JP3205915U - Treatment liquid supply piping circuit - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体ウエハやFPD基板等の製造プロセスにおいて使用される処理液を、基板に向けて供給する処理液供給配管回路を提供する。【解決手段】基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、液供給ノズルと前記処理液の液供給源との間に構成される処理液供給配管回路において、処理液を液供給ノズルに向けて供給する吐出ポンプと、吐出ポンプの下流側に設けられる前記処理液の供給バルブと、吐出ポンプの駆動による吐出動作と供給バルブを開く動作により、基板に前記処理液の供給動作の実行を制御する制御部と、を備え、供給バルブの内部流路35の径断面部を面方向に駆動して当該内部流路35を封止自在な遮蔽弁体31を有し、遮蔽弁体31の閉動作時でも径断面部を完全遮蔽しないための隙間hが確保されている。【選択図】図4A processing liquid supply piping circuit that supplies a processing liquid used in a manufacturing process of a semiconductor wafer, an FPD substrate, or the like toward a substrate is provided. A processing liquid is provided in a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a surface of a substrate from a liquid supply nozzle to perform processing, and is configured between the liquid supply nozzle and a liquid supply source of the processing liquid. In the supply piping circuit, a discharge pump for supplying the processing liquid toward the liquid supply nozzle, a supply valve for the processing liquid provided on the downstream side of the discharge pump, a discharge operation by driving the discharge pump, and an operation for opening the supply valve And a control unit that controls execution of the supply operation of the processing liquid on the substrate, and the internal flow path 35 is driven in the surface direction by the radial cross section of the internal flow path 35 of the supply valve so that the internal flow path 35 can be sealed. The valve body 31 is provided, and a gap h is secured to prevent the radial cross section from being completely shielded even when the shielding valve body 31 is closed. [Selection] Figure 4

Description

この考案は、例えば半導体ウエハやFPD(フラットパネルディスプレー)基板等の製造プロセスにおいて使用される処理液を、基板に向けて供給する処理液供給配管回路に関するものである。   The present invention relates to a processing liquid supply piping circuit that supplies a processing liquid used in a manufacturing process such as a semiconductor wafer or an FPD (flat panel display) substrate toward a substrate.

一般に、半導体デバイスの製造においては、例えば半導体ウエハやFPD基板等(以下、基板という)にレジスト液を塗布し、マスクパターンを露光処理して回路パターンを形成させるために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、スピンコーティング法により基板にレジスト液を塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。   In general, in the manufacture of a semiconductor device, for example, a photolithography technique is used to form a circuit pattern by applying a resist solution to a semiconductor wafer, an FPD substrate or the like (hereinafter referred to as a substrate) and exposing a mask pattern. ing. In this photolithography technology, a resist solution is applied to a substrate by a spin coating method, a resist film formed thereby is exposed according to a predetermined circuit pattern, and this exposure pattern is developed to process a circuit on the resist film. A pattern is formed.

このようなフォトリソグラフィ工程においては、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続した塗布・現像処理システムが用いられている。この塗布・現像処理システムにおいては、現像液やシンナー等の処理液を、このシステムに配設された各処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット、現像処理ユニット等に供給する必要がある。   In such a photolithography process, generally, a coating / development processing system in which an exposure apparatus is connected to a coating / developing apparatus that performs resist coating / development is used. In this coating / development processing system, it is necessary to supply a processing solution such as a developing solution or thinner to each processing unit provided in the system, for example, a resist coating processing unit, a development processing unit, or the like.

従来のこの種の処理液供給配管回路として、処理液を用いてプロセス処理を行う液処理ユニットに処理液を供給するために、処理液供給源から供給された処理液をポンプで送液して液処理ユニットの液ノズルから吐出して基板に供給をしている。この様な構成においては、液ノズルの上流側に処理液の供給時に開閉させる開閉弁を備えている。   As a conventional processing liquid supply piping circuit of this type, a processing liquid supplied from a processing liquid supply source is pumped to supply a processing liquid to a liquid processing unit that performs processing using the processing liquid. The liquid is discharged from the liquid nozzle of the liquid processing unit and supplied to the substrate. In such a configuration, an on-off valve that opens and closes when the processing liquid is supplied is provided on the upstream side of the liquid nozzle.

特開2000−088702号公報(図25)JP 2000-088702 A (FIG. 25)

CKD(株)薬液用エアオペレイトバルブ・サックバックバルブ一体形カタログ (例えば、AMDSZ0・AMDS00Series)[平成28年5月6日]インターネット<URL:http://hosefia.co.kr/goods/dokimec/fine/wetfine/ams022/amds00/f_amds00.html>CKD Co., Ltd. catalog for air operated valves and suckback valves for chemicals (eg AMDSZ0 / AMDS00Series) [May 6, 2016] Internet <URL: http://hosefia.co.kr/goods/dokimec /fine/wetfine/ams022/amds00/f_amds00.html>

処理液供給配管回路には基板に供給前の処理液中の異物(パーティクル)を極力少なくする必要があり、好ましくは処理液中には異物が無いことが望まれている。そのために一般的にフィルタを用いて処理液を濾過しているので、フィルタを通過後の処理液中の異物の数は減っている。しかしながら開閉弁である処理液用エアオペレイトバルブ・サックバックバルブは液ノズルの上流側に配置されており、この開閉弁の内部の流路を開閉させる遮蔽弁体が駆動することにより少なからず発塵して異物が流出することがある。このため異物が液ノズルから吐出されてしまい塗布不良の原因となることが懸念される。近年のパターンの微細化により、わずかな数の異物や微少な異物についてもその発生を抑えることが求められている。   In the processing liquid supply piping circuit, it is necessary to minimize foreign matter (particles) in the processing liquid before being supplied to the substrate, and it is desirable that there is no foreign matter in the processing liquid. Therefore, since the processing liquid is generally filtered using a filter, the number of foreign matters in the processing liquid after passing through the filter is reduced. However, the air operated valve / suckback valve for processing liquid, which is an on-off valve, is arranged upstream of the liquid nozzle, and it is not a little generated by driving a shielding valve that opens and closes the flow path inside the on-off valve. Foreign matter may flow out due to dust. For this reason, there is a concern that foreign matter may be discharged from the liquid nozzle and cause defective coating. Due to the recent miniaturization of patterns, it is required to suppress the occurrence of a small number of foreign substances or minute foreign substances.

この考案は、上記事情に鑑みてなされたもので、液ノズルに近い場所に位置して、処理液供給の際に用いられる開閉弁からの発塵を無くすことを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to eliminate dust generation from an on-off valve used for supplying a processing liquid, which is located near a liquid nozzle.

前記問題を解決するために、この考案の処理液供給配管回路は、基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、前記液供給ノズルと前記処理液の液供給源との間に構成される処理液供給配管回路において、処理液を液供給ノズルに向けて供給する吐出ポンプと、前記吐出ポンプの下流側に設けられる前記処理液の供給バルブと、前記吐出ポンプの駆動による吐出動作と前記供給バルブを開く動作により、基板に対する前記処理液の供給動作の実行を制御する制御部と、を備え、前記供給バルブの内部流路の径断面部を面方向に駆動して前記内部流路を封止自在な遮蔽弁体を有し、前記遮蔽弁体の閉動作時において、前記遮蔽弁体が前記径断面部を完全遮蔽しないための隙間が、前記遮蔽弁体と前記内部流路との間に設けられている(請求項1)。この場合、隙間は、0.07mm〜0.7mmであることが好ましい(請求項2)。   In order to solve the above problem, a processing liquid supply piping circuit of the present invention is provided in a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a surface of a substrate from a liquid supply nozzle to perform processing, and the liquid supply nozzle and the In a treatment liquid supply piping circuit configured between a treatment liquid supply source and a discharge pump for supplying the treatment liquid toward the liquid supply nozzle, and a supply valve for the treatment liquid provided on the downstream side of the discharge pump And a control section for controlling execution of the supply operation of the processing liquid to the substrate by the discharge operation by driving the discharge pump and the operation of opening the supply valve, and a radial cross section of the internal flow path of the supply valve A shielding valve body that can seal the internal flow path by driving in a plane direction, and when the shielding valve body is closed, there is a gap for the shielding valve body not to completely shield the radial cross section. , The shielding valve body and the It is provided between the parts channel (claim 1). In this case, the gap is preferably 0.07 mm to 0.7 mm.

この様に遮蔽弁体が完全遮蔽して摩擦が起きないような隙間を設ける、すなわち非接触にすることで、液供給ノズルの上流となる供給バルブを駆動することによる遮蔽弁体を原因とする異物(パーティクル)の発生が無くなり、発塵させることなく連続使用できる。   In this way, the shield valve body is completely shielded to provide a gap so that friction does not occur, that is, non-contact, thereby causing the shield valve body by driving the supply valve upstream of the liquid supply nozzle. Generation of foreign matter (particles) is eliminated, and continuous use is possible without generating dust.

また、請求項1または請求項2の考案において、前記吐出ポンプと前記供給バルブとの間の配管から分岐された配管に、配管内の圧力を抜くための圧抜きバルブを備えているようにしてもよい(請求項3)。また、制御部は、前記処理液の供給動作の完了した後に、前記圧抜きバルブを開ける動作を実行させるようにしてもよい(請求項4)。また、制御部は、前記圧抜きバルブを開ける動作を、前記処理液の供給動作の完了と同期させて実行するようにしてもよい(請求項5)   Further, in the invention of claim 1 or claim 2, the pipe branched from the pipe between the discharge pump and the supply valve is provided with a pressure release valve for releasing the pressure in the pipe. (Claim 3). In addition, the control unit may perform an operation of opening the pressure relief valve after the operation of supplying the processing liquid is completed. Further, the control unit may perform an operation of opening the pressure relief valve in synchronization with the completion of the supply operation of the processing liquid (Claim 5).

この様に構成することにより、液供給ノズルからの処理液の供給を停止させた後に供給バルブからの残圧による処理液の漏出を止めるために、配管路の残圧を抜くことで正確な供給量を保つことができる。この残圧を抜くためにタイミングは処理液の種類、粘度によって異なるので、供給動作が完了後に所定のタイミングで動作させても良いし、供給停止の制御と同期をさせても良い。   By configuring in this way, in order to stop the leakage of the processing liquid due to the residual pressure from the supply valve after stopping the supply of the processing liquid from the liquid supply nozzle, accurate supply by removing the residual pressure in the piping Can keep the quantity. Since the timing for releasing the residual pressure varies depending on the type and viscosity of the processing liquid, it may be operated at a predetermined timing after the supply operation is completed, or may be synchronized with the supply stop control.

また、請求項3の考案において、前記供給バルブの上流側に流量計が設けられ、前記制御部は前記供給バルブの閉じたときに前記流量計が処理液の流れを検出した動作信号に基づいて前記圧抜きバルブを開ける制御を行ってもよい(請求項6)。   Further, in the invention of claim 3, a flow meter is provided on the upstream side of the supply valve, and the control unit is based on an operation signal detected by the flow meter when the supply valve is closed. Control may be performed to open the pressure relief valve.

この様に構成することにより、配管中に処理液の流動があれば配管内の残圧を抜く(リリースする)ことができる。   By configuring in this way, the residual pressure in the pipe can be released (released) if the processing liquid flows in the pipe.

また、供給ポンプの下流側に処理液の濾過フィルタが設けられ前記圧抜きバルブは、前記濾過フィルタの一次側と二次側から分岐した配管にそれぞれ設けるようにしてもよい(請求項7)   In addition, a filtration filter for the treatment liquid may be provided on the downstream side of the supply pump, and the pressure relief valve may be provided on a pipe branched from the primary side and the secondary side of the filtration filter, respectively.

この様に構成することにより、濾過フィルタに残り易い残圧を濾過フィルタ両側、すなわち一次側と二次側の流路から抜くことが出来るので、供給バルブからの処理液の漏出を素早く止めることが出来る。   By configuring in this way, residual pressure that tends to remain in the filter can be removed from the flow passages on both sides of the filter, that is, the primary side and the secondary side, so that leakage of the processing liquid from the supply valve can be stopped quickly. I can do it.

本考案において、前記制御部は、基板への処理液の供給動作が完了した後に前記供給ポンプの処理液の液導入バルブを閉じて且つ吐出ポンプの吐出バルブを開けて、前記吐出ポンプによって、下流側の配管の処理液を引いて逆流させる制御を行うようにしてもよい(請求項8)   In the present invention, the control unit closes the processing liquid supply valve of the supply pump and opens the discharge valve of the discharge pump after the operation of supplying the processing liquid to the substrate is completed. You may make it perform the control which pulls the process liquid of the piping of the side, and makes it flow backward (Claim 8).

この様に構成することにより、供給ポンプを使って配管内の残圧を抜くことができる。   By comprising in this way, the residual pressure in piping can be extracted using a supply pump.

本考案によれば、処理液供給配管回路における最終段に設けられる供給バルブからの発塵を無くすことが出来るので、供給バルブの上流側で異物除去処理された処理液をそのままの状態で基板に供給することが出来る。   According to the present invention, dust generation from the supply valve provided at the final stage in the processing liquid supply piping circuit can be eliminated, so that the processing liquid that has been subjected to the foreign substance removal processing on the upstream side of the supply valve can be left as it is on the substrate. Can be supplied.

本考案の実施の形態が採用されたレジスト塗布現像処理装置の平面図である。1 is a plan view of a resist coating and developing apparatus in which an embodiment of the present invention is adopted. 本考案の実施の形態が採用されたレジスト塗布現像処理装置の斜視図である。1 is a perspective view of a resist coating and developing apparatus in which an embodiment of the present invention is adopted. 本考案の実施の形態に係る処理液供給配管回路を模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the process liquid supply piping circuit which concerns on embodiment of this invention. 本考案の実施の形態における供給バルブの内部断面の構造部分をを模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the structure part of the internal cross section of the supply valve in embodiment of this invention. 本考案の実施の形態における供給バルブの動作状態を模式的に示した説明図である。It is explanatory drawing which showed typically the operation state of the supply valve in embodiment of this invention. 本考案の実施の形態に係る処理液供給配管回路の制御タイミングチャート図である。It is a control timing chart figure of the process liquid supply piping circuit which concerns on embodiment of this invention.

以下にこの考案の実施の形態に係る処理液供給配管回路が採用されたレジスト塗布現像処理装置を説明する。処理液供給装置は、例えば液処理装置であるレジスト塗布現像処理装置で使用されるレジスト液を、供給元となる薬液ボトルであるレジスト液ガロンビンから送液して、レジスト液塗布装置内の半導体基板の表面にレジスト液を供給するまでを構成しており、レジスト塗布現像処理装置に組み込まれて液処理装置と連動して動作する構成を成している。処理液供給装置が組み込まれるレジスト塗布現像処理装置の形態として、図1、図2に示したような、基板であるウエハWのレジスト塗布現像処理装置に適用した場合について説明する。このレジスト塗布現像処理装置には、キャリアブロックS1が設けられており、その載置台21上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリア20から開閉部22を介して受け渡しアームCがウエハWを取り出して、キャリアブロックS1の奥側(図1中の右側)に筐体24で囲まれた処理ブロックS2に受け渡し、処理ブロックS2から受け渡しアームCが処理済みのウエハWを受け取ってキャリア20に戻すように構成されている。   A resist coating and developing apparatus employing a processing liquid supply piping circuit according to an embodiment of the present invention will be described below. The processing liquid supply apparatus, for example, sends a resist liquid used in a resist coating and developing processing apparatus, which is a liquid processing apparatus, from a resist liquid gallon bin, which is a chemical bottle serving as a supply source, and a semiconductor substrate in the resist liquid coating apparatus. In this configuration, the resist solution is supplied to the surface of the substrate, and is incorporated in the resist coating and developing treatment apparatus and operates in conjunction with the solution treatment apparatus. A case where the present invention is applied to a resist coating and developing apparatus for a wafer W as a substrate as shown in FIGS. 1 and 2 will be described as a form of a resist coating and developing apparatus in which a processing liquid supply apparatus is incorporated. In this resist coating and developing apparatus, a carrier block S1 is provided, and a transfer arm C is connected to a wafer from a carrier 20, which is a hermetically sealed substrate storage container mounted on the mounting table 21, via an opening / closing part 22. W is taken out and transferred to the processing block S2 surrounded by the casing 24 on the back side (right side in FIG. 1) of the carrier block S1, and the transfer arm C receives the processed wafer W from the processing block S2 and receives the carrier 20 It is configured to return to

前記処理ブロックS2は、図2に示すように、この例では現像処理を行うため現像処理装置の第1のブロック(DEV層)B1、B2、本考案の対象となるレジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための下層反射防止膜塗布装置が設けられる第2のブロック(BCT層)B3、本考案の対象となるレジスト膜の塗布を行うためのレジスト塗布処理装置が設けられる第3のブロック(COT層)B4、本考案の対象となるレジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための上層反射防止膜塗布装置の第4のブロック(TCT層)B5を、下から順に積層して構成されている。   As shown in FIG. 2, the processing block S2 is formed on the lower side of the first block (DEV layer) B1 and B2 of the development processing apparatus and the resist film which is the subject of the present invention in order to perform development processing in this example. A second block (BCT layer) B3 provided with a lower-layer antireflection film coating apparatus for performing an antireflection film forming process, and a resist coating apparatus for coating a resist film that is a subject of the present invention. Third block (COT layer) B4 provided, and fourth block (TCT layer) of the upper antireflection film coating apparatus for forming the antireflection film formed on the upper layer side of the resist film to be the subject of the present invention ) B5 is laminated in order from the bottom.

レジスト塗布現像処理装置の処理ブロックS2は、このように現像処理前加熱処理と現像処理を行うための第1のブロック(DEV層)B1、B2、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理と反射防止膜形成後の加熱処理を行うための第2のブロック(BCT層)B3、レジスト膜の塗布とレジスト膜形成後の加熱処理を行うための第3のブロック(COT層)B4、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜と反射防止膜形成後の加熱処理の形成を行うための第4のブロック(TCT層)B5、を有している。   The processing block S2 of the resist coating and developing apparatus includes the first blocks (DEV layers) B1 and B2 for performing the pre-development heating process and the development process, and the antireflection film formed on the lower layer side of the resist film. The second block (BCT layer) B3 for performing the heat treatment after forming the resist film and the antireflection film, and the third block (COT layer) for performing the heat treatment after applying the resist film and forming the resist film B4 has an antireflection film formed on the upper layer side of the resist film and a fourth block (TCT layer) B5 for performing heat treatment after the formation of the antireflection film.

例えば、第3のブロック(COT層)B4を例にとると、各層については、図1に示すように、COTユニット26内に、レジストを塗布処理する処理カップ28が例えば3個設けられている。そして、搬送アームA4の直線搬送路を挟む形で加熱及び冷却系の処理ユニット群U1、U2、U3、U4がそれぞれ前記直線搬送路に面して並べられている。この処理ユニット群U1、U2、U3、U4はそれぞれ2段に構成されており、図1の例では合計8個の処理ユニットが存在することになる。図1のCOTユニット26(詳細な図示せず)にはウエハWを回転自在で吸着保持できるスピンチャック29と、このスピンチャック29を囲むように設けられる処理カップ28を備えており、スピンチャック29に吸着されたウエハW上面に、吐出ノズル(例えば後述の液供給ノズルN1)から例えばレジスト液を適量吐出して、厚さが均一に近い塗布膜を形成する液処理が行われる   For example, taking the third block (COT layer) B4 as an example, for each layer, as shown in FIG. 1, for example, three processing cups 28 for applying a resist are provided in the COT unit 26. . Then, heating and cooling processing unit groups U1, U2, U3, and U4 are arranged facing the straight conveyance path so as to sandwich the straight conveyance path of the conveyance arm A4. Each of the processing unit groups U1, U2, U3, and U4 is configured in two stages, and there are a total of eight processing units in the example of FIG. The COT unit 26 (not shown in detail) in FIG. 1 includes a spin chuck 29 that can rotatably hold the wafer W by suction, and a processing cup 28 that is provided so as to surround the spin chuck 29. A liquid process is performed on the upper surface of the wafer W adsorbed on the wafer W by discharging an appropriate amount of, for example, a resist solution from a discharge nozzle (for example, a liquid supply nozzle N1 described later) to form a coating film having a nearly uniform thickness.

更に処理ブロックS2には、図1に示すように棚ユニットU5(詳細構成は図示せず)が設けられ、キャリアブロックS1からのウエハWは、受け渡しアームCによって棚ユニットU5の受け渡しユニットとなる3本のピンが立設してなるトラジションステージ(図示省略)に受け渡されて、第2のブロック(BCT層)B3の対応する冷却処理ユニット(クーリングプレート)(図示省略)に、棚ユニットU5の横近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームDによって順次搬送される。また、処理ブロックS2のキャリアブロックS1と反対側のインターフェイスブロックS3に隣接する位置には棚ユニットU6(詳細構成は図示せず)が設けられている。棚ユニットU6は棚ユニットU5と同様に構成されており、受け渡しアームEでウエハWを各層に昇降可能に構成されている。なお、棚ユニットU5は、図示しないクーリングプレート、トラジションステージを複数備えておりそれらを積層して構成されている。また、棚ユニットU6は、棚ユニットU5と同様に構成されている。   Further, the processing block S2 is provided with a shelf unit U5 (detailed configuration is not shown) as shown in FIG. 1, and the wafer W from the carrier block S1 becomes a delivery unit of the shelf unit U5 by the delivery arm C 3 A shelf stage U5 is transferred to a transition stage (not shown) in which the pins are erected and is transferred to a corresponding cooling processing unit (cooling plate) (not shown) of the second block (BCT layer) B3. Are sequentially conveyed by a transfer arm D that can be moved up and down. Further, a shelf unit U6 (detailed configuration is not shown) is provided at a position adjacent to the interface block S3 on the opposite side of the processing block S2 from the carrier block S1. The shelf unit U6 is configured in the same manner as the shelf unit U5, and is configured so that the wafer W can be moved up and down by each transfer arm E. The shelf unit U5 includes a plurality of cooling plates and transition stages (not shown), and is configured by stacking them. The shelf unit U6 is configured in the same manner as the shelf unit U5.

前記第2のブロック(BCT層)B3内の搬送アームA3(詳細構成は図示せず)は、棚ユニットU5の冷却処理ユニット(図示せず)からウエハWを受け取って、各ユニット(反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群)に搬送し、これらユニットにてウエハWには反射防止膜が形成される。同様にして、第2のブロック(BCT層)B3で処理の完了したウエハWは棚ユニットU6の冷却処理ユニットに搬送されて受け渡しアームEにより第3のブロック(COT層)B4に対応する冷却処理ユニット(図示せず)に搬送されて第3のブロック(COT層)B4の搬送アームA4によって各処理ユニットに運ばれてレジスト塗布処理が行われる。   The transfer arm A3 (detailed configuration is not shown) in the second block (BCT layer) B3 receives the wafer W from the cooling processing unit (not shown) of the shelf unit U5, and each unit (antireflection film). Unit and heating / cooling system processing unit group), and an antireflection film is formed on the wafer W in these units. Similarly, the wafer W that has been processed in the second block (BCT layer) B3 is transferred to the cooling processing unit of the shelf unit U6 and the cooling process corresponding to the third block (COT layer) B4 by the transfer arm E. It is transported to a unit (not shown) and transported to each processing unit by a transport arm A4 of a third block (COT layer) B4, and a resist coating process is performed.

この後は冷却処理ユニット(図示せず)に運ばれ、前述と同様に受け渡しアームDが受け取り冷却処理ユニット(図示せず)に受け渡されて第4のブロック(TCT層)B5の搬送アーム(詳細構成は図示せず)によって目的の反射防止膜処理がなされる。この後に棚ユニットU6の冷却ユニット(図示せず)に受け渡されて、受け渡しアームEによりトラジションステージ(図示省略)にウエハWが受け渡される。このウエハWをインターフェイスブロックS3にある受け渡しアームFにより露光機S4に受け渡しをすることになる。露光機S4から搬出されたウエハWは受け渡しアームFが受け取り、ウエハWを支持するための3ピンが出没可能に構成されてなる冷却処理ユニット(図示せず)に受け渡された後、現像処理が第1のブロック(DEV層)B1、B2(詳細構成は図示せず)にて行われる。その後、冷却処理ユニット(図示せず)に受け渡されて、その後冷却処理ユニットを経た後、キャリアブロックS1の受け渡しアームCが受け取ってキャリア20に収納される。   Thereafter, it is transferred to a cooling processing unit (not shown), and the transfer arm D is transferred to the receiving cooling processing unit (not shown) in the same manner as described above to transfer the transfer arm (fourth block (TCT layer) B5) The detailed anti-reflection film treatment is performed by a detailed configuration (not shown). Thereafter, the wafer W is transferred to a cooling unit (not shown) of the shelf unit U6, and the wafer W is transferred to a transition stage (not shown) by the transfer arm E. This wafer W is transferred to the exposure machine S4 by the transfer arm F in the interface block S3. The wafer W unloaded from the exposure machine S4 is received by the transfer arm F, and transferred to a cooling processing unit (not shown) configured so that three pins for supporting the wafer W can be protruded and retracted, and then developed. Are performed in the first blocks (DEV layers) B1 and B2 (detailed configuration is not shown). After that, it is delivered to a cooling processing unit (not shown). After passing through the cooling processing unit, the delivery arm C of the carrier block S1 is received and stored in the carrier 20.

次に図3に示される前述の例えばCOTユニット26に適用する本実施の形態に係る処理液供給配管回路について説明する。処理液供給配管回路は処理液であるレジスト液が入った薬液ボトルBから配管41を通じて、例えばダイアフラムポンプである吐出ポンプPに吸液される。このとき吐出ポンプPは液導入バルブV1を開けて吐出バルブV2、ポンプ泡抜きバルブV3を閉じて電空バルブEVを制御部100により所定のスピードに制御しながらダイアフラムを拡張させてレジスト液を吸引させる。なお、ポンプ泡抜きバルブV3はダイアフラム内部で泡が在る場合になどに定期的に開放して泡を流出させるために設けられている。   Next, a processing liquid supply piping circuit according to this embodiment applied to the above-described COT unit 26 shown in FIG. 3 will be described. The processing liquid supply piping circuit absorbs liquid from the chemical solution bottle B containing the resist liquid as the processing liquid through the piping 41 to the discharge pump P that is a diaphragm pump, for example. At this time, the discharge pump P opens the liquid introduction valve V1, closes the discharge valve V2 and the pump bubble removal valve V3, expands the diaphragm while controlling the electropneumatic valve EV at a predetermined speed by the control unit 100, and sucks the resist liquid. Let The pump bubble vent valve V3 is provided to periodically open and allow bubbles to flow out when bubbles are present inside the diaphragm.

吐出ポンプPからレジスト液を吐出させる際には、液導入バルブV1を閉じて吐出バルブV2を開けて電空バルブEVにてダイアフラムを押圧して、レジスト液を配管42を通じて下流に送液する。吐出ポンプPからの下流側に位置する配管42には、例えばレジスト液の異物(パーティクル)を捕捉する濾過フィルタFが設けられ、さらにその下流側の配管43には、配管中のレジスト液の流量を検出するフローメータFMと、更にその下流側にはエアオペレイトバルブとサックバックバルブが一体で形成されている供給バルブASとが設けられている。このような構成により、COTユニット26の液供給ノズルN1からレジスト液が基板に上に供給されることになる。   When discharging the resist solution from the discharge pump P, the liquid introduction valve V1 is closed, the discharge valve V2 is opened, the diaphragm is pressed by the electropneumatic valve EV, and the resist solution is sent downstream through the pipe. For example, a filtration filter F that captures foreign substances (particles) of the resist solution is provided in the pipe 42 located on the downstream side from the discharge pump P, and the flow rate of the resist solution in the pipe is further provided in the pipe 43 on the downstream side. And a supply valve AS in which an air operated valve and a suck back valve are integrally formed are provided on the downstream side thereof. With such a configuration, the resist solution is supplied to the substrate from the liquid supply nozzle N1 of the COT unit 26.

図4、図5に実施の形態における供給バルブASの内部断面における、エアオペレイトバルブ30側の構造の一部を示している。図4はエアオペレイトバルブ30側の断面構造であり、一次側となるIN側流路33と二次側となるOUT側流路34の間に内部流路の径断面部を面方向で封止させるように駆動する、遮蔽弁体31が設けられており、遮蔽弁体31は可撓膜体32の動作を受けて駆動するように構成されている。   4 and 5 show a part of the structure on the air operated valve 30 side in the internal cross section of the supply valve AS in the embodiment. FIG. 4 shows a cross-sectional structure on the air operated valve 30 side, and the radial cross section of the internal flow path is sealed between the IN side flow path 33 on the primary side and the OUT side flow path 34 on the secondary side in the surface direction. A shielding valve body 31 that is driven to stop is provided, and the shielding valve body 31 is configured to be driven by the operation of the flexible film body 32.

図4はレジスト液の供給がなされていない状態(供給停止)の様子を示しており、遮蔽弁体31が内部流路35を塞ぐ様に位置している。内部流路35は、流路を構成する壁体35a、35bによって、上面が開口した筒状に構成されている。そして供給バルブASが閉じた際には、遮蔽弁体31は内部流路35の径断面部を完全遮蔽しないように微少隙間hが設定されている。すなわち、壁体35a、35bの上端部と遮蔽弁体31とは接触せずに、両者の間には、微少隙間hが確保されるように設定されている。この微少隙間hは処理液の種類、粘度によって0.07mm〜0.7mmで設定されている。図5(a)、(b)は供給バルブASのエアオペレイトバルブ30側の開閉動作の際の遮蔽弁体31の状態を示し、(a)は、供給時でバルブが開放している状態、(b)は供給停止時でバルブが閉じている状態を各々示している。このように、供給バルブASが閉じた際にも、遮蔽弁体31は、内部流路35を構成する壁体35a、35bとは接触しないので、エアオペレイトバルブ30側の開閉動作によって、接触や摩擦が無く発塵を生じさせることがない。   FIG. 4 shows a state where the resist solution is not supplied (supply stop), and the shielding valve element 31 is positioned so as to block the internal flow path 35. The internal flow path 35 is configured in a cylindrical shape whose upper surface is opened by wall bodies 35a and 35b constituting the flow path. When the supply valve AS is closed, a minute gap h is set so that the shielding valve element 31 does not completely shield the radial cross section of the internal flow path 35. That is, the upper end portions of the wall bodies 35a and 35b and the shielding valve body 31 are not in contact with each other, and a minute gap h is set between them. The minute gap h is set to 0.07 mm to 0.7 mm depending on the type and viscosity of the processing liquid. FIGS. 5A and 5B show the state of the shielding valve element 31 during the opening / closing operation of the supply valve AS on the air operated valve 30 side, and FIG. 5A shows the state in which the valve is open at the time of supply. , (B) respectively show a state in which the valve is closed when supply is stopped. Thus, even when the supply valve AS is closed, the shielding valve body 31 does not contact the wall bodies 35a and 35b constituting the internal flow path 35, so that the contact is made by the opening / closing operation on the air operated valve 30 side. No friction and no dust generation.

レジスト液の供給動作は制御部100にて制御されるので、吐出ポンプPの吐出動作行いながら供給バルブASを開けてレジスト液を供給することができる。そしてレジスト液を供給した後に供給バルブASを閉じると、上流側の残圧が影響して微少隙間hからレジスト液の漏出が懸念される。漏出すると、供給するレジスト液が設定量以上に供給されたり、液供給ノズルN1からサックバックされたレジスト液が垂れ落ちたりするおそれがある。これを防止するため、図3に示される圧抜きバルブV4が、配管42における濾過フィルタFの下流側から分岐して薬液ボトルBに戻る配管44に設けられている。なおこの配管44には、供給ポンプPのポンプ泡抜きバルブV3からの配管45が接続されている。   Since the supply operation of the resist solution is controlled by the control unit 100, it is possible to supply the resist solution by opening the supply valve AS while performing the discharge operation of the discharge pump P. If the supply valve AS is closed after supplying the resist solution, the residual pressure on the upstream side is affected, and there is a concern that the resist solution may leak from the minute gap h. If it leaks out, the resist solution to be supplied may be supplied in excess of a set amount, or the resist solution sucked back from the liquid supply nozzle N1 may sag. In order to prevent this, a pressure relief valve V4 shown in FIG. 3 is provided in the pipe 44 that branches from the downstream side of the filtration filter F in the pipe 42 and returns to the chemical solution bottle B. A pipe 45 from the pump bubble vent valve V3 of the supply pump P is connected to the pipe 44.

制御部100は圧抜きバルブV4を開ける動作を、レジスト液の供給動作の完了(供給停止)した後に実行するように、圧抜きバルブV4を開ける動作を制御する。または、圧抜きバルブV4を開ける動作をレジスト液の供給動作の完了(供給停止)と同期させて実行する場合もある。この動作の違いは処理液の種類、粘度によって選択される。例えば、粘度の低い処理液のレジスト液、反射防止膜液であれば同期させて圧抜きバルブV4を開ける。粘度が高い処理液のポリイミド液であれば供給バルブASの閉動作時間も長くかかるので、残圧が残り難いため供給動作の完了(供給停止)した後に圧抜きバルブV4を開けることになる。   The control unit 100 controls the operation of opening the pressure release valve V4 so that the operation of opening the pressure release valve V4 is executed after completion of the resist solution supply operation (supply stop). Alternatively, the operation of opening the pressure relief valve V4 may be executed in synchronization with the completion of the resist solution supply operation (supply stop). This difference in operation is selected depending on the type and viscosity of the processing liquid. For example, if the resist solution or the antireflection film solution with a low viscosity is used, the pressure relief valve V4 is opened in synchronization. If the polyimide liquid is a processing liquid having a high viscosity, the closing operation time of the supply valve AS also takes a long time. Therefore, it is difficult for the remaining pressure to remain, so the pressure release valve V4 is opened after the supply operation is completed (supply stop).

濾過フィルタFは構造的に残圧が残り易いので、圧抜きバルブV4に接続される配管45を濾過フィルタFの一次側と二次側にそれぞれ設けても良く、かかる場合には圧抜きバルブV4もそれぞれに設けても良い。この様な接続回路にすることにより素早く残圧を開放することができる。   Since the filtration filter F is structurally susceptible to residual pressure, piping 45 connected to the pressure relief valve V4 may be provided on each of the primary side and the secondary side of the filtration filter F. In such a case, the pressure relief valve V4 is provided. May also be provided for each. By using such a connection circuit, the residual pressure can be quickly released.

また、レジスト液の供給動作の完了(供給停止)した後に、図3の配管回路に構成されている流量値をモニターするフローメータFMの信号に基づいて、圧抜きバルブV4を開けるようにしてもよい。これにより処理液の種類や粘度による圧抜きバルブV4の開動作の設定を行わなくても、液の流れが確認できたところで所定のタイミングで開ければよい。   In addition, after completion of the resist solution supply operation (supply stop), the pressure relief valve V4 may be opened based on the signal of the flow meter FM that monitors the flow rate value configured in the piping circuit of FIG. Good. As a result, even if the opening operation of the pressure relief valve V4 is not set according to the type and viscosity of the processing liquid, it may be opened at a predetermined timing when the flow of the liquid is confirmed.

次に吐出ポンプPを使って供給動作後の残圧を抜くプロセスについて説明する。レジスト液の供給動作の完了(供給停止)した後に、液導入バルブV1を閉じたままで吐出バルブV2を開けることで、下流側の配管42、43中のレジスト液の残圧が吐出ポンプP内の容積で吸収される。なお吐出バルブV2を開ける前に、薬液ボトルBへのリターン配管となる配管44、45と接続されるポンプ泡抜きバルブV3を、数秒間開けて吐出ポンプPの残圧を開放しておいてもよい。   Next, a process for releasing the residual pressure after the supply operation using the discharge pump P will be described. After the completion of the supply operation of the resist solution (supply stop), the discharge valve V2 is opened while the liquid introduction valve V1 is closed, so that the residual pressure of the resist solution in the downstream pipes 42 and 43 is reduced in the discharge pump P. Absorbed by volume. Before opening the discharge valve V2, the residual pressure of the discharge pump P may be released by opening the pump bubble vent valve V3 connected to the pipes 44 and 45 serving as return pipes to the chemical bottle B for several seconds. Good.

なお、上述の実施形態の動作状態を図6の動作タイミングチャートに示しておく。この動作タイミングチャートにおいては、上側はON、下側はOFFを示し、バルブについては、上側は開放、下側は閉鎖を表している。   The operation state of the above-described embodiment is shown in the operation timing chart of FIG. In this operation timing chart, the upper side indicates ON, and the lower side indicates OFF, and the upper side indicates open and the lower side indicates closed.

以上、この考案に係る処理液供給システムを半導体ウエハの塗布・現像処理システムのレジスト液の配管回路に適用する場合について説明したが、洗浄液であるシンナーや純水の供給ラインや現像処理に用いられる現像液の供給ラインにも本考案は適用できる。また、半導体ウエハ以外の被処理基板、例えばFPDに対して処理液を供給する場合についても本考案は適用できる。   As described above, the case where the processing liquid supply system according to the present invention is applied to the resist solution piping circuit of the semiconductor wafer coating / development processing system has been described. However, the cleaning liquid is used for a thinner or pure water supply line or development processing. The present invention can also be applied to a developer supply line. The present invention can also be applied to a case where a processing liquid is supplied to a substrate to be processed other than a semiconductor wafer, for example, an FPD.

B 薬液ボトル
P 吐出ポンプ
V1 液導入バルブ
V2 吐出バルブ
V3 ポンプ泡抜きバルブ
V4 圧抜きバルブ
EV 電空バルブ
F 濾過フィルタ
FM フローメータ
AS 供給バルブ
N1 液供給ノズル
h 隙間
30 エアオペレイトバルブ
31 遮蔽弁体
32 可撓膜体
33 IN側流路
34 OUT側流路
100 制御部
B Chemical liquid bottle P Discharge pump V1 Liquid introduction valve V2 Discharge valve V3 Pump bubble release valve V4 Pressure release valve EV Electropneumatic valve F Filtration filter FM Flow meter AS Supply valve N1 Liquid supply nozzle h Clearance 30 Air operated valve 31 Shielding valve body 32 Flexible membrane body 33 IN side flow path 34 OUT side flow path 100 Control unit

Claims (8)

基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、前記液供給ノズルと前記処理液の液供給源との間に構成される処理液供給配管回路において、
処理液を液供給ノズルに向けて供給する吐出ポンプと、
前記吐出ポンプの下流側に設けられる前記処理液の供給バルブと、
前記吐出ポンプの駆動による吐出動作と前記供給バルブを開く動作により、基板に対する前記処理液の供給動作の実行を制御する制御部と、
を備え、
前記供給バルブの内部流路の径断面部を面方向に駆動して前記内部流路を封止自在な遮蔽弁体を有し、前記遮蔽弁体の閉動作時において、前記遮蔽弁体が前記径断面部を完全遮蔽しないための隙間が、前記遮蔽弁体と前記内部流路との間に設けられていることを特徴とする処理液供給配管回路。
A processing liquid supply piping circuit that is provided in a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a surface of a substrate from a liquid supply nozzle to perform processing, and is configured between the liquid supply nozzle and a liquid supply source of the processing liquid In
A discharge pump for supplying the processing liquid toward the liquid supply nozzle;
A supply valve for the processing liquid provided on the downstream side of the discharge pump;
A controller for controlling execution of the supply operation of the processing liquid to the substrate by a discharge operation by driving the discharge pump and an operation of opening the supply valve;
With
A shield valve body capable of sealing the internal flow path by driving a radial cross section of the internal flow path of the supply valve in a plane direction, and when the shield valve body is closed, A processing liquid supply piping circuit, wherein a gap for not completely shielding the radial cross section is provided between the shielding valve element and the internal flow path.
前記隙間は、0.07mm〜0.7mmであることを特徴とする、請求項1に記載の処理液供給配管回路。   The processing liquid supply piping circuit according to claim 1, wherein the gap is 0.07 mm to 0.7 mm. 前記吐出ポンプと前記供給バルブとの間の配管から分岐された配管に、配管内の圧力を抜くための圧抜きバルブを備えていることを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の処理液供給配管回路。   The pressure relief valve for releasing the pressure in piping is provided in the piping branched from the piping between the said discharge pump and the said supply valve, Either of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. The processing liquid supply piping circuit described in 1. 前記制御部は、前記処理液の供給動作の完了した後に、前記圧抜きバルブを開ける動作を実行させることを特徴とする、請求項3に記載の処理液供給配管回路。   The processing liquid supply piping circuit according to claim 3, wherein the control unit performs an operation of opening the pressure release valve after the supply operation of the processing liquid is completed. 前記制御部は、前記圧抜きバルブを開ける動作を、前記処理液の供給動作の完了と同期させて実行させることを特徴とする、請求項3に記載の処理液供給配管回路。   The processing liquid supply piping circuit according to claim 3, wherein the controller performs an operation of opening the pressure relief valve in synchronization with the completion of the supply operation of the processing liquid. 前記供給バルブの上流側に流量計が設けられ、前記制御部は前記供給バルブが閉じたときに前記流量計が処理液の流れを検出した動作信号に基づいて、前記圧抜きバルブを開ける動作を実行させることを特徴とする、請求項3に記載の処理液供給配管回路。   A flow meter is provided on the upstream side of the supply valve, and the controller performs an operation of opening the pressure relief valve based on an operation signal when the flow meter detects the flow of the processing liquid when the supply valve is closed. The processing liquid supply piping circuit according to claim 3, wherein the processing liquid supply piping circuit is executed. 前記吐出ポンプの下流側に処理液の濾過フィルタが設けられ、前記圧抜きバルブは、前記濾過フィルタの一次側と二次側から分岐した配管にそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項3に記載の処理液供給配管回路。   The filtration filter of the processing liquid is provided on the downstream side of the discharge pump, and the pressure relief valve is provided in a pipe branched from the primary side and the secondary side of the filtration filter, respectively. 4. The processing liquid supply piping circuit according to 3. 前記制御部は、基板への処理液の供給動作が完了した後に前記吐出ポンプにおける処理液の液導入バルブを閉じ且つ吐出ポンプの吐出バルブを開けて、前記吐出ポンプにより下流側の配管の処理液を引いて逆流させる制御を行うことを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の処理液供給配管回路。   The control unit closes the processing liquid supply valve in the discharge pump and opens the discharge valve of the discharge pump after the supply operation of the processing liquid to the substrate is completed, and the processing liquid in the downstream pipe is opened by the discharge pump. The processing liquid supply piping circuit according to any one of claims 1 and 2, wherein the control is performed so that the reverse flow is performed by pulling the pressure.
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