JP3224087B2 - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光信号処
理、光計測の分野における光導波路の製造方法に関する
ものであり、詳しくは、偏波依存性のない光導波路の製
造方法を提供するためのものである。
理、光計測の分野における光導波路の製造方法に関する
ものであり、詳しくは、偏波依存性のない光導波路の製
造方法を提供するためのものである。
【０００２】
【従来の技術】石英系光導波路型回路は、干渉効果を利
用した光回路において温度変化に対する動作波長の安定
性に優れている。そのため石英型光導波路型回路は、光
通信の分野での応用が期待される受動型光部品である。
石英系光導波路は、数μｍから数十μｍ厚の石英系ガラ
ス膜を形成する技術と、形成されたコアガラス膜をフォ
トリソグラフを利用して数μｍ幅のパターン形状に加工
する技術とを組み合わせて作製される。かかる光導波路
を用いて様々な光回路が実現されている。これら光回路
の中で、光合分波機能を有するアレー導波路型回折格子
は、回路設計による特性自由度に優れ、かつ、低挿入損
失であることから光通信システムを構成する実用的な光
部品として有望である。
用した光回路において温度変化に対する動作波長の安定
性に優れている。そのため石英型光導波路型回路は、光
通信の分野での応用が期待される受動型光部品である。
石英系光導波路は、数μｍから数十μｍ厚の石英系ガラ
ス膜を形成する技術と、形成されたコアガラス膜をフォ
トリソグラフを利用して数μｍ幅のパターン形状に加工
する技術とを組み合わせて作製される。かかる光導波路
を用いて様々な光回路が実現されている。これら光回路
の中で、光合分波機能を有するアレー導波路型回折格子
は、回路設計による特性自由度に優れ、かつ、低挿入損
失であることから光通信システムを構成する実用的な光
部品として有望である。
【０００３】図６（ａ）〜（ｄ）に従来のアレー導波路
型回折格子に用いられる光導波路の製造工程を示す。ま
ず図６（ａ）に示すように、シリコン基板１上に下部ク
ラッドガラス層２を火炎堆積法を用いて形成する。次に
図６（ｂ）に示すように、火炎堆積法によりコア層４を
形成し、図６（ｃ）に示すように、コア層４を導波路パ
ターンになるようフォトプロセスと反応性イオンエッチ
ングを用いて矩形コア部５に加工する。最後に図６
（ｄ）に示すように、上部クラッドとなるガラス層６を
火炎堆積法を用いて形成し、埋め込み型の石英系光導波
路を作製する。
型回折格子に用いられる光導波路の製造工程を示す。ま
ず図６（ａ）に示すように、シリコン基板１上に下部ク
ラッドガラス層２を火炎堆積法を用いて形成する。次に
図６（ｂ）に示すように、火炎堆積法によりコア層４を
形成し、図６（ｃ）に示すように、コア層４を導波路パ
ターンになるようフォトプロセスと反応性イオンエッチ
ングを用いて矩形コア部５に加工する。最後に図６
（ｄ）に示すように、上部クラッドとなるガラス層６を
火炎堆積法を用いて形成し、埋め込み型の石英系光導波
路を作製する。
【０００４】この製造方法には、任意の回路パターンを
フォトマスクに忠実に作製することができるという特徴
がある。従って、少なくともアレー導波路部を有する複
雑な回路構成であるアレー導波路型回折格子の作製に好
適である。また、アレー導波路部の導波路長差、入出力
導波路の本数、スラブ導波路の大きさを設計通り作製す
ることができ、チャンネル数８〜３２、分波波長間隔が
１６ｎｍと広いＷＤＭ用回路から０．４ｎｍと狭いＦＤ
Ｍ用回路に至るまでの透過特性を消光比２５ｄＢ以上、
挿入損失３ｄＢ以下で実現している。さらに、基板とし
て熱伝導率の高いシリコンを用いていることから、基板
の温度を制御することにより導波路を構成する石英ガラ
スの温度を制御することが可能となる。現在、石英系光
導波路で構成されるアレー導波路型回折格子の動作波長
は温度係数０．０１ｎｍ／℃で変化するが、ペルチェ素
子を用いて基板温度を制御することで安定な動作が実現
している。
フォトマスクに忠実に作製することができるという特徴
がある。従って、少なくともアレー導波路部を有する複
雑な回路構成であるアレー導波路型回折格子の作製に好
適である。また、アレー導波路部の導波路長差、入出力
導波路の本数、スラブ導波路の大きさを設計通り作製す
ることができ、チャンネル数８〜３２、分波波長間隔が
１６ｎｍと広いＷＤＭ用回路から０．４ｎｍと狭いＦＤ
Ｍ用回路に至るまでの透過特性を消光比２５ｄＢ以上、
挿入損失３ｄＢ以下で実現している。さらに、基板とし
て熱伝導率の高いシリコンを用いていることから、基板
の温度を制御することにより導波路を構成する石英ガラ
スの温度を制御することが可能となる。現在、石英系光
導波路で構成されるアレー導波路型回折格子の動作波長
は温度係数０．０１ｎｍ／℃で変化するが、ペルチェ素
子を用いて基板温度を制御することで安定な動作が実現
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アレー導波路型回折格子においては、光導波路が複屈折
を有することから、ＴＥ偏波における動作波長とＴＭ偏
波における動作波長が異なるという問題点があった。光
導波路の複屈折の原因は光回路を構成する石英系ガラス
膜とシリコン基板の熱膨張係数が異なることによるガラ
ス中に誘起された応力である。一方、アレー導波路型回
折格子を光通信システムで用いる場合には、動作波長は
偏波状態に依存しないことが望まれていた。
アレー導波路型回折格子においては、光導波路が複屈折
を有することから、ＴＥ偏波における動作波長とＴＭ偏
波における動作波長が異なるという問題点があった。光
導波路の複屈折の原因は光回路を構成する石英系ガラス
膜とシリコン基板の熱膨張係数が異なることによるガラ
ス中に誘起された応力である。一方、アレー導波路型回
折格子を光通信システムで用いる場合には、動作波長は
偏波状態に依存しないことが望まれていた。
【０００６】動作波長の偏波依存性を解消する方法とし
て、アレー導波路中に溝を加工し、波長板を挿入する方
法がある(Y. Inoue et al, "Polarization mode concer
terwith polyimide half waveplate in silica-based p
lanar lightwave circuits", IEEE Photonics Technol.
Lett., Vol.6, pp.626-628, 1994) 。この方法では、
アレー導波路の中央部に波長板を挿入することにより、
任意の分波波長間隔、任意のチャンネル数のアレー導波
路型回折格子について偏波依存性を解消できるという特
徴を有するが、従来の導波路型光回路の製造工程に対し
て、溝加工、波長板挿入、固定の追加の工程が加わり、
製造工程が複雑になるという問題点があった。また、か
かる製造工程は大量生産には不向きなものであった。
て、アレー導波路中に溝を加工し、波長板を挿入する方
法がある(Y. Inoue et al, "Polarization mode concer
terwith polyimide half waveplate in silica-based p
lanar lightwave circuits", IEEE Photonics Technol.
Lett., Vol.6, pp.626-628, 1994) 。この方法では、
アレー導波路の中央部に波長板を挿入することにより、
任意の分波波長間隔、任意のチャンネル数のアレー導波
路型回折格子について偏波依存性を解消できるという特
徴を有するが、従来の導波路型光回路の製造工程に対し
て、溝加工、波長板挿入、固定の追加の工程が加わり、
製造工程が複雑になるという問題点があった。また、か
かる製造工程は大量生産には不向きなものであった。
【０００７】本発明は、これらの問題点に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、偏波依存性のない、光導波
路の製造方法を提供することにある。
たものであり、その目的は、偏波依存性のない、光導波
路の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光導波
路の製造方法の発明は、平面基板上に下部クラッド層を
設けた後、下部クラッド層にイオン注入法を用いてイオ
ン注入層を形成し、イオン注入層の上にコア層を設けて
からエッチングによりコア部を形成し、イオン注入層お
よびコア部の上に上部クラッド層を形成して、コア部を
埋め込むことを特徴とする。
路の製造方法の発明は、平面基板上に下部クラッド層を
設けた後、下部クラッド層にイオン注入法を用いてイオ
ン注入層を形成し、イオン注入層の上にコア層を設けて
からエッチングによりコア部を形成し、イオン注入層お
よびコア部の上に上部クラッド層を形成して、コア部を
埋め込むことを特徴とする。
【００１０】ここで、イオン注入層に注入されるイオン
種は、窒素の荷電粒子、酸素の荷電粒子およびシリコン
の荷電粒子からなる群から選ばれることができる。
種は、窒素の荷電粒子、酸素の荷電粒子およびシリコン
の荷電粒子からなる群から選ばれることができる。
【００１１】
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の光導波路は、平面基板上
に下部クラッド層、上部クラッド層、コア部、コア部の
下にイオン注入層を有する。
に下部クラッド層、上部クラッド層、コア部、コア部の
下にイオン注入層を有する。
【００１３】本発明の光導波路は、例えば、平面基板上
に下部クラッド層を設けた後、下部クラッド層にイオン
注入法を用いてイオン注入層を形成し、イオン注入層の
上にコア層を設けてからエッチングによりコア部を形成
し、イオン注入層およびコア部の上に上部クラッド層を
形成して、コア部を埋め込むことにより製造することが
できる。
に下部クラッド層を設けた後、下部クラッド層にイオン
注入法を用いてイオン注入層を形成し、イオン注入層の
上にコア層を設けてからエッチングによりコア部を形成
し、イオン注入層およびコア部の上に上部クラッド層を
形成して、コア部を埋め込むことにより製造することが
できる。
【００１４】本発明の光導波路を用いてアレー導波路型
回折格子を製造することができる。また、本発明におい
ては、かかる光導波路を適用することにより、他の光回
路や他の光部品を製造することもできる。
回折格子を製造することができる。また、本発明におい
ては、かかる光導波路を適用することにより、他の光回
路や他の光部品を製造することもできる。
【００１５】以下に実施例を用いて本発明を具体的に説
明する。
明する。
【００１６】実施例１ 図１（ａ）〜（ｅ）に本発明の光導波路製造工程を示
す。まず、シリコン基板１上に、火炎堆積法により約３
０μｍ厚の下部クラッドガラス層２を作製する。次に、
下部クラッドガラス層２表面にイオン注入法により、Ｎ
+ 注入層３を形成する。なお、イオン注入層３は、窒素
イオンの代わりに酸素の荷電粒子またはシリコンの荷電
粒子を注入しても同様の結果を得ることができる。注入
条件は、エネルギー３００ｋｅＶ、注入量１×１０17／
ｃｍ2 とした。この条件においては、Ｎ+ イオンは深さ
方向にガウス形（gaussian状）に分布し、その濃度のピ
ークは深さ約０．２７μｍ、ピーク濃度は５×１０20個
／ｃｍ3 と見積もられる。従って、深さ０．５μｍ程度
のイオン注入層が形成されることとなる。次に、火炎堆
積法によりコアガラススートを堆積し、電気炉中にて１
２００℃で２時間保持して膜厚６μｍ、屈折率差０．７
５％であるコア層４を形成する。次に、反応性イオンエ
ッチングを用いてコア幅６μｍである矩形コア部５を形
成する。最後に、火炎堆積法を用いて下部クラッド層２
と等しい屈折率を有する上部クラッド層６を約３０μｍ
火炎堆積法により形成して、光導波路を製造する。
す。まず、シリコン基板１上に、火炎堆積法により約３
０μｍ厚の下部クラッドガラス層２を作製する。次に、
下部クラッドガラス層２表面にイオン注入法により、Ｎ
+ 注入層３を形成する。なお、イオン注入層３は、窒素
イオンの代わりに酸素の荷電粒子またはシリコンの荷電
粒子を注入しても同様の結果を得ることができる。注入
条件は、エネルギー３００ｋｅＶ、注入量１×１０17／
ｃｍ2 とした。この条件においては、Ｎ+ イオンは深さ
方向にガウス形（gaussian状）に分布し、その濃度のピ
ークは深さ約０．２７μｍ、ピーク濃度は５×１０20個
／ｃｍ3 と見積もられる。従って、深さ０．５μｍ程度
のイオン注入層が形成されることとなる。次に、火炎堆
積法によりコアガラススートを堆積し、電気炉中にて１
２００℃で２時間保持して膜厚６μｍ、屈折率差０．７
５％であるコア層４を形成する。次に、反応性イオンエ
ッチングを用いてコア幅６μｍである矩形コア部５を形
成する。最後に、火炎堆積法を用いて下部クラッド層２
と等しい屈折率を有する上部クラッド層６を約３０μｍ
火炎堆積法により形成して、光導波路を製造する。
【００１７】実施例１ではガラス層２、６およびコアガ
ラススートのガラス膜作製に火炎堆積法を用いたが、こ
れは、この方法が比較的厚く高品質なガラス膜形成に適
しているからである。場合によっては、別のガラス膜合
成方法、例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法を一部または全
部に用いることもできる。
ラススートのガラス膜作製に火炎堆積法を用いたが、こ
れは、この方法が比較的厚く高品質なガラス膜形成に適
しているからである。場合によっては、別のガラス膜合
成方法、例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法を一部または全
部に用いることもできる。
【００１８】実施例２ 本発明の光導波路を用いて、偏波無依存アレー導波路型
回折格子を作製した。図２に回路構成の概略を示す。７
は入力導波路、８は入力側スラブ導波路、９はアレー導
波路部、１０は出力側スラブ導波路、１１は出力導波路
である。光導波路は、実施例１と同様にして製造した。
光合分波動作の設計に当たっては、光通信で用いられる
波長１．５５μｍ帯において、１６チャンネルに対し波
長間隔０．４ｎｍ（光周波数間隔５０ＧＨｚ）が得られ
るよう、アレー導波路型回折格子を構成するチャンネル
導波路間の光路長差を１２６．４μｍとした。このアレ
ー導波路型回折格子を光合分波器として動作するには、
まず、入力導波路に送信側の単一モード光ファイバを接
続し周波数多重信号光（λ-j〜λj ）を入射する。入力
側スラブ導波路において回折効果により広がった信号光
は、アレー導波路型回折格子を構成する複数のアレー導
波路部に伝搬し、出力側導波路スラブに達し、さらに出
力導波路に集光される。この場合、アレー導波路型回折
格子を構成する個々のアレー導波路の長さを変えて光路
長差を設けることにより、アレー導波路伝搬後の信号光
の位相にずれが生じ、この位相ずれ量に応じて出力側ス
ラブ導波路における集束光の波面が傾く。この傾き角度
により集光する位置が決定される。位相ずれ量が信号光
周波数に依存し、周波数多重光は周波数別に集光位置が
決まることになり、その集光位置に出力導波路を配置す
ることによって光周波数別に信号光（λj 〜λ-j）を取
り出すことができる。
回折格子を作製した。図２に回路構成の概略を示す。７
は入力導波路、８は入力側スラブ導波路、９はアレー導
波路部、１０は出力側スラブ導波路、１１は出力導波路
である。光導波路は、実施例１と同様にして製造した。
光合分波動作の設計に当たっては、光通信で用いられる
波長１．５５μｍ帯において、１６チャンネルに対し波
長間隔０．４ｎｍ（光周波数間隔５０ＧＨｚ）が得られ
るよう、アレー導波路型回折格子を構成するチャンネル
導波路間の光路長差を１２６．４μｍとした。このアレ
ー導波路型回折格子を光合分波器として動作するには、
まず、入力導波路に送信側の単一モード光ファイバを接
続し周波数多重信号光（λ-j〜λj ）を入射する。入力
側スラブ導波路において回折効果により広がった信号光
は、アレー導波路型回折格子を構成する複数のアレー導
波路部に伝搬し、出力側導波路スラブに達し、さらに出
力導波路に集光される。この場合、アレー導波路型回折
格子を構成する個々のアレー導波路の長さを変えて光路
長差を設けることにより、アレー導波路伝搬後の信号光
の位相にずれが生じ、この位相ずれ量に応じて出力側ス
ラブ導波路における集束光の波面が傾く。この傾き角度
により集光する位置が決定される。位相ずれ量が信号光
周波数に依存し、周波数多重光は周波数別に集光位置が
決まることになり、その集光位置に出力導波路を配置す
ることによって光周波数別に信号光（λj 〜λ-j）を取
り出すことができる。
【００１９】この光合分波器の波長１．５μｍ近傍にお
ける透過スペクトルの測定結果を図３に示す。これよ
り、透過波長はＴＥまたはＴＭの偏波状態に依存しない
ことが判明した。さらに、ピーク波長の挿入損失は３．
０ｄＢ、チャンネル間クロストークは２５ｄＢであり、
従来の製造方法で作製されるアレー導波路型回折格子の
透過特性と同等であることが明らかになった。
ける透過スペクトルの測定結果を図３に示す。これよ
り、透過波長はＴＥまたはＴＭの偏波状態に依存しない
ことが判明した。さらに、ピーク波長の挿入損失は３．
０ｄＢ、チャンネル間クロストークは２５ｄＢであり、
従来の製造方法で作製されるアレー導波路型回折格子の
透過特性と同等であることが明らかになった。
【００２０】以上より、本発明の光導波路を用いた偏波
依存性のない低損失かつ高消光比であるアレー導波路型
回折格子を実現することができた。
依存性のない低損失かつ高消光比であるアレー導波路型
回折格子を実現することができた。
【００２１】本発明の偏波無依存アレー導波路型回折格
子の温度安定性を明らかにするため、ＴＥ偏波およびＴ
Ｍ偏波における透過波長の温度依存性を図４に示す。図
４には、アレー導波路型回折格子を電気炉中で所定の温
度で１時間保持した後、室温で測定したときの結果が示
してある。これより、アレー導波路型回折格子の偏波無
依存動作が１２００℃以下で保証されており、長期信頼
性の高いことが判明した。これは、イオン注入層上に火
炎堆積法によるコアガラスを形成する工程で、１２００
℃の焼結工程を経ており、また、イオン注入層がクラッ
ドガラスに埋め込まれた状態であるためである。
子の温度安定性を明らかにするため、ＴＥ偏波およびＴ
Ｍ偏波における透過波長の温度依存性を図４に示す。図
４には、アレー導波路型回折格子を電気炉中で所定の温
度で１時間保持した後、室温で測定したときの結果が示
してある。これより、アレー導波路型回折格子の偏波無
依存動作が１２００℃以下で保証されており、長期信頼
性の高いことが判明した。これは、イオン注入層上に火
炎堆積法によるコアガラスを形成する工程で、１２００
℃の焼結工程を経ており、また、イオン注入層がクラッ
ドガラスに埋め込まれた状態であるためである。
【００２２】実施例２ではアレー導波路型回折格子を作
製したが、この他、光干渉を用いる光回路、例えば、マ
ッハツェンダ型合分波器、光誘起グレーティング等へ適
用することもでき、また、光分岐結合を用いて方向性結
合器、Ｙ分岐器等へ適用することも有効である。
製したが、この他、光干渉を用いる光回路、例えば、マ
ッハツェンダ型合分波器、光誘起グレーティング等へ適
用することもでき、また、光分岐結合を用いて方向性結
合器、Ｙ分岐器等へ適用することも有効である。
【００２３】比較例１ イオン注入をしない従来の方法で光回路を作製し、これ
を用いて実施例１と同様に設計された光分波器を作製し
た。これについて、その透過スペクトルを測定したとこ
ろ図５の結果を得た。この結果から、２つの偏波（Ｔ
Ｅ，ＴＭ）に対して透過スペクトルが波長方向に約０．
２ｎｍずれ偏波依存性があることが分かった。比較例１
の結果と比較することによって、実施例１で示したイオ
ン打ち込みの効果を確認することができた。
を用いて実施例１と同様に設計された光分波器を作製し
た。これについて、その透過スペクトルを測定したとこ
ろ図５の結果を得た。この結果から、２つの偏波（Ｔ
Ｅ，ＴＭ）に対して透過スペクトルが波長方向に約０．
２ｎｍずれ偏波依存性があることが分かった。比較例１
の結果と比較することによって、実施例１で示したイオ
ン打ち込みの効果を確認することができた。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光導波路
の製造方法によれば、イオン注入法を用いてイオン注入
層をコア底面部に設けることにより、コアガラス近傍の
応力場の変化、または、イオン注入層の屈折率変化を誘
起し、任意に設計したアレー導波路型回折格子の合分波
特性における偏波依存性を解消することができる。ま
た、イオン注入層はガラスの中に埋め込まれて形成され
ており、無偏波動作が半永久的に持続する。さらに、イ
オン注入法で形成するイオン注入層は光学的に均質なガ
ラスであることから、イオン注入層は光導波路の損失お
よび消光比劣化を招くことがない。また、本発明の光回
路製造は、従来の導波路型光回路の製造工程にイオン注
入工程が加わるだけであり、製造工程の煩雑さを最小限
にとどめることができた。なお、イオン注入法はＬＳＩ
工程では広く使われており、大量生産に適した技術であ
る。従って、本発明の光導波路は大量生産することがで
きるので、コスト面で有利である。
の製造方法によれば、イオン注入法を用いてイオン注入
層をコア底面部に設けることにより、コアガラス近傍の
応力場の変化、または、イオン注入層の屈折率変化を誘
起し、任意に設計したアレー導波路型回折格子の合分波
特性における偏波依存性を解消することができる。ま
た、イオン注入層はガラスの中に埋め込まれて形成され
ており、無偏波動作が半永久的に持続する。さらに、イ
オン注入法で形成するイオン注入層は光学的に均質なガ
ラスであることから、イオン注入層は光導波路の損失お
よび消光比劣化を招くことがない。また、本発明の光回
路製造は、従来の導波路型光回路の製造工程にイオン注
入工程が加わるだけであり、製造工程の煩雑さを最小限
にとどめることができた。なお、イオン注入法はＬＳＩ
工程では広く使われており、大量生産に適した技術であ
る。従って、本発明の光導波路は大量生産することがで
きるので、コスト面で有利である。
【図１】本発明の光導波路製造工程を示す光導波路の断
面図である。
面図である。
【図２】本発明のアレー導波路型回折格子の回路構成を
示す線図である。
示す線図である。
【図３】本発明のアレー導波路型回折格子の透過特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図４】本発明のアレー導波路型回折格子の温度変化に
対する偏波依存性を示すグラフである。
対する偏波依存性を示すグラフである。
【図５】比較用のアレー導波路型回折格子の透過特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図６】従来の光導波路の製造工程を示す光導波路の断
面図である。
面図である。
１ シリコン基板 ２ 下部クラッド層 ３ イオン注入層 ４ コア層 ５ コア部 ６ 上部クラッド層 ７ 入力導波路 ８ 入力側スラブ導波路 ９ アレー導波路部 １０ 出力側スラブ導波路 １１ 出力導波路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−11131（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−220359（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14
Claims (2)
- 【請求項１】 平面基板上に下部クラッド層を設けた
後、下部クラッド層にイオン注入法を用いてイオン注入
層を形成し、前記イオン注入層の上にコア層を設けてか
らエッチングによりコア部を形成し、前記イオン注入層
およびコア部の上に上部クラッド層を形成して、コア部
を埋め込むことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 前記イオン注入層に注入されるイオン種
が、窒素の荷電粒子、酸素の荷電粒子およびシリコンの
荷電粒子からなる群から選ばれることを特徴とする請求
項１に記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3954197A JP3224087B2 (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3954197A JP3224087B2 (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10239547A JPH10239547A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3224087B2 true JP3224087B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=12555922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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