JP3224509B2 - Microwave multiplier - Google Patents

Microwave multiplier

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JP3224509B2
JP3224509B2 JP15450896A JP15450896A JP3224509B2 JP 3224509 B2 JP3224509 B2 JP 3224509B2 JP 15450896 A JP15450896 A JP 15450896A JP 15450896 A JP15450896 A JP 15450896A JP 3224509 B2 JP3224509 B2 JP 3224509B2
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stub
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寛 池松
健治 伊東
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、小型かつ簡単な
構造で低スプリアスを可能にするとともに、逓倍波周波
数及び抑圧したい周波数を容易に設定可能にすることが
できるマイクロ波逓倍器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave multiplier capable of achieving low spurious with a small and simple structure and capable of easily setting a frequency of a multiplied wave and a frequency to be suppressed. .

【0002】[0002]

【従来の技術】図13は従来のマイクロ波逓倍器を示す
構成図であり、図において、1は逓倍回路、2は逓倍回
路1により出力された逓倍波を所望の電力レベルまで増
幅するバッファ増幅回路、3は逓倍回路1に設けられ、
GaAs電界効果トランジスタ(以下、GaAs FE
Tという)5の効率が最大となるように信号を入力した
り出力したりするための基本波整合回路、5はソース接
地されたGaAs FET、6はGaAs FET5か
ら出力されたn倍波周波数に対してインピーダンス整合
を行うn倍波整合回路、7は設定された帯域以外の周波
数を除去するとともに、基本波周波数およびn倍波周波
数以外の高調波をGaAs FET5のドレイン端子側
に反射させるバンドパスフィルタであり、8はバッファ
増幅回路2に設けられ、バンドパスフィルタ7から入力
した周波数に対してインピーダンス整合を行うn倍波整
合回路、9はバッファ増幅回路2に設けられたGaAs
FET、10はバッファ増幅回路2に設けられGaA
s FET9から出力された周波数に対してインピーダ
ンス整合を行うn倍波整合回路、11は出力端子であ
る。
2. Description of the Related Art FIG. 13 is a block diagram showing a conventional microwave multiplier. In the drawing, reference numeral 1 denotes a multiplier circuit, and 2 denotes a buffer amplifier for amplifying a doubler output from the multiplier circuit 1 to a desired power level. The circuit 3 is provided in the multiplication circuit 1,
GaAs field effect transistor (hereinafter GaAs FE)
(Referred to as T) 5 is a fundamental wave matching circuit for inputting and outputting a signal so that the efficiency is maximized, 5 is a GaAs FET whose source is grounded, and 6 is an nth harmonic frequency output from the GaAs FET 5. An n-th harmonic matching circuit 7 for performing impedance matching on the other hand, a band-pass filter 7 for removing frequencies other than the set band and reflecting harmonics other than the fundamental frequency and the n-th harmonic to the drain terminal side of the GaAs FET 5. Reference numeral 8 denotes an n-th harmonic matching circuit provided in the buffer amplifying circuit 2 for performing impedance matching with respect to a frequency input from the band-pass filter 7. Reference numeral 9 denotes a GaAs provided in the buffer amplifying circuit 2.
FETs 10 and GaAs are provided in the buffer amplifier circuit 2.
An n-th harmonic matching circuit that performs impedance matching for the frequency output from the sFET 9, and 11 is an output terminal.

【0003】このような従来のマイクロ波逓倍器におい
て、逓倍回路1のGaAs FET5はソース接地され
ており、入力側は基本波周波数に対してインピーダンス
整合をとり、かつ出力側はn倍波に対してインピーダン
ス整合をとることにより、基本波からn倍波への変換を
効率よく行っていた。また、逓倍回路1とバッファ増幅
回路2との間に設けられたバンドパスフィルタ7は不要
波を除去し、かつ基本波及び所望波以外の高調波をGa
As FET5のドレイン端子側に反射することによ
り、変換効率を更に高めている。また、バッファ増幅回
路2は逓倍回路1と同様、ソース接地されたGaAs
FET9の入出力部にn倍波に対するn倍波整合回路1
0を設けており、逓倍回路1により出力された逓倍波を
所望の電力レベルまで増幅する。
In such a conventional microwave multiplier, the GaAs FET 5 of the multiplier 1 is grounded at the source, the input side is impedance-matched to the fundamental frequency, and the output side is to the n-th harmonic. Thus, the conversion from the fundamental wave to the n-th harmonic is performed efficiently by impedance matching. Further, a band-pass filter 7 provided between the multiplication circuit 1 and the buffer amplification circuit 2 removes unnecessary waves and removes harmonics other than the fundamental wave and the desired wave.
By reflecting the light toward the drain terminal side of the AsFET 5, the conversion efficiency is further increased. The buffer amplifier circuit 2 is, similarly to the multiplier circuit 1, a GaAs source grounded GaAs.
N-harmonic matching circuit 1 for n-harmonic at input / output part of FET 9
0 is provided, and the multiplied wave output by the multiplying circuit 1 is amplified to a desired power level.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波逓倍
器は以上のように構成されているので、逓倍回路1とバ
ッファ増幅器2の間に設けられたバンドパスフィルタ7
には不要波の抑圧、及び基本波及び所望波以外の高調波
をGaAs FET5のドレイン端子側に反射するとい
う設計上の要求があるため、狭帯域かつ多段のバンドパ
スフィルタ7が必要となり、例えば側面結合形バンドパ
スフィルタなどを用いた場合には製作後の調整が困難
で、かつ、狭帯域であるためエッチング精度等の製造バ
ラツキによる特性変動が大きく,かつ回路自体が大型化
するなどの課題があった。
Since the conventional microwave multiplier is configured as described above, the band-pass filter 7 provided between the multiplier 1 and the buffer amplifier 2 is used.
Has a design requirement to suppress unnecessary waves and reflect harmonics other than the fundamental wave and the desired wave to the drain terminal side of the GaAs FET 5, so that a narrow band and multi-stage bandpass filter 7 is required. When a side-coupled band-pass filter is used, it is difficult to adjust it after manufacturing, and because of the narrow band, there are large fluctuations in characteristics due to manufacturing variations such as etching accuracy, and the circuit itself becomes large. was there.

【0005】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、逓倍回路1及びバッファ増幅回路
2のGaAs FET5および9に電源電圧を供給する
バイアス線路を不要波抑圧の機能を付加したものとし、
かつ逓倍回路1の出力部に集中定数形HPF及び分布定
数形DCカットを組み合わせ、さらにバッファ増幅回路
2のn倍波整合回路8および10を対GND間にシャン
ト接続したインダクタを用いることで、小型かつ調整の
容易なマイクロ波逓倍器を得ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and a bias line for supplying a power supply voltage to the GaAs FETs 5 and 9 of the multiplier circuit 1 and the buffer amplifier circuit 2 is provided with an unnecessary wave suppressing function. And
In addition, a combination of a lumped-constant HPF and a distributed-constant DC cut at the output of the multiplication circuit 1 and the use of an inductor in which the n-th harmonic matching circuits 8 and 10 of the buffer amplification circuit 2 are shunt-connected to GND are used. It is another object of the present invention to obtain a microwave multiplier that can be easily adjusted.

【0006】また、この発明は、プリント基板のエッチ
ング精度等の製造上の誤差に対しても特性の変動が小さ
くなるようにしたマイクロ波逓倍器を得ることを目的と
する。
Another object of the present invention is to provide a microwave multiplier capable of minimizing fluctuations in characteristics with respect to manufacturing errors such as etching accuracy of a printed circuit board.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明に係
るマイクロ波逓倍器は、バイアス電圧供給線路を兼ねる
とともに、基本波の1/4波長の電気長を有し偶高調波
を抑圧する第1の先端短絡スタブと、第1および第2の
先端短絡インダクタおよびキャパシタからなり基本波を
抑圧する集中定数形ハイパスフィルタと、所望の逓倍波
の1/4波長の電気長を有する結合線路により形成し所
望の逓倍波以外の不要波を抑圧する分布定数形直流電圧
阻止回路と、入力した波形を増幅する第2の電界効果ト
ランジスタと、第2の電界効果トランジスタの入力側お
よび出力側に設けられた第3および第4の先端短絡イン
ダクタと、バイアス電圧供給線路を兼ねるとともに、基
本波の1/4波長の電気長を有し偶高調波を抑圧する第
2の先端短絡スタブとを備 えたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a microwave multiplier which also functions as a bias voltage supply line.
And an even harmonic having an electrical length of 1/4 wavelength of the fundamental wave
A first tip short-circuit stub for suppressing
A fundamental wave consisting of a short-circuit inductor and capacitor
Suppressed lumped constant high-pass filter and desired multiplied wave
Formed by a coupled line having an electrical length of 1/4 wavelength of
A distributed constant DC voltage that suppresses unwanted waves other than the desired multiplied wave.
A blocking circuit and a second field effect transistor for amplifying the input waveform.
The transistor and the input side of the second field effect transistor.
And third and fourth short-circuited terminals provided on the output side.
While acting as both the inductor and the bias voltage supply line,
The 1st wavelength that has an electrical length of 1/4 wavelength of the main wave and suppresses even harmonics
And two of the leading-end short stub is obtained by example Bei.

【0008】請求項2記載の発明に係るマイクロ波逓倍
器は、バイアス電圧供給線路を兼ねるとともに、基本波
の1/4波長の電気長を有し奇高調波を抑圧する第1の
先端開放スタブと、第1および第2の先端短絡インダク
タおよびキャパシタからなり基本波を抑圧する集中定数
形ハイパスフィルタと、所望の逓倍波の1/4波長の電
気長を有する結合線路により形成し所望の逓倍波以外の
不要波を抑圧する分布定数形直流電圧阻止回路と、入力
した波形を増幅する第2の電界効果トランジスタと、第
2の電界効果トランジスタの入力側および出力側に設け
られた第3および第4の先端短絡インダクタと、バイア
ス電圧供給線路を兼ねるとともに、基本波の1/4波長
の電気長を有し奇高調波を抑圧する第2の先端開放スタ
ブとを備えたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a microwave multiplier which also serves as a bias voltage supply line and a fundamental wave.
The first one which has an electrical length of 波長 wavelength and suppresses odd harmonics
Open-end stub and first and second short-circuited inductors
Lumped constant consisting of a capacitor and a capacitor to suppress the fundamental wave
-Type high-pass filter and a 1/4 wavelength
Other than the desired multiplied wave
Distributed constant DC voltage blocking circuit to suppress spurious waves and input
A second field-effect transistor for amplifying the generated waveform, and a second
Provided on the input and output sides of two field-effect transistors
Third and fourth tip short-circuited inductors, and vias.
電 圧 wavelength of fundamental wave
Second open-ended star for suppressing odd harmonics having an electrical length of
And the

【0009】請求項3記載の発明に係るマイクロ波逓倍
器は、集中定数形ハイパスフィルタのキャパシタを、可
変容量キャパシタとしたものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a microwave multiplier including a lumped constant type high-pass filter capacitor.
This is a variable capacitance capacitor.

【0010】請求項4記載の発明に係るマイクロ波逓倍
は、第1および第2の先端短絡スタブに、チップキャ
パシタの取付位置を可変する取付位置可変手段を備えた
ものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a microwave multiplier , wherein the first and second tip short-circuit stubs are provided with chip carriers.
Equipped with mounting position changing means for changing the mounting position of the pasita
Things.

【0011】請求項5記載の発明に係るマイクロ波逓倍
器は、取付位置可変手段として、第1および第2の先端
短絡スタブと並走するように設けたGNDパターンと、
GNDパターンに設けた裏面の地導体と導通するための
スルーホールと、第1および第2の先端短絡スタブとG
NDパターンとの間でスライドさせ、第1および第2の
先端短絡スタブの電気長を変化させるチップキャパシタ
とを備えたものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the microwave multiplier , the first and second tips are provided as mounting position changing means.
A GND pattern provided so as to run in parallel with the short-circuit stub;
For conducting with the ground conductor on the back surface provided in the GND pattern
Through hole, first and second tip short-circuit stubs and G
Slide between the ND pattern and the first and second
A chip capacitor that changes the electrical length of the tip short-circuit stub
It is provided with.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。実施の形態1. 図1はこの発明の実施の形態1によるマイクロ波逓倍器
を示す構成図であり、図において、15はこの発明の実
施の形態1による逓倍回路、16は逓倍回路15により
出力された逓倍波を所望の電力レベルまで増幅するバッ
ファ増幅回路、3は逓倍回路15に設けられ、GaAs
FET5の効率が最大となるように信号を入力したり
出力したりするための基本波整合回路、5はソース接地
されたGaAs FET(第1の電界効果トランジス
)、8はバッファ増幅回路16に設けられ、入力した
周波数に対してインピーダンス整合を行うn倍波整合回
路、9はバッファ増幅回路16に設けられたGaAs
FET(第2の電界効果トランジスタ)、10はバッフ
ァ増幅回路16に設けられGaAs FET9から出力
された周波数に対してインピーダンス整合を行うn倍波
整合回路、11は出力端子である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a microwave multiplier according to Embodiment 1 of the present invention. In the drawing, reference numeral 15 denotes a multiplier according to Embodiment 1 of the present invention, and 16 denotes a multiplier output from the multiplier 15. A buffer amplifier circuit 3 for amplifying to a desired power level is provided in the multiplier circuit 15, and the GaAs
Fundamental matching circuits efficiency for or output the input signals so as to maximize the FET 5, GaAs FET is sourced grounded 5 (first field effect transistor
And 8 are an n-th harmonic matching circuit provided in the buffer amplifier circuit 16 to perform impedance matching with respect to an input frequency, and 9 is a GaAs provided in the buffer amplifier circuit 16.
FET (second field effect transistor) 10 is an n-th harmonic matching circuit provided in the buffer amplifier circuit 16 for performing impedance matching with respect to the frequency output from the GaAs FET 9, and 11 is an output terminal.

【0013】21a,21bは基本波f1 の1/4波長
の電気長を有する先端短絡スタブ(第1および第2の先
端短絡スタブ)、22a,22bは上記先端短絡スタブ
21a,21bを介してGaAs FET5,9にバイ
アス電圧を供給する短絡スタブ用電源端子、23a,2
3bは集中定数形ハイパスフィルタを構成するインダク
タ(第1および第2の先端短絡インダクタ)、24は集
中定数形ハイパスフィルタを構成するキャパシタ、25
は所望の逓倍波の1/4波長の電気長を有する結合線路
で構成されたDCカット(分布定数形直流電圧阻止回
路)、26a,26bはバッファ増幅回路16のn倍波
整合回路8,10に用いたインダクタ(第3および第4
の先端短絡インダクタ)である。
[0013] 21a, 21b are short-circuited stub (first and second previously having an electrical length of 1/4 wavelength of the fundamental wave f 1
End short-circuit stubs ), 22a and 22b are short-circuit stub power supply terminals for supplying a bias voltage to the GaAs FETs 5 and 9 via the tip short-circuit stubs 21a and 21b, and 23a and 2
3b constitutes a lumped high-pass filter inductor (first and second short-circuited end inductor), 24 constitute a lumped high-pass filter Capacity data, 25
Is a DC cut (distributed constant type DC voltage blocking circuit) constituted by a coupling line having an electrical length of 1/4 wavelength of a desired multiplied wave.
Road), 26a, 26b are used in n-th wave matching circuit 8 and 10 of the buffer amplifier circuit 16 the inductor (the third and fourth
Of the short-circuited inductor ).

【0014】次に動作について説明する。図2は図1の
(1)での横軸を時間(a)および横軸を周波数(b)
としたときの波形を示す波形図、図3は図1の(2)で
の横軸を時間(a)および横軸を周波数(b)としたと
きの波形を示す波形図、図4は図1の(3)での横軸を
時間(a)および横軸を周波数(b)としたときの波形
を示す波形図、図5は図1の(4)での横軸を時間
(a)および横軸を周波数(b)としたときの波形を示
す波形図、図6は図1の先端短絡スタブおよび集中定数
形ハイパスフィルタの通過特性を示す波形図である。ま
ず、基本波整合回路3では、入力端子4から入力した基
本波周波数(図2(a),(b)参照)に対してGaA
s FET5の効率が最大となるように信号を入力した
り出力したりし、GaAs FET5に出力される。次
に、GaAs FET5では、入力した波形に対して逓
倍波への変換が行われ(図3(a),(b)参照)、出
力される。このGaAs FET5から先端短絡スタブ
21a側を見込んだインピーダンスは、基本波f1 を含
む入力周波数の奇数次の高調波の周波数で開放、偶数次
の高調波に対しては短絡となるため、偶数次の高調波は
先端短絡スタブ21aにより抑圧される。
Next, the operation will be described. FIG. 2 shows time (a) on the horizontal axis and frequency (b) on the horizontal axis in (1) of FIG.
FIG. 3 is a waveform diagram showing a waveform when the horizontal axis in FIG. 1 (2) is time (a) and a horizontal axis is frequency (b), and FIG. 4 is a diagram. 1 (3) is a waveform diagram showing a waveform when the horizontal axis is time (a) and the horizontal axis is frequency (b). FIG. 5 is a horizontal axis showing time (a) in FIG. 1 (4). FIG. 6 is a waveform diagram showing the pass characteristics of the short-circuited stub and the lumped-constant high-pass filter of FIG. 1 when the horizontal axis represents the frequency (b). First, in the fundamental wave matching circuit 3, GaAs is applied to the fundamental wave frequency (see FIGS. 2A and 2B) inputted from the input terminal 4.
A signal is input or output so that the efficiency of the sFET 5 is maximized, and is output to the GaAs FET 5. Next, the GaAs FET 5 converts the input waveform into a multiplied wave (see FIGS. 3A and 3B) and outputs the converted waveform. Impedance anticipation of short-circuited stub 21a side from the GaAs FET 5 is open at odd harmonics of the frequency of the input frequencies including the fundamental wave f 1, since the short-circuit for even harmonics, even order Are suppressed by the tip short-circuit stub 21a.

【0015】そして、キャパシタ24およびインダクタ
23a,23bから構成される集中定数形ハイパスフィ
ルタでは、入力した波形に対して基本波f1 および2倍
波の抑圧が行われ(図6参照)、DCカット25に出力
される。なお、この集中定数形ハイパスフィルタのカッ
トオフ周波数を基本波f1 よりも高く設定することによ
り基本波f1 を抑圧し、かつ、先端短絡スタブ21a及
び集中定数形ハイパスフィルタにより基本波f1 及び偶
数次の逓倍波をGaAs FET5のドレイン端子側に
反射することにより、この回路を3次以上の奇数次の高
調波を得るための逓倍回路として使用した場合に変換効
率を高めることができる。次に、DCカット25では、
入力した波形に対して不要波の抑圧が行われ、バッファ
増幅回路16の入出力整合回路としてのインダクタ26
aに出力される。このインダクタ26aでは、入力した
波形に対してt/Nが行われ(図4(a),(b)参
照)、GaAs FET9に出力される。次に、GaA
s FET9、インダクタ26bおよび先端短絡スタブ
21bを介して増幅が行われ(図5(a),(b)参
照)、出力端子11から出力される。
[0015] Then, the capacitor 24 and inductor 23a, the lumped high-pass filter composed 23b, suppression of the fundamental wave f 1 and the second harmonic is performed on the input waveform (see FIG. 6), DC-cut 25. Incidentally, suppressing the fundamental wave f 1 by setting higher than the fundamental wave f 1 the cut-off frequency of the lumped high-pass filter, and the fundamental wave f 1 and the short-circuited stub 21a and lumped high-pass filter By reflecting the even-order multiplied wave to the drain terminal side of the GaAs FET 5, the conversion efficiency can be increased when this circuit is used as a multiplying circuit for obtaining the third or higher odd-order harmonics. Next, in DC cut 25,
Unnecessary waves are suppressed for the input waveform, and an inductor 26 as an input / output matching circuit of the buffer amplifier circuit 16 is used.
output to a. In the inductor 26a, the input waveform is subjected to t / N (see FIGS. 4A and 4B) and output to the GaAs FET 9. Next, GaA
Amplification is performed via the sFET 9, the inductor 26b, and the short-circuit stub 21b (see FIGS. 5A and 5B), and output from the output terminal 11.

【0016】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、逓倍回路15およびバッファ増幅回路16の出力側
のバイアス線路を基本周波数の1/4波長の電気長を有
する先端短絡スタブ21a,21bと、逓倍回路15の
出力部に設けられたインダクタ23a,23bとキャパ
シタ24とから構成される集中定数形ハイパスフィルタ
とを組み合わせることにより、不要波を抑圧することが
できるなどの効果が得られる。
As described above, according to the first embodiment, the short-circuiting stubs 21a and 21b having the electrical length of 1/4 wavelength of the fundamental frequency are connected to the bias lines on the output side of the multiplier circuit 15 and the buffer amplifier circuit 16. By combining this with a lumped-constant high-pass filter composed of inductors 23a and 23b and a capacitor 24 provided at the output section of the multiplier circuit 15, it is possible to obtain effects such as suppression of unnecessary waves.

【0017】実施の形態2. 図7はこの発明の実施の形態2によるマイクロ波逓倍器
を示す構成図、図8はDCカットの通過特性を示す波形
図であり、図において実施の形態1と同一符号は同一ま
たは相当部分を示すので説明を省略する。実施の形態1
では逓倍回路15およびバッファ増幅回路16の出力側
のバイアス線路を基本周波数の1/4波長の電気長を有
する先端短絡スタブ21a,21bと、逓倍回路15の
出力部に設けられた集中定数形ハイパスフィルタとを組
み合わせたものについて示したが、図7に示すように、
逓倍回路15の出力側に所望の逓倍波の1/4波長の電
気長を有する結合線路で構成されたDCカット(分布定
数形直流電圧阻止回路)32を設けることにより、この
DCカット32の周波数特性により、逓倍波周波数f11
以外の高調波f12およびf13を抑圧することができるな
どの効果が得られる。
Embodiment 2 FIG. FIG. 7 is a block diagram showing a microwave multiplier according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a waveform diagram showing pass characteristics of DC cut. In FIG. 7, the same reference numerals as those in the first embodiment denote the same or corresponding parts. The description is omitted here. Embodiment 1
Bias lines on the output side of the multiplier circuit 15 and the buffer amplifier circuit 16 are connected to the short-circuit stubs 21a and 21b having an electrical length of 1/4 wavelength of the fundamental frequency, and the lumped constant high-pass provided at the output of the multiplier circuit 15. Although the combination with the filter is shown, as shown in FIG.
By providing the desired DC cuts formed by the bond line having an electrical length of a quarter wavelength of the multiplied waves (distributed constant type DC voltage blocking circuits) 32 on the output side of the multiplier circuit 15, the DC-cut 32 Due to the frequency characteristics, the multiplied wave frequency f 11
Effects such as can be suppressed harmonics f 12 and f 13 other than is obtained.

【0018】実施の形態3. 図9はこの発明の実施の形態3によるマイクロ波逓倍器
を示す構成図であり、図において、実施の形態1と同一
符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
35はこの発明の実施の形態3による逓倍回路、36は
この発明の実施の形態3によるバッファ増幅回路、41
a,41bは基本波周波数の1/4波長の電気長を有す
る先端開放スタブ(第1および第2の先端開放スタ
)、42a,42bは先端開放スタブ41a,41b
を介してGaAs FET5,9にバイアス電圧を供給
する開放スタブ用電源端子である。実施の形態1ではG
aAsFET5,9には先端短絡スタブ21a,21b
が接続されているものについて示したが、図9に示すよ
うに、GaAs FET5,9に先端開放スタブ41
a,41bを接続してもよい。
Embodiment 3 FIG. 9 is a configuration diagram showing a microwave multiplier according to Embodiment 3 of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in Embodiment 1 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will be omitted.
35 is a multiplier circuit according to the third embodiment of the present invention, 36 is a buffer amplifier circuit according to the third embodiment of the present invention, 41
Reference numerals a and 41b denote open-end stubs ( first and second open-end stubs) each having an electrical length of 1 / wavelength of the fundamental frequency.
B ), 42a and 42b are open end stubs 41a and 41b.
Is an open stub power supply terminal for supplying a bias voltage to the GaAs FETs 5 and 9 via. In the first embodiment, G
aAsFETs 5 and 9 have tip short-circuit stubs 21a and 21b.
Are shown, but as shown in FIG. 9, the stubs 41 with open ends are attached to the GaAs FETs 5 and 9.
a and 41b may be connected.

【0019】この場合、GaAs FET5から先端開
放スタブ41a側を見込んだインピーダンスは、基本波
1 を含む入力周波数の奇数次の高調波の周波数で短絡
で、偶数次の高調波に対しては開放となるため、奇数次
の高調波は先端開放スタブ41aにより抑圧される。一
方、キャパシタ24およびインダクタ23a,23bか
ら構成される集中定数形ハイパスフィルタにより、基本
波f1 をさらに抑圧し、基本波f1 及び奇数次の逓倍波
をGaAs FET5のドレイン端子側に反射すること
により、この回路を2次以上の偶数次の高調波を得るた
めの逓倍回路35として使用した場合に変換効率を高め
ることができるなどの効果が得られる。
[0019] In this case, impedance anticipation of open stub 41a side from the GaAs FET 5 is open at short circuit the odd harmonics of the frequency of the input frequencies including the fundamental wave f 1, with respect to even-order harmonics Therefore, odd-order harmonics are suppressed by the open-end stub 41a. On the other hand, the fundamental wave f 1 is further suppressed by the lumped constant type high-pass filter composed of the capacitor 24 and the inductors 23 a and 23 b, and the fundamental wave f 1 and the odd-order multiplied wave are reflected to the drain terminal side of the GaAs FET 5. Thus, when this circuit is used as a multiplier circuit 35 for obtaining even-order harmonics of second or higher order, effects such as an increase in conversion efficiency can be obtained.

【0020】また、図10はバッファ増幅回路の入出力
整合回路にインダクタを用いたときの特性を示す波形図
であり、図に示すように、バッファ増幅回路36の入出
力整合回路を対GND間にシャント接続されたインダク
タ26a,26bを用いることにより、先端開放スタブ
41bを用いた整合回路とした場合に比べて、図10に
示すように、所望の周波数以外での不要な利得を抑圧す
ることができるなどの効果が得られる。
FIG. 10 is a waveform diagram showing characteristics when an inductor is used in the input / output matching circuit of the buffer amplifier circuit. As shown in the figure, the input / output matching circuit of the buffer amplifier circuit 36 is connected to GND. By using inductors 26a and 26b shunt-connected to each other, as shown in FIG. 10, it is possible to suppress unnecessary gain at frequencies other than the desired frequency, as compared with a matching circuit using an open-end stub 41b. And the like.

【0021】実施の形態4. 図11はこの発明の実施の形態4によるマイクロ波逓倍
器の逓倍回路を示す構成図であり、図において、実施の
形態1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明
を省略する。実施の形態1では逓倍回路15の出力部に
設けた集中定数形ハイパスフィルタを構成するキャパシ
タ24は可変させることができないものについて示した
が、図11に示すように、キャパシタ24を可変容量キ
ャパシタ46とすることにより集中定数形ハイパスフィ
ルタのカットオフ周波数を調整し、逓倍回路出力での不
要波の抑圧量を可変することができるなどの効果が得ら
れる。
Embodiment 4 FIG. FIG. 11 is a configuration diagram showing a multiplier circuit of a microwave multiplier according to a fourth embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in the first embodiment denote the same or corresponding parts, and a description thereof will be omitted. In the first embodiment, the capacitor 24 constituting the lumped-constant high-pass filter provided at the output section of the multiplication circuit 15 cannot be varied. However, as shown in FIG. Thus, the cutoff frequency of the lumped-constant high-pass filter can be adjusted, and the amount of suppression of unnecessary waves at the output of the multiplier can be varied.

【0022】実施の形態5. 図12はこの発明の実施の形態5による先端短絡スタブ
の電気長を変化させる回路パターンを示した構成図であ
る。図において実施の形態1と同一符号は同一または相
当部分を示すので説明を省略する。51は逓倍回路15
及びバッファ増幅回路16に設けられた先端短絡スタブ
21a,21bと並走するように設けられたGNDパタ
ーン(取付位置可変手段)、52はGNDパターン51
に設けられた裏面の地導体と導通するためのスルーホー
ル(取付位置可変手段)、53は先端短絡スタブ21
a,21bと地導体間のDCカット用のチップキャパシ
タ(取付位置可変手段)である。この実施の形態5にお
いて、図に示すように、チップキャパシタ53を先端短
絡スタブ21aとGNDパターン51間でスライドさ
せ、先端短絡スタブ21aの電気長を変化させることに
より、抑圧すべき高調波の周波数調整をパターンカット
や部品交換等を伴わずに容易に行えるなどの効果が得ら
れる。
Embodiment 5 FIG. 12 is a configuration diagram showing a circuit pattern for changing the electrical length of the tip short-circuit stub according to the fifth embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in the first embodiment denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. 51 is a multiplier circuit 15
A GND pattern (attachment position changing means) provided so as to run in parallel with the tip short-circuit stubs 21a and 21b provided in the buffer amplifier circuit 16;
Through holes (attachment position variable means) for conducting with the ground conductor on the back surface provided in
These are chip capacitors (attachment position varying means) for cutting DC between the a and 21b and the ground conductor. In the fifth embodiment, as shown in the figure, the chip capacitor 53 is slid between the tip short-circuit stub 21a and the GND pattern 51, and the electrical length of the tip short-circuit stub 21a is changed. The effect is obtained such that adjustment can be easily performed without pattern cutting or component replacement.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明によ
れば、バイアス電圧供給線路を兼ねるとともに、基本波
の1/4波長の電気長を有し偶高調波を抑圧する第1の
先端短絡スタブと、第1および第2の先端短絡インダク
タおよびキャパシタからなり基本波を抑圧する集中定数
形ハイパスフィルタと、所望の逓倍波の1/4波長の電
気長を有する結合線路により形成し所望の逓倍波以外の
不要波を抑圧する分布定数形直流電圧阻止回路と、入力
した波形を増幅する第2の電界効果トランジスタと、第
2の電界効果トランジスタの入力側および出力側に設け
られた第3および第4の先端短絡インダクタと、バイア
ス電圧供給線路を兼ねるとともに、基本波の1/4波長
の電気長を有し偶高調波を抑圧する第2の先端短絡スタ
ブとを備えるように構成したので、不要な周波数帯を抑
圧することができ、小型化かつ調整が容易にできる効果
がある。
As described above, according to the first aspect of the present invention , the fundamental wave can be used as a bias voltage supply line.
The first having an electrical length of 1/4 wavelength of and suppressing even harmonics
A tip short-circuit stub and first and second tip short-circuit inductors
Lumped constant consisting of a capacitor and a capacitor to suppress the fundamental wave
-Type high-pass filter and a 1/4 wavelength
Other than the desired multiplied wave
Distributed constant DC voltage blocking circuit to suppress spurious waves and input
A second field-effect transistor for amplifying the generated waveform, and a second
Provided on the input and output sides of two field-effect transistors
Third and fourth tip short-circuited inductors, and vias.
電 圧 wavelength of fundamental wave
Second short-circuiting star having an electrical length of and suppressing even harmonics
Frequency band so that unnecessary frequency bands are suppressed.
Pressure can be reduced, miniaturization and easy adjustment
There is.

【0024】請求項2記載の発明によれば、バイアス電
圧供給線路を兼ねるとともに、基本波の1/4波長の電
気長を有し奇高調波を抑圧する第1の先端開放スタブ
と、第1および第2の先端短絡インダクタおよびキャパ
シタからなり基本波を抑圧する集中定数形ハイパスフィ
ルタと、所望の逓倍波の1/4波長の電気長を有する結
合線路により形成し所望の逓倍波以外の不要波を抑圧す
る分布定数形直流電圧阻止回路と、入力した波形を増幅
する第2の電界効果トランジスタと、第2の電界 効果ト
ランジスタの入力側および出力側に設けられた第3およ
び第4の先端短絡インダクタと、バイアス電圧供給線路
を兼ねるとともに、基本波の1/4波長の電気長を有し
奇高調波を抑圧する第2の先端開放スタブとを備えるよ
うに構成したので、不要な周波数帯を抑圧することがで
き、小型化かつ調整が容易にできる効果がある。
According to the second aspect of the present invention, the bias voltage
供給 wavelength of the fundamental wave
First open-end stub having long air and suppressing odd harmonics
And first and second tip short-circuit inductors and capacitors.
A lumped constant high-pass filter made of Sita that suppresses the fundamental wave
Filter having an electrical length of 1/4 wavelength of the desired multiplied wave.
Suppress unnecessary waves other than the desired multiplied wave formed by a combined line
Distributed constant DC voltage blocking circuit and amplified input waveform
A second field-effect transistor, and a second field-effect transistor .
3rd and 4th transistors provided on the input and output sides of the transistor
And fourth tip short-circuit inductor and bias voltage supply line
And has an electrical length of 1/4 wavelength of the fundamental wave
And a second open-end stub for suppressing odd harmonics.
With this configuration, unnecessary frequency bands can be suppressed.
In addition, there is an effect that the size can be reduced and the adjustment can be easily performed.

【0025】請求項3記載の発明によれば、集中定数形
ハイパスフィルタのキャパシタを、可変容量キャパシタ
とするように構成したので、抑圧すべき高調波の次数お
よび抑圧レベルを可変とすることができる効果がある。
According to the third aspect of the present invention, the lumped constant type
The capacitor of the high-pass filter is replaced with a variable capacitor
The order of harmonics to be suppressed and
There is an effect that the suppression level can be made variable.

【0026】請求項4記載の発明によれば、第1および
第2の先端短絡スタブに、チップキャパシタの取付位置
を可変する取付位置可変手段を備えるように構成したの
で、抑圧すべき高調波の次数および抑圧レベルを可変と
することができ、プリント基板のエッチング精度等の製
造上の誤差に対しても特性の変動を小さくすることがで
きる効果がある。
According to the fourth aspect of the present invention, the first and the second
Attach the chip capacitor to the second tip short-circuit stub
It is configured to have a mounting position changing means for changing the
The order of the harmonics to be suppressed and the suppression level are variable.
Can be manufactured, such as etching accuracy of printed circuit boards
Variations in characteristics can be reduced even for manufacturing errors.
There is a clear effect.

【0027】請求項5記載の発明によれば、取付位置可
変手段として、第1および第2の先端短絡スタブと並走
するように設けたGNDパターンと、GNDパターンに
設けた裏面の地導体と導通するためのスルーホールと、
第1および第2の先端短絡スタブとGNDパターンとの
間でスライドさせ、第1および第2の先端短絡スタブの
電気長を変化させるチップキャパシタとを備えるように
構成したので、抑圧すべき高調波の次数および抑圧レベ
ルを可変とすることができ、プリント基板のエッチング
精度等の製造上の誤差に対しても特性の変動を小さくす
ることができる効果がある。
According to the fifth aspect of the present invention, the mounting position is possible.
Parallel running with the first and second tip short-circuit stubs as a variant
To a GND pattern and a GND pattern
A through hole for conduction with the ground conductor on the rear surface provided,
Between the first and second tip short-circuit stubs and the GND pattern;
Slide between the first and second tip shorting stubs.
With a chip capacitor that changes the electrical length
The order of harmonics to be suppressed and the suppression level
Can be variable, etching of printed circuit board
Reduce fluctuations in characteristics even with manufacturing errors such as accuracy.
There is an effect that can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1によるマイクロ波逓
倍器を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a microwave multiplier according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 図1の(1)での横軸を時間(a)および横
軸を周波数(b)としたときの波形を示す波形図であ
る。
FIG. 2 is a waveform diagram showing a waveform when the horizontal axis in FIG. 1A is time (a) and the horizontal axis is frequency (b).

【図3】 図1の(2)での横軸を時間(a)および横
軸を周波数(b)としたときの波形を示す波形図であ
る。
FIG. 3 is a waveform diagram showing waveforms when the horizontal axis in FIG. 1 (2) is time (a) and the horizontal axis is frequency (b).

【図4】 図1の(3)での横軸を時間(a)および横
軸を周波数(b)としたときの波形を示す波形図であ
る。
FIG. 4 is a waveform diagram showing a waveform when the horizontal axis in FIG. 1 (3) is time (a) and the horizontal axis is frequency (b).

【図5】 図1の(4)での横軸を時間(a)および横
軸を周波数(b)としたときの波形を示す波形図であ
る。
FIG. 5 is a waveform diagram showing waveforms when the horizontal axis in FIG. 1 (4) is time (a) and the horizontal axis is frequency (b).

【図6】 図1の先端短絡スタブおよび集中定数形ハイ
パスフィルタの通過特性を示す波形図である。
FIG. 6 is a waveform chart showing pass characteristics of the short-circuit stub and the lumped-constant high-pass filter of FIG. 1;

【図7】 この発明の実施の形態2によるマイクロ波逓
倍器を示す構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram illustrating a microwave multiplier according to a second embodiment of the present invention.

【図8】 DCカットの通過特性を示す波形図である。FIG. 8 is a waveform diagram showing pass characteristics of a DC cut.

【図9】 この発明の実施の形態3によるマイクロ波逓
倍器を示す構成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram showing a microwave multiplier according to a third embodiment of the present invention.

【図10】 バッファ増幅回路の入出力整合回路にイン
ダクタを用いたときの特性を示す波形図である。
FIG. 10 is a waveform chart showing characteristics when an inductor is used in an input / output matching circuit of a buffer amplifier circuit.

【図11】 この発明の実施の形態4によるマイクロ波
逓倍器の逓倍回路を示す構成図である。
FIG. 11 is a configuration diagram showing a multiplier circuit of a microwave multiplier according to a fourth embodiment of the present invention.

【図12】 この発明の実施の形態5による先端短絡ス
タブの電気長を変化させる回路パターンを示した構成図
である。
FIG. 12 is a configuration diagram showing a circuit pattern for changing the electrical length of a short-circuited stub according to a fifth embodiment of the present invention.

【図13】 従来のマイクロ波逓倍器を示す構成図であ
る。
FIG. 13 is a configuration diagram showing a conventional microwave multiplier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 基本波整合回路、5,9 GaAs FET(第1
および第2の電界効果トランジスタ)、15 逓倍回
路、16 バッファ増幅回路、21a,21b先端短絡
スタブ(第1および第2の先端短絡スタブ)、23a,
23b インダクタ(第1および第2の先端短絡インダ
クタ)、24 キャパシタ、25,32DCカット(分
布定数形直流電圧阻止回路)26a,26b インダ
クタ(第3および第4の先端短絡インダクタ)、41
a,41b 先端開放スタブ(第1および第2の先端開
放スタブ)、46 可変容量キャパシタ、51 GND
パターン(取付位置可変手段)、52 スルーホール
(取付位置可変手段)、53チップキャパシタ(取付位
置可変手段)。
3 fundamental matching circuits, 5,9 GaAs FET (first
And a second field-effect transistor), a 15-multiplier circuit, a 16-buffer amplifier circuit, 21a and 21b tip short-circuit stubs ( first and second short-circuit stubs ), 23a,
23b Inductor ( First and second tip short-circuited inductors)
Kuta), 24 Capacity data, 25,32DC cut (distributed constant type DC voltage blocking circuits) 26a, 26b inductor
(Third and fourth tip short-circuit inductors), 41
a, 41b Open-end stubs ( first and second open-end stubs)
Discharge stub ), 46 variable capacitance capacitors, 51 GND
Pattern (attachment position varying means), 52 through hole (attachment position varying means), 53 chip capacitor (attachment position varying means).

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−236705(JP,A) 特開 平7−245501(JP,A) 特開 昭62−23211(JP,A) 特開 平5−304419(JP,A) 特開 平7−66656(JP,A) 特開 平6−104642(JP,A) 特開 平2−76401(JP,A) 特開 平2−179101(JP,A) 実開 平4−114215(JP,U) 実開 平4−107904(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03B 19/00 - 19/18 Continuation of front page (56) References JP-A-1-236705 (JP, A) JP-A-7-245501 (JP, A) JP-A-62-21111 (JP, A) JP-A-5-304419 (JP, A) JP-A-7-66656 (JP, A) JP-A-6-106442 (JP, A) JP-A-2-76401 (JP, A) JP-A-2-179101 (JP, A) 4-114215 (JP, U) JP-A 4-107904 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H03B 19/00-19/18

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基本波整合回路の後段に設けられ、基本
波に対する逓倍波を生成する第1の電界効果トランジス
タと、 上記第1の電界効果トランジスタの後段に設けられ、バ
イアス電圧供給線路を兼ねるとともに、基本波の1/4
波長の電気長を有し偶高調波を抑圧する第1の先端短絡
スタブと、 上記第1の先端短絡スタブの後段に設けられ、第1およ
び第2の先端短絡インダクタおよびキャパシタからなり
基本波を抑圧する集中定数形ハイパスフィルタと、 上記集中定数形ハイパスフィルタの後段に設けられ、所
望の逓倍波の1/4波長の電気長を有する結合線路によ
り形成し所望の逓倍波以外の不要波を抑圧する分布定数
形直流電圧阻止回路と、 上記分布定数形直流電圧阻止回路の後段に設けられ、入
力した波形を増幅する第2の電界効果トランジスタと、 上記第2の電界効果トランジスタの入力側および出力側
に設けられた第3および第4の先端短絡インダクタと、 上記第2の電界効果トランジスタの後段に設けられ、バ
イアス電圧供給線路を兼ねるとともに、基本波の1/4
波長の電気長を有し偶高調波を抑圧する第2の先端短絡
スタブとを備えたマイクロ波逓倍器。
(1)Provided after the fundamental wave matching circuit,
First field-effect transistor for generating a harmonic of a wave
And The first field effect transistor is provided at a stage subsequent to the first field effect transistor.
Also serves as the ias voltage supply line, and is 1/4 of the fundamental wave
1st tip short circuit which has electric length of wavelength and suppresses even harmonics
A stub, The first and second short-circuit stubs are provided after the first short-circuit stub,
And a second tip short-circuit inductor and a capacitor.
A lumped constant high-pass filter for suppressing the fundamental wave, It is provided after the lumped constant type high-pass filter.
A coupling line having an electrical length of 1/4 wavelength of the desired multiplied wave.
Distribution constant that suppresses undesired waves other than the desired multiplied wave
DC voltage blocking circuit, Provided after the distributed constant DC voltage blocking circuit,
A second field effect transistor for amplifying the applied waveform; Input and output sides of the second field effect transistor
A third and a fourth tip short-circuit inductor provided in The second field effect transistor is provided after the second field effect transistor.
Also serves as the ias voltage supply line, and is 1/4 of the fundamental wave
2nd tip short circuit which has electric length of wavelength and suppresses even harmonics
A microwave multiplier having a stub.
【請求項2】 基本波整合回路の後段に設けられ、基本
波に対する逓倍波を生成する第1の電界効果トランジス
タと、 上記第1の電界効果トランジスタの後段に設けられ、バ
イアス電圧供給線路を兼ねるとともに、基本波の1/4
波長の電気長を有し奇高調波を抑圧する第1の先端開放
スタブと、 上記第1の先端開放スタブの後段に設けられ、第1およ
び第2の先端短絡インダクタおよびキャパシタからなり
基本波を抑圧する集中定数形ハイパスフィルタと、 上記集中定数形ハイパスフィルタの後段に設けられ、所
望の逓倍波の1/4波長の電気長を有する結合線路によ
り形成し所望の逓倍波以外の不要波を抑圧する分布定数
形直流電圧阻止回路と、 上記分布定数形直流電圧阻止回路の後段に設けられ、入
力した波形を増幅する第2の電界効果トランジスタと、 上記第2の電界効果トランジスタの入力側および出力側
に設けられた第3および第4の先端短絡インダクタと、 上記第2の電界効果トランジスタの後段に設けられ、バ
イアス電圧供給線路を兼ねるとともに、基本波の1/4
波長の電気長を有し奇高調波を抑圧する第2の先端開放
スタブとを備えたマイクロ波逓倍器。
(2)Provided after the fundamental wave matching circuit,
First field-effect transistor for generating a harmonic of a wave
And The first field effect transistor is provided at a stage subsequent to the first field effect transistor.
Also serves as the ias voltage supply line, and is 1/4 of the fundamental wave
First open end with electrical length of wavelength to suppress odd harmonics
A stub, The stub is provided after the first open end stub,
And a second tip short-circuit inductor and a capacitor.
A lumped constant high-pass filter for suppressing the fundamental wave, It is provided after the lumped constant type high-pass filter.
A coupling line having an electrical length of 1/4 wavelength of the desired multiplied wave.
Distribution constant that suppresses undesired waves other than the desired multiplied wave
DC voltage blocking circuit, Provided after the distributed constant DC voltage blocking circuit,
A second field effect transistor for amplifying the applied waveform; Input and output sides of the second field effect transistor
A third and a fourth tip short-circuit inductor provided in The second field effect transistor is provided after the second field effect transistor.
Also serves as the ias voltage supply line, and is 1/4 of the fundamental wave
Open second end that has electrical length of wavelength and suppresses odd harmonics
A microwave multiplier having a stub.
【請求項3】 集中定数形ハイパスフィルタのキャパシ
タは、可変容量キャパシタであることを特徴とする請求
項1または請求項2記載のマイクロ波逓倍器。
3. A capacitor of lumped high-pass filter, wherein, which is a variable capacitor
The microwave multiplier according to claim 1 or 2 .
【請求項4】 第1および第2の先端短絡スタブは、チ
ップキャパシタの取付位置を可変する取付位置可変手段
を備えることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波逓
倍器。
4. The microwave multiplier according to claim 1, wherein said first and second short-circuit stubs have mounting position changing means for changing the mounting position of the chip capacitor.
【請求項5】 取付位置可変手段は、第1および第2の先端短絡スタブ と並走するように設け
たGNDパターンと、 上記GNDパターンに設けた裏面の地導体と導通するた
めのスルーホールと、 上記第1および第2の先端短絡スタブと上記GNDパタ
ーンとの間でスライドさせ、上記第1および第2の先端
短絡スタブの電気長を変化させるチップキャパシタとを
備えることを特徴とする請求項4記載のマイクロ波逓倍
器。
5. A mounting position varying means, comprising: a GND pattern provided so as to run in parallel with the first and second tip short-circuiting stubs; and a through hole provided in the GND pattern for conducting with a ground conductor on a back surface. Sliding between the first and second tip short-circuit stubs and the GND pattern, the first and second tip
5. The microwave multiplier according to claim 4, further comprising: a chip capacitor for changing an electrical length of the short-circuit stub .
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