JP3210957B2 - 半導体レーザ光周波数変調装置およびそれを用いた干渉計測装置 - Google Patents
半導体レーザ光周波数変調装置およびそれを用いた干渉計測装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザを用い
たレーザ周波数変調装置とそれを用いた干渉計測装置に
関するものである。
たレーザ周波数変調装置とそれを用いた干渉計測装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体レーザの駆動電流を変
化させることにより、半導体レーザ光の周波数を容易に
変調・同調することが知られている。このようなレーザ
光源を周波数変調方式の干渉計測の光源として用いれ
ば、光源の周波数の変化は光路長に比例したの位相変化
をもたらすので、干渉信号は光ビート信号を発生し、そ
の周波数および位相から距離を測定することができる。
化させることにより、半導体レーザ光の周波数を容易に
変調・同調することが知られている。このようなレーザ
光源を周波数変調方式の干渉計測の光源として用いれ
ば、光源の周波数の変化は光路長に比例したの位相変化
をもたらすので、干渉信号は光ビート信号を発生し、そ
の周波数および位相から距離を測定することができる。
【０００３】しかし、半導体レーザにおいて駆動電流を
変調すると、レーザ周波数にみならずレーザ光の強度が
同時に変化するので、干渉信号（光ビート信号）が歪
み、それが測定誤差をもたらすのが問題となる。
変調すると、レーザ周波数にみならずレーザ光の強度が
同時に変化するので、干渉信号（光ビート信号）が歪
み、それが測定誤差をもたらすのが問題となる。
【０００４】このため、半導体レーザの出力を別に測定
し、電子回路を用いて光量の比をとる方式あるいは電子
計算機処理によって補正する方式がとられていた。
し、電子回路を用いて光量の比をとる方式あるいは電子
計算機処理によって補正する方式がとられていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
式では、電子回路や計算処理が複雑で測定に時間がかか
るため、被測定量の速い変化に対応できず、また達成で
きる補正に限界があった。
式では、電子回路や計算処理が複雑で測定に時間がかか
るため、被測定量の速い変化に対応できず、また達成で
きる補正に限界があった。
【０００６】
【問題を解決するための手段】本発明における半導体レ
ーザ周波数変調装置は、半導体レーザと帰還機構を具備
した光強度安定化装置からなり、半導体レーザの周波数
を変化させるためにレーザ駆動電流を変化させても光の
パワー変動が押さえられ、出力が一定で周波数のみが電
流に比例して変化する光線が得られるようにしたもので
ある。
ーザ周波数変調装置は、半導体レーザと帰還機構を具備
した光強度安定化装置からなり、半導体レーザの周波数
を変化させるためにレーザ駆動電流を変化させても光の
パワー変動が押さえられ、出力が一定で周波数のみが電
流に比例して変化する光線が得られるようにしたもので
ある。
【０００７】本発明による干渉装置は、この半導体レー
ザ周波数変調装置を用い、干渉信号のビート周波数およ
びビート信号の位相から、距離、変位を非接触に精密に
測定できるようにしたものである。
ザ周波数変調装置を用い、干渉信号のビート周波数およ
びビート信号の位相から、距離、変位を非接触に精密に
測定できるようにしたものである。
【０００８】
【作用】半導体レーザの駆動電流を変化させた時に発生
する出力の変動を検出し、増幅した後、光強度制御装置
に帰還するので、強度が一定でレーザ周波数のみが可変
のレーザ光線が得られる。
する出力の変動を検出し、増幅した後、光強度制御装置
に帰還するので、強度が一定でレーザ周波数のみが可変
のレーザ光線が得られる。
【０００９】また、本発明に関わる半導体レーザ周波数
変調装置を周波数変調方式の干渉計測の光源として用い
ると、振幅の変動がない光ビート信号が得られるので、
距離、変位を極めて正確かつ簡便に測定できる。
変調装置を周波数変調方式の干渉計測の光源として用い
ると、振幅の変動がない光ビート信号が得られるので、
距離、変位を極めて正確かつ簡便に測定できる。
【０００１０】
【実施例】以下、本発明に関わる半導体レーザ光周波数
変調装置とその干渉計測への応用を詳細に説明する。図
１は、本発明の一実施例を示すための装置の構成図であ
る。半導体レーザ１を変調電流発生器２によって変調し
出射光３Ａを光強度制御装置４に通す。その通過光３Ｂ
をビームスプリッタ５を通し、その透過光６を外部に取
り出し、干渉計などの光源として利用する。光線６の強
度は、光線３Ｂの強度にビームスプリッタ５の透過率ｔ
を乗じたもので与えられる。一方で、光線３Ｂのビーム
スプリッタによって部分反射された光線７の強度を光検
出器８で検出し、その光電出力９を差動増幅器１０で参
照用に設定された電圧１１と比較し、その差電圧を増幅
し、その出力電気信号１２を光強度制御装置４の駆動信
号に帰還（フィードバック）する。
変調装置とその干渉計測への応用を詳細に説明する。図
１は、本発明の一実施例を示すための装置の構成図であ
る。半導体レーザ１を変調電流発生器２によって変調し
出射光３Ａを光強度制御装置４に通す。その通過光３Ｂ
をビームスプリッタ５を通し、その透過光６を外部に取
り出し、干渉計などの光源として利用する。光線６の強
度は、光線３Ｂの強度にビームスプリッタ５の透過率ｔ
を乗じたもので与えられる。一方で、光線３Ｂのビーム
スプリッタによって部分反射された光線７の強度を光検
出器８で検出し、その光電出力９を差動増幅器１０で参
照用に設定された電圧１１と比較し、その差電圧を増幅
し、その出力電気信号１２を光強度制御装置４の駆動信
号に帰還（フィードバック）する。
【０００１１】図２は半導体光増幅器を光強度制御装置
４として用いる場合の半導体光増幅器１３の構成図であ
る。半導体光増幅器としては、半導体レーザの反射端面
に反射防止膜をコーティングしたものなどであり、その
増幅率は、その励起電流１２Ａによって可変にできる。
４として用いる場合の半導体光増幅器１３の構成図であ
る。半導体光増幅器としては、半導体レーザの反射端面
に反射防止膜をコーティングしたものなどであり、その
増幅率は、その励起電流１２Ａによって可変にできる。
【０００１２】図３は、半導体光増幅器の励起電流１２
Ａに対する透過率Ｐ／Ｐ０の特性例を示す図である。従
って、半導体光増幅器に流れる電流に応じて、透過率を
１以下から１以上に変化させることができる。
Ａに対する透過率Ｐ／Ｐ０の特性例を示す図である。従
って、半導体光増幅器に流れる電流に応じて、透過率を
１以下から１以上に変化させることができる。
【０００１３】図１の全体の構成を示す装置において、
光強度制御装置４としてこの半導体光増幅器１３を用
い、帰還信号１２を半導体光増幅器１３の励起電流１２
Ａとして供給する。この場合、半導体レーザ１を電流変
調することによって、光線３ＢのパワーＰが増加（減
少）した場合には、光電検出器出力９が増加し、その変
化が増幅器１０で強調された後、半導体光増幅器の励起
電流１２Ａを低下させ、それが図３に示す電流ＩＳ対透
過度Ｐ／Ｐ０の特性に従って半導体光増幅器の透過率を
低下（増加）させる。その結果として、光線３Ｂの光パ
ワーＰに変動が生じてもそれが補償されて一定値をもつ
ようになる。またその一定値の大きさは、帰還増幅器１
０の参照電圧Ｖ０によって調節できる。一方、レーザの
周波数は、光線が光強度制御装置４を通過してもその装
置は光の強度のみを変化させるので変化を受けない。
光強度制御装置４としてこの半導体光増幅器１３を用
い、帰還信号１２を半導体光増幅器１３の励起電流１２
Ａとして供給する。この場合、半導体レーザ１を電流変
調することによって、光線３ＢのパワーＰが増加（減
少）した場合には、光電検出器出力９が増加し、その変
化が増幅器１０で強調された後、半導体光増幅器の励起
電流１２Ａを低下させ、それが図３に示す電流ＩＳ対透
過度Ｐ／Ｐ０の特性に従って半導体光増幅器の透過率を
低下（増加）させる。その結果として、光線３Ｂの光パ
ワーＰに変動が生じてもそれが補償されて一定値をもつ
ようになる。またその一定値の大きさは、帰還増幅器１
０の参照電圧Ｖ０によって調節できる。一方、レーザの
周波数は、光線が光強度制御装置４を通過してもその装
置は光の強度のみを変化させるので変化を受けない。
【０００１４】図４は、本発明による半導体レーザ周波
数変調装置において、光強度制御装置４として半導体光
増幅器１３を用いた場合に外部に取り出される光線６の
パワーＰおよび周波数ｆが半導体レーザの駆動電流Ｉの
変化に対してどのように変化するかその特性例を示す図
である。半導体レーザの駆動電流Ｉを変化させた場合、
発振するレーザの周波数ｆは、駆動電流に比例して変化
する。同時に半導体レーザから出た光線３ＡのパワーＰ
０も図４に示すようにほぼ直線的に変化する。しかし、
数変調装置において、光強度制御装置４として半導体光
増幅器１３を用いた場合に外部に取り出される光線６の
パワーＰおよび周波数ｆが半導体レーザの駆動電流Ｉの
変化に対してどのように変化するかその特性例を示す図
である。半導体レーザの駆動電流Ｉを変化させた場合、
発振するレーザの周波数ｆは、駆動電流に比例して変化
する。同時に半導体レーザから出た光線３ＡのパワーＰ
０も図４に示すようにほぼ直線的に変化する。しかし、
【０００１３】で述べた作用によって、半導体光増幅器
１３から取り出された光量３Ａ従って外部に取り出され
る光線６の強度は、駆動電流Ｉが変化しても、ほとんど
変化しない一定値をとり、レーザ周波数のみが変化す
る。
１３から取り出された光量３Ａ従って外部に取り出され
る光線６の強度は、駆動電流Ｉが変化しても、ほとんど
変化しない一定値をとり、レーザ周波数のみが変化す
る。
【０００１５】図５は、ファイバ光増幅器を光強度制御
装置４として用いる場合のファイバ光増幅器の構成例を
示す図である。ファイバ光増幅器は、ファイバ物質の中
にネオジウムイオンやエルビウムイオンをドープしたフ
ァイバ素子１４とそのファイバを光学的に励起するため
に必要な光源１５で構成される。励起光源としては、半
導体レーザなどが使われ、電流１２Ｂによって励起され
る。ファイバ光増幅素子１４の透過率Ｐ／Ｐ０は、ファ
イバ増幅器の励起用半導体レーザの励起電流１２Ｂに対
して図３に類似した変化をする。従って、図１に示す全
体の構成を示す装置において、光強度制御装置４として
このファイバ光増幅器を用い、帰還信号１２を半導体レ
ーザ１４の励起電流１２Ｂとして供給すると、半導体レ
ーザ１の電流変調によって出力パワーＰ０が変化して
も、その変化を打ち消すように電流ＩＦが変化するの
で、図１の装置において、取り出し光パワーＰは変化せ
ず、周波数のみが変化するレーザ光線が得られる。
装置４として用いる場合のファイバ光増幅器の構成例を
示す図である。ファイバ光増幅器は、ファイバ物質の中
にネオジウムイオンやエルビウムイオンをドープしたフ
ァイバ素子１４とそのファイバを光学的に励起するため
に必要な光源１５で構成される。励起光源としては、半
導体レーザなどが使われ、電流１２Ｂによって励起され
る。ファイバ光増幅素子１４の透過率Ｐ／Ｐ０は、ファ
イバ増幅器の励起用半導体レーザの励起電流１２Ｂに対
して図３に類似した変化をする。従って、図１に示す全
体の構成を示す装置において、光強度制御装置４として
このファイバ光増幅器を用い、帰還信号１２を半導体レ
ーザ１４の励起電流１２Ｂとして供給すると、半導体レ
ーザ１の電流変調によって出力パワーＰ０が変化して
も、その変化を打ち消すように電流ＩＦが変化するの
で、図１の装置において、取り出し光パワーＰは変化せ
ず、周波数のみが変化するレーザ光線が得られる。
【０００１６】図６は、光強度制御装置４として磁気光
学装置を用いた場合の構成例を示す図である。磁気光学
装置はガラスや磁性体などのファラデー効果を起こす物
質１６、磁界発生コイル１７、偏光子１８Ａおよび検光
子１８Ｂからなる。コイルには励磁電流１２Ｃを流す。
学装置を用いた場合の構成例を示す図である。磁気光学
装置はガラスや磁性体などのファラデー効果を起こす物
質１６、磁界発生コイル１７、偏光子１８Ａおよび検光
子１８Ｂからなる。コイルには励磁電流１２Ｃを流す。
【０００１７】図７は、偏光子と検光子の偏光軸が直交
している場合の、磁気光学装置の透過特性を示す図であ
る。コイル１７に励磁電流１２Ｃを流すと、光の透過率
Ｐ／Ｐ０が変化する。図１の全体の構成を示す装置にお
いて、光強度制御装置４としてこの磁気光学装置を用
い、帰還信号１２をコイルの励磁電流１２Ｃとして供給
すると、半導体レーザの発振光パワーＰ０が変化しても
その変化がコイルに流れる電流１２Ｃの変化として帰還
されるので磁気光学装置の透過率が変化し、従って取り
出される光線３Ａの光パワーＰは変化せず、周波数にみ
が変化するレーザ光線が得られる。
している場合の、磁気光学装置の透過特性を示す図であ
る。コイル１７に励磁電流１２Ｃを流すと、光の透過率
Ｐ／Ｐ０が変化する。図１の全体の構成を示す装置にお
いて、光強度制御装置４としてこの磁気光学装置を用
い、帰還信号１２をコイルの励磁電流１２Ｃとして供給
すると、半導体レーザの発振光パワーＰ０が変化しても
その変化がコイルに流れる電流１２Ｃの変化として帰還
されるので磁気光学装置の透過率が変化し、従って取り
出される光線３Ａの光パワーＰは変化せず、周波数にみ
が変化するレーザ光線が得られる。
【０００１８】図８は、光強度制御装置４として電気光
学装置を用いた場合の構成例を示す図である。電気光学
装置は、ポッケルス効果を示す結晶１９、波長４分の１
波長板２０、偏光子２１Ａおよび検光子２１Ｂからな
る。
学装置を用いた場合の構成例を示す図である。電気光学
装置は、ポッケルス効果を示す結晶１９、波長４分の１
波長板２０、偏光子２１Ａおよび検光子２１Ｂからな
る。
【０００１９】図９は、ポッケルスセルを挟む二つの電
極２２と２３の間に電圧１２Ｄを印加した場合、電気光
学装置の透過率Ｐ／Ｐ０の変化の様子を示す図である。
図１の全体の構成を示す装置において、光強度制御装置
４としてこの電気光学装置を用い、帰還信号１２を印加
電圧１２Ｄとして供給すると、光パワーＰ０が変化して
もその変化がポッケルス結晶の電極にかかる電圧１２Ｄ
に帰還されるので電気光学装置の透過率が変化し、透過
光パワーＰは変化せず、やはり図１で取り出される光線
３Ｂの強度は一定に保たれ、周波数にみが変化するレー
ザ光線が得られる。
極２２と２３の間に電圧１２Ｄを印加した場合、電気光
学装置の透過率Ｐ／Ｐ０の変化の様子を示す図である。
図１の全体の構成を示す装置において、光強度制御装置
４としてこの電気光学装置を用い、帰還信号１２を印加
電圧１２Ｄとして供給すると、光パワーＰ０が変化して
もその変化がポッケルス結晶の電極にかかる電圧１２Ｄ
に帰還されるので電気光学装置の透過率が変化し、透過
光パワーＰは変化せず、やはり図１で取り出される光線
３Ｂの強度は一定に保たれ、周波数にみが変化するレー
ザ光線が得られる。
【０００２０】本発明に関わる光強度制御装置として
は、上に述べた４例に限定されることなく、他のいかな
る方式による光強度制御装置も適用できることは明かで
ある。
は、上に述べた４例に限定されることなく、他のいかな
る方式による光強度制御装置も適用できることは明かで
ある。
【０００２１】図１０は、本方式による本発明による半
導体レーザ光周波数変調装置を干渉計測に応用した例で
ある。半導体レーザ光周波数変調装置２４から取り出さ
れたレーザ光線２５をビームスプリッタ２６で２方向に
分割し、被測定物体Ｍ１の反射光２９と参照ミラーＭ２
の反射光３０をビームスプリッタで合波して干渉させ
る。干渉信号３１を光検出器３２で検出するビート信号
３３が発生する。導体レーザの駆動電流Ｉを時間に関し
て一定速度で変化すると、レーザ光の瞬時周波数が時間
に関して直線的に変化するので、干渉する物体波２９と
参照波３０は、その光路差Ｄ＝Ｍ０Ｍ１〜Ｍ０Ｍ２に比
例した周波数差をもつので、干渉波はビート信号を発生
する。ビート周波数を周波数分析器３４で測定・処理す
ることによって光路差Ｄそれゆえ物体距離が計測でき
る。本発明による干渉計測方式は、図１０の場合に限ら
ず、光路差のある干渉計ならばいかなる干渉計にも適用
できることは明かである。
導体レーザ光周波数変調装置を干渉計測に応用した例で
ある。半導体レーザ光周波数変調装置２４から取り出さ
れたレーザ光線２５をビームスプリッタ２６で２方向に
分割し、被測定物体Ｍ１の反射光２９と参照ミラーＭ２
の反射光３０をビームスプリッタで合波して干渉させ
る。干渉信号３１を光検出器３２で検出するビート信号
３３が発生する。導体レーザの駆動電流Ｉを時間に関し
て一定速度で変化すると、レーザ光の瞬時周波数が時間
に関して直線的に変化するので、干渉する物体波２９と
参照波３０は、その光路差Ｄ＝Ｍ０Ｍ１〜Ｍ０Ｍ２に比
例した周波数差をもつので、干渉波はビート信号を発生
する。ビート周波数を周波数分析器３４で測定・処理す
ることによって光路差Ｄそれゆえ物体距離が計測でき
る。本発明による干渉計測方式は、図１０の場合に限ら
ず、光路差のある干渉計ならばいかなる干渉計にも適用
できることは明かである。
【０００２２】
【発明の効果】本発明によると、半導体レーザの駆動電
流を変化させるだけで、光強度が一定に保持したままで
周波数のみを変化できる。また、このような周波数変調
装置を干渉計の光源として利用すると、振幅が一定のビ
ート信号が得られるので、距離や位相を極めて正確かつ
簡便に測定できる。
流を変化させるだけで、光強度が一定に保持したままで
周波数のみを変化できる。また、このような周波数変調
装置を干渉計の光源として利用すると、振幅が一定のビ
ート信号が得られるので、距離や位相を極めて正確かつ
簡便に測定できる。
【図１】本発明の一実施例を行うための装置の構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明の一実施例を行うために用いる半導体光
増幅器の構成例である。
増幅器の構成例である。
【図３】半導体光増幅器の励起電流に対する透過率の特
性例である。
性例である。
【図４】本発明の半導体レーザ光周波数変調装置の一実
施例の特性を示す図である。
施例の特性を示す図である。
【図５】本発明の一実施例を行うために用いるファイバ
光増幅器の構成例である。
光増幅器の構成例である。
【図６】本発明の一実施例を行うために用いる磁気光学
光装置の構成例である。
光装置の構成例である。
【図７】図５の磁気光学装置の透過率の励磁電流特性を
示す図である。
示す図である。
【図８】本発明の一実施例を行うために用いる電気光学
装置の構成例である。
装置の構成例である。
【図９】図７の電気光学装置の透過率の印加電圧特性を
示す図である。
示す図である。
【図１０】本発明の半導体レーザ光周波数変調装置を干
渉計測に応用する例を示す図である。
渉計測に応用する例を示す図である。
１ 半導体レーザ ２ 変調電流発生器 ３Ａ 半導体レーザ出力光線 ３Ｂ 光強度制御装置透過光線 ４ 光強度制御装置 ５ ビームスプリッタ ６ 外部取り出し光線 ７ 部分反射光線 ８ 光検出器 ９ 検出器信号 １０ 差動増幅器 １１ 参照電圧 １２ 帰還信号 １２Ａ 半導体光増幅器駆動電流 １２Ｂ 励起用半導体レーザ駆動電流 １２Ｃ コイル電流 １２Ｄ 電圧 １３ 半導体光増幅器 １４ ファイバ光増幅素子 １５ 励起用半導体レーザ １６ ファラデー素子 １７ 励磁コイル １８Ａ 検光子 １８Ｂ 偏光子 １９ ポッケルス素子 ２０ １／４波長板 ２１Ａ 偏光子 ２１Ｂ 検光子 ２２ 電極１ ２３ 電極２ ２４ 半導体レーザ光周波数変調装置 ２５ 周波数変調を受けたレーザ光線 ２６ ビームスプリッタ ２７ 被検物体表面 ２８ 参照ミラー ２９ 物体反射光 ３０ 参照ミラー反射光 ３１ 干渉光 ３２ 光検出器 ３３ 光ビート信号 ３４ 周波数分析器
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザと、 前記半導体レーザを変調する変調電流発生器と、 前記半導体レーザの出射光を増幅するファイバ光増幅器
と、 前記ファイバ光増幅器用の光源と、 前記ファイバ光増幅器の出力光の強度を検出する検出器
と、 前記検出器の出力を予め定められた参照信号と比較する
差動増幅器とを備え、 前記ファイバ光増幅器の透過率Ｐ／Ｐ0は、前記ファイ
バ光増幅器の光源に供給される電流に応じて１以下から
１以上に変化し、 前記差動増幅器の出力を前記ファイバ光増幅器の光源の
制御信号としてフィードバックさせることにより、前記
半導体レーザを電流変調して出射光の強度が変化したと
きに、前記ファイバ光増幅器の出力光の強度を安定化す
ることを特徴とする半導体レーザ光周波数変調装置。 - 【請求項２】 半導体レーザと、前記半導体レーザを変
調する変調電流発生器と、前記半導体レーザの出射光を
増幅するファイバ光増幅器と、前記ファイバ光増幅器用
の光源と、前記ファイバ光増幅器の出力光の強度を検出
する検出器と、前記検出器の出力を予め定められた参照
信号と比較する差動増幅器とを備え、前記ファイバ光増
幅器の透過率Ｐ／Ｐ0は、前記ファイバ光増幅器の光源
に供給される電流に応じて１以下から１以上に変化し、
前記差動増幅器の出力を前記ファイバ光増幅器の光源の
制御信号としてフィードバックさせることにより、前記
半導体レーザを電流変調して出射光の強度が変化したと
きに、前記ファイバ光増幅器の出力光の強度が安定化さ
れる半導体レーザ光周波数変調装置と、 前記半導体レーザ光周波数変調装置が出射するレーザ光
線を分割するとともに、被測定物体の反射光と参照ミラ
ーの反射光を合波して干渉させるビームスプリッタと、 前記ビームスプリッタの干渉信号を検出する光検出器
と、 前記光検出器が出力するビート信号のビート周波数を測
定して光路差を求める周波数分析器と、を備える干渉計
測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34935191A JP3210957B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 半導体レーザ光周波数変調装置およびそれを用いた干渉計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34935191A JP3210957B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 半導体レーザ光周波数変調装置およびそれを用いた干渉計測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196791A JPH06196791A (ja) | 1994-07-15 |
| JP3210957B2 true JP3210957B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=18403187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34935191A Expired - Fee Related JP3210957B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 半導体レーザ光周波数変調装置およびそれを用いた干渉計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3210957B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000124541A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Hitachi Ltd | 半導体レーザおよび半導体レーザモジュール |
| JP5502767B2 (ja) * | 2011-01-11 | 2014-05-28 | 株式会社アドバンテスト | 光源装置、光信号発生装置、および電気信号発生装置 |
| JP2012216768A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Gigaphoton Inc | レーザシステム、極端紫外光生成システム、およびレーザ光生成方法 |
| CN112542757B (zh) * | 2020-12-08 | 2022-07-19 | 北京大学 | 利用谐振腔腔膜锁定的法拉第激光器及其制备方法 |
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1991
- 1991-11-05 JP JP34935191A patent/JP3210957B2/ja not_active Expired - Fee Related
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