JP3209403B2 - Wafer cleaning equipment - Google Patents

Wafer cleaning equipment

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JP3209403B2
JP3209403B2 JP34390396A JP34390396A JP3209403B2 JP 3209403 B2 JP3209403 B2 JP 3209403B2 JP 34390396 A JP34390396 A JP 34390396A JP 34390396 A JP34390396 A JP 34390396A JP 3209403 B2 JP3209403 B2 JP 3209403B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ洗浄装置に
係り、特にワイヤソーで櫛歯状に切断されたバッチ状態
のウェーハを洗浄するウェーハ洗浄装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a wafer cleaning apparatus, and more particularly to a wafer cleaning apparatus for cleaning wafers in a batch state that are cut into a comb by a wire saw.

【0002】[0002]

【従来の技術】ワイヤソーでは、インゴットの切断に際
して、その切り終わり部分の欠損を防止するため、イン
ゴットにスライスベースを接着して切断している。この
ため、切り出されるウェーハは、全て1本のスライスベ
ースに接着された状態、いわゆるバッチ状態で切り出さ
れる。
2. Description of the Related Art In a wire saw, when cutting an ingot, a slice base is bonded to the ingot in order to prevent the end of the ingot from being broken. For this reason, all the wafers to be cut out are cut out in a state of being bonded to one slice base, that is, in a so-called batch state.

【0003】一方、ワイヤソーによる切断後の工程であ
る面取り工程や、ラッピング工程等は、すべてウェーハ
を1枚ごと処理するため、前記ワイヤソーで切断された
バッチ状態のウェーハは、スライスベースから剥離して
枚葉化する必要がある。このバッチ状態のウェーハの剥
離、枚葉化は、専用の剥離装置によって行われるが、ワ
イヤソーによる切断直後のウェーハは、切断時に付着し
たスラリやスラッジ等で極めて汚れた状態にある。この
ため、前記剥離装置による剥離、枚葉化に先立ち、前記
バッチ状態のウェーハを洗浄している。
On the other hand, the chamfering step, the lapping step, etc., which are steps after cutting with a wire saw, all process wafers one by one. Therefore, the wafer in a batch state cut with the wire saw is peeled off from the slice base. It is necessary to make a sheet. The wafers in the batch state are peeled and separated into single wafers by a dedicated peeling device. However, the wafers immediately after the cutting by the wire saw are extremely dirty with slurry or sludge adhered at the time of the cutting. For this reason, the wafers in the batch state are cleaned prior to the peeling by the peeling device and the sheet formation.

【0004】従来、この種のバッチ状態のウェーハの洗
浄方法としては、次のような方法が採用されていた。す
なわち、超音波発振装置を装備した複数の洗浄槽を用意
し、その洗浄槽に順次ウェーハを浸漬させて、段階的に
洗浄度を高めていくことにより、ウェーハを洗浄してい
た。
Heretofore, the following method has been employed as a method for cleaning a wafer in a batch state of this kind. That is, a plurality of cleaning tanks equipped with an ultrasonic oscillation device are prepared, and the wafers are washed by sequentially immersing the wafers in the cleaning tanks and gradually increasing the degree of cleaning.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法でウェーハを洗浄すると、複数の洗浄槽が必
要となるため、装置が大型化するという欠点があった。
また、洗浄槽が多数になると、自動化した場合に、洗浄
槽間のウェーハの搬送装置が必要となり、これにより、
更に装置が大型化するという欠点があった。
However, when a wafer is cleaned by the above-described method, a plurality of cleaning tanks are required, so that the size of the apparatus is disadvantageously increased.
In addition, when the number of cleaning tanks is increased, when automated, a wafer transfer device between the cleaning tanks is required.
Further, there is a drawback that the apparatus becomes large.

【0006】また、洗浄槽が多数になると、各洗浄槽ご
との洗浄液の管理(液量、液温、給液、排液等)が必要
となり、極めて面倒であるという欠点もある。本発明
は、このような事情に鑑みてなされたもので、1つの洗
浄槽で効果的にウェーハを洗浄することができるウェー
ハ洗浄装置を提供することを目的とする。
Further, when the number of cleaning tanks is large, it is necessary to manage the cleaning liquid (liquid amount, liquid temperature, liquid supply, drainage, etc.) for each cleaning tank, which is disadvantageous in that it is extremely troublesome. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer cleaning apparatus that can effectively clean a wafer with one cleaning tank.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、ワイヤソーで切断されるとともに、スラ
イスベースにその一端が接着された状態のウェーハを洗
浄するウェーハ洗浄装置において、前記ウェーハが収容
され、洗浄液の貯水と排水が可能な洗浄槽と、前記洗浄
槽に対して上下動自在に設けられ、前記洗浄槽内に収容
されるウェーハを支持する支持部材と、前記支持部材を
上下動させる上下駆動手段と、前記洗浄槽内に収容され
たウェーハの軸線方向に沿って移動自在に支持され、前
記洗浄槽内に収容されたウェーハに向けて洗浄液を噴射
するノズルと、前記ノズルを往復移動させる往復駆動手
段と、からなり、前記ノズルを往復移動させながら前記
洗浄槽内に収容されたウェーハに向けて前記洗浄液を噴
射して前記ウェーハを洗浄するとともに、その洗浄液の
噴射洗浄後、前記洗浄槽内に洗浄液を貯留し、前記ウェ
ーハを上下動させて前記ウェーハを洗浄することを特徴
とする。
According to the present invention, there is provided a wafer cleaning apparatus for cleaning a wafer cut with a wire saw and having one end thereof adhered to a slice base in order to achieve the above object. A cleaning tank capable of storing and draining a cleaning liquid, a support member provided to be vertically movable with respect to the cleaning tank, and supporting a wafer housed in the cleaning tank; Vertical driving means for moving, a nozzle which is movably supported along the axial direction of the wafer accommodated in the cleaning tank, and which sprays a cleaning liquid toward the wafer accommodated in the cleaning tank; and Reciprocating drive means for reciprocating the nozzle, the cleaning liquid being jetted toward the wafer contained in the cleaning tank while reciprocating the nozzle, and As well as cleaning and post injection cleaning of the cleaning liquid, the cleaning liquid stored in the cleaning tank, characterized by cleaning the wafer by vertically moving the wafer.

【0008】[0008]

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハ洗浄装置の好ましい実施の形態について詳説
する。図1、図2は、それぞれ本発明に係るウェーハ洗
浄装置の全体構成を示す正面図と側面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a wafer cleaning apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are a front view and a side view, respectively, showing the overall configuration of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

【0010】同図に示すように、前記ウェーハ洗浄装置
10は、ウェーハWの洗浄を行う洗浄装置本体12と、
その洗浄装置本体12にウェーハWを搬出入するための
リフター60とから構成されている。まず、洗浄装置本
体12の構成について説明する。図3、図4は、それぞ
れ前記洗浄装置本体12の正面図と平面図である。ま
た、図5、図6は、それぞれ図4のA−A断面図とB−
B断面図である。
As shown in FIG. 1, the wafer cleaning apparatus 10 includes a cleaning apparatus main body 12 for cleaning a wafer W,
And a lifter 60 for carrying the wafer W into and out of the cleaning apparatus main body 12. First, the configuration of the cleaning device main body 12 will be described. 3 and 4 are a front view and a plan view of the cleaning device main body 12, respectively. FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views taken along line AA of FIG.
It is B sectional drawing.

【0011】図3〜図6に示すように、前記洗浄装置本
体12は、上部が開口された洗浄槽14を有している。
この洗浄槽14の上部には、矩形状に形成された枠体1
6が、洗浄槽14に一体固着されている。前記枠体16
の内側には、枠体16の長手方向に沿って一対の洗浄液
供給パイプ18A、18Bが配設されている。この洗浄
液供給パイプ18A、18Bは、前記枠体16に図示し
ないブッシュを介して回動自在かつスライド自在に支持
されている。
As shown in FIGS. 3 to 6, the cleaning apparatus main body 12 has a cleaning tank 14 having an open upper part.
A frame 1 formed in a rectangular shape is provided on an upper portion of the cleaning tank 14.
6 is integrally fixed to the cleaning tank 14. The frame 16
Inside, a pair of cleaning liquid supply pipes 18A and 18B is arranged along the longitudinal direction of the frame body 16. The cleaning liquid supply pipes 18A and 18B are rotatably and slidably supported by the frame 16 via a bush (not shown).

【0012】前記一対の洗浄液供給パイプ18A、18
Bには、それぞれ6つのノズル20A、20Bが、その
軸線方向に沿って一定ピッチで配設されている。また、
前記洗浄液供給パイプ18A、18Bの一方端には、ジ
ョイント22A、22Bを介して可撓性のチューブが連
結されている。このチューブ24A、24Bには、図示
しない洗浄液供給装置が連結されており、該洗浄液供給
装置から供給された洗浄液が、前記チューブ24A、2
4Bを介して前記洗浄液供給パイプ18A、18Bに供
給される。そして、その洗浄液供給パイプ18A、18
Bに供給された洗浄液が、前記各ノズル20A、20B
から噴射される。このノズル20A、20Bから噴射さ
れた洗浄液が、前記洗浄槽14内に収容されたウェーハ
Wに当たり、ウェーハWがシャワー洗浄される。
The pair of cleaning liquid supply pipes 18A, 18
In B, six nozzles 20A and 20B are arranged at a constant pitch along the axial direction. Also,
Flexible tubes are connected to one ends of the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B via joints 22A and 22B. A cleaning liquid supply device (not shown) is connected to the tubes 24A and 24B, and the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply device is supplied to the tubes 24A and 24B.
The cleaning liquid is supplied to the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B via 4B. And the cleaning liquid supply pipes 18A, 18
B, the cleaning liquid supplied to the nozzles 20A, 20B
Injected from. The cleaning liquid sprayed from the nozzles 20A and 20B hits the wafer W stored in the cleaning tank 14, and the wafer W is shower-cleaned.

【0013】ところで、前述したように、前記洗浄液供
給パイプ18A、18Bは、前記枠体16に対して回動
自在かつスライド自在に支持されている。したがって、
この洗浄液供給パイプ18A、18Bをスライドさせれ
ば、前記ノズル20A、20Bも同時にスライド移動
し、回動させれば、同時に回動(揺動)する。この洗浄
液供給パイプ18A、18Bのスライド及び回動は、前
記洗浄液供給パイプ18A、18Bの一方端に設けれた
駆動ユニット26A、26Bにより行われ、該駆動ユニ
ット26A、26Bは、次のように構成される。なお、
駆動ユニット26Aと26Bは、同一構成であるため、
駆動ユニット26Aの構成についてのみ説明する。
As described above, the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B are supported rotatably and slidably with respect to the frame 16. Therefore,
If the cleaning liquid supply pipes 18A, 18B are slid, the nozzles 20A, 20B are also slid, and if they are rotated, they are simultaneously rotated (oscillated). The sliding and rotation of the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B are performed by driving units 26A and 26B provided at one end of the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B. The driving units 26A and 26B are configured as follows. Is done. In addition,
Since the drive units 26A and 26B have the same configuration,
Only the configuration of the drive unit 26A will be described.

【0014】図7は、駆動ユニット26Aの構成を示す
要部断面図である。同図に示すように、前記枠体16の
側面には、円筒状に形成された支持部材28Aが固着さ
れている。この支持部材28Aの内周には、前記洗浄液
供給パイプ18Aが挿通されており、外周には、前記駆
動ユニット26Aの本体フレーム30A及び駆動ギア3
2Aが回動自在に支持されている。
FIG. 7 is a sectional view of a main part showing the structure of the drive unit 26A. As shown in the figure, a supporting member 28A formed in a cylindrical shape is fixed to the side surface of the frame 16. The cleaning liquid supply pipe 18A is inserted through the inner periphery of the support member 28A, and the main frame 30A of the driving unit 26A and the driving gear 3 are inserted through the outer periphery.
2A is rotatably supported.

【0015】前記本体フレーム30Aには、前記洗浄液
供給パイプ18Aと平行してボールネジ34Aが回動自
在に支持されている。このボールネジ34Aには、ナッ
ト部材36Aが螺合されており、該ナット部材36A
は、前記洗浄液供給パイプ18Aに連結されている。ま
た、前記ボールネジ34Aの一方端には、従動ギア38
Aが固着されており、該従動ギア38Aは、前記支持部
材28Aに回動自在に支持された駆動ギア32Aに噛合
されている。
A ball screw 34A is rotatably supported on the body frame 30A in parallel with the cleaning liquid supply pipe 18A. A nut member 36A is screwed into the ball screw 34A.
Is connected to the cleaning liquid supply pipe 18A. A driven gear 38 is provided at one end of the ball screw 34A.
A is fixed, and the driven gear 38A is meshed with a drive gear 32A rotatably supported by the support member 28A.

【0016】以上の構成により、前記駆動ギア32Aが
回転すると、その回転が従動ギア38Aに伝達され、該
従動ギア38Aに固着されたボールネジ34Aが回転す
る。そして、このボールネジ34Aが回転することによ
り、該ボールネジ34Aに螺合されたナット部材36A
がボールネジ34Aに沿って移動し、この結果、洗浄液
供給パイプ18Aがその軸線に沿ってスライド移動す
る。
With the above configuration, when the drive gear 32A rotates, the rotation is transmitted to the driven gear 38A, and the ball screw 34A fixed to the driven gear 38A rotates. When the ball screw 34A rotates, the nut member 36A screwed to the ball screw 34A is rotated.
Moves along the ball screw 34A, and as a result, the cleaning liquid supply pipe 18A slides along its axis.

【0017】ここで、前記駆動ギア32Aは、図3に示
すように、前記洗浄槽14の側面に設けられたモータ4
0の回転をタイミングベルト42を介して伝達し、これ
により回転駆動している。このため、前記駆動ギア32
Aには、図7に示すように、前記タイミングベルト42
を巻きかけるためのプーリ44Aが一体形成されてい
る。
Here, as shown in FIG. 3, the driving gear 32A is provided with a motor 4 provided on the side surface of the cleaning tank 14.
The rotation of 0 is transmitted via the timing belt 42, and is thereby driven to rotate. Therefore, the drive gear 32
7A shows the timing belt 42 as shown in FIG.
Is integrally formed with the pulley 44A for winding the wire.

【0018】なお、前記モータ40には、正逆回転可能
なモータが用いられ、一定間隔で正転と逆転を繰り返す
ことにより、前記洗浄液供給パイプ18Aは、その軸線
に沿って往復移動する。以上の構成が前記洗浄液供給パ
イプ18Aをスライド移動させる機構であり、次に、洗
浄液供給パイプ18Aを揺動させる機構について説明す
る。
A forward / reverse motor is used as the motor 40. The forward / reverse rotation is repeated at regular intervals, whereby the cleaning liquid supply pipe 18A reciprocates along its axis. The above configuration is a mechanism for slidingly moving the cleaning liquid supply pipe 18A. Next, a mechanism for swinging the cleaning liquid supply pipe 18A will be described.

【0019】図3に示すように、前記洗浄槽14の側面
には、一対の油圧シリンダ46A、46Bが、それぞれ
ブラケット48A、48Bを介して揺動自在に支持され
ている。この一対の油圧シリンダ46A、46Bのロッ
ド先端部は、前記揺動ユニット26A、26Bの本体フ
レーム30A、30Bにピンによって連結されている。
したがって、この一対の油圧シリンダ46A、46Bを
駆動し、そのロッドを伸縮させることにより、前記本体
フレーム30A、30Bは、前記支持部材28A、28
Bを中心に回動する。
As shown in FIG. 3, a pair of hydraulic cylinders 46A and 46B are swingably supported on the side surface of the cleaning tank 14 via brackets 48A and 48B, respectively. The rod end portions of the pair of hydraulic cylinders 46A, 46B are connected to the body frames 30A, 30B of the swing units 26A, 26B by pins.
Therefore, by driving the pair of hydraulic cylinders 46A and 46B and extending and contracting the rods thereof, the main body frames 30A and 30B are connected to the support members 28A and 28B.
It rotates around B.

【0020】ここで、前記洗浄液供給パイプ18A、1
8Bは、前記本体フレーム30A、30Bに、ナット部
材36A、36Bを介して連結されているので、前記本
体フレーム30A、30Bが回動することにより、連動
して回動する。このように、前記洗浄液供給パイプ18
A、18Bは、前記モータ40を駆動することにより、
その軸線に沿って往復動し、油圧シリンダ46A、46
Bを駆動することにより回動する。
Here, the cleaning liquid supply pipes 18A, 18A,
8B is connected to the main body frames 30A and 30B via the nut members 36A and 36B, so that the main frames 30A and 30B rotate to rotate in conjunction therewith. Thus, the cleaning liquid supply pipe 18
A and 18B drive the motor 40,
Reciprocating along the axis, the hydraulic cylinders 46A, 46A
It rotates by driving B.

【0021】前記ノズル20A、20Bは、この洗浄液
供給パイプ18A、18Bに設けられているので、この
洗浄液供給パイプ18A、18Bが往復動することによ
り往復動し、回動することにより回動(上下方向に揺
動)する。このように、前記ノズル20A、20Bが横
方向にスライド及び上下方向に揺動することにより、該
ノズル20A、20Bから噴射される洗浄液も横方向に
スライド及び上下方向に揺動する。このため、噴射した
洗浄液が周囲に飛散するおそれがある。この周囲への洗
浄液の飛散を防止するために、次のような蓋50が設け
られている。
Since the nozzles 20A and 20B are provided in the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B, the nozzles 20A and 20B reciprocate as the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B reciprocate, and rotate (up and down). Swinging in the direction). As described above, when the nozzles 20A and 20B slide horizontally and swing vertically, the cleaning liquid ejected from the nozzles 20A and 20B also slide horizontally and swing vertically. For this reason, there is a possibility that the sprayed cleaning liquid may be scattered around. In order to prevent the washing liquid from scattering around, a lid 50 as described below is provided.

【0022】図4及び図5に示すように、前記蓋50
は、前記枠体16を覆うような矩形状に形成され、その
基端部には、一対の回転軸50A、50Aが固着されて
いる。この回転軸50A、50Aは、前記枠体16に設
けられた軸受52、52に回動自在に支持されており、
うち一方の回転軸50A(図4中右側)には、ロータリ
ーシリンダー54が連結されている。前記蓋50は、こ
のロータリーシリンダー54を駆動することにより前記
回転軸50A、50Aを中心に揺動し、これにより、前
記蓋50は、前記洗浄槽14の上部開口部を開閉する。
As shown in FIG. 4 and FIG.
Is formed in a rectangular shape so as to cover the frame 16, and a pair of rotating shafts 50A, 50A are fixed to the base end thereof. The rotating shafts 50A, 50A are rotatably supported by bearings 52, 52 provided on the frame 16,
A rotary cylinder 54 is connected to one of the rotation shafts 50A (the right side in FIG. 4). The lid 50 swings around the rotation shafts 50A and 50A by driving the rotary cylinder 54, whereby the lid 50 opens and closes the upper opening of the cleaning tank 14.

【0023】なお、図6に示すように、前記洗浄槽14
の上端部は、前記蓋50を閉めると、その両端部に所定
の隙間が形成されるが、これは、後述するリフター60
のワーク保持部74、74を通すための隙間である。し
たがって、この蓋50の幅は、前記ワーク保持部74、
74の間隔よりも狭く形成される。以上の構成により、
前記ノズル20A、20Bから噴射された洗浄液は、前
記洗浄槽14該に飛散することが防止できる。一方、前
記洗浄槽14内に噴射された洗浄液は、該洗浄槽14内
に収容されたウェーハWに当たり、該ウェーハWを洗浄
するが、ウェーハWを洗浄した後の洗浄液は、自重によ
り洗浄槽14内に落下する。そして、この洗浄槽14内
に落下した洗浄液は、テーパ状に形成された洗浄槽14
の底面14A、14Aで中央部に回収され、その後、洗
浄槽14の側面部に形成された排出口56を介して外部
に排出される。
Incidentally, as shown in FIG.
When the lid 50 is closed, a predetermined gap is formed at both ends of the upper end of the lifter 60.
Are the gaps through which the work holding portions 74, 74 pass. Therefore, the width of the lid 50 is determined by the work holding portion 74,
74 are formed smaller than the interval. With the above configuration,
The cleaning liquid sprayed from the nozzles 20A and 20B can be prevented from scattering into the cleaning tank 14. On the other hand, the cleaning liquid sprayed into the cleaning tank 14 hits the wafer W accommodated in the cleaning tank 14 and cleans the wafer W. However, the cleaning liquid after cleaning the wafer W is applied to the cleaning tank 14 by its own weight. Fall into. Then, the cleaning liquid that has fallen into the cleaning tank 14 is formed into a tapered cleaning tank 14.
Are collected at the center at the bottom surfaces 14A, 14A of the cleaning tank 14, and then discharged to the outside through a discharge port 56 formed at the side surface of the cleaning tank 14.

【0024】なお、図6に示すように、前記排出口56
には、電磁弁58が設けられている。この電磁弁58を
駆動して、前記排出口56を閉鎖することにより、前記
ノズル20A、20Bから噴射された洗浄液は排出がで
きなくなり、この結果、前記洗浄槽14内には、洗浄液
を貯留することが可能になる。前記洗浄装置本体12
は、以上のように構成され、次に、前記洗浄装置本体1
2にウェーハWを搬出入するためのリフター60の構成
について説明する。
Incidentally, as shown in FIG.
Is provided with a solenoid valve 58. By driving the electromagnetic valve 58 to close the discharge port 56, the cleaning liquid ejected from the nozzles 20A and 20B cannot be discharged. As a result, the cleaning liquid is stored in the cleaning tank 14. It becomes possible. The cleaning device body 12
Is configured as described above, and then the cleaning device main body 1
The configuration of the lifter 60 for transferring the wafer W into and out of the wafer 2 will be described.

【0025】図1及び図2に示すように、前記洗浄槽1
4の近傍には、コラム62が垂直に立設されている。こ
のコラム62の側面には、一対のガイドレール64、6
4が敷設されており、該ガイドレール64、64には、
スライダー66、66を介して昇降ベース68がスライ
ド自在に支持されている。前記コラム62の近傍には、
コラム62と平行に昇降用シリンダ70が設けられてい
る。この昇降用シリンダ70のロッド先端部は、前記昇
降ベース68の上端部に設けられた連結部材68Aに連
結されている。したがって、前記昇降用シリンダ70を
駆動することにより、前記昇降ベース68は前記ガイド
レール64、64に沿って昇降移動する。
As shown in FIG. 1 and FIG.
In the vicinity of 4, a column 62 is erected vertically. A pair of guide rails 64, 6
4 are laid, and on the guide rails 64, 64,
An elevating base 68 is slidably supported via sliders 66,66. In the vicinity of the column 62,
An elevating cylinder 70 is provided in parallel with the column 62. The rod end of the elevating cylinder 70 is connected to a connecting member 68A provided at the upper end of the elevating base 68. Therefore, by driving the lift cylinder 70, the lift base 68 moves up and down along the guide rails 64.

【0026】前記昇降ベース68には、一対のアーム7
2、72が水平に固着されている。この一対のアーム7
2、72の先端部には、L字状に形成されたワーク保持
部74、74が固着されており、該ワーク保持部74、
74は、前記洗浄槽14の上方に位置している。前記ウ
ェーハWは、このワーク保持部74、74に保持され
て、前記洗浄槽14内に搬出入されるが、その保持は、
次のように行われる。
The lifting base 68 has a pair of arms 7.
2, 72 are fixed horizontally. This pair of arms 7
Work holders 74, 74 formed in an L-shape are fixed to the distal ends of the workpiece holders 2 and 72.
74 is located above the cleaning tank 14. The wafer W is held by the work holding units 74 and 74 and is carried in and out of the cleaning tank 14.
It is performed as follows.

【0027】ワイヤソーでインゴットを切断するに際し
て、インゴットは、その切り終わり部分の欠損を防止す
るためにスライスベースSが接着される。そして、この
スライスベースSには、インゴットをワイヤソーに搭載
するためのワークブロックが接着される。このため、切
断されるウェーハは、スライスベースSに接着された状
態で切断され、ワークブロックに接着された状態でワイ
ヤソーから搬出される。
When cutting the ingot with a wire saw, the slice base S is adhered to the ingot to prevent the end of the ingot from being cut. A work block for mounting the ingot on the wire saw is bonded to the slice base S. For this reason, the wafer to be cut is cut while being bonded to the slice base S, and is carried out of the wire saw while being bonded to the work block.

【0028】本実施の形態のウェーハ洗浄装置10も前
記ウェーハWをワークブロックBに接着した状態で洗浄
する。このため、前記ウェーハWの保持も前記ワークブ
ロックBを介して行われる。ここで、図5に示すよう
に、前記ワーク保持部74、74には、前記ワークブロ
ックBを保持するための、溝74A、74Aが形成され
ており、該溝74A、74Aに前記ワークブロックBの
両端部を嵌合させることにより、前記ワークブロックB
は、前記ワーク保持部74、74に保持される。
The wafer cleaning apparatus 10 of the present embodiment also cleans the wafer W in a state where the wafer W is adhered to the work block B. For this reason, the holding of the wafer W is also performed via the work block B. Here, as shown in FIG. 5, grooves 74A, 74A for holding the work blocks B are formed in the work holding portions 74, 74, and the work blocks B are formed in the grooves 74A, 74A. By fitting both ends of the work block B,
Are held by the work holding portions 74, 74.

【0029】前記リフター60は、以上のように構成さ
れ、ウェーハWが搭載された昇降ベース68を、昇降用
シリンダ70で昇降移動さることにより、前記ウェーハ
Wの前記洗浄槽14内への搬出入が行われる。なお、こ
のリフター60によって前記洗浄槽14内に搬入される
ウェーハWは、洗浄槽14の長手方向に沿って洗浄槽1
4内に搬入される。したがって、洗浄槽14内に搬入さ
れたウェーハWは、その軸線の方向が、前記洗浄槽14
内に配設された洗浄液供給パイプ18A、18Bの軸線
の方向と一致する。
The lifter 60 is constructed as described above, and the lifting base 68 on which the wafer W is mounted is moved up and down by the lifting cylinder 70 to carry the wafer W into and out of the cleaning tank 14. Is performed. Note that the wafer W carried into the cleaning tank 14 by the lifter 60 is moved along the longitudinal direction of the cleaning tank 14.
4 is carried in. Therefore, the direction of the axis of the wafer W carried into the cleaning tank 14 is
The direction coincides with the direction of the axis of the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B disposed in the inside.

【0030】前記のごとく構成された本発明に係るウェ
ーハ洗浄装置の実施の形態の作用は次の通りである。ま
ず、ワイヤソーによる切断終了後、そのワイヤソーで切
断されたウェーハWをワイヤソーから取り出し、図示し
ない搬送装置で当該ウェーハ洗浄装置10まで搬送す
る。そして、そのウェーハWをリフター60に搭載す
る。すなわち、ウェーハWが接着されたワークブロック
Bを前記リフター60のワーク保持部74、74に保持
させる。このウェーハWのリフター60への搭載後、ウ
ェーハ洗浄装置10は稼働される。
The operation of the embodiment of the wafer cleaning apparatus according to the present invention configured as described above is as follows. First, after the completion of the cutting by the wire saw, the wafer W cut by the wire saw is taken out of the wire saw and transferred to the wafer cleaning device 10 by a transfer device (not shown). Then, the wafer W is mounted on the lifter 60. That is, the work block B to which the wafer W is bonded is held by the work holding portions 74 of the lifter 60. After mounting the wafer W on the lifter 60, the wafer cleaning apparatus 10 is operated.

【0031】なお、この時、前記リフター60の昇降ベ
ース68は、最上部の位置に位置しており、洗浄槽14
の蓋50は開いた状態にある。また、前記洗浄槽14内
に配設された各ノズル20A、20Bは、図5に二点破
線で示すように、その噴射口が鉛直下向きに向いた状態
にある。前記ウェーハ洗浄装置10を稼働すると、ま
ず、昇降用シリンダ70が駆動され、昇降ベース68が
洗浄槽14に向かって下降する。昇降ベース68が下降
することにより、前記ウェーハ68も同時に下降し、こ
れにより、ウェーハWが洗浄槽14内に収容される。
At this time, the lifting base 68 of the lifter 60 is located at the uppermost position, and
Is in an open state. Further, the nozzles 20A and 20B disposed in the cleaning tank 14 are in a state where their injection ports are directed vertically downward as shown by the two-dot broken lines in FIG. When the wafer cleaning apparatus 10 is operated, first, the lifting cylinder 70 is driven, and the lifting base 68 is lowered toward the cleaning tank 14. The lowering of the elevating base 68 lowers the wafer 68 at the same time, whereby the wafer W is stored in the cleaning tank 14.

【0032】そして、前記ウェーハWが、前記洗浄槽1
4の所定の位置まで下降すると、前記昇降用シリンダ7
0の駆動は停止され、その位置でウェーハWは停止す
る。この結果、前記ウェーハWは、前記洗浄槽14内の
所定の位置に収容される。前記昇降用シリンダ70の駆
動が停止されると、次に、ロータリーシリンダー54が
駆動され、洗浄槽14に蓋50が閉められる。なお、こ
の蓋50の幅は、前記ワーク保持部74、74の間隔よ
りも狭く形成されているため、蓋50を閉めても前記ワ
ーク保持部74、74に蓋50が当たることはない。
Then, the wafer W is placed in the cleaning tank 1.
4. When the cylinder 7 is lowered to a predetermined position,
0 is stopped, and the wafer W stops at that position. As a result, the wafer W is stored at a predetermined position in the cleaning tank 14. When the driving of the lifting cylinder 70 is stopped, the rotary cylinder 54 is driven, and the lid 50 is closed in the cleaning tank 14. Since the width of the lid 50 is formed smaller than the interval between the work holding parts 74, 74, the lid 50 does not hit the work holding parts 74, 74 even when the lid 50 is closed.

【0033】前記洗浄槽14に蓋50が閉め終わると、
次に、ノズル20A、20Bを揺動させる油圧シリンダ
46A、46Bが駆動され、ノズル20A、20Bが、
図5に示す二点破線の位置から実線の位置まで移動す
る。なお、前記実線で示したノズル20A、20Bの位
置は、ノズル20A、20Bから洗浄液を噴射したとき
に、その噴射された洗浄液が、ウェーハWとスライスベ
ースSとの接着部分に当たるような位置に設定されてい
る。
When the lid 50 has been closed in the cleaning tank 14,
Next, the hydraulic cylinders 46A and 46B for swinging the nozzles 20A and 20B are driven, and the nozzles 20A and 20B
It moves from the position of the two-dot broken line shown in FIG. 5 to the position of the solid line. The positions of the nozzles 20A and 20B shown by the solid lines are set such that when the cleaning liquid is jetted from the nozzles 20A and 20B, the jetted cleaning liquid hits the bonding portion between the wafer W and the slice base S. Have been.

【0034】また、前記ウェーハWの搬入時に、前記ノ
ズル20A、20Bを図5中二点破線で示す位置に退避
させておくのは、洗浄槽14の上部から搬入されてくる
ウェーハWが、ノズル20A、20Bと接触しないよう
にするためである。前記ノズル20A、20Bが、図5
に実線で示す位置まで移動すると、洗浄が開始される。
すなわち、図示しない洗浄液供給装置から洗浄液が、洗
浄液供給パイプ18A、18Bに供給され、その洗浄液
供給パイプ18A、18Bに供給された洗浄液が、前記
各ノズル20A、20Bから噴射される。
When the wafer W is loaded, the nozzles 20A and 20B are retracted to the positions indicated by the two-dot broken lines in FIG. This is so as not to come into contact with 20A and 20B. As shown in FIG.
When the position is moved to the position shown by the solid line, the cleaning is started.
That is, the cleaning liquid is supplied from a cleaning liquid supply device (not shown) to the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B, and the cleaning liquid supplied to the cleaning liquid supply pipes 18A and 18B is jetted from the nozzles 20A and 20B.

【0035】前記洗浄槽14内に収容されたウェーハW
は、このノズル20A、20Bから噴射される洗浄液に
よってシャワー洗浄されるが、このシャワー洗浄時に前
記ノズル20A、20Bは、次のように駆動される。す
なわち、前記ノズル20A、20Bは、停止した状態で
は、一か所にしか洗浄液を当てることができないため、
洗浄が不十分になる。このため、モータ40で駆動ユニ
ット26A、26Bを駆動し、ノズル20A、20Bを
ウェーハWの軸線に沿って往復移動させる。
The wafer W accommodated in the cleaning tank 14
Is shower-cleaned by the cleaning liquid jetted from the nozzles 20A and 20B. At the time of the shower cleaning, the nozzles 20A and 20B are driven as follows. That is, since the nozzles 20A and 20B can apply the cleaning liquid to only one place in the stopped state,
Insufficient cleaning. Therefore, the drive units 26A and 26B are driven by the motor 40, and the nozzles 20A and 20B are reciprocated along the axis of the wafer W.

【0036】これにより、洗浄槽14内に収容されたウ
ェーハWには、ウェーハ全体に均一的に洗浄液が当た
り、洗浄残しを生ずることはない。また、ノズル20
A、20Bから噴射される洗浄液は、ウェーハWとウェ
ーハWとの隙間に効果的に入り込み、その水圧で内部ま
で十分に洗浄することができる。
As a result, the cleaning liquid uniformly hits the entire wafer W on the wafer W accommodated in the cleaning tank 14, so that no cleaning residue is generated. The nozzle 20
The cleaning liquid sprayed from A and 20B effectively enters the gap between the wafers W, and the inside thereof can be sufficiently cleaned by the water pressure.

【0037】このノズル20A、20Bによるシャワー
洗浄は、一定時間継続して行われ、所定時間経過後、洗
浄液の供給が停止されて作業は終了する。なお、この洗
浄時に噴射された洗浄液は、洗浄槽14で底部で回収さ
れたのち、排出口56から外部に排出される。前記シャ
ワー洗浄が終了すると、ノズル20A、20Bを揺動さ
せる油圧シリンダ46A、46Bが駆動され、ノズル2
0A、20Bが、図5に実線で示す位置から二点破線で
示す位置まで移動する。これと同時に、ロータリーシリ
ンダー54が駆動され、洗浄槽14から蓋50が開けら
れる。
The shower cleaning by the nozzles 20A and 20B is continuously performed for a certain period of time. After a predetermined period of time, the supply of the cleaning liquid is stopped and the operation is completed. The cleaning liquid sprayed at the time of this cleaning is collected at the bottom in the cleaning tank 14 and then discharged to the outside through the discharge port 56. When the shower cleaning is completed, the hydraulic cylinders 46A and 46B for swinging the nozzles 20A and 20B are driven, and
0A and 20B move from the position shown by the solid line to the position shown by the two-dot broken line in FIG. At the same time, the rotary cylinder 54 is driven, and the lid 50 is opened from the cleaning tank 14.

【0038】前記蓋50が開けられると、昇降用シリン
ダ70が駆動され、昇降ベース68が上昇して、洗浄槽
14内から洗浄されたウェーハWが搬出される。以上の
一連の工程でウェーハ洗浄装置10による洗浄は終了
し、ワーク保持部74、74からウェーハWを取り外
す。そして、次に洗浄するウェーハWがある場合は、同
様の工程で洗浄作業を行う。
When the lid 50 is opened, the lifting cylinder 70 is driven, the lifting base 68 is raised, and the cleaned wafer W is carried out from the cleaning tank 14. In the above series of steps, the cleaning by the wafer cleaning apparatus 10 is completed, and the wafer W is removed from the work holding units 74, 74. Then, when there is a wafer W to be cleaned next, the cleaning operation is performed in a similar process.

【0039】このように、本実施の形態のウェーハ洗浄
装置10によれば、ノズル20A、20Bから噴射する
洗浄液でウェーハWを洗浄することにより、ウェーハW
とウェーハWとの隙間まで十分に洗浄することができ
る。また、洗浄槽14は、1つだけなので、従来の洗浄
装置に比べ、装置自体をコンパクトに構成することがで
きる。
As described above, according to the wafer cleaning apparatus 10 of the present embodiment, the wafer W is cleaned by the cleaning liquid sprayed from the nozzles 20A and 20B.
Cleaning up to the gap between the wafer and the wafer W. Further, since there is only one cleaning tank 14, the apparatus itself can be made compact as compared with the conventional cleaning apparatus.

【0040】なお、次のような、洗浄方法を採用するこ
とにより、より効果的なウェーハWの洗浄を行うことが
できる。すなわち、上述した実施の形態では、シャワー
洗浄時、ノズル20A、20Bは、ウェーハWの軸線に
沿って往復移動させるだけであった。しかしながら、ノ
ズル20A、20Bは、油圧シリンダ46A、46Bを
駆動することにより、その上下方向に沿って揺動させる
ことができる。これを利用し、前記シャワー洗浄時に、
ノズル20A、20BをウェーハWの軸線に沿って往復
移動させるだけではなく、上下方向に揺動させながら洗
浄液を噴射する。
It should be noted that more effective cleaning of the wafer W can be performed by employing the following cleaning method. That is, in the above-described embodiment, the nozzles 20A and 20B only reciprocate along the axis of the wafer W during shower cleaning. However, the nozzles 20A and 20B can be swung up and down by driving the hydraulic cylinders 46A and 46B. Using this, at the time of the shower cleaning,
The cleaning liquid is jetted while not only reciprocating the nozzles 20A and 20B along the axis of the wafer W but also swinging the nozzle 20A in the vertical direction.

【0041】この結果、ウェーハWには、洗浄液が全体
として満遍なく供給され、より効果的にウェーハWを洗
浄することができる。なお、このノズル20A、20B
の揺動は、上述した例のごとく、ノズル20A、20B
の横方向のスライドと組み合わせて行ってもよいし、単
独で行ってもよい。
As a result, the cleaning liquid is uniformly supplied to the wafer W as a whole, and the wafer W can be cleaned more effectively. The nozzles 20A, 20B
Swing of the nozzles 20A, 20B as in the above-described example.
May be performed in combination with the horizontal slide, or may be performed alone.

【0042】また、横方向のスライド→上下方向の揺動
→横方向のスライドと上下方向の揺動の組合せ、という
順で1サイクルを構成し、このサイクルを繰り返し行う
ようにしてもよい。また、本実施の形態のウェーハ洗浄
装置10では、電磁弁58を閉めることにより、洗浄槽
14内に洗浄液を貯留することができるので、次のよう
な洗浄方法を実施することもできる。
Further, one cycle may be constituted in the order of horizontal slide → vertical swing → combination of horizontal slide and vertical swing, and this cycle may be repeated. Moreover, in the wafer cleaning apparatus 10 of the present embodiment, the cleaning liquid can be stored in the cleaning tank 14 by closing the electromagnetic valve 58, so that the following cleaning method can be performed.

【0043】すなわち、前記実施の形態で説明したシャ
ワー洗浄の後、該シャワー洗浄時に供給した洗浄液を全
て洗浄槽14から排出し、電磁弁58を閉める。そし
て、ノズル20A、20Bから再び洗浄液を噴射し、そ
の噴射した洗浄液を洗浄槽14内に貯留する。洗浄液が
所定水位(ウェーハ全体が浸漬する程度)まで溜まった
ら、洗浄液の噴射を停止する。そして、昇降用シリンダ
70を駆動して、ウェーハWを洗浄液中で上下動させ
る。すなわち、揺動洗浄を行う。
That is, after the shower cleaning described in the above embodiment, all the cleaning liquid supplied at the time of the shower cleaning is discharged from the cleaning tank 14 and the electromagnetic valve 58 is closed. Then, the cleaning liquid is injected again from the nozzles 20A and 20B, and the injected cleaning liquid is stored in the cleaning tank 14. When the cleaning liquid has accumulated to a predetermined water level (to the extent that the entire wafer is immersed), the injection of the cleaning liquid is stopped. Then, the lifting / lowering cylinder 70 is driven to move the wafer W up and down in the cleaning liquid. That is, rocking cleaning is performed.

【0044】これにより、ウェーハWとウェーハWとの
間に溜まった汚れを効果的に洗い流せることができる。
この揺動洗浄は、一定時間継続して行い、所定時間経過
後に、昇降用シリンダ70の駆動を停止し、電磁弁58
を開けて、排水する。このように、前記実施の形態で説
明したシャワー洗浄に揺動洗浄を組み合わせることによ
り、より効果的なウェーハの洗浄を行うことができる。
As a result, dirt accumulated between the wafers W can be effectively washed away.
This oscillating cleaning is performed continuously for a certain period of time, and after a lapse of a predetermined period of time, the driving of the lifting cylinder 70 is stopped,
Open and drain. As described above, by combining the swing cleaning with the shower cleaning described in the above embodiment, more effective wafer cleaning can be performed.

【0045】また、この揺動洗浄後に、更にもう一度シ
ャワー洗浄を行うことにより、より完全なウェーハの洗
浄を行うことができる。なお、図示しないが、前記洗浄
槽14の周囲に超音波発振装置を設け、前記揺動洗浄時
に、この超音波発振装置から超音波を発振して超音波洗
浄を行うようにしてもよい。これにより、更に洗浄効果
が向上する。
Further, by performing shower cleaning once more after the swing cleaning, more complete cleaning of the wafer can be performed. Although not shown, an ultrasonic oscillation device may be provided around the cleaning tank 14 to perform ultrasonic cleaning by oscillating ultrasonic waves from the ultrasonic oscillation device during the swing cleaning. Thereby, the cleaning effect is further improved.

【0046】また、この超音波洗浄は、前記揺動洗浄と
併用してもよいし、単独で行ってもよい。
This ultrasonic cleaning may be used together with the above-mentioned rocking cleaning, or may be performed alone.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハ洗浄装置によれば、洗浄槽内に複数配設されたノズル
は、往復駆動手段に駆動されてウェーハの軸線方向に往
復動して、ウェーハ全体に渡って洗浄液を噴射するとと
もに、その洗浄液の噴射洗浄後、前記洗浄槽内に洗浄液
を貯留し、前記ウェーハを上下動させて前記ウェーハを
洗浄するので、ウェーハを効果的に洗浄することができ
る。
Kwai according to the present invention, as described above, according to the present invention
According to the cleaning device, a plurality of nozzles disposed in the cleaning tank
Is driven by the reciprocating drive means and travels in the axial direction of the wafer.
Going back and spraying the cleaning solution over the entire wafer
After spray cleaning of the cleaning liquid, the cleaning liquid is
And move the wafer up and down to remove the wafer.
Cleaning allows effective cleaning of wafers
You.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るウェーハ洗浄装置の全体構成を示
す正面図
FIG. 1 is a front view showing an overall configuration of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

【図2】本発明に係るウェーハ洗浄装置の全体構成を示
す側面図
FIG. 2 is a side view showing the overall configuration of the wafer cleaning apparatus according to the present invention.

【図3】洗浄装置本体の正面図FIG. 3 is a front view of the cleaning device main body.

【図4】洗浄装置本体の平面図FIG. 4 is a plan view of a cleaning device main body.

【図5】図4のA−A断面図FIG. 5 is a sectional view taken along line AA of FIG. 4;

【図6】図4のB−B断面図FIG. 6 is a sectional view taken along line BB of FIG. 4;

【図7】駆動ユニットの構成を示す要部拡大図FIG. 7 is an enlarged view of a main part showing a configuration of a drive unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ウェーハ洗浄装置 12…洗浄装置本体 14…洗浄槽 16…枠体 18A、18B…洗浄液供給パイプ 20A、20B…ノズル 26A、26B…駆動ユニット 50…蓋 56…排水口 58…電磁弁 60…リフター 68…昇降ベース 70…昇降用シリンダ 74…ワーク保持部 B…ワークブロック W…ウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wafer cleaning apparatus 12 ... Cleaning apparatus main body 14 ... Cleaning tank 16 ... Frame body 18A, 18B ... Cleaning liquid supply pipe 20A, 20B ... Nozzle 26A, 26B ... Drive unit 50 ... Lid 56 ... Drain port 58 ... Solenoid valve 60 ... Lifter 68 ... Elevating base 70 ... Elevating cylinder 74 ... Work holding part B ... Work block W ... Wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 B08B 3/02 B08B 3/12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B08B 3/02 B08B 3/12

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ワイヤソーで切断されるとともに、スライ
スベースにその一端が接着された状態のウェーハを洗浄
するウェーハ洗浄装置において、 前記ウェーハが収容され、洗浄液の貯水と排水が可能な
洗浄槽と、 前記洗浄槽に対して上下動自在に設けられ、前記洗浄槽
内に収容されるウェーハを支持する支持部材と、 前記支持部材を上下動させる上下駆動手段と、 前記洗浄槽内に収容されたウェーハの軸線方向に沿って
移動自在に支持され、前記洗浄槽内に収容されたウェー
ハに向けて洗浄液を噴射するノズルと、 前記ノズルを往復移動させる往復駆動手段と、 からなり、前記ノズルを往復移動させながら前記洗浄槽
内に収容されたウェーハに向けて前記洗浄液を噴射して
前記ウェーハを洗浄するとともに、その洗浄液の噴射洗
浄後、前記洗浄槽内に洗浄液を貯留し、前記ウェーハを
上下動させて前記ウェーハを洗浄することを特徴とする
ウェーハ洗浄装置。
1. A wafer cleaning apparatus for cleaning a wafer cut with a wire saw and having one end thereof adhered to a slice base, comprising: a cleaning tank in which the wafer is housed and capable of storing and draining a cleaning liquid; A support member that is provided to be vertically movable with respect to the cleaning tank and supports a wafer housed in the cleaning tank; a vertical driving unit that moves the support member up and down; a wafer housed in the cleaning tank A nozzle that is movably supported along the axial direction of the nozzle and ejects a cleaning liquid toward a wafer housed in the cleaning tank; and a reciprocating drive unit that reciprocates the nozzle. While cleaning the wafer by spraying the cleaning liquid toward the wafer housed in the cleaning tank while cleaning, The wash was in a cleaning tank, a wafer cleaning apparatus characterized by cleaning the wafer by vertically moving the wafer.
【請求項2】 前記ノズルを上下方向に揺動自在に支持
するとともに、該ノズルを揺動させる揺動駆動手段を設
けたことを特徴とする請求項1記載のウェーハ洗浄装
置。
2. The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein said nozzle is swingably supported in a vertical direction, and swing driving means for swinging said nozzle is provided.
【請求項3】 前記洗浄槽に超音波発振装置を設けたこ
とを特徴とする請求項記載のウェーハ洗浄装置。
3. A wafer cleaning apparatus according to claim 1, characterized in that a ultrasonic oscillator device to the cleaning tank.
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