JP3236727U

JP3236727U - 赤外線カットフィルター構造

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Publication number: JP3236727U
Application number: JP2022000079U
Authority: JP
Inventors: 政興鄒; 鄭▲うぇはお▼; 培元倪
Original assignee: 晶瑞光電股▲ふん▼有限公司
Priority date: 2022-01-13
Filing date: 2022-01-13
Publication date: 2022-03-11
Anticipated expiration: 2032-01-13

Abstract

【課題】正常なカラー画像を生成できる赤外線カットフィルター構造を提供する。【解決手段】ガラス基板１０、第１多層膜２０及び第２多層膜３０を含む赤外線カットフィルター構造を提供する。前記第１多層膜は、前記ガラス基板の上側面に設置され、複数の高屈折率材料及び複数の低屈折率材料が交互に堆積されて形成され、前記第１多層膜は、入射角０度及び３０度について９００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の光の光学密度がＯＤ３～ＯＤ７であり、前記第２多層膜は、前記ガラス基板の下側面に設置され、複数の高屈折率材料及び複数の低屈折率材料が交互に堆積されて形成され、７００ｎｍ～９００ｎｍの波長範囲内の光線の光学密度がＯＤ３～ＯＤ６である。従って、構成される赤外線カットフィルターは、７００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲の光（赤外線）の透過率を０．１％～０．００００１％に到達させることができる。【選択図】図１

Description

本考案は、赤外線カットフィルター構造の技術分野に関し、特に、赤外線を効果的にフィルタリングし、可視光を透過し、更に正常なカラー画像を生成することができる赤外線カットフィルター構造に関する。

ハイエンドなスマートフォンの開発に伴い、携帯電話のカメラモジュールの要件は、益々高くなり、カメラモジュールでは、通常、ＣＣＤ（ＣＣＤ＝Ｃｈａｒｇｅ－ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）又はＣＭＯＳ（ＣＭＯＳ＝ＣｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙＭｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサの前に赤外線カットフィルターが設置され、赤外線をフィルタリングし、可視光を透過し、正常なカラー画像の生成を可能にさせる。従って、赤外線カットフィルターはカメラモジュールの重要な部材であり、携帯電話の画素が高くなるにつれて、赤外線カットフィルターに対して厳しい要求がされ、特に、結像の色彩再現性及び鮮明さについての要求はより厳しくなっている。一般に、人の目で認識できる可視光の波長範囲は、３２０ｎｍ～７６０ｎｍであり、３２０ｎｍ～７６０ｎｍの範囲を超える光波は、人の目では見ることができないが、カメラの結像部材ＣＣＤ又はＣＭＯＳでは、ほとんどの波長の光を捉えることができる。さまざまな光の関与により、カメラモジュールによって再現される色は、肉眼で見ることができる色と偏差があり、例えば、緑の植物は灰色になり、赤い物体は、明るい赤になり、黒色は紫色になる等であり、上述のように、優れた赤外線カットフィルターの赤外線カット機能を用いて、結像色を元の色に完全に近づけることが非常に重要である。

従来の赤外線カットフィルター構造は、台湾の公告第Ｉ５５７４３９号及び第Ｉ５５７４４０号特許に示されるように、その構造設計の最大の効果は、波長８５０～１３００ｎｍの光（赤外線）の透過率を１％程度まで小さくさせることであり、この透過率の範囲は、初期の要件の低い携帯電話のカメラモジュールでは許容されるが、携帯電話の画素は、益々高くなり、それにつれて現在のカメラモジュールによって再現される色と肉眼で見る色では、相当大きな偏差があるため、従来の赤外線カットフィルター構造によって達成される赤外線フィルター効果では、現在のハイエンド携帯電話のカメラモジュールにとっては、もはや十分ではない。

これに鑑み、本願考案者は、上記の問題に対して、深く思考し、且つ積極的に研究改良を試み、本考案を開発している。

台湾公告第Ｉ５５７４３９号台湾公告第Ｉ５５７４４０号特許

本考案の目的は、赤外線を効果的にフィルタリングし、可視光を透過し、更に現在の高画素の携帯電話のカメラモジュールに正常なカラー画像を再現させることにある。

本考案の一態様による赤外線カットフィルター構造は、ガラス基板と、前記ガラス基板の上側面に設置され、複数の高屈折率材料及び複数の低屈折率材料が交互に堆積されて形成され、入射角０度及び３０度について９００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の光の光学密度（ＯＤ；ＯｐｔｉｃａｌＤｅｎｓｉｔｙ）がＯＤ３～ＯＤ７である第１多層膜と、前記ガラス基板の下側面に設置され、複数の高屈折率材料及び複数の低屈折率材料が交互に堆積されて形成され、７００ｎｍ～９００ｎｍの波長範囲内の光線の光学密度がＯＤ３～ＯＤ６である第２多層膜と、を含む。

本考案が提供する赤外線カットフィルター構造は、その特殊な構造設計で構成される赤外線カットフィルターにより、７００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲の光（赤外線）の透過率を０．１％～０．００００１％に到達させることができ、従って、赤外線を効果的にフィルタリングし、可視光を透過し、更に、正常なカラー画像を生成し、ハイエンドの携帯電話のカメラモジュールの要求を満たすことができる。

本考案の一実施形態を示す構造説明図である。本考案の一実施形態を示す第１多層膜の透過率のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示す第１多層膜の光学密度のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示す第２多層膜の透過率のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示す第２多層膜の光学密度のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示すガラス基板が従来の白ガラスである場合の透過率のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示すガラス基板は、白ガラスである場合の光学密度のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示す青ガラスの透過率のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示すガラス基板が青ガラスである場合の透過率のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示すガラス基板が青ガラスである場合の光学密度のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示す青系ガラスの透過率のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示すガラス基板が青系ガラスである場合の光学密度のスペクトログラムである。本考案の一実施形態を示すガラス基板が青系ガラスである時の光学密度のスペクトログラムである。

図１を参照し、本考案の一実施形態を示す赤外線カットフィルター構造は、ガラス基板１０、第１多層膜２０及び第２多層膜３０を含む。

前記ガラス基板１０は、厚さが０．１ｍｍ～１．１ｍｍであり、従来の白ガラス（第１実施形態）、青ガラス（第２実施形態）、又は白ガラスに一層の赤外線を吸収する吸気膜層をコーティングした青系ガラス（第３実施形態）のいずれかであることができる。

前記第１多層膜２０は、物理真空蒸着（ＰＶＤ＝ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により前記ガラス基板１０の上側面に形成され、複数の高屈折率材料及び複数の低屈折率材料が交互に積層されて形成され、前記第１多層膜２０は、入射角０度及び３０度について９００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の光の光学密度がＯＤ３～ＯＤ７である（図２及び図３参照）。前記高屈折率材料は、３００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の屈折率が２～３であり、吸光係数が０に近い１つ又は複数の高屈折率材料であり、例えば、Ｔｉ_３Ｏ_５、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５等である。前記低屈折率材料は、３００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の屈折率が１．３～２であり、且つ吸光係数が０に近い１つ又は複数の低屈折率材料であり、例えば、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２等である。好適な実施形態における前記第１多層膜２０の構造は、下表の通りである。

［表１］

前記第２多層膜３０は、物理真空蒸着（ＰＶＤ）により、前記ガラス基板１０の下側面に形成され、複数の高屈折率材料及び複数の低屈折率材料が交互に堆積されて形成され、前記第２多層膜３０の７００ｎｍ～９００ｎｍの波長範囲内の光線の光学密度がＯＤ３～ＯＤ６である（図４及び図５参照）。前記高屈折率材料は、３００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の屈折率が２～３であり、吸光係数が０に近い１つ又は複数の高屈折率材料であり、例えば、Ｔｉ_３Ｏ_５、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５等である。前記低屈折率材料は、３００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の屈折率が１．３～２であり、吸光係数が０に近い１つ又は複数の低屈折率材料であり、例えば、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２等である。好適な実施形態における前記第２多層膜３０の構造は、下表のとおりである。

［表２］

このように構成される赤外線カットフィルターは、７００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の光（赤外線）の透過率を０．１％～０．００００１％に到達させることができるため、効果的に赤外線をフィルタリングし、可視光を透過し、更に正常なカラー画像を生成することができ、ハイエンドの携帯電話のカメラモジュールの要求を満たすことができる。

第１の実施形態において、前記ガラス基板１０は、従来の白ガラスであり、前記ガラス基板１０の上側面に前記第１多層膜２０が設けられ、前記ガラス基板１０の下側面に前記第２多層膜３０が設けられる場合、構成される赤外線カットフィルターの透過率のスペクトログラムは、図６に示すとおりであり、光学密度のスペクトログラムは、図７に示すとおりである。

第２の実施形態において、前記ガラス基板１０は、青ガラスであり、前記ガラス基板１０の上側面に前記第１多層膜２０が設けられ、前記ガラス基板１０の下側面に前記第２多層膜３０が設けられる場合、前記青ガラス自体の材料特性は、近赤外線に吸収効果を有し、Ｔ（透過率）５０％は約６４０ｎｍ±１０ｎｍの位置の０度及び３０度において、極めて小さい偏移を有し、その透過率のスペクトログラムは、図８に示すとおりであり、構成される赤外線カットフィルターの透過率のスペクトログラムは、図９に示すとおりであり、光学密度のスペクトログラムでは、図１０に示すとおりである。

第３の実施形態において、前記ガラス基板１０が青系ガラスであり、前記ガラス基板１０の上側面に前記第１多層膜２０が設けられ、前記ガラス基板１０の下側面に前記第２多層膜３０が設けられる場合、前記青系ガラス自体の材料特性は、近赤外光領域に吸収効果を有し、Ｔ５０％は約６４０ｎｍ±１０ｎｍの位置の０度及び３０度において、極めて小さい偏移を有し、その透過率のスペクトログラムは、図１１に示すとおりであり、構成される赤外線カットフィルターは、７００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の光カット率ＯＤ３～ＯＤ６であり、Ｔ５０％の偏移量は５ｎｍ未満であり、その透過率のスペクトログラムは、図１２に示すとおりであり、光学密度のスペクトログラムは、図１３に示すとおりである。

１０ガラス基板
２０第１多層膜
２１第２多層膜

Claims

ガラス基板と、
前記ガラス基板の上側面に設置され、複数の高屈折率材料及び複数の低屈折率材料が交互に堆積されて形成され、入射角０度及び３０度について９００ｎｍ～１１００ｎｍの波長範囲内の光の光学密度がＯＤ３～ＯＤ７である第１多層膜と、
前記ガラス基板の下側面に設置され、複数の高屈折率材料及び複数の低屈折率材料が交互に堆積されて形成され、７００ｎｍ～９００ｎｍの波長範囲内の光線の光学密度がＯＤ３～ＯＤ６である第２多層膜と、
を含む赤外線カットフィルター構造。
前記ガラス基板は、白ガラスである請求項１に記載の赤外線カットフィルター構造。
前記ガラス基板は、青ガラスである請求項１に記載の赤外線カットフィルター構造。
前記ガラス基板は、白ガラス上に一層の赤外線を吸収する有機膜層をコーティングした青系ガラス基板である請求項１に記載の赤外線カットフィルター構造。
第１多層膜の高屈折率材料は、Ｔｉ_３Ｏ_５、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５又はＮｂ_２Ｏ_５のいずれか１つである請求項１に記載の赤外線カットフィルター構造。
第１多層膜の低屈折率材料は、ＳｉＯ_２又はＭｇＦ_２のいずれか１つである請求項１に記載の赤外線カットフィルター構造。
第２多層膜の高屈折率材料は、Ｔｉ_３Ｏ_５、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５又はＮｂ_２Ｏ_５のいずれか１つである請求項１に記載の赤外線カットフィルター構造。
前記第２多層膜の低屈折率材料は、ＳｉＯ_２又はＭｇＦ_２のいずれか１つである請求項１に記載の赤外線カットフィルター構造。
前記第１多層膜の構造は、第１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１２．７４ｎｍであり、第２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が３２．８４ｎｍであり、第３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５，膜厚９６．１９ｎｍであり、第４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１０．３１ｎｍであり、第５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８．４５ｎｍであり、第６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１５７．１２ｎｍであり、第７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０６．８４ｎｍであり、第８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１８３．３７ｎｍであり、第９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１１７．７３ｎｍであり、第１０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７８．４９ｎｍであり、第１１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８１．６５ｎｍであり、第１２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が２５．７２ｎｍであり、第１３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１３．９７ｎｍであり、第１４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が９４．６１ｎｍであり、第１５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０７．３ｎｍであり、第１６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が９４．６１ｎｍであり、第１７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１７．２７ｎｍであり、第１８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が２７．２１ｎｍであり、第１９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が６５．５１ｎｍであり、第２０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１６６．９８ｎｍであり、第２１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８２．６１ｎｍであり、第２２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１８．８４ｎｍであり、第２３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が６．１２ｎｍであり、第２４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１４１．８４ｎｍであり、第２５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１１１．５８ｎｍであり、第２６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１８６．０３ｎｍ；
第２７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１１４．８９ｎｍであり、第２８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１８１．１７ｎｍであり、第２９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１２．７４ｎｍであり、第３０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７１．２１ｎｍであり、第３１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０６．２４ｎｍであり、第３２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７７．１５ｎｍであり、第３３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１１１．７６ｎｍであり、第３４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７８．７５ｎｍであり、第３５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０７．７６ｎｍであり、第３６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７２．１７ｎｍであり、第３７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０６．８６ｎｍであり、第３８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７７．８５ｎｍであり、第３９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１１１．１９ｎｍであり、第４０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７９．９１ｎｍであり、第４１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０９．１１ｎｍであり、第４２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７３．３９ｎｍであり、第４３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０６．９５ｎｍであり、第４４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７６．５ｎｍであり、第４５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１１０．６９ｎｍであり、第４６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７５．５４ｎｍであり、第４７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０５．８７ｎｍであり、第４８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７１．３４ｎｍであり、第４９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０８．５６ｎｍであり、第５０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７９．１６ｎｍであり、第５１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０６．２９ｎｍであり、第５２層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１６１．４７ｎｍであり、第５３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０．２８ｎｍであり、第５４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が６．９２ｎｍであり、第５５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が７８．３２ｎｍであり、第５６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が７９．６ｎｍであり、
前記第２多層膜の構造は、第１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８．５５ｎｍであり、第２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が３３．８３ｎｍであり、第３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が９６．９５ｎｍであり、第４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１５０．５３ｎｍであり、第５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８５．４３ｎｍであり、第６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１４０．５９ｎｍであり、第７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８３．０１ｎｍであり、第８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３８．２３ｎｍであり、第９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８２．０５ｎｍであり、第１０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３７．３３ｎｍであり、第１１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８１．５２ｎｍであり、第１２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３６．９２ｎｍであり、第１３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８１．１３ｎｍであり、第１４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３６．７１ｎｍであり、第１５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８０．８６ｎｍであり、第１６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３６．５９ｎｍであり、第１７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８０．７９ｎｍであり、第１８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３６．５９ｎｍであり、第１９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８０．８８ｎｍであり、第２０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３６．６４ｎｍであり、第２１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８１．８ｎｍであり、第２２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３６．７１ｎｍであり、第２３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８１．４ｎｍであり、第２４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３６．９ｎｍであり、第２５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８１．９１ｎｍであり、第２６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１３７．５２ｎｍであり、第２７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８３．４５ｎｍであり、第２８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１４０．２４ｎｍであり、第２９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が９１．１６ｎｍであり、第３０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１４３．８９ｎｍであり、第３１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が７．３７ｎｍであり、第３２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が２２．５ｎｍであり、第３３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０９．５３ｎｍであり、第３４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７．０４ｎｍであり、第３５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８．４ｎｍであり、第３６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１５０．３６ｎｍであり、第３７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が９０．９９ｎｍであり、第３８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１４３．０６ｎｍであり、第３９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８５．７５ｎｍであり、第４０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１４４．９８ｎｍであり、第４１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が９３．４ｎｍであり、第４２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１６９．４３ｎｍであり、第４３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が２０．６５ｎｍであり、第４４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が８．１２ｎｍであり、第４５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が８７．２８ｎｍであり、第４６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が２２．４ｎｍであり、第４７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が５．７７ｎｍであり、第４８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１４２．３４ｎｍであり、第４９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が９４．１３ｎｍであり、第５０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１４７．８２ｎｍであり、第５１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が９２．７１ｎｍであり、第５２層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１６４．８７ｎｍであり、第５３層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が１０５．２２ｎｍであり、第５４層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１７．９１ｎｍであり、第５５層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が３．４３ｎｍであり、第５６層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１５４．３１ｎｍであり、第５７層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が９９．３４ｎｍであり、第５８層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１４３．１５ｎｍであり、第５９層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が７．１８ｎｍであり、第６０層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が１０．５５ｎｍであり、第６１層は、材料がＮｂ_２Ｏ_５であり、膜厚が７７．６６ｎｍであり、第６２層は、材料がＳｉＯ_２であり、膜厚が７４．８ｎｍである、請求項１に記載の赤外線カットフィルター構造。