JP3221135B2 - Analog / digital conversion circuit - Google Patents

Analog / digital conversion circuit

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JP3221135B2
JP3221135B2 JP03576093A JP3576093A JP3221135B2 JP 3221135 B2 JP3221135 B2 JP 3221135B2 JP 03576093 A JP03576093 A JP 03576093A JP 3576093 A JP3576093 A JP 3576093A JP 3221135 B2 JP3221135 B2 JP 3221135B2
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、アナログ信号をディジ
タル信号に変換するアナログ/ディジタル(以下、A/
Dと略記する)変換回路に係り、特にアナログ信号を上
位および下位の2段階でディジタル信号に変換する直並
列方式のA/D変換回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an analog / digital (hereinafter, A / D) converter for converting an analog signal into a digital signal.
More specifically, the present invention relates to a serial / parallel A / D conversion circuit that converts an analog signal into a digital signal in two stages, upper and lower.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、従来のA/D変換回路の構成例
を示す回路図であって、アナログ信号VINを4ビットの
ディジタルコードに変換する回路構成を示している。図
5において、10はマトリクス回路、21〜23は上位
コンパレータ、30は上位エンコーダ、41〜47は下
位コンパレータ、50は下位エンコーダ、60は反転ゲ
ート、70は禁止ゲート、80は選択ゲート、90はイ
ンバータをそれぞれ示している。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional A / D conversion circuit, and shows a circuit configuration for converting an analog signal V IN into a 4-bit digital code. 5, 10 is a matrix circuit, 21 to 23 are upper comparators, 30 is an upper encoder, 41 to 47 are lower comparators, 50 is a lower encoder, 60 is an inverting gate, 70 is a prohibition gate, 70 is a selection gate, and 90 is a selection gate. Each inverter is shown.

【0003】マトリクス回路10は、28個のスイッチ
ングブロックS11〜S17,S21〜S 27,S31〜S37およ
びS41〜S47が4行7列のマトリクス状に配置されて構
成されている。各スイッチングブロックS11〜S17,S
21〜S27,S31〜S37およびS41〜S 47は、npn形ト
ランジスタQ1 ,Q2 およびQ3 からなる差動型のアン
プにより構成されている。一部を除くと、いわゆる差動
対を構成する一方のトランジスタQ1 のベースには基準
電圧VRT−VRBを基準抵抗素子R1 〜R16で分圧した基
準電圧が供給され、他方のトランジスタQ2 のベースに
は、ディジタルコードに変換すべきアナログ信号VIN
それぞれ供給される。また、トランジスタQ1 およびQ
2 のエミッタ同士は接続され、その接続中点は後述する
コントロール信号によってスイッチングされるトランジ
スタQ3 を介してそれぞれ電流源Iに接続されている。
また、トランジスタQ1 およびQ2 のコレクタには抵抗
rを介して電源電圧V DDが供給され、その出力端子は7
個の下位コンパレータ41〜47の比較器CD1〜CD7
それぞれ入力され、下位コンパレータ41〜47の初段
アンプを兼用している。
The matrix circuit 10 has 28 switches.
Block S11~ S17, Stwenty one~ S 27, S31~ S37And
And S41~ S47Are arranged in a matrix of 4 rows and 7 columns.
Has been established. Each switching block S11~ S17, S
twenty one~ S27, S31~ S37And S41~ S 47Is an npn-type
Transistor Q1, QTwoAnd QThreeOf differential type
It is composed of Excluding some, so-called differential
One transistor Q forming a pair1Base on the basis of
Voltage VRT-VRBIs the reference resistance element R1~ R16Group divided by
A reference voltage is supplied, and the other transistor QTwoAt the base of
Is the analog signal V to be converted to a digital codeINBut
Supplied respectively. Also, the transistor Q1And Q
TwoAre connected to each other, and the connection midpoint is described later.
Transients switched by control signals
Star QThreeAre respectively connected to the current source I.
Also, the transistor Q1And QTwoThe collector has no resistance
power supply voltage V DDAnd its output terminal is 7
C of the lower-order comparators 41 to 47D1~ CD7To
Input to the first stage of the lower comparators 41 to 47
Also serves as an amplifier.

【0004】図中、斜線を引いたスイッチングブロック
11,S12,S16,S17,S21,S 22,S26,S27,S
31,S32,S36,S37,S41,S42,S46,S47は、2
ビットの下位変換コードに対してさらに2LSBの冗長
ビットを出力するものであり、特にこの中で、S11,S
12,S41,S42はコントロール信号によって能動化され
たときに、常に、一定の2値信号「H」または「L」が
出力されるように固定した入力信号が与えられている。
また、特に、スイッチングブロックの第2行と第4行の
トランジスタQ1,2のコレクタは、スイッチングブロ
ックの第1行、第3行のトランジスタQ1,2のコレク
タ出力と反対方向のラインに接続され、基準電位VRT
RBが印加される直列基準抵抗素子R1 〜R16のライン
が折り返しで作れるように工夫されている。
[0004] In the figure, the switching block shaded
S11, S12, S16, S17, Stwenty one, S twenty two, S26, S27, S
31, S32, S36, S37, S41, S42, S46, S47Is 2
2 LSB redundancy for lower conversion code of bits
And outputs a bit.11, S
12, S41, S42Is activated by a control signal
The constant binary signal "H" or "L"
A fixed input signal is provided to be output.
Also, in particular, the second and fourth rows of the switching block
Transistor Q1,QTwoThe collector of the switching block
Transistors Q in the first and third rows of1,QTwoCollection of
Connected to the line in the direction opposite to theRT
VRBIs applied to the series reference resistance element R.1~ R16Line of
Is designed so that it can be folded.

【0005】3個の上位コンパレータ21,22,23
は、それぞれ比較器CU1〜CU3,相補型の出力アンプC
AおよびアンドゲートAU1〜AU4を備えている。上位コ
ンパレータ21〜23の各比較器CU1〜CU3の一方の入
力にはアナログ信号VINが供給され、他方の入力には基
準電位VRT〜VRBを粗い量子化で分圧した基準電圧
1 ,V2 ,V3 が供給される。上位コンパレータ21
〜23の各比較器CU1〜CU3の出力は、サンプリングさ
れたアナログ信号のレベルに対応して「H」または
「L」のレベルとなり、各アンドゲートAU1〜AU4のい
ずれか1個のみが「1」レベルを出力するように構成さ
れている。
[0005] The three upper comparators 21, 22, 23
Are comparators C U1 to C U3 , respectively, and complementary output amplifier C
A and AND gates A U1 to A U4 . An analog signal V IN is supplied to one input of each of comparators C U1 to C U3 of upper comparators 21 to 23, and a reference voltage obtained by dividing reference potentials V RT to V RB by coarse quantization is applied to the other input. V 1 , V 2 and V 3 are supplied. Upper comparator 21
The output of each comparator C U1 -C U3 of to 23, corresponding to the level of the sampled analog signal becomes a level of "H" or "L", any one of the respective AND gates A U1 to A U4 Only one is configured to output a “1” level.

【0006】各アンドゲートAU1〜AU4の出力信号はワ
イヤード接続され、上位エンコーダ30を介してバイナ
リコードに変換され、後述する選択ゲート80におい
て、上位の2ビットのコードD1 ,D2 に修正が加えら
れる。
The output signals of the AND gates A U1 to A U4 are wired and converted into a binary code via the upper encoder 30, and are converted into upper two-bit codes D 1 and D 2 by a selection gate 80 described later. Modifications are made.

【0007】下位コンパレータ41〜47も上位コンパ
レータ21〜23と同様に構成されており、特に、下位
コンパレータ43,44,45は上位コンパレータによ
って選択された量子レベル内をさらに細かく数値化して
下位の2ビットのコードD3,4 を下位エンコーダ50
を介して出力する。
The lower comparators 41 to 47 have the same configuration as the upper comparators 21 to 23. In particular, the lower comparators 43, 44, and 45 further quantify the quantum level selected by the upper comparator to obtain a lower 2nd digit. bit code D 3, D 4 and the lower encoder 50
Output via.

【0008】さらに、このA/D変換回路では、この下
位コンパレータの左右に2LSBの冗長コードを生じる
コンパレータ41,42および46,47が設けられ、
上位コンパレータ21〜23で特定した下位コンパレー
タの変換範囲外のアナログ信号VINに対してもコード変
換動作が行われるように構成されている。
Further, in this A / D conversion circuit, comparators 41, 42 and 46, 47 for generating a redundant code of 2 LSB are provided on the left and right of the lower comparator.
The code conversion operation is also performed on the analog signal V IN outside the conversion range of the lower comparator specified by the upper comparators 21 to 23.

【0009】このような構成において、たとえば、サン
プリングされたアナログ信号のサンプリング電圧Vs
RB<VS <V3 であれば、上位コンパレータ21,2
2,23の比較器CU1〜CU3の出力がすべて「L」とな
り、アンドゲートAU1〜AU3からは「0」、AU4からは
「1」の2値信号がそれぞれ出力される。その結果、
〔0001〕なる2値信号が上位エンコーダ30に入力
され、いわゆるワイヤードオア回路によって、最初の2
列のライン〔LN31〕には
In such a configuration, for example, if the sampling voltage V s of the sampled analog signal is V RB <V S <V 3 , the upper comparators 21 and
The outputs of 2, 23 comparators C U1 to C U3 are all “L”, and binary signals of “0” are output from AND gates A U1 to A U3 , and “1” is output from A U4 . as a result,
[0001] is input to the upper encoder 30, and the first binary signal is input by a so-called wired OR circuit.
In the line [LN 31 ]

〔00〕、次の2列のライン
〔LN32〕も
[00], the next two lines [LN 32 ]

〔00〕、次の2列のライン〔LN33〕に
は〔01〕が出力される。
[00], [01] is output to the next two lines [LN 33 ].

【0010】また、サンプリング電圧VS がV3 <VS
<V2 のときは、同様に上位側アンドゲートAU1
U2,AU4からは「0」、AU3からは「1」の2値信号
がそれぞれ出力される。その結果、〔0010〕なる2
値信号が上位エンコーダ30に入力され、ライン〔LN
31〕からは
Further, if the sampling voltage V S is V 3 <V S
<When the V 2, similarly the upper AND gate A U1,
A U2 and A U4 output binary signals of “0”, and A U3 output a binary signal of “1”. As a result, [0010] 2
The value signal is input to the upper encoder 30 and the line [LN
31 ]

〔00〕、ライン〔LN32〕からは〔0
1〕、ライン〔LN 33〕からは〔10〕が出力される。
以下、V2 <VS <V1 、V1 <VS <VRTの場合を含
めて上位エンコーダ30の入力と出力との関係を図6に
示してある。
[00], line [LN32] To [0
1], line [LN 33] Is output as [10].
Hereinafter, VTwo<VS<V1, V1<VS<VRTIncluding
First, the relationship between the input and output of the upper encoder 30 is shown in FIG.
Is shown.

【0011】これと並行して、各アンドゲートA
U(1,2,3,4)の中で2値出力信号が「1」となっているコ
ントロールライン(x1,2,3,4 )に接続されてい
る各スイッチングブロックのトランジスタQ3 がオンに
制御され、さらに量子化レベルの細かな数値化が実行さ
れる。
In parallel with this, each AND gate A
Transistors of each switching block connected to the U (1, 2, 3, 4) control line binary output signal in is "1" (x 1, x 2, x 3, x 4) Q 3 is controlled to be on, finer digitizing of quantization levels is performed.

【0012】たとえば、アンドゲートAU3の出力のみが
「1」レベルになると、スイッチングブロックS31〜S
37のトランジスタQ3 がオンとなり、基準抵抗素子R7
〜R 13で分圧された基準電圧とサンプリング電圧VS
スイッチングブロックS31〜S37で差動的に増幅され、
下位コンパレータ41〜47によって比較される。同様
に、アンドゲートAU2の出力が「1」レベルのときはス
イッチングブロックS21〜S27が能動化され, 差動的な
増幅作用が行われて、下位コンパレータ41〜47によ
る比較が行われる。
For example, AND gate AU3Only the output of
When the "1" level is reached, the switching block S31~ S
37Transistor QThreeTurns on and the reference resistance element R7
~ R 13Reference voltage and sampling voltage V divided bySBut
Switching block S31~ S37Differentially amplified by
The comparison is performed by the lower comparators 41 to 47. As well
And AND gate AU2When the output of the
Switching block Stwenty one~ S27Is activated,Differential
The amplification operation is performed, and the lower comparators 41 to 47 perform the amplification.
Comparison is performed.

【0013】このように、下位の変換コードはスイッチ
ングブロックの行単位で、サンプリングされた電圧VS
とその行の基準抵抗素子で分圧された基準電圧とが比較
され、下位コンパレータ41〜47のアンドゲートAD1
〜AD7およびAD8から図7に示すように2値信号が出力
され、これら2値信号が下位エンコーダ50でエンコー
ドされることにより、下位コードライン〔LN51〕から
下位2ビットの変換コードD3 ,D4 が出力される。ま
た、同様に選択ラインLN52,LN53,LN54の出力レ
ベルも図7に示すように変化する。
As described above, the lower conversion code is obtained by sampling the voltage V S on a row-by-row basis in the switching block.
Is compared with the reference voltage divided by the reference resistance element in the row, and the AND gate A D1 of the lower comparators 41 to 47 is compared.
From to A D7 and A D8 is output binary signal as shown in FIG. 7, these by the binary signal is encoded at a lower encoder 50, converts the code D of the lower 2 bits from the lower cord line [LN 51] 3 and D 4 are output. Similarly, the output level of the selected lines LN 52, LN 53, LN 54 also changes as shown in FIG.

【0014】そして、以下,,で示すように、こ
の選択ラインLN52,LN53,LN 54のいずれかに
「1」レベルの信号が出力されたときに、上位エンコー
ダ30におけるラインLN31,LN32,LN33からの上
位2ビットの変換コードD1 ,D 2 がオアゲートO
1 ,OR2 を介して選択的に出力される。
[0014] Then, as shown below,
Selection line LN52, LN53, LN 54One of
When a “1” level signal is output,
Line LN in DA 3031, LN32, LN33From above
2 bits conversion code D1, D TwoIs OR gate O
R1, ORTwoSelectively output via

【0015】;選択ラインLN53(0ライン)に
「1」が生じる変換コード、すなわち、下位2ビットの
変換コードD3 ,D4 が上位の変換コードに対応して
A conversion code in which “1” occurs in the selection line LN 53 (0 line), that is, conversion codes D 3 and D 4 of lower 2 bits correspond to upper conversion codes

〔00〕〔10〕〔11〕となるときは、禁止ゲート7
0を構成するアンドゲートA1 ,A 2 の出力が「0」に
なるため、選択ゲート80内にあるアンドゲートA1
3,A4 およびA6 の出力は「0」になる。その結
果、上位エンコーダ30から出力されるライン〔L
32〕の上位D1 ,D2 のコードが選択ゲート80のア
ンドゲートA2 ,A5 およびオアゲートOR 1 ,OR2
を介して、そのまま出力される。こののケースは、上
位2ビットの変換を行うときのアナログ信号のレベルが
下位2ビットの変換を行うときのアナログ信号と変化し
ていない場合を示しており修正が行われない。
When [00], [10], and [11], the prohibition gate 7
AND gate A constituting 01, A TwoOutput to "0"
Therefore, the AND gate A in the selection gate 801,
AThree, AFourAnd A6Is "0". The result
As a result, the line [L
N32] Top D1, DTwoCode of select gate 80
Gate ATwo, AFiveAnd OR gate OR 1, ORTwo
Is output as is. In this case,
The level of the analog signal when converting two bits is
It changes with the analog signal when converting the lower 2 bits.
No corrections are made.

【0016】;選択ラインLN52が「1」でアンドゲ
ートAU1またはAU3が「1」の場合、および選択ライン
LN54が「1」でアンドゲートAU4またはAU2が「1」
の場合には、禁止ゲート70を構成するアンドゲートA
1 およびA4 が開く。その結果、アンドゲートA1 ,A
4 に入力されているラインLN31の上位2ビットのコー
ドD1 ,D2 がオアゲートOR1,OR2 を介して出力さ
れる。こののケースは、上位2ビットD1 ,D2 を数
値化したときのアナログ信号のレベルが、下位2ビット
3 ,D4 を数値化したときのアナログ信号より高い場
合に修正を行うものである。たとえば、図8に示すよう
に、アナログ信号のサンプリング値VS の真値がV A
あるときに、上位2ビットの変換コードが誤って〔1
0〕で出力され、下位コンパレータから正しい下位2ビ
ットの変換コード〔11〕で出力された時に、上位2ビ
ットの変換コード〔10〕から「1」を引いて〔01〕
に修正して正しいコード出力〔0111〕を得るもので
ある。すなわち、この場合はコントロールラインが間違
ってスイッチングブロックのラインを選択したことにな
るが、冗長ビットを検出する右側の下位コンパレータ4
6が
Selection line LN52Is “1” andge
AU1Or AU3Is "1" and the selection line
LN54Is "1" and AND gate AU4Or AU2Is "1"
In the case of &quot; A &quot;
1And AFourOpens. As a result, AND gate A1, A
FourLine LN input to31Upper 2 bits of
Do D1, DTwoIs OR gate OR1,ORTwoOutput via
It is. In this case, the upper two bits D1, DTwoThe number
The level of the analog signal when digitized is the lower 2 bits
DThree, DFourHigher than the analog signal when
In such a case, the correction is performed. For example, as shown in FIG.
The analog signal sampling value VSIs the true value of V Aso
At some point, the conversion code of the upper 2 bits is incorrectly [1
0] and the lower 2 comparators
When the conversion code [11] is output,
Subtract "1" from the conversion code [10] to [01]
To get the correct code output [0111]
is there. That is, in this case, the control line is wrong.
Means that the line of the switching block has been selected.
The lower-order comparator 4 on the right side that detects a redundant bit.
6

〔00〕を出力するために、上位2ビットの変換コ
ードが修正されることになる。
In order to output [00], the conversion code of the upper two bits is modified.

【0017】;選択ラインLN54が「1」でアンドゲ
ートAU1またはAU3が「1」の場合、および選択ライン
LN52が「1」でアンドゲートAU4またはAU2が「1」
の場合には、禁止ゲート70を構成するアンドゲートA
2 の出力が「1」となり、選択ゲート80のアンドゲー
トA3 およびA6 が開かれる。その結果、このアンドゲ
ートA3 ,A6 に入力されているラインLN33の上位2
ビットのコードD 1 ,D2 がオアゲートOR1 ,OR2
を介して出力され、上位2ビットのコードに「+1」が
加えられる。すなわち、こののケースは、上位2ビッ
トD1 ,D2 を数値化したときのアナログ信号のサンプ
ルレベルがそのときの量子レベル範囲より低かった場合
に修正を加えるものである。たとえば、アナログ信号V
INの真値が図8のVB 点にあるときに、上位2ビットが
[0017]; if the selected line LN 54 is "1" in the AND gate A U1 or A U3 is "1", and selects the line LN 52 is "1" in the AND gate A U4 or A U2 is "1"
In the case of &quot; A &quot;
The output of the 2 "1", the AND gates A 3 and A 6 of the select gate 80 is opened. As a result, the upper two lines LN 33 input to the AND gates A 3 and A 6
Bit code D 1 , D 2 are OR gates OR 1 , OR 2
, And “+1” is added to the upper two bits of the code. That is, in this case, correction is performed when the sample level of the analog signal when the upper two bits D 1 and D 2 are digitized is lower than the quantum level range at that time. For example, the analog signal V
When the true value of IN is at the V B point in FIG. 8, the upper 2 bits

〔00〕となったとき、下位2ビットの数値がWhen it becomes [00], the numerical value of the lower 2 bits is

〔00〕
で出力されると、上位2ビット
[00]
Output, the upper 2 bits

〔00〕に「+1」を加
えて〔01〕とし、正しいアナログ信号のサンプル電圧
B に対応する〔0100〕を出力するようにしたもの
である。
Adding "+1" to [00] and [01], in which to output a corresponding sample voltage V B of the correct analog signal [0100].

【0018】このA/D変換回路は、上記したように下
位コンパレータに冗長ビットを検出するコンパレータを
加え、上位の変換コードの範囲外の下位変換コードが出
力されたときは(図8の斜線で示す領域)、選択ライン
LN52またはLN54に「1」レベルの信号を出力し、上
位変換コードの修正を行うので、高速のサンプリングに
よってサンプリング回路のセトリング特性が悪いときで
も、下位の時点で検出した正確な変換コードを得ること
ができるという利点がある。
This A / D conversion circuit adds a comparator for detecting a redundant bit to the lower comparator as described above, and outputs a lower conversion code outside the range of the upper conversion code (shown by hatching in FIG. 8). regions shown), outputs "1" level signal to the select line LN 52 or LN 54, since the correction of the upper transformation code, even when settling characteristics of the sampling circuit by the fast sampling is poor, detected at lower point There is an advantage that an accurate converted code can be obtained.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の回路では、上位コードを補正するために、「1」を加
える「1」を減じるという考え方に基づいて補正を行っ
ている。そのため、上位データに、通常のデータと下の
冗長データ(通常データから1を減じたデータ)および
上の冗長データ(通常データに1を加えたデータ)をそ
れぞれグループにまとめ、下位エンコーダからの選択信
号で3グループのうちから1つを選びだすように構成さ
れている。ところが、抵抗列の右の部分が下の冗長にな
る列と上の冗長になる列とが交互に存在する。したがっ
て、抵抗列の右の部分に接続された下位エンコーダが下
の冗長データを選択する場合と上の冗長データを選択す
る場合とがある。したがって、どちらのデータを選択す
るかは、列ごとに異なることから、これを制御するため
に反転ゲート60や禁止ゲート70が必要であった。
As described above, in the conventional circuit, correction is performed based on the concept of adding "1" and subtracting "1" in order to correct the upper code. Therefore, the normal data, the lower redundant data (data obtained by subtracting 1 from the normal data) and the upper redundant data (data obtained by adding 1 to the normal data) are grouped into the upper data, and selected from the lower encoder. It is configured so that one of three groups is selected by a signal. However, a column in which the right portion of the resistor column becomes lower redundant and a column in which the upper portion becomes redundant alternately exist. Therefore, there is a case where the lower encoder connected to the right part of the resistor row selects the lower redundant data or a case where the lower redundant data selects the upper redundant data. Therefore, which data is to be selected differs for each column, so that an inversion gate 60 and a prohibition gate 70 are required to control this.

【0020】しかしながら、下位エンコーダ50からの
選択信号(図中のLN52,LN53,LN54)は、反転ゲ
ート60、禁止ゲート70を通過した後に、選択ゲート
80に伝えられることから、選択信号の方が上位エンコ
ーダ30から出力される上位データより遅れて選択ゲー
ト80に入力されることになる。このため、変換コード
の出力処理に、反転ゲート60および禁止ゲート70の
存在による遅延が生じ、ひいてはA/D変換回路の変換
時間が増大するという問題がある。また、反転ゲートお
よび禁止ゲートが余分に必要となることに加えて、選択
信号が3つ必要となり、また選択される上位コードも3
組必要となり、選択ゲートにおける入力ゲート数も多く
なることから、チップ面積および消費電力の増大を招く
という問題もある。さらに、上位aビットを得るために
は、上位コンパレータが(2a −1)個必要で、スイッ
チングブロックの行も2a 行必要となることから、チッ
プ面積および消費電力の増大の要因の一つとなってい
る。
However, the selection signals (LN 52 , LN 53 , LN 54 in the figure) from the lower encoder 50 are transmitted to the selection gate 80 after passing through the inversion gate 60 and the inhibition gate 70, so that the selection signal Is input to the selection gate 80 later than the upper data output from the upper encoder 30. For this reason, there is a problem that the output of the conversion code is delayed due to the presence of the inversion gate 60 and the inhibition gate 70, and the conversion time of the A / D conversion circuit increases. Further, in addition to the necessity of extra inversion gates and prohibition gates, three selection signals are required, and the upper code to be selected is also three.
Since the number of pairs is required and the number of input gates in the selection gates is increased, there is a problem that the chip area and power consumption are increased. Further, in order to obtain the upper a bits, (2 a -1) upper comparators are required, and 2 a rows of switching blocks are required. This is one of the factors that increase the chip area and power consumption. Has become.

【0021】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、変換処理の高速化、チップ面積
の縮小、消費電力の削減を図れるA/D変換回路を提供
することにある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an A / D conversion circuit capable of increasing the speed of conversion processing, reducing the chip area, and reducing power consumption. .

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、2つの基準電位間に直列に接続された
複数個の基準抵抗素子と、マトリクス状に配列され、か
つ、上位変換出力信号によって行毎に能動化され、上記
基準抵抗素子によって分圧した各基準電圧と被変換入力
信号とを比較し、下位ビットデータおよび冗長ビットデ
ータの有無を検出する複数のスイッチングブロックであ
って、1/2オフセットのかかった上位ビット決定用に
導出される複数の基準電圧点と、高基準電圧点(VR
T)と、低基準電圧点(VRB)とからなる点のうち、
隣接する2点に挟まれている分圧電圧とその両側に拡張
した冗長分の分圧電圧とを1行で受ける、隣接順に配置
された複数のスイッチングブロックと、上記スイッチン
グブロックマトリクスの少なくとも最上行または最下行
を除く、互いに隣接する行間に発生された上位ビット数
の分解能に対応した電圧ステップである基準電圧と被変
換入力信号とを比較し、データの変化点を検出する少な
くとも一のデータ変化点検出回路と、上記データ変化点
検出回路の検出結果に応じてあらかじめ設定された2モ
ードに応じた、隣接した上位ビットの変換コードを得る
上位エンコーダと、上記各スイッチングブロックの列単
位の出力を上記2モードに応じた2つのグループに分割
し、各分割グループ毎に下位ビットデータおよび冗長ビ
ットデータの有無に応じて所定の下位変換コードを得る
とともに、各スイッチングブロックの列単位の出力よ
り、入力アナログ電圧が2つの上位ビット変換コードに
対応した2つの基準電圧範囲のうちどちらの範囲に属す
るかを検出し、上記上位エンコーダの2つの上位ビット
の変換コードのうちから属した方の変換コードを選択す
るための選択信号を発生する下位エンコーダと、上記上
位エンコーダから出力された2つの上位ビットの変換コ
ードのうちからいずれか一方の変換コードを、上記下位
エンコーダから出力された選択信号に基づいて選択的に
出力する選択ゲートとを有するようにした。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a plurality of reference resistance elements connected in series between two reference potentials are arranged in a matrix and have a higher conversion output. is activated for each row by the signal, comparing the respective reference voltage and the converter input signal by dividing by the reference resistance element, a plurality of detecting the presence or absence of the lower bit data and the redundant bit data switching blocks Kudea
Therefore, to determine the upper bits with 1/2 offset
A plurality of derived reference voltage points and a high reference voltage point (VR
T) and the low reference voltage point (VRB).
Divided voltage sandwiched between two adjacent points and extended to both sides
Received in a single row with the divided voltage for redundancy, arranged in adjacent order
And the number of upper bits generated between adjacent rows, excluding at least the top row or bottom row of the switching block matrix.
A reference voltage, which is a voltage step corresponding to the resolution of the input signal, is compared with the input signal to be converted, and at least one data change point detection circuit for detecting a data change point is provided, according to the detection result of the data change point detection circuit. A higher-order encoder for obtaining a conversion code of adjacent higher-order bits according to two modes set in advance; and a column-based output of each switching block is divided into two groups corresponding to the two modes. A predetermined lower-order conversion code is obtained in accordance with the presence or absence of lower-order bit data and redundant bit data .
The input analog voltage is converted into two upper bit conversion codes
Which of the two corresponding reference voltage ranges belongs
And a lower encoder for generating a selection signal for selecting a conversion code to which the higher-order encoder belongs from the two upper-bit conversion codes, and two upper-order encoders output from the upper encoder. A selection gate for selectively outputting one of the bit conversion codes based on the selection signal output from the lower encoder is provided.

【0023】本発明では、上記基準抵抗素子は、上記ス
イッチングブロックのマトリクス配列に対応するよう
に、所定の数ずつ複数行に亘るように折り返して配置さ
れるとともに、最高値の基準電圧を発生する抵抗素子の
行および最低値の基準電圧を発生する抵抗素子の行が、
他の抵抗素子の行に対して所定周期ずらして配置され、
上記上位エンコーダの出力変換コード値が、各行毎の基
準電圧レベルの遷移方向に応じて設定されている。
In the present invention, the reference resistance elements are arranged so as to be folded over a predetermined number of rows so as to correspond to the matrix arrangement of the switching blocks, and generate the highest reference voltage. A row of resistance elements and a row of resistance elements that generate the lowest reference voltage are
It is arranged to be shifted by a predetermined period with respect to the rows of other resistance elements,
The output conversion code value of the upper encoder is set according to the transition direction of the reference voltage level for each row.

【0024】本発明では、上記所定周期は、半周期であ
る。
In the present invention, the predetermined period is a half period.

【0025】本発明では、マトリクス状に配列されてい
るスイッチングブロック列が、所定列を基準に2つの列
グループに分割され、これら列グループ出力が上記下位
エンコーダの2グループに対応するように構成され、上
記上位エンコーダの出力変換コード値は、一方のモー
ド、他方のモードの順で大小の差を持つように設定され
ている。
In the present invention, the switching block columns arranged in a matrix are divided into two column groups based on a predetermined column, and these column group outputs correspond to the two groups of the lower encoder. The output conversion code value of the upper encoder is set so as to have a difference in magnitude in the order of one mode and the other mode.

【0026】本発明では、上記2グループは、出力変換
コードにおける上位ビットの切替点を基準に分割されて
いる。
In the present invention, the two groups are divided based on the switching point of the upper bit in the output conversion code.

【0027】本発明では、上記下位エンコーダは、2つ
の分割グループに応じた2つの選択信号を発生するよう
に構成されている。
In the present invention, the lower encoder is configured to generate two selection signals corresponding to two divided groups.

【0028】本発明では、上記下位エンコーダは、2つ
の分割グループのうちの一方のグループに応じた1つの
選択信号を発生するように構成されている。
According to the present invention, the lower encoder is configured to generate one selection signal corresponding to one of the two divided groups.

【0029】[0029]

【作用】本発明によれば、アナログ信号が入力される
と、データ変化点検出回路において、入力信号とスイッ
チングブロックマトリクスの少なくとも最上行または最
下行を除く、互いに隣接する行間に発生された基準電圧
とが比較されて、データの変化点が検出され、この検出
結果は上位エンコーダに出力される。このとき、マトリ
クスの最上行が除かれた場合には最上行対応のデータ変
化点検出回路は1つ下行対応のデータ変化点検出回路で
兼用され、マトリクスの最下行が除かれた場合には最下
行対応のデータ変化点検出回路は1つ上行対応のデータ
変化点検出回路で兼用される。上位エンコーダでは、検
出結果に応じてあらかじめ設定されたモードに応じた上
位ビットの変換コードが選択されて選択ゲートに出力さ
れる。この上位ビットの変換動作と並行して、入力アナ
ログ信号は、マトリクス状に配置された各スイッチング
ブロックのうち、上位変換出力信号によって能動化され
た行の各スイッチングブロックにおいて、基準電位を基
準抵抗素子で分圧した各基準電圧と比較される。これら
のスイッチングブロックの比較結果は、下位ビットデー
タまたは冗長ビットデータとして下位エンコーダに出力
される。下位エンコーダでは、能動化された各スイッチ
ングブロックの出力データに基づいて、2モードに応じ
た2つのグループへの分割が行われ、各分割グループ毎
に下位ビットデータおよび冗長ビットデータの有無に応
じて所定の下位変換コードが得られ出力される。これと
並行して、上位エンコーダの2つの上位ビットの変換コ
ードのうちからいずれか一方の変換コードを選択するた
めの選択信号が発生され、この選択信号は選択ゲートに
出力される。選択ゲートでは、上位エンコーダから出力
された2つの上位ビットの変換コードのうちから一の変
換コードが、下位エンコーダから出力された選択信号に
基づいて選択され、上位変換コードとして出力される。
According to the present invention, when an analog signal is input, in the data change point detection circuit, the input signal and the reference voltage generated between adjacent rows except for at least the uppermost row or the lowermost row of the switching block matrix. Are compared with each other to detect a data change point, and the detection result is output to the upper encoder. At this time, when the top row of the matrix is removed, the data change point detection circuit corresponding to the top row is also used as the data change point detection circuit corresponding to the next lower row, and when the bottom row of the matrix is removed, The data change point detection circuit corresponding to the lower row is also used as one data change point detection circuit corresponding to the upper row. In the high-order encoder, a conversion code of high-order bits corresponding to a mode set in advance is selected according to the detection result, and is output to the selection gate. In parallel with the conversion operation of the higher-order bits, the input analog signal is supplied to the reference resistance element in each of the switching blocks activated by the higher-order conversion output signal among the switching blocks arranged in a matrix. Is compared with each reference voltage. The comparison result of these switching blocks is output to the lower encoder as lower bit data or redundant bit data. In the lower encoder, division into two groups according to the two modes is performed based on the output data of each activated switching block, and depending on the presence or absence of lower bit data and redundant bit data for each divided group. A predetermined lower conversion code is obtained and output. In parallel with this, a selection signal for selecting one of the two upper bit conversion codes of the upper encoder is generated, and this selection signal is output to the selection gate. In the selection gate, one of the two upper-bit conversion codes output from the upper encoder is selected based on the selection signal output from the lower encoder, and is output as an upper conversion code.

【0030】本発明によれば、上位エンコーダの出力変
換コード値は、各行毎の基準電圧レベルの遷移方向、た
とえば低電位から高電位に遷移する方向性に応じて大小
が決定されて設定され、また、たとえば、上位エンコー
ダの出力変換コード値は、一方のモード、他方のモード
の順で大小の差を持つように設定される。また、基準抵
抗素子は、たとえばスイッチングブロックのマトリクス
配列に対応するように、所定の数ずつ複数行に亘るよう
に折り返して配置され、かつ、最高値の基準電圧を発生
する抵抗素子の行および最低値の基準電圧を発生する抵
抗素子の行が、他の抵抗素子の行に対して所定周期、た
とえば半周期ずらして配置される。
According to the present invention, the output conversion code value of the upper encoder is determined and set according to the transition direction of the reference voltage level for each row, for example, the direction of transition from low potential to high potential, Further, for example, the output conversion code value of the upper encoder is set so as to have a difference in magnitude in the order of one mode and the other mode. Further, the reference resistance element is folded back and arranged in a predetermined number over a plurality of rows so as to correspond to, for example, a matrix arrangement of the switching blocks, and a row of the resistance element generating the reference voltage of the highest value and a lower row of the resistance element. A row of resistance elements generating a reference voltage having a value is shifted by a predetermined cycle, for example, a half cycle, with respect to rows of other resistance elements.

【0031】また、本発明によれば、分割する2グルー
プは、出力変換コードにおける上位ビットの切替点、た
とえば上位ビット「00」が「01」に切り替わる点、
「01」が「10」に切り替わる点を基準に分割され
る。
Further, according to the present invention, the two groups to be divided are the switching point of the upper bit in the output conversion code, for example, the point where the upper bit “00” switches to “01”,
Division is performed based on the point at which “01” switches to “10”.

【0032】また、本発明によれば、下位エンコーダで
は、2つの分割グループに応じた2つの選択信号が発生
される。
Further, according to the present invention, the lower encoder generates two selection signals corresponding to the two divided groups.

【0033】また、本発明によれば、下位エンコーダで
は、2つの分割グループのうちの一方のグループに応じ
た1つの選択信号が発生される。
According to the present invention, the lower encoder generates one selection signal corresponding to one of the two divided groups.

【0034】[0034]

【実施例】図1は、本発明に係るA/D変換回路の第1
の実施例を示す回路図である。図1において、100は
マトリクス回路、111,112はデータ変化点検出回
路としての上位コンパレータ、120は上位エンコー
ダ、131〜137は下位コンパレータ、140は下位
エンコーダ、150は選択ゲート、160はインバー
タ、R1 〜R16は基準抵抗素子、BU1〜BU3,BD1〜B
D8は多出力ピンバッファ、OR1 ,OR2 はオアゲー
ト、EXO1 ,EXO2 は排他的論理和ゲートをそれぞ
れ示している。
1 shows a first embodiment of an A / D conversion circuit according to the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of the embodiment. 1, 100 is a matrix circuit, 111 and 112 are upper comparators as data change point detection circuits, 120 is an upper encoder, 131 to 137 are lower comparators, 140 is a lower encoder, 150 is a selection gate, 160 is an inverter, and R 1 to R 16 are reference resistance elements, B U1 to B U3 , B D1 to B
D8 is multi-output pin buffers, OR 1, OR 2 is an OR gate, EXO 1, EXO 2 indicates an exclusive OR gate, respectively.

【0035】マトリクス回路100は、21個のスイッ
チングブロックS11〜S17,S21〜S27およびS31〜S
37が3行7列のマトリクス状に配置されて構成されてい
る。各スイッチングブロックS11〜S17,S21〜S27
よびS31〜S37は、npn形トランジスタQ1 ,Q2
よびQ3 からなる差動型のアンプにより構成されてい
る。各スイッチングブロックのいわゆる差動対を構成す
る一方のトランジスタQ1のベースには基準電圧VRT
RBを基準抵抗素子R1 〜R16で分圧した基準電圧が供
給され、他方のトランジスタQ2 のベースには、ディジ
タルコードに変換すべきアナログ信号VINがそれぞれ供
給される。また、トランジスタQ1 およびQ2 のエミッ
タ同士は接続され、その接続中点はコントロール信号x
1 3 によってスイッチングされるトランジスタQ3
を介してそれぞれ電流源Iに接続されている。トランジ
スタQ1 およびQ2 のコレクタには抵抗素子rを介して
電源電圧VDDが供給され、その出力は後述するように7
個の下位コンパレータ131〜137の比較器CD1〜C
D7にそれぞれ入力され、下位コンパレータ131〜13
7の初段アンプを兼用している。また、図中下から第2
行目のスイッチングブロックのトランジスタQ1,2
コレクタは、第1行目および第3行目のスイッチングブ
ロックのトランジスタQ1,2 のコレクタ出力と反対方
向のラインに接続され、基準電位VRT−VRBが印加され
る直列基準抵抗素子R1 〜R16のラインが折り返しで作
れるように工夫されている。
The matrix circuit 100 includes 21 switching blocks S 11 to S 17 , S 21 to S 27 and S 31 to S 27.
37 are arranged in a matrix of 3 rows and 7 columns. Each switching block S 11 ~S 17, S 21 ~S 27 and S 31 to S 37 is constituted by a differential amplifier consisting of npn-type transistors Q 1, Q 2 and Q 3. The base of one transistor Q1 forming a so-called differential pair of each switching block has a reference voltage V RT
A reference voltage obtained by dividing V RB by reference resistance elements R 1 to R 16 is supplied, and an analog signal V IN to be converted into a digital code is supplied to the base of the other transistor Q 2 . The emitters of the transistors Q 1 and Q 2 are connected to each other, and the midpoint of the connection is a control signal x.
1 ~ x 3 Transistor Q 3 switched by
Are respectively connected to the current source I. The power supply voltage V DD is supplied to the collectors of the transistors Q 1 and Q 2 via the resistance element r.
Comparators C D1 to C D of the lower comparators 131 to 137
D7 are input to the lower comparators 131 to 13 respectively.
7 also used as the first stage amplifier. In addition, the second from the bottom in the figure
The collector of the transistor Q 1, Q 2 of the row of switching blocks are connected in the opposite direction of the line and the transistor Q 1, the collector Q 2 'outputs of the first row and the third row of the switching block, the reference potential V It is designed so that the lines of the series reference resistance elements R 1 to R 16 to which RT- V RB is applied can be formed by folding back.

【0036】基準抵抗素子R1 〜R16は、2つの基準電
位VRTとVRBとの間に直列に接続され、マトリクス回路
100におけるスイッチングブロックのマトリクス配列
に対応するように、所定の数ずつ複数行、本実施例では
5行に亘るように折り返して配置されている。具体的に
は、図中下から第1行目および第5行目にはそれぞれ2
つの抵抗素子R16,R15およびR2 ,R1 が直列に接続
され、第2行目〜第4行目にはそれぞれ抵抗素子R14
11,R10〜R7 およびR6 〜R3 が直列に接続されて
いる。
The reference resistance elements R 1 to R 16 are connected in series between two reference potentials V RT and V RB, and are arranged in predetermined numbers so as to correspond to a matrix arrangement of switching blocks in the matrix circuit 100. It is folded back over a plurality of rows, in this embodiment five rows. Specifically, the first and fifth rows from the bottom in the figure each have 2
One of the resistance element R 16, R 15 and R 2, R 1 are connected in series, the second row - fourth row each of the resistive elements R 14 -
R 11, R 10 ~R 7 and R 6 to R 3 are connected in series.

【0037】この抵抗素子列の折り返し配置は、マトリ
クス回路100の左端および下端側に位置する基準電位
RB端子側からみると、図中右方向に延びる配線パター
ンが図中左から第4列目のスイッチングブロック列と第
5列目のスイッチングブロック列との間で折り返され、
2個の抵抗素子R16およびR15が直列に接続されて第1
行目の抵抗列が構成されている。
The folded arrangement of the resistor element rows is such that when viewed from the reference potential V RB terminal located at the left end and the lower end side of the matrix circuit 100, the wiring pattern extending rightward in the figure is the fourth row from the left in the figure. Is folded between the fifth switching block row and the fifth switching block row,
Two resistance elements R 16 and R 15 are connected in series to
A resistance column in the row is configured.

【0038】第1行目の抵抗列は、第3列目のスイッチ
ングブロック列と第2列目のスイッチングブロック列と
の間で折り返され、第1行目および第2行目のスイッチ
ングブロック行間で、かつ、第1行目のスイッチングブ
ロックS33〜S36の配置位置に対応して4個の抵抗素子
14〜R11が直列に接続されて第2行目の抵抗列が構成
されている。
The resistance row of the first row is turned back between the third switching block row and the second switching block row, and is connected between the first row and the second switching block row. and, second row of resistor string corresponding to the arrangement positions of four resistance elements R 14 to R 11 are connected in series in the first line of the switching block S 33 to S 36 are configured .

【0039】第2行目の抵抗列は、第5列目のスイッチ
ングブロック列と第6列目のスイッチングブロック列と
の間で折り返され、第1行目および第2行目のスイッチ
ングブロック行間で、かつ、第2行目のスイッチングブ
ロックS26〜S23の配置位置に対応して4個の抵抗素子
10〜R7 が直列に接続されて第3行目の抵抗列が構成
されている。
The resistance row in the second row is turned back between the fifth switching block row and the sixth switching block row, and is connected between the first row and the second switching block row. and third row of resistors column four resistive elements R 10 to R 7 corresponding to the arrangement position of the second row of the switching block S 26 to S 23 are connected in series is constituted .

【0040】第3行目の抵抗列は、第3列目のスイッチ
ングブロック列と第2列目のスイッチングブロック列と
の間で折り返され、第3行目のスイッチングブロックS
13〜S16の配置位置に対応して4個の抵抗素子R6 〜R
3 が直列に接続されて第4行目の抵抗列が構成されてい
る。
The resistance row in the third row is turned back between the third switching block row and the second switching block row, and the third row of switching blocks S
Four resistance elements R 6 to R 6 corresponding to the arrangement positions of 13 to S 16
3 are connected in series to form a fourth row of resistance columns.

【0041】第4行目の抵抗列は、第5列目のスイッチ
ングブロック列と第6列目のスイッチングブロック列と
の間で折り返され、第3行目のスイッチングブロックS
16〜S15の配置位置に対応して2個の抵抗素子R2 〜R
1 が直列に接続され、抵抗素子R1 の一端が基準電位V
RTの端子に接続されて第5行目の抵抗列が構成されてい
る。
The resistance row of the fourth row is turned back between the fifth switching block row and the sixth switching block row, and the third row of switching blocks S
Two resistance elements R 2 to R 2 corresponding to the arrangement positions of 16 to S 15
1 are connected in series, one end of the resistance element R 1 is the reference potential V
The fifth row of resistance columns is connected to the terminal of RT .

【0042】すなわち、基準電圧の最低値となる位置
(基準電位VRB端子と抵抗素子R16との接続点)および
最高値となる位置(基準電位VRT端子と抵抗素子R1
の接続点)がマトリクス状に配置されたスイッチングブ
ロックの行方向の中間点に位置するように、第1行目お
よび第5行目の抵抗列が第2行目〜第4行目の抵抗列に
対して半周期ずらして配置されている。このような抵抗
列の配置構成は、後述するように上位下位の切替点にお
いて7列からなるスイッチングブロック列を、第1列目
から第4列目のスイッチングブロック列のグループと第
5列目から第7列目のスイッチングブロック列との2グ
ループに分割する目的でなされている。
That is, the position of the lowest reference voltage (the connection point between the reference potential V RB terminal and the resistor R 16 ) and the position of the highest value (the connection point between the reference potential V RT terminal and the resistor R 1) ) Are located at intermediate points in the row direction of the switching blocks arranged in a matrix, so that the resistance columns in the first and fifth rows are different from the resistance columns in the second to fourth rows. They are staggered by half a cycle. As described later, the arrangement configuration of the resistor rows includes a switching block row composed of seven rows at upper and lower switching points, and a group of switching block rows from the first row to the fourth row and a switching block row from the fifth row. This is for the purpose of dividing into two groups with the switching block row of the seventh row.

【0043】また、抵抗列の第4行目と第3行目との行
間および第3行目と第2行目との行間に発生する電圧V
1 ,V2 は、基準電位VRT〜VRBを粗い量子化で分圧し
た基準電圧として上位コンパレータ111,112にそ
れぞれ供給される。図1の構成において、基準電位VRT
〜VRB間の電圧をVREF とすると、各基準電圧V1 ,V
2 は、それぞれ以下に示す値となる。 V1 =(10/16) ・VREF2 =( 6/16) ・VREF
The voltage V generated between the fourth and third rows of the resistance column and the third and second rows of the resistance column.
1 and V 2 are supplied to the upper comparators 111 and 112 as reference voltages obtained by dividing the reference potentials V RT to V RB by coarse quantization. In the configuration of FIG. 1, the reference potential V RT
Assuming that the voltage between V RB and V RB is V REF , the reference voltages V 1 , V
2 has the following values, respectively. V 1 = (10/16) · V REF V 2 = (6/16) · V REF

【0044】さらに、基準抵抗素子R1 〜R16で分圧さ
れた各基準電圧e1 〜e15は、所定のスイッチングブロ
ックのトランジスタQ1 のベースに供給されるように配
線されている。具体的には、抵抗素子R1 とR2 との接
続中点に発生する基準電圧e1 〔=(15/16) ・VREF
はスイッチングブロックS17のトランジスタQ1 のベー
スに供給される。抵抗素子R2 とR3 との接続中点に発
生する基準電圧e2 〔=(14/16) ・VRE F 〕はスイッチ
ングブロックS16のトランジスタQ1 のベースに供給さ
れる。抵抗素子R3 とR4 との接続中点に発生する基準
電圧e3 〔=(13/16) ・VRE F 〕はスイッチングブロッ
クS15のトランジスタQ1 のベースに供給される。抵抗
素子R4 とR5 との接続中点に発生する基準電圧e
4 〔=(12/16) ・VRE F 〕はスイッチングブロックS14
のトランジスタQ1 のベースに供給される。抵抗素子R
5 とR6 との接続中点に発生する基準電圧e5 〔=(11/
16) ・VRE F 〕はスイッチングブロックS13,S21のト
ランジスタQ1 のベースに供給される。抵抗素子R6
7 との接続中点に発生する基準電圧e6 〔=V1 =(1
0/16)・VREF 〕はスイッチングブロックS12,S22
トランジスタQ1 のベースに供給される。抵抗素子R7
とR8 との接続中点に発生する基準電圧e7 〔=(9/16)
・VREF〕はスイッチングブロックS11,S23のトラン
ジスタQ1 のベースに供給される。抵抗素子R8 とR9
との接続中点に発生する基準電圧e8 〔=(8/16)・V
REF〕はスイッチングブロックS24のトランジスタQ1
のベースに供給される。抵抗素子R9 とR10との接続中
点に発生する基準電圧e9 〔=(7/16)・VREF〕はスイ
ッチングブロックS25,S37のトランジスタQ1 のベー
スに供給される。抵抗素子R10とR11との接続中点に発
生する基準電圧e10〔=V2 =(6/16)・VREF 〕はスイ
ッチングブロックS26,S36のトランジスタQ1 のベー
スに供給される。抵抗素子R11とR12との接続中点に発
生する基準電圧e11〔=(5/16)・VREF〕はスイッチン
グブロックS27,S35のトランジスタQ1 のベースに供
給される。抵抗素子R12とR13との接続中点に発生する
基準電圧e12〔=(4/16)・VREF〕はスイッチングブロ
ックS34のトランジスタQ1 のベースに供給される。抵
抗素子R13とR14との接続中点に発生する基準電圧e13
〔=(3/16)・VREF〕はスイッチングブロックS33のト
ランジスタQ1 のベースに供給される。抵抗素子R14
15との接続中点に発生する基準電圧e14〔=(2/16)・
REF〕はスイッチングブロックS32のトランジスタQ
1 のベースに供給される。抵抗素子R15とR16との接続
中点に発生する基準電圧e15〔=(1/16)・VREF〕はス
イッチングブロックS31のトランジスタQ1 のベースに
供給される。
Further, the reference voltages e 1 to e 15 divided by the reference resistance elements R 1 to R 16 are wired so as to be supplied to the base of the transistor Q 1 of a predetermined switching block. Specifically, a reference voltage e 1 [= (15/16) · V REF ] generated at a connection point between the resistance elements R 1 and R 2.
Is supplied to the base of the transistor to Q 1 switching block S 17. Resistive element reference voltage e 2 generated at the connection point between R 2 and R 3 [= (14/16) · V RE F] is supplied to the base of the transistor to Q 1 switching block S 16. Resistance element R 3 and the reference voltage e 3 that generated at the connection point between R 4 [= (13/16) · V RE F] is supplied to the base of the transistor to Q 1 switching block S 15. Reference voltage e generated at the midpoint of connection between resistance elements R 4 and R 5
4 [= (12/16) · V RE F] is the switching block S 14
It is supplied to the base of the transistor Q 1. Resistance element R
Reference voltage e 5 generated at the midpoint of connection between 5 and R 6 [= (11 /
16) · V RE F] is supplied to the base of the transistor to Q 1 switching block S 13, S 21. A reference voltage e 6 generated at the midpoint of connection between the resistance elements R 6 and R 7 [= V 1 = (1
0/16) · V REF] is supplied to the base of the transistor to Q 1 switching block S 12, S 22. Resistance element R 7
Reference voltage e 7 generated at the midpoint of connection between R 8 and R 8 [= (9/16)
· V REF] is supplied to the base of the transistor to Q 1 switching block S 11, S 23. Resistors R 8 and R 9
Reference voltage e 8 [= (8/16) · V
REF] The transistor to Q 1 switching block S 24
Supplied to the base. The reference voltage e 9 [= (7/16) · V REF ] generated at the midpoint of the connection between the resistance elements R 9 and R 10 is supplied to the base of the transistor Q 1 of the switching blocks S 25 and S 37 . The reference voltage e 10 [= V 2 = (6/16) · V REF ] generated at the midpoint of the connection between the resistance elements R 10 and R 11 is supplied to the base of the transistor Q 1 of the switching blocks S 26 and S 36. You. The reference voltage e 11 [= (5/16) · V REF ] generated at the midpoint of the connection between the resistance elements R 11 and R 12 is supplied to the base of the transistor Q 1 of the switching blocks S 27 and S 35 . The reference voltage e 12 [= (4/16) · V REF ] generated at the midpoint of the connection between the resistance elements R 12 and R 13 is supplied to the base of the transistor Q 1 of the switching block S 34 . Reference voltage e 13 generated at the midpoint of connection between resistance elements R 13 and R 14
[= (3/16) · V REF] is supplied to the base of the transistor to Q 1 switching block S 33. Reference voltage e 14 generated at the midpoint of connection between resistance elements R 14 and R 15 [= (2/16) ·
V REF] The transistor Q of the switching block S 32
Supplied to 1 base. The reference voltage e 15 [= (1/16) · V REF ] generated at the connection point between the resistance elements R 15 and R 16 is supplied to the base of the transistor Q 1 of the switching block S 31 .

【0045】上位コンパレータ111,112は、それ
ぞれ比較器CU1,CU2、相補型の出力アンプCAおよび
アンドゲートAU1,AU2を備えている。なお、後記する
理由により、上位コンパレータ111で最上段行用の上
位コンパレータを兼用し、上位コンパレータ112で最
下段行用の上位コンパレータを兼用している。上位コン
パレータ111の比較器CU1の一方の入力にはアナログ
信号VINが供給され、他方の入力には基準電位VRT〜V
RBを粗い量子化で分圧した基準電圧V 1 〔=(10/16) ・
REF 〕が供給される。上位コンパレータ112の比較
器CU2の一方の入力にはアナログ信号VINが供給され、
他方の入力には基準電位VRT〜VRBを粗い量子化で分圧
した基準電圧V 2 〔=(6/16)・VREF 〕が供給される。
The upper comparators 111 and 112
Each comparator CU1, CU2, The complementary output amplifiers CA and
AND gate AU1, AU2It has. It will be described later
For the reason, the upper comparator 111
The upper comparator 112 also serves as the
Also serves as the upper comparator for the lower row. Top Con
Comparator C of parator 111U1Analog input to one input
Signal VINIs supplied, and the other input is supplied with the reference potential V.RT~ V
RBReference voltage V obtained by dividing voltage by coarse quantization 1[= (10/16) ・
VREFIs supplied. Comparison of upper comparator 112
Container CU2Analog signal VINIs supplied,
The reference potential V is applied to the other input.RT~ VRBIs divided by coarse quantization
Reference voltage V Two[= (6/16) ・ VREFIs supplied.

【0046】上位コンパレータ111の比較器CU1の出
力は出力アンプCAの入力に接続され、その正側出力は
2入力アンドゲートAU1の両入力に接続され、負側出力
は上位コンパレータ112の2入力アンドゲートAU2
一方の入力に接続されている。上位コンパレータ112
の比較器CU2の出力は出力アンプCAの入力に接続さ
れ、その正側出力は2入力アンドゲートAU2の他方の入
力に接続され、負側出力は2入力アンドゲートAU3の両
入力に接続されている。
The output of the comparator C U1 of the upper comparator 111 is connected to the input of the output amplifier CA, its positive output is connected to both inputs of the two-input AND gate A U1 , and its negative output is the output of the upper comparator 112. It is connected to one input of input AND gate A U2 . Upper comparator 112
The output of the comparator C U2 is connected to the input of the output amplifier CA, the positive side output is connected to the other input of the two-input AND gate A U2 , and the negative side output is connected to both inputs of the two-input AND gate A U3. It is connected.

【0047】このように構成される上位コンパレータ1
11,112の各比較器CU1,CU2の出力は、サンプリ
ングされたアナログ信号VINのレベルに対応して「H」
または「L」のレベルとなり、各アンドゲートAU1〜A
U3のいずれか1個のみが「1」レベルを出力する。上位
コンパレータ111のアンドゲートAU1の出力はバッフ
ァBU1を介して上位エンコーダ120に接続されるとと
もに、スイッチングブロックS11〜S17のトランジスタ
3 のベースに接続されている。上位コンパレータ11
2のアンドゲートAU2の出力はバッファBU2を介して上
位エンコーダ120に接続されるとともに、スイッチン
グブロックS21〜S27のトランジスタQ3 のベースに接
続され、バッファを介してインバータ160の入力に接
続されている。アンドゲートAU3の出力はバッファBU3
を介して上位エンコーダ120に接続されるとともに、
スイッチングブロックS31〜S37のトランジスタQ3
ベースに接続されている。
The upper comparator 1 configured as described above
The outputs of the comparators C U1 and C U2 of the comparators 11 and 112 are set to “H” in accordance with the level of the sampled analog signal V IN.
Or, the level becomes “L”, and each AND gate A U1 to A
Only one of U3 outputs "1" level. The output of the AND gate A U1 upper comparator 111 is connected to the upper encoder 120 via a buffer B U1, is connected to the base of the transistor Q 3 of the switching block S 11 to S 17. Upper comparator 11
The output of the second AND gate A U2 is is connected to the upper encoder 120 via a buffer B U2, are connected to the base of the transistor Q 3 of the switching block S 21 to S 27, the input of the inverter 160 via a buffer It is connected. The output of AND gate A U3 is buffer B U3
Connected to the upper encoder 120 via
Is connected to the base of the transistor Q 3 of the switching block S 31 to S 37.

【0048】上位エンコーダ120は、L(左)モード
用データを発生するエンコーダラインLN121 と、R
(右)モード用データを発生するエンコーダラインLN
122 とから構成されている。すなわち、上位エンコーダ
120は、マトリクス回路100に配列されているスイ
ッチングブロックS11〜S17,S21〜S27およびS31
37の中で、マトリクス回路100の中央より左側に配
列された第1列目から第4列目の第1グループと右側に
配列された第5列目から第7列目の第2グループに対応
させて、各エンコーダラインLN121 およびLN122
設定されている。
The upper encoder 120 includes an encoder line LN 121 for generating L (left) mode data,
(Right) Encoder line LN that generates mode data
122 . That is, the upper encoder 120 includes the switching blocks S 11 to S 17 , S 21 to S 27 and S 31 to S 31 arranged in the matrix circuit 100.
Among the S 37, the second group from the fifth column of the seventh row arranged from the first row to the first group and the right side of the fourth row arranged central than the left side of the matrix circuit 100 in correspondence, each encoder line LN 121 and LN 122 is set.

【0049】図2は、上位コンパレータ111,112
の各アンドゲートAU1,AU2およびAU3の出力と上位エ
ンコーダ120の各エンコーダラインLN121 およびL
12 2 の設定出力データコードパターンとの対応関係を
示している。データの設定は、5行となるように折り返
し配置されている直列接続された基準抵抗素子群のう
ち、下から第1行〜第5行(本実施例では第2行〜第4
行)における各基準抵抗素子による基準電圧レベルの遷
移方向、具体的には基準電圧が低電位側から高電位側へ
遷移する方向性(以下、指向性という)に合わせ、(L
モードのデータ)<(Rモードのデータ)、(Lモード
のデータ)>(Rモードのデータ)となるように設定さ
れている。
FIG. 2 shows the upper comparators 111 and 112.
Of the AND gates A U1 , A U2 and A U3 and the encoder lines LN 121 and L N of the upper encoder 120
Shows the correspondence between the N 12 2 Configuration Output data code pattern. The data is set from the first row to the fifth row (in the present embodiment, the second row to the fourth row in this embodiment) of the series-connected reference resistance element group that is folded and arranged to have five rows.
(L) in accordance with the transition direction of the reference voltage level by each reference resistance element in each row (specifically, the directivity in which the reference voltage transitions from the low potential side to the high potential side).
(Mode data) <(R mode data), (L mode data)> (R mode data).

【0050】図1の構成においては、抵抗素子R16,R
15からなる下から第1行目と、抵抗素子R10〜R7 から
なる第3行目と、抵抗素子R2 ,R1 からなる第5行目
とは同一の指向性を有し、抵抗素子R14〜R11からなる
第2行目と、抵抗素子R6 〜R3 からなる第4行目とは
同一の指向性を有する。したがって、第3行目に対応す
るアンドゲートAU2が「1」レベルの場合のデータ設定
レベルは、(Lモードのデータ)>(Rモードのデー
タ)となるように設定されている。これに対して、第2
行目および第4行目に対応するアンドゲートAU3,AU1
が「1」レベルの場合のデータ設定レベルは、(Lモー
ドのデータ)<(Rモードのデータ)となるように設定
されている。
In the configuration of FIG. 1, the resistance elements R 16 , R
Has from the bottom of 15 to the first row, the third row including a resistor element R 10 to R 7, the same directivity and the fifth row including a resistor element R 2, R 1, resistor a second line consisting of elements R 14 to R 11, and the fourth row comprising a resistive element R 6 to R 3 have the same directivity. Therefore, the data setting level when the AND gate A U2 corresponding to the third row is at “1” level is set so that (L mode data)> (R mode data). In contrast, the second
AND gates A U3 and A U1 corresponding to the rows and the fourth row
Is set to be "1" level, the data setting level is set so that (L mode data) <(R mode data).

【0051】下位コンパレータ131〜137は、それ
ぞれ比較器CD1〜CD7,相補型の出力アンプCAおよび
アンドゲートAD1〜AD7を備えている。下位コンパレー
タ131の比較器CD1の一方の入力にはマトリクス回路
100の第1列目のスイッチングブロックS21のトラン
ジスタQ1 のコレクタ出力およびスイッチングブロック
11,S31のトランジスタQ2 のコレクタ出力が供給さ
れ、他方の入力にはスイッチングブロックS11,S31
トランジスタQ1 のコレクタ出力およびスイッチングブ
ロックS21のトランジスタQ2 のコレクタ出力が供給さ
れる。
The lower comparators 131 to 137 include comparators C D1 to C D7 , a complementary output amplifier CA and AND gates A D1 to A D7 , respectively. Comparator one of the collector output of the transistor Q 2 in the first column of transistors to Q 1 collector output and the switching block S 11 of the switching block S 21, S 31 of the matrix circuit 100 to the input of C D1 of the low-order comparator 131 is supplied, the other input collector output of the transistor Q 2 of the switching block S 11, the transistor to Q 1 collector output and switching block S 21 of S 31 is supplied.

【0052】下位コンパレータ132の比較器CD2の一
方の入力にはマトリクス回路100の第2列目のスイッ
チングブロックS22のトランジスタQ1 のコレクタ出力
およびスイッチングブロックS12,S32のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給され、他方の入力にはスイッ
チングブロックS12,S32のトランジスタQ1 のコレク
タ出力およびスイッチングブロックS22のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給される。
[0052] The comparator C collector output and the switching block S 12 of the transistor to Q 1 switching block S 22 of the second column of the matrix circuit 100 to the input of one of the D2, S 32 of the low-order comparator 132 of the transistor Q 2 collector output is supplied to the other input collector output of the transistor Q 2 of the switching block S 12, S 32 of the transistor to Q 1 collector output and switching block S 22 is supplied.

【0053】下位コンパレータ133の比較器CD3の一
方の入力にはマトリクス回路100の第3列目のスイッ
チングブロックS23のトランジスタQ1 のコレクタ出力
およびスイッチングブロックS13,S33のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給され、他方の入力にはスイッ
チングブロックS13,S33のトランジスタQ1 のコレク
タ出力およびスイッチングブロックS23のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給される。
[0053] to one input of a comparator C D3 of the lower comparator 133 of the transistor Q 2 in the third column of the switching block transistor to Q 1 collector output and switching block S 13 of S 23, S 33 of the matrix circuit 100 collector output is supplied to the other input collector output of the transistor Q 2 switching block S 13, the collector of the transistor to Q 1 S 33 output and the switching block S 23 is supplied.

【0054】下位コンパレータ134の比較器CD4の一
方の入力にはマトリクス回路100の第4列目のスイッ
チングブロックS24のトランジスタQ1 のコレクタ出力
およびスイッチングブロックS14,S34のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給され、他方の入力にはスイッ
チングブロックS14,S34のトランジスタQ1 のコレク
タ出力およびスイッチングブロックS24のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給される。
[0054] The comparator C collector output and the switching transistor to Q 1 switching block S 24 in the fourth column of the matrix circuit 100 to the input of one of the D4 block S 14, S 34 of the low-order comparator 134 of the transistor Q 2 collector output is supplied to the other input collector output of the transistor Q 2 collector output and switching block S 24 of the transistor to Q 1 switching block S 14, S 34 are supplied.

【0055】下位コンパレータ135の比較器CD5の一
方の入力にはマトリクス回路100の第5列目のスイッ
チングブロックS25のトランジスタQ1 のコレクタ出力
およびスイッチングブロックS15,S35のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給され、他方の入力にはスイッ
チングブロックS15,S15のトランジスタQ1 のコレク
タ出力およびスイッチングブロックS25のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給される。
[0055] The comparator C collector output and switching block S 15 of the transistor to Q 1 switching block S 25 in the fifth column of the matrix circuit 100 to the input of one of the D5, S 35 of the low-order comparator 135 of the transistor Q 2 collector output is supplied to the other input collector output of the transistor Q 2 switching block S 15, the collector of the transistor to Q 1 S 15 output and the switching block S 25 is supplied.

【0056】下位コンパレータ136の比較器CD6の一
方の入力にはマトリクス回路100の第6列目のスイッ
チングブロックS26のトランジスタQ1 のコレクタ出力
およびスイッチングブロックS16,S36のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給され、他方の入力にはスイッ
チングブロックS16,S36のトランジスタQ1 のコレク
タ出力およびスイッチングブロックS26のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給される。
[0056] The comparator sixth column of transistors to Q 1 collector output and switching block S 16 of the switching block S 26 for the matrix circuit 100 to one input of C D6, S 36 of the low-order comparator 136 of the transistor Q 2 collector output is supplied to the other input collector output of the transistor Q 2 switching block S 16, the transistor to Q 1 collector output and switching block S 26 of S 36 is supplied.

【0057】下位コンパレータ137の比較器CD7の一
方の入力にはマトリクス回路100の第7列目のスイッ
チングブロックS27のトランジスタQ1 のコレクタ出力
およびスイッチングブロックS17,S37のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給され、他方の入力にはスイッ
チングブロックS17,S37のトランジスタQ1 のコレク
タ出力およびスイッチングブロックS27のトランジスタ
2 のコレクタ出力が供給される。
[0057] The comparator one collector output input transistor to Q 1 seventh column of the switching block S 27 for the matrix circuit 100 in the and the switching block S 17, S 37 of the C D7 lower comparator 137 of the transistor Q 2 It is supplied collector output, the other input collector output of the transistor Q 2 switching block S 17, S 37 of the transistor to Q 1 collector output and switching block S 27 is supplied.

【0058】下位コンパレータ131の比較器CD1の出
力は出力アンプCAの入力に接続され、その正側出力は
2入力アンドゲートAD1の両入力に接続され、負側出力
は下位コンパレータ132の2入力アンドゲートAD2
一方の入力に接続されている。下位コンパレータ132
の比較器CD2の出力は出力アンプCAの入力に接続さ
れ、その正側出力は2入力アンドゲートAD2の他方の入
力に接続され、負側出力は下位コンパレータ133の2
入力アンドゲートAD3の一方の入力に接続されている。
下位コンパレータ133の比較器CD3の出力は出力アン
プCAの入力に接続され、その正側出力は2入力アンド
ゲートAD3の他方の入力に接続され、負側出力は下位コ
ンパレータ134の2入力アンドゲートAD4の一方の入
力に接続されている。下位コンパレータ134の比較器
D4の出力は出力アンプCAの入力に接続され、その正
側出力は2入力アンドゲートAD4の他方の入力に接続さ
れ、負側出力は下位コンパレータ135の2入力アンド
ゲートAD5の一方の入力に接続されている。下位コンパ
レータ135の比較器CD5の出力は出力アンプCAの入
力に接続され、その正側出力は2入力アンドゲートAD5
の他方の入力に接続され、負側出力は下位コンパレータ
136の2入力アンドゲートAD6の一方の入力に接続さ
れている。下位コンパレータ136の比較器CD6の出力
は出力アンプCAの入力に接続され、その正側出力は2
入力アンドゲートAD6の他方の入力に接続され、負側出
力は下位コンパレータ137の2入力アンドゲートAD7
の一方の入力に接続されている。下位コンパレータ13
7の比較器CD7の出力は出力アンプCAの入力に接続さ
れ、その正側出力は2入力アンドゲートAD7の他方の入
力に接続され、負側出力は2入力アンドゲートAD8の両
入力に接続されている。
The output of the comparator C D1 of the lower comparator 131 is connected to the input of the output amplifier CA, its positive output is connected to both inputs of the two-input AND gate A D1 , and its negative output is the output of the lower comparator 132. It is connected to one input of input AND gate A D2 . Lower comparator 132
The output of the comparator C D2 of being connected to an input of the output amplifier CA, its positive output is connected to the other input of the 2-input AND gates A D2, the negative side output 2 of the low-order comparator 133
It is connected to one input of input AND gate A D3 .
The output of the comparator C D3 of the lower comparator 133 is connected to the input of the output amplifier CA, the positive output is connected to the other input of the two-input AND gate A D3 , and the negative output is the two-input AND of the lower comparator 134. It is connected to one input of gate AD4 . The output of the comparator CD4 of the lower comparator 134 is connected to the input of the output amplifier CA, its positive output is connected to the other input of the two-input AND gate A D4 , and its negative output is the two-input AND of the lower comparator 135. It is connected to one input of gate A D5 . The output of the comparator C D5 of the lower comparator 135 is connected to the input of the output amplifier CA, its positive output two-input AND gates A D5
, And the negative output is connected to one input of a two-input AND gate A D6 of the lower comparator 136. The output of the comparator C D6 lower comparator 136 is connected to the input of the output amplifier CA, its positive output 2
The negative output is connected to the other input of the input AND gate A D6 , and the two-input AND gate A D7 of the lower comparator 137
Is connected to one input. Lower comparator 13
7, the output of the comparator C D7 is connected to the input of the output amplifier CA, the positive side output is connected to the other input of the two-input AND gate A D7 , and the negative side output is both inputs of the two-input AND gate A D8 . It is connected to the.

【0059】このように構成される下位コンパレータ1
31〜137の各比較器CD1〜CD7の出力は、2入力の
レベルに対応して「H」または「L」のレベルとなり、
各アンドゲートAD1〜AD8のいずれか1個のみが「1」
レベルを出力する。下位コンパレータ131〜137の
アンドゲートAD1〜AD7およびAD8の出力はバッファB
D1〜BD8を介して下位エンコーダ140に接続される。
The lower comparator 1 configured as described above
The outputs of the comparators C D1 to C D7 of 31 to 137 become “H” or “L” in correspondence with the levels of the two inputs.
Only one of each AND gate A D1 to A D8 is “1”
Output level. The outputs of AND gates A D1 to A D7 and A D8 of lower comparators 131 to 137 are buffer B
It is connected to the lower encoder 140 via the D1 .about.B D8.

【0060】下位エンコーダ140は、下位データBD
3 ,BD4 を発生するデータラインLN141 と、下位コ
ンパレータ131〜134のアンドゲートAD1〜AD4
出力のいずれかが「1」になったことを示す選択信号S
EL1 を発生する選択ラインLN142 と、下位コンパレ
ータ135〜137アンドゲートAD5〜AD7およびA D8
の出力のいずれかが「1」になったことを示す選択信号
SEL2 を発生する選択ラインLN143 とから構成され
ている。
The lower encoder 140 has a lower data BD
Three, BDFourData line LN that generates141And the lower
AND gate A of comparators 131-134D1~ AD4of
A selection signal S indicating that one of the outputs has become "1"
EL1Select line LN that generates142And the lower compare
Data 135 to 137 AND gate AD5~ AD7And A D8
Selection signal indicating that one of the outputs has become "1"
SELTwoSelect line LN that generates143Is composed of
ing.

【0061】図3は、上位側のアンドゲートAU1〜AU3
および下位側のアンドゲートAD1〜AD8の出力と出力変
換コードデータとの対応関係を示している。上述したよ
うに、本実施例におけるマトリクス回路100は、各ス
イッチングブロックを行方向に2分割しているが、この
分割点Cは、図3からわかるように、出力変換コードD
1 〜D4 の上位2ビットに注目すると、上位2ビットの
値が切り替わる点で分割されている。
FIG. 3 shows the upper AND gates A U1 to A U3.
3 shows the correspondence between the outputs of the lower AND gates A D1 to A D8 and the output conversion code data. As described above, the matrix circuit 100 in this embodiment divides each switching block into two in the row direction. The division point C is, as can be seen from FIG.
Focusing on the upper two bits of 1 to D 4, it is divided at the point where the value of the upper 2 bits are switched.

【0062】また、本来ならば、抵抗列の行数「5」に
合わせて上位側アンドゲート数(上位コンパレータ数)
も同数の「5」にする必要があるが、本実施例において
は、第1行目(最下段)および第5行目(最上段)の抵
抗列に対応する2個のアンドゲートAL およびAH を省
略し、その結果として、最下段および最上段に配置すべ
きスイッチングブロックを2行分省略している。以下
に、アンドゲートおよびスイッチングブロックを省略で
きる理由について、図3を用いて説明する。
Also, originally, the number of upper-side AND gates (the number of upper comparators) is adjusted according to the number of rows of the resistor column, "5".
In this embodiment, the two AND gates AL and L corresponding to the resistance columns in the first row (bottom row) and the fifth row (top row) are required. AH is omitted, and as a result, the switching blocks to be arranged at the lowermost stage and the uppermost stage are omitted for two rows. Hereinafter, the reason why the AND gate and the switching block can be omitted will be described with reference to FIG.

【0063】ここでは、まず、最上段にスイッチングブ
ロックを1行設けるとともに、これに対応してアンドゲ
ートAH を有する上位コンパレータ並びに上位エンコー
ダ120のドライブ用バッファを設けた構成を仮想す
る。このような構成において、入力アナログ信号VIN
基準電圧e2 より大きく(VIN>e2 )、コンパレータ
出力が「H」となりアンドゲートAH の出力が「1」レ
ベルとなった場合を考察すると、この場合の出力は、図
3に示すように、〔1111〕〜〔1100〕の4通り
のうちの1つである。これら4通りのデータに注目する
と、これらデータは、1つ下段の上位コンパレータ11
1のアンドゲートAU1の出力が「1」レベルで、下位側
アンドゲートAD5〜AD8のいずれかの出力が「1」レベ
ルの場合に得られるデータと同様である。したがって、
最上段のアンドゲートAH が「1」レベルになる場合に
は、最上段のスイッチングブロックおよび上位エンコー
ダ120のドライブ用バッファを活性化させる代わり
に、1つ下段のスイッチングブロックS11〜S17および
バッファBU1を活性化させればよいことを意味する。こ
のことは、アンドゲートAH の出力とアンドゲートAU1
の出力との和をスイッチングブロックS11〜S17および
バッファBU1に与えれば最上段対応のスイッチングブロ
ックと上位エンコーダのドライブ用バッファは必要なく
なることを意味している。すなわち、VIN>V1 (=e
6 )の場合には、本実施例のようにスイッチングブロッ
クS11〜S17およびバッファBU1を活性化すればよく、
入力アナログ信号VINと基準電圧e2 とを比較する必要
もないことから、最上段対応の上位コンパレータも不要
となる。
Here, first, a configuration is imagined in which a switching block is provided at the uppermost stage and a high-order comparator having an AND gate A H and a drive buffer for the high-order encoder 120 are provided correspondingly. In such a configuration, consider a case where the input analog signal V IN is larger than the reference voltage e 2 (V IN > e 2 ), the comparator output becomes “H”, and the output of the AND gate A H becomes “1” level. Then, the output in this case is one of four types of [1111] to [1100] as shown in FIG. Focusing on these four types of data, these data are stored in the upper comparator 11 in the lower stage.
This is the same as data obtained when the output of one AND gate A U1 is at the “1” level and any of the outputs of the lower AND gates A D5 to A D8 is at the “1” level. Therefore,
When the top of the AND gate A H becomes "1" level, instead of activating the drive buffer of the uppermost switching block and the upper encoder 120, and one lower switching block S 11 to S 17 means that the buffer B U1 it is sufficient to activate. This means that the output of AND gate A H and AND gate A U1
Sum switching block S 11 to S 17 and drive buffer of the uppermost corresponding switching block and the upper encoder be given to the buffer B U1 and output means that the unnecessary. That is, V IN > V 1 (= e
In the case of 6) may be activated the switching block S 11 to S 17 and the buffer B U1 as in this embodiment,
Since there is no need to compare the input analog signal V IN with the reference voltage e 2 , there is no need for an upper comparator corresponding to the uppermost stage.

【0064】同様に、最下段にスイッチングブロックを
1行設けるとともに、これに対応してアンドゲートAL
を有する上位コンパレータを設けた構成を仮想する。こ
のような構成において、入力アナログ信号VINが基準電
圧e14より小さく(VIN<e14)、コンパレータ出力が
「L」となりアンドゲートAL の出力が「1」レベルと
なった場合を考察すると、この場合の出力は、図3に示
すように、〔0011〕〜
Similarly, one row of switching blocks is provided at the lowest stage, and correspondingly, the AND gates A L
A configuration provided with a higher-order comparator having In such a configuration, the input analog signal V IN is smaller than the reference voltage e 14 (V IN <e 14 ), consider the case where the output comparator output is "L" AND gate A L becomes "1" level Then, the output in this case is, as shown in FIG.

〔0000〕の4通りのうち
の1つである。これら4通りのデータに注目すると、こ
れらデータは、1つ上段のコンパレータのアンドゲート
U3の出力が「1」レベルで、下位側アンドゲートAD1
〜AD4のいずれかの出力が「1」レベルの場合に得られ
るデータと同様である。したがって、最下段のアンドゲ
ートAL が「1」レベルになる場合には、最下段のスイ
ッチングブロックおよび上位エンコーダ120のドライ
ブ用バッファを活性化させる代わりに、1つ上段のスイ
ッチングブロックS31〜S37およびバッファBU3を活性
化させればよいことを意味する。このことは、アンドゲ
ートAL の出力とアンドゲートAU3の出力との和をスイ
ッチングブロックS31〜S37およびバッファBU3に与え
れば最下段対応のスイッチングブロックと上位エンコー
ダのドライブ用バッファは必要なくなることを意味して
いる。すなわち、VIN<V2 (=e10)の場合には、本
実施例のようにスイッチングブロックS31〜S37および
バッファBU3を活性化すればよく、入力アナログ信号V
INと基準電圧e14とを比較する必要もないことから、最
下段対応の上位コンパレータも不要となる。
[0000] is one of the four types. Focusing on these four types of data, the data is such that the output of the AND gate A U3 of the upper comparator is “1” level and the lower-side AND gate A D1
This is the same as the data obtained when any one of .about.A D4 is at the “1” level. Therefore, when the bottom of the AND gate A L becomes "1" level, instead of activating the drive buffer of the lowermost switching block and the upper encoder 120, one upper switching block S 31 to S 37 and buffer BU3 may be activated. This drive buffer of the AND gate A L and the output of the AND gate A U3 switching block and the upper encoder sums the lowermost corresponding be given to the switching block S 31 to S 37 and the buffer B U3 and the output of the required It means that it is gone. That is, when V IN <V 2 (= e 10 ), the switching blocks S 31 to S 37 and the buffer BU 3 may be activated as in the present embodiment, and the input analog signal V
Since it is not necessary to compare the IN and the reference voltage e 14, it becomes unnecessary even lowermost corresponding upper comparator.

【0065】選択ゲート150は、アンドゲートA1
4 により構成され、下位エンコーダ140から出力さ
れる選択信号SEL1 およびSEL2 を用いて、上位エ
ンコーダ120から出力されるLモードおよびRモード
の各上位データのうちから一の上位データを選択し、オ
アゲートOR1 ,OR2 を介して変換コードD1 ,D 2
として出力する。
The selection gate 150 is an AND gate A1~
AFourAnd output from the lower-order encoder 140.
Selection signal SEL1And SELTwoUsing the
Mode and R mode output from encoder 120
Select one higher-level data from each higher-level data of
Agate OR1, ORTwoConversion code D via1, D Two
Output as

【0066】具体的には、アンドゲートA1 の一方の入
力端子は上位エンコーダ120のLモード用データを発
生するエンコーダラインLN121 の一方のライン(上位
側)に接続され、他方の入力端子は下位エンコーダ14
0の選択信号SEL1 を出力する選択ラインLN142
接続されている。アンドゲートA2 の一方の入力端子は
上位エンコーダ120のRモード用データを発生するエ
ンコーダラインLN122 の一方のライン(上位側)に接
続され、他方の入力端子は下位エンコーダ140の選択
信号SEL2 を出力する選択ラインLN143 に接続され
ている。これらアンドゲートA1 およびA2 の出力は2
入力オアゲートOR1 の各入力端子に接続されている。
Specifically, one input terminal of AND gate A 1 is connected to one line (upper side) of encoder line LN 121 for generating L mode data of upper encoder 120, and the other input terminal is connected to the other input terminal. Lower encoder 14
It is connected to a select line LN 142 for outputting a selection signal SEL 1 0. One input terminal of the AND gate A 2 is connected to one line (upper side) of an encoder line LN 122 for generating R mode data of the upper encoder 120, and the other input terminal is a selection signal SEL 2 of the lower encoder 140. Is output to the selection line LN 143 that outputs The outputs of these AND gates A 1 and A 2 are 2
It is connected to each input terminal of the input gate OR 1.

【0067】アンドゲートA3 の一方の入力端子は上位
エンコーダ120のLモード用データを発生するエンコ
ーダラインLN121 の他方のライン(下位側)に接続さ
れ、他方の入力端子は下位エンコーダ140の選択信号
SEL1 を出力する選択ラインLN142 に接続されてい
る。アンドゲートA4 の一方の入力端子は上位エンコー
ダ120のRモード用データを発生するエンコーダライ
ンLN122 の他方のライン(下位側)に接続され、他方
の入力端子は下位エンコーダ140の選択信号SEL2
を出力する選択ラインLN143 に接続されている。これ
らアンドゲートA3 およびA4 の出力は2入力オアゲー
トOR2 の各入力端子に接続されている。
One input terminal of the AND gate A 3 is connected to the other line (lower side) of the encoder line LN 121 for generating L mode data of the upper encoder 120, and the other input terminal is used to select the lower encoder 140. It is connected to a select line LN 142 for outputting a signal SEL 1. One input terminal of the AND gate A 4 is connected to the other line (lower side) of the encoder line LN 122 for generating R mode data of the upper encoder 120, and the other input terminal is a selection signal SEL 2 of the lower encoder 140.
Is output to the selection line LN 143 that outputs The outputs of these AND gates A 3 and A 4 are connected to respective input terminals of a two-input OR gate OR 2 .

【0068】排他的論理和ゲートEXO1 は、下位エン
コーダ140のデータラインLN14 1 の一方のラインか
ら出力される下位データBD3 と上位コンパレータ11
2のアンドゲートAU2の出力レベルをインバータ160
で反転させた信号との排他的論理和をとり、その結果を
下位変換コードD3 として出力する。排他的論理和ゲー
トEXO2 は、下位エンコーダ140のデータラインL
14 1 の他方のラインから出力される下位データBD4
と上位コンパレータ112のアンドゲートAU2の出力レ
ベルをインバータ160で反転させた信号との排他的論
理和をとり、その結果を下位変換コードD4 として出力
する。
[0068] XOR gate EXO 1 has lower data BD 3 and the upper comparator 11 output from one line of the data lines LN 14 1 of the lower encoder 140
2 and the output level of AND gate A U2
In an exclusive OR operation of a signal obtained by inverting, and outputs the result as the lower order bit conversion code D 3. The exclusive OR gate EXO 2 is connected to the data line L of the lower encoder 140.
Lower data BD 4 output from the other line of N 14 1
And the output level of the AND gate A U2 of the upper comparator 112 takes the exclusive OR of the inverted signal by an inverter 160, and outputs the result as the lower order bit conversion code D 4.

【0069】次に、上記構成による動作を説明する。た
とえば、サンプリングされたアナログ信号のサンプリン
グ電圧Vs がVRB<VS <V2 であれば、上位コンパレ
ータ111,112の比較器CU1,CU2の出力がすべて
「L」となり、アンドゲートAU1,AU2からは「0」、
U3からは「1」の2値信号がそれぞれ出力される。そ
の結果、〔001〕なる2値信号が上位エンコーダ12
0に入力される。上位エンコーダ120では、いわゆる
ワイヤードオア回路によって、Lモード用データを発生
する2列のエンコーダライン〔LN121 〕には〔0
0〕、Rモード用データを発生する2列のエンコーダラ
イン〔LN122 〕には〔01〕の上位データがそれぞれ
が発生され、選択ゲート120に出力される。
Next, the operation of the above configuration will be described. For example, if the sampling voltage V s of the sampled analog signal is V RB <V S <V 2 , the outputs of the comparators C U1 and C U2 of the upper comparators 111 and 112 all become “L”, and the AND gate A "0" from U1 and A U2 ,
A U3 outputs a binary signal of “1”. As a result, the binary signal [001] is
Input to 0. In the upper encoder 120, [0] is applied to two columns of encoder lines [LN 121 ] for generating L mode data by a so-called wired OR circuit.
0], the higher-order data of [01] is generated on two columns of encoder lines [LN 122 ] for generating data for the R mode, and output to the selection gate 120.

【0070】また、サンプリング電圧Vs がV2 <VS
<V1 であれば、上位コンパレータ111の比較器CU1
の出力が「L」、上位コンパレータ112の比較器CU2
の出力が「H」となり、上位コンパレータ111のアン
ドゲートAU1およびAU3からは「0」、上位コンパレー
タ112のアンドゲートAU2からは「1」の2値信号が
それぞれ出力される。その結果、〔010〕なる2値信
号が上位エンコーダ120に入力される。上位エンコー
ダ120では、いわゆるワイヤードオア回路によって、
Lモード用データを発生する2列のエンコーダライン
〔LN121 〕には〔10〕、Rモード用データを発生す
る2列のエンコーダライン〔LN122 〕には〔01〕の
上位データがそれぞれが発生され、選択ゲート120に
出力される。
[0070] In addition, sampling voltage V s is V 2 <V S
<If V 1, comparator C U1 upper comparator 111
Is "L", the comparator C U2 of the upper comparator 112
Output becomes "H" of "0" from the AND gate A U1 and A U3 upper comparator 111, the AND gate A U2 of the upper comparator 112 binary signal "1" is output, respectively. As a result, a binary signal [010] is input to the upper encoder 120. In the upper encoder 120, a so-called wired OR circuit is used.
Higher order data of [10] is generated in two columns of encoder lines [LN 121 ] for generating L mode data, and higher order data of [01] is generated in two columns of encoder lines [LN 122 ] for generating R mode data. And output to the selection gate 120.

【0071】また、サンプリング電圧Vs がV1 <VS
<VRTであれば、上位コンパレータ111の比較器CU1
の出力が「H」、上位コンパレータ112の比較器CU2
の出力が「L」となり、上位コンパレータ111のアン
ドゲートAU1からは「1」、上位コンパレータ112の
アンドゲートAU2およびAU3からは「0」の2値信号が
それぞれ出力される。その結果、〔100〕なる2値信
号が上位エンコーダ120に入力される。上位エンコー
ダ120では、いわゆるワイヤードオア回路によって、
Lモード用データを発生する2列のエンコーダライン
〔LN121 〕には〔10〕、Rモード用データを発生す
る2列のエンコーダライン〔LN122 〕には〔11〕の
上位データがそれぞれが発生され、選択ゲート120に
出力される。
[0071] In addition, sampling voltage V s is V 1 <V S
If < VRT , the comparator C U1 of the upper comparator 111
Is “H”, the comparator C U2 of the upper comparator 112
Is "L", and a binary signal of "1" is output from the AND gate A U1 of the upper comparator 111 and "0" is output from the AND gates A U2 and A U3 of the upper comparator 112, respectively. As a result, the binary signal [100] is input to the upper encoder 120. In the upper encoder 120, a so-called wired OR circuit is used.
Higher order data of [10] is generated on two columns of encoder lines [LN 121 ] for generating L mode data, and [11] is generated on two columns of encoder lines [LN 122 ] of generating R mode data. And output to the selection gate 120.

【0072】これと並行して、各アンドゲートA
U(1,2,3)の中で2値出力信号が「1」となっているコン
トロールライン(x1,2,3 )に接続されているマト
リクス回路100の各スイッチングブロックのトランジ
スタQ3 が各行単位でオンに制御され、さらに量子化レ
ベルの細かな数値化が実行される。
In parallel with this, each AND gate A
Transistor Q of each switching block of the matrix circuit 100 connected to the control line binary output signal in the U (1, 2, 3) is "1" (x 1, x 2, x 3) 3 is controlled to be turned on for each row, and fine quantization of the quantization level is executed.

【0073】たとえば、アンドゲートAU3の出力のみが
「1」レベルになると、スイッチングブロックS31〜S
37のトランジスタQ3 がオンとなり、基準抵抗R9 〜R
16で分圧された基準電圧e9 〜e15とサンプリング電圧
S がスイッチングブロックS31〜S37で差動的に増幅
され、下位コンパレータ131〜137によって比較さ
れる。同様に、アンドゲートAU2の出力が「1」レベル
のときはスイッチングブロックS21〜S27が能動化され
, 差動的な増幅作用が行われて、下位コンパレータ13
1〜137による比較が行われる。
For example, when only the output of AND gate A U3 attains “1” level, switching blocks S 31 to S 31
37 transistor Q 3 is turned on, the reference resistor R 9 to R
Divided by the reference voltage 16 e 9 to e 15 and the sampling voltage V S is differentially amplified by the switching block S 31 to S 37, it is compared by the low-order comparator 131-137. Similarly, when the output of the AND gate A U2 is "1" level switch block S 21 to S 27 is activated
, A differential amplification operation is performed, and the lower comparator 13
A comparison by 1 to 137 is performed.

【0074】このように、下位の変換コードはスイッチ
ングブロックの行単位で、サンプリングされた電圧VS
とその行の基準抵抗素子で分圧された基準電圧とが比較
され、下位コンパレータ131〜137のアンドゲート
D1〜AD7およびAD8から比較結果に応じた2値信号が
出力されることになる。
As described above, the lower conversion code is the sampled voltage V S on a row-by-row basis of the switching block.
Is compared with the reference voltage divided by the reference resistance element in the row, and binary signals corresponding to the comparison result are output from the AND gates A D1 to A D7 and A D8 of the lower comparators 131 to 137. Become.

【0075】このとき、上位2ビットD1 ,D2 を変換
するときの入力アナログ信号VINがVIN<V2 で下位2
ビットD3 ,D4 を変換するときのアナログ信号がVIN
<e 12の場合、または、上位2ビットD1 ,D2 を変換
するときのアナログ信号がV 2 <VIN<V1 で下位2ビ
ットD3 ,D4 を変換するときのアナログ信号がe8
INの場合、または、上位2ビットD1 ,D2 を変換す
るときのアナログ信号がV1 <VINで下位2ビット
3 ,D4 を変換するときのアナログ信号がVIN<e4
の場合であって、下位コンパレータ131〜134のア
ンドゲートAD1〜A D4のうちの一のアンドゲートから
「1」レベルの信号が下位エンコーダ140に出力され
た場合、下位エンコーダ140では、選択ラインLN
142 が「1」となる。その結果、選択信号SEL1
「1」レベルで選択ゲート150に入力され、選択信号
SEL2 が「0」レベルで選択ゲート150に入力され
る。
At this time, the upper two bits D1, DTwoConvert
Input analog signal VINIs VIN<VTwoIn the lower 2
Bit DThree, DFourThe analog signal when convertingIN
<E 12Or the upper 2 bits D1, DTwoConvert
When the analog signal is V Two<VIN<V1In the lower two
DThree, DFourThe analog signal when converting8<
VINOr the upper 2 bits D1, DTwoConvert
When the analog signal is V1<VINWith lower 2 bits
DThree, DFourThe analog signal when convertingIN<EFour
And the lower comparators 131-134
Gate AD1~ A D4From one of the AND gates
A “1” level signal is output to the lower encoder 140
The lower line encoder 140 selects the selection line LN
142Becomes “1”. As a result, the selection signal SEL1But
When the selection signal is input to the selection gate 150 at “1” level,
SELTwoIs input to the selection gate 150 at the “0” level.
You.

【0076】選択ゲート150では、選択信号SEL1
のみを「1」レベルで入力したことに伴い、アンドゲー
トA1 およびA3 のみが活性化される。これらアンドゲ
ートA1 およびA3 には、上位エンコーダ120のライ
ンLN 121 に発生されたLモード用上位データの上位側
および下位側のビットデータがそれぞれ供給されてい
る。したがって、選択ゲート150では、Lモード時の
上位データの各ビットが選択され、その結果、オアゲー
トOR1 ,OR2 を介して上位変換コードD1 ,D 2
して出力される。
In the selection gate 150, the selection signal SEL1
And only the "1" level
A1And AThreeOnly activated. These andge
A1And AThreeIs the license of the upper encoder 120.
LN 121Upper side of L mode upper data generated in
And the lower bit data are supplied respectively.
You. Therefore, in the selection gate 150, in the L mode,
Each bit of the upper data is selected, and as a result,
To OR1, ORTwoUpper conversion code D via1, D TwoWhen
And output.

【0077】具体的には、アナログ信号VINのサンプリ
ング電圧Vs がVRB<VS <V2 のときには上位変換コ
ード〔D1 ,D2 〕は
Specifically, when the sampling voltage V s of the analog signal V IN satisfies V RB <V S <V 2 , the upper conversion code [D 1 , D 2 ] is

〔00〕で、V2 <VS <V1
ときには上位変換コード〔D1 ,D2 〕は〔10〕で、
1 <VS <VRTのときには上位変換コード〔D1 ,D
2 〕は〔10〕で出力される。
In [00], when V 2 <V S <V 1 , the upper conversion code [D 1 , D 2 ] is [10],
When V 1 <V S <V RT , the upper conversion code [D 1 , D
2 ] is output at [10].

【0078】また、下位エンコーダ140では、下位コ
ンパレータ131のアンドゲートA D1の出力が「1」の
ときには下位データBD3 ,BD4 が〔11〕で発生さ
れ、下位コンパレータ132のアンドゲートAD2の出力
が「1」のときには下位データBD3 ,BD4 が〔1
0〕で発生され、下位コンパレータ133のアンドゲー
トAD3の出力が「1」のときには下位データBD3 ,B
4 が〔01〕で発生され、下位コンパレータ134の
アンドゲートAD4の出力が「1」のときには下位データ
BD3 ,BD4
In the lower encoder 140, the lower
AND gate A of comparator 131 D1Output of "1"
Sometimes lower data BDThree, BDFourIs generated in [11]
And AND gate A of the lower comparator 132D2Output
Is "1", the lower data BDThree, BDFourIs [1
0] of the lower comparator 133
AD3Is "1", the lower data BDThree, B
DFourIs generated at [01] and the lower comparator 134
AND gate AD4When the output of is “1”, the lower data
BDThree, BDFourBut

〔00〕で発生されて、データBD3
は排他的論理和ゲートEXO1 に出力され、データBD
4 は排他的論理和ゲートEXO2 に出力される。
[00] and the data BD 3
Is output to exclusive OR gate EXO 1 and data BD
4 is output to the exclusive OR gates EXO 2.

【0079】排他的論理和ゲートEXO1 およびEXO
2 では、VRB<VS <V2 ,V1 <VS <VRTのとき、
すなわち、マトリクス回路100の下から第1行目およ
び第3行目のスイッチングブロックS31〜S37,S11
17が選択された場合には、基準電圧の印加方向が順方
向であることから下位データのレベルは下位エンコーダ
140の出力レベルが反転されて、下位変換コード
3 ,D4 として出力される。これに対して、V2 <V
S <V1 のとき、すなわち、マトリクス回路100の下
から第2行目のスイッチングブロックS21〜S27が選択
された場合には、基準電圧の印加方向が逆方向であるこ
とから下位データのレベルは下位エンコーダ140の出
力レベルのままに保持されて、下位変換コードD3 ,D
4 として出力される。
Exclusive OR gates EXO 1 and EXO
2 , when V RB <V S <V 2 , V 1 <V S <V RT ,
That is, the switching from the bottom of the matrix circuit 100 in the first row and the third row block S 31 ~S 37, S 11 ~
If the S 17 is selected, the level of the lower data the output level of the low-order encoder 140 is inverted and outputted as a lower conversion code D 3, D 4 since application direction of the reference voltage is a forward . On the other hand, V 2 <V
S <When V 1, that is, when the switching block S 21 to S 27 from the bottom of the matrix circuit 100 and the second row is selected, the lower data from that application direction of the reference voltage are opposite The level is held as the output level of the lower encoder 140 and the lower conversion codes D 3 and D 3
Output as 4 .

【0080】また、上位2ビットD1 ,D2 を変換する
ときの入力アナログ信号VINがVIN<V2 で下位2ビッ
トD3 ,D4 を変換するときのアナログ信号がe12<V
INの場合、または、上位2ビットD1 ,D2 を変換する
ときのアナログ信号がV2 <VIN<V1 で下位2ビット
3 ,D4 がVIN<e8 の場合、または、上位2ビット
1 ,D2 を変換するときのアナログ信号がV1 <VIN
で下位2ビットD3 ,D4 を変換するときのアナログ信
号がe4 <VINの場合であって、下位コンパレータ13
5〜137アンドゲートAD5〜AD7およびアンドゲート
D8のうちの一のアンドゲートから「1」レベルの信号
が下位エンコーダ140に出力された場合、下位エンコ
ーダ140では、選択ラインLN143 が「1」となる。
その結果、選択信号SEL2 が「1」レベルで選択ゲー
ト150に入力され、選択信号SEL1 が「0」レベル
で選択ゲート150に入力される。
The input analog signal V IN for converting the upper two bits D 1 and D 2 is V IN <V 2 , and the analog signal for converting the lower two bits D 3 and D 4 is e 12 <V
In the case of IN , or when the analog signal for converting the upper two bits D 1 and D 2 is V 2 <V IN <V 1 and the lower two bits D 3 and D 4 are V IN <e 8 , or The analog signal for converting the upper two bits D 1 and D 2 is V 1 <V IN
And when the analog signal when converting the lower two bits D 3 and D 4 is e 4 <V IN , the lower comparator 13
When a signal of “1” level is output to the lower encoder 140 from one of the AND gates A D5 to A D7 and A D8 , the selection line LN 143 of the lower encoder 140 is set to “1”. 1 ".
As a result, the selection signal SEL 2 is input to the selection gate 150 at “1” level, and the selection signal SEL 1 is input to the selection gate 150 at “0” level.

【0081】選択ゲート150では、選択信号SEL2
のみを「1」レベルで入力したことに伴い、アンドゲー
トA2 およびA4 のみが活性化される。これらアンドゲ
ートA2 およびA4 には、上位エンコーダ120のライ
ンLN 122 に発生されたRモード用上位データの上位側
および下位側のビットデータがそれぞれ供給されてい
る。したがって、選択ゲート150では、Rモード時の
上位データの各ビットが選択され、その結果、オアゲー
トOR1 ,OR2 を介して上位変換コードD1 ,D 2
して出力される。
In the selection gate 150, the selection signal SELTwo
And only the "1" level
ATwoAnd AFourOnly activated. These andge
ATwoAnd AFourIs the license of the upper encoder 120.
LN 122Upper side of R mode upper data generated in
And the lower bit data are supplied respectively.
You. Therefore, in the selection gate 150, in the R mode,
Each bit of the upper data is selected, and as a result,
To OR1, ORTwoUpper conversion code D via1, D TwoWhen
And output.

【0082】具体的には、アナログ信号VINのサンプリ
ング電圧Vs がVRB<VS <V2 のときには上位変換コ
ード〔D1 ,D2 〕は〔01〕で、V2 <VS <V1
ときには上位変換コード〔D1 ,D2 〕は〔01〕で、
1 <VS <VRTのときには上位変換コード〔D1 ,D
2 〕は〔11〕で出力される。
[0082] Specifically, the upper conversion code when the sampling voltage V s of the analog signal V IN is V RB <V S <V 2 [D 1, D 2] in [01], V 2 <V S < Top conversion code when the V 1 [D 1, D 2] in [01],
When V 1 <V S <V RT , the upper conversion code [D 1 , D
2 ] is output at [11].

【0083】また、下位エンコーダ140では、下位コ
ンパレータ135のアンドゲートA D5の出力が「1」の
ときには下位データBD3 ,BD4 が〔11〕で発生さ
れ、下位コンパレータ136のアンドゲートAD6の出力
が「1」のときには下位データBD3 ,BD4 が〔1
0〕で発生され、下位コンパレータ137のアンドゲー
トAD7の出力が「1」のときには下位データBD3 ,B
4 が〔01〕で発生され、アンドゲートAD8の出力が
「1」のときには下位データBD3 ,BD4
Further, in the lower encoder 140, the lower
AND gate A of comparator 135 D5Output of "1"
Sometimes lower data BDThree, BDFourIs generated in [11]
And the lower gate 136 of the lower comparator 136D6Output
Is "1", the lower data BDThree, BDFourIs [1
0] of the lower comparator 137
AD7Is "1", the lower data BDThree, B
DFourIs generated at [01] and AND gate AD8Output
When "1", lower data BDThree, BDFourBut

〔00〕
で発生されて、データBD3 は排他的論理和ゲートEX
1 に出力され、データBD4 は排他的論理和ゲートE
XO2 に出力される。
[00]
, And the data BD 3 is output from the exclusive OR gate EX.
Is output to the O 1, data BD 4 exclusive OR gates E
It is output to the XO 2.

【0084】排他的論理和ゲートEXO1 およびEXO
2 では、VRB<VS <V2 およびV 1 <VS <VRTのと
き、すなわち、マトリクス回路100の下から第1行目
および第3行目のスイッチングブロックS31〜S37,S
11〜S17が選択された場合には、基準電圧の印加方向が
順方向であることから下位データのレベルは下位エンコ
ーダ140の出力レベルが反転されて、下位変換コード
3 ,D4 として出力される。これに対して、V2 <V
S <V1 のとき、すなわち、マトリクス回路100の下
から第2行目のスイッチングブロックS21〜S27が選択
された場合には、基準電圧の印加方向が逆方向であるこ
とから下位データのレベルは下位エンコーダ140の出
力レベルのままに保持されて、下位変換コードD3 ,D
4 として出力される。
Exclusive OR gate EXO1And EXO
TwoThen, VRB<VS<VTwoAnd V 1<VS<VRTNoto
That is, the first row from the bottom of the matrix circuit 100
And the switching block S in the third row31~ S37, S
11~ S17When is selected, the direction of application of the reference voltage is
Since it is forward direction, the level of lower data is lower encoder.
The output level of the encoder 140 is inverted and the lower conversion code
DThree, DFourIs output as On the other hand, VTwo<V
S<V1, That is, below the matrix circuit 100
From the switching block S in the second rowtwenty one~ S27Is selected
The reference voltage is applied in the opposite direction.
And the level of the lower data is output from the lower encoder 140.
Held at the power level and the lower conversion code DThree, D
FourIs output as

【0085】以上説明したように、本実施例によれば、
下位コードを2つのグループに分割し、このグループの
変換コードを得る下位エンコーダ140から、Lモード
データおよびRモードデータを選択するための信号SE
1 およびSEL2 を出力して、上位エンコーダ120
から出力されたLモードデータおよびRモードデータを
選択し上位変換コードD1 ,D2 を得るようにしたの
で、従来の回路のように反転ゲートや禁止ゲートを使用
することなく、直接選択信号を上位データの選択に用い
ることができる。したがって、選択信号の選択ゲート1
50への入力が上位エンコーダ120の出力に対して遅
延するこがなく、変換処理の高速化を図れる。
As described above, according to the present embodiment,
A signal SE for selecting L mode data and R mode data from lower encoder 140 that divides the lower code into two groups and obtains the converted code of this group.
L 1 and SEL 2 are output and the upper encoder 120 is output.
The L-mode data and the R-mode data output from are selected to obtain the upper conversion codes D 1 and D 2 , so that the selection signal can be directly transmitted without using an inverting gate or a prohibition gate unlike a conventional circuit. It can be used to select higher data. Therefore, the selection gate 1 of the selection signal
No and child delay for the output input of the upper encoder 120 to 50, thereby the speed of the conversion process.

【0086】また、反転ゲートおよび禁止ゲートが不要
となることに加えて選択信号数を2つに削減でき、選択
される上位コード数並びに選択ゲートの入力ゲート数も
2つに削減できる。さらに、マトリクス回路100の最
上行用の上位コンパレータを第3行目および第2行目間
のデータの変化を検出する上位コンパレータ111で兼
用し、最下行用の上位コンパレータを第2行目および第
1行目間のデータの変化を検出する上位コンパレータ1
12で兼用するようにしたので、従来、(2a −1)個
および2a 行必要であった上位コンパレータ数およびス
イッチングブロック行数を、(2a −2)個および(2
a −1)行に削減することができる。したがって、チッ
プ面積の縮小および消費電力の削減を図れるA/D変換
回路を実現できる利点がある。
Further, in addition to eliminating the necessity of an inversion gate and a prohibition gate, the number of selection signals can be reduced to two, and the number of upper codes to be selected and the number of input gates of the selection gate can also be reduced to two. Further, the upper comparator for the uppermost row of the matrix circuit 100 is also used as the upper comparator 111 for detecting a change in data between the third row and the second row, and the upper comparator for the lowermost row is used for the second row and the second row. Upper comparator 1 that detects a change in data between the first row
12, the number of higher-order comparators and the number of switching block rows, which conventionally required (2 a -1) and 2 a rows, are reduced to (2 a -2) and (2 a -1).
a- 1) The number of rows can be reduced. Therefore, there is an advantage that an A / D conversion circuit capable of reducing the chip area and the power consumption can be realized.

【0087】図4は、本発明に係るA/D変換回路の第
2の実施例を示す回路図である。本実施例が上述した第
1の実施例と異なる点は、下位エンコーダ120の選択
ラインをLN142 の1本のみとして選択信号はSEL1
の一つのみを発生させ、選択信号SEL1 をインバータ
170でレベル反転させた信号を選択信号SEL 2 に代
わる信号として、選択ゲート150のアンドゲートA2
およびA4 の他方の入力に供給するように構成したこと
にある。
FIG. 4 is a circuit diagram of an A / D conversion circuit according to the present invention.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a second embodiment. The present embodiment is the
The difference from the first embodiment is that the lower encoder 120 is selected.
LN line142And the selection signal is SEL1
Is generated, and the selection signal SEL is generated.1The inverter
The signal whose level has been inverted at 170 is the selection signal SEL. TwoNiyo
As an alternative signal, the AND gate A of the selection gate 150Two
And AFourTo supply the other input of
It is in.

【0088】本第2の実施例によれば、上記した第1の
実施例の効果に加えて、簡易な構成を実現でき、チップ
面積をさらに縮小できる。
According to the second embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, a simple configuration can be realized, and the chip area can be further reduced.

【0089】なお、上述した第1および第2の実施例で
は、4ビット対応のA/D変換回路を例に説明したが、
さらに多ビット対応のA/D変換回路に本発明が適用で
きることはいうまでもない。
In the first and second embodiments, the A / D conversion circuit corresponding to 4 bits has been described as an example.
Further, it goes without saying that the present invention can be applied to an A / D conversion circuit corresponding to multiple bits.

【0090】また、上述した第1および第2の実施例で
は、上位エンコーダ120および下位エンコーダ140
の入力側に他出力ピンバッファBU1〜BU3およびBD1
D8を配置した構成を示したが、これら他出力ピンバッ
ファBU1〜BU3,BD1〜BD8は、上位エンコーダ120
および下位エンコーダ140を確実にドライブするため
に設けられるものであり、いわゆる負荷となる上位エン
コーダ120および下位エンコーダ140の容量などに
よっては設ける必要はない。
In the first and second embodiments described above, the upper encoder 120 and the lower encoder 140
The other output pin buffers B U1 to B U3 and B D1 to
A configuration has been shown that placing the B D8, these other output pins buffer B U1 ~B U3, B D1 ~B D8 , the upper encoder 120
The lower encoder 140 is provided to reliably drive the lower encoder 140 and does not need to be provided depending on the capacity of the upper encoder 120 and the lower encoder 140, which are so-called loads.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来必要であった反転ゲートおよび禁止ゲートが不要と
なり、変換処理の高速化を図れる。また、反転ゲートお
よび禁止ゲートが不要となることに加えて選択信号数を
削減でき、選択される上位コード数並びに選択ゲートの
入力ゲート数を削減でき、さらに、データ変化点検出回
路としての上位コンパレータ数およびスイッチングブロ
ック行数を削減できることから、チップ面積の縮小、消
費電力の削減を図れる利点がある。
As described above, according to the present invention,
The inversion gate and the inhibition gate, which are conventionally required, are not required, and the conversion processing can be sped up. Further, in addition to eliminating the necessity of an inversion gate and a prohibition gate, the number of selection signals can be reduced, the number of high-order codes to be selected and the number of input gates of the selection gate can be reduced. Since the number and the number of switching block rows can be reduced, there is an advantage that the chip area and power consumption can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るA/D変換回路の第1の実施例を
示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of an A / D conversion circuit according to the present invention.

【図2】図1の回路の上位コンパレータの各アンドゲー
トの出力と上位エンコーダの各エンコーダの出力データ
との対応関係を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing the correspondence between the output of each AND gate of a high-order comparator of the circuit of FIG. 1 and the output data of each encoder of a high-order encoder.

【図3】図1の回路の下位および上位コンパレータのア
ンドゲートの出力と出力変換コードとの対応関係を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram showing a correspondence relationship between outputs of AND gates of lower and upper comparators of the circuit of FIG. 1 and output conversion codes;

【図4】本発明に係るA/D変換回路の第2の実施例を
示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the A / D conversion circuit according to the present invention.

【図5】従来のA/D変換回路の構成例を示す回路図で
ある。
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a conventional A / D conversion circuit.

【図6】図5の回路の上位変換コードパターンを示す図
である。
FIG. 6 is a diagram showing an upper conversion code pattern of the circuit of FIG. 5;

【図7】図5の回路の下位変換コードパターンを示す図
である。
FIG. 7 is a diagram showing a lower conversion code pattern of the circuit of FIG. 5;

【図8】A/D変換回路の量子化レベルの関係を示す図
である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a relationship between quantization levels of an A / D conversion circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100…マトリクス回路 111,112…上位コンパレータ AU1〜AU3…上位側アンドゲート 120…上位エンコーダ LN121 …Lモード用ライン LN122 …Rモード用ライン 131〜137…下位コンパレータ AD1〜AD8…下位側アンドゲート 140…下位エンコーダ LN141 …データライン LN142 ,LN143 …選択ライン 150…選択ゲート A1 〜A4 …アンドゲート 160…インバータ 170…インバータ R1 〜R16…基準抵抗素子 OR1 ,OR2 …オアゲート EXO1 ,EXO2 …排他的論理和ゲート100 Matrix circuits 111 and 112 Upper comparators A U1 to A U3 Upper AND gate 120 Upper encoder LN 121 L mode line LN 122 R mode line 131 to 137 Lower comparators A D1 to A D8 lower aND gate 140 ... lower encoder LN 141 ... data line LN 142, LN 143 ... selection line 150 ... select gates A 1 to A 4 ... aND gates 160 ... inverter 170 ... inverter R 1 to R 16 ... reference resistance element OR 1 , OR 2 ... OR gate EXO 1 , EXO 2 ... Exclusive OR gate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−190029(JP,A) 特開 平2−123829(JP,A) 特開 平2−125530(JP,A) 特開 平2−126725(JP,A) 特開 平2−128524(JP,A) 特開 平2−141028(JP,A) 特開 平2−132920(JP,A) 特開 平2−137420(JP,A) 特開 平2−202224(JP,A) 特開 平4−196923(JP,A) 特開 昭63−299615(JP,A) 実開 平2−77931(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03M 1/00 - 1/88 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-1-190029 (JP, A) JP-A-2-123829 (JP, A) JP-A-2-125530 (JP, A) JP-A-2-125 126725 (JP, A) JP-A-2-128524 (JP, A) JP-A-2-141028 (JP, A) JP-A-2-132920 (JP, A) JP-A-2-137420 (JP, A) JP-A-2-202224 (JP, A) JP-A-4-196923 (JP, A) JP-A-63-299615 (JP, A) JP-A-2-77931 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H03M 1/00-1/88

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 2つの基準電位間に直列に接続された複
数個の基準抵抗素子と、 マトリクス状に配列され、かつ、上位変換出力信号によ
って行毎に能動化され、上記基準抵抗素子によって分圧
した各基準電圧と被変換入力信号とを比較し、下位ビッ
トデータおよび冗長ビットデータの有無を検出する複数
のスイッチングブロックであって、1/2オフセットの
かかった上位ビット決定用に導出される複数の基準電圧
点と、高基準電圧点(VRT)と、低基準電圧点(VR
B)とからなる点のうち、隣接する2点に挟まれている
分圧電圧とその両側に拡張した冗長分の分圧電圧とを1
行で受ける、隣接順に配置された複数のスイッチングブ
ロックと、 上記スイッチングブロックマトリクスの少なくとも最上
行または最下行を除く、互いに隣接する行間に発生され
上位ビット数の分解能に対応した電圧ステップである
基準電圧と被変換入力信号とを比較し、データの変化点
を検出する少なくとも一のデータ変化点検出回路と、 上記データ変化点検出回路の検出結果に応じてあらかじ
め設定された2モードに応じた、隣接した上位ビットの
変換コードを得る上位エンコーダと、 上記各スイッチングブロックの列単位の出力を上記2モ
ードに応じた2つのグループに分割し、各分割グループ
毎に下位ビットデータおよび冗長ビットデータの有無に
応じて所定の下位変換コードを得るとともに、各スイッ
チングブロックの列単位の出力より、入力アナログ電圧
が2つの上位ビット変換コードに対応した2つの基準電
圧範囲のうちどちらの範囲に属するかを検出し、上記上
位エンコーダの2つの上位ビットの変換コードのうちか
属した方の変換コードを選択するための選択信号を発
生する下位エンコーダと、 上記上位エンコーダから出力された2つの上位ビットの
変換コードのうちからいずれか一方の変換コードを、上
記下位エンコーダから出力された選択信号に基づいて選
択的に出力する選択ゲートとを有することを特徴とする
アナログ/ディジタル変換回路。
1. A plurality of reference resistance elements connected in series between two reference potentials, arranged in a matrix and activated for each row by a higher-order conversion output signal. compared the reference voltage was pressurized and the object to be converted input signal, a plurality of switching blocks for detecting the presence or absence of the lower bit data and redundant bit data, the 1/2 offset
Multiple reference voltages derived for determining the high-order bit taken
Point, high reference voltage point (VRT) and low reference voltage point (VR
B) sandwiched between two adjacent points
The divided voltage and the redundant divided voltage extended to both sides thereof are 1
Multiple switching blocks received in a row
Lock and a voltage step corresponding to the resolution of the number of high-order bits generated between adjacent rows, excluding at least the top row or the bottom row of the switching block matrix. Comparing at least one data change point detection circuit for detecting a data change point, and converting conversion codes of adjacent upper bits according to two modes set in advance according to the detection result of the data change point detection circuit. A high-order encoder to be obtained, and a column-based output of each switching block is divided into two groups corresponding to the two modes, and a predetermined lower-order conversion code is provided for each divided group according to the presence or absence of lower bit data and redundant bit data. And each switch
Input voltage from the output of the
Are two reference signals corresponding to the two upper bit conversion codes.
A lower encoder that detects which of the pressure ranges belongs to, and generates a selection signal for selecting the conversion code to which the higher encoder belongs from the two upper bit conversion codes; A selection gate for selectively outputting one of the two high-order bit conversion codes output from the encoder based on the selection signal output from the low-order encoder. Analog / digital conversion circuit.
【請求項2】 上記基準抵抗素子は、上記スイッチング
ブロックのマトリクス配列に対応するように、所定の数
ずつ複数行に亘るように折り返して配置されるととも
に、最高値の基準電圧を発生する抵抗素子の行および最
低値の基準電圧を発生する抵抗素子の行が、他の抵抗素
子の行に対して所定周期ずらして配置され、 上記上位エンコーダの出力変換コード値が、各行毎の基
準電圧レベルの遷移方向に応じて設定されている請求項
1記載のアナログ/ディジタル変換回路。
2. The resistance element according to claim 1, wherein said reference resistance element is folded back over a predetermined number of rows so as to correspond to a matrix arrangement of said switching blocks, and generates a reference voltage having a maximum value. And the row of the resistor element that generates the lowest reference voltage are arranged with a predetermined period shifted with respect to the rows of the other resistor elements, and the output conversion code value of the higher-order encoder is the reference voltage level of each row. 2. The analog / digital conversion circuit according to claim 1, wherein the setting is made in accordance with the transition direction.
【請求項3】 上記所定周期は半周期である請求項2記
載のアナログ/ディジタル変換回路。
3. The analog / digital conversion circuit according to claim 2, wherein said predetermined period is a half period.
【請求項4】 マトリクス状に配列されているスイッチ
ングブロック列が、所定列を基準に2つの列グループに
分割され、これら列グループ出力が上記下位エンコーダ
の2グループに対応するように構成され、 上記上位エンコーダの出力変換コード値は、一方のモー
ド、他方のモードの順で大小の差を持つように設定され
ている請求項1、2または3記載のアナログ/ディジタ
ル変換回路。
4. A switching block array arranged in a matrix is divided into two column groups based on a predetermined column, and these column group outputs are configured to correspond to the two groups of the lower encoder. 4. The analog / digital conversion circuit according to claim 1, wherein the output conversion code value of the upper encoder is set to have a difference in magnitude in the order of one mode and the other mode.
【請求項5】 上記2グループは、出力変換コードにお
ける上位ビットの切替点を基準に分割されている請求項
1、2、3または4記載のアナログ/ディジタル変換回
路。
5. The analog / digital conversion circuit according to claim 1, wherein said two groups are divided based on a switching point of an upper bit in an output conversion code.
【請求項6】 上記下位エンコーダは、2つの分割グル
ープに応じた2つの選択信号を発生するように構成され
ている請求項1、2、3、4または5記載のアナログ/
ディジタル変換回路。
6. The analog / digital converter according to claim 1, wherein said lower encoder is configured to generate two selection signals corresponding to two division groups.
Digital conversion circuit.
【請求項7】 上記下位エンコーダは、2つの分割グル
ープのうちの一方のグループに応じた1つの選択信号を
発生するように構成されている請求項1、2、3、4ま
たは5記載のアナログ/ディジタル変換回路。
7. The analog according to claim 1, wherein the lower encoder is configured to generate one selection signal according to one of two divided groups. / Digital conversion circuit.
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