JP3237329B2 - ラスタ走査装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、電子写真方式のデジ
タル複写機やプリンタ等の記録装置に用いられ、画像情
報に応じた光ビームにて一様帯電された感光体をラスタ
走査することにより静電荷潜像を形成するラスタ走査装
置に係り、特に、中間調画像を再現する上で有効なラス
タ走査装置の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、デジタル画像記録装置は、これ
までコンピュータの出力装置として普及してきたが、デ
ジタル複写機としても、画像信号処理により階調の補正
が容易に行なえるので入力画像に忠実な中間調再現が可
能であること、また、世代コピーにおける画質の劣化が
少なく、種々の編集機能が可能であるという特徴を有す
るため、急速に普及してきている。このようなデジタル
複写機においては、静電荷潜像を形成する手段として例
えばレーザ走査装置が用いられるが、従来この種のレー
ザ走査装置としては、レーザ光源より出射された光ビー
ムを入力画像信号の濃度レベルに応じて変調し、感光体
の所定の走査ラインに沿ってラスタ走査して静電荷潜像
を形成するようにしたものが広く実用に供されている。

【０００３】このようなレーザ走査装置にあっては、近
年、更なる高画質を目指し、１画素多値記録方式によ
り、階調性と解像度との両立をねらう記録方式が注目さ
れてきている。この種の多値記録方式には、入力画像信
号の濃度レベルに応じて光ビームの出力値を変調する光
強度変調方式（例えば特開昭５８−１７４９６８号）
と、入力画像信号の濃度レベルに応じてレーザの露光時
間を変調する時間変調（パルス幅変調、面積変調）方式
（例えば特開昭６３−６５７６９号）とがある。

【０００４】ここで、光強度変調方式は、高速化が可能
で、また、走査時の露光時間が各画素について一定であ
るから、出力画像の解像度を一定にすることができると
いう特徴を有する。また、時間変調方式は、１画素の露
光時間（露光面積）を制御して画像を書き込むため、基
本的にはレーザビームのＯＮ／ＯＦＦによって画像を書
き込む２値記録に近く、外部変動要因に対し比較的安定
であり、また、感光体の感度ムラによる影響も発生しに
くいという特徴があり、高画質化に適している。更に、
光強度変調と時間変調とを同時に行なうことによって、
高速性、階調再現性の向上を目指した方式も提案されて
いる（例えば特開昭６１−１２４９２１号）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光強度
変調方式では、図１２に示すように、中間調の再現に、
感光体の中間露光領域（不飽和露光領域）Ａを使用する
ため、露光エネルギの精度要求が厳しく、また、この中
間露光領域Ａでは露光エネルギを制御しても、感光体自
体のもつ光感度のばらつき（図中点線で示す）があるた
め、これが直接画像形成に影響し、その補正が困難であ
る。

【０００６】また、図１３に示すように、半導体レーザ
の出力特性は閾値電流Ｉth以下の領域において大きく変
化し、線形性がなくなるために、階調性のある変調に用
いられる領域は、閾値電流Ｉthと最大電流Ｉmaxとの間
の範囲でしかなく、階調数が多くなるほど再現性を得に
くいという技術的課題がある。

【０００７】これに対し、時間変調方式を用いた場合に
は、図１２に示すように、感光体の飽和露光領域Ｂに当
たる一定の強いレーザビームにて露光時間（露光面積）
を制御することにより画像を書き込むため、外部変動要
因に対し比較的安定であり、また感光体の感度ムラによ
る影響も発生し難いという特徴があり、この点におい
て、滑らかで再現性のある画像を形成することが可能で
ある。

【０００８】しかしながら、上記時間変調方式にて高濃
度レベルの画像を再現しようとすると、各画素間が非常
に近接するため、図１４に示すようなガウス分布（図１
４中Ｌは光ビームの画素ピッチ方向の位置ｘに対する光
量，Ｌ0は最大光量、ｄは（１／ｅ²）Ｌ0の光量レベル
部分の光ビームの広がり幅を示す）を有するレーザビー
ムで走査した場合、レーザビームの隣接画素間の重なり
が生じ、図１５に示すように、本来露光されるべきでな
い未露光部Ｍである部位の電位が減衰してしまう。この
領域は感光体の中間露光領域（不飽和露光領域）Ａであ
り、露光エネルギの出力ムラや外部変動要因及び感光体
の光感度ムラの影響が顕著に現れてしまい、この結果、
未露光部Ｍの感光体電位が非常に不安定なものとなり、
非画像部であるにも拘らず現像バイアスＶBとの関係で
現像可能電位になる部位が不均一に生成され、非常にノ
イジーな画像になってしまうばかりか、これにより、階
調が飛んでしまったり、階調の逆転が生じる等、階調の
再現性を損うという技術的課題が生ずる。尚、図１５
中、ＶHは感光体の帯電電位、Ｖminは最大露光時の感光
体の残留電位を示す。

【０００９】また、光強度変調と時間変調とを同時に行
なう方式のものとしては、例えば時間変調を８段階に
し、夫々に光強度変調を３２段階行い、両者の掛け合わ
せにより２５６段階の階調を実現するようにしたものが
ある。この方式では、光強度の変調数を減らすことがで
きるので、前述したような光強度変調における階調再現
性の問題、特に露光エネルギの精度や外部変調要因に対
しある程度有効ではあるが、感光体自体の感度ムラにつ
いては補正しきれない。結局、どの濃度領域においても
光強度変調を用いるため、階調再現性、特に、感光体自
体の感度ムラが顕著に生ずる光強度領域（図１２中の不
飽和露光領域Ａに相当）で露光を行なう濃度領域におい
ての再現性が不安定になり易いという技術的課題が残存
してしまう。

【００１０】この発明は、以上の技術的課題を解決する
ために為されたものであって、中間調画像の再現性を極
めて良好に保つことができるラスタ走査装置を提供する
ものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】すなわち、この発明は、
図１に示すように、入力画像信号の濃度レベルに応じた
光変調信号を生成する光変調手段１と、この光変調手段
１からの光変調信号に基づく光ビームを照射する光照射
手段２と、この光照射手段２からの光ビームを感光体４
上の走査ラインに沿って導く導光手段３とを備え、一様
帯電された感光体４上に入力画像信号に応じて静電荷潜
像を形成するラスタ走査装置を前提とし、上記光変調手
段１に、入力画像信号を高濃度レベル信号と非高濃度レ
ベル信号とに分離する信号分離手段５と、この信号分離
手段５にて分離された高濃度レベル信号に応じた光変調
信号を光強度変調に基づいて生成する高濃度用変調手段
６と、上記信号分離手段５にて分離された非高濃度レベ
ル信号に応じた光変調信号を時間変調に基づいて生成す
る非高濃度用変調手段７とを具備させたことを特徴とす
る。

【００１２】このような技術的手段において、光照射手
段２としては、光強度変調及び時間変調の両者が可能で
あるものであればレーザ光源を始め適宜選定して差し支
えない。この場合において、レーザ光源としては、エネ
ルギや耐久性の点から、一般的にＧＡＳレーザあるいは
半導体レーザが使用されるが、半導体レーザは、小型、
安価で消費電力も少なくてすみ、また、駆動電流（励起
電流）を変えることによって、容易に直接変調が可能で
あるという点で使用し易い。

【００１３】また、上記信号分離手段５の分離閾値につ
いては、仮に、時間変調方式にて入力画像信号を変調し
た場合に、隣接する画素の露光電位分布が相互に重なり
合う可能性のある濃度レベル値以上を高濃度レベル信号
として選定すればよく、光照射手段２の光ビーム径や光
強度、画素ピッチ、感光体特性（光感度）、現像バイア
ス、更には現像剤特性（トナー粒径、トナー帯電量）等
の各種パラメータを考慮して選定される。

【００１４】特に、画素ピッチ（画素密度、スクリーン
線数）が変更されるようなシステムを採用した画像形成
装置に本願に係るラスタ走査装置を適用する場合には、
分離閾値をある程度低めに設定しておけば、画素ピッチ
を変更しても分離閾値を共用することは可能であるが、
各画素ピッチ毎に画質の最適化を図るという観点からす
れば、画素ピッチに応じて上記分離閾値が変更される分
離閾値可変手段８を設けることが好ましい。

【００１５】また、高濃度用変調手段６については、光
強度変調方式の公知の手法を用いて構成するようにすれ
ばよい。この場合において、各画素に対する変調パルス
幅は通常画素ピッチに一致して設定されるが、例えばレ
ーザのようにガウス分布を有する光ビームが照射される
光照射手段２にあっては、レーザビームの露光分布の裾
広がり領域を考慮し、画素ピッチより僅かに狭い変調パ
ルス幅を選定し、実質的露光域を一画素内で収めるよう
にすることが好ましい。

【００１６】更に、画素ピッチ（画素密度、スクリーン
線数）が変更されるようなシステムを採用した画像形成
装置に本願に係るラスタ走査装置を適用する場合におい
て、各画素ピッチ毎に画質の最適化を図るという観点か
らすれば、高濃度用変調手段６の各画素に対する変調パ
ルス幅が画素ピッチに応じて変化する変調パルス幅可変
手段を設けることが好ましい。

【００１７】また、非高濃度用変調手段７については、
時間変調方式の公知の手法を用いて構成するようにすれ
ばよい。この場合において、上記光照射手段２からの光
強度については、感光体の飽和露光領域Ｂ（図１２参
照）に当たるものであれば適宜選定して差し支えない
が、感光体の劣化及び細線像の太りを極力抑えるという
観点からすれば、飽和露光領域Ｂのうち露光エネルギレ
ベルの小さいものを選定することが好ましい。

【００１８】

【作用】上述したような技術的手段によれば、光変調手
段１は、信号分離手段５にて入力画像信号を高濃度レベ
ル信号と非高濃度レベル信号（中濃度レベル信号，低濃
度レベル信号）とに分離した後、高濃度レベル信号に対
しては高濃度用変調手段６にて光強度変調を行い、一
方、非高濃度レベル信号に対しては非高濃度用変調手段
７にて時間変調を行い、入力画像信号に対応する光変調
信号を出力する。そして、光照射手段２は、上記光変調
信号に基づいた光ビームを照射し、導光手段３を通じて
感光体４の走査ラインに導かれる。

【００１９】このとき、高濃度レベル信号に対しては光
強度変調方式に切り替えられるため、時間変調方式であ
れば発生する可能性のあるノイズ（高濃度レベル信号に
対する光ビームの重なりによって発生する、本来未露光
部位のノイズ、つまり画像構造に起因するノイズ）は効
果的に除去され、また、光強度変調方式は、時間変調方
式に比べて、非高濃度レベル信号に対しては画像ノイズ
が多いが、高濃度レベル信号に対しては画像ノイズが少
ないという特性を備えていることが実験的に確認されて
おり、更に、感光体の感度ムラも小さいことから、高濃
度レベル信号の階調性は良好に再現される。

【００２０】一方、非高濃度レベル信号に対しては時間
変調方式に切り替えられるため、露光エネルギの外部変
動要因や感光体の光感度ムラに対し安定であり、また、
時間変調方式は、光強度変調方式に比べて、高濃度レベ
ル信号に対してはライン間（非画像部）電位が不安定領
域にあるとき画像ノイズが顕著になってしまうが、非高
濃度レベル信号に対しては画像ノイズが少ないという特
性を備えていることが実験的に確認されていることか
ら、非高濃度レベル信号の階調性も良好に保たれる。

【００２１】更に、分離閾値可変手段８は信号分離手段
５の分離閾値を画素ピッチにより変化させるものである
ため、画素ピッチ毎に分離閾値を予め設定しておけば、
画素ピッチが変化するシステムにおいて、画素ピッチ毎
に分離閾値として最適なものが選定される。

【００２２】更にまた、変調パルス幅可変手段９は高濃
度用変調手段６の変調パルス幅を画素ピッチにより変化
させるものであるため、画素ピッチ毎に変調パルス幅を
予め設定しておけば、画素ピッチが変化するシステムに
おいて、画素ピッチ毎に変調パルス幅として最適なもの
が選定される。

【００２３】

【実施例】以下、添付図面に示す実施例に基づいてこの
発明を詳細に説明する。図２はこの発明が適用されるレ
ーザ走査装置の一実施例を示す。同図において、符号１
１は例えば図１３に示すような励起電流−光出力特性を
有する半導体レーザ、１２は入力画像信号の濃度レベル
に応じてパルス波状に変調された光変調信号（Ｖｉｄｅ
ｏ信号）を出力するレーザ変調ユニット、１３はレーザ
変調ユニット１２からの光変調信号に基づく励起電流を
生成し、半導体レーザ１１へ供給するＬＤドライバであ
る。

【００２４】そして、半導体レーザ１１からは励起電流
に応じたレーザビームが発振され、発振されたレーザビ
ームは、コリメートレンズ１４によって平行光にされ、
高速回転するポリゴンミラー１５の一つの鏡面で反射さ
れる。このとき、ポリゴンミラー１５の回転で鏡面のレ
ーザビームに対する傾きが変化し、これに伴って、反射
後のレーザビームは例えばドラム状の感光体１６の軸方
向に沿って走査（主走査）される。また、このレーザビ
ームは結像レンズ１７によって感光体１６の走査ライン
上に収束され、表面が一様に帯電された感光体１６上に
結像してその位置の帯電電位を減少させる。そして、感
光体１６が回転することに伴って、走査ラインに対する
上記の動作の繰り返しにより感光体１６上に二次元の静
電荷潜像が形成される。尚、図中１８は感光体１６の回
転方向に対して、各走査開始位置を揃えるためのレーザ
ビーム検出用光センサ（ＳＯＳセンサ）であり、その出
力はタイミングコントロール部も兼ねるＬＤドライバ１
３に導かれる。

【００２５】その後、図示は簡略するが、着色顔料であ
るトナーをこの静電荷潜像に選択付着させて現像し、出
力用紙上にトナー像を転写し、これを加熱することによ
ってトナーを融解して紙に定着させるという電子写真方
式の画像形成プロセスを経て、出力画像を得るのであ
る。

【００２６】次に、この実施例で用いられるレーザ変調
ユニット１２の詳細を図３に示す。同図において、符号
２１はデジタル信号である入力画像信号を濃度レベルに
応じて振り分ける比較回路であり、予め決められた規定
値以上の濃度レベルであれば高濃度レベル信号と判断
し、前記規定値未満の濃度レベルであれば非高濃度レベ
ル信号として振り分ける。この実施例において、上記規
定値は、当該規定値に対応する濃度レベルの入力画像信
号を時間変調した際に、例えば図１５に示すように、隣
接画素間でレーザビームが重なり合い、非画像部（ライ
ン間）が現像されるが、上記規定値未満の値に対応する
濃度レベルの入力画像信号を時間変調したとしても、非
画像部（ライン間）が現像されず、隣接画素間でのレー
ザビームの重なり合いを無視して差し支えない範囲で選
定される。

【００２７】また、符号２２は規定値以上の濃度レベル
の高濃度レベル信号に対し光強度変調を行う高濃度用変
調器であり、図４に示すように、規定値に対応する濃度
レベルＣthから最大濃度レベルＣmaxに対し線形に変化
する電圧（Ｖ1〜Ｖ2）の矩形パルス状の光変調信号（一
定の画素ピッチに対しパルス幅一定）を出力するように
なっている。

【００２８】更に、符号２３は規定値未満の濃度レベル
の非濃度レベル信号に対しパルス幅変調（ＰＷＭ）を行
う非高濃度用変調器であり、図５に示すように、非濃度
レベル信号２３１を所望の周期の三角波、正弦波、鋸波
等のアナログ信号２３２と比較し、その結果をパルス幅
信号（光変調信号）２３３として取り出すようになって
いる。尚、高速化という点で若干劣るが、１画素を複数
ドットで構成し、入力画像信号の濃度レベルに対応した
数のドットに対して時間変調を行う面積変調を行うよう
にしてもよい。

【００２９】更に、符号２４は高濃度用変調器２２及び
非高濃度用変調器２３にて出力された光変調信号をＬＤ
ドライバ１３側へ出力するための加算器である。

【００３０】従って、この実施例によれば、入力画像信
号が規定値以上の高濃度レベル信号であれば、当該信号
は高濃度用変調回路２２に導かれ、パルス幅一定で信号
レベルに応じた出力値を有する光変調信号がＬＤドライ
バ１３を介して半導体レーザ１１に導かれ、レーザビー
ムの強度変調が行なわれる。このとき、レーザビームに
よる感光体上の露光強度分布は、図６に示すように、画
素の全域に均一なレベルに保持され、その分、感光体上
には画素の全域に均一な電位分布の静電荷潜像が形成さ
れることになり、画素全体が電位レベルに応じて現像さ
れる。尚、図６中、ｘは主走査方向位置、ＶHは感光体
の帯電電位、Ｖminは最大露光時の感光体の残留電位、
ＶBは現像バイアスを示す。それゆえ、図１５に示すよ
うに、未露光部Ｍが不均一に現像されるというノイズが
生成することはなく、しかも、図８に示すように、高濃
度レベル信号に対する光強度変調は、パルス幅変調に比
べて、画像ノイズが少ないことも実験的に確認された。

【００３１】また、入力画像信号が規定値未満の非高濃
度レベル信号であれば、当該信号は非高濃度用変調器２
３に導かれ、これに応じて、出力値一定でパルス幅変調
された光変調信号がＬＤドライバ１３を介し駆動電流
（励起電流）として半導体レーザ１１に導かれ、レーザ
ビームの時間変調が行なわれる。このとき、レーザビー
ムによる感光体上の露光強度分布は、図７に示すよう
に、隣接する画素間でレーザビームの重なり合いがない
状態で、しかも、外部変動要因に対し比較的安定で且つ
感光体の感度ムラによる影響の出難い十分に大きな露光
レベルを保持する。従って、感光体上には現像可能レベ
ルにある所定パルス幅の静電荷潜像が各画素毎に孤立し
た状態で生成されることになり、画素相互間で影響する
ことなく、各画素の静電荷潜像が確実に現像される。
尚、図７中、ｔは時間軸、ｘは主走査方向位置、ＶH，
Ｖmin，ＶBは図６と同様なものである。また、図８に示
すように、非高濃度レベル信号に対するパルス幅変調は
光強度変調に比べて、画像ノイズが少ないことも実験的
に確認されており、非高濃度レベル信号に対する現像像
も滑らかで再現性のある画像として得られる。

【００３２】また、この実施例において、例えば文字モ
ードと写真モードとで画素ピッチを変化させるシステム
を採用する場合には、規定値可変器２５にて画素ピッチ
に応じて比較回路２１の規定値を変化させ、また、変調
パルス幅可変器２６にて画素ピッチに応じて高濃度用変
調器２２の変調パルス幅を変化させるようにするのがよ
い。

【００３３】より具体的には、先ず、規定値可変器２５
について説明すると、今、図９に示すように、画素ピッ
チがＰ1である場合に規定値がｍ1であれば、信号の振り
分けが正確に行われているとする。これに対し、画素ピ
ッチがＰ2に変化した場合に、規定値を変化させない
と、非高濃度用変調器２３によるパルス幅変調を行った
際に、隣接する画素間でレーザビームが重なり合うとい
う状況が起こり得る。このような状況を回避する上で、
画素ピッチＰ2に対して規定値をｍ2に変更することが行
われる。

【００３４】次に、変調パルス幅可変器２６について説
明すると、今、図１０（ａ）で示すように、画素ピッチ
がＰ1である場合に変調パルス幅がｎ1（この実施例で
は、画素ピッチの何％かで示す）であれば、レーザビー
ムの露光強度分布が各画素領域からはみ出さない状態で
静電荷潜像が形成され、線像の太り等が有効に回避され
ているとする。これに対し、画素ピッチがＰ2に変化し
た場合に、変調パルス幅を変化させないと、高濃度用変
調器２２による素仮強度変調を行った際に、レーザビー
ムの露光強度分布が各画素領域からはみ出しという状況
が起こり得る。このような状況を回避する上で、図１０
（ｂ）に示すように、画素ピッチＰ2に対して変調パル
ス幅をｎ2に変更することが行われる。

【００３５】更に、非高濃度用変調器２３では、感光体
の劣化防止、細線の再現性の観点から、各濃度レベル
（〜Ｃth）に対する露光強度レベルは通常飽和露光領域
のうちの低いレベルＥSで一定に保たれているが、プロ
セススピードによっては、濃度レベルがあるレベルＣ1
よりも低くなった場合に、当該画素の静電荷潜像に対し
て露光及び現像が不十分になり易く、現像された細線像
がより細った状態になる事態がある。このような場合に
おいて、上記線像の細りを回避するという観点からすれ
ば、図１１に示すように、濃度レベルがレベルＣ1以下
になった場合に例えば濃度レベルの低下に伴ってレーザ
ビームの露光強度レベルをＥSからＥmへ上げ、静電荷潜
像の書き込みをより確実に行うようにすることが好まし
い。

【００３６】

【発明の効果】以上述べてきたように、請求項１記載の
発明によれば、光変調手段を工夫し、高濃度レベルの入
力画像信号に対しては光強度変調を行い、非高濃度レベ
ルの入力画像信号に対しては時間変調を行うようにした
ので、高濃度部画像に対して、画像構造に起因するノイ
ズを低減させ、かつ滑らかな画像を再現することが可能
となり、一方、非高濃度部画像に対しては露光エネルギ
の外部変動要因や感光体の光感度ムラに対し安定で、ノ
イズの少ない滑らかな階調再現を実現することが可能と
なり、中間調画像の再現性を極めて良好なものに保つこ
とができる。

【００３７】また、請求項２記載の発明によれば、信号
分離手段の分離閾値を画素ピッチにより変化させるよう
にしたので、画素ピッチが変化するシステムにおいて、
画素ピッチ毎に分離閾値として最適なものが選定される
ことになり、その分、画素ピッチが変化しても、隣接画
素間で光ビームが重なり合うという事態を確実に回避で
き、安定した画質を得ることができる。更に、請求項３
記載の発明によれば、高濃度用変調手段の変調パルス幅
を画素ピッチにより変化させるようにしたので、画素ピ
ッチが変化するシステムにおいて、画素ピッチ毎に変調
パルス幅として最適なものが選定されることになり、そ
の分、画素ピッチが変化しても、画素領域から光ビーム
がはみ出すという事態を確実に回避でき、安定した画質
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明に係るラスタ走査装置の構成を示す
説明図である。

【図２】 この発明が適用されたラスタ走査装置の一実
施例を示す全体構成図である。

【図３】 実施例に係るレーザ変調ユニットの具体例を
示す説明図である。

【図４】 高濃度用変調器の動作例を示す説明図であ
る。

【図５】 非高濃度用変調器の動作例を示す説明図であ
る。

【図６】 実施例に係る高濃度レベル信号に対する静電
荷潜像の形成状態を示す説明図である。

【図７】 実施例に係る非高濃度レベル信号に対する静
電荷潜像の形成状態を示す説明図である。

【図８】 光強度変調方式あるいは時間変調方式による
画像濃度と画像ノイズとの関係を示す説明図である。

【図９】 実施例に係る閾値可変器の動作例を示す説明
図である。

【図１０】 実施例に係る変調パルス幅可変器の動作例
を示す説明図である。

【図１１】 実施例に係る非高濃度用変調器の動作変形
例を示す説明図である。

【図１２】 光ビームによる露光エネルギと感光体表面
電位との関係を示すグラフ図である。

【図１３】 半導体レーザの励起電流と光出力との関係
を示すグラフ図である。

【図１４】 レーザビームの光強度分布例を示す説明図
である。

【図１５】 時間変調方式により高濃度レベル信号を変
調した際の弊害を示す説明図である。

【符号の説明】

１…光変調手段，２…光照射手段，３…導光手段，４…
感光体，５…信号分離手段，６…高濃度用変調手段，７
…非高濃度用変調手段，８…分離閾値可変手段，９…変
調パルス幅可変手段

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41J 2/52 G02B 26/10 G03G 15/22

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力画像信号の濃度レベルに応じた光変
   調信号を生成する光変調手段（１）と、この光変調手段
   （１）からの光変調信号に基づく光ビームを照射する光
   照射手段（２）と、この光照射手段（２）からの光ビー
   ムを感光体（４）上の走査ラインに沿って導く導光手段
   （３）とを備え、一様帯電された感光体（４）上に入力
   画像信号に応じて静電荷潜像を形成するラスタ走査装置
   において、上記光変調手段（１）は、入力画像信号を高
   濃度レベル信号と非高濃度レベル信号とに分離する信号
   分離手段（５）と、この信号分離手段（５）にて分離さ
   れた高濃度レベル信号に応じた光変調信号を光強度変調
   に基づいて生成する高濃度用変調手段（６）と、上記信
   号分離手段（５）にて分離された非高濃度レベル信号に
   応じた光変調信号を時間変調に基づいて生成する非高濃
   度用変調手段（７）とを備えたことを特徴とするラスタ
   走査装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のラスタ走査装置におい
   て、信号分離手段（５）の分離閾値が画素ピッチに応じ
   て変化する分離閾値可変手段（８）を設けたことを特徴
   とするラスタ走査装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載のラスタ走査装置におい
   て、高濃度用変調手段（６）の各画素に対する変調パル
   ス幅が画素ピッチに応じて変化する変調パルス幅可変手
   段（９）を設けたことを特徴とするラスタ走査装置。