JP3225170B2 - Vacuum processing equipment - Google Patents

Vacuum processing equipment

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JP3225170B2
JP3225170B2 JP28256394A JP28256394A JP3225170B2 JP 3225170 B2 JP3225170 B2 JP 3225170B2 JP 28256394 A JP28256394 A JP 28256394A JP 28256394 A JP28256394 A JP 28256394A JP 3225170 B2 JP3225170 B2 JP 3225170B2
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vacuum
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達也 中込
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鈴木  孝治
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体を製造するための真空処理装置の
中には、エッチング、成膜処理、アッシング及びスパッ
タリングなど種々の装置があり、また装置のタイプとし
ても枚葉式及びバッチ式のものがある。この種の半導体
製造装置は、半導体の高集積化、高スループット化に対
応するため種々の工夫、改良がなされ、例えば枚葉式の
真空処理装置については、複数の真空処理室を共通の搬
送室に接続し、共通の入出力ポートから各真空処理室に
搬送する装置も知られている。
2. Description of the Related Art Among vacuum processing apparatuses for manufacturing semiconductors, there are various apparatuses such as etching, film formation processing, ashing and sputtering, and single-wafer type and batch type apparatuses are also available. is there. This type of semiconductor manufacturing apparatus has been devised and improved in order to cope with higher integration and higher throughput of semiconductors. For example, for a single wafer type vacuum processing apparatus, a plurality of vacuum processing chambers are shared by a common transfer chamber. Are also known which are connected to a common input / output port and conveyed to each vacuum processing chamber.

【0003】図12はこのような装置を示す図であり、
進退自在及び回転自在な搬送アーム11を備えた搬送室
12に複数の真空処理室13及びカセット室14を、搬
送アーム11の回転中心に対して放射状に接続して真空
処理装置が構成され、半導体ウエハ(以下ウエハとい
う)を例えば25枚収納したウエハカセット10をカセ
ット室14内に搬入し、この中を減圧した後搬送アーム
11によりウエハカセット10内のウエハを順次真空処
理室13内に搬送し、例えば各真空処理室13内で並行
してウエハの処理を行うようにしている。
FIG. 12 shows such an apparatus.
A plurality of vacuum processing chambers 13 and cassette chambers 14 are radially connected to a center of rotation of the transfer arm 11 in a transfer chamber 12 having a transfer arm 11 that can move forward and backward, and a vacuum processing apparatus is configured. A wafer cassette 10 containing, for example, 25 wafers (hereinafter referred to as “wafers”) is loaded into a cassette chamber 14, the pressure in the wafer cassette 10 is reduced, and then the wafers in the wafer cassette 10 are sequentially transported into a vacuum processing chamber 13 by a transport arm 11. For example, wafer processing is performed in parallel in each vacuum processing chamber 13.

【0004】このような装置をクリーンルーム内に設置
するにあたっては、装置全体を載置できる大きさの支持
フレームをクリーンルーム内の床面に配置し、この支持
フレーム上に搬送室12や真空処理室13を載置すると
共に、支持フレームの内部空間にコントロールボック
ス、マッチングボックス及び真空ポンプなどを配設して
装置を組み立てている。
When installing such an apparatus in a clean room, a support frame large enough to mount the entire apparatus is placed on the floor of the clean room, and the transfer chamber 12 and the vacuum processing chamber 13 are placed on the support frame. And a control box, a matching box, a vacuum pump, and the like are arranged in the internal space of the support frame to assemble the apparatus.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の装
置では、搬送室12や真空処理室13に対して共通の支
持フレームを用いているため、メンテナンス時に分解、
組立てを行う場合、例えば搬送室12の組立が行われて
いる間は真空処理室の組立作業ができないなどの不具合
があるし、また支持フレームの中に入って作業する場
合、電気配線やガス配管が床面に引き回わされているの
で、これらを引掛けないように注意を払いながら作業し
なければならず、作業性が悪いという問題もあった。
However, in the above-described apparatus, a common support frame is used for the transfer chamber 12 and the vacuum processing chamber 13, so that the apparatus is disassembled during maintenance.
In the case of assembling, for example, there is a problem that the assembling work of the vacuum processing chamber cannot be performed while the transfer chamber 12 is being assembled, and when working in the support frame, electric wiring and gas piping are required. Since they are routed around the floor, they must work while paying attention so as not to catch them, and there is a problem that workability is poor.

【0006】また真空処理室へ処理ガスを供給するため
のガス配管については、クリーンルーム内へのガスの漏
洩を防止するため、例えば蛇腹状の薄い樹脂チューブの
中に処理ガス供給管を挿通すると共に樹脂チューブの中
を排気するようにしている。ところでこのような二重配
管を支持フレームの配管固定部に固定するためには、樹
脂チューブの中が排気されるので、気密な板金ボックス
の前後両端に樹脂チューブを接続し、このボックス内を
処理ガス供給管を貫通させるように構成しているが、板
金ボックスを用いるとかなり大型化してしまう。
In order to prevent the gas from leaking into the clean room, the gas pipe for supplying the processing gas to the vacuum processing chamber is inserted into, for example, a bellows-like thin resin tube. The inside of the resin tube is exhausted. By the way, in order to fix such a double pipe to the pipe fixing part of the support frame, the inside of the resin tube is evacuated, so the resin tube is connected to the front and rear ends of the airtight sheet metal box and the inside of this box is treated. Although it is configured to penetrate the gas supply pipe, the use of a sheet metal box considerably increases the size.

【0007】一方支持フレーム内はコントローラあるい
は排気管や電気配線などで混み合っているため、こうし
た大型構造体は設置場所に制限がある上、狭いスペース
が一層狭くなり、メンテナンスの作業性も悪くなるとい
う問題がある。
On the other hand, since the inside of the support frame is crowded with a controller, an exhaust pipe, electric wiring, and the like, such a large-sized structure has a limited installation place, a narrow space is further narrowed, and maintenance workability is deteriorated. There is a problem.

【0008】本発明の目的は、処理ガス供給管を外管で
覆った二重配管構造とする場合、メンテンスの作業性が
よく、また二重配管を狭いスペースで固定することので
きる真空処理装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a processing gas supply pipe with an outer pipe.
When using a covered double piping structure, the workability of maintenance
Well, and because the double piping is fixed in a narrow space
It is to provide a vacuum processing apparatus which can be used.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、真空
処理室内に処理ガス供給管を通じて処理ガスを供給し、
被処理体を真空処理する装置であって、外管の中に処理
ガス供給管を通して二重配管とし、外管の内部空間を排
気するように構成した真空処理装置において、前後方向
に貫通孔が形成された拡径部とこの拡径部の前後に夫々
前記貫通孔を囲むようにリング状に形成されたリング状
部とを備えると共にリング状部の径方向に分割可能に構
成された固定部材を用い、この固定部材を処理ガス供給
管の外周面に挟み込むように嵌合して設け、前記外管を
長さ方向に分割してその分割端の一方及び他方を拡径部
の前後のリング状部の外周面に夫々外嵌させて接続し、
前記リング状部に、分割された外管の一方から前記固定
部材を介して他方に亘って通気できるような通気路を形
成すると共に、前記拡径部を配管固定部に固定するよう
に構成したことを特徴とする。この場合外管は、例えば
可撓性の材質よりなる。
According to a first aspect of the present invention, a processing gas is supplied into a vacuum processing chamber through a processing gas supply pipe.
An apparatus for vacuum processing a workpiece, the double pipe through the processing gas supply pipe into the outer pipe, the vacuum processing apparatus configured to evacuate the interior space of the outer tube, the front-rear direction
The enlarged diameter part with a through hole formed in it and before and after this enlarged diameter part
Ring shape formed in a ring shape so as to surround the through hole
And a part that can be divided in the radial direction of the ring-shaped part.
Using the fixing member thus formed, this fixing member is provided so as to be sandwiched between the outer peripheral surfaces of the processing gas supply pipes, the outer pipe is divided in the length direction, and one and the other of the divided ends are enlarged in diameter. Externally fitted to the outer peripheral surface of the ring-shaped part before and after the part and connected,
The ring-shaped portion is formed such that an air passage that allows air to flow from one of the divided outer tubes through the other through the fixing member is formed, and the enlarged diameter portion is fixed to the pipe fixing portion. It is characterized by the following. In this case, the outer tube is made of, for example, a flexible material.

【0010】この発明によれば、処理ガス供給用の二重
配管の固定部材を小型にでき、また固定部材が径方向に
分解できるのでその装着も簡単であり、メンテナンス作
業が容易になる。
According to the present invention, the fixing member of the double pipe for supplying the processing gas can be reduced in size, and the fixing member can be disassembled in the radial direction, so that the mounting is simple and the maintenance work is facilitated.

【0011】[0011]

【実施例】図1は本発明の実施例の全体構成を示す概観
斜視図である。図中2は気密構造の直方体形状の搬送室
であり、この搬送室2の周囲には、25枚のウエハWを
収納するための容器であるウエハカセット(以下単にカ
セットという)が載置される気密構造の2個のカセット
室3A、3B及び3個の真空処理室4A〜4Cが図2及
び図3にも示すように当該搬送室2に対して夫々ゲート
バルブGを介して気密に接続されて設けられている。
FIG. 1 is a perspective view showing the general construction of an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 2 denotes a transfer chamber having a rectangular parallelepiped shape having an airtight structure. Around this transfer chamber 2, a wafer cassette (hereinafter simply referred to as a cassette) as a container for storing 25 wafers W is placed. Two cassette chambers 3A, 3B and three vacuum processing chambers 4A to 4C having an airtight structure are airtightly connected to the transfer chamber 2 via a gate valve G as shown in FIGS. It is provided.

【0012】前記カセット室3A、3Bは、例えば一方
(3A)が搬入用、他方(3B)が搬出用として使用さ
れ、上部には蓋部31が形成されると共に、内部にはカ
セットCを昇降する昇降機構32が設けられている。ま
た図2及び図3に示すようにカセット室3A、3Bの底
部には(ただし図3では便宜上横に描いてある)夫々排
気管33a、33bが接続され、これら排気管33a、
33bは、バルブV1a、V1bを介して共通の真空ポ
ンプ例えばドライポンプ33cに接続されている。
The cassette chambers 3A and 3B have, for example, one (3A) used for carrying in and the other (3B) used for carrying out. A lid 31 is formed at the top, and the cassette C is moved up and down inside. The lifting mechanism 32 is provided. As shown in FIGS. 2 and 3, exhaust pipes 33a and 33b are connected to the bottoms of the cassette chambers 3A and 3B (however, they are drawn horizontally for convenience in FIG. 3).
33b is connected to a common vacuum pump, for example, a dry pump 33c, via valves V1a and V1b.

【0013】前記真空処理室4A(4B、4C)は、例
えばマグネットを用いたプラズマエッチングを行うよう
に構成されており、サセプタを兼用する下部電極41及
び上部電極42が設けられると共に処理ガス供給管43
及び排気管44が接続されている。上部電極42の上方
にはマグネットユニット45が真空処理室とは分割され
て設けられており、このマグネットユニット45は筐体
45aの中に処理室4A(4B、4C)内に磁場を形成
するマグネット46及びこのマグネット46の磁極と反
対の磁極が互に上下に重なるように形成された磁場漏洩
防止用のマグネット47並びにこれらを回転させるモー
タ48を収納して構成されている。
The vacuum processing chamber 4A (4B, 4C) is configured to perform, for example, plasma etching using a magnet, and is provided with a lower electrode 41 and an upper electrode 42 which also serve as a susceptor, and a processing gas supply pipe. 43
And an exhaust pipe 44 are connected. Above the upper electrode 42, a magnet unit 45 is provided separately from the vacuum processing chamber. The magnet unit 45 is a magnet that forms a magnetic field in the processing chamber 4A (4B, 4C) in the housing 45a. A magnet 46 for preventing magnetic field leakage formed so that a magnetic pole 46 and a magnetic pole opposite to the magnetic pole of the magnet 46 are vertically overlapped with each other, and a motor 48 for rotating these are housed.

【0014】前記下部電極41内には、ウエハWを冷却
するための冷媒溜5が形成されており、この冷媒溜5に
は冷媒供給管51と冷媒排出管52とが接続されてい
る。各真空処理室4A〜4Cは同一構成であり、図3に
示すように各真空処理室4A〜4Cの冷媒供給管51及
び冷媒排出管52は共通の冷媒循環装置53に接続され
ている。このように共通の冷媒循環装置53を用いれ
ば、コストダウン及び装置スペースの削減が図れる。
A coolant reservoir 5 for cooling the wafer W is formed in the lower electrode 41, and a coolant supply pipe 51 and a coolant discharge pipe 52 are connected to the coolant reservoir 5. The vacuum processing chambers 4A to 4C have the same configuration, and the refrigerant supply pipe 51 and the refrigerant discharge pipe 52 of each of the vacuum processing chambers 4A to 4C are connected to a common refrigerant circulation device 53 as shown in FIG. By using the common refrigerant circulation device 53 as described above, cost reduction and device space reduction can be achieved.

【0015】また真空処理室4A〜4Cの各排気管44
には図2及び図3に示すように夫々真空排気用の主ポン
プ例えばターボ分子ポンプ6A〜6Cが接続されてお
り、これらターボ分子ポンプ6A〜6Cの排気側には、
各ターボ分子ポンプ6A〜6Cの排気側の圧力を所定の
圧力に調整するための共通の補助ポンプ例えば共通のド
ライポンプ61が接続されている。ターボ分子ポンプ6
A〜6Cの吸気側及び排気側には夫々バルブV4a、V
5a、V6aおよびV4b、V5b、V6bが接続され
ると共に、ターボ分子ポンプ6A〜6Cに対して、夫々
バルブV4c、V5c、V6cを備えたバイパス60
A、60B、60Cが並列に接続されている。このよう
に各真空処理室4A〜4Cに対して共通のドライポンプ
61を用いれば、コストダウン及び用力室等のスペース
の削減が図れる。
Each exhaust pipe 44 of the vacuum processing chambers 4A to 4C
As shown in FIGS. 2 and 3, a main pump for evacuation, for example, turbo molecular pumps 6A to 6C is connected to the pump, and on the exhaust side of these turbo molecular pumps 6A to 6C,
A common auxiliary pump for adjusting the pressure on the exhaust side of each of the turbo molecular pumps 6A to 6C to a predetermined pressure, for example, a common dry pump 61 is connected. Turbo molecular pump 6
Valves V4a, V4a on the intake side and exhaust side of A to 6C, respectively.
5a, V6a and V4b, V5b, V6b are connected, and a bypass 60 provided with valves V4c, V5c, V6c for the turbo molecular pumps 6A to 6C, respectively.
A, 60B and 60C are connected in parallel. As described above, if the common dry pump 61 is used for each of the vacuum processing chambers 4A to 4C, it is possible to reduce the cost and the space for the utility room and the like.

【0016】このような真空排気系で真空処理室6A〜
6Bを真空排気する場合には、先ずバルブV4a〜V6
a及びV4b〜V6bを閉じかつバルブV4c〜V6c
を開き、ドライポンプ61で例えば真空処理室6A〜6
B内が1Torrの真空度になるまで真空引きし、次い
でバルブV4a〜V6a及びV4b〜V6bを開きかつ
バルブV4c〜V6cを閉じ、ターボ分子ポンプ60A
〜60Cで真空処理室6A〜6B内を所定の真空度まで
真空引きする。
In such a vacuum exhaust system, the vacuum processing chambers 6A to 6A
When evacuating 6B, first, valves V4a to V6
a and V4b-V6b closed and valves V4c-V6c
And the dry pump 61 is used to open the vacuum processing chambers 6A to 6A
The inside of B is evacuated to a degree of vacuum of 1 Torr, then the valves V4a to V6a and V4b to V6b are opened and the valves V4c to V6c are closed, and the turbo molecular pump 60A
The interior of the vacuum processing chambers 6A to 6B is evacuated to a predetermined degree of vacuum at 6060C.

【0017】前記搬送室2内には、カセット室3A、3
B及び真空処理室4A〜4C間でウエハを搬送するため
の例えば各々独立して水平に回動可能な3本の搬送アー
ムを備えた多関節アームよりなる搬送手段21が配設さ
れている。搬送手段21の駆動部22は、搬送室2の底
壁の下方側の気密なケース部23内に設けられており、
このケース部23内を排気管35を介して例えばドライ
ポンプ34a及びターボ分子ポンプ34bにより真空排
気することにより軸受け部からのパーティクルの飛散を
防止している。また搬送室2には、排気管36が接続さ
れ、この排気管36には前記ドライポンプ34a及びタ
ーボ分子ポンプ34bを含む真空排気系に接続されてい
る。図3中V2、V3、V3a、V3b、V3cはバル
ブである。更に搬送室2内にはウエハの位置合わせ用の
回転ステージ24やバッファステージ25が配設されて
いる。前記搬送室2の上面には、搬送室2内を開放また
は気密にシールして閉じる蓋26が取り付けられてお
り、この蓋26の内面側には不活性ガス例えばN2 ガス
を供給する不活性ガス供給部27が設けられている。こ
の不活性ガス供給部27は、例えば焼結金属などの多孔
質材で作られた管状体よりなり、ガス供給路28に接続
されている。ガス供給路27は、蓋26の内側から外面
に貫通すると共に、その外面に沿って縁部まで伸び、そ
の縁部から前記蓋26の内面に貫通し更に搬送室2の側
壁部を通って外部に引き出され、図示しない不活性ガス
供給源に接続されている。ただしガス供給路27におい
て、蓋26及び搬送室2の側壁部を貫通している個所は
これらの中に形成した孔路よりなる。ここで本発明実施
例の組み立て構造に関して図1及び図4を参照しながら
説明すると、前記搬送室2及びカセット室3A、3B
は、枠材や板材を組み立ててなる共通の第1の支持フレ
ーム20上に支持されると共に、各真空処理室4A〜4
Cは、第1の支持フレーム20とは独立しかつ互に独立
している第2の支持フレーム40A〜40C上に夫々支
持されている。これら第1及び第2の支持フレーム2
0、40A〜40Cは装置の底面部をなす箱型の基台7
上に載置されている。
In the transfer chamber 2, cassette rooms 3A, 3A
For example, a transfer means 21 for transferring a wafer between B and the vacuum processing chambers 4A to 4C is provided. The transfer means 21 includes, for example, an articulated arm having three independently transferable horizontally transfer arms. The drive section 22 of the transfer means 21 is provided in an airtight case section 23 below the bottom wall of the transfer chamber 2,
The inside of the case portion 23 is evacuated through, for example, a dry pump 34a and a turbo molecular pump 34b through an exhaust pipe 35 to prevent particles from scattering from the bearing portion. An exhaust pipe 36 is connected to the transfer chamber 2, and the exhaust pipe 36 is connected to a vacuum exhaust system including the dry pump 34a and the turbo molecular pump 34b. In FIG. 3, V2, V3, V3a, V3b, and V3c are valves. Further, a rotation stage 24 and a buffer stage 25 for aligning the wafer are arranged in the transfer chamber 2. A lid 26 is mounted on the upper surface of the transfer chamber 2 so as to open or airtightly seal the inside of the transfer chamber 2, and an inert gas such as an N 2 gas is supplied on the inner surface of the lid 26. A supply unit 27 is provided. The inert gas supply unit 27 is formed of a tubular body made of a porous material such as a sintered metal, and is connected to a gas supply path 28. The gas supply passage 27 penetrates from the inside of the lid 26 to the outer surface, extends along the outer surface to an edge portion, penetrates from the edge portion to the inner surface of the lid 26, and further passes through the side wall portion of the transfer chamber 2 to the outside. And is connected to an inert gas supply source (not shown). However, in the gas supply path 27, a portion penetrating the lid 26 and the side wall of the transfer chamber 2 is formed by a hole formed therein. Here, the assembling structure of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 4. The transfer chamber 2 and the cassette chambers 3A and 3B will be described.
Are supported on a common first support frame 20 formed by assembling a frame material and a plate material, and each of the vacuum processing chambers 4A to 4A
C is supported on the second support frames 40A to 40C, which are independent of the first support frame 20 and independent of each other. These first and second support frames 2
0, 40A to 40C are box-shaped bases 7 forming the bottom of the apparatus.
Is placed on top.

【0018】前記支持フレーム40A(40B、40
C)の上には、マグネットユニット45、真空処理室4
Aの上面部とその上方位置との間で昇降させるための後
述する昇降機構8が設置されている。また支持フレーム
40A(40B、40C)の下には、真空処理室内にお
ける高周波電力の印加のためのマッチングボックス71
や各駆動部やバルブなどの制御を行うためのコントロー
ルボックス72などが収納されている。
The support frames 40A (40B, 40B)
On top of C), the magnet unit 45 and the vacuum processing chamber 4
An elevating mechanism 8, which will be described later, is provided for elevating between the upper surface portion of A and its upper position. A matching box 71 for applying high frequency power in the vacuum processing chamber is provided below the support frame 40A (40B, 40C).
And a control box 72 for controlling the driving units and valves.

【0019】そして前記基台7の中には、処理ガス供給
管43、各室の真空排気用の排気管(図4では搬送室2
の排気管30を代表して示してある。)、電気配線70
及び電磁弁の作動用エアー管などが引き回わされてい
る。電気配線としては、高周波電源等の電力供給線、各
モータやバルブなどの制御信号線、及び温度、圧力など
の検出信号線などが相当する。なお基台7の上面には、
図4にS1、S2の符号で代表して示すように、ガス配
管や電気配線の引き回しのレイアウトに応じて蓋板が設
けられ、内部の電気配線などのメンテナンスができるよ
う構成されると共に、ガス配管や電気配線を上方に引き
出すための穴(図示せず)が形成されている。
In the base 7, a processing gas supply pipe 43 and an exhaust pipe for evacuating each chamber (in FIG.
Is representatively shown. ), Electrical wiring 70
And an air pipe for operating a solenoid valve. Examples of the electric wiring include a power supply line such as a high-frequency power supply, a control signal line such as a motor and a valve, and a detection signal line such as a temperature and a pressure. In addition, on the upper surface of the base 7,
As shown by the reference numerals S1 and S2 in FIG. 4, a cover plate is provided according to the layout of the gas pipes and the wiring of the electric wiring, so that the internal electric wiring and the like can be maintained. A hole (not shown) for drawing out piping and electric wiring upward is formed.

【0020】次にマグネットユニット45の前記昇降機
構8に関して述べると、前記昇降機構8は、図5に示す
ように互に対向する一対の支持板81、81の各々に、
前方側に伸び出すと共に鉛直面に沿って回動する2本1
組のアーム82a、82bを備えている。
Next, the lifting mechanism 8 of the magnet unit 45 will be described. As shown in FIG. 5, the lifting mechanism 8 includes a pair of supporting plates 81, 81 facing each other.
Two rods that extend forward and rotate along the vertical plane
A pair of arms 82a and 82b are provided.

【0021】この1組のアーム82a、82bの上側の
アーム82aは基端部が支持板81に軸支されると共
に、先端部が筐体45aの側面に軸支されている。また
下側のアーム82bは、支持板81、81間に軸支され
た回動軸83の端部に固定されると共に、先端部が管体
45aの側面に軸支されており、アーム82a、82b
が回動したときに筐体45aが水平姿勢を保ったまま昇
降するように構成される。
The upper arm 82a of the pair of arms 82a and 82b has a base end pivotally supported by the support plate 81 and a tip end pivotally supported by a side surface of the housing 45a. The lower arm 82b is fixed to an end of a rotating shaft 83 supported between the support plates 81, 81, and a tip end is supported by a side surface of the tube 45a. 82b
When the is rotated, the housing 45a is configured to move up and down while maintaining the horizontal posture.

【0022】前記回動軸83の中央部には、前方斜め上
に突出する作動部84が形成されると共に、この作動部
84の上端部には、上部後方から伸び出した伸縮ロッド
85の下端が軸支されている。前記伸縮ロッド85の上
端は、支持板81に固定された駆動部86の駆動により
当該伸縮ロッド85を伸縮動作させるための伝達手段8
7に、組み合わされている。従って伸縮ロッド85を縮
退させると作動部84の先端部が引き上げられるので、
回動軸83が図5中反時計方向に回動し、これによりア
ーム82a、82bが上方側に回動して図6(a)に示
すように筐体45aが上昇する。なお伸縮ロッド85を
伸長させれば逆の動作により図6(b)に示すように筐
体45aが降下する。
At the center of the rotating shaft 83, there is formed an operating part 84 projecting obliquely upward and forward, and at the upper end of the operating part 84, a lower end of a telescopic rod 85 extending from the upper rear. Is supported. The upper end of the telescopic rod 85 is provided with a transmitting means 8 for causing the telescopic rod 85 to expand and contract by driving a driving unit 86 fixed to the support plate 81.
7 is combined. Therefore, when the telescopic rod 85 is retracted, the distal end of the operating portion 84 is pulled up.
The rotation shaft 83 rotates counterclockwise in FIG. 5, whereby the arms 82a and 82b rotate upward, and the housing 45a rises as shown in FIG. 6A. When the telescopic rod 85 is extended, the housing 45a is lowered by the reverse operation as shown in FIG.

【0023】このように筐体45aを昇降させるように
すれば、筐体45aを鉛直方向に直線状に上昇させ更に
水平方向に直線状に引き出す機構に比べて、筐体45a
の上方にガイド機構が不要になる点でスペース上有利で
ある。
If the housing 45a is moved up and down in this way, the case 45a can be lifted up linearly in the vertical direction and then pulled out linearly in the horizontal direction.
This is advantageous in terms of space in that a guide mechanism is not required above.

【0024】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず搬送室2及び真空処理室4A〜4C内を所定の真空度
まで夫々真空排気すると共に、一方のカセット室3A内
に処理前のウエハを収納したカセットCを載置しかつ他
方のカセット室3Bに空のカセットCを載置し、蓋31
を閉じてカセット室3A、3B内を真空排気する。続い
てカセット室3A、3Bと搬送室2との間のゲートバル
ブGを開くことになるが、大気側に開放されていたカセ
ット室3A、3Bから搬送室2にパーティクルが入り込
まないようにするために、不活性ガス供給部27から搬
送室2内に例えばN2 ガスを供給して、カセット室3
A、3Bよりも搬送室2が陽圧になるように、例えば搬
送室2内の圧力が数百mmTorrになるようにし、そ
の後前記ゲートバルブGを開く。そして搬送手段21に
よりカセット室3A内のカセットCから1枚づつウエハ
Wを受け取って例えば真空処理室4A内に搬送し、真空
処理室4A内では、サセプタ41及び上部電極42間の
高周波電力とマグネット46の磁場のエネルギーとによ
り処理ガスをプラズマ化し、このプラズマによりウエハ
に対してエッチングが行われる。カセットC内のウエハ
Wは、上述のような搬送工程により例えば各真空処理室
4A〜4Cに分配され、並行して真空処理例えばプラズ
マエッチングが行われる。処理後のウエハWは搬送手段
21により他方のカセット室3B内のカセットに受け渡
される。
Next, the operation of the above embodiment will be described. First, the transfer chamber 2 and the vacuum processing chambers 4A to 4C are each evacuated to a predetermined degree of vacuum, and a cassette C containing a wafer before processing is placed in one cassette chamber 3A and the other cassette chamber 3B. The empty cassette C is placed on the
Is closed to evacuate the cassette chambers 3A and 3B. Subsequently, the gate valve G between the cassette chambers 3A and 3B and the transfer chamber 2 is opened. In order to prevent particles from entering the transfer chamber 2 from the cassette chambers 3A and 3B opened to the atmosphere. Then, for example, N2 gas is supplied into the transfer chamber 2 from the inert gas supply unit 27 to
The pressure in the transfer chamber 2 is set to be more positive than A and 3B, for example, the pressure in the transfer chamber 2 is set to several hundred mmTorr, and then the gate valve G is opened. The transfer means 21 receives the wafers W one by one from the cassette C in the cassette chamber 3A and transfers them, for example, into the vacuum processing chamber 4A. In the vacuum processing chamber 4A, the high-frequency power between the susceptor 41 and the upper electrode 42 and the magnet The processing gas is turned into plasma by the energy of the magnetic field 46, and the wafer is etched by this plasma. The wafers W in the cassette C are distributed to, for example, the vacuum processing chambers 4A to 4C by the above-described transfer process, and vacuum processing, for example, plasma etching is performed in parallel. The processed wafer W is transferred to the cassette in the other cassette chamber 3B by the transfer means 21.

【0025】そしてこの装置について製造時あるいはメ
ンテナンスを行った後に装置の組み立てを行う場合、搬
送室2及びカセット室3A、3Bよりなるユニット、及
び各真空処理室4A〜4Cのユニット毎に予め組み立て
を行い、組み立てられたユニットを基台7上で組み合わ
せる。例えば真空処理室4Aのユニットの場合、支持フ
レーム40Aに真空処理室4Aを載置し、関連する機器
類を装着してユニットの組み立てを行い、こうした作業
を他のユニットについても行い、各支持フレーム40A
〜40C及び20毎に組み立てられたユニットを基台7
に載せて組み合わせる。
When assembling the apparatus after manufacturing or after performing maintenance, the apparatus is assembled in advance for each unit including the transfer chamber 2 and the cassette chambers 3A and 3B and for each of the vacuum processing chambers 4A to 4C. Then, the assembled units are combined on the base 7. For example, in the case of the unit of the vacuum processing chamber 4A, the vacuum processing chamber 4A is placed on the support frame 40A, the related equipments are mounted, the unit is assembled, and such operation is performed for other units. 40A
Units assembled every ~ 40C and 20
And put them together.

【0026】従って各ユニットの組み立てを並行して行
うことができるので短時間で作業を行うことができる
し、また装置の一部を交換する場合例えば真空処理室4
Aを交換する場合、当該支持フレーム40Aを他のユニ
ットから切り離して交換作業を行うことができるので作
業性が良い。
Therefore, since the units can be assembled in parallel, the work can be performed in a short time. When a part of the apparatus is replaced, for example, the vacuum processing chamber 4
When replacing A, the support frame 40A can be separated from other units to perform the replacement operation, so that workability is good.

【0027】またガス配管や電気配線が基台7の中に引
き回わされているため、真空処理室などの各ユニットを
組み立てた後支持フレーム(20、40A〜40C)を
基台7の上に容易に運び込んで設置することができる
し、また各支持フレームを基台の外に運び出す作業も容
易であり、更に基台7の上に乗って作業をする場合にも
電気配線などが足に絡まないので作業しやすい。また上
述の真空処理装置をクリーンルーム内に複数台設置する
場合には、図7に示すように各真空処理装置S1〜Sn
の真空処理室4全部の排気系のドライポンプ61を共通
にすることが好ましく、このようにすれば各真空処理装
置毎にドライポンプ61を設ける場合に比べてドライポ
ンプの能力を大きくしなければならないが、価格は低く
なる上、床面積を小さくできるという利点がある。
Since the gas pipes and the electric wires are routed inside the base 7, after assembling the units such as the vacuum processing chamber, the support frames (20, 40A to 40C) are placed on the base 7. It can be easily carried and installed on the base, and it is easy to carry each support frame out of the base. In addition, when working on the base 7, electric wiring etc. It is easy to work because it does not get tangled. When a plurality of the above-described vacuum processing apparatuses are installed in a clean room, as shown in FIG.
It is preferable to use a common dry pump 61 for the exhaust system of all the vacuum processing chambers 4. In this case, it is necessary to increase the capacity of the dry pump as compared with the case where the dry pump 61 is provided for each vacuum processing apparatus. However, there is an advantage that the price is reduced and the floor area can be reduced.

【0028】以上において、搬送室2などの底面の下方
側に真空ポンプ例えばターボ分子ポンプを鉛直方向に向
けて取り付ける場合には、図8に示すように真空ポンプ
62(例えば上述実施例の真空ポンプ34に相当する)
の下部にジャッキ機構63を設けると共に、このジャッ
キ機構63を、キャスタ64を備えた移動枠体65に組
み合わせて取り付けることが好ましい。このように構成
すれば、大重量の真空ポンプ62をジャッキ機構63に
より降下させて横に引き出すことができるので、真空ポ
ンプ62の脱着が容易になり装置のメンテナンス時に便
利である。
In the above description, when a vacuum pump, for example, a turbo molecular pump is mounted vertically below the bottom surface of the transfer chamber 2 or the like, the vacuum pump 62 (for example, the vacuum pump of the above embodiment) is used as shown in FIG. 34)
It is preferable that a jack mechanism 63 is provided at the lower part of the frame, and the jack mechanism 63 is mounted in combination with a movable frame 65 having casters 64. With this configuration, the heavy-weight vacuum pump 62 can be lowered by the jack mechanism 63 and pulled out sideways, so that the vacuum pump 62 can be easily attached and detached, which is convenient during maintenance of the apparatus.

【0029】また真空処理室4A〜4Cなどの側壁に図
9に示すように、バタフライバルブVA、ゲートバルブ
VB及び真空ポンプ6例えばターボ分子ポンプを水平に
向けて取り付ける場合には、同図に示すように例えば支
持フレーム40A上に水平なガイドレール66を設ける
と共に、これにガイドされて水平に移動する、車輪67
を備えた移動台68上に真空ポンプ6を載置することが
好ましく、この場合には真空ポンプ6を容易に横に引き
出せるので、バタフライバルブVA、ゲートバルブVB
及び真空ポンプ6のいずれのメンテナンス時に便利であ
る。
As shown in FIG. 9, when a butterfly valve VA, a gate valve VB, and a vacuum pump 6, for example, a turbo molecular pump are mounted on the side walls of the vacuum processing chambers 4A to 4C and the like, as shown in FIG. For example, a horizontal guide rail 66 is provided on the support frame 40A, and the wheels 67 are guided by the guide rail 66 and move horizontally.
It is preferable that the vacuum pump 6 be placed on a moving table 68 provided with a butterfly valve VA and a gate valve VB because the vacuum pump 6 can be easily pulled out sideways.
This is convenient for any maintenance of the vacuum pump 6 and the vacuum pump 6.

【0030】一方処理ガス供給管43は、実際には処理
ガスの漏洩防止のために、可撓性の材質例えば樹脂チュ
ーブの中に通されて二重配管とされており、この樹脂チ
ューブの中は常時排気されて負圧とされている。図10
は、このような二重配管を固定する場合の好ましい構成
を示すものであり、ガス流量やガス圧力などを制御する
ユニット部を備えたガスボックス90と真空処理室4A
(4B、4C)との間に、樹脂チューブ91の中に処理
ガス供給管43を通してなる二重配管が配設されてい
る。なお樹脂チューブ91内には負圧により萎まないよ
うリング91aが配列されている。二重配管の途中に
は、固定部材9が設けられており、この固定部材9は、
拡径部例えば正方形の肉厚の板状部92の前後(表裏)
にリング状部93が夫々形成されると共に径方向に例え
ば半分づつ分割可能に構成されている。
On the other hand, the processing gas supply pipe 43 is actually made of a flexible material such as a resin tube to form a double pipe in order to prevent the leakage of the processing gas. Is constantly exhausted to a negative pressure. FIG.
Shows a preferable configuration when such a double pipe is fixed, and includes a gas box 90 having a unit for controlling a gas flow rate and a gas pressure, and a vacuum processing chamber 4A.
(4B, 4C), a double pipe through the processing gas supply pipe 43 in the resin tube 91 is provided. Rings 91a are arranged in the resin tube 91 so as not to be deflated by negative pressure. A fixing member 9 is provided in the middle of the double pipe, and the fixing member 9
Enlarged portion, for example, before and after a square thick plate-like portion 92 (front and back)
The ring-shaped portions 93 are formed respectively and can be divided in the radial direction, for example, by half.

【0031】前記板状体92の中央には、図11に示す
ように処理ガス供給管43に適合する貫通孔94が形成
されており、分割された固定部材9(9A、9B)を処
理ガス供給管43の両側から挟み込むようにして、処理
ガス供給管43の外周面に固定部材9を外嵌させ、ボル
ト94a(図10では図示していない)で固定部材9
A、9B同士を固定しかつ配管固定部、例えば図4の実
施例の基台7内の底板に固定する。そして樹脂チューブ
91は長さ方向に2つに分割されており、その分割端の
一方及び他方が夫々リング状部93の外周面に外嵌され
ると共に、分割端の一方から他方に亘って通気できるよ
うに、一方のリング状部93から板状部92を介して他
方のリング状部93に伸びる通気路95が同心円状に形
成されている。
As shown in FIG. 11, a through-hole 94 is formed in the center of the plate-like body 92 so as to fit the processing gas supply pipe 43, and the divided fixing members 9 (9A, 9B) can be processed gas. The fixing member 9 is externally fitted to the outer peripheral surface of the processing gas supply pipe 43 so as to be sandwiched from both sides of the supply pipe 43, and the fixing member 9 is fixed by bolts 94a (not shown in FIG. 10).
A and 9B are fixed to each other and fixed to a pipe fixing portion, for example, a bottom plate in the base 7 in the embodiment of FIG. The resin tube 91 is divided into two parts in the longitudinal direction, and one and the other of the divided ends are fitted on the outer peripheral surface of the ring-shaped portion 93, respectively, and the resin tube 91 is ventilated from one of the divided ends to the other. In order to make it possible, a ventilation path 95 extending from one ring-shaped portion 93 to the other ring-shaped portion 93 via the plate-shaped portion 92 is formed concentrically.

【0032】なおガスボックス90に接続された排気管
96によりガスボックス90内を排気することで、樹脂
チューブ91内が矢印で示すように排気される。このよ
うにして二重配管を固定すれば、従来のように板金ボッ
クスを用いていた場合に比べ固定部材が小型化できるの
でスペース効率がよいし、また例えば支持フレーム上や
人が通る所に固定部材を設ける場合などには、メンテナ
ンス時における作業の邪魔になりにくい。
By exhausting the gas box 90 through an exhaust pipe 96 connected to the gas box 90, the interior of the resin tube 91 is exhausted as shown by the arrow. By fixing the double pipe in this way, the fixing member can be reduced in size as compared with the conventional case using a sheet metal box, so that space efficiency is good, and for example, fixing on a support frame or where a person passes. When a member is provided, it is unlikely to hinder the operation during maintenance.

【0033】以上において、真空処理室としてはマグネ
ットを用いたエッチングを行う処理室に限らず、プラズ
マCVD、熱CVD、アッシング、スパッタリングなど
を行う真空処理室であってもよいし、各真空処理室にて
別々の真空処理を行うようにしてもよい。なお被処理体
としてはウエハに限らずLCD基板などであってもよ
い。
In the above, the vacuum processing chamber is not limited to a processing chamber for performing etching using a magnet, but may be a vacuum processing chamber for performing plasma CVD, thermal CVD, ashing, sputtering, or the like. , Different vacuum processes may be performed. The object to be processed is not limited to the wafer, but may be an LCD substrate or the like.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、処理ガス供給用の二重
配管の配管固定部を小型にできるのでスペース効率が良
く、メンテナンス時における作業性が優れている。
According to the present invention, the pipe fixing portion of the double pipe for supplying the processing gas can be reduced in size, so that space efficiency is good and workability during maintenance is excellent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例の全体構成を示す概観斜視図で
ある。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing the overall configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例のカセット室、搬送室及び真空
処理室を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a cassette chamber, a transfer chamber, and a vacuum processing chamber according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例のカセット室、搬送室及び真空
処理室を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a cassette chamber, a transfer chamber, and a vacuum processing chamber according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例の真空処理室などの支持フレー
ムの配置を示す分解斜視図である。
FIG. 4 is an exploded perspective view showing an arrangement of a support frame such as a vacuum processing chamber according to the embodiment of the present invention.

【図5】マグネットを収納した筐体の昇降機構を示す斜
視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing an elevating mechanism of a housing containing a magnet.

【図6】マグネットを収納した筐体の昇降機構の作用説
明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of an operation of an elevating mechanism of a housing containing a magnet.

【図7】真空処理装置を複数台設置した場合の排気系の
一例を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating an example of an exhaust system when a plurality of vacuum processing apparatuses are installed.

【図8】真空ポンプのガイド機構の一例を示す側面図で
ある。
FIG. 8 is a side view showing an example of a guide mechanism of the vacuum pump.

【図9】真空ポンプのガイド機構の他の例を示す側面図
である。
FIG. 9 is a side view showing another example of the guide mechanism of the vacuum pump.

【図10】二重配管の固定構造を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a fixing structure of a double pipe.

【図11】二重配管の固定部を示す分解斜視図である。FIG. 11 is an exploded perspective view showing a fixing portion of the double pipe.

【図12】従来の真空処理室を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing a conventional vacuum processing chamber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 搬送室 21 搬送手段 20 第1の支持フレーム 3A、3B カセット室 4A〜4C 真空処理室 40A〜40C 第2の支持フレーム 43 処理ガス供給管 45 マグネットユニット 53 冷媒循環装置 6 ターボ分子ポンプ 61 ドライポンプ 7 基台 8 昇降機構 9 固定部材 91 樹脂チューブ 92 板状部 W 半導体ウエハ Reference Signs List 2 transfer chamber 21 transfer means 20 first support frame 3A, 3B cassette chamber 4A-4C vacuum processing chamber 40A-40C second support frame 43 processing gas supply pipe 45 magnet unit 53 refrigerant circulation device 6 turbo molecular pump 61 dry pump Reference Signs List 7 base 8 lifting mechanism 9 fixing member 91 resin tube 92 plate-shaped portion W semiconductor wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 孝治 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−322032(JP,A) 特表 平3−500711(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01J 3/00 - 3/02 H01L 21/68 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Koji Suzuki 2381 Kita Shimojo, Fujii-machi, Nirasaki-shi, Yamanashi Prefecture Inside Tokyo Electron Yamanashi Co., Ltd. (56) References JP-A-1-322020 Hei 3-500711 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B01J 3/00-3/02 H01L 21/68

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 真空処理室内に処理ガス供給管を通じて
処理ガスを供給し、被処理体を真空処理する装置であっ
て、外管の中に処理ガス供給管を通して二重配管とし、
外管の内部空間を排気するように構成した真空処理装置
において、前後方向に貫通孔が形成された拡径部とこの拡径部の前
後に夫々前記貫通孔を囲むようにリング状に形成された
リング状部とを備えると共にリング状部の径方向に分割
可能に構成された固定部材を用い、この固定部材を 処理
ガス供給管の外周面に挟み込むように嵌合して設け、前
記外管を長さ方向に分割してその分割端の一方及び他方
を拡径部の前後のリング状部の外周面に夫々外嵌させて
接続し、前記リング状部に、分割された外管の一方から
前記固定部材を介して他方に亘って通気できるような通
気路を形成すると共に、前記拡径部を配管固定部に固定
するように構成したことを特徴とする真空処理装置。
1. An apparatus for supplying a processing gas into a vacuum processing chamber through a processing gas supply pipe and performing vacuum processing on an object to be processed, wherein the outer pipe has a double pipe through a processing gas supply pipe.
In a vacuum processing apparatus configured to exhaust the internal space of an outer tube, a diameter-enlarged portion having a through hole formed in the front-rear direction and
Later formed into a ring shape to surround the through hole respectively
With a ring-shaped part and divided in the radial direction of the ring-shaped part
Using a fixing member configured to be possible, this fixing member is fitted and provided so as to be sandwiched on the outer peripheral surface of the processing gas supply pipe, the outer pipe is divided in the length direction, and one and the other of the divided ends are divided. Ventilation that is fitted to and connected to the outer peripheral surfaces of the ring-shaped portions before and after the enlarged-diameter portion, respectively, and allows the divided ring-shaped portion to ventilate from one of the divided outer tubes via the fixing member to the other. A vacuum processing apparatus, wherein a path is formed and the enlarged diameter portion is fixed to a pipe fixing portion.
【請求項2】 外管は、可撓性の材質よりなることを特
徴とする請求項1記載の真空処理装置。
2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the outer tube is made of a flexible material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000060653A1 (en) * 1999-03-30 2000-10-12 Tokyo Electron Limited Plasma treatment device, its maintenance method and its installation method
US6440261B1 (en) * 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6719517B2 (en) * 2001-12-04 2004-04-13 Brooks Automation Substrate processing apparatus with independently configurable integral load locks
TWI230430B (en) * 2002-03-01 2005-04-01 Trikon Technologies Ltd Pedestal and clean room
JP4246654B2 (en) * 2004-03-08 2009-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ Vacuum processing equipment
JP2007042929A (en) * 2005-08-04 2007-02-15 Hitachi High-Tech Control Systems Corp Load lock device, its method, and semiconductor manufacturing apparatus
US20110265951A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
US20110269314A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Process chambers having shared resources and methods of use thereof
US20110265884A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system with shared vacuum pump
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