JP3230945B2 - イオン源及びイオン注入装置 - Google Patents
イオン源及びイオン注入装置Info
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 66
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオン源及びイオン注入
装置に係り、特に放電室にマイクロ波を導入してプラズ
マを発生させるイオン源、及びそのイオン源を備えたイ
オン注入装置に関する。
装置に係り、特に放電室にマイクロ波を導入してプラズ
マを発生させるイオン源、及びそのイオン源を備えたイ
オン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン源は一般に、矩形断面をなす導波
管と、この導波管に接続された円形断面をなす放電室と
から構成され、放電室に導波管から特定周波数（例えば
２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波を導入することにより、
放電室内にプラズマを発生させるものである。そして、
放電室内のプラズマからイオンビームを引き出し、この
イオンビームを試料に注入したり、照射することによ
り、試料表面を改質したり、あるいは試料を加工したり
する装置に適用される。
管と、この導波管に接続された円形断面をなす放電室と
から構成され、放電室に導波管から特定周波数（例えば
２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波を導入することにより、
放電室内にプラズマを発生させるものである。そして、
放電室内のプラズマからイオンビームを引き出し、この
イオンビームを試料に注入したり、照射することによ
り、試料表面を改質したり、あるいは試料を加工したり
する装置に適用される。
【０００３】この種のイオン源の従来技術としては、特
開昭６４−４３９５０号公報，特開平２−３００３８号
公報に示すものがある。これらの従来技術では何れも、
矩形断面の導波管が円形断面の放電室に直接接続されて
いるので両者のインピーダンスが異なるため、導波管の
放電室との接続部分の導入窓には複数枚からなる多層誘
電体（石英，アルミナ，ボロンナイトライド）を設け、
これら各々の誘電体の厚さ及び誘電率を異ならせしめて
導波管と放電室間におけるマイクロ波とプラズマとをイ
ンピーダンス整合させている。
開昭６４−４３９５０号公報，特開平２−３００３８号
公報に示すものがある。これらの従来技術では何れも、
矩形断面の導波管が円形断面の放電室に直接接続されて
いるので両者のインピーダンスが異なるため、導波管の
放電室との接続部分の導入窓には複数枚からなる多層誘
電体（石英，アルミナ，ボロンナイトライド）を設け、
これら各々の誘電体の厚さ及び誘電率を異ならせしめて
導波管と放電室間におけるマイクロ波とプラズマとをイ
ンピーダンス整合させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記に示す
従来技術は、多層誘電体の各々の厚さ及び誘電率を異な
らせしめることによってインピーダンス整合をとるよう
にしているものの、導波管が矩形断面であってかつ放電
室が円形断面となっているので、導波管と放電室との接
合部においてどうしてもインピーダンス不整合が起こ
り、そのため、上記した接合部でマイクロ波の反射が発
生し、マイクロ波のプラズマへの十分な伝播が行われな
くなり、その結果、大電流のイオンビームを引き出すこ
とができない問題があった。このような問題は、プラズ
マのインピーダンスが実際には、試料に対するガスの流
量，磁場強度，マイクロ波電力などのようなイオン源の
動作条件や放電室の大きさ、或いは引出し電極の間隔等
の構造によつて微妙に変化するので、設計上から誘電体
の厚さ及び誘電率の違いのみを単に求めても、インピー
ダンス整合をとることが困難なことに起因する。
従来技術は、多層誘電体の各々の厚さ及び誘電率を異な
らせしめることによってインピーダンス整合をとるよう
にしているものの、導波管が矩形断面であってかつ放電
室が円形断面となっているので、導波管と放電室との接
合部においてどうしてもインピーダンス不整合が起こ
り、そのため、上記した接合部でマイクロ波の反射が発
生し、マイクロ波のプラズマへの十分な伝播が行われな
くなり、その結果、大電流のイオンビームを引き出すこ
とができない問題があった。このような問題は、プラズ
マのインピーダンスが実際には、試料に対するガスの流
量，磁場強度，マイクロ波電力などのようなイオン源の
動作条件や放電室の大きさ、或いは引出し電極の間隔等
の構造によつて微妙に変化するので、設計上から誘電体
の厚さ及び誘電率の違いのみを単に求めても、インピー
ダンス整合をとることが困難なことに起因する。
【０００５】このため、通常ではプラズマと矩形導波管
のインピーダンスマッチング（負荷整合）をとるため
に、例えば導波管に３本の棒が設けられ、各棒の長さを
調整する３スタブチューナ等の調整手段を用い、該手段
を手動で操作してインピーダンス整合をとっているが、
この場合、３本の操作棒を微妙に操作しなければならな
いので、調整作業にかなりの手間を要し、煩雑となる問
題があった。しかも、調整時には感電等の危険性も起こ
り得る問題があった。
のインピーダンスマッチング（負荷整合）をとるため
に、例えば導波管に３本の棒が設けられ、各棒の長さを
調整する３スタブチューナ等の調整手段を用い、該手段
を手動で操作してインピーダンス整合をとっているが、
この場合、３本の操作棒を微妙に操作しなければならな
いので、調整作業にかなりの手間を要し、煩雑となる問
題があった。しかも、調整時には感電等の危険性も起こ
り得る問題があった。
【０００６】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、マイクロ波とプラズマとを確実かつ容易にインピ
ーダンス整合させ、以て大電流化を実現することができ
るイオン源を提供することにあり、他の目的は、上記イ
オン源を用いて高速処理を実現し得るイオン注入装置を
提供することにある。
鑑み、マイクロ波とプラズマとを確実かつ容易にインピ
ーダンス整合させ、以て大電流化を実現することができ
るイオン源を提供することにあり、他の目的は、上記イ
オン源を用いて高速処理を実現し得るイオン注入装置を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係るイオン源は、放電室と、該放電室にプラ
ズマを形成するためのマイクロ波を導入する導波管と、
該導波管と放電室間に介設された整合管とを備え、前記
整合管は、その断面形状がマイクロ波の進行方向に沿っ
て、対向する二つの平面と円弧部より成る部分から円形
部分に変化していることを特徴とする。また、本発明に
係るイオン源は、断面円形の放電室と、該放電室にプラ
ズマを形成するためのマイクロ波を導入する断面矩形の
導波管と、該導波管と放電室間に介設された整合管とを
備え、前記整合管は、該整合管を通るマイクロ波の電気
力線を導波管部の直線状から放電室の円弧部とは反対向
きの円形に近づくように彎曲させて前記導波管と放電室
間におけるマイクロ波とプラズマとをインピーダンス整
合し得るものであることを特徴とする。また、本発明に
係るイオン源は、断面円形の放電室と、該放電室にプラ
ズマを形成するためのマイクロ波を導入する断面矩形の
導波管と、該導波管と放電室間に介設された整合管とを
備え、前記整合管は、前記導波管側が相対向する二つの
面とこの面間の端部を結ぶ円弧部とを有する通路部と、
前記放電室側が円形状の通路部からなることを特徴とす
る。また、本発明に係るイオン源は、断面円形の放電室
と、該放電室にプラズマを形成するためのマイクロ波を
導入する断面矩形の導波管と、該導波管と放電室間に介
設された整合管と、該整合管と導波管の間に介設され、
マイクロ波の進行方向に絞られているテーパ形状を有す
る断面矩形のテーパ導波管とを備え、前記整合管は、前
記テーパ導波管側が該テーパ導波管と略同様な断面矩形
に形成され、かつ、前記放電室側が該放電室とほぼ同様
な断面円形に形成されていることを特徴とする。また、
本発明に係るイオン源は、断面円形の放電室と、該放電
室にプラズマを形成するためのマイクロ波を導入する断
面矩形の導波管と、該導波管と放電室間に介設された整
合管と、該整合管と導波管の間に介設され、マイクロ波
の進行方向に絞られているテーパ形状を有する断面矩形
のテーパ導波管とを備え、前記整合管は、断面円形の前
記放電室の一部と同形状の円形部と、矩形断面の前記テ
ーパ導波管の一部と同形状の矩形部とが組み合わされて
形成され、その周長が、前記テーパ導波管の矩形断面の
周長と前記放電室の断面円形の周長との間にあることを
特徴とする。また、本発明に係るイオン源は、断面円形
の放電室と、該放電室にプラズマを形成するためのマイ
クロ波を導入する断面矩形の導波管と、該導波管と放電
室間に介設された整合管と、該整合管と導波管の間に介
設され、マイクロ波の進行方向に絞られているテーパ形
状を有する断面矩形のテーパ導波管とを備え、前記整合
管は、その内部に断面が円弧部と直線部とから成り、か
つ、相対向する部分に平行な面をもつ二つの充填物が離
間して配置され、各充填物間で形成されるマイクロ波の
通路部と、断面が円形状に形成されるマイクロ波の通路
部とから構成されることを特徴とする。
の本発明に係るイオン源は、放電室と、該放電室にプラ
ズマを形成するためのマイクロ波を導入する導波管と、
該導波管と放電室間に介設された整合管とを備え、前記
整合管は、その断面形状がマイクロ波の進行方向に沿っ
て、対向する二つの平面と円弧部より成る部分から円形
部分に変化していることを特徴とする。また、本発明に
係るイオン源は、断面円形の放電室と、該放電室にプラ
ズマを形成するためのマイクロ波を導入する断面矩形の
導波管と、該導波管と放電室間に介設された整合管とを
備え、前記整合管は、該整合管を通るマイクロ波の電気
力線を導波管部の直線状から放電室の円弧部とは反対向
きの円形に近づくように彎曲させて前記導波管と放電室
間におけるマイクロ波とプラズマとをインピーダンス整
合し得るものであることを特徴とする。また、本発明に
係るイオン源は、断面円形の放電室と、該放電室にプラ
ズマを形成するためのマイクロ波を導入する断面矩形の
導波管と、該導波管と放電室間に介設された整合管とを
備え、前記整合管は、前記導波管側が相対向する二つの
面とこの面間の端部を結ぶ円弧部とを有する通路部と、
前記放電室側が円形状の通路部からなることを特徴とす
る。また、本発明に係るイオン源は、断面円形の放電室
と、該放電室にプラズマを形成するためのマイクロ波を
導入する断面矩形の導波管と、該導波管と放電室間に介
設された整合管と、該整合管と導波管の間に介設され、
マイクロ波の進行方向に絞られているテーパ形状を有す
る断面矩形のテーパ導波管とを備え、前記整合管は、前
記テーパ導波管側が該テーパ導波管と略同様な断面矩形
に形成され、かつ、前記放電室側が該放電室とほぼ同様
な断面円形に形成されていることを特徴とする。また、
本発明に係るイオン源は、断面円形の放電室と、該放電
室にプラズマを形成するためのマイクロ波を導入する断
面矩形の導波管と、該導波管と放電室間に介設された整
合管と、該整合管と導波管の間に介設され、マイクロ波
の進行方向に絞られているテーパ形状を有する断面矩形
のテーパ導波管とを備え、前記整合管は、断面円形の前
記放電室の一部と同形状の円形部と、矩形断面の前記テ
ーパ導波管の一部と同形状の矩形部とが組み合わされて
形成され、その周長が、前記テーパ導波管の矩形断面の
周長と前記放電室の断面円形の周長との間にあることを
特徴とする。また、本発明に係るイオン源は、断面円形
の放電室と、該放電室にプラズマを形成するためのマイ
クロ波を導入する断面矩形の導波管と、該導波管と放電
室間に介設された整合管と、該整合管と導波管の間に介
設され、マイクロ波の進行方向に絞られているテーパ形
状を有する断面矩形のテーパ導波管とを備え、前記整合
管は、その内部に断面が円弧部と直線部とから成り、か
つ、相対向する部分に平行な面をもつ二つの充填物が離
間して配置され、各充填物間で形成されるマイクロ波の
通路部と、断面が円形状に形成されるマイクロ波の通路
部とから構成されることを特徴とする。
【０００８】また、本発明に係るイオン注入装置は、上
記いずれかの特徴を有するイオン源と、該イオン源から
引き出されたイオンから特定のイオンを分離する質量分
離器と、該質量分離器によって分離された特定のイオン
を所定のエネルギーに加速する加速管と、該加速管で加
速された特定のイオンを所望位置に集束させるレンズ手
段と、特定のイオンの不純物を除去して所望方向に偏向
させる偏向器と、該偏向器で偏向された特定のイオンを
照射し、ワークを処理する処理室とを備えていることを
特徴とする。
記いずれかの特徴を有するイオン源と、該イオン源から
引き出されたイオンから特定のイオンを分離する質量分
離器と、該質量分離器によって分離された特定のイオン
を所定のエネルギーに加速する加速管と、該加速管で加
速された特定のイオンを所望位置に集束させるレンズ手
段と、特定のイオンの不純物を除去して所望方向に偏向
させる偏向器と、該偏向器で偏向された特定のイオンを
照射し、ワークを処理する処理室とを備えていることを
特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明のイオン源では、導波管によりマイクロ
波を供給すると、そのマイクロ波が整合管を経て放電室
内に導入され、該放電室内にプラズマが生成される。こ
の場合、導波管，整合管の夫々の内部をマイクロ波が通
過すると、導波管，整合管のそれぞれの断面形状の違い
によってインピーダンスが異なり、マイクロ波が反射す
るおそれがある。
波を供給すると、そのマイクロ波が整合管を経て放電室
内に導入され、該放電室内にプラズマが生成される。こ
の場合、導波管，整合管の夫々の内部をマイクロ波が通
過すると、導波管，整合管のそれぞれの断面形状の違い
によってインピーダンスが異なり、マイクロ波が反射す
るおそれがある。
【００１０】しかし、上述の如く、導波管と放電室間に
介設され、通過するマイクロ波の反射を、マイクロ波の
進行方向に沿って段階的に抑制し得る整合管を有してい
るので、該整合管によりマイクロ波とプラズマとを確実
にかつ容易にインピーダンス整合させることができる。
そのため、従来技術のように放電室の導入窓に複数枚の
誘電体を設けることが不要になるばかりでなく、３スタ
ブチューナ等の調整手段が不要になり、調整手段を用い
ることによる問題を解消し得、マイクロ波のプラズマへ
の伝播を的確に行うことができ、大電流化を実現し得
る。
介設され、通過するマイクロ波の反射を、マイクロ波の
進行方向に沿って段階的に抑制し得る整合管を有してい
るので、該整合管によりマイクロ波とプラズマとを確実
にかつ容易にインピーダンス整合させることができる。
そのため、従来技術のように放電室の導入窓に複数枚の
誘電体を設けることが不要になるばかりでなく、３スタ
ブチューナ等の調整手段が不要になり、調整手段を用い
ることによる問題を解消し得、マイクロ波のプラズマへ
の伝播を的確に行うことができ、大電流化を実現し得
る。
【００１１】また、本発明のイオン注入装置では、イオ
ン源として、矩形断面をなす導波管と前記放電室間に介
設され、通過するマイクロ波の反射を、マイクロ波の進
行方向に沿って段階的に抑制し得る整合管を有し、該整
合管によりインピーダンス整合されかつ大電流化したイ
オンビームを照射できるので、安定した高速処理を実現
することができる。
ン源として、矩形断面をなす導波管と前記放電室間に介
設され、通過するマイクロ波の反射を、マイクロ波の進
行方向に沿って段階的に抑制し得る整合管を有し、該整
合管によりインピーダンス整合されかつ大電流化したイ
オンビームを照射できるので、安定した高速処理を実現
することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１乃至図５により
説明する。図１乃至図４は本発明によるイオン源の一実
施例を示している。
説明する。図１乃至図４は本発明によるイオン源の一実
施例を示している。
【００１３】本実施例のイオン源は、大別すると図１及
び図２に示すように、導波管１と、これに接続される放
電室７とを有して構成されている。
び図２に示すように、導波管１と、これに接続される放
電室７とを有して構成されている。
【００１４】導波管１は、放電室７に特定周波数（２．
４５ＧＨｚ）のマイクロ波を導入することにより放電室
７にプラズマを発生させるためのものであり、内部が図
３（ａ）に示すように、矩形の断面をなしている。
４５ＧＨｚ）のマイクロ波を導入することにより放電室
７にプラズマを発生させるためのものであり、内部が図
３（ａ）に示すように、矩形の断面をなしている。
【００１５】放電室７は図１に示すように、導波管１に
よりマイクロ波が導入されると共に、図示しないガス供
給口からガスが供給され、コイル８ａ，８ｂにより電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件の直流磁場がマイク
ロ波電界に対し直角方向に印加されると、これらの相互
作用により供給されたガスからプラズマを生成する。そ
して、生成したプラズマから加速電極９，減速電極１
０，アース電極１１よりなるイオン引出し電極系により
イオンビームが下流側に引き出されるようになってい
る。そのため、加速電極９，減速電極１０，アース電極
１１の夫々は、放電室７の下流側に絶縁物１２〜１４に
より夫々支持されている。
よりマイクロ波が導入されると共に、図示しないガス供
給口からガスが供給され、コイル８ａ，８ｂにより電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件の直流磁場がマイク
ロ波電界に対し直角方向に印加されると、これらの相互
作用により供給されたガスからプラズマを生成する。そ
して、生成したプラズマから加速電極９，減速電極１
０，アース電極１１よりなるイオン引出し電極系により
イオンビームが下流側に引き出されるようになってい
る。そのため、加速電極９，減速電極１０，アース電極
１１の夫々は、放電室７の下流側に絶縁物１２〜１４に
より夫々支持されている。
【００１６】加速電極９，減速電極１０，及びアース電
極１１は、放電室７のプラズマからイオンを引き出せる
ように複数個の穴あるいはスリットを有し、これらの電
極９，１０及び１１は、プラズマからのイオンビームに
よって加熱されるので耐熱性のある高融点金属、例えば
モリブデンからなっている。絶縁物１２〜１４は、炭素
繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）やアルミナ等で構成さ
れている。
極１１は、放電室７のプラズマからイオンを引き出せる
ように複数個の穴あるいはスリットを有し、これらの電
極９，１０及び１１は、プラズマからのイオンビームに
よって加熱されるので耐熱性のある高融点金属、例えば
モリブデンからなっている。絶縁物１２〜１４は、炭素
繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）やアルミナ等で構成さ
れている。
【００１７】この放電室７は、図３（ｄ）に示す如く、
円形の断面をなす円筒形状に形成され、マイクロ波の導
入部（左側）にはマイクロ波導入窓が取付けられてい
る。該マイクロ波導入窓は本例では、第１の導入窓５と
第２の導入窓６とからなっている。そのうち、第１の導
入窓５は、放電室７を真空に保つための真空封止用で、
気泡を含まない材質のもの、例えば石英，アルミナ，窒
化アルミ，ベスペル等からなっている。第２の導入窓６
は、放電室７内で発生するプラズマや逆流電子によって
第１の導入窓５が損傷するのを防止するためのものであ
り、高温に耐える材質のもの、例えばボロンナイトライ
ド，窒化アルミ等からなっている。なお、これら第１の
導入窓５と第２の導入窓６の厚さは、導波管１によるマ
イクロ波の伝送の妨げとならないような厚さ、即ちマイ
クロ波の管内波長の１／４以下の厚さとなるように選定
されている。また、第１の導入窓５として窒化アルミを
用いた場合、これが真空封止機能及び逆流電子による損
傷防止機能の双方を兼ね備えているので、第２の導入窓
６を特に設ける必要はなく、そのときの第１の導入窓５
の厚さも考慮されるのは勿論である。
円形の断面をなす円筒形状に形成され、マイクロ波の導
入部（左側）にはマイクロ波導入窓が取付けられてい
る。該マイクロ波導入窓は本例では、第１の導入窓５と
第２の導入窓６とからなっている。そのうち、第１の導
入窓５は、放電室７を真空に保つための真空封止用で、
気泡を含まない材質のもの、例えば石英，アルミナ，窒
化アルミ，ベスペル等からなっている。第２の導入窓６
は、放電室７内で発生するプラズマや逆流電子によって
第１の導入窓５が損傷するのを防止するためのものであ
り、高温に耐える材質のもの、例えばボロンナイトライ
ド，窒化アルミ等からなっている。なお、これら第１の
導入窓５と第２の導入窓６の厚さは、導波管１によるマ
イクロ波の伝送の妨げとならないような厚さ、即ちマイ
クロ波の管内波長の１／４以下の厚さとなるように選定
されている。また、第１の導入窓５として窒化アルミを
用いた場合、これが真空封止機能及び逆流電子による損
傷防止機能の双方を兼ね備えているので、第２の導入窓
６を特に設ける必要はなく、そのときの第１の導入窓５
の厚さも考慮されるのは勿論である。
【００１８】一方、導波管１と放電室７間にはマイクロ
波とプラズマとをインピーダンス整合し得る整合管４が
介設されている。
波とプラズマとをインピーダンス整合し得る整合管４が
介設されている。
【００１９】該整合管４は、本例では図１及び図２に示
すように、導波管１にテーパ状導波管２を介し接続され
ている。テーパ状導波管２は、市販品の導波管１を使用
する寸法上の関係から用いたものであって、マイクロ波
の導入側としての一端が導波管１の導出部に接続され、
その他端側の長手方向寸法ｂ′が図３（ｂ）に示すよう
に、導波管１における長手方向の寸法ｂより狭めた寸法
の矩形断面をなしている。従って、テーパ状導波管２の
一端が導波管１と同形状をなし、そこから他端に至るに
従い、短手方向の寸法ａのみが導波管１の短手方向の寸
法ａと同じであって、かつ長手方向の寸法ｂ′が導波管
１の長手方向の寸法ｂから次第に絞り込まれた矩形断面
のテーパ形状をなしている。
すように、導波管１にテーパ状導波管２を介し接続され
ている。テーパ状導波管２は、市販品の導波管１を使用
する寸法上の関係から用いたものであって、マイクロ波
の導入側としての一端が導波管１の導出部に接続され、
その他端側の長手方向寸法ｂ′が図３（ｂ）に示すよう
に、導波管１における長手方向の寸法ｂより狭めた寸法
の矩形断面をなしている。従って、テーパ状導波管２の
一端が導波管１と同形状をなし、そこから他端に至るに
従い、短手方向の寸法ａのみが導波管１の短手方向の寸
法ａと同じであって、かつ長手方向の寸法ｂ′が導波管
１の長手方向の寸法ｂから次第に絞り込まれた矩形断面
のテーパ形状をなしている。
【００２０】前記整合管４は、マイクロ波の導入側であ
る一端がテーパ状導波管２の導出側に接続され、かつマ
イクロ波の導出側である他端が放電室７に接続され、マ
イクロ波の伝送方向である軸方向に適宜の長さをもつと
共に、放電室７と同様に円形の断面形状をなしている。
また、整合管４内の導入側の位置には充填物３ａ，３ｂ
が対向して設置されている。これら充填物３ａ，３ｂ
は、整合管４及びテーパ状導波管２と同様の材質、例え
ばステンレス等の非磁性材からなっている。この充填物
３ａ，３ｂは図１及び図２では実線にて示し、また図３
（ｃ）では二点鎖線にて示すように、互いに対向する二
つの面が平行な面をなすと共に、その反対側が円弧をな
す半月状に形成され、整合管４内の導入側の位置におい
て軸心を中心として互いに対向配置され、しかも軸方向
に沿い適宜の長さをなして配置されている。従って、整
合管４内の導入側においては充填物３ａ，３ｂによって
円形が切欠かれた通路部３Ａが画成され、該通路部３Ａ
より下流側が放電室７と同様の断面形状をなす円形の通
路部３Ｂが画成されている。
る一端がテーパ状導波管２の導出側に接続され、かつマ
イクロ波の導出側である他端が放電室７に接続され、マ
イクロ波の伝送方向である軸方向に適宜の長さをもつと
共に、放電室７と同様に円形の断面形状をなしている。
また、整合管４内の導入側の位置には充填物３ａ，３ｂ
が対向して設置されている。これら充填物３ａ，３ｂ
は、整合管４及びテーパ状導波管２と同様の材質、例え
ばステンレス等の非磁性材からなっている。この充填物
３ａ，３ｂは図１及び図２では実線にて示し、また図３
（ｃ）では二点鎖線にて示すように、互いに対向する二
つの面が平行な面をなすと共に、その反対側が円弧をな
す半月状に形成され、整合管４内の導入側の位置におい
て軸心を中心として互いに対向配置され、しかも軸方向
に沿い適宜の長さをなして配置されている。従って、整
合管４内の導入側においては充填物３ａ，３ｂによって
円形が切欠かれた通路部３Ａが画成され、該通路部３Ａ
より下流側が放電室７と同様の断面形状をなす円形の通
路部３Ｂが画成されている。
【００２１】そして、前記通路部３Ａの断面形状３′
は、導波管１の長手方向と対応する面が、該導波管１の
長手方向寸法ｂより小さい寸法の平面に形成される一
方、導波管１の短手方向寸法ａと対応する面が、該導波
管短手方向寸法ａより大きい寸法ｃをもつ円弧形状に形
成されている。従って、通路部３Ａの断面形状３′は、
二つの平面と円弧部とより形成されている。また、この
断面形状３′は、断面形状３′の周長がテーパ状導波管
２における整合管４との接続部分の断面２′と、整合管
４の円形の通路部３Ｂの断面（即ち、放電室７内の断
面）４′との夫々の周長の幾何平均となるように設定さ
れている。
は、導波管１の長手方向と対応する面が、該導波管１の
長手方向寸法ｂより小さい寸法の平面に形成される一
方、導波管１の短手方向寸法ａと対応する面が、該導波
管短手方向寸法ａより大きい寸法ｃをもつ円弧形状に形
成されている。従って、通路部３Ａの断面形状３′は、
二つの平面と円弧部とより形成されている。また、この
断面形状３′は、断面形状３′の周長がテーパ状導波管
２における整合管４との接続部分の断面２′と、整合管
４の円形の通路部３Ｂの断面（即ち、放電室７内の断
面）４′との夫々の周長の幾何平均となるように設定さ
れている。
【００２２】例えば、図３（ａ）において、長手方向寸
法ｂが９．６ｃｍでかつ短手方向寸法ａが２．７ｃｍと
なる矩形断面１′の導波管１を用い、マイクロ波の周波
数が２．４５ＧＨｚとした場合、整合管４により該整合
管４の基本モードであるＴＥ１１のみを伝送しようとす
ると、円形の通路部３Ｂの断面４′の直径が７．２〜
９．３ｃｍとなる。ここで、円形の通路部３Ｂの断面
４′の直径を８ｃｍとし、またテーパ状導波管２におけ
る整合管４との接続部分が整合管４に内接し得る大きさ
とし、その断面形状２′を図３（ｂ）に示す如く、長手
方向寸法ｂ′が７．５ｃｍ、短手方向寸法ａが２．７ｃ
ｍの大きさとすれば、整合管４における通路部３Ａの断
面３′の周長は２２．６４ｃｍとなる。この場合、断面
３′において寸法ｃ側の円弧部の径が円形の通路部３Ｂ
の断面４′をなす径と同じであるので、寸法ｃは４．４
ｃｍとなる。
法ｂが９．６ｃｍでかつ短手方向寸法ａが２．７ｃｍと
なる矩形断面１′の導波管１を用い、マイクロ波の周波
数が２．４５ＧＨｚとした場合、整合管４により該整合
管４の基本モードであるＴＥ１１のみを伝送しようとす
ると、円形の通路部３Ｂの断面４′の直径が７．２〜
９．３ｃｍとなる。ここで、円形の通路部３Ｂの断面
４′の直径を８ｃｍとし、またテーパ状導波管２におけ
る整合管４との接続部分が整合管４に内接し得る大きさ
とし、その断面形状２′を図３（ｂ）に示す如く、長手
方向寸法ｂ′が７．５ｃｍ、短手方向寸法ａが２．７ｃ
ｍの大きさとすれば、整合管４における通路部３Ａの断
面３′の周長は２２．６４ｃｍとなる。この場合、断面
３′において寸法ｃ側の円弧部の径が円形の通路部３Ｂ
の断面４′をなす径と同じであるので、寸法ｃは４．４
ｃｍとなる。
【００２３】次に、上記の如き構成されたイオン源の作
用について述べる。導波管１によりマイクロ波を供給す
ると、そのマイクロ波は、テーパ状導波管２及び整合管
４を経て放電室７内に導入され、放電室７でプラズマが
生成される。この場合、導波管１，テーパ状導波管２，
整合管４の夫々の内部をマイクロ波が通過すると、導波
管２，整合管４のインピーダンスの違いによってマイク
ロ波が反射するおそれがある。
用について述べる。導波管１によりマイクロ波を供給す
ると、そのマイクロ波は、テーパ状導波管２及び整合管
４を経て放電室７内に導入され、放電室７でプラズマが
生成される。この場合、導波管１，テーパ状導波管２，
整合管４の夫々の内部をマイクロ波が通過すると、導波
管２，整合管４のインピーダンスの違いによってマイク
ロ波が反射するおそれがある。
【００２４】このとき、マイクロ波の電界方向である電
気力線ｅは、導波管１内では矩形断面１′をなしている
ので、図４（ａ）に示す如く幅方向寸法ａに沿う平行な
ものとなり、またテーパ状導波管２も矩形断面２′をな
しているので、ここでも同図（ｂ）に示す如く同様に平
行である。しかし、整合管４内では導入側に位置する通
路部３Ａの断面形状３′が上述の如く、導波管１の幅方
向と対応する部分が円弧をなしているので、その円弧形
状に近い外側寄りの電気力線ｅは、次第に円弧形状と反
対向きの形態で彎曲し円形の電気力線に近くなり、断面
円形の放電室７と断面矩形の導波管１とのインピーダン
ス整合がとれることにより、マイクロ波の反射を抑える
ことができる。そして、整合管４の導出側である円形の
通路部３Ｂは放電室７と同様に円形の断面形状４′であ
るので、電気力線ｅはさらに彎曲し、インピーダンス整
合がさらにとれることとなり、マイクロ波の反射をより
抑えることができる。
気力線ｅは、導波管１内では矩形断面１′をなしている
ので、図４（ａ）に示す如く幅方向寸法ａに沿う平行な
ものとなり、またテーパ状導波管２も矩形断面２′をな
しているので、ここでも同図（ｂ）に示す如く同様に平
行である。しかし、整合管４内では導入側に位置する通
路部３Ａの断面形状３′が上述の如く、導波管１の幅方
向と対応する部分が円弧をなしているので、その円弧形
状に近い外側寄りの電気力線ｅは、次第に円弧形状と反
対向きの形態で彎曲し円形の電気力線に近くなり、断面
円形の放電室７と断面矩形の導波管１とのインピーダン
ス整合がとれることにより、マイクロ波の反射を抑える
ことができる。そして、整合管４の導出側である円形の
通路部３Ｂは放電室７と同様に円形の断面形状４′であ
るので、電気力線ｅはさらに彎曲し、インピーダンス整
合がさらにとれることとなり、マイクロ波の反射をより
抑えることができる。
【００２５】従って、マイクロ波が整合管４内の通路部
３Ａから円形の通路部３Ｂ側を通過するに伴い、電気力
線ｅが次第に彎曲してくるので、マイクロ波が反射する
のを段階的に抑制することができる。そのため、従来技
術のように放電室の導入窓に複数枚の誘電体を設けるこ
とが不要（但し、真空を保持するための透過窓は必要）
になるばかりでなく、３スタブチューナ等の調整手段を
用いなくとも、インピーダンス整合をとることができ、
マイクロ波の反射を抑制できるので、調整手段を用いる
ことによる問題を解消し得、大電流化を実現し得る。
３Ａから円形の通路部３Ｂ側を通過するに伴い、電気力
線ｅが次第に彎曲してくるので、マイクロ波が反射する
のを段階的に抑制することができる。そのため、従来技
術のように放電室の導入窓に複数枚の誘電体を設けるこ
とが不要（但し、真空を保持するための透過窓は必要）
になるばかりでなく、３スタブチューナ等の調整手段を
用いなくとも、インピーダンス整合をとることができ、
マイクロ波の反射を抑制できるので、調整手段を用いる
ことによる問題を解消し得、大電流化を実現し得る。
【００２６】また一般に、矩形をなす導波管１，テーパ
状導波管２，円形断面の整合管４を接続する場合、整合
管４の通路部３Ａの断面として、それより前の通路の断
面をなす大きさ（縦寸法×横寸法）と、それより後の通
路の断面をなす大きさとの平均をとった断面の形状を用
いることが考えられる。そこで、円形が正方形の四つ角
を丸めたものと考えると、図３におけるテーパ状導波管
２の断面２′の寸法ａと、整合管４の円形の通路部３Ｂ
の断面４′の直径２ｒとの平均が、通路部３Ａの断面
３′の幅方向寸法ｃとなる。しかしこの場合、通路部３
Ａの断面３′は円形に近い形状となってしまう結果、テ
ーパ状導波管２を整合管４の円形の通路部３Ｂに直接接
続したものと大差なくなってしまい、通路部が矩形断面
から円形断面に急激に変化してしまう。
状導波管２，円形断面の整合管４を接続する場合、整合
管４の通路部３Ａの断面として、それより前の通路の断
面をなす大きさ（縦寸法×横寸法）と、それより後の通
路の断面をなす大きさとの平均をとった断面の形状を用
いることが考えられる。そこで、円形が正方形の四つ角
を丸めたものと考えると、図３におけるテーパ状導波管
２の断面２′の寸法ａと、整合管４の円形の通路部３Ｂ
の断面４′の直径２ｒとの平均が、通路部３Ａの断面
３′の幅方向寸法ｃとなる。しかしこの場合、通路部３
Ａの断面３′は円形に近い形状となってしまう結果、テ
ーパ状導波管２を整合管４の円形の通路部３Ｂに直接接
続したものと大差なくなってしまい、通路部が矩形断面
から円形断面に急激に変化してしまう。
【００２７】本実施例では、上述の如く、テーパ状導波
管２の矩形の断面２′の周長（２ａ＋２ｂ′）と整合管
４の円形の通路部３Ｂの断面４′の周長（２πｒ）との
平均、即ち線分の平均である幾何平均を用いて通路部３
Ａの断面３′の周長とし、通路部３Ａの断面３′の幅方
向寸法ｃを選定したので、テーパ状導波管２と整合管４
の通路部３Ａとを、矩形形状から無理なくほぼ円形形状
に変換して接続することができ、マイクロ波の反射を確
実に抑えることができる。本実施例によれば、矩形断面
の導波管１，テーパ状導波管２，通路部３Ａを有する整
合管４を上述の如き寸法に形成したとき、放電室７での
マイクロ波の反射率を１０％以下に抑えることができ
た。
管２の矩形の断面２′の周長（２ａ＋２ｂ′）と整合管
４の円形の通路部３Ｂの断面４′の周長（２πｒ）との
平均、即ち線分の平均である幾何平均を用いて通路部３
Ａの断面３′の周長とし、通路部３Ａの断面３′の幅方
向寸法ｃを選定したので、テーパ状導波管２と整合管４
の通路部３Ａとを、矩形形状から無理なくほぼ円形形状
に変換して接続することができ、マイクロ波の反射を確
実に抑えることができる。本実施例によれば、矩形断面
の導波管１，テーパ状導波管２，通路部３Ａを有する整
合管４を上述の如き寸法に形成したとき、放電室７での
マイクロ波の反射率を１０％以下に抑えることができ
た。
【００２８】しかも、整合管４の通路部３Ａは、円形の
整合管４の内部に充填物３ａ，３ｂを対向配置すること
により画成されるので、整合管４としてステンレスのよ
うに成形しにくい材料を用いているにも拘らず、容易に
製作することができる。また、整合管４と導波管１と
が、上述の如く、テーパ状導波管２を介し接続される
と、導波管１として市販品を利用することができるの
で、それだけ安価にできる。
整合管４の内部に充填物３ａ，３ｂを対向配置すること
により画成されるので、整合管４としてステンレスのよ
うに成形しにくい材料を用いているにも拘らず、容易に
製作することができる。また、整合管４と導波管１と
が、上述の如く、テーパ状導波管２を介し接続される
と、導波管１として市販品を利用することができるの
で、それだけ安価にできる。
【００２９】なお図示した実施例では、市販品の寸法の
導波管１を用いているため、該導波管１と整合管４との
間にテーパ状に絞り加工されたテーパ状導波管２を用い
た例を示したが、導波管１が整合管４に寸法上接続し得
る大きさであれば、テーパ状導波管２が不要になり、そ
れだけ部品点数を削減することができるのは当然であ
る。
導波管１を用いているため、該導波管１と整合管４との
間にテーパ状に絞り加工されたテーパ状導波管２を用い
た例を示したが、導波管１が整合管４に寸法上接続し得
る大きさであれば、テーパ状導波管２が不要になり、そ
れだけ部品点数を削減することができるのは当然であ
る。
【００３０】図５は本発明によるイオン源を用いたイオ
ン注入装置の一例を示している。このイオン注入装置
は、図１内至図４に示す構成のイオン源２１と、該イオ
ン源２１からの特定ガスを分離し、イオン源２１からの
イオンを特定方向に偏向させる質量分離器２２と、質量
分離器２２を経たイオンを通過させることにより、所定
のエネルギーをもつように加速させる後段加速管２３
と、加速したイオンを所望位置に集束させる四重極レン
ズ２４と、そのイオンの向きを偏向させる偏向器２５
と、注入されたイオンを回転ホルダ２６上のウエハに照
射し、所望の処理を行う注入室２７とを有している。
ン注入装置の一例を示している。このイオン注入装置
は、図１内至図４に示す構成のイオン源２１と、該イオ
ン源２１からの特定ガスを分離し、イオン源２１からの
イオンを特定方向に偏向させる質量分離器２２と、質量
分離器２２を経たイオンを通過させることにより、所定
のエネルギーをもつように加速させる後段加速管２３
と、加速したイオンを所望位置に集束させる四重極レン
ズ２４と、そのイオンの向きを偏向させる偏向器２５
と、注入されたイオンを回転ホルダ２６上のウエハに照
射し、所望の処理を行う注入室２７とを有している。
【００３１】即ち、イオン源２１で発生した多数のイオ
ンが質量分離器２２によって特定のイオンだけに分離さ
れ、該分離された特定のイオンが所定のエネルギーとな
るように後段加速管２３によって加速され、加速された
イオンが四重極レンズ２４によって所望位置に集束さ
れ、そのイオンが偏向器２５により偏向されることによ
り、イオンに含まれている不純物が除去され、除去され
たほぼ純粋のイオンが注入室２７内に設置され、かつ軸
周りに回転する回転ホルダ２６に搭載されているウエハ
に照射されることにより、ウエハに所望の処理を行うよ
うにしている。
ンが質量分離器２２によって特定のイオンだけに分離さ
れ、該分離された特定のイオンが所定のエネルギーとな
るように後段加速管２３によって加速され、加速された
イオンが四重極レンズ２４によって所望位置に集束さ
れ、そのイオンが偏向器２５により偏向されることによ
り、イオンに含まれている不純物が除去され、除去され
たほぼ純粋のイオンが注入室２７内に設置され、かつ軸
周りに回転する回転ホルダ２６に搭載されているウエハ
に照射されることにより、ウエハに所望の処理を行うよ
うにしている。
【００３２】この実施例によれば、導波管と放電室との
間でマイクロ波のインピーダンス整合のとれたイオン源
２１を用いるので、大電流のイオンを注入室２７に安定
して供給することができ、そのため、注入室２７での処
理を安定してかつ短時間で処理することができる。
間でマイクロ波のインピーダンス整合のとれたイオン源
２１を用いるので、大電流のイオンを注入室２７に安定
して供給することができ、そのため、注入室２７での処
理を安定してかつ短時間で処理することができる。
【００３３】なお図示した実施例では、イオン源を利用
するものとして注入装置のみ図示した例を示したが、例
えば、イオンビームを照射することによって試料を所望
形状に形成するスパッタリング装置にも同様に適用する
ことができ、大電流のイオンビームにより高速処理が安
定して実現し得る。
するものとして注入装置のみ図示した例を示したが、例
えば、イオンビームを照射することによって試料を所望
形状に形成するスパッタリング装置にも同様に適用する
ことができ、大電流のイオンビームにより高速処理が安
定して実現し得る。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項１〜
６によれば、導波管と放電室間に設けた整合管により、
導波管と放電室間でマイクロ波とプラズマとをインピー
ダンス整合し、マイクロ波の反射を抑制するように構成
したので、従来技術のように放電室の導入窓に複数枚の
誘電体を設けることや３スタブチューナ等の調整手段を
用いることも不要になり、大電流化を実現し得る効果が
ある。
６によれば、導波管と放電室間に設けた整合管により、
導波管と放電室間でマイクロ波とプラズマとをインピー
ダンス整合し、マイクロ波の反射を抑制するように構成
したので、従来技術のように放電室の導入窓に複数枚の
誘電体を設けることや３スタブチューナ等の調整手段を
用いることも不要になり、大電流化を実現し得る効果が
ある。
【００３５】特に、整合管の断面形状を変えているの
で、マイクロ波の反射を確実に段階的に抑制できると云
う効果がある。
で、マイクロ波の反射を確実に段階的に抑制できると云
う効果がある。
【００３６】また、請求項４〜６によれば、導波管と整
合管の間に設けられたテーパ状導波管を有し、該テーパ
状導波管により、導波管と整合管との間で矩形形状から
略円形形状に変換して接続したので、整合管に入る前の
段階でマイクロ波の反射をも抑えることができる。さら
に請求項６によれば、整合管に充填物を設けて構成した
ので、整合管としてステンレスのように成形しにくい材
料を用いていても、容易に製作することができ、しかも
導波管として市販品を利用することができるので、それ
だけ安価にできると云う効果もある。
合管の間に設けられたテーパ状導波管を有し、該テーパ
状導波管により、導波管と整合管との間で矩形形状から
略円形形状に変換して接続したので、整合管に入る前の
段階でマイクロ波の反射をも抑えることができる。さら
に請求項６によれば、整合管に充填物を設けて構成した
ので、整合管としてステンレスのように成形しにくい材
料を用いていても、容易に製作することができ、しかも
導波管として市販品を利用することができるので、それ
だけ安価にできると云う効果もある。
【００３７】また、請求項７によれば、前述した構成の
イオン源を用いて構成したので、安定した高速処理を実
現することができる。
イオン源を用いて構成したので、安定した高速処理を実
現することができる。
【図１】本発明によるイオン源の一実施例を示す説明用
斜視図である。
斜視図である。
【図２】イオン源の配管構成の要部を示す断面図。
【図３】同じくイオン源の配管構成の各部の断面形状を
示し、図２のＡ−Ａ線断面図（ａ），図２のＢ−Ｂ線断
面図（ｂ），図２のＣ−Ｃ線断面図（ｃ），図２のＤ−
Ｄ線断面図（ｄ）である。
示し、図２のＡ−Ａ線断面図（ａ），図２のＢ−Ｂ線断
面図（ｂ），図２のＣ−Ｃ線断面図（ｃ），図２のＤ−
Ｄ線断面図（ｄ）である。
【図４】マイクロ波の電界方向である電気力線の作用を
示す図３（ａ）〜（ｄ）に対応した説明図である。
示す図３（ａ）〜（ｄ）に対応した説明図である。
【図５】本発明によるイオン源を用いたイオン注入装置
の一例を示す概略説明図である。
の一例を示す概略説明図である。
１…矩形断面の導波管、２…テーパ状導波管、３Ａ，３
Ｂ…通路部、３ａ，３ｂ…充填物、４…整合管、５…第
１の導入部、６…第２の導入部、７…放電室、８ａ，８
ｂ…コイル、９…加速電極、１０…減速電極、１１…ア
ース電極、１２〜１４…絶縁物、２１…イオン源、２２
…質量分離器、２３…後段加速管、２４…四重極レン
ズ、２５…偏向器、２７…注入室。
Ｂ…通路部、３ａ，３ｂ…充填物、４…整合管、５…第
１の導入部、６…第２の導入部、７…放電室、８ａ，８
ｂ…コイル、９…加速電極、１０…減速電極、１１…ア
ース電極、１２〜１４…絶縁物、２１…イオン源、２２
…質量分離器、２３…後段加速管、２４…四重極レン
ズ、２５…偏向器、２７…注入室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 37/317 Ｈ０１Ｊ 37/317 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/265 ６０３ Ｈ０１Ｌ 21/265 ６０３Ａ (56)参考文献 特開 平６−325710（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−5387（ＪＰ，Ａ) 実開 平６−44099（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/08 H01J 27/00 - 27/26 H05H 1/46
Claims (7)
- 【請求項１】 放電室と、該放電室にプラズマを形成す
るためのマイクロ波を導入する導波管と、該導波管と放
電室間に介設された整合管とを備え、前記整合管は、そ
の断面形状がマイクロ波の進行方向に沿って、対向する
二つの平面と円弧部より成る部分から円形部分に変化し
ていることを特徴とするイオン源。 - 【請求項２】 断面円形の放電室と、該放電室にプラズ
マを形成するためのマイクロ波を導入する断面矩形の導
波管と、該導波管と放電室間に介設された整合管とを備
え、前記整合管は、該整合管を通るマイクロ波の電気力
線を導波管部の直線状から放電室の円弧部とは反対向き
の円形に近づくように彎曲させて前記導波管と放電室間
におけるマイクロ波とプラズマとをインピーダンス整合
し得るものであることを特徴とするイオン源。 - 【請求項３】 断面円形の放電室と、該放電室にプラズ
マを形成するためのマイクロ波を導入する断面矩形の導
波管と、該導波管と放電室間に介設された整合管とを備
え、前記整合管は、前記導波管側が相対向する二つの面
とこの面間の端部を結ぶ円弧部とを有する通路部と、前
記放電室側が円形状の通路部からなることを特徴とする
イオン源。 - 【請求項４】 断面円形の放電室と、該放電室にプラズ
マを形成するためのマイクロ波を導入する断面矩形の導
波管と、該導波管と放電室間に介設された整合管と、該
整合管と導波管の間に介設され、マイクロ波の進行方向
に絞られているテーパ形状を有する断面矩形のテーパ導
波管とを備え、前記整合管は、前記テーパ導波管側が該
テーパ導波管と略同様な断面矩形に形成され、かつ、前
記放電室側が該放電室とほぼ同様な断面円形に形成され
ていることを特徴とするイオン源。 - 【請求項５】 断面円形の放電室と、該放電室にプラズ
マを形成するためのマイクロ波を導入する断面矩形の導
波管と、該導波管と放電室間に介設された整合管と、該
整合管と導波管の間に介設され、マイクロ波の進行方向
に絞られているテーパ形状を有する断面矩形のテーパ導
波管とを備え、前記整合管は、断面円形の前記放電室の
一部と同形状の円形部と、矩形断面の前記テーパ導波管
の一部と同形状の矩形部とが組み合わされて形成され、
その周長が、前記テーパ導波管の矩形断面の周長と前記
放電室の断面円形の周長との間にあることを特徴とする
イオン源。 - 【請求項６】 断面円形の放電室と、該放電室にプラズ
マを形成するためのマイクロ波を導入する断面矩形の導
波管と、該導波管と放電室間に介設された整合管と、該
整合管と導波管の間に介設され、マイクロ波の進行方向
に絞られているテーパ形状を有する断面矩形のテーパ導
波管とを備え、 前記整合管は、その内部に断面が円弧部と直線部とから
成り、かつ、相対向する部分に平行な面をもつ二つの充
填物が離間して配置され、各充填物間で形成されるマイ
クロ波の通路部と、断面が円形状に形成されるマイクロ
波の通路部とから構成されることを特徴とするイオン
源。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
イオン源と、該イオン源から引き出されたイオンから特
定のイオンを分離する質量分離器と、該質量分離器によ
って分離された特定のイオンを所定のエネルギーに加速
する加速管と、該加速管で加速された特定のイオンを所
望位置に集束させるレンズ手段と、特定のイオンの不純
物を除去して所望方向に偏向させる偏向器と、該偏向器
で偏向された特定のイオンを照射し、ワークを処理する
処理室とを備えていることを特徴とするイオン注入装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03707895A JP3230945B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | イオン源及びイオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03707895A JP3230945B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | イオン源及びイオン注入装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001128917A Division JP2002025455A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | イオン源及びイオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236061A JPH08236061A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3230945B2 true JP3230945B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=12487524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03707895A Expired - Lifetime JP3230945B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | イオン源及びイオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3230945B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3284886B2 (ja) * | 1996-06-20 | 2002-05-20 | 株式会社日立製作所 | イオン源及びイオン注入装置 |
-
1995
- 1995-02-24 JP JP03707895A patent/JP3230945B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08236061A (ja) | 1996-09-13 |
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