In these figures, common parts are denoted by the same reference numerals.

【0046】工程−a 清浄化した青板ガラス上に厚さ0.5ミクロンのシリコ
ン酸化膜をスパッタ法で形成した基板2001上に、真
空蒸着により厚さ50オングストロームのCr、厚さ6
000オングストロームのAuを順次積層した。次い
で、ホトレジスト(AZ1370 ヘキスト社製)をス
ピンナーにより回転塗布、ベークした後、ホトマスク像
を露光、現像して、下配線11のレジストパターンを形
成し、Au/Cr堆積膜をウエットエッチングして、下
配線11を形成した(図10(a))。
Step-a On a substrate 2001 in which a 0.5 μm thick silicon oxide film was formed on a cleaned blue plate glass by a sputtering method, 50 Å of Cr, 6 Å in thickness was formed by vacuum evaporation.
000 Å of Au were sequentially laminated. Next, after spin-coating and baking a photoresist (manufactured by Hoechst AZ1370) with a spinner, a photomask image is exposed and developed to form a resist pattern for the lower wiring 11, and the Au / Cr deposited film is wet-etched to form a lower pattern. The wiring 11 was formed (FIG. 10A).

【0047】工程−b 次に厚さ1.0ミクロンのシリコン酸化膜からなる層間
絶縁層14をRFスパッタ法を用いて堆積した(図10
(b))。
Step-b Next, an interlayer insulating layer 14 made of a silicon oxide film having a thickness of 1.0 μm was deposited by RF sputtering (FIG. 10).
(B)).

【0048】工程−c シリコン酸化膜14にコンタクトホール19を形成する
ためのホトレジストパターンを作り、これをマスクとし
て層間絶縁層14をエッチングしてコンタクトホール1
9を形成した(図10(c))。尚、エッチングはCF
4 とH2 ガスを用いたRIE(Reactive Io
n Etching)法によった。
Step-c A photoresist pattern for forming the contact hole 19 in the silicon oxide film 14 is formed, and the interlayer insulating layer 14 is etched using the photoresist pattern as a mask to form the contact hole 1.
9 was formed (FIG. 10C). The etching is CF
RIE (Reactive Io) using 4 and H 2 gas
n Etching) method.

【0049】工程−d 素子電極2002と素子電極間ギャップGとなるべきパ
ターンをホトレジスト(RD−2000N−41 日立
化成社製)を用いて形成し、真空蒸着法により、厚さ5
0オングストロームのTi、厚さ1000オングストロ
ームのNiを順次堆積した。ホトレジストパターンを有
機溶剤で溶解し、Ni/Ti堆積膜をリフトオフし、素
子電極間隔Gが3ミクロンで、素子電極の幅が300ミ
クロンとなるように素子電極2002,2003を形成
した(図10(d))。
Step-d A pattern to be a gap G between the device electrode 2002 and the device electrode is formed by using a photoresist (RD-2000N-41 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.).
0 Å of Ti and 1000 Å of Ni were sequentially deposited. The photoresist pattern was dissolved with an organic solvent, the Ni / Ti deposited film was lifted off, and the device electrodes 2002 and 2003 were formed so that the device electrode interval G was 3 μm and the device electrode width was 300 μm (FIG. 10 ( d)).

【0050】工程−e 素子電極2002,2003の上に上配線12のホトレ
ジストパターンを形成した後、厚さ50オングストロー
ムのTi、厚さ5000オングストロームのAuを順次
真空蒸着により堆積し、リフトオフにより不要の部分を
除去して、上配線12を形成した(図11(e))。
Step-e After forming a photoresist pattern of the upper wiring 12 on the device electrodes 2002 and 2003, Ti having a thickness of 50 angstroms and Au having a thickness of 5000 angstroms are sequentially deposited by vacuum evaporation, and unnecessary portions are lifted off. The portion was removed to form the upper wiring 12 (FIG. 11E).

【0051】工程−f マスクを用いて膜厚1000オングストロームのCr膜
2150を真空蒸着により堆積・パターニングし、その
上に有機Pd(ccp4230 奥野製薬(株)社製)
をスピンナーにより回転塗布した後300℃で10分間
の加熱焼成処理をした(図11(f))。こうして形成
された主元素としてPdを含む微粒子からなる導電性薄
膜2004の膜厚は100オングストローム、シート抵
抗値は5×10の4乗Ω/□であった。
Step-f A Cr film 2150 having a thickness of 1000 angstroms is deposited and patterned by vacuum evaporation using a mask, and organic Pd (ccp4230 manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) is formed thereon.
Was spin-coated with a spinner, and then heated and baked at 300 ° C. for 10 minutes (FIG. 11F). The conductive thin film 2004 formed of fine particles containing Pd as the main element thus formed had a thickness of 100 Å and a sheet resistance of 5 × 10 4 Ω / □.

【0052】工程−g Cr膜2150および焼成後の導電性薄膜2004を酸
エッチャントによりエッチングしてパターンを形成した
(図11(g))。
Step-g The Cr film 2150 and the baked conductive thin film 2004 were etched with an acid etchant to form a pattern (FIG. 11 (g)).

【0053】工程−h コンタクトホール19部分以外にレジストを塗布するよ
うなパターンを形成し、真空蒸着により厚さ50オング
ストロームのTi、厚さ5000オングストロームのA
uを順次堆積した。リフトオフにより不要の部分を除去
することにより、コンタクトホール19を埋め込んだ
(図11(h))。
Step-h A pattern is formed such that a resist is applied to portions other than the contact hole 19, and Ti having a thickness of 50 angstroms and A having a thickness of 5000 angstroms are formed by vacuum evaporation.
u were sequentially deposited. Unnecessary portions were removed by lift-off to bury the contact holes 19 (FIG. 11H).

【0054】以上の工程により絶縁性基板1上に下配線
11、層間絶縁膜14、上配線12、素子電極200
2,2003、導電性薄膜2004を形成した。
Through the above steps, the lower wiring 11, the interlayer insulating film 14, the upper wiring 12, and the device electrode 200 are formed on the insulating substrate 1.
2, 2003, a conductive thin film 2004 was formed.

【0055】次に、本画像形成装置の組立工程について
図12を参照しながら説明する。
Next, an assembling process of the present image forming apparatus will be described with reference to FIG.

【0056】ガラス板上に画像形成部材を形成し、前面
板1を得た。
An image forming member was formed on a glass plate to obtain a front plate 1.

【0057】前面板1上に印刷技術を用いてフリットガ
ラスを塗布し、フリットガラス中の樹脂を除去するため
に仮焼成を行った。仮焼成後のフリットガラスの厚みは
300μmであった。ここでは軟化温度が490℃のフ
リットガラスを480℃、10分程度過熱保持すること
により仮焼成した。次に仮焼成したフリットガラスの上
に耐大気圧スペーサ4を位置決め固定し、550℃、1
0分程度過熱保持し本焼成を行い接着固定した(図12
(a))。
Frit glass was applied to the front plate 1 by using a printing technique, and calcination was performed to remove the resin in the frit glass. The thickness of the calcined frit glass was 300 μm. Here, the frit glass having a softening temperature of 490 ° C. was calcined by holding it at 480 ° C. for about 10 minutes. Next, the atmospheric pressure resistant spacer 4 was positioned and fixed on the calcined frit glass.
Main heating was performed for about 0 minutes, and the main baking was performed to fix the adhesive (FIG. 12).
(A)).

【0058】図12(a)で述べたのと同様な工程によ
り支持枠を前面板に接着固定した。ここでは軟化温度が
410℃のフリットガラスを用い、仮焼成は400℃、
本焼成は450℃、10分程度過熱保持して行った(図
12(b))。
The supporting frame was bonded and fixed to the front plate by the same process as described with reference to FIG. Here, a frit glass having a softening temperature of 410 ° C. is used.
The main baking was performed by heating at 450 ° C. for about 10 minutes (FIG. 12B).

【0059】電子放出素子が設けられた背面板2の配線
上に印刷技術によりフリットガラス8を塗布し、仮焼成
を行った。ここでは軟化温度が410℃のフリットガラ
スを400℃、10分程度過熱保持することにより仮焼
成した。ここで、塗布したフリットガラスの膜厚は約1
50μmであった(図12(c))。
A frit glass 8 was applied on the wiring of the back plate 2 provided with the electron-emitting devices by a printing technique, and calcination was performed. Here, the frit glass having a softening temperature of 410 ° C. was calcined by holding it at 400 ° C. for about 10 minutes. Here, the thickness of the applied frit glass is about 1
It was 50 μm (FIG. 12C).

【0060】こうして得られた前面板1を背面板2上に
位置決めをして固定した。ここでは、支持枠3の長さよ
りも耐大気圧スペーサ4の長さが短く、耐大気圧スペー
サ4は背面板2上に仮焼成したフリットガラスには接触
しないので、位置決め終了後も微調整が可能であった
(図12(d))。
The front plate 1 thus obtained was positioned and fixed on the rear plate 2. Here, the length of the atmospheric pressure resistant spacer 4 is shorter than the length of the support frame 3, and the atmospheric pressure resistant spacer 4 does not contact the frit glass preliminarily fired on the back plate 2, so that fine adjustment can be performed even after the positioning is completed. It was possible (FIG. 12 (d)).

【0061】次いで450℃、10分程度加熱保持する
ことにより本焼成を行った。支持枠3の下に塗布したフ
リットガラスと耐大気圧スペーサ4の下に塗布したフリ
ットガラスの軟化温度が等しい為、本焼成を行う際には
同時に軟化し、背面板2と支持枠3の間のフリットガラ
ス8の厚さが薄くなるので耐大気圧スペーサ4は軟化し
たフリットガラス8の上に接触した。その為耐大気圧ス
ペーサ4と仮焼成したフリットガラス(硬いフリットガ
ラス)8との衝撃が緩和され(事実上無い状態)、フリ
ットガラスが耐大気圧スペーサを取り囲むように焼成さ
れた。このようにして耐大気圧支持構造を有する画像形
成装置が組立てられた(図12(e))。
Next, the main baking was performed by heating and holding at 450 ° C. for about 10 minutes. Since the softening temperature of the frit glass applied under the support frame 3 and the softening temperature of the frit glass applied under the atmospheric pressure resistant spacer 4 are equal to each other, they are softened at the same time when the main firing is performed. Since the thickness of the frit glass 8 becomes thinner, the anti-atmospheric pressure spacer 4 came into contact with the softened frit glass 8. Therefore, the impact between the anti-atmospheric pressure spacer 4 and the calcined frit glass (hard frit glass) 8 was mitigated (in a virtually non-existent state), and the frit glass was fired so as to surround the anti-atmospheric pressure spacer. Thus, an image forming apparatus having an anti-atmospheric pressure support structure was assembled (FIG. 12E).

【0062】組立工程終了後、画像形成装置を構成する
容器内を不図示の排気管より真空排気した後、排気管を
封止して、真空状態を維持できるようにした。
After completion of the assembling process, the inside of the container constituting the image forming apparatus was evacuated from an exhaust pipe (not shown), and then the exhaust pipe was sealed so that a vacuum state could be maintained.

【0063】このように支持枠3により規定される前面
板1と背面板2間の距離よりも耐大気圧スペーサ4の長
さを短くすることによって、耐大気圧スペーサ4、支持
枠3の固定された前面板1を背面板2と位置合わせする
際に、電子放出素子又は画像形成部材の破損を防止でき
た。更には耐大気圧スペーサの高さ方向のばらつきを精
密に制御することなしに画像形成装置を作製することが
できた。画像形成装置自体の歪みも観測されなかった。
本例の画像形成装置は、耐衝撃性に優れており、安定な
大画面画像を長期にわたって形成できた。
By making the length of the atmospheric pressure resistant spacer 4 shorter than the distance between the front plate 1 and the rear plate 2 defined by the support frame 3, the fixing of the atmospheric pressure resistant spacer 4 and the support frame 3 is performed. When the front plate 1 thus positioned is aligned with the back plate 2, damage to the electron-emitting device or the image forming member can be prevented. Further, the image forming apparatus could be manufactured without precisely controlling the variation in the height direction of the atmospheric pressure resistant spacer. No distortion of the image forming apparatus itself was observed.
The image forming apparatus of this example is excellent in impact resistance and can form a stable large-screen image for a long period of time.

【0064】本例では耐大気圧スペーサ4、支持枠3を
前面板1に予め固定してから前面板1と背面板2の組合
わせを行ったがこれに制限されるものではなく、耐大気
圧スペーサ4、支持枠3を背面板2に予め固定してから
前面板1と組み合わせても良い。この場合図12におけ
るフリットガラス8は前面板1とスペーサ4との間に配
されることになる。更には耐大気圧スペーサ4と支持枠
3を別々に前面板1、背面板2に予め固定しておくこと
もできる。
In this embodiment, the combination of the front plate 1 and the back plate 2 is performed after the atmospheric pressure-resistant spacer 4 and the support frame 3 are fixed to the front plate 1 in advance, but the present invention is not limited to this. The air pressure spacer 4 and the support frame 3 may be fixed to the back plate 2 in advance, and then combined with the front plate 1. In this case, the frit glass 8 in FIG. 12 is disposed between the front plate 1 and the spacer 4. Furthermore, the atmospheric pressure resistant spacer 4 and the support frame 3 can be separately fixed to the front plate 1 and the back plate 2 in advance.

【0065】本例では、支持枠3を前面板1と背面板2
に固定する際に軟化温度の同じフリットガラスを用いた
が、異なるものを用いても良い。更に、結晶性のフリッ
トガラスを用いてもかまわない。 (実施例2)図13に模式的に示される画像形成装置を
作製した例について説明する。本例の画像形成装置は、
図13に示されるように、2つの背面板2を補強板21
及び補強板用フリットガラス81を用いて1つの背面板
としている点が、実施例1に示した画像形成装置とは異
なる。
In this embodiment, the support frame 3 is formed by the front plate 1 and the rear plate 2.
Although the frit glass having the same softening temperature was used for fixing the glass, a different glass may be used. Further, crystalline frit glass may be used. (Embodiment 2) An example in which an image forming apparatus schematically shown in FIG. 13 is manufactured will be described. The image forming apparatus of this example is
As shown in FIG. 13, the two back plates 2 are
The second embodiment is different from the image forming apparatus shown in the first embodiment in that one back plate is formed by using the frit glass 81 for the reinforcing plate.

【0066】図14は図13で示した画像形成装置の側
壁部を拡大したものである。電子放出素子群6の配線部
は、支持枠3の下部を通って気密容器内から外に出てお
り、配線取出部7を介して駆動回路へ接続されている。
FIG. 14 is an enlarged view of the side wall of the image forming apparatus shown in FIG. The wiring portion of the electron-emitting device group 6 passes through the lower portion of the support frame 3 and goes out of the hermetic container, and is connected to the drive circuit via the wiring take-out portion 7.

【0067】本例において前面板1、背面板2、支持枠
3は青板ガラスを切削加工したものを用いた。耐大気圧
スペーサ4は薄板ガラスを研磨することにより作製し
た。5は画像形成部材であり、実施例1と同様に構成し
た。
In this example, the front plate 1, the rear plate 2, and the support frame 3 were obtained by cutting blue sheet glass. The anti-atmospheric pressure spacer 4 was produced by polishing thin glass. Reference numeral 5 denotes an image forming member, which was configured in the same manner as in Example 1.

【0068】図14においてL1は支持枠3により規定
される前面板1と背面板2の距離であり、L2は耐大気
圧スペーサ4の長さである。図に示したようにL1>L
2の関係があり、L1−L2で規定される隙間にはフリ
ットガラス8が充填されている。その隙間は250μm
であった。電子放出素子群6として表面伝導型電子放出
素子を実施例1と同様にして背面板2の上に作製した。
In FIG. 14, L 1 is the distance between the front plate 1 and the back plate 2 defined by the support frame 3, and L 2 is the length of the atmospheric pressure resistant spacer 4. As shown in the figure, L1> L
2, the gap defined by L1-L2 is filled with frit glass 8. The gap is 250 μm
Met. As the electron-emitting device group 6, a surface conduction electron-emitting device was fabricated on the back plate 2 in the same manner as in Example 1.

【0069】本例では、前面板1、支持枠3、耐大気圧
スペーサ4及び合成背面板(背面板2と補強版21を一
体構造にした物)を実施例1で示したのと同様にして組
立て、大型の画像形成装置を製作した。
In this embodiment, the front plate 1, the support frame 3, the atmospheric pressure-resistant spacer 4, and the composite back plate (the back plate 2 and the reinforcing plate 21 are integrally formed) are the same as those shown in the first embodiment. A large image forming apparatus was manufactured.

【0070】ここでは、合成背面板を同一の熱膨張係数
の青板ガラスを用い、形成したため合成背面板の反り等
の歪みの発生が抑えられた。
In this case, since the synthetic back plate was formed using blue plate glass having the same coefficient of thermal expansion, the occurrence of distortion such as warpage of the synthetic back plate was suppressed.

【0071】組立工程終了後、上記工程で製作された容
器内を不図示の排気管を介して真空排気し、その後排気
管を封止した。
After completion of the assembling process, the inside of the container manufactured in the above process was evacuated through an exhaust pipe (not shown), and then the exhaust pipe was sealed.

【0072】このように支持枠3により規定される前面
板1と背面板2の距離よりも耐大気圧スペーサの長さを
短くすることによって、耐大気圧スペーサ、支持枠の固
定された前面板を背面板と位置合わせする際に、電子放
出素子又は画像形成部材の破損を防止でき、更には耐大
気圧スペーサの高さ方向のばらつきを精密に制御するこ
となしに画像形成装置を作製することができた。
By making the length of the atmospheric pressure-resistant spacer shorter than the distance between the front plate 1 and the rear plate 2 defined by the support frame 3, the front plate on which the atmospheric pressure-resistant spacer and the support frame are fixed is provided. When aligning with the back plate, it is possible to prevent damage to the electron-emitting device or the image forming member, and to manufacture the image forming apparatus without precisely controlling the variation in the height direction of the atmospheric pressure resistant spacer. Was completed.

【0073】こうして得られた画像形成装置は、安定な
大画面画像を長期にわたって形成できた。本例では、2
つの背面板を接続して1つの背面板を構成したが、更に
多くの背面板を接続して1つの背面板を構成し、大画面
化を図ることもできる。 (実施例3)図15に模式的に示される画像形成装置を
作製した例について説明する。本例の画像形成装置は、
図15に示されるように、支持枠3により規定される前
面板1と背面板2の距離よりも短い長さのスペーサ4を
用い、スペーサ4と、前面板1との隙間にフリットガラ
ス82を配して構成している。図16は、図15の側壁
部を拡大した模式図である。図16においては、図2と
同一の部位には図2に付したのと同じ符号を付してあ
る。本例においては、L1−L2で規定される距離は1
00μmとし、前面板1とスペーサ4との隙間にフリッ
トガラス82を充填した。電子放出素子群6、配線、画
像形成部材5を配した前面板等は実施例1と同様にして
作製した。
The image forming apparatus thus obtained was able to form a stable large-screen image for a long period of time. In this example, 2
Although one back plate is connected to form one back plate, more back plates can be connected to form one back plate to increase the screen size. (Embodiment 3) An example in which an image forming apparatus schematically shown in FIG. 15 is manufactured will be described. The image forming apparatus of this example is
As shown in FIG. 15, a spacer 4 having a length shorter than the distance between the front plate 1 and the rear plate 2 defined by the support frame 3 is used, and a frit glass 82 is provided in a gap between the spacer 4 and the front plate 1. It is arranged and configured. FIG. 16 is an enlarged schematic view of the side wall portion of FIG. 16, the same parts as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. In this example, the distance defined by L1-L2 is 1
The gap between the front plate 1 and the spacer 4 was filled with frit glass 82. The electron-emitting device group 6, the wiring, the front plate on which the image forming member 5 was disposed, and the like were manufactured in the same manner as in Example 1.

【0074】図17を参照しながら、本例の画像形成装
置の作製工程について以下に説明する。
With reference to FIG. 17, the manufacturing process of the image forming apparatus of this embodiment will be described below.

【0075】耐大気圧スペーサ4の前面板1と接する部
分に黒色のフリットガラス82(日本電気硝子社製:L
S−0118)を塗布した後、黒色フリットガラス中の
樹脂を除去するために仮焼成を行った。ここでは軟化温
度が390℃のフリットガラスを380℃、10分過熱
保持することにより仮焼成した。仮焼成後の黒色フリッ
トガラスの厚み(黒色フリットガラスの先端部から耐大
気圧スペーサ端面までの距離)は120μmであった。
前面板の黒色部材と耐大気圧スペーサ4とをガラスフリ
ットを用い接着固定させる際、画質低下をなるべくさけ
るためにガラスフリット幅を極力狭くするのが望まし
い。よって仮焼成後、前面板と背面板を対向配置させ位
置合わせする時に画像形成部材を損傷させず、且つ幅を
狭くするようにフリットガラスを塗布するための好まし
い厚みは100μm以上200μm以下が良い。
A black frit glass 82 (made by NEC Corporation: L
After applying S-0118), calcination was performed in order to remove the resin in the black frit glass. Here, the frit glass having a softening temperature of 390 ° C. was calcined by holding it at 380 ° C. for 10 minutes. The thickness of the black frit glass after the calcination (the distance from the tip of the black frit glass to the end surface of the atmospheric pressure resistant spacer) was 120 μm.
When the black member of the front plate and the anti-atmospheric pressure spacer 4 are bonded and fixed using a glass frit, it is desirable to minimize the glass frit width as much as possible in order to minimize image quality deterioration. Therefore, after the calcination, the preferable thickness for applying the frit glass so as not to damage the image forming member and to reduce the width when the front plate and the rear plate are opposed to each other and aligned is preferably 100 μm or more and 200 μm or less.

【0076】次に、フリットガラス82が塗布された耐
大気圧スペーサ4を電子放出素子、配線等が形成された
背面板2に固定した。それは以下の手順で行った。即
ち、フリットガラスを印刷法により背面板2の配線上に
塗布し、フリットガラス中の樹脂を除去するために仮焼
成を行った。フリットガラスは結晶性のフリットガラス
であり、軟化温度が400℃のものを用いた。フリット
ガラスを390℃、10分過熱保持することにより仮焼
成した。仮焼成したフリットガラスの上に耐大気圧スペ
ーサ4を位置決め固定し、450℃、10分過熱保持し
本焼成を行い接着固定した(図17(a))。
Next, the anti-atmospheric pressure spacer 4 coated with the frit glass 82 was fixed to the back plate 2 on which the electron-emitting devices, wirings and the like were formed. It was performed in the following procedure. That is, frit glass was applied on the wiring of the back plate 2 by a printing method, and calcination was performed to remove the resin in the frit glass. The frit glass is a crystalline frit glass having a softening temperature of 400 ° C. The frit glass was calcined by holding it at 390 ° C. for 10 minutes. The anti-atmospheric pressure spacer 4 was positioned and fixed on the temporarily baked frit glass, and was heated and maintained at 450 ° C. for 10 minutes, and was baked and bonded and fixed (FIG. 17A).

【0077】同様な工程により支持枠3を背面板2に接
着固定した。ここでは軟化温度が390℃のフリットガ
ラスを用い、仮焼成は380℃、本焼成は430℃、1
0分過熱保持して行った(図17(b))。
The support frame 3 was bonded and fixed to the back plate 2 by the same process. Here, frit glass having a softening temperature of 390 ° C. is used.
The heating was performed for 0 minutes (FIG. 17 (b)).

【0078】前面板1の支持枠3を取り付ける位置に印
刷技術によりフリットガラス8を塗布し、仮焼成を行っ
た。ここでは軟化温度が390℃のフリットガラスを3
80℃、10分過熱保持することにより仮焼成した。塗
布したフリットガラス8の膜厚は400μmだった(図
17(c))。
A frit glass 8 was applied to a position of the front plate 1 where the support frame 3 was to be attached by a printing technique, and was temporarily calcined. Here, a frit glass having a softening temperature of 390 ° C.
Preliminary calcination was performed by maintaining the temperature at 80 ° C. for 10 minutes. The thickness of the applied frit glass 8 was 400 μm (FIG. 17C).

【0079】こうした工程を経た後、支持枠3、スペー
サ4を背面板2上に位置決めをして固定した(図17
(d))。
After these steps, the support frame 3 and the spacer 4 are positioned and fixed on the back plate 2 (FIG. 17).
(D)).

【0080】支持枠3の長さよりも耐大気圧スペーサ4
の長さが短く、蛍光体には接触しないので、位置決め終
了後も微調整が可能であった。
Atmospheric pressure resistant spacer 4 is longer than the length of support frame 3
Since the length was short and did not contact the phosphor, fine adjustment was possible even after the positioning was completed.

【0081】430℃、10分程度過熱保持することに
より本焼成を行った。支持枠3の下に塗布したフリット
ガラス8と耐大気圧スペーサの下に塗布したフリットガ
ラス82の軟化温度が等しい為、本焼成の際には同時に
軟化し、背面板2と支持枠3の間のフリットガラス8の
厚さが薄くなるので耐大気圧スペーサ4は軟化したフリ
ットガラスの上に接触した。その為耐大気圧スペーサ4
と仮焼成したフリットガラス(硬いフリットガラス)と
の衝撃が緩和され(事実上無い状態)、フリットガラス
82が耐大気圧スペーサ4を取り囲むように焼成がなさ
れた。
The main baking was performed by maintaining the temperature at 430 ° C. for about 10 minutes. Since the softening temperatures of the frit glass 8 applied under the support frame 3 and the frit glass 82 applied under the anti-atmospheric pressure spacer are equal, they are softened at the same time during the main firing, so that the space between the back plate 2 and the support frame 3 Since the thickness of the frit glass 8 becomes thinner, the anti-atmospheric pressure spacer 4 came into contact with the softened frit glass. Atmospheric pressure resistant spacer 4
The impact between the pre-fired frit glass (hard frit glass) and the pre-fired frit glass (the hard frit glass) was reduced (virtually no state), and the frit glass 82 was fired so as to surround the anti-atmospheric pressure spacer 4.

【0082】組立工程終了後、上記工程で製作された容
器内を不図示の排気管を介して真空排気し、その後排気
管を封止した。こうして耐大気圧支持構造を有する画像
形成装置が作製された。
After completion of the assembling process, the inside of the container manufactured in the above process was evacuated through an exhaust pipe (not shown), and then the exhaust pipe was sealed. Thus, an image forming apparatus having an anti-atmospheric pressure support structure was manufactured.

【0083】本例では支持枠3により規定される前面板
1と背面板2間の距離よりも耐大気圧スペーサの長さを
短くし、黒色のフリットガラスを用い、前面板1と耐大
気圧スペーサ4とを接着固定した。これにより、耐大気
圧スペーサ、支持枠の固定された背面板を前面板と位置
合わせする際に、黒色部材等の画像形成部材の破損を防
止でき、更には耐大気圧スペーサの高さ方向のばらつき
を精密に制御することなしに画像形成装置を作製するこ
とができた。 (実施例4)図18に模式的に示される画像形成装置を
作製した。
In this embodiment, the length of the atmospheric pressure resistant spacer is made shorter than the distance between the front plate 1 and the rear plate 2 defined by the support frame 3, and black frit glass is used. The spacer 4 was bonded and fixed. Thereby, when the back plate on which the atmospheric pressure resistant spacer and the support frame are fixed is aligned with the front plate, damage to the image forming member such as the black member can be prevented, and furthermore, the height direction of the atmospheric pressure resistant spacer can be prevented. The image forming apparatus could be manufactured without precisely controlling the variation. Example 4 An image forming apparatus schematically shown in FIG. 18 was manufactured.

【0084】図18において1201はガラス基板、3
は支持枠、4は耐大気圧スペーサである。15はガラス
板であり、ガラス板15の内面に画像形成部材5が形成
されて前面板1を構成している。耐大気圧スペーサ4の
前面板1に接する端面は黒色に加工されている。
In FIG. 18, reference numeral 1201 denotes a glass substrate;
Is a support frame, and 4 is an atmospheric pressure resistant spacer. Reference numeral 15 denotes a glass plate, and the image forming member 5 is formed on the inner surface of the glass plate 15 to constitute the front plate 1. The end surface of the anti-atmospheric pressure spacer 4 which is in contact with the front plate 1 is blackened.

【0085】図18、図19、図20を参照しながら、
本例の装置の作製工程について説明する。図19は、背
面板を構成する電子源基板の模式図であり、図20は、
ブラックストライプを示す模式図である。
Referring to FIGS. 18, 19 and 20,
A manufacturing process of the device of this example will be described. FIG. 19 is a schematic view of an electron source substrate constituting a back plate, and FIG.
It is a schematic diagram which shows a black stripe.

【0086】(1)ガラスからなる基板2001を有機
溶剤により十分に洗浄後、その基板上に、厚さ1000
AのNiからなる素子部3004をフォトリソグラフィ
ー法により複数個形成した(図18および図19参
照)。さらにその素子部に給電するため、厚さ2μmの
Agからなる配線部3003を印刷法により形成した。
配線パターンは図18に示されるような平行線のパター
ンであり、隣り合う1対の配線部3003を通して、配
線パターンに沿う複数個の素子に同時に給電される。さ
らに、絶縁層であるSiO2 を介し、基板2001の1
0μm上方に50μm径の電子通過孔を有する変調電極
(不図示)を配置した。
(1) After sufficiently cleaning the substrate 2001 made of glass with an organic solvent, a thickness of 1000
A plurality of element portions 3004 made of Ni of A were formed by photolithography (see FIGS. 18 and 19). Further, in order to supply power to the element portion, a wiring portion 3003 made of Ag having a thickness of 2 μm was formed by a printing method.
The wiring pattern is a parallel line pattern as shown in FIG. 18, and power is simultaneously supplied to a plurality of elements along the wiring pattern through a pair of adjacent wiring portions 3003. Further, one of the substrates 2001 is interposed via the insulating layer SiO 2.
A modulation electrode (not shown) having an electron passage hole having a diameter of 50 μm was disposed above the area of 0 μm.

【0087】(2)次に有機パラジウム含有溶液(奥野
製薬(株)製ccp4230)を上記電極上に塗布した
後、300℃で10分間の加熱処理をして酸化パラジウ
ム(PdO)微粒子からなる薄膜を形成した。さらにド
ライエッチング法によりパターニング処理し、各素子部
3004間に導電性薄膜2004を設けた。
(2) Next, an organic palladium-containing solution (cpp4230 manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) is applied on the above-mentioned electrode, and then heated at 300 ° C. for 10 minutes to form a thin film made of fine particles of palladium oxide (PdO). Was formed. Further, patterning was performed by a dry etching method, and a conductive thin film 2004 was provided between the element portions 3004.

【0088】(3)つぎに素子部3004間に電圧を印
加し、導電性薄膜2004を通電処理(フォーミング処
理と呼ぶ)することにより電子放出部3005を素子部
3004に作製し、電子放出素子13を完成した。
(3) Next, a voltage is applied between the element portions 3004, and the conductive thin film 2004 is subjected to an energizing process (referred to as forming process) to form an electron emitting portion 3005 in the element portion 3004. Was completed.

【0089】(4)つぎに前面板1の作製法についての
べる。
(4) Next, a method of manufacturing the front plate 1 will be described.

【0090】ガラス基板3009をフッ酸等にて洗浄し
たあと、フォトリソグラフィー法によりブラックストラ
イプ3015(図20参照)を形成する。ブラックスト
ライプ3015の材料は黒鉛を主成分としている。その
後、三原色蛍光体3013を一色ずつレジストと混ぜ、
スラリー状にして塗布し、所定の位置に現像、定着させ
ることを繰り返すという、通常CRTで用いられるスラ
リー法にてカラー蛍光面を作製した。蛍光体17の厚さ
は20〜30μmでムラや剥がれのない良好な塗布状態
が得られた。
After cleaning the glass substrate 3009 with hydrofluoric acid or the like, a black stripe 3015 (see FIG. 20) is formed by photolithography. The material of the black stripe 3015 is mainly composed of graphite. Then, the three primary color phosphors 3013 are mixed with the resist one by one,
A color phosphor screen was produced by a slurry method commonly used in CRTs, in which coating in the form of a slurry, development and fixing at predetermined positions were repeated. The thickness of the phosphor 17 was 20 to 30 μm, and a good coating state without unevenness or peeling was obtained.

【0091】(5)つぎにフィルミングと呼ばれる蛍光
体17の表面の平滑化処理をおこなった後、Alを真空
蒸着法により、ほぼ2000Aの厚さで蛍光面の内面側
に一様に形成することで、メタルバック(不図示)を作
製した。
(5) Next, after performing a smoothing process on the surface of the phosphor 17 called filming, Al is uniformly formed on the inner side of the phosphor screen with a thickness of about 2000 A by a vacuum evaporation method. Thus, a metal back (not shown) was produced.

【0092】(6)次に耐大気圧スペーサ4の作製法に
ついてのべる。本実施例では、耐大気圧スペーサ4とし
て高さ5mm、厚さ0.2mmの平板状のガラス材を用
いた。ガラス材を上記形状に加工した後、その前面板に
当接する端面を同一平面となるように揃えて、複数枚重
ね合わせ、その面をサンドブラスト法により粗して粗面
を形成した。この粗面上に黒色塗料をスプレー法により
塗布して目的の耐大気圧スペーサとした。
(6) Next, a method for manufacturing the atmospheric pressure resistant spacer 4 will be described. In this embodiment, a flat glass material having a height of 5 mm and a thickness of 0.2 mm was used as the atmospheric pressure resistant spacer 4. After processing the glass material into the above-mentioned shape, the end faces abutting on the front plate were aligned so as to be on the same plane, and a plurality of sheets were overlapped, and the surface was roughened by sandblasting to form a rough surface. A black paint was applied on the rough surface by a spray method to obtain a target atmospheric pressure resistant spacer.

【0093】(7)以上のようにして電子放出素子13
を形成した背面板2001と前面板1とを、複数の耐大
気圧スペーサ4と支持枠3とを介して対向して配置し、
前面板1、支持枠3、電子源基板2の接合部にフリット
ガラスを塗布し、大気中で400℃で10分以上焼成す
ることで封着した。耐大気圧スペーサ4の位置は電子源
基板2上では2個の電子放出素子列の中間の配線材30
03上に当接されており、また前面板1上では、図20
においてやや幅広に描かれたブラックストライプ301
2上に当接されている。このため耐大気圧スペーサ4に
より電子放出素子13からの電子が蛍光体17に照射さ
れるのを妨げられることはない。
(7) As described above, the electron-emitting device 13
The rear plate 2001 and the front plate 1 on which are formed are arranged to face each other via a plurality of atmospheric pressure resistant spacers 4 and the support frame 3,
Frit glass was applied to the joint between the front plate 1, the support frame 3, and the electron source substrate 2 and sealed by baking at 400 ° C. in the air for 10 minutes or more. The position of the anti-atmospheric pressure spacer 4 is determined on the electron source substrate 2 by a wiring member 30 in the middle of the two electron emission element rows.
20 on the front plate 1 as shown in FIG.
Black stripe 301 drawn slightly wider in
2 is abutted. Therefore, irradiation of the phosphor 17 with electrons from the electron-emitting device 13 is not prevented by the anti-atmospheric pressure spacer 4.

【0094】(8)以上のようにして完成したガラスの
外囲器(電子源基板2、支持枠3、前面板1で構成され
る)内の雰囲気を不図示の排気管を通じて、真空ポンプ
にて排気し、十分な真空度に達した後、10 E−6T
orr程度の真空度で排気管をガスバーナーで熱するこ
とで溶着し、外囲器を封止した。
(8) The atmosphere in the glass envelope (comprised of the electron source substrate 2, the support frame 3, and the front plate 1) completed as described above is supplied to the vacuum pump through an exhaust pipe (not shown). And after reaching a sufficient degree of vacuum, 10E-6T
The exhaust pipe was welded by heating with a gas burner at a degree of vacuum of about orr, and the envelope was sealed.

【0095】(9)最後に封止後の真空度を維持するた
めゲッター処理を行った。これは、封止を行う直前ある
いは直後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等の加熱法に
より画像形成装置内の所定の位置に配置されたゲッター
(不図示)を加熱し、蒸着膜を形成する処理である。ゲ
ッターは通常Ba等が主成分であり、該蒸着膜の吸着作
用により、真空度を維持するものである。
(9) Finally, a getter process was performed to maintain the degree of vacuum after sealing. This is a process of heating a getter (not shown) disposed at a predetermined position in the image forming apparatus by a heating method such as resistance heating or high-frequency heating immediately before or immediately after sealing to form a deposited film. is there. The getter usually contains Ba or the like as a main component, and maintains the degree of vacuum by the adsorption action of the deposited film.

【0096】以上のように完成した本発明の画像表示装
置においては、各電子放出素子には、容器外端子を通じ
て電圧を印加することにより電子放出が生じた。放出さ
れた電子は不図示の変調電極の電子通過孔を通過した
後、高圧端子Hvを通じ、メタルバックあるいは透明電
極(不図示)に印加された数kV以上の高圧により加速
され、蛍光体17に衝突し、励起・発光が生じた。その
際、変調電極に情報信号に応じた電圧を容器外端子を通
じ印加することにより、電子通過孔を通過する電子ビー
ムを制御し画像が表示された。
In the image display device of the present invention completed as described above, each of the electron-emitting devices emits electrons by applying a voltage through a terminal outside the container. The emitted electrons pass through an electron passage hole of a modulation electrode (not shown) and are accelerated by a high voltage of several kV or more applied to a metal back or a transparent electrode (not shown) through a high voltage terminal Hv, and are accelerated by the phosphor 17. Collision caused excitation and emission. At that time, by applying a voltage corresponding to the information signal to the modulation electrode through the terminal outside the container, the electron beam passing through the electron passage hole was controlled and an image was displayed.

【0097】以上のように作製した本例の画像形成装置
においては、製造中にブラックストライプの部分的な剥
離が起きた場合でも、影響がなく良好な画質の画像が得
られるという効果がある。 (実施例5)図21に模式的に示される画像形成装置を
作製した。図21に示した画像形成装置は、画像形成部
材5とスペーサ4の配置が、実施例4に示したものと異
なっている他は、実施例4に示したものと大差がない。
The image forming apparatus of the present embodiment manufactured as described above has an effect of obtaining an image of good image quality without any influence even when black stripes are partially peeled off during manufacturing. Example 5 An image forming apparatus schematically shown in FIG. 21 was manufactured. The image forming apparatus shown in FIG. 21 is substantially the same as that shown in the fourth embodiment except that the arrangement of the image forming member 5 and the spacer 4 is different from that shown in the fourth embodiment.

【0098】ここでは、電子源基板2上への電子放出素
子の製造法、画像形成部材5の製造法および外囲器の封
止法は実施例4と同様なので説明を省略する。
Here, the method for manufacturing the electron-emitting device on the electron source substrate 2, the method for manufacturing the image forming member 5, and the method for sealing the envelope are the same as those in the fourth embodiment, and therefore the description is omitted.

【0099】本例においては、蛍光体17がいわゆるデ
ルタ配列となっている。19はマトリクスパターンであ
る。3016は黒色部材で、図21のような蛍光体配列
の場合はブラックマトリクスと呼ばれる。デルタ型の蛍
光体配列を用いた場合は、同色蛍光体の間隔(これをド
ットピッチと呼ぶ)をPと表した時、画面水平方向の同
色蛍光体の間隔は(√3/2)Pとなり、水平方向の解
像度が増し、より高精細で高密度な画像を形成できると
いう利点がある。
In this example, the phosphors 17 are in a so-called delta arrangement. 19 is a matrix pattern. Reference numeral 3016 denotes a black member, which is called a black matrix in the case of a phosphor array as shown in FIG. In the case where a delta type phosphor array is used, when an interval between phosphors of the same color (this is called a dot pitch) is represented by P, an interval between phosphors of the same color in the horizontal direction of the screen is (/ 3/2) P. This has the advantage that the resolution in the horizontal direction is increased and a higher definition and higher density image can be formed.

【0100】この場合の耐大気圧スペーサ4は、実施例
4の板状のものではなく、図21に示すように三菱状の
断面形状を有する柱状の耐大気圧スペーサである。この
耐大気圧スペーサの前面板と当接する側の半分の領域に
は薄膜3017を蒸着した。さらにこの耐大気圧スペー
サの前面板と当接する側の端面に黒色のフリットガラス
8を塗布し、前記ブラックマトリクス上に、該マトリク
スパターン19のくびれと耐大気圧スペーサの三菱の突
起とが一致するように所定の間隔をおいて立て並べ、3
00℃で仮焼成して耐大気圧スペーサを固定した。
The anti-atmospheric pressure spacer 4 in this case is not a plate-like anti-pressure spacer according to the fourth embodiment, but a column-shaped anti-atmospheric pressure spacer having a Mitsubishi-shaped cross section as shown in FIG. A thin film 3017 was deposited on a half area of the anti-atmospheric pressure spacer on the side in contact with the front plate. Further, black frit glass 8 is applied to the end surface of the anti-atmospheric pressure spacer on the side in contact with the front plate, and the constriction of the matrix pattern 19 and the protrusion of Mitsubishi of the anti-atmospheric pressure spacer coincide with each other on the black matrix. At predetermined intervals as shown
Preliminary baking at 00 ° C. fixed the anti-atmospheric pressure spacer.

【0101】この耐大気圧スペーサ4を固定した前面板
1と電子放出素子13を形成した電子源基板2とは、三
原色蛍光体と電子放出素子とを対応させた十分な位置合
わせを行った後、支持枠(不図示)を介して封着し、画
像形成装置を得た。
The front plate 1 on which the anti-atmospheric pressure spacer 4 is fixed and the electron source substrate 2 on which the electron-emitting devices 13 are formed are sufficiently aligned with each other so that the three primary color phosphors and the electron-emitting devices correspond to each other. Then, sealing was performed via a support frame (not shown) to obtain an image forming apparatus.

【0102】この画像形成装置においては耐大気圧スペ
ーサ4と前面板1とが固定されているため、耐大気圧ス
ペーサの位置ずれなどにより画像形成部材5を損傷する
ことがなかった。
In this image forming apparatus, since the atmospheric pressure resistant spacer 4 and the front plate 1 are fixed, the image forming member 5 was not damaged due to the displacement of the atmospheric pressure resistant spacer.

【0103】さらに以上の実施例の画像形成装置のいず
れも、発光源として用いて記録装置に応用することもで
きた。この場合、高精細で画像欠陥の少ない再生画像が
安定して得られる記録装置となった。
Further, any of the image forming apparatuses of the above embodiments could be applied to a recording apparatus by using them as light emitting sources. In this case, the recording apparatus was capable of stably obtaining a reproduced image with high definition and few image defects.

【0104】[0104]

【発明の効果】本発明の画像形成装置によれば、支持枠
により規定される背面板と前面板との間隔よりも短いス
ペーサの少なくとも一端を接着部材を用いて背面板もし
くは前面板に固定させたことにより、画像形成装置の耐
大気圧強度が増すと共に耐衝撃性も増す。これにより、
衝撃による動作不安定性を抑制できる。
According to the image forming apparatus of the present invention, at least one end of the spacer shorter than the distance between the back plate and the front plate defined by the support frame is fixed to the back plate or the front plate using an adhesive member. As a result, the atmospheric pressure resistance of the image forming apparatus increases and the shock resistance also increases. This allows
Operational instability due to impact can be suppressed.

【0105】本発明の画像形成装置の製造方法によれ
ば、支持枠により規定された前面板と背面板の間隔より
も短い該スペーサを用いることにより、封着工程におい
てスペーサの破損を引き起こすことなく、スペーサを背
面板または前面板に接近させ固定することができる。
According to the method of manufacturing an image forming apparatus of the present invention, by using the spacer shorter than the distance between the front plate and the back plate defined by the support frame, the spacer is not damaged in the sealing step. The spacer can be fixed by approaching the rear plate or the front plate.

【0106】更には封着組立時にスペーサと前面板又は
背面板との間に隙間ができる為、スペーサの精度、ばら
つきの自由度が増す。これに加えて、スペーサを設ける
前面板、背面板のうねり、更には配線形成による段差等
を精密に制御する必要がなくなる。また、スペーサによ
って電子放出素子群(電子放出素子、素子電極及び配線
等)又は画像形成部材を傷つけずに、前面板と背面板の
位置合わせを行うことができる。
Further, since a gap is formed between the spacer and the front plate or the back plate during the sealing assembly, the accuracy of the spacer and the degree of freedom of variation are increased. In addition to this, it is not necessary to precisely control the undulation of the front plate and the rear plate on which the spacers are provided, and furthermore, the step and the like due to wiring formation. Further, the front plate and the back plate can be aligned without damaging the electron-emitting device group (electron-emitting devices, device electrodes, wiring, etc.) or the image forming member by the spacer.

【0107】また、画像形成部材が設けられた前面板の
所謂ブラックストライプ上に接着部材を用いてスペーサ
を固定した場合には、接着部材がブラックストライプを
構成する黒色膜(例えば、カーボンブラック膜)中に浸
透する。これにより黒色膜の密着強度が増し、膜剥がれ
などが抑制される。
When a spacer is fixed on a so-called black stripe of the front plate on which the image forming member is provided by using an adhesive member, the adhesive member forms a black film (for example, a carbon black film) forming a black stripe. Penetrates inside. Thereby, the adhesion strength of the black film is increased, and film peeling or the like is suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の画像形成装置の1例を示す模式図であ
る。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of an image forming apparatus of the present invention.

【図2】図1の1部を拡大した模式図である。FIG. 2 is an enlarged schematic view of a part of FIG.

【図3】図2の画像形成装置の製造工程を示す模式図で
ある。
FIG. 3 is a schematic view illustrating a manufacturing process of the image forming apparatus of FIG. 2;

【図4】本発明の画像形成装置に適用可能な電子放出素
子の1例を示す模式図である。
FIG. 4 is a schematic view showing one example of an electron-emitting device applicable to the image forming apparatus of the present invention.

【図5】図4の電子放出素子の製造工程を示す模式図で
ある。
FIG. 5 is a schematic view showing a manufacturing process of the electron-emitting device of FIG.

【図6】単純マトリクス型電子源基板の1例を示す模式
図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of a simple matrix type electron source substrate.

【図7】本発明の画像形成装置の1例を示す模式図であ
る。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an example of the image forming apparatus of the present invention.

【図8】マトリクス配線を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a matrix wiring.

【図9】図8の断面構造を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of FIG.

【図10】図9に示した構造を得る工程について示した
模式図である。
FIG. 10 is a schematic view showing a step of obtaining the structure shown in FIG. 9;

【図11】図9に示した構造を得る工程について示した
模式図である。
FIG. 11 is a schematic view showing a step of obtaining the structure shown in FIG. 9;

【図12】本発明の画像形成装置の製造工程について示
した模式図である。
FIG. 12 is a schematic view illustrating a manufacturing process of the image forming apparatus of the present invention.

【図13】本発明の画像形成装置の1例を示す模式図で
ある。
FIG. 13 is a schematic diagram illustrating an example of the image forming apparatus of the present invention.

【図14】図13の1部を拡大した模式図である。FIG. 14 is an enlarged schematic view of a part of FIG.

【図15】本発明の画像形成装置の1例を示す模式図で
ある。
FIG. 15 is a schematic view illustrating an example of the image forming apparatus of the present invention.

【図16】図15の1部を拡大した模式図である。FIG. 16 is an enlarged schematic view of a part of FIG.

【図17】本発明の画像形成装置の製造工程を示す模式
図である。
FIG. 17 is a schematic view illustrating a manufacturing process of the image forming apparatus of the present invention.

【図18】本発明の画像形成装置の1例を示す模式図で
ある。
FIG. 18 is a schematic diagram illustrating an example of the image forming apparatus of the present invention.

【図19】図18の1部を拡大した模式図である。FIG. 19 is an enlarged schematic view of a part of FIG. 18;

【図20】ブラックストライプを示す模式図である。FIG. 20 is a schematic diagram showing a black stripe.

【図21】本発明の画像形成装置の1例を示す模式図で
ある。
FIG. 21 is a schematic diagram illustrating an example of the image forming apparatus of the present invention.

【図22】従来のフラットディスプレイの1例を示す模
式図である。
FIG. 22 is a schematic view showing an example of a conventional flat display.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 前面板 2 背面板 3 支持枠 4 スペーサ 8 接着部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front plate 2 Back plate 3 Support frame 4 Spacer 8 Adhesive member

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 正 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 中村 尚人 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−299135(JP,A) 特開 平5−266807(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 31/12 H01J 9/24 H01J 29/87 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Tadashi Kaneko, Inventor 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Naoto Nakamura 3-30-2, Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo (56) References JP-A-2-299135 (JP, A) JP-A-5-266807 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 31 / 12 H01J 9/24 H01J 29/87

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電子放出素子が形成された背面板と、画
像形成部材が形成され前記背面板と対向する位置に配さ
れた前面板と、前記背面板と前記前面板との間にあっ
て、前記背面板と前記前面板の周縁を包囲する支持枠
と、前記背面板と前記前面板の間に配置された耐大気圧
支持のためのスペーサとを有する画像表示装置の製造方
法において、 前記スペーサとして長さが前記支持枠により規定される
前記背面板と前記前面板との間隔よりも短いものを使用
し、該スペーサを第1のガラスフリットを用いて前面板
(または背面板)に接着固定し、さらに前記支持枠を前
面板(または背面板)に接着固定する工程と、 一方、背面板(または前面板)の前記スペーサおよび前
記支持枠固定位置に、第1のガラスフリットより軟化温
度の低い第2のガラスフリットを、前記のスペーサおよ
び支持枠が固定された前面板(または背面板)を重ね合
わせる際に、前記スペーサの端部が第2のガラスフリッ
トに触れないような厚さで形成する工程と、 前記のスペーサおよび支持枠が固定された前面板(また
は背面板)と、第2のガラスフリットが形成された背面
板(または前面板)とを重ね合わせ、加熱加圧して接着
固定する工程とを有する画像表示装置の製造方法。
A back plate on which an electron-emitting device is formed; a front plate on which an image forming member is formed and arranged at a position facing the back plate; and a back plate between the back plate and the front plate. A method of manufacturing an image display device, comprising: a support frame surrounding a peripheral edge of a back plate and the front plate; and a spacer for supporting atmospheric pressure provided between the back plate and the front plate, wherein the spacer has a length Is shorter than the distance between the back plate and the front plate defined by the support frame, and the spacer is bonded and fixed to the front plate (or the back plate) using a first glass frit; A step of bonding and fixing the support frame to a front plate (or a rear plate); and a second lower softening temperature than the first glass frit in the spacer and the support frame fixing position of the rear plate (or the front plate). Moth A step of forming the frit with a thickness such that an end of the spacer does not touch the second glass frit when the front plate (or the back plate) to which the spacer and the support frame are fixed is overlapped; Superposing the front plate (or the rear plate) on which the spacer and the support frame are fixed, and the rear plate (or the front plate) on which the second glass frit is formed, and heating and pressing to bond and fix. Of manufacturing an image display device having the same.
【請求項2】 電子放出素子が形成された背面板と、画
像形成部材が形成され前記背面板と対向する位置に配さ
れた前面板と、前記背面板と前記前面板との間にあっ
て、前記背面板と前記前面板の周縁を包囲する支持枠
と、前記背面板と前記前面板の間に配置された耐大気圧
支持のためのスペーサとを有する画像表示装置の製造方
法において、 前記スペーサとして長さが前記支持枠により規定される
前記背面板と前記前面板との間隔よりも短いものを使用
し、その端部に第1のガラスフリットを形成する工程
と、 端部に第1のガラスフリットが形成されたスペーサの反
対側の端部を前記背面板に接着固定し、さらに前記支持
枠を前記背面板に接着固定する工程と、 前記前面板の前記支持枠固定位置に、第1のガラスフリ
ットと軟化温度の等しい第2のガラスフリットを、前記
のスペーサおよび支持枠が固定された背面板を重ね合わ
せる際に、前記スペーサの端部が、前面基板または前面
基板上に形成された部材に触れないような厚さで形成す
る工程と、 前記のスペーサおよび支持枠が固定された背面板と、第
2のガラスフリットが形成された前面板とを重ね合わ
せ、加熱して接着固定する工程とを有する画像表示装置
の製造方法。
2. A back plate on which electron-emitting devices are formed, a front plate on which an image forming member is formed and arranged at a position facing the back plate, and wherein the back plate is located between the back plate and the front plate. In a method for manufacturing an image display device, comprising: a support frame surrounding a peripheral edge of a back plate and the front plate; and a spacer for supporting atmospheric pressure provided between the back plate and the front plate, wherein the spacer has a length A step of forming a first glass frit at an end thereof using a substrate shorter than a distance between the back plate and the front plate defined by the support frame; and a first glass frit at an end. Adhering and fixing the opposite end of the formed spacer to the back plate, and further adhering and fixing the support frame to the back plate; and a first glass frit at the support frame fixing position of the front plate. And softening temperature equal When the second glass frit is overlapped with the back plate to which the spacer and the support frame are fixed, the thickness of the second glass frit is such that the end of the spacer does not touch the front substrate or a member formed on the front substrate. An image display apparatus comprising: a step of forming a back plate on which a spacer and a support frame are fixed; and a step of laminating a front plate on which a second glass frit is formed, and heating and bonding and fixing the back plate. Manufacturing method.
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