JP3239516B2 - 面発光半導体レーザー - Google Patents
面発光半導体レーザーInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、面発光半導体レーザ
ーに関する。
ーに関する。
【０００２】
【従来の技術】面発光レーザーは、二次元集積化が可能
なことや、ウエハ状態で動作チェックを行うことができ
ることなどにより注目を集めており、活発に研究が行わ
れている。この面発光レーザーは、そのレーザー共振器
構造の点から、垂直共振器型、水平共振器型および曲が
り共振器型の三種類に大別される。
なことや、ウエハ状態で動作チェックを行うことができ
ることなどにより注目を集めており、活発に研究が行わ
れている。この面発光レーザーは、そのレーザー共振器
構造の点から、垂直共振器型、水平共振器型および曲が
り共振器型の三種類に大別される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
垂直共振器型の面発光レーザーでは通常、出力はμＷレ
ベルからせいぜい数ｍＷレベルであり、それ以上の高出
力化は望めない。また、信頼性に関してもこれまでに報
告例がなく、今後、並列光演算素子などへの応用を考え
ると問題となる（例えば、Jpn.Appl.Phys.18,2329(197
9) およびAppl.Phys.Lett.55(3),221(1989)）。
垂直共振器型の面発光レーザーでは通常、出力はμＷレ
ベルからせいぜい数ｍＷレベルであり、それ以上の高出
力化は望めない。また、信頼性に関してもこれまでに報
告例がなく、今後、並列光演算素子などへの応用を考え
ると問題となる（例えば、Jpn.Appl.Phys.18,2329(197
9) およびAppl.Phys.Lett.55(3),221(1989)）。
【０００４】一方、従来の水平共振器型の面発光レーザ
ーや曲がり共振器型の面発光レーザーでは、外部に４５
度の反射鏡を形成したり、内部に４５度の反射鏡や回折
格子を形成したりすることにより面発光を実現している
が、外部の反射鏡を用いた場合にはその面積分だけ面発
光レーザー１個当たりの占有面積が大きくなるため集積
化する場合に不利であり、また、レーザー構造と同時に
反射鏡や回折格子を形成すると製造プロセスが複雑にな
ってしまうという問題がある（例えば、Appl.Phys.Let
t.57(20),2048(1990)、Appl.Phys.Lett.50(24),1705(19
87)および"Conf.on Lasers and Electro-Optics(CLE
O)",402(1989)）。
ーや曲がり共振器型の面発光レーザーでは、外部に４５
度の反射鏡を形成したり、内部に４５度の反射鏡や回折
格子を形成したりすることにより面発光を実現している
が、外部の反射鏡を用いた場合にはその面積分だけ面発
光レーザー１個当たりの占有面積が大きくなるため集積
化する場合に不利であり、また、レーザー構造と同時に
反射鏡や回折格子を形成すると製造プロセスが複雑にな
ってしまうという問題がある（例えば、Appl.Phys.Let
t.57(20),2048(1990)、Appl.Phys.Lett.50(24),1705(19
87)および"Conf.on Lasers and Electro-Optics(CLE
O)",402(1989)）。
【０００５】従って、この発明の目的は、製造プロセス
が簡単でしかも集積化する場合にも有利な面発光レーザ
ーを実現することができる半導体レーザーを提供するこ
とにある。
が簡単でしかも集積化する場合にも有利な面発光レーザ
ーを実現することができる半導体レーザーを提供するこ
とにある。
【０００６】この発明の他の目的は、高出力かつ高信頼
性の面発光レーザーを実現することができる半導体レー
ザーを提供することにある。
性の面発光レーザーを実現することができる半導体レー
ザーを提供することにある。
【０００７】この発明のさらに他の目的は、任意のコヒ
ーレンス性やビーム形状を有するレーザー光が得られる
面発光レーザーを実現することができる半導体レーザー
を提供することにある。
ーレンス性やビーム形状を有するレーザー光が得られる
面発光レーザーを実現することができる半導体レーザー
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の発明は、水平共振器構造を有し、
動作時にこの水平共振器内に発生する光場の中に散乱体
（７）が非周期的に設けられている面発光半導体レーザ
ーである。
め、この発明の第１の発明は、水平共振器構造を有し、
動作時にこの水平共振器内に発生する光場の中に散乱体
（７）が非周期的に設けられている面発光半導体レーザ
ーである。
【０００９】この発明の第２の発明は、第１の発明によ
る面発光半導体レーザーにおいて、散乱体は活性層の近
傍に設けられている面発光半導体レーザーである。
る面発光半導体レーザーにおいて、散乱体は活性層の近
傍に設けられている面発光半導体レーザーである。
【００１０】この発明の第３の発明は、第１の発明によ
る面発光半導体レーザーにおいて、散乱体は溝である面
発光半導体レーザーである。
る面発光半導体レーザーにおいて、散乱体は溝である面
発光半導体レーザーである。
【００１１】この発明の第４の発明は、第１の発明によ
る面発光半導体レーザーにおいて、散乱体は高屈折率の
材料から成る面発光半導体レーザーである。
る面発光半導体レーザーにおいて、散乱体は高屈折率の
材料から成る面発光半導体レーザーである。
【００１２】この発明の第５の発明は、第１の発明によ
る面発光半導体レーザーにおいて、光場の光を基板
（１）と反対側に反射させるための第１の反射鏡（２）
が設けられている面発光半導体レーザーである。
る面発光半導体レーザーにおいて、光場の光を基板
（１）と反対側に反射させるための第１の反射鏡（２）
が設けられている面発光半導体レーザーである。
【００１３】この発明の第６の発明は、第２の発明、第
３の発明、第４の発明または第５の発明による半導体レ
ーザーにおいて、水平共振器の反射端面に第２の反射鏡
（９）が設けられている半導体レーザーである。
３の発明、第４の発明または第５の発明による半導体レ
ーザーにおいて、水平共振器の反射端面に第２の反射鏡
（９）が設けられている半導体レーザーである。
【００１４】
【作用】第１および第２の発明による面発光半導体レー
ザーによれば、動作時に水平共振器内に発生する光場の
中、例えば活性層の近傍に散乱体（７）が非周期的に設
けられているので、この散乱体（７）により光場の光を
散乱させることができる。従って、この散乱光のうち基
板と反対側に出射する光を用いることにより、さらには
残りの散乱光をも反射鏡などを用いて基板と反対側に出
射させるようにすることにより、従来の水平共振器型の
面発光レーザーや曲がり共振器型の面発光レーザーのよ
うに４５度反射鏡や回折格子を用いないでも面発光を実
現することができる。そして、４５度反射鏡や回折格子
を形成しないで済むため、簡単な製造プロセスで面発光
レーザーを製造することができるとともに、面発光レー
ザー１個当たりの占有面積を小さくすることができるこ
とにより集積化する場合に有利である。さらに、散乱体
（７）の形状、大きさ、数などを適当に選択することに
よって、任意のコヒーレンス性やビーム形状を有するレ
ーザー光を得ることができ、多様な用途に対応すること
ができる。
ザーによれば、動作時に水平共振器内に発生する光場の
中、例えば活性層の近傍に散乱体（７）が非周期的に設
けられているので、この散乱体（７）により光場の光を
散乱させることができる。従って、この散乱光のうち基
板と反対側に出射する光を用いることにより、さらには
残りの散乱光をも反射鏡などを用いて基板と反対側に出
射させるようにすることにより、従来の水平共振器型の
面発光レーザーや曲がり共振器型の面発光レーザーのよ
うに４５度反射鏡や回折格子を用いないでも面発光を実
現することができる。そして、４５度反射鏡や回折格子
を形成しないで済むため、簡単な製造プロセスで面発光
レーザーを製造することができるとともに、面発光レー
ザー１個当たりの占有面積を小さくすることができるこ
とにより集積化する場合に有利である。さらに、散乱体
（７）の形状、大きさ、数などを適当に選択することに
よって、任意のコヒーレンス性やビーム形状を有するレ
ーザー光を得ることができ、多様な用途に対応すること
ができる。
【００１５】また、水平共振器構造を有することによ
り、従来の垂直共振器型の面発光レーザーに比べて高出
力かつ高信頼性の面発光レーザーを実現することができ
る。
り、従来の垂直共振器型の面発光レーザーに比べて高出
力かつ高信頼性の面発光レーザーを実現することができ
る。
【００１６】第３の発明および第４の発明による半導体
レーザーによれば、エッチング技術やエピタキシャル成
長技術により、散乱体を容易に形成することができる。
レーザーによれば、エッチング技術やエピタキシャル成
長技術により、散乱体を容易に形成することができる。
【００１７】第５の発明による半導体レーザーによれ
ば、散乱体により散乱された光場の光のうち基板（１）
側に散乱された光を第１の反射鏡（２）により基板
（１）と反対側に反射させることができるため、基板面
と垂直方向に効率良くレーザー光を取り出すことができ
る。さらに、共振器内で発生する自然放出光も、第１の
反射鏡（２）により反射されて活性層に戻される。これ
らによって、低しきい値電流密度、低しきい値電流およ
び低消費電力の面発光レーザーを実現することができ
る。
ば、散乱体により散乱された光場の光のうち基板（１）
側に散乱された光を第１の反射鏡（２）により基板
（１）と反対側に反射させることができるため、基板面
と垂直方向に効率良くレーザー光を取り出すことができ
る。さらに、共振器内で発生する自然放出光も、第１の
反射鏡（２）により反射されて活性層に戻される。これ
らによって、低しきい値電流密度、低しきい値電流およ
び低消費電力の面発光レーザーを実現することができ
る。
【００１８】第６の発明による半導体レーザーによれ
ば、水平共振器の反射端面に第２の反射鏡（９）が設け
られていることにより、水平共振器の反射端面から光場
の光が出射するのを有効に防止することができる。これ
によって、散乱体により散乱された光場の光を基板面と
垂直方向に効率良く取り出すことができ、従って低しき
い値電流密度、低しきい値電流および低消費電力の面発
光レーザーを実現することができる。
ば、水平共振器の反射端面に第２の反射鏡（９）が設け
られていることにより、水平共振器の反射端面から光場
の光が出射するのを有効に防止することができる。これ
によって、散乱体により散乱された光場の光を基板面と
垂直方向に効率良く取り出すことができ、従って低しき
い値電流密度、低しきい値電流および低消費電力の面発
光レーザーを実現することができる。
【００１９】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００２０】図１はこの発明の一実施例による面発光レ
ーザーを示す。
ーザーを示す。
【００２１】図１に示すように、この実施例による面発
光レーザーにおいては、ｎ型半導体基板１上に、低屈折
率の半導体膜２ａと高屈折率の半導体膜２ｂとが交互に
積層された分布反射型（Distributed Bragg Reflector,
ＤＢＲ）半導体多層膜２、ｎ型クラッド層３、活性層
４、ｐ型クラッド層５およびｐ型キャップ層６が順次設
けられている。そして、ｎ型クラッド層３、活性層４お
よびｐ型クラッド層５により、ダブルヘテロ（ＤＨ）構
造の水平共振器が形成されている。
光レーザーにおいては、ｎ型半導体基板１上に、低屈折
率の半導体膜２ａと高屈折率の半導体膜２ｂとが交互に
積層された分布反射型（Distributed Bragg Reflector,
ＤＢＲ）半導体多層膜２、ｎ型クラッド層３、活性層
４、ｐ型クラッド層５およびｐ型キャップ層６が順次設
けられている。そして、ｎ型クラッド層３、活性層４お
よびｐ型クラッド層５により、ダブルヘテロ（ＤＨ）構
造の水平共振器が形成されている。
【００２２】後述のように、ＤＢＲ半導体多層膜２は高
効率の面発光を実現するための反射鏡として用いられる
ものであるが、高い反射率を得るための低屈折率の半導
体膜２ａと高屈折率の半導体膜２ｂとの一層当たりの最
適な膜厚ｄi は、真空中の光の波長をλ、半導体の屈折
率をｎとすると、次式で示される。 ｄi ＝（２ｍ＋１）×（λ／４ｎ） （ｍ＝０、１、２、３、…） (1) (1)式の条件を満たす膜厚ｄi を有する低屈折率の半導
体膜２ａと高屈折率の半導体膜２ｂとを交互に積層する
ことにより、反射率が高いＤＢＲ半導体多層膜２を得る
ことができる。ここで、低屈折率の半導体膜２ａと高屈
折率の半導体膜２ｂとは、１０層以上、すなわち５周期
以上積層するのが好ましい。
効率の面発光を実現するための反射鏡として用いられる
ものであるが、高い反射率を得るための低屈折率の半導
体膜２ａと高屈折率の半導体膜２ｂとの一層当たりの最
適な膜厚ｄi は、真空中の光の波長をλ、半導体の屈折
率をｎとすると、次式で示される。 ｄi ＝（２ｍ＋１）×（λ／４ｎ） （ｍ＝０、１、２、３、…） (1) (1)式の条件を満たす膜厚ｄi を有する低屈折率の半導
体膜２ａと高屈折率の半導体膜２ｂとを交互に積層する
ことにより、反射率が高いＤＢＲ半導体多層膜２を得る
ことができる。ここで、低屈折率の半導体膜２ａと高屈
折率の半導体膜２ｂとは、１０層以上、すなわち５周期
以上積層するのが好ましい。
【００２３】この実施例による面発光レーザーにおいて
は、ｐ型クラッド層５に、後述のように光の散乱体とな
る縦方向（基板面に垂直な方向）の溝７が形成されてい
る。この溝７は、活性層４の直上までの深さを有し、か
つ、水平共振器の一端から他端にわたって形成されてい
る。
は、ｐ型クラッド層５に、後述のように光の散乱体とな
る縦方向（基板面に垂直な方向）の溝７が形成されてい
る。この溝７は、活性層４の直上までの深さを有し、か
つ、水平共振器の一端から他端にわたって形成されてい
る。
【００２４】また、ｐ型キャップ層６のうち溝７の周辺
の部分は除去されており、この除去部における溝７以外
の部分のｐ型クラッド層５の表面には、例えばＳｉ3 Ｎ
4 膜のような誘電体膜から成る反射防止膜８が形成され
ている。この反射防止膜８の膜厚ｄ´は、この反射防止
膜８を形成する材料の屈折率をｎ´とすると、 ｄ´＝λ／（４ｎ´） (2) に選ばれる。
の部分は除去されており、この除去部における溝７以外
の部分のｐ型クラッド層５の表面には、例えばＳｉ3 Ｎ
4 膜のような誘電体膜から成る反射防止膜８が形成され
ている。この反射防止膜８の膜厚ｄ´は、この反射防止
膜８を形成する材料の屈折率をｎ´とすると、 ｄ´＝λ／（４ｎ´） (2) に選ばれる。
【００２５】さらに、この実施例による面発光レーザー
の基板面に垂直な側面には、 (1)式と同様な条件を満足
する膜厚を有する低屈折率の誘電体膜と高屈折率の誘電
体膜とが交互に積層された高反射率の誘電体多層膜９が
形成されている。
の基板面に垂直な側面には、 (1)式と同様な条件を満足
する膜厚を有する低屈折率の誘電体膜と高屈折率の誘電
体膜とが交互に積層された高反射率の誘電体多層膜９が
形成されている。
【００２６】一方、ｎ型半導体基板１の裏面にはｎ側の
オーミック電極１０が形成され、ｐ型キャップ層６上に
はｐ側のオーミック電極１１が形成されている。
オーミック電極１０が形成され、ｐ型キャップ層６上に
はｐ側のオーミック電極１１が形成されている。
【００２７】次に、上述のように構成されたこの実施例
による面発光レーザーの製造方法について説明する。
による面発光レーザーの製造方法について説明する。
【００２８】図１に示すように、まず、例えば有機金属
化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法や分子線エピタキシー
（ＭＢＥ）法により、ｎ型半導体基板１上に、ＤＢＲ半
導体多層膜２、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラ
ッド層５およびｐ型キャップ層６を順次エピタキシャル
成長させる。
化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法や分子線エピタキシー
（ＭＢＥ）法により、ｎ型半導体基板１上に、ＤＢＲ半
導体多層膜２、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラ
ッド層５およびｐ型キャップ層６を順次エピタキシャル
成長させる。
【００２９】次に、ｐ型キャップ層６の所定部分をエッ
チング除去して図１に示すような形状とした後、この除
去部に露出したｐ型クラッド層５の所定部分を活性層４
の直上までエッチング除去して溝７を形成する。この溝
７を形成するためのエッチングは、例えば反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）法のようなドライエッチング法や
ウエットエッチング法により行うことができる。
チング除去して図１に示すような形状とした後、この除
去部に露出したｐ型クラッド層５の所定部分を活性層４
の直上までエッチング除去して溝７を形成する。この溝
７を形成するためのエッチングは、例えば反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）法のようなドライエッチング法や
ウエットエッチング法により行うことができる。
【００３０】次に、溝７の周辺の部分のｐ型クラッド層
５上に反射防止膜８を形成した後、ｐ型キャップ層６上
にｐ側のオーミック電極１１を形成するとともに、ｎ型
半導体基板１の裏面にｎ側のオーミック電極１０を形成
する。
５上に反射防止膜８を形成した後、ｐ型キャップ層６上
にｐ側のオーミック電極１１を形成するとともに、ｎ型
半導体基板１の裏面にｎ側のオーミック電極１０を形成
する。
【００３１】次に、このようにしてレーザー構造が形成
されたｎ型半導体基板１を例えばバー状に劈開し、この
劈開面に誘電体多層膜９を形成した後、このバーをチッ
プ化する。なお、劈開を行う代わりに、ドライエッチン
グやウエットエッチングを行ってもよい。
されたｎ型半導体基板１を例えばバー状に劈開し、この
劈開面に誘電体多層膜９を形成した後、このバーをチッ
プ化する。なお、劈開を行う代わりに、ドライエッチン
グやウエットエッチングを行ってもよい。
【００３２】以上のようにして、図１に示すような面発
光レーザーが完成される。
光レーザーが完成される。
【００３３】次に、この実施例による面発光レーザーの
動作原理について説明する。
動作原理について説明する。
【００３４】いま、図１に示すようにｘ、ｙ、ｚ軸をと
り、マクスウェル方程式より、ｎ型クラッド層３、活性
層４およびｐ型クラッド層５から成るＤＨ構造の水平共
振器内に発生する光場の光の電界ベクトル成分Ｅy を求
めると、次式のようになる。ただし、活性層４の厚さ方
向の中心にｘ軸の原点をとり、また、活性層４の厚さを
ｄとする。 Ｅy ＝Ａ exp（−κ（ｘ−（ｄ／２））） （ｘ＞ｄ／２） Ｅy ＝Ｂ cos（ｋy ｘ）＋Ｃ sin（ｋy ｘ）（ｄ／２≧ｘ≧−ｄ／２） (3) Ｅy ＝Ｄ exp（κ（ｘ＋（ｄ／２））） （ｘ＜−ｄ／２） ここで、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは定数、ｋy は波数ベクトルの
ｙ成分である。また、κはｋy とκ2 ＋ｋy 2 ＝（ｎ2
2 −ｎ1 2 ）ｋ0 2 （ただし、ｎ1 はｎ型クラッド層３
およびｐ型クラッド層５の屈折率、ｎ2 は活性層４の屈
折率、ｋ0 は真空中の光の波数）なる関係を有する量で
ある。
り、マクスウェル方程式より、ｎ型クラッド層３、活性
層４およびｐ型クラッド層５から成るＤＨ構造の水平共
振器内に発生する光場の光の電界ベクトル成分Ｅy を求
めると、次式のようになる。ただし、活性層４の厚さ方
向の中心にｘ軸の原点をとり、また、活性層４の厚さを
ｄとする。 Ｅy ＝Ａ exp（−κ（ｘ−（ｄ／２））） （ｘ＞ｄ／２） Ｅy ＝Ｂ cos（ｋy ｘ）＋Ｃ sin（ｋy ｘ）（ｄ／２≧ｘ≧−ｄ／２） (3) Ｅy ＝Ｄ exp（κ（ｘ＋（ｄ／２））） （ｘ＜−ｄ／２） ここで、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは定数、ｋy は波数ベクトルの
ｙ成分である。また、κはｋy とκ2 ＋ｋy 2 ＝（ｎ2
2 −ｎ1 2 ）ｋ0 2 （ただし、ｎ1 はｎ型クラッド層３
およびｐ型クラッド層５の屈折率、ｎ2 は活性層４の屈
折率、ｋ0 は真空中の光の波数）なる関係を有する量で
ある。
【００３５】(3)式は、ｎ型クラッド層３およびｐ型ク
ラッド層４では減衰解を有し、活性層４では振動解を有
することを意味する。
ラッド層４では減衰解を有し、活性層４では振動解を有
することを意味する。
【００３６】ここで、 (3)式に基づいて光強度｜Ｅy ｜
2 の分布を計算により求めた結果の一例を示すと、図２
に示すようになる。ただし、この計算においては、活性
層４として厚さ８０ｎｍのＧａＡｓ層（ｎ2 ＝３．５６
６）を用い、ｎ型クラッド層３およびｐ型クラッド層５
としてそれぞれｎ型ＡｌＧａＡｓ層およびｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ層を用いた（ｎ1 ＝３．２８７）。この場合、発振
されるレーザー光の波長は８６０ｎｍである。
2 の分布を計算により求めた結果の一例を示すと、図２
に示すようになる。ただし、この計算においては、活性
層４として厚さ８０ｎｍのＧａＡｓ層（ｎ2 ＝３．５６
６）を用い、ｎ型クラッド層３およびｐ型クラッド層５
としてそれぞれｎ型ＡｌＧａＡｓ層およびｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ層を用いた（ｎ1 ＝３．２８７）。この場合、発振
されるレーザー光の波長は８６０ｎｍである。
【００３７】図２から明らかなように、ｎ型クラッド層
３、活性層４およびｐ型クラッド層５から成るＤＨ構造
の水平共振器が活性層４に関してｘ軸方向に対称な屈折
率分布を有することを反映して、活性層４の近傍に光場
が存在する。この場合、光強度｜Ｅy ｜2 の分布の半値
幅は０．２３μｍであり、また、光強度｜Ｅy ｜2 がそ
のピーク値の１／ｅ2 （ｅは自然対数の底）になるとこ
ろでの分布の全幅で光場の大きさを示すとすると、それ
は約０．６μｍになる。
３、活性層４およびｐ型クラッド層５から成るＤＨ構造
の水平共振器が活性層４に関してｘ軸方向に対称な屈折
率分布を有することを反映して、活性層４の近傍に光場
が存在する。この場合、光強度｜Ｅy ｜2 の分布の半値
幅は０．２３μｍであり、また、光強度｜Ｅy ｜2 がそ
のピーク値の１／ｅ2 （ｅは自然対数の底）になるとこ
ろでの分布の全幅で光場の大きさを示すとすると、それ
は約０．６μｍになる。
【００３８】この実施例による面発光レーザーにおいて
は、ｐ型クラッド層５に形成された溝７は、活性層４の
近傍の光場の中に入っている。この溝７は、典型的に
は、活性層４から〜０．８μｍ以内の距離のところに形
成される。この場合、この溝７は光場の光に対する散乱
体として働く。すなわち、図３に示すように、動作時に
オーミック電極１０、１１の間に順方向電流を流すこと
により共振器内に発生する光場の光は、溝７により任意
の方向に散乱される。この溝７による散乱光のうちｎ型
半導体基板１と反対側（図３中、上方）に散乱された光
は、そのまま上面から出射される。また、溝７による散
乱光のうちｎ型半導体基板１側（図３中、下方）に散乱
された光は、反射鏡としてのＤＢＲ半導体多層膜２によ
りｎ型半導体基板１と反対側に反射され、従って上面か
ら出射されることになる。以上により、ｎ型半導体基板
１と反対側に効率良くレーザー光を取り出すことができ
る。そして、これによって、水平共振器を用いて面発光
を実現することができる。
は、ｐ型クラッド層５に形成された溝７は、活性層４の
近傍の光場の中に入っている。この溝７は、典型的に
は、活性層４から〜０．８μｍ以内の距離のところに形
成される。この場合、この溝７は光場の光に対する散乱
体として働く。すなわち、図３に示すように、動作時に
オーミック電極１０、１１の間に順方向電流を流すこと
により共振器内に発生する光場の光は、溝７により任意
の方向に散乱される。この溝７による散乱光のうちｎ型
半導体基板１と反対側（図３中、上方）に散乱された光
は、そのまま上面から出射される。また、溝７による散
乱光のうちｎ型半導体基板１側（図３中、下方）に散乱
された光は、反射鏡としてのＤＢＲ半導体多層膜２によ
りｎ型半導体基板１と反対側に反射され、従って上面か
ら出射されることになる。以上により、ｎ型半導体基板
１と反対側に効率良くレーザー光を取り出すことができ
る。そして、これによって、水平共振器を用いて面発光
を実現することができる。
【００３９】この場合、水平共振器の反射端面には高反
射率の誘電体多層膜９が形成されているため、この水平
共振器の反射端面から光が出射されるのを防止すること
ができる。また、溝７の上方の部分のｐ型キャップ層６
が除去されていることから、ｎ型半導体基板１と反対側
に出射されるレーザー光がｐ型キャップ層６で吸収され
るのを防止することができる。さらにまた、溝７の周辺
の部分のｐ型クラッド層５上には反射防止膜８が形成さ
れているので、ｐ型クラッド層５の上面の反射率を小さ
くすることができる。これらにより、ｎ型半導体基板１
と反対側にレーザー光を一層効率良く取り出すことがで
きる。そして、これによって、面発光レーザーのしきい
値電流密度およびしきい値電流の低減を図ることがで
き、従って面発光レーザーの低消費電力化を図ることが
できる。
射率の誘電体多層膜９が形成されているため、この水平
共振器の反射端面から光が出射されるのを防止すること
ができる。また、溝７の上方の部分のｐ型キャップ層６
が除去されていることから、ｎ型半導体基板１と反対側
に出射されるレーザー光がｐ型キャップ層６で吸収され
るのを防止することができる。さらにまた、溝７の周辺
の部分のｐ型クラッド層５上には反射防止膜８が形成さ
れているので、ｐ型クラッド層５の上面の反射率を小さ
くすることができる。これらにより、ｎ型半導体基板１
と反対側にレーザー光を一層効率良く取り出すことがで
きる。そして、これによって、面発光レーザーのしきい
値電流密度およびしきい値電流の低減を図ることがで
き、従って面発光レーザーの低消費電力化を図ることが
できる。
【００４０】また、この実施例による面発光レーザーに
よれば、反射鏡としてのＤＢＲ半導体多層膜２を有する
ことにより、水平共振器内に発生する自然放出光がこの
ＤＢＲ半導体多層膜２で反射されて活性層４に戻される
ため（いわゆるフォトンリサイクリング）、これによっ
ても従来の面発光レーザーに比べてしきい値電流密度の
低減を図ることができる。
よれば、反射鏡としてのＤＢＲ半導体多層膜２を有する
ことにより、水平共振器内に発生する自然放出光がこの
ＤＢＲ半導体多層膜２で反射されて活性層４に戻される
ため（いわゆるフォトンリサイクリング）、これによっ
ても従来の面発光レーザーに比べてしきい値電流密度の
低減を図ることができる。
【００４１】さらに、この実施例による面発光レーザー
は、水平共振器構造を有することから、従来の垂直共振
器型の面発光レーザーに比べて、出力および信頼性の向
上を図ることができる。また、この実施例による面発光
レーザーは、従来の水平共振器型の面発光レーザーや曲
がり共振器型の面発光レーザーのように４５度反射鏡や
回折格子を用いていないことから、製造プロセスが簡単
である上に、面発光レーザー１個当たりの占有面積を小
さくすることができることにより集積化する場合に有利
である。
は、水平共振器構造を有することから、従来の垂直共振
器型の面発光レーザーに比べて、出力および信頼性の向
上を図ることができる。また、この実施例による面発光
レーザーは、従来の水平共振器型の面発光レーザーや曲
がり共振器型の面発光レーザーのように４５度反射鏡や
回折格子を用いていないことから、製造プロセスが簡単
である上に、面発光レーザー１個当たりの占有面積を小
さくすることができることにより集積化する場合に有利
である。
【００４２】さらにまた、光場の光に対する散乱体とし
て働く溝７の形状、大きさ、数などを適切に設計するこ
とにより、レーザー光のコヒーレンス性やビーム形状な
どのレーザー特性を任意に変えることができる。
て働く溝７の形状、大きさ、数などを適切に設計するこ
とにより、レーザー光のコヒーレンス性やビーム形状な
どのレーザー特性を任意に変えることができる。
【００４３】次に、この実施例による面発光レーザーの
特性の測定結果の一例について説明する。ただし、この
測定には図４に示すような構造を有する面発光レーザー
を用いた。図４中、符号１２は、図１においては図示さ
れていない絶縁膜を示す。また、図４においては、図１
に示されている反射防止膜８および誘電体多層膜９の図
示を省略した。
特性の測定結果の一例について説明する。ただし、この
測定には図４に示すような構造を有する面発光レーザー
を用いた。図４中、符号１２は、図１においては図示さ
れていない絶縁膜を示す。また、図４においては、図１
に示されている反射防止膜８および誘電体多層膜９の図
示を省略した。
【００４４】図４において、ｎ型半導体基板１としては
ｎ型ＧａＡｓ基板、ｎ型クラッド層３としては厚さ１．
５μｍのｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層、活性層４として
は厚さ８０ｎｍのＧａＡｓ層、ｐ型クラッド層５として
は厚さ１．５μｍのｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層、ｐ型
キャップ層６としてはｐ型ＧａＡｓ層を用いた。ＤＢＲ
半導体多層膜２としては、低屈折率の半導体膜２ａとし
ての厚さ６５．５ｎｍのＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層と高屈
折率の半導体膜２ｂとしての厚さ５９．５ｎｍのＧａＡ
ｓ層とを２０周期積層したものを用いた。このＤＢＲ半
導体多層膜２の反射率としては、〜９０％が得られた。
ＤＢＲ半導体多層膜２、ｎ型クラッド層３、活性層４、
ｐ型クラッド層５およびｐ型キャップ層６は、いずれも
ＭＯＣＶＤ法により形成した。また、溝７としては、ｐ
型クラッド層５を活性層４の直上〜０．２μｍの深さま
でＲＩＥ法により基板面に対して垂直にエッチングする
ことにより形成された幅６μｍの溝を用いた。さらに、
水平共振器の反射端面は劈開により形成し、この反射端
面に誘電体多層膜９としてＡｌ2 Ｏ3 膜とＳｉ膜とを４
周期積層したものを形成した。この誘電体多層膜９の反
射率としては、約９８％が得られた。この図４に示す面
発光レーザーの共振器長Ｌは３００μｍであり、ストラ
イプ幅Ｓは１００μｍである。
ｎ型ＧａＡｓ基板、ｎ型クラッド層３としては厚さ１．
５μｍのｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層、活性層４として
は厚さ８０ｎｍのＧａＡｓ層、ｐ型クラッド層５として
は厚さ１．５μｍのｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層、ｐ型
キャップ層６としてはｐ型ＧａＡｓ層を用いた。ＤＢＲ
半導体多層膜２としては、低屈折率の半導体膜２ａとし
ての厚さ６５．５ｎｍのＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層と高屈
折率の半導体膜２ｂとしての厚さ５９．５ｎｍのＧａＡ
ｓ層とを２０周期積層したものを用いた。このＤＢＲ半
導体多層膜２の反射率としては、〜９０％が得られた。
ＤＢＲ半導体多層膜２、ｎ型クラッド層３、活性層４、
ｐ型クラッド層５およびｐ型キャップ層６は、いずれも
ＭＯＣＶＤ法により形成した。また、溝７としては、ｐ
型クラッド層５を活性層４の直上〜０．２μｍの深さま
でＲＩＥ法により基板面に対して垂直にエッチングする
ことにより形成された幅６μｍの溝を用いた。さらに、
水平共振器の反射端面は劈開により形成し、この反射端
面に誘電体多層膜９としてＡｌ2 Ｏ3 膜とＳｉ膜とを４
周期積層したものを形成した。この誘電体多層膜９の反
射率としては、約９８％が得られた。この図４に示す面
発光レーザーの共振器長Ｌは３００μｍであり、ストラ
イプ幅Ｓは１００μｍである。
【００４５】図４に示す面発光レーザーの光出力−電流
特性（Ｌ−Ｉ特性）の測定結果の一例を図５に示す。図
５より、光出力として十数ｍＷが得られていることがわ
かる。この光出力の値は従来の垂直共振器型の面発光レ
ーザーに比較して数倍程度高い。また、図５より求めら
れるしきい値電流から計算されるしきい値電流密度は〜
０．７ｋＡ／ｃｍ2 であり、この値は通常の水平共振器
型の半導体レーザーのしきい値電流密度と同程度または
それ以下である。
特性（Ｌ−Ｉ特性）の測定結果の一例を図５に示す。図
５より、光出力として十数ｍＷが得られていることがわ
かる。この光出力の値は従来の垂直共振器型の面発光レ
ーザーに比較して数倍程度高い。また、図５より求めら
れるしきい値電流から計算されるしきい値電流密度は〜
０．７ｋＡ／ｃｍ2 であり、この値は通常の水平共振器
型の半導体レーザーのしきい値電流密度と同程度または
それ以下である。
【００４６】図６は図４に示す面発光レーザーの遠視野
像（Far Field Pattern 、ＦＦＰ）の測定結果の一例を
示す。図６の横軸の角度の定義を図７に示す。図６から
わかるように、ストライプ幅Ｓが１００μｍと大きいに
もかかわらず、ＦＦＰの半値全角は約２６度になり、こ
れは同程度の広い発光面積を有する従来の垂直共振器型
の面発光レーザーで得られる半値全角の値〜１０度に比
べて大きい。ここで、発光面積が広い従来の垂直共振器
型の面発光レーザーで得られる半値全角が小さいのは、
回折の効果がなくなることにより、出射されるコヒーレ
ンス性の高い光の波面が平面波に近くなるからである。
これに対して、図４に示す面発光レーザーで得られる半
値全角が従来の垂直共振器型の面発光レーザーで得られ
る半値全角に比べて大きいのは、空間的コヒーレンス性
が減少しているためであると考えられる。そして、この
ように図４に示す面発光レーザーが従来の垂直共振器型
の面発光レーザーとコヒーレンス性が異なるのは、溝７
による散乱光を用いて面発光を得ているためと考えら
れ、従って溝７の形状、大きさ、数などを変えることに
よって任意のコヒーレンス性を有するレーザー光を得る
ことができる。このような任意のコヒーレンス性を有す
るレーザー光が得られる面発光レーザーは、例えば、ス
ペックルノイズを小さくしたディスプレイ用の光源など
に用いることができる。
像（Far Field Pattern 、ＦＦＰ）の測定結果の一例を
示す。図６の横軸の角度の定義を図７に示す。図６から
わかるように、ストライプ幅Ｓが１００μｍと大きいに
もかかわらず、ＦＦＰの半値全角は約２６度になり、こ
れは同程度の広い発光面積を有する従来の垂直共振器型
の面発光レーザーで得られる半値全角の値〜１０度に比
べて大きい。ここで、発光面積が広い従来の垂直共振器
型の面発光レーザーで得られる半値全角が小さいのは、
回折の効果がなくなることにより、出射されるコヒーレ
ンス性の高い光の波面が平面波に近くなるからである。
これに対して、図４に示す面発光レーザーで得られる半
値全角が従来の垂直共振器型の面発光レーザーで得られ
る半値全角に比べて大きいのは、空間的コヒーレンス性
が減少しているためであると考えられる。そして、この
ように図４に示す面発光レーザーが従来の垂直共振器型
の面発光レーザーとコヒーレンス性が異なるのは、溝７
による散乱光を用いて面発光を得ているためと考えら
れ、従って溝７の形状、大きさ、数などを変えることに
よって任意のコヒーレンス性を有するレーザー光を得る
ことができる。このような任意のコヒーレンス性を有す
るレーザー光が得られる面発光レーザーは、例えば、ス
ペックルノイズを小さくしたディスプレイ用の光源など
に用いることができる。
【００４７】図１または図４に示す面発光レーザーにお
いては、四角柱状の水平共振器を用いているが、水平共
振器としては面発光の方向を軸とする柱状のものであれ
ば任意の形状のものを用いることができる。例えば、図
８Ａに示すような三角柱状の水平共振器、図８Ｂに示す
ような円柱状の水平共振器、図８Ｃに示すような六角柱
状の水平共振器、さらには図８Ｄに示すような不規則な
断面形状を有する柱状の水平共振器を用いることができ
る。
いては、四角柱状の水平共振器を用いているが、水平共
振器としては面発光の方向を軸とする柱状のものであれ
ば任意の形状のものを用いることができる。例えば、図
８Ａに示すような三角柱状の水平共振器、図８Ｂに示す
ような円柱状の水平共振器、図８Ｃに示すような六角柱
状の水平共振器、さらには図８Ｄに示すような不規則な
断面形状を有する柱状の水平共振器を用いることができ
る。
【００４８】さらに、散乱体として用いられる溝の断面
形状も、図９Ａに示すような円、図９Ｂに示すような三
角形、図９Ｃに示すような十字形、図９Ｄに示すような
四角形、図９Ｅに示すような星形、図９Ｆに示すような
不規則な形など、任意の形状でよい。
形状も、図９Ａに示すような円、図９Ｂに示すような三
角形、図９Ｃに示すような十字形、図９Ｄに示すような
四角形、図９Ｅに示すような星形、図９Ｆに示すような
不規則な形など、任意の形状でよい。
【００４９】また、光場の光に対する散乱体としては、
例えば、溝７中にｐ型クラッド層５を形成する材料より
も屈折率の大きい材料を埋め込んだものを用いてもよ
い。より詳細には、ｎ1 ＜ｎs ≦ｎ2 を満足する屈折率
ｎs を有する材料を溝７中に埋め込むことにより散乱体
を構成してもよい。例えば、活性層４がＧａＡｓ層であ
り、ｎ型クラッド層３およびｐ型クラッド層５がそれぞ
れｎ型ＡｌＧａＡｓ層およびｐ型ＡｌＧａＡｓ層である
場合、溝７中に埋め込む材料としては、ｎ型クラッド層
３およびｐ型クラッド層５をそれぞれ形成するｎ型Ａｌ
ＧａＡｓ層およびｐ型ＡｌＧａＡｓ層よりもＡｌ組成比
が小さいＡｌＧａＡｓ層を用いることができる。
例えば、溝７中にｐ型クラッド層５を形成する材料より
も屈折率の大きい材料を埋め込んだものを用いてもよ
い。より詳細には、ｎ1 ＜ｎs ≦ｎ2 を満足する屈折率
ｎs を有する材料を溝７中に埋め込むことにより散乱体
を構成してもよい。例えば、活性層４がＧａＡｓ層であ
り、ｎ型クラッド層３およびｐ型クラッド層５がそれぞ
れｎ型ＡｌＧａＡｓ層およびｐ型ＡｌＧａＡｓ層である
場合、溝７中に埋め込む材料としては、ｎ型クラッド層
３およびｐ型クラッド層５をそれぞれ形成するｎ型Ａｌ
ＧａＡｓ層およびｐ型ＡｌＧａＡｓ層よりもＡｌ組成比
が小さいＡｌＧａＡｓ層を用いることができる。
【００５０】さらに、上述の実施例においては、溝７を
エッチングにより形成しているが、エッチングを用いず
にこの溝７を形成するようにしてもよい。一例として、
選択成長を利用して溝７を形成する方法を図１０に示
す。
エッチングにより形成しているが、エッチングを用いず
にこの溝７を形成するようにしてもよい。一例として、
選択成長を利用して溝７を形成する方法を図１０に示
す。
【００５１】この方法によれば、まず、図１０Ａに示す
ように、ｎ型半導体基板１上にＤＢＲ半導体多層膜２、
ｎ型クラッド層３、活性層４およびｐ型クラッド層５を
順次エピタキシャル成長させる。この時点におけるｐ型
クラッド層５の厚さは、最終的に必要な厚さの途中の厚
さにする。
ように、ｎ型半導体基板１上にＤＢＲ半導体多層膜２、
ｎ型クラッド層３、活性層４およびｐ型クラッド層５を
順次エピタキシャル成長させる。この時点におけるｐ型
クラッド層５の厚さは、最終的に必要な厚さの途中の厚
さにする。
【００５２】次に、図１０Ｂに示すように、ｐ型クラッ
ド層５上の散乱体としての溝の形成予定領域上に、例え
ばＳｉＯ2 膜のような誘電体膜から成る所定形状のマス
ク１３を形成する。このマスク１３を形成する誘電体膜
の厚さをλ／（４ｎ´）に設定することにより、このマ
スク１３を図１に示す反射防止膜８としても使用するこ
とができる。
ド層５上の散乱体としての溝の形成予定領域上に、例え
ばＳｉＯ2 膜のような誘電体膜から成る所定形状のマス
ク１３を形成する。このマスク１３を形成する誘電体膜
の厚さをλ／（４ｎ´）に設定することにより、このマ
スク１３を図１に示す反射防止膜８としても使用するこ
とができる。
【００５３】次に、図１０Ｃに示すように、マスク１３
を成長マスクとして用いて、このマスク１３で覆われて
いない部分の表面に、残りの厚さのｐ型クラッド層５お
よびｐ型キャップ層６を選択的にエピタキシャル成長さ
せる。これによって、散乱体としての溝７を活性層４直
上の設計位置に再現性良く形成することができる。
を成長マスクとして用いて、このマスク１３で覆われて
いない部分の表面に、残りの厚さのｐ型クラッド層５お
よびｐ型キャップ層６を選択的にエピタキシャル成長さ
せる。これによって、散乱体としての溝７を活性層４直
上の設計位置に再現性良く形成することができる。
【００５４】次に、図１０Ｄに示すように、水平共振器
の反射端面となる側面を例えばＲＩＥ法によるエッチン
グや劈開などにより形成した後、この側面に反射鏡とし
て誘電体多層膜（図示せず）を形成する。
の反射端面となる側面を例えばＲＩＥ法によるエッチン
グや劈開などにより形成した後、この側面に反射鏡とし
て誘電体多層膜（図示せず）を形成する。
【００５５】上述の実施例による面発光レーザーにおけ
るｎ型クラッド層３、活性層４およびｐ型クラッド層５
から成るＤＨ構造の水平共振器は、ＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓヘテロ接合のほか、例えばＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩ
ｎＰヘテロ接合やＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰヘテロ接合な
どの各種のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体による半導体ヘテ
ロ接合、さらにはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による半導
体ヘテロ接合により形成するようにしてもよい。なお、
ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰヘテロ接合により水平共振器を
形成する場合、ｎ型半導体基板１としては通常はｎ型Ｉ
ｎＰ基板が用いられる。
るｎ型クラッド層３、活性層４およびｐ型クラッド層５
から成るＤＨ構造の水平共振器は、ＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓヘテロ接合のほか、例えばＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩ
ｎＰヘテロ接合やＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰヘテロ接合な
どの各種のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体による半導体ヘテ
ロ接合、さらにはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による半導
体ヘテロ接合により形成するようにしてもよい。なお、
ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰヘテロ接合により水平共振器を
形成する場合、ｎ型半導体基板１としては通常はｎ型Ｉ
ｎＰ基板が用いられる。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光場の中に散乱体が設けられていることにより、製
造プロセスが簡単であり、集積化する場合に有利であ
り、しかも任意のコヒーレンス性やビーム形状を有する
レーザー光が得られる面発光レーザーを実現することが
できる。また、水平共振器構造とすることにより、高出
力かつ高信頼性の面発光レーザーを実現することができ
る。
ば、光場の中に散乱体が設けられていることにより、製
造プロセスが簡単であり、集積化する場合に有利であ
り、しかも任意のコヒーレンス性やビーム形状を有する
レーザー光が得られる面発光レーザーを実現することが
できる。また、水平共振器構造とすることにより、高出
力かつ高信頼性の面発光レーザーを実現することができ
る。
【図１】この発明の一実施例による面発光レーザーを示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】この発明の一実施例による面発光レーザーにお
ける面発光の方向の光強度分布の一例を示すグラフであ
る。
ける面発光の方向の光強度分布の一例を示すグラフであ
る。
【図３】この発明の一実施例による面発光レーザーにお
ける面発光の原理を説明するための略線図である。
ける面発光の原理を説明するための略線図である。
【図４】この発明の一実施例において光出力−電流特性
の測定を行った面発光レーザーを示す斜視図である。
の測定を行った面発光レーザーを示す斜視図である。
【図５】図４に示す面発光レーザーについて測定された
光出力−電流特性の一例を示すグラフである。
光出力−電流特性の一例を示すグラフである。
【図６】図４に示す面発光レーザーについて測定された
遠視野像の一例を示すグラフである。
遠視野像の一例を示すグラフである。
【図７】図６に示すグラフの横軸の角度の定義を示す略
線図である。
線図である。
【図８】この発明による面発光レーザーにおいて用いら
れる水平共振器の他の例を示す斜視図である。
れる水平共振器の他の例を示す斜視図である。
【図９】この発明による面発光レーザーにおいて散乱体
として用いられる溝の断面形状の他の例を示す平面図で
ある。
として用いられる溝の断面形状の他の例を示す平面図で
ある。
【図１０】この発明による面発光レーザーにおいて散乱
体として用いられる溝の形成方法の他の例を説明するた
めの断面図である。
体として用いられる溝の形成方法の他の例を説明するた
めの断面図である。
１ ｎ型半導体基板 ２ ＤＢＲ半導体多層膜 ３ ｎ型クラッド層 ４ 活性層 ５ ｐ型クラッド層 ６ ｐ型キャップ層 ７ 溝 ８ 反射防止膜 ９ 誘電体多層膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−32979（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−96887（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−270189（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−248283（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−120881（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−257888（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−130455（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (6)
- 【請求項１】 水平共振器構造を有し、動作時にこの水
平共振器内に発生する光場の中に散乱体が非周期的に設
けられていることを特徴とする面発光半導体レーザー。 - 【請求項２】 上記散乱体は活性層の近傍に設けられて
いることを特徴とする請求項１記載の面発光半導体レー
ザー。 - 【請求項３】 上記散乱体は溝であることを特徴とする
請求項１記載の面発光半導体レーザー。 - 【請求項４】 上記散乱体は高屈折率の材料から成るこ
とを特徴とする請求項１記載の面発光半導体レーザー。 - 【請求項５】 上記光場の光を基板と反対側に反射させ
るための第１の反射鏡が設けられていることを特徴とす
る請求項１記載の面発光半導体レーザー。 - 【請求項６】 上記水平共振器の反射端面に第２の反射
鏡が設けられていることを特徴とする請求項１記載の面
発光半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04327993A JP3239516B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 面発光半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04327993A JP3239516B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 面発光半導体レーザー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06237043A JPH06237043A (ja) | 1994-08-23 |
| JP3239516B2 true JP3239516B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=12659373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04327993A Expired - Fee Related JP3239516B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 面発光半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3239516B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3647267B2 (ja) | 1998-05-29 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザーを用いた表面プラズモン共鳴センサ装置 |
| JP4355384B2 (ja) | 1999-01-14 | 2009-10-28 | キヤノン株式会社 | パターン露光方法、露光装置、核酸アレイの形成方法及びペプチドアレイの形成方法 |
| JP6527695B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2019-06-05 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP04327993A patent/JP3239516B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06237043A (ja) | 1994-08-23 |
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