JP3233406U - Wafer bonding film structure - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体製造工程を簡素化し、歩留まりを向上させるウェハボンディングフィルム構造を提供する。【解決手段】金属鋼板印刷によって形成された導電性接着シート１０と、第１離型フィルム２０と、第２離型フィルム３０と、を含むウェハボンディングフィルム構造である。第１離型フィルムは、導電性接着シートの一表面を完全に覆い、導電性接着シートの周縁を越えて延びる第１封止辺２１を有する。第２離型フィルムは、第１離型フィルムに対向するように導電性接着シートの他の表面を完全に覆い、導電性接着シートの周縁を越えて延びる第２封止辺３１を有し、導電性接着シートが第２封止辺と前記第１封止辺との間の静電吸着を通じて第１離型フィルムと第２離型フィルムとの間に囲まれて封じ込まれる。均一に薄化される接着フィルムを使用することで、半導体製造工程を簡素化し、歩留まりを向上させる。【選択図】図２PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer bonding film structure which simplifies a semiconductor manufacturing process and improves a yield. A wafer bonding film structure including a conductive adhesive sheet 10 formed by printing a metal steel plate, a first release film 20, and a second release film 30. The first release film completely covers one surface of the conductive adhesive sheet and has a first sealing side 21 extending beyond the peripheral edge of the conductive adhesive sheet. The second release film completely covers the other surface of the conductive adhesive sheet so as to face the first release film, and has a second sealing side 31 extending beyond the peripheral edge of the conductive adhesive sheet. The conductive adhesive sheet is enclosed and sealed between the first release film and the second release film through electrostatic adsorption between the second sealing side and the first sealing side. By using an adhesive film that is uniformly thinned, the semiconductor manufacturing process is simplified and the yield is improved. [Selection diagram] Fig. 2
Description
本考案は、半導体に用いられる接着剤に関し、特に、ウェハボンディングフィルム構造に関する。 The present invention relates to an adhesive used for a semiconductor, and more particularly to a wafer bonding film structure.
従来の半導体装置の製造工程では、液状ダイボンディング接着剤（ダイボンダとも称する）を使用して、チップを素子の実装部位に接着させていた。このダイボンディング工程は、ウェハの裏面にダイボンディング用接着剤を塗布して硬化・成形し、チップを固着するが、接着剤塗布方法がディスペンサーなどの機器が必要となるため、製造工程のコストが大幅に増加していた。また、接着剤注入過程での圧力制御が容易ではないため、接着剤の溢れが頻繁に発生し、製品の歩留まりが低下していた。 In the conventional manufacturing process of a semiconductor device, a liquid die bonding adhesive (also referred to as a die bonder) is used to bond the chip to the mounting portion of the device. In this die bonding process, an adhesive for die bonding is applied to the back surface of the wafer, cured and molded, and the chips are fixed. However, since the adhesive application method requires equipment such as a dispenser, the cost of the manufacturing process is high. It had increased significantly. In addition, since it is not easy to control the pressure in the process of injecting the adhesive, the adhesive frequently overflows and the yield of the product is lowered.
さらに、高密度実装半導体技術の継続的な進歩に伴い、軽薄短小化がハイテク時代のニーズになり、素子のサイズ要求は、ますます厳しくなっている。このため、素子パッケージに均一に薄化されるダイボンディング用接着剤を使用し、素子パッケージの厚さを薄くすることが、業者が積極的に研究開発している方向性である。例えば、薄くて均一なウェハボンディングフィルムのある構造を形成することで、半導体製造工程を簡素化し、歩留まりを向上させるのは、本考案者の研究の動機である。 Furthermore, with the continuous progress of high-density mounting semiconductor technology, lightness, thinness, shortness and miniaturization have become needs in the high-tech era, and device size requirements are becoming more and more stringent. For this reason, it is a direction in which traders are actively researching and developing to reduce the thickness of the element package by using a die bonding adhesive that is uniformly thinned in the element package. For example, it is the motivation of the present inventor to simplify the semiconductor manufacturing process and improve the yield by forming a structure having a thin and uniform wafer bonding film.
これに鑑み本考案者は、上記目的を達成するため、鋭意研究を重ねると共に学理の運用を組み合わせ、上記問題点を解決することに努めた結果、ついに設計が合理的で、上記欠陥を効果的に改善できる本考案を提案した。 In view of this, in order to achieve the above objectives, the present inventor has made efforts to solve the above problems by repeating diligent research and combining the operation of science, and as a result, the design is finally rational and the above defects are effective. We proposed the present invention that can be improved.
本考案の一目的は、均一に薄化される接着フィルムを使用することで、半導体製造工程を簡素化し、歩留まりを向上させるウェハボンディングフィルム構造を提供することである。 One object of the present invention is to provide a wafer bonding film structure that simplifies the semiconductor manufacturing process and improves the yield by using an adhesive film that is uniformly thinned.
上記目的を達成するため本考案は、導電性接着シートと、第１離型フィルムと、第２離型フィルムと、を含むウェハボンディングフィルム構造である。第１離型フィルムは、導電性接着シートの一表面を完全に覆い、導電性接着シートの周縁を越えて延びる第１封止辺を有する。第２離型フィルムは、第１離型フィルムに対向するように導電性接着シートの他の表面を完全に覆い、導電性接着シートの周縁を越えて延びる第２封止辺を有し、導電性接着シートが第２封止辺と前記第１封止辺との間の静電吸着を通じて第１離型フィルムと第２離型フィルムとの間に囲まれて封じ込まれる。 In order to achieve the above object, the present invention is a wafer bonding film structure including a conductive adhesive sheet, a first release film, and a second release film. The first release film completely covers one surface of the conductive adhesive sheet and has a first sealing side extending beyond the peripheral edge of the conductive adhesive sheet. The second release film completely covers the other surface of the conductive adhesive sheet so as to face the first release film, has a second sealing side extending beyond the periphery of the conductive adhesive sheet, and is conductive. The sex-adhesive sheet is enclosed and sealed between the first release film and the second release film through electrostatic adsorption between the second sealing side and the first sealing side.
従来の技術と比較すると、本考案のウェハボンディングフィルム構造の離型フィルム面積は、導電性接着シートの面積よりも大きく、導電性接着シートを２つの離型フィルムの間に配置されてから２つの離型フィルムの間の相互静電吸着力を通じて導電性接着シートをその２つの間に囲まれて封じ込まれる。導電性接着シートが金属鋼板印刷によって均一な厚さの薄型シートを形成することで、シートの厚さ（シート量）を効果的に制御すると共に製造工程を簡素化でき、従来では使用しなければならない接着剤分注機（ディスペンサー）等を省くことができるため、コストを大幅に削減すると共に製品歩留まりを向上できる。 Compared with the conventional technique, the release film area of the wafer bonding film structure of the present invention is larger than the area of the conductive adhesive sheet, and two after the conductive adhesive sheet is arranged between the two release films. The conductive adhesive sheet is enclosed and sealed between the two through mutual electrostatic attraction between the release films. By forming a thin sheet with a uniform thickness by printing a metal steel plate on the conductive adhesive sheet, the thickness of the sheet (sheet amount) can be effectively controlled and the manufacturing process can be simplified. Since it is possible to omit an adhesive dispenser (dispenser) that does not have to be used, the cost can be significantly reduced and the product yield can be improved.
以下、本考案の詳細な説明及び技術内容は、図面を参照しつつ説明するが、図面は例示のみを目的としており、本考案を限定することを意図するものではない。 Hereinafter, the detailed description and technical contents of the present invention will be described with reference to the drawings, but the drawings are for illustration purposes only and are not intended to limit the present invention.
図１及び図２を参照すると、それぞれ本考案のウェハボンディングフィルム構造の立体分解図及び組立断面図である。本考案は、ウェハボンディングフィルム１の構造を提供する。ウェハボンディングフィルム１の構造は、ウェハ２（チップ）を半導体素子の基板３に結合するために必要な接着剤を提供し、ウェハ２を接合するために用いられる。前記ウェハボンディングフィルム１は、導電性接着シート１０と、第１離型フィルム２０と、第２離型フィルム３０と、を備える。前記導電性接着シート１０は、前記第１離型フィルム２０と前記第２離型フィルム３０との間に挟まれる。前記ウェハボンディングフィルム１の構造詳細については、後述する。
With reference to FIGS. 1 and 2, it is a three-dimensional exploded view and an assembly sectional view of the wafer bonding film structure of the present invention, respectively. The present invention provides the structure of the
前記導電性接着シート１０は、導電性を有する固体状の接着剤であり、好ましくは前記導電性接着シート１０が導電性材料（銀粉など）と混合された熱硬化性エポキシ樹脂で構成され、かつ鋼板印刷で作製されるものとする。実際に実施される時、これに限定されない。
The conductive
前記第１離型フィルム２０の面積は、前記導電性接着シート１０の面積よりも大きく、すなわち、前記第１離型フィルム２０は、前記導電性接着シート１０の第１表面１０１を完全に覆い、前記導電性接着シート１０の周縁を越えて延びる第１封止辺１１を有する。
The area of the
また、前記第２離型フィルム３０の面積も、前記導電性接着シート１０の面積よりも大きく、すなわち、前記第２離型フィルム３０は、前記第１離型フィルム２０に対向するように前記導電性接着シート１０の第２表面１０２を完全に覆う。前記第２離型フィルム３０は、前記導電性接着シート１０の周縁を越えて延びる第２封止辺３１を有する。実際に実施する時、前記導電性接着シート１０は、前記第２封止辺３１と前記第１封止辺２１との間で生じた静電吸着作用を通じて前記第１離型フィルム２０と前記第２離型フィルム３０との間に囲まれて封じ込まれる。
Further, the area of the
本考案の一実施例において、前記第１離型フィルム及び前記第２離型フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）で構成される。なお、前記導電性接着シート１０は、略円形を呈し、かつ前記導電性接着シート１０が前記第１離型フィルム２０と前記第２離型フィルム３０との間に挟着された後でロールテープ式製品にすることができることで、後工程の輸送及び使用に便利になる。
In one embodiment of the present invention, the first release film and the second release film are composed of polyethylene terephthalate (PET). The conductive
引き続き図３及び図４を参照すると、それぞれ本考案に係るウェハボンディングフィルムから離型フィルムを剥がし取って使用する様子を示す図及びウェハを接着して使用する様子を示す図である。本考案のウェハボンディングフィルム１は、ウェハ２（ダイシング後にチップを形成）を半導体素子の基板３に結合するために必要な接着剤を提供し、ウェハ２を接合するために用いられる。前記ウェハボンディングフィルム１を使用する時、まず前記導電性接着シート１０の表面を貼って覆っている第１離型フィルム２０及び第２離型フィルム３０を剥がし取り、次に前記導電性接着シート１０をダイシングテープ４０に貼り付け、そして前記ウェハ２を前記導電性接着シート１０に置かれ、これをもって前記ウェハ２を前記導電性接着シート１０に付着させる。好ましくは、前記導電性接着シート１０の面積は、前記ウェハ２の面積よりも少し大きい。
With reference to FIGS. 3 and 4, respectively, it is a diagram showing a state in which the release film is peeled off from the wafer bonding film according to the present invention and used, and a diagram showing a state in which the wafer is adhered and used. The
また、図５及び図６を参照すると、それぞれ本考案に係るウェハボンディングフィルムにウェハを結合した場合の断面図及び使用する様子を示す図である。前記ウェハ２及び前記導電性接着シート１０をカットした後、そのうちの一つのチップ２’及びそれに付着した導電性接着シート１０’を単独に取り出すことができる。最後に、前記ダイシングテープ４０上の前記チップ２’及び前記導電性接着シート１０’を拾い上げて、半導体素子の基板３（チップ配置）に配置することで、その後のワイヤボンディング、モールド及びテスティング等の後工程が進められる。
Further, with reference to FIGS. 5 and 6, it is a cross-sectional view and a state of use when the wafer is bonded to the wafer bonding film according to the present invention, respectively. After cutting the
上記は、本考案の好ましい実施例に過ぎず、これにより本考案の権利範囲を限定するものではなく、本考案の精神を運用して行われた均等範囲内の変化は、すべて本考案の保護範囲に網羅される。 The above is merely a preferred embodiment of the present invention, which does not limit the scope of rights of the present invention, and all changes within an equal range made by operating the spirit of the present invention are the protection of the present invention. Covered in range.
１０、１０’ 導電性接着シート
１０１ 第１表面
１０２ 第２表面
１ ウェハボンディングフィルム
２ ウェハ
２’ チップ
３ 基板
２０ 第１離型フィルム
２１ 第１封止辺
３０ 第２離型フィルム
３１ 第２封止辺
４０ ダイシングテープ
10, 10'conductive
Claims (6)
前記導電性接着シートの一表面を完全に覆い、前記導電性接着シートの周縁を越えて延びる第１封止辺を有する第１離型フィルムと、
前記第１離型フィルムに対向するように前記導電性接着シートの他の表面を完全に覆い、前記導電性接着シートの周縁を越えて延びる第２封止辺を有する第２離型フィルムと、
を含み、
前記導電性接着シートが前記第２封止辺と前記第１封止辺との間の静電吸着を通じて前記第１離型フィルムと前記第２離型フィルムとの間に囲まれて封じ込まれる、ウェハボンディングフィルム構造。 With a conductive adhesive sheet,
A first release film having a first sealing edge that completely covers one surface of the conductive adhesive sheet and extends beyond the peripheral edge of the conductive adhesive sheet.
A second release film having a second sealing edge that completely covers the other surface of the conductive adhesive sheet so as to face the first release film and extends beyond the peripheral edge of the conductive adhesive sheet.
Including
The conductive adhesive sheet is enclosed and sealed between the first release film and the second release film through electrostatic adsorption between the second sealing side and the first sealing side. , Wafer bonding film structure.
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