JP3235303B2 - アナログ補間方式座標検出装置 - Google Patents
アナログ補間方式座標検出装置Info
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Description
て配設された多数の電極線を有するタブレット上に当接
されたケーブル付きの検出ペンの、タブレット上への当
接位置情報を出力する静電容量結合方式座標検出装置に
関する。
て、当接位置の電極線間補間をするに当り、各電極線か
らの各信号レベルのA/D変換値から数値演算により求
める方法と、アナログ方式の、高信号レベル付近の各電
極線からの階段状検出波形を同調回路によりなめらかに
結び一定レベル値を横切るまでの時間を基準時間点から
計測し、電極線間補間を含めて座標値を検出する方法と
が知られている。
算によるものはマイクロプロセッサを必要とし、またア
ナログ式の同調回路によるものは検出信号レベルにより
検出座標が変動していた。
問題点に鑑みなされたもので、X及びY座標軸に沿って
それぞれ平行な電極線がX方向にm本(mは任意の正の
整数)Y方向にn本(nは任意の正の整数)毎に電気的
に一端で接続された電極線束をそれぞれ一定間隔で複数
束備えるタブレットと、前記X側電極線束に一定時間毎
に順次電気パルスを制御部の制御の下で与えるX電極線
ドライバと、前記Y側電極線束に一定時間毎に順次電気
パルスを前記制御部の制御の下で与えるY電極線ドライ
バと、前記電極線束との静電容量結合により電気信号を
受信するスタイラス導体を先端部に有する検出ペンと、
前記スタイラス導体からの電気信号を増幅する増幅器
と、該増幅器の出力信号を入力しアナログ信号処理する
補間及び座標タイミング生成回路と、該補間及び座標タ
イミング生成回路の出力を印加する前記制御部とから成
り、前記タブレット上における前記スタイラス導体の座
標(位置)を検出する座標検出装置であって、前記補間
及び座標タイミング生成回路は、少なくとも、エミッタ
に直流電流源及び充放電コンデンサ(C 1 )を接続さ
れ,ベースに入力信号(S 1 )を印加され,コレクタに
正電源から電流供給する素子及び充放電コンデンサ(C
2 )を接続されたトランジスタ回路と、前記コレクタを
介し信号入力するACカップリング兼充放電コンデンサ
(C 4 )回路と、該ACカップリング兼充放電コンデン
サ(C 4 )回路の他端に接続される、整流素子及び抵抗
の直列回路(電圧コンプライアンスを持つリミッタ回
路)と、該リミッタ回路に接続された電流シンク素子回
路と、前記リミッタ回路の電圧及び一定電圧を入力する
電圧コンパレータ回路、により構成されており、前記電
圧コンパレータ回路の信号出力(S 2 )をこの補間及び
座標タイミング生成回路の出力とし、前記信号(S 1 )
のエンベロープ突起部ピーク点の時間方向移動にリニア
に従った、電極線束間補間を兼ねたアナログタイミング
信号出力(S 2 )を生成することを特徴とし、また、前
記制御部において、あらかじめ設定してある時間基準点
から信号(S 2 )のタイミング点までの時間を計測し、
この時間データをディジタル出力する、またはこの時間
データを座標データに比例変換してディジタル出力する
アナログ補間方式座標検出装置を提案するものである。
される)各電極線束から伝わるパルス列信号を定電流ド
レイン型容量充放電準瞬時検波することにより信号レベ
ルにほとんど影響されることなく(従って信号レベルの
連続的ゆらぎにも略無関係)エンベロープの突起部のみ
検波し、さらに瞬時自己バイアスクランプ回路を介す事
によりエンベロープの突起レベルの大小にも影響されな
いアナログ方式補間及び座標タイミングを作成し、この
タイミングに基づき時間計測し座標値に比例換算する。
する。図1は理解を容易にするための、補間及び座標タ
イミング生成回路25の部分を詳しく書いた装置全体構
成図である。タブレット1にX軸方向に等間隔に線状電
極線4,4…が配設されm本(mは任意の正の整数)毎
に電気的に一端で接続されて束ねられ、またY軸方向に
等間隔に線状電極線4,4…が配設されn本(nは任意
の正の整数)毎に電気的に一端で接続されて束ねられて
いる。
ライバ及びXデコーダ7により順次パルス電圧がX座標
方向に向かって、制御部9の制御の下に等時間間隔で与
えられ(パルス電圧によりスキャンされ)、またY座標
値検出用各電極線束はY電極線ドライバ及びYデコーダ
8により順次パルス電圧がY座標方向に向かって、制御
部9の制御の下に等時間間隔で与えられる。X用及びY
用パルス電圧スキャンは交互に時分割により行われる。
電極線を束にするメリットは、X電極線ドライバ及びX
デコーダ7とY電極線ドライバ及びYデコーダ8の規模
を大きくしない,電極線束の中心からスタイラス導体3
が多少離れても結合容量を多くする,上面電極線が下面
電極線とスタイラス導体3間のシールドとなる効果を少
なくする,透明電極の場合の平均光透過率を大きくす
る,等である。
ス導体3がタブレット1の盤面近くにある時、検出ペン
2の近傍の各電極線4,4,4,…と小容量ではあるが
容量結合し、各電極線束がパルス電圧スキャンされてい
ることから、結合容量の大きさに従ってレベル(振幅)
変調されたパルス列信号がスタイラス導体3へ伝わる。
検出ペン2の先端部スタイラス導体3へ伝わったこの信
号は検出ペン2内の第1の増幅器5へ印加され増幅され
接続ケーブル6へ伝えられる。接続ケーブル6へ伝えら
れた信号は第2の増幅器10へ印加され、さらに増幅さ
れて補間及び座標タイミング生成回路25の入力部NP
Nトランジスタ11のベース(A点)へ印加される。
各部波形を図2に示す。A波形はA点での信号波形であ
り、X側スキャン時のものである。Y側スキャン時もほ
ぼ同様である。このA波形の説明をすると、パルス列の
上側及び下側エンベロープを破線で示してあり、各パル
ス区間の平均値レベルを横実線で示してある。各電極線
4,4,4,…を駆動するパルスのデューティー比によ
りこの平均値レベルは変化する。エンベロープの突起部
のレベル尖頭部(ピーク点)を与えたスキャン電極線束
の位置に検出ペン2の先端部スタイラス導体3がある。
からのパルス信号もかなり伝わっているのは、X用とY
用各電極線4,4,4,…間の浮遊容量により多量のリ
ーク信号電圧がY電極線4,4,…に伝わりY電極線
4,4,…から不要信号としてスタイラス導体3にも伝
わるためである。また位置によりリーク信号レベルが異
なるのは、電極線4,4,4,…の抵抗値が零でない
(特に薄膜透明電極線の場合に多い)ことによりY電極
線4,4,…の駆動点から遠い位置の方がY電極線への
パルスリーク電圧レベルが高く、それがスタイラス導体
3へも伝わるためである。A波形はタブレットの左端が
Y電極線4,4,…の駆動点となっている場合のもので
ある。時分割によるY側スキャン時もほぼ同様のリーク
信号による不要検出レベルが見られるが、X又はY電極
線4,4,…のどちらが上面に配置してあるかによりリ
ークレベルに差がある。さらに電極線数が多い程リーク
レベルも高くなる。いずれにしてもこれらリーク信号レ
ベルを無視して、A波形のエンベロープ突起部を安定に
検出する必要がある。
1のエミッタ及びコンデンサ(C1)13から常時一定
の直流電流を流し出している(定電流ドレインしてい
る)。今コンデンサ(C1)13が無い場合を考える
と、NPNトランジスタ11のエミッタ(B点)には入
力波形と同形でベースとエミッタの電位差だけレベルシ
フトした波形が現れる。それを図2のB波形の破線で示
すが、本回路で意味のある高電位部分のみ示した。また
A波形のエンベロープ突起部のみ時間方向に拡大してい
る。
合はB点波形は図2のB波形の実線で示すように、コン
デンサ(C1)13の電圧に対してNPNトランジスタ
11のベース電圧が順方向にバイアスされている時間は
そのエミッタ電流によりコンデンサ(C1)13を充電
し且つ定電流源12にも電流を供給しB点の電圧を上昇
させる。また逆にコンデンサ(C1)13の電圧に対し
てNPNトランジスタ11のベース電圧が逆バイアス
(不導通)になる時間は電流源12によりコンデンサ
(C1)13は放電しB点電圧は直線的に下降する。
には一定時間毎にパルス性の電圧が与えられるが、直前
のパルスレベルよりも今回のパルスレベルの方が大きい
場合はNPNトランジスタ11のエミッタからコンデン
サ(C1)13方向へより多くの充電電流が流れる。こ
のNPNトランジスタ11のエミッタに流れる間欠電流
はそのほとんど全部がNPNトランジスタ11のコレク
タから流入する。
るパルス波形よりも、主に第1の増幅器5及び第2の増
幅器10の高周波での増幅度低下特性により、立上り/
立下り部がゆるやかな曲線を描き、NPNトランジスタ
11の導通時においてもそのリニアな動作範囲で使用で
きる(瞬間的に過大電流が流れるほどではない)。
る電流波形を図2のC波形に示す。(コレクタに流れ込
む方向を正として、下方が電流値大の方向である)。こ
の電流波形は一定周期でサンプリングされたAM(振幅
変調)波の整流されたパルス列と見なすことができる。
電流供給素子としての抵抗(R1)14とコンデンサ
(C2)15の並列回路からNPNトランジスタ11の
コレクタへ図2のC波形の電流を供給すると図1のD点
(NPNトランジスタ11のコレクタ)は図2のD波形
に示す電圧波形となる。これを抵抗(R2)16及びコ
ンデンサ(C3)17のローパスフィルタによりほぼ平
滑化するとE波形となる。これは図2のA波形の特別な
検波波形である。電流源12の電流値とコンデンサ(C
1)13の値とコンデンサ(C2)15の値とのバラン
スをうまく取ると、抵抗(R2)1 6及びコンデンサ
(C3)17のローパスフィルタを省略できるが、トー
タル性能は多少落ちるものになる。
2がNPNトランジスタ11のコレクタ電流を平均値と
して規制していることにより入力信号レベルがゆるやか
に変動してもE点のE波形のベース(基準)レベルはほ
とんど変動しないということである。つまり、スタイラ
ス導体3がタブレット1の表面から多少浮上しても、ま
たは増幅器5,10のゲインが装置毎にばらついてもD
波形は殆どそれらの影響を受けない。図2のA波形の突
起部のような急瞬なレベル変動のみが図1のE点の電圧
変動のほとんどを占める。従って図1の補間及び座標タ
イミング生成回路25の内のここまで述べた前半回路は
定電流ドレイン型容量充放電準瞬時検波方式と述べるも
のである。尚、コンデンサ(C1,C2,C3)13,
15,17の容量比は C1:C2:C3≒10:6:3 とすると効率よくE波形を生成する。
から元の波形を再現するプロセス回路と見なすことがで
きるので(換言すれば、ディジタルデータからアナログ
の時間変化量への変換に相当し、更に換言すれば、D波
形がローパスフィルタリングされることにより、細かな
凹凸が無くなりうねり波となり、このうねりが時間方向
へペン2の位置移動により連続的に移動するので)、ス
タイラス導体3が各電極線束間を連続的に移動した場合
でも図1のE点波形はその形を保持して時間方向へ各パ
ルス間隔(T ITP )の間を連続的に移動する。つまりE
波形のうねりは、T ITP 毎に飛び飛びに移動するわけで
はない。従って時間基準点から、図2のE波形のピーク
点又はスロープの特定点を検出するまでの時間から、ア
ナログ的に、検出ペン2の先端部スタイラス導体3の電
極線束間位置を補間しながら、スタイラス導体3の当接
X座標を求めることができる。
の後半の回路の動作を説明する。コンデンサ(C4)1
8,整流素子としての第1のショットキーバリアダイオ
ード(D1)19,電圧コンプライアンス素子としての
抵抗(R3)20,電流シンク素子としての抵抗(R
4)22による回路は急速充電緩慢放電回路である。図
1のE点の電圧が下降する場合は、第1のショットキー
バリアダイオード(D1)19が導通し、また抵抗(R
3)20が低抵抗値であることからコンデンサ(C4)
18は急速に充電され図1のE点の電圧下降量よりもG
点(コンデンサ(C4)18、抵抗(R3,R4)2
0、22の接続点)の電圧下降量の方が少ない。抵抗
(R3)20を流れるコンデンサ(C4)18の充電電
流の大きさによりG点の電圧下降量も変動する。逆に図
1のE点の電圧が上昇する場合は第1のショットキーバ
リアダイオード(D1)19は不導通となり、抵抗(R
4)22が高抵抗値であることからコンデンサ(C4)
18は緩慢に放電し図1のE点の電圧上昇量にほぼ等し
くG点の電圧も上昇する。その後E点が電圧上昇を停止
するとG点電圧は抵抗(R4)22を流れる微小電流に
よりゆっくり下降し、第1のショットキーバリアダイオ
ード(D1)19が導通する時点で電圧下降を停止す
る。図1のG点の波形を図2のG波形で示す。
2)21は第1のショットキーバリアダイオード(D
1)19の温度特性補償用であり、抵抗(R5)23は
抵抗(R4)22と同様の高抵抗値である。図1のF点
電圧を図2のF破線で示す。F点の電圧は一定でありG
点電圧がF点電圧を横切る時点で電圧コンパレータ24
の出力(図2のH波形)が変化する。
を横切る時点(図2のT点)が、本実施例での補間及び
座標タイミング生成回路25における、補間量を含めた
A波形のエンベロープ突起部ピーク点の検出時点であ
る。G点電圧波形は第1のショットキーバリアダイオー
ド(D1)19によりボトムクランプされているが、こ
この動作をさらに詳細に説明する。定常状態におけるG
点電圧は、抵抗(R3)20による電圧降下分だけF点
電圧よりも少し低い電圧値であり図2のG波形の左端部
に示すレベルを保持する。この定常レベルは上記クラン
プ効果により図1E点のレベルのゆっくりした変動にほ
とんど影響されることはないが、段落0016中で説明
した作用との相乗効果により、本補間及び座標タイミン
グ生成回路25の入力点(A点)でのゆっくりした信号
レベル(エンベロープ)の変動を事実上全く無視する回
路動作となる。
作用がある。もし抵抗(R3)20が大変小さな値であ
る場合は、図2A波形の突起部が大きなレベルになる
程、図2のG波形の立上りスロープは急峻になり結果的
に検出点(T点)が図中左に移動し、誤差要因となる。
実際の動作に関して言うと、X軸側及びY軸側で突起部
のレベルは一様ではなく、さらに検出ペン2の先端部ス
タイラス導体3がタブレット1の盤面から多少浮いた状
態(紙等によりスペースが作られたとき)、またはタブ
レット1上の検出ペン2の電極線4,4,4,…との相
対位置、さらに検出ペン2が傾いたときの電極線4,
4,4,…とペン先端部のスタイラス導体3間の結合容
量の変動、等等により検出位置誤差の要因となる。
場合は、図2A波形の突起部が大きなレベルになった
時、E波形のディップ及びピーク点の電圧もより低くな
り、第1のショットキーバリアダイオード(D1)19
によるクランプ効果はあるが、抵抗(R3)20を流れ
るコンデンサ(C4)18の充電電流もより多くなり、
従って図2のG波形のV D 点もより電圧が低くなり、し
かしG波形の立ち上がりスロープのレベルも大きくなる
ので、結果的にT点(検出点)の変動がほとんどなくな
る。逆に言うとT点が信号のエンベロープ突起部の大小
にかかわらず移動しない様に抵抗(R3)20の値を選
定する。コンデンサ(C4)18の値はコンデンサ(C
3)17の容量値の1/3程度が効率よい動作となる。
のエンベロープ突起部のその瞬間の大小に依存するた
め、コンデンサ(C4)18、第1のショットキーバリ
アダイオード(D1)19、及び抵抗(R3、R4)2
0、22より成る回路は瞬時自己バイアスクランプ方式
による波形プロセス回路と述べるものである。
イラス導体3を移動した場合、図2の各波形に示すよう
に、また段落0017で説明したように、検出時点(T
点)は座標検出エリアの全域にわたり連続的に且つリニ
アに移動し、この時間移動量はスタイラス導体3の位置
移動量に比例する。時間基準点(図2のR時点)からT
時点までの時間(T P )が検出座標に一意的に且つリニ
アに対応している。A波形のエンベロープ突起部ピーク
点からT時間点までは図示するように時間差があるの
で、その分を加味して時間基準点(図2のR時点)を制
御部9内でプリセット値として決める。
方向についてそれぞれ収集し、タブレット1上の検出ペ
ン2の先端部スタイラス導体3の座標データに比例変換
し、または計測時間量をそのまま出力する。ここに述べ
た座標検出装置は単独機能の電極線を使用したタブレッ
トで説明したが、液晶表示盤用の格子状配線パターンを
座標検出用電極線として兼用しても同様の結果を得るこ
とができる。また電極線束をドライブする電気信号をパ
ルスで説明したが正弦波または矩形波のバースト波を使
用しても同様の結果を得ることができる。
ベルの大小にかかわらず、また信号のエンベロープの突
起部の大小にかかわらず、さらに特別にAGCにより信
号レベルを強制的に規制する必要もなく、アナログ量に
よる補間及びこの補間を含めた時間計測により精度よい
座標検出ができる。
を詳しく書いた装置全体構成図
波形図
Claims (1)
- 【請求項1】 X及びY座標軸に沿ってそれぞれ平行な
電極線がX方向にm本(mは任意の正の整数)Y方向に
n本(nは任意の正の整数)毎に電気的に一端で接続さ
れた電極線束をそれぞれ一定間隔で複数束備えるタブレ
ットと、前記X側電極線束に一定時間毎に順次電気パル
スを制御部の制御の下で与えるX電極線ドライバと、前
記Y側電極線束に一定時間毎に順次電気パルスを前記制
御部の制御の下で与えるY電極線ドライバと、前記電極
線束との静電容量結合により電気信号を受信するスタイ
ラス導体を先端部に有する検出ペンと、前記スタイラス
導体からの電気信号を増幅する増幅器と、該増幅器の出
力信号を入力しアナログ信号処理する補間及び座標タイ
ミング生成回路と、該補間及び座標タイミング生成回路
の出力を印加する前記制御部とから成り、前記タブレッ
ト上における前記スタイラス導体の座標(位置)を検出
する座標検出装置であって、前記補間及び座標タイミン
グ生成回路は、少なくとも、エミッタに直流電流源及び
充放電コンデンサ(C 1 )を接続され,ベースに入力信
号(S 1 )を印加され、コレクタに正電源から電流供給
する素子及び充放電コンデンサ(C 2 )を接続されたト
ランジスタ回路と、前記コレクタを介し信号入力するA
Cカップリング兼充放電コンデンサ(C 4 )回路と、該
ACカップリング兼充放電コンデンサ(C 4 )回路の他
端に接続される、整流素子及び抵抗の直列回路(電圧コ
ンプライアンスを持つリミッタ回路)と、該リミッタ回
路に接続された電流シンク素子回路と、前記リミッタ回
路の電圧及び一定電圧を入力する電圧コンパレータ回
路、により構成されており、前記電圧コンパレータ回路
の信号出力(S 2 )をこの補間及び座標タイミング生成
回路の出力とし、前記信号(S 1 )のエンベロープ突起
部ピーク点の時間方向移動にリニアに従った、電極線束
間補間を兼ねたアナログタイミング信号出力(S 2 )を
生成することを特徴とし、また、前記制御部において、
あらかじめ設定してある時間基準点から信号(S 2 )の
タイミング点までの時間を計測し、この時間データをデ
ィジタル出力する、またはこの時間データを座標データ
に比例変換してディジタル出力するアナログ補間方式座
標検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29257793A JP3235303B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | アナログ補間方式座標検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP29257793A JP3235303B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | アナログ補間方式座標検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07129309A JPH07129309A (ja) | 1995-05-19 |
JP3235303B2 true JP3235303B2 (ja) | 2001-12-04 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29257793A Expired - Fee Related JP3235303B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | アナログ補間方式座標検出装置 |
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JP (1) | JP3235303B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-28 JP JP29257793A patent/JP3235303B2/ja not_active Expired - Fee Related
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