JP3220062B2 - Ｇｅドープ光ファイバの製造方法 - Google Patents
Ｇｅドープ光ファイバの製造方法Info
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- doped
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
- C03B37/0253—Controlling or regulating
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
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- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
-
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- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/10—Internal structure or shape details
- C03B2203/18—Axial perturbations, e.g. in refractive index or composition
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- Glass Compositions (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、励起ブリリュアン
散乱に起因した損失を減少させたＧｅドープ光ファイバ
の製造方法に関する。
散乱に起因した損失を減少させたＧｅドープ光ファイバ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバは、現代の通信システムのキ
ーコンポーネントである。光ファイバは、長距離を低損
失で大量の情報を含む光信号を伝送できるガラス繊維で
ある。
ーコンポーネントである。光ファイバは、長距離を低損
失で大量の情報を含む光信号を伝送できるガラス繊維で
ある。
【０００３】光ファイバは、小径の導波路で第１屈折率
のコアと、その周囲に配置される第２屈折率（第１屈折
率より低い）のクラッド層を有している。ある臨界角以
下の角度でコア内に注入される光は、ファイバのコア内
で全内部反射される。これらの光線は、最低の減衰率で
もって光ファイバの軸方向に伝播される。通常の通信用
ファイバは、コア内にゲルマニウムをドーピングして屈
折率を高めた純粋シリカ製である。
のコアと、その周囲に配置される第２屈折率（第１屈折
率より低い）のクラッド層を有している。ある臨界角以
下の角度でコア内に注入される光は、ファイバのコア内
で全内部反射される。これらの光線は、最低の減衰率で
もって光ファイバの軸方向に伝播される。通常の通信用
ファイバは、コア内にゲルマニウムをドーピングして屈
折率を高めた純粋シリカ製である。
【０００４】光ファイバは、適切な成分の光ファイバプ
リフォームを形成し、このプリフォームから光ファイバ
を引き抜くことにより製造される。従来の方法において
は、このプリフォームは、ＲＦ誘導加熱路の絶縁サセプ
タ内に導入され、そこで高温の引き抜き温度まで加熱さ
れる。このガラス製ストランドは、光ファイバの加熱部
分からある引っ張り強度と、ある速度でもって引き抜か
れて所望の直径の光ファイバに引き抜く。
リフォームを形成し、このプリフォームから光ファイバ
を引き抜くことにより製造される。従来の方法において
は、このプリフォームは、ＲＦ誘導加熱路の絶縁サセプ
タ内に導入され、そこで高温の引き抜き温度まで加熱さ
れる。このガラス製ストランドは、光ファイバの加熱部
分からある引っ張り強度と、ある速度でもって引き抜か
れて所望の直径の光ファイバに引き抜く。
【０００５】通信用光ファイバに対する制限は、励起ブ
リリュアン散乱（stimulated Brillouin scattering
（ＳＢＳ））に起因する損失である。ＳＢＳは、光ファ
イバ中を伝播する入力（ポンプ）光波が電気歪のプロセ
スにより音響波を生成することにより発生する。そして
この音響波が光ファイバの屈折率の周期的変調を引き起
こし、ブラググレティングとして動作してフォトンがそ
こから散乱させる。その結果、ポンプ波とは反対方向に
伝播する周波数が若干下方シフトした光波（ストークス
波）が選択的に増幅されることになる。
リリュアン散乱（stimulated Brillouin scattering
（ＳＢＳ））に起因する損失である。ＳＢＳは、光ファ
イバ中を伝播する入力（ポンプ）光波が電気歪のプロセ
スにより音響波を生成することにより発生する。そして
この音響波が光ファイバの屈折率の周期的変調を引き起
こし、ブラググレティングとして動作してフォトンがそ
こから散乱させる。その結果、ポンプ波とは反対方向に
伝播する周波数が若干下方シフトした光波（ストークス
波）が選択的に増幅されることになる。
【０００６】光ファイバの特性を変化させることによ
り、ＳＢＳを低減させる様々な実験が試みられたが、Ｇ
ｅドープの通信用ファイバとともに用いられるような将
来性のあるものは見いだされなかった。光ファイバの長
さ方向に沿ってフッ素のドーパント濃度を変化させるこ
とによりＳＢＳを低減することが行われた。これに関し
ては、Tateda et al. 著の OFC/IOOC 1993 Technical D
igest Paper Th 14 と、K. Shiraki et al. 著の J. Li
ghtwave Technol., 14, pp. 50-57 and 549-554(both 1
996) を参照のこと。しかしこのドーパント濃度を変化
させる方法は、通信用ファイバの他の特性に悪影響を及
ぼしてしまう。
り、ＳＢＳを低減させる様々な実験が試みられたが、Ｇ
ｅドープの通信用ファイバとともに用いられるような将
来性のあるものは見いだされなかった。光ファイバの長
さ方向に沿ってフッ素のドーパント濃度を変化させるこ
とによりＳＢＳを低減することが行われた。これに関し
ては、Tateda et al. 著の OFC/IOOC 1993 Technical D
igest Paper Th 14 と、K. Shiraki et al. 著の J. Li
ghtwave Technol., 14, pp. 50-57 and 549-554(both 1
996) を参照のこと。しかしこのドーパント濃度を変化
させる方法は、通信用ファイバの他の特性に悪影響を及
ぼしてしまう。
【０００７】アン（未）ドープのシリカ製コアを有する
光ファイバを用いた他の実験では、２．５ｋｍ毎に１６
ｇの矩形に引っ張り力を変動をさせることにより、ＳＢ
Ｓを低減できることを示したものもある。これに関して
は、Wada et al. 著の Proc.European Conf. on Opt. C
ommun. 1991 MoBl (1991)を参照のこと。しかし、Wada
et al.著の方法では、コアからＧｅドーパントを除いて
いるために、引き抜きプロセスの間クラッド層が固化す
る前にコアが固化してしまい、そのためコア内に残留応
力が残ってしまう。
光ファイバを用いた他の実験では、２．５ｋｍ毎に１６
ｇの矩形に引っ張り力を変動をさせることにより、ＳＢ
Ｓを低減できることを示したものもある。これに関して
は、Wada et al. 著の Proc.European Conf. on Opt. C
ommun. 1991 MoBl (1991)を参照のこと。しかし、Wada
et al.著の方法では、コアからＧｅドーパントを除いて
いるために、引き抜きプロセスの間クラッド層が固化す
る前にコアが固化してしまい、そのためコア内に残留応
力が残ってしまう。
【０００８】これに対し、Ｇｅをドープしたコアを有す
る光ファイバの場合には、クラッド層が最初に固化する
ために、コア内のコアの歪を大幅に低減する。したがっ
て、Wada et al. 著の論文では一般的に用いられるＧｅ
をドープした光ファイバのＳＢＳの低減は、余り大きい
ものではないことを示唆している。
る光ファイバの場合には、クラッド層が最初に固化する
ために、コア内のコアの歪を大幅に低減する。したがっ
て、Wada et al. 著の論文では一般的に用いられるＧｅ
をドープした光ファイバのＳＢＳの低減は、余り大きい
ものではないことを示唆している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、ブリリュアン散乱を低減したＧｅをドープした通
信用ファイバの製造方法を提供することである。
的は、ブリリュアン散乱を低減したＧｅをドープした通
信用ファイバの製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、Ｇｅを
ドープした光ファイバのブリリュアン散乱の損失を低減
するには、引き抜きプロセスの間光ファイバに係る引っ
張り力を変化させることにより行う。この引き抜き引っ
張り力は、１０−５０ｇの低引っ張り力範囲から１５０
−２５０ｇの高引っ張り力範囲に亘って変化させるもの
である。その結果、ＳＢＳは抑制されるがファイバ端末
間の損失および分散の大幅な変化はない。
ドープした光ファイバのブリリュアン散乱の損失を低減
するには、引き抜きプロセスの間光ファイバに係る引っ
張り力を変化させることにより行う。この引き抜き引っ
張り力は、１０−５０ｇの低引っ張り力範囲から１５０
−２５０ｇの高引っ張り力範囲に亘って変化させるもの
である。その結果、ＳＢＳは抑制されるがファイバ端末
間の損失および分散の大幅な変化はない。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１において、第１ステップ
（Ａ）では、Ｇｅドープの光ファイバプリフォームを用
意する。このプリフォームは通信用ファイバを作るのに
通常用いられる従来のプリフォームと同一である。この
プリフォームは、長さが約１ｍで、外径が２０−２００
ｍｍのガラスロッドである。このロッドの内側コアは、
高純度でその直径が１−５ｍｍの低損失のＧｅ含有シリ
ケートガラスである。同心の外側のシリンダ（クラッド
層）は、内側のコアの屈折率よりも低い屈折率のガラス
の層である。
（Ａ）では、Ｇｅドープの光ファイバプリフォームを用
意する。このプリフォームは通信用ファイバを作るのに
通常用いられる従来のプリフォームと同一である。この
プリフォームは、長さが約１ｍで、外径が２０−２００
ｍｍのガラスロッドである。このロッドの内側コアは、
高純度でその直径が１−５ｍｍの低損失のＧｅ含有シリ
ケートガラスである。同心の外側のシリンダ（クラッド
層）は、内側のコアの屈折率よりも低い屈折率のガラス
の層である。
【００１２】（Ｂ）で表される次のステップは、このプ
リフォームの端部（２２）を高温に加熱して光ファイバ
を引き抜くものである。これは、プリフォームを加熱炉
２３内に引き込みプリフォームを溶融温度まで加熱する
ことにより行われる。
リフォームの端部（２２）を高温に加熱して光ファイバ
を引き抜くものである。これは、プリフォームを加熱炉
２３内に引き込みプリフォームを溶融温度まで加熱する
ことにより行われる。
【００１３】第３のステップ（Ｃ）は、この加熱された
プリフォームから引っ張り力を適宜変化させてファイバ
を引き抜くことである。十分加熱した後、ガラス製のス
トランドのプリフォームの溶融先端部（２２）が落下し
て、そのストランド２４が引き抜き装置２５内に挿入さ
れる。この際適宜パラメータを調節して、所望の直径と
均一性を有するファイバを生成する。
プリフォームから引っ張り力を適宜変化させてファイバ
を引き抜くことである。十分加熱した後、ガラス製のス
トランドのプリフォームの溶融先端部（２２）が落下し
て、そのストランド２４が引き抜き装置２５内に挿入さ
れる。この際適宜パラメータを調節して、所望の直径と
均一性を有するファイバを生成する。
【００１４】図２は、プリフォーム端部２２を搭載装置
２１に搭載して、プリフォーム端部２２を加熱炉２３内
に配置している。このストランド２４は、引き抜き装置
２５内に挿入される。この引き抜き装置２５は従来のフ
ァイバ引き抜き装置、例えばOptical Fiber Telecommun
ications,（ Ed. S. E. Millerと、P. Kaminow 著 Acad
emic Press, 1988), pp. 182-185 に記載されている。
このファイバの引き抜き速度と引き抜き引っ張り力は、
コンピュータで制御している。
２１に搭載して、プリフォーム端部２２を加熱炉２３内
に配置している。このストランド２４は、引き抜き装置
２５内に挿入される。この引き抜き装置２５は従来のフ
ァイバ引き抜き装置、例えばOptical Fiber Telecommun
ications,（ Ed. S. E. Millerと、P. Kaminow 著 Acad
emic Press, 1988), pp. 182-185 に記載されている。
このファイバの引き抜き速度と引き抜き引っ張り力は、
コンピュータで制御している。
【００１５】本発明によれば、光ファイバに係る引っ張
り力は、ファイバの長さ方向に沿ってサイン波形，三角
波形あるいは台形波形で、その最小引っ張り値が１０−
５０ｇで、最大引っ張り値が１５０−２５０ｇである。
サイン波形は、真のサイン波形の正の半分の部分であ
り、その波長は、最低の引っ張り範囲から最大の引っ張
り範囲に、そしてさらに最少の引っ張り範囲に亘る長さ
として定義される。サイン波形の好ましい波長は、光フ
ァイバの長さに沿って、３−３０ｋｍの範囲内である。
好ましい三角波形はその底辺が３−３０ｋｍの範囲内で
あり、好ましい台形波形は、光ファイバの長さに沿って
底辺（長辺）が３−１５ｋｍで上辺（短辺）が１−１３
ｋｍの範囲内にある。
り力は、ファイバの長さ方向に沿ってサイン波形，三角
波形あるいは台形波形で、その最小引っ張り値が１０−
５０ｇで、最大引っ張り値が１５０−２５０ｇである。
サイン波形は、真のサイン波形の正の半分の部分であ
り、その波長は、最低の引っ張り範囲から最大の引っ張
り範囲に、そしてさらに最少の引っ張り範囲に亘る長さ
として定義される。サイン波形の好ましい波長は、光フ
ァイバの長さに沿って、３−３０ｋｍの範囲内である。
好ましい三角波形はその底辺が３−３０ｋｍの範囲内で
あり、好ましい台形波形は、光ファイバの長さに沿って
底辺（長辺）が３−１５ｋｍで上辺（短辺）が１−１３
ｋｍの範囲内にある。
【００１６】このようにして得られた光ファイバは、Ｇ
ｅをドープしたコアとこのコアを包囲するクラッド層を
有する光ファイバである。このコアの特徴は、変調歪の
繰り返しパターンを有することである。この歪は、長さ
方向に沿って１０−５０ｇの応力により生成された低歪
部分と１５０−２５０ｇの応力により生成された高歪部
分との間で変化している。その変調パターンの特徴は、
長さが３−３０ｋｍの範囲での繰り返す点である。この
パターンの波形は、好ましくはサイン波形，三角波形，
あるいは台形波形である。
ｅをドープしたコアとこのコアを包囲するクラッド層を
有する光ファイバである。このコアの特徴は、変調歪の
繰り返しパターンを有することである。この歪は、長さ
方向に沿って１０−５０ｇの応力により生成された低歪
部分と１５０−２５０ｇの応力により生成された高歪部
分との間で変化している。その変調パターンの特徴は、
長さが３−３０ｋｍの範囲での繰り返す点である。この
パターンの波形は、好ましくはサイン波形，三角波形，
あるいは台形波形である。
【００１７】一連の引っ張り力の例を図３に示す。一定
の引っ張り引き抜き力は、ひし形の点で、三角波形の引
っ張り力は、黒丸の点で、二種類の台形波形の引っ張り
力は、四角の点と三角の点でそれぞれ示す。
の引っ張り引き抜き力は、ひし形の点で、三角波形の引
っ張り力は、黒丸の点で、二種類の台形波形の引っ張り
力は、四角の点と三角の点でそれぞれ示す。
【００１８】引き抜きプロセスの間光ファイバに導入さ
れた残留応力が、ＳＢＳを低減させる。理由は、この残
留歪の変化がファイバ中の音響波の速度を変化させ、こ
のため増幅されるストークス光の周波数をシフトさせ、
入力光のディプレーション（消耗）が低減されるからで
ある。ＳＢＳの抑制量は、入力パワーのしきい値Ｐin c
の増加でもって測定される。この入力パワーのしきい値
Ｐinc は、光ファイバの入力点におけるストークス光が
伝送されるポンプ光に等しくなるのに必要な入力パワー
として定義できる。
れた残留応力が、ＳＢＳを低減させる。理由は、この残
留歪の変化がファイバ中の音響波の速度を変化させ、こ
のため増幅されるストークス光の周波数をシフトさせ、
入力光のディプレーション（消耗）が低減されるからで
ある。ＳＢＳの抑制量は、入力パワーのしきい値Ｐin c
の増加でもって測定される。この入力パワーのしきい値
Ｐinc は、光ファイバの入力点におけるストークス光が
伝送されるポンプ光に等しくなるのに必要な入力パワー
として定義できる。
【００１９】入力パワーしきい値が大きくなるとＳＢＳ
の抑制量も大きくなる。Ｐinc 以上の入力ポンプパワー
に対し、ＳＢＳの影響が大きいと見なされる。したがっ
て利用可能な光ファイバを得るためには、一定引っ張り
力で引き抜かれたファイバに比較して２ｄＢ以上ＳＢＳ
を抑制しなければならない。
の抑制量も大きくなる。Ｐinc 以上の入力ポンプパワー
に対し、ＳＢＳの影響が大きいと見なされる。したがっ
て利用可能な光ファイバを得るためには、一定引っ張り
力で引き抜かれたファイバに比較して２ｄＢ以上ＳＢＳ
を抑制しなければならない。
【００２０】
【発明の効果】図４は、引っ張り力の波形を様々に変化
させて処理した２５ｋｍの長さの光ファイバに対する入
力しきい値の計算値を示す。同図から分かるように、三
角波形と台形波形の引っ張り力が、線形波形あるいはス
テップ状波形の引っ張り力よりもより高いしきい値を示
す。台形波形の引っ張り力は、一定引っ張り力により引
かれた光ファイバに比較して意外なことに２．５ｄＢＳ
ＢＳの抑制力を示す。以上述べたように本発明の製造方
法は、隆起ブリリュアン散乱に起因した損失を低減した
Ｇｅをドープした通信用ファイバを提供できる。
させて処理した２５ｋｍの長さの光ファイバに対する入
力しきい値の計算値を示す。同図から分かるように、三
角波形と台形波形の引っ張り力が、線形波形あるいはス
テップ状波形の引っ張り力よりもより高いしきい値を示
す。台形波形の引っ張り力は、一定引っ張り力により引
かれた光ファイバに比較して意外なことに２．５ｄＢＳ
ＢＳの抑制力を示す。以上述べたように本発明の製造方
法は、隆起ブリリュアン散乱に起因した損失を低減した
Ｇｅをドープした通信用ファイバを提供できる。
【図１】本発明による光ファイバの製造方法を示すブロ
ック図
ック図
【図２】図１の方法による光ファイバの製造装置を表す
図
図
【図３】様々な種類の波形の引っ張り力と、光ファイバ
の長さとの関係を表す図
の長さとの関係を表す図
【図４】図３の引っ張り変調波形により導入された位相
シフトとＳＢＳ計算しきい値Ｐinc との関係を表すグラ
フ
シフトとＳＢＳ計算しきい値Ｐinc との関係を表すグラ
フ
Ａ Ｇｅをドープしたプリフォームを用意する Ｂ プリフォームを加熱する Ｃ 変調引っ張り力でファイバを引き抜く ２０ 光プリフォーム ２１ 搭載装置 ２２ プリフォーム端部 ２３ 加熱炉 ２４ ストランド ２５ 引き抜き装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊ ｅｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ラルス エリック エスキルセン デンマーク、リンビー ディケー− 2800、４ティエッチ、ジェンバネブ ３ エッチ (72)発明者 パー バン ハンセン アメリカ合衆国、07720 ニュージャー ジー、ブラドリー ビーチ、ラ レイン アベニュー 301、アパートメント ナンバー４ (72)発明者 クリフォード ヘッドリー アメリカ合衆国、07060 ニュージャー ジー、ノース プレインフィールド、ノ ース ドライブ 375、アパートメント エッチ６ (72)発明者 ウィリアム アルフレッド リード アメリカ合衆国、07901 ニュージャー ジー、サミット、ブラックバーン ロー ド 143 (56)参考文献 特開 平１−298037（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−185839（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開518749（ＥＰ，Ａ １) 欧州特許出願公開540042（ＥＰ，Ａ １) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03B 37/027
Claims (10)
- 【請求項１】 Ｇｅドープ光ファイバの製造方法におい
て、 （Ａ） Ｇｅドープのコアを有するガラス製光ファイバ
プリフォームを用意するステップと、 （Ｂ） 光ファイバを形成するために前記プリフォーム
の一部を加熱するステップと、 （Ｃ） 前記プリフォームから長さ方向に沿って変化さ
せた引き抜き引っ張り力でもって光ファイバを引き抜き
形成するステップと、 からなり、前記変化させた引き抜き引っ張り力は、１０
−５０ｇの低領域の引っ張り力と１５０−２５０ｇの高
領域の引っ張り力との間で変化させることを特徴とする
Ｇｅドープ光ファイバの製造方法。 - 【請求項２】 前記引き抜き引っ張り力は、光ファイバ
の長さ方向の３ｋｍから３０ｋｍの範囲に亘ってサイン
波形の半分の形状でもって変化させることを特徴とする
請求項１の方法。 - 【請求項３】 前記引き抜き引っ張り力は、光ファイバ
の長さ方向の３ｋｍから３０ｋｍの範囲に亘って三角波
形の形状でもって変化させることを特徴とする請求項１
の方法。 - 【請求項４】 前記引き抜き引っ張り力は、光ファイバ
の長さ方向の底辺が３ｋｍから１５ｋｍ、上辺が１ｋｍ
から１５ｋｍの範囲に亘って台形波形の形状でもって変
化させることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項５】 請求項１のプロセスで製造したことを特
徴とするＧｅドープの光ファイバ。 - 【請求項６】 Ｇｅドープのコアとこのコアの周囲を包
囲するクラッド層からなる引き抜き型光ファイバにおい
て、 前記コアは、前記光ファイバの引き抜き中に１０−５０
ｇの応力により生成された低歪と、１５０−２５０ｇの
応力により生成された高歪の間の歪変化の繰り返しパタ
ーンの歪を有し、 前記繰り返えされた変化パターンは、３−３０ｋｍの範
囲内にあることを特徴とするＧｅドープからなる光ファ
イバ。 - 【請求項７】 一定応力で引き抜かれた光ファイバに比
較して２ｄＢだけ励起ブリリュアン散乱が抑制されてい
ることを特徴とする請求項６の光ファイバ。 - 【請求項８】 前記変化パターンは、サイン波形である
ことを特徴とする請求項６の光ファイバ。 - 【請求項９】 前記変化パターンは、三角波形であるこ
とを特徴とする請求項６の光ファイバ。 - 【請求項１０】 前記変化パターンは、台形波形である
ことを特徴とする請求項６の光ファイバ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/741495 | 1996-10-30 | ||
| US08/741,495 US5851259A (en) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | Method for making Ge-Doped optical fibers having reduced brillouin scattering |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10139463A JPH10139463A (ja) | 1998-05-26 |
| JP3220062B2 true JP3220062B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=24980945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25086197A Expired - Fee Related JP3220062B2 (ja) | 1996-10-30 | 1997-09-16 | Ｇｅドープ光ファイバの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5851259A (ja) |
| EP (1) | EP0839770B1 (ja) |
| JP (1) | JP3220062B2 (ja) |
| DE (1) | DE69701611T2 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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