JP3213759B2 - Size unit for semiconductor manufacturing - Google Patents
Size unit for semiconductor manufacturingInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造関連の分野
で、ガス中に含まれる微細なダストの除去に用いられる
半導体製造用サイズユニットに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used in the field of semiconductor manufacturing to remove fine dust contained in gas.
The present invention relates to a semiconductor manufacturing size unit .
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の半導体製造用サイズユニ
ットの一部を構成する管状のセラミックガスフィルター
は、図4に示すように、細粒からなる濾過層11と粗粒
からなる支持層12のいずれかの層を内側として積層し
た管状に形成されており、その端面には、両層が露出し
た状態となっている。2. Description of the Related Art Conventionally, this type of size
As shown in FIG. 4, the tubular ceramic gas filter constituting a part of the filter is formed in a tubular shape in which one of a filter layer 11 made of fine particles and a support layer 12 made of coarse particles is laminated. Both layers are exposed at the end face.
【0003】このセラミックガスフィルターをモジュー
ル化し、支持層12側から濾過層11側へ被濾過ガスを
流して濾過する場合、被濾過ガスは、図4において矢印
で示すように、濾過層11を通ることなく支持層12を
通って端面から二次側(濾過された側)へ流れ、二次側
の濾過ガスを汚染する可能性がある。なぜならば、通気
量は、細孔径の2乗に比例して多くなるからである。When the ceramic gas filter is modularized and a gas to be filtered is passed from the support layer 12 side to the filtration layer 11 for filtration, the gas to be filtered passes through the filtration layer 11 as shown by an arrow in FIG. Without flowing through the support layer 12 to the secondary side (filtered side) from the end face, and there is a possibility of contaminating the filtered gas on the secondary side. This is because the amount of ventilation increases in proportion to the square of the pore diameter.
【0004】従来、かかる問題に対処するため、両端部
にガラスを含浸させた封止部を備える管状のセラミック
ガスフィルターを使用した半導体製造用サイズユニット
が知られている。前記セラミックガスフィルターは、端
部にガラス粉末を塗布し、加熱して含浸させることによ
って製造されている。Conventionally, in order to cope with such a problem, a size unit for semiconductor production using a tubular ceramic gas filter having sealing portions impregnated with glass at both ends has been known. The ceramic gas filter is manufactured by applying a glass powder to an end and heating and impregnating the powder.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の管状のセラミックガスフィルターを使用した半導体
製造用サイズユニットを半導体製造用ガスの濾過に使用
する場合、ベーキング(脱ガス)した時、又は使用中に
ガラスの成分であるアルカリ金属、アルカリ土類金属等
の蒸気圧の高い物質が蒸発し、二次側に流れて濾過ガス
を汚染し、これが半導体製品に対しての汚染源となる可
能性がある。However, a semiconductor using the above-mentioned conventional tubular ceramic gas filter is disclosed.
When the manufacturing size unit is used for filtering semiconductor manufacturing gas, when baking (degassing) or during use, substances having a high vapor pressure such as alkali metals and alkaline earth metals, which are glass components, evaporate. Flows to the secondary side and contaminates the filtered gas, which can be a source of contamination for semiconductor products.
【0006】そこで、本発明は、被濾過ガスの流入及び
封止剤の蒸発による二次側の汚染を防止可能な半導体製
造用サイズユニットの提供を目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing size unit capable of preventing contamination of a secondary side due to inflow of a gas to be filtered and evaporation of a sealant.
【0007】前記課題を解決するため、本発明の半導体
製造用サイズユニットは、ハウジング内に、細粒のセラ
ミックスからなる濾過層と粗粒のセラミックスからなる
支持層を積層した管状のセラミックガスフィルターを、
一端部を脚付円板により気密に封止し、又、他端部に円
輪板を当接した状態で収容してなる半導体製造用サイズ
ユニットにおいて、前記セラミックガスフィルターにお
ける両端部の支持層に、それと同材質のセラミックス粉
末粒子を細孔内に付着せしめることにより、前記濾過層
と同等の細孔径を有する封止層が形成されていることを
特徴とする。 ここで、同等の細孔径とは、濾過層及び封
止層の水銀圧入ポロシメータで測定した細孔径の体積分
布が最大となる細孔径値が同等であることを意味する。 In order to solve the above-mentioned problems, a size unit for manufacturing a semiconductor according to the present invention comprises a fine-grained ceramic inside a housing.
Filter layer consisting of a mix and coarse ceramics
A tubular ceramic gas filter laminated with a support layer,
One end is hermetically sealed with a disk with legs, and the other end is circular.
Semiconductor manufacturing size with wheel plates housed in contact
In the unit, the ceramic gas filter
Ceramic powder of the same material as the support layers at both ends
By adhering powder particles into the pores, the filtration layer
That a sealing layer having the same pore size as that of
Features. Here, the equivalent pore size refers to the filtration layer and the sealing layer.
Pore size volume measured with a mercury intrusion porosimeter in the stop layer.
This means that the pore diameter values at which the cloth is maximized are equivalent.
【0008】[0008]
【作用】上記手段においては、支持層と同材質のセラミ
ックス粉末粒子によって、封止層の通気量が濾過層の通
気量と同等となる。In the above means, the air permeability of the sealing layer is equal to the air permeability of the filtration layer by the ceramic powder particles of the same material as the support layer .
【0009】セラミックス粉末粒子としては、アルミ
ナ、ムライト、ジルコニア、チタニア等の酸化物系セラ
ミックス、又は炭化けい素、窒化けい素など非酸化物系
セラミックス等があげられるが、支持層と同じものを用
いるのが好ましく、かつアルカリ金属、アルカリ土類金
属、重金属等を含まないことが好ましい。[0009] As the ceramic powder particles, alumina, mullite, zirconia, oxide ceramics titania, or silicon carbide, although non-oxide ceramics such as silicon nitride-containing and the like, using the same and a support layer And preferably do not contain alkali metals, alkaline earth metals, heavy metals and the like.
【0010】[0010]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図1は本発明の半導体製造用サイズユニットの一
部を構成するセラミックガスフィルターの一実施例を示
す半断面側面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a size unit for manufacturing a semiconductor according to the present invention.
FIG. 5 is a half sectional side view showing one embodiment of a ceramic gas filter constituting a part .
【0011】このセラミックガスフィルター1は、高純
度(99.99%)のアルミナ質セラミックスの細粒か
らなる濾過層2と、同様のセラミックスの粗粒からなる
支持層3を、濾過層2を内側にして積層した管状に形成
されており、その両端部の支持層には、支持層3の細孔
内に両層と同様のアルミナ質セラミックスの粉末粒子を
付着させ、細孔径を濾過層2の細孔径と同等の0.13
μmとして封止層4が設けられている。The ceramic gas filter 1 comprises a filter layer 2 made of fine grains of high-purity (99.99%) alumina ceramics and a support layer 3 made of coarse grains of the same ceramics. In the support layers at both ends, the same alumina ceramic powder particles as those of both layers are attached to the support layers at both ends, and the pore diameter of the filtration layer 2 is reduced. 0.13 equivalent to pore size
The sealing layer 4 is provided as μm.
【0012】次に、上記セラミックガスフィルター1の
製造方法について説明する。まず、粒度0.2μm、純
度99.99%のアルミナ粉末40重量部、水60重量
部をボールミル中で24時間解砕混合して高濃度のスラ
リーを得、この高濃度スラリー25重量部を水75重量
部に投入し、マグネティックスターラで撹拌して10重
量%のスラリーを得た。Next, a method for manufacturing the ceramic gas filter 1 will be described. First, 40 parts by weight of alumina powder having a particle size of 0.2 μm and purity of 99.99% and 60 parts by weight of water were crushed and mixed in a ball mill for 24 hours to obtain a high-concentration slurry. The mixture was charged into 75 parts by weight and stirred with a magnetic stirrer to obtain a 10% by weight slurry.
【0013】ついで、細孔径0.13μmの濾過層上に
細孔径2〜3μmの支持層を形成したアルミナ質セラミ
ックスからなる管状のフィルター素体の端部を、上記ス
ラリーに浸し、端部細孔部に毛細管現象でスラリーが染
み込んだら引き上げて乾燥した後、1200℃の温度で
焼成し、両端部の支持層に封止層を備えた管状のセラミ
ックガスフィルターを得た。Then, an end of a tubular filter element made of alumina ceramics having a support layer having a pore size of 2 to 3 μm formed on a filtration layer having a pore size of 0.13 μm is immersed in the slurry to form an end pore. After the slurry infiltrated into the portion by capillary action, it was pulled up and dried, and then fired at a temperature of 1200 ° C. to obtain a tubular ceramic gas filter provided with a sealing layer on the support layers at both ends.
【0014】得られたセラミックガスフィルターの封止
層の細孔径を水銀圧入ポロシメーターで測定したとこ
ろ、図2に示すようになった。この測定結果から、封止
層の細孔径は、濾過層の細孔径と同様の0.13μmで
あることがわかる。The pore size of the sealing layer of the obtained ceramic gas filter was measured by a mercury intrusion porosimeter, and the result was as shown in FIG. From this measurement result, it can be seen that the pore size of the sealing layer is 0.13 μm, which is the same as the pore size of the filtration layer.
【0015】スラリーの調製は、水を溶媒として用いる
場合に限らず、メトローズ溶液やPVA溶液を溶媒とし
て用いてもよく、その粘性を調整することによってフィ
ルター素体に染み込ませる長さを制御できる。[0015] Made tone of the slurry is not limited to the case of using water as the solvent, Metolose solution and PVA solution may be used as a solvent, we are possible to control the length impregnating the filter element by adjusting its viscosity .
【0016】スラリー濃度は、1〜35重量%が好まし
く、1重量%未満であると細孔への充填率が低くなって
効率が悪くなる一方、35重量%を超えるとフィルター
素体表面で目詰まりを起こし、細孔内に入り込まなくな
る。封止層の形成は、スラリーに浸す長さによって制御
できる。The slurry concentration is preferably from 1 to 35% by weight, and if it is less than 1% by weight, the filling rate into the pores becomes low and the efficiency becomes poor. It becomes clogged and does not enter the pores. The formation of the sealing layer can be controlled by the length of dipping in the slurry.
【0017】乾燥後の焼成は、材質によって異なるが、
濾過層を形成する際の焼成温度又はそれ以下の焼成温度
で行うのが好ましい。The firing after drying depends on the material,
It is preferable to carry out at a firing temperature for forming the filtration layer or at a firing temperature lower than the firing temperature.
【0018】上述したセラミックガスフィルター1は、
図3に示すように、モジュール化されてサイズユニット
になる。このサイズユニットは、ステンレス鋼等により
円筒状に形成され、一端部(図3においては右端部)に
ガスの入口5、他端部(図3においては左端部)にガス
の出口6を有するハウジング7内に、一端部をふっ素樹
脂からなる脚付円板8により気密に封止されたセラミッ
クガスフィルター1を、その他端部にステンレス鋼から
なる円輪板9を当接した状態で収容して構成されてい
る。The above-mentioned ceramic gas filter 1 is
As shown in FIG. 3, it is modularized into size units. This size unit is formed in a cylindrical shape from stainless steel or the like, and has a gas inlet 5 at one end (the right end in FIG. 3) and a gas outlet 6 at the other end (the left end in FIG. 3). A ceramic gas filter 1 whose one end is hermetically sealed by a disk with legs 8 made of fluororesin is accommodated in a state in which a circular plate 9 made of stainless steel is in contact with the other end. It is configured.
【0019】上記サイズユニットにおいて、その入口5
から流入した被濾過ガスは、図示矢印のように、セラミ
ックガスフィルター1の支持層3から濾過層2を通りダ
ストを分離された濾過ガスは、二次側へ流れて出口6か
ら排出される。In the above size unit, the entrance 5
As shown by arrows in the figure, the filtered gas from which the dust has been separated from the support layer 3 of the ceramic gas filter 1 through the filtration layer 2 flows to the secondary side and is discharged from the outlet 6.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、支
持層と同材質のセラミックス粉末粒子によって封止層の
通気量が濾過層の通気量と同等となるので、被濾過ガス
が支持層から直接二次側へ流入することがないと共に、
従来のようにベーキング時、又は使用中に封止剤が蒸発
するようなことはなく、被濾過ガス及び封止剤による二
次側の汚染を防止でき、ひいてはセラミックガスフィル
ターからの半導体製品に対する汚染をなくすことができ
る。As described above, according to the present invention, the support
Since aeration rate of the sealing layer by ceramics powder particles of the lifting layer the same material is equal to the aeration amount of the filtration layer with never be filtered gas flows from the support layer directly the secondary side,
The sealing agent does not evaporate during baking or during use as in the past, so that contamination of the secondary side by the gas to be filtered and the sealing agent can be prevented, and consequently contamination of semiconductor products from the ceramic gas filter. Can be eliminated.
【図1】本発明の半導体製造用サイズユニットの一部を
構成するセラミックガスフィルターの一実施例を示す半
断面側面図である。FIG. 1 shows a part of a semiconductor manufacturing size unit of the present invention.
It is a half sectional side view showing one example of a constituted ceramic gas filter.
【図2】上記セラミックガスフィルターの封止層の細孔
径の測定結果を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a measurement result of a pore diameter of a sealing layer of the ceramic gas filter.
【図3】上記セラミックガスフィルターを用いたサイズ
ユニットの側断面図である。FIG. 3 is a side sectional view of a size unit using the ceramic gas filter.
【図4】通常のセラミックガスフィルターの側断面図で
ある。FIG. 4 is a side sectional view of an ordinary ceramic gas filter.
1 セラミックガスフィルター 2 濾過層 3 支持層 4 封止層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic gas filter 2 Filtration layer 3 Support layer 4 Sealing layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武藤 唯義 神奈川県秦野市曽屋30 東芝セラミック ス株式会社中央研究所内 (72)発明者 柴田 一朗 神奈川県秦野市曽屋30 東芝セラミック ス株式会社中央研究所内 (72)発明者 新妻 明子 神奈川県秦野市曽屋30 東芝セラミック ス株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−129104(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01D 39/20 B01D 39/14 B01D 46/00 - 46/54 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tadayoshi Muto 30 Soya, Hadano-shi, Kanagawa Prefecture, Toshiba Ceramics Co., Ltd. 72) Inventor Akiko Niizuma 30 Soya, Hadano-shi, Kanagawa Toshiba Ceramics Co., Ltd. Central Research Laboratory (56) References JP-A-62-129104 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB Name) B01D 39/20 B01D 39/14 B01D 46/00-46/54
Claims (1)
らなる濾過層と粗粒のセラミックスからなる支持層を積
層した管状のセラミックガスフィルターを、一端部を脚
付円板により気密に封止し、又、他端部に円輪板を当接
した状態で収容してなる半導体製造用サイズユニットに
おいて、前記セラミックガスフィルターにおける両端部
の支持層に、それと同材質のセラミックス粉末粒子を細
孔内に付着せしめることにより、前記濾過層と同等の細
孔径を有する封止層が形成されていることを特徴とする
半導体製造用サイズユニット。 (1) A fine-grained ceramic material is provided in a housing.
Filter layer and a support layer made of coarse ceramics.
Layered tubular ceramic gas filter, one end leg
Hermetically sealed with attached disk, and a circular plate in contact with the other end
Into a size unit for semiconductor manufacturing
In the above, both ends of the ceramic gas filter
Ceramic powder particles of the same material
By adhering in the pores, the same fineness as the filtration layer
Characterized in that a sealing layer having a pore diameter is formed
Size unit for semiconductor manufacturing.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP12871991A JP3213759B2 (en) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | Size unit for semiconductor manufacturing |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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JPH04330910A JPH04330910A (en) | 1992-11-18 |
JP3213759B2 true JP3213759B2 (en) | 2001-10-02 |
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ID=14991739
Family Applications (1)
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3517104B2 (en) * | 1997-12-26 | 2004-04-05 | 東芝セラミックス株式会社 | High-purity ceramic filter and method for sealing end face of the filter element |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP12871991A patent/JP3213759B2/en not_active Expired - Fee Related
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JPH04330910A (en) | 1992-11-18 |
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