JP3205147U - 発光ダイオード基底構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】反射ベースと基板との結合力を高める発光ダイオード基底構造を提供する。【解決手段】絶縁基板10、金属基板或いは2つの電気的接続部20には、固定部30がそれぞれ形成され、固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きく、反射ベース40の形成時に固定部が反射ベース内に埋入されて反射ベースの固定に使用される。固定部により反射ベースと基板との間の結合力が高まる。【選択図】図1

Description

本考案は、発光ダイオード基底構造に関し、反射ベースの結合力を高める発光ダイオード基底構造に関する。
一般的な絶縁基板(例えば、セラミックス基板等)には、反射ベースを形成させるために、セラミックス共焼結方式或いは接着剤塗布方式が採用されて、絶縁基板上に反射ベースが形成される。しかしながら、セラミックス共焼結方式は、コストが高く、且つ製造工程が複雑である。接着剤塗布方式は、反射ベースに有効的な反射面を提供できない。
他の反射ベースの成形方式として、絶縁基板の結合射出方式があり、絶縁基板上に反射ベースが射出成形される。しかし、反射ベースと絶縁基板の表面との結合力が低く、反射ベースが剥離し易い上、水気があると絶縁基板と反射ベースとの接合面が反射ベース内に滲み出し、発光ダイオードの寿命が縮まった。
これらの問題を解決するために、絶縁基板に先に穿孔を施す方法がある。レーザー穿孔方式により絶縁基板に穿孔が形成されることで、反射ベースが穿孔中に填入されて、反射ベースを絶縁基板に固定させる効果を達成させ、反射ベースの剥離を防止する。
しかしながら、絶縁基板にレーザー穿孔を施工するのは、効率が悪く、且つコストも高い。
そこで、本考案者は上記の絶縁基板に反射ベースが固定される製造工程が複雑過ぎる、或いは製造工程の効率が不足する問題を改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本考案の提案に到った。
本考案は、以上の従来技術の課題を解決する為になされたものである。即ち、本考案の目的は、上述の問題を解決するために、発光ダイオード基底構造を提供することにある。
上述した課題を解決し、目的を達成するための本考案に係る発光ダイオード基底構造は、絶縁基板と、電気的接続部と、固定部と、反射ベースとを備える。
絶縁基板は第一表面及び第二表面を有し、且つ絶縁基板は第一表面及び第二表面を貫通させる複数の貫通孔を有する。電気的接続部は第一表面に電気的に隔絶されるように設置されると共に貫通孔を通過させて第二表面にそれぞれ延伸される。固定部は絶縁基板の第一表面に形成され、電気的接続部の外側に周設されると共に電気的接続部とは互いに隔絶され、且つ固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きい。反射ベースは第一表面に形成され、反射ベースは中空領域を有し、且つ固定部は反射ベース内に埋入され、電気的接続部の一部が中空領域に露出される。
本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造は、2つの金属基板と、2つの固定部と、第一電気的接続部と、第二電気的接続部と、反射ベースとを備える。
2つの金属基板は互いに隔絶される。固定部は金属基板にそれぞれ形成され、且つ固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きい。第一電気的接続部は金属基板の内の何れか1つの表面に形成されると共に固定部の内の何れか1つとは互いに隔絶される。第二電気的接続部は金属基板の他の表面に形成されると共に他の固定部とは互いに隔絶される。反射ベースは中空領域を有し、反射ベースは金属基板、固定部、第一電気的接続部及び第二電気的接続部を被覆させて連結させると共に金属基板とは絶縁され、且つ第一電気的接続部及び第二電気的接続部の一部が中空領域に露出される。
本考案の第3実施形態による発光ダイオード基底構造は、2つの金属基板と、第一電気的接続部と、第二電気的接続部と、2つの固定部と、反射ベースとを備える。
2つの金属基板は互いに隔絶される。第一電気的接続部は金属基板の内の何れか1つの表面に形成される。第二電気的接続部は金属基板の他の表面に形成される2つの固定部は第一電気的接続部及び第二電気的接続部にそれぞれ形成され、且つ固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きい。反射ベースは中空領域を有し、反射ベースは第一電気的接続部、第二電気的接続部及び固定部を被覆させて連結させると共に金属基板とは絶縁され、且つ第一電気的接続部及び第二電気的接続部の一部が中空領域に露出される。
本考案の構造は上述のとおりであって、本考案と先行技術との間の差異は、絶縁基板、金属基板或いは第一電気的接続部及び第二電気的接続部に固定部がそれぞれ形成され、固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きく、反射ベースの形成時に、固定部が反射ベース内に埋入されて反射ベースの固定に使用される点である。
従って、上述の技術手段により、本考案は固定部により反射ベースと基板との間の結合力を高める技術効果を達成させる。
本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。 本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の上部を示す概略図である。 本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。 本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。 本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の第一電気的接続部を示す断面拡大図である。 本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の第二電気的接続部を示す断面拡大図である。 本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。 本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。 本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。 本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の第一電気的接続部を示す断面拡大図である。 本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の第二電気的接続部を示す断面拡大図である。 本考案の第3実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。 本考案の第3実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。 本考案の第3実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
本考案における好適な実施の形態について、添付図面を参照して説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、実用新案登録請求の範囲に記載された本考案の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本考案の必須要件であるとは限らない。
(第1実施形態)
以下、第1実施形態を図1〜3Dに基づいて説明する。図1は本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図であり、図2は本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の上部を示す概略図である。
本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造は、絶縁基板10と、2つの電気的接続部20と、固定部30と、反射ベース40とを備える。
絶縁基板10は第一表面11及び第二表面12を有し、且つ絶縁基板10は第一表面11及び第二表面12を貫通させる複数の貫通孔13を有する。
電気的接続部20は絶縁基板10の第一表面11に電気的に隔絶されるように設置されると共に絶縁基板10の貫通孔13を通過させて第二表面にそれぞれ延伸される。絶縁基板10の第一表面11には固定部30が形成され、固定部30は電気的接続部20の外側に周設されると共に電気的接続部20とは互いに隔絶される。
上述の絶縁基板10はアルミナセラミックス基板、窒化アルミニウムセラミックス基板及びプリント回路基板(Printed circuit board、PCB)等を含む。これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
上述の電気的接続部20及び固定部30の材質は導電性に優れる金属材質或いは合金材質であり、例えば、金、鉄、銅、鋼等であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
続いて、図3Aは本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図であり、図3Bは本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
固定部30は、押圧加工方式により、固定部30の上部31の断面積が固定部30の底部32の断面積より大きくなるように製造される(図3A及び図3B参照)。
図3Aでは、固定部30の上部31の断面形状は凹凸状であり、図3Bでは、固定部30の上部31の断面形状はW字形状である。
これらは説明のための例にすぎず、本考案の固定部30の上部31の断面形状がこれらに限定されるわけではなく、本考案の固定部30の上部31の断面形状が鋸の歯状や球状等であってもよい。
さらに、図1に示すように、絶縁基板10の第一表面11は射出成形方式により反射ベース40が製造され、反射ベース40は中空領域41を有し、固定部30が反射ベース40内に埋入され、且つ電気的接続部20の一部が反射ベース40の中空領域41に露出される。
固定部30の上部31(図2Aまたは図2B参照)の断面積が固定部30の底部32(図2Aまたは図2B参照)の断面積より大きいため、反射ベース40が絶縁基板10に固定されるための結合力が更に提供され、且つ本考案に係る発光ダイオード基底構造が製造される。
上述の反射ベース40の材質はポリカーボネート(Polycarbonate、PC)、ポリフタラミド(Polyphthalamide、PPA)或いは発光ダイオード基底構造の反射ベースによく使用される他の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等である。これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
発光ダイオードチップ(図示せず)は電気的接続部20の内の何れか1つに固着され、発光ダイオードチップは電気的接続部20の内の何れか1つを介して必要な電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置(図示せず)に電気的に接続される。
発光ダイオードチップ及び他の電気的接続部20はワイヤボンディング(wire bonding)技術により電気的な接続が形成されるが、これは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれに限定されるわけではない、発光ダイオードチップは、他の電気的接続部20を介して必要な他の電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置に電気的に接続されてもよい。
図3Cは本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の第一電気的接続部を示す断面拡大図であり、図3Dは本考案の第1実施形態による発光ダイオード基底構造の第二電気的接続部を示す断面拡大図である。
図3Cに示すように、電気的接続部20は反射ベース40内に埋入される部分が、更に押圧加工方式により電気的接続部20の反射ベース40内に埋入される端部に凹凸状が形成される。相対的に、他の電気的接続部20は反射ベース40内に埋入される部分が、押圧加工方式により電気的接続部20の反射ベース40内に埋入される端部に凹凸状が形成される。
なお、図3Dに示すように、電気的接続部20は反射ベース40内に埋入される部分が、更に押圧加工方式により電気的接続部20の反射ベース40内に埋入される端部にY字形状が形成される。相対的に、他の電気的接続部20は反射ベース40内に埋入される部分が、押圧加工方式により電気的接続部20の反射ベース40内に埋入される端部にY字形状が形成される。
上述の電気的接続部20の反射ベース40内に埋入される端部に形成される形状は上述の説明のものに制限されず、本考案の電気的接続部20の一部が反射ベース40内に埋入される部分に形成される形状は鋸の歯状や球状等でもよい。
電気的接続部20の反射ベース40内に埋入される部分に凹凸状、鋸の歯状、Y字形状等が製造されることで、反射ベース40が絶縁基板10に固定される固定力が提供される。
(第2実施形態)
以下、本考案の第2実施形態について、図4乃至図5Dを参照しながら説明する。図4は本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。
本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造は、2つの金属基板50と、2つの固定部30と、第一電気的接続部60と、第二電気的接続部70と、反射ベース40とを備える。互いに隔絶される金属基板50には固定部30がそれぞれ形成され、金属基板50の内の何れか1つの表面には第一電気的接続部60が形成され、金属基板50の他の表面には第二電気的接続部70が形成される。
上述の金属基板50、固定部30、第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70の材質は導電性が良好な金属材質或いは合金材質であり、例えば、金、鉄、銅、鋼等である。これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
次に、図5Aは本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図であり、図5Bは本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
固定部30は、押圧加工方式により固定部30の上部31の断面積が固定部30の底部32の断面積より大きくなるように製造される(図5A及び図5B参照)。
図5Aでは、固定部30の上部31の断面形状は凹凸状であり、図5Bでは、固定部30の上部31の断面形状はW字形状であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の固定部30の上部31の断面形状がこれらに制限されるわけではなく、本考案の固定部30の上部31の断面形状は鋸の歯状や球状等でもよい。
さらに、図4に示すように、射出成形方式により中空領域41を有する反射ベース40が製造され、反射ベース40が金属基板50、固定部30、第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70を被覆させて連結させると共に金属基板50とは絶縁され、且つ第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70の一部が反射ベース40の中空領域41に露出される。
固定部30の上部31(図5A及び図5B参照)の断面積が固定部30の底部32(図5Aまたは図5B参照)の断面積より大きいため、反射ベース40が金属基板50に固定される固定力が更に提供され、且つ本考案に係る発光ダイオード基底構造が製造される。
上述の反射ベース40の材質はポリカーボネート、ポリフタラミド或いは発光ダイオード基底構造の反射ベースによく使用される他の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
また、発光ダイオードチップ(図示せず)は第一電気的接続部60或いは第二電気的接続部70に固着され、発光ダイオードチップは第一電気的接続部60或いは第二電気的接続部70を介して必要な電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置(図示せず)に電気的に接続される。
発光ダイオードチップ及び第二電気的接続部70或いは第一電気的接続部60はワイヤボンディング(wire bonding)技術により電気的な接続が形成されるが、これは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれに限定されるわけではない。
発光ダイオードチップは第二電気的接続部70或いは第一電気的接続部60を介して必要な他の電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置に電気的に接続されてもよい。
図5Cは本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の第一電気的接続部を示す断面拡大図である。図5Dは本考案の第2実施形態による発光ダイオード基底構造の第二電気的接続部を示す断面拡大図である。
図5Cに示すように、第一電気的接続部60は反射ベース40内に埋入される部分が、更に押圧加工方式により第一電気的接続部60の反射ベース40内に埋入される端部に凹凸状が形成される。相対的に、第二電気的接続部70は反射ベース40内に埋入される部分が、押圧加工方式により第二電気的接続部70の反射ベース40内に埋入される端部に凹凸状が形成される。
図5Dに示すように、第二電気的接続部70は反射ベース40内に埋入される部分が、更に押圧加工方式により第二電気的接続部70の反射ベース40内に埋入される端部にY字形状が形成される。相対的に、第一電気的接続部60は反射ベース40内に埋入される部分が、押圧加工方式により第一電気的接続部60の反射ベース40内に埋入される端部にY字形状が形成される。
上述の第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70の反射ベース40内に埋入される端部に形成される形状は上述の説明のものに制限されず、本考案の第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70の反射ベース40内に埋入される端部に形成される形状は、鋸の歯状や球状等でもよい。
第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70の反射ベース40内に埋入される部分が凹凸状、鋸の歯状、Y字形状等に製造されることで、反射ベース40が絶縁基板10に固定される固定力が更に提供される。
(第3実施形態)
以下、第3実施形態を図6〜7Bに基づいて説明する。まず、図6は本考案の第3実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。
本考案の第3実施形態による発光ダイオード基底構造は、2つの金属基板50と、2つの固定部30と、第一電気的接続部60と、第二電気的接続部70と、反射ベース40とを備える。
互いに隔絶される金属基板50の内の何れか1つの表面には第一電気的接続部60が形成され、金属基板50の他の表面には第二電気的接続部70が形成され、第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70には固定部30がそれぞれ形成される。
上述の金属基板50、固定部30、第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70の材質は導電性の好ましい金属材質或いは合金材質であり、例えば、金、鉄、銅、鋼等であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
続いて、図7Aは本考案の第3実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図であり、図7Bは本考案の第3実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
固定部30は、押圧加工方式により固定部30の上部31の断面積が固定部30の底部32の断面積より大きくなるように製造される(図7A及び図7B参照)。
図7Aでは、固定部30の上部31の断面形状は凹凸状であり、図7Bでは、固定部30の上部31の断面形状はW字形状であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の固定部30の上部31の断面形状がこれらに限定されるわけではなく、本考案の固定部30の上部31の断面形状は、鋸の歯状や球状等でもよい。
図6によれば、射出成形方式により中空領域41を有する反射ベース40が製造され、反射ベース40は固定部30、第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70を被覆させて連結させると共に金属基板50とは絶縁され、且つ第一電気的接続部60及び第二電気的接続部70の一部が反射ベース40の中空領域41に露出される。
固定部30の上部31(図7A及び図7B参照)の断面積が固定部30の底部32(図7A及び図7B参照)の断面積より大きいため、反射ベース40が絶縁基板10に固定される結合力が更に提供され、且つ本考案に係る発光ダイオード基底構造が製造される。
上述の反射ベース40の材質はポリカーボネート、ポリフタラミド或いは発光ダイオード基底構造の反射ベースによく使用される他の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
発光ダイオードチップ(図示せず)は第一電気的接続部60或いは第二電気的接続部70に固着され、発光ダイオードチップは第一電気的接続部60或いは第二電気的接続部70を介して必要な電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置(図示せず)に電気的に接続される。
発光ダイオードチップ及び第二電気的接続部70或いは第一電気的接続部60はワイヤボンディング(wire bonding)技術により電気的な接続が形成されるが、これは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれに限定されるわけではない。
発光ダイオードチップは第二電気的接続部70或いは第一電気的接続部60を介して必要な他の電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置に電気的に接続される。
上述のように、本考案と先行技術との間の差異は、絶縁基板、金属基板或いは第一電気的接続部及び第二電気的接続部に固定部がそれぞれ形成され、固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きく、反射ベースの形成時に、固定部が反射ベース内に埋入されて反射ベースの固定に使用される点である。
また、この技術手段により先行技術に存在する、絶縁基板に反射ベースを固定させる製造工程が複雑過ぎる、或いは製造工程の効率が不足するという問題を解決させ、固定部により反射ベースと基板との間の結合力が高まるという技術効果を更に達成させる。
上述の実施形態は本考案の技術思想及び特徴を説明するためのものにすぎず、当該技術分野を熟知する者に本考案の内容を理解させると共にこれをもって実施させることを目的とし、本考案の請求の範囲を限定するものではない。従って、本考案の精神を逸脱せずに行う各種の同様の効果をもつ改良又は変更は、後述の請求項に含まれるものとする。
10 絶縁基板
11 第一表面
12 第二表面
13 貫通孔
20 電気的接続部
30 固定部
31 上部
32 底部
40 反射ベース
41 中空領域
50 金属基板
60 第一電気的接続部
70 第二電気的接続部

Claims (12)

  1. 第一表面及び第二表面を有し、且つ前記第一表面及び前記第二表面を貫通させる複数の貫通孔を有する絶縁基板と、
    前記第一表面に電気的に隔絶されるように設置されると共に前記貫通孔を通過して前記第二表面にそれぞれ延伸される2つの電気的接続部と、
    前記絶縁基板の前記第一表面に形成され、前記電気的接続部の外側に周設されると共に前記電気的接続部とは互いに隔絶され、且つ上部の断面積が底部の断面積より大きい固定部と、
    前記第一表面に形成され、中空領域を有し、前記固定部が内側に埋入され、且つ前記電気的接続部の一部が前記中空領域に露出される反射ベースと、を備えることを特徴とする、
    発光ダイオード基底構造。
  2. 前記電気的接続部の一部が更に前記反射ベース内に埋入され、且つ前記電気的接続部の前記反射ベースに埋入される部分は、更に押圧加工方式により、前記電気的接続部の前記反射ベース内に埋入される端部に凹凸状、鋸の歯状及びY字形状の内の何れか1つが形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード基底構造。
  3. 前記固定部は金属材質で製造され、且つ前記固定部の上部は押圧加工方式により製造され、前記固定部の上部の断面積が前記固定部の底部の断面積より大きくなることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード基底構造。
  4. 前記固定部の上部の断面形状は凹凸状、鋸の歯状及びW字形状を含むことを特徴とする、請求項3に記載の発光ダイオード基底構造。
  5. 前記絶縁基板はアルミナセラミックス基板、窒化アルミニウムセラミックス基板及びプリント回路基板(Printed circuit board、PCB)を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード基底構造。
  6. 互いに隔絶される2枚の金属基板と、
    前記金属基板にそれぞれ形成され、且つ上部の断面積が底部の断面積より大きい2つの固定部と、
    前記金属基板の内の何れか1つの表面に形成され、且つ前記固定部の内の何れか1つとは互いに隔絶される第一電気的接続部と、
    前記金属基板の他の表面に形成されると共に他の前記固定部とは互いに隔絶される第二電気的接続部と、
    中空領域を有し、前記金属基板、前記固定部、前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部を被覆させて連結させると共に前記金属基板とは絶縁され、且つ前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部の一部が前記中空領域に露出される反射ベースと、を備えることを特徴とする、
    発光ダイオード基底構造。
  7. 前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部の一部は更に前記反射ベース内に埋入され、前記反射ベース内に埋入される前記第一電気的接続部及び前記第二連接部の端部は更に押圧加工方式により、前記第一電気的接続部及び前記第二連接部の前記反射ベース内に埋入される端部に凹凸状、鋸の歯状及びY字形状の内の何れか1つが形成されることを特徴とする、請求項6に記載の発光ダイオード基底構造。
  8. 前記固定部の上部の断面形状は凹凸状、鋸の歯状及びW字形状を含むことを特徴とする、請求項7に記載の発光ダイオード基底構造。
  9. 前記固定部は金属材質で製造され、且つ前記固定部の上部は押圧加工方式により製造され、前記固定部の上部の断面積が前記固定部の底部の断面積より大きくなることを特徴とする、請求項6に記載の発光ダイオード基底構造。
  10. 互いに隔絶される2枚の金属基板と、
    前記金属基板の内の何れか1つの表面に形成される第一電気的接続部と、
    前記金属基板の他の表面に形成される第二電気的接続部と、
    前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部にそれぞれ形成され、且つ上部の断面積が底部の断面積より大きい2つの固定部と、
    中空領域を有し、前記第一電気的接続部、前記第二電気的接続部及び前記固定部を被覆させて連結させると共に前記金属基板とは絶縁され、且つ前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部の一部が前記中空領域に露出される反射ベースと、を備えることを特徴とする、
    発光ダイオード基底構造。
  11. 前記固定部は金属材質で製造され、且つ前記固定部の上部は押圧加工方式により製造され、前記固定部の上部の断面積が前記固定部の底部の断面積より大きくなることを特徴とする、請求項10に記載の発光ダイオード基底構造。
  12. 前記固定部の上部の断面形状は凹凸状、鋸の歯状及びW字形状を含むことを特徴とする、請求項10に記載の発光ダイオード基底構造。
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KR20190094723A (ko) * 2018-02-05 2019-08-14 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치

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