JP3200472B2 - Method for forming thick film pattern on plasma display substrate - Google Patents

Method for forming thick film pattern on plasma display substrate

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネルの製造工程において、電極パターンを有するプラ
ズマディスプレイ基板上に障壁パターンを形成するプラ
ズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION This invention provides a plasma in the manufacturing process of the display panel, relates thick film pattern forming method of the plasma display substrate to form a barrier pattern plug <br/> plasma display substrate having an electrode pattern It is.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、プラズマディスプレイ基板の厚膜
パターン形成方法としては、ガラスやセラミックの基板
上に導体或いは絶縁体用のペーストをスクリーン印刷に
よりパターン状に印刷を行った後にこのペーストを乾
燥、焼成する工程を繰り返して厚膜パターンを形成する
方法が知られている。また、最近では、ガラス等の基板
の上にセラミック材料で厚膜パターンを形成することが
種々の分野で行われてきているが、この場合にも、セラ
ミック材料をバインダー中に分散させてペースト状とし
たものを用い、前記したのと同様にして、スクリーン印
刷により重ね印刷を行った後に乾燥、焼成する工程を繰
り返すことにより厚膜パターンを形成するようにしてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of forming a thick film pattern on a plasma display substrate, a paste for a conductor or an insulator is printed in a pattern on a glass or ceramic substrate by screen printing, and then the paste is dried. There is known a method of forming a thick film pattern by repeating a firing step. Recently, forming a thick film pattern with a ceramic material on a substrate such as glass has been performed in various fields. In this case, too, the ceramic material is dispersed in a binder to form a paste. In the same manner as described above, a thick film pattern is formed by repeating the steps of performing overprinting by screen printing, followed by drying and firing.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来のスクリーン印刷
によりプラズマディスプレイ基板上に厚膜パターンを形
成する方法においては、上述のように複数回のスクリー
ン印刷により重ね刷りをして所定の厚さにする必要があ
るが、この方法では例えば50〜100μmの厚膜を得
るために5〜10回の重ね刷りを必要とし、そのたびご
とに乾燥工程が入ることとなり、その結果として極めて
生産性が悪く歩留りを低下させるという問題点があっ
た。さらに、ペーストの粘度、チクソトロピー等により
パターンの線幅精度が損なわれるという問題点もあっ
た。
In a conventional method of forming a thick film pattern on a plasma display substrate by screen printing, as described above, overprinting is performed by a plurality of times of screen printing to obtain a predetermined thickness. However, this method requires 5 to 10 overprints in order to obtain a thick film of, for example, 50 to 100 μm, each time requiring a drying step, and as a result, the productivity is extremely poor and the yield is low. There was a problem that it reduced. Further, there is a problem that the line width accuracy of the pattern is impaired due to the viscosity of the paste, thixotropy and the like.

【0004】本発明は、このような従来技術の問題点を
解消するために創案されたものであり、生産性を改善し
歩留りを向上させ、かつ良好な線幅精度を得ることので
きるプラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方法
を提供することを目的としている。
The present invention has been made in order to solve such problems of the prior art, and a plasma display capable of improving productivity, improving yield, and obtaining good line width accuracy. It is an object of the present invention to provide a method for forming a thick film pattern on a substrate.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のプラズマディスプレイ基板の厚膜パターン
形成方法は、電極パターンを有するプラズマディスプレ
イ基板上に障壁パターンを形成するパターン形成材料を
予め所定の膜厚で塗布し、その上から耐サンドブラスト
性及びクッション性を有する印刷ペーストを用いて印刷
法により前記電極パターンの間に位置するように所望パ
ターンのサンドブラスト用マスクを形成した後、該サン
ドブラスト用マスクを介してサンドブラスト処理を行う
ことにより、電極パターンを有するプラズマディスプレ
イ基板上に目的とする障壁パターンを得ることを要旨と
する。
To achieve the above object, according to the Invention The thick film pattern forming method of the plasma display substrate of the present invention, a pattern forming material that forms a barrier pattern in a plasma display on a substrate having an electrode pattern It is applied in advance with a predetermined film thickness, and after forming a sand blast mask of a desired pattern so as to be located between the electrode patterns by a printing method using a printing paste having sand blast resistance and cushioning property from above , By performing sandblasting through a sandblast mask, a plasma display having an electrode pattern is formed.
The point is to obtain a desired barrier pattern on a substrate .

【0006】そして、上記の厚膜パターン形成方法にお
いて、障壁パターンを形成するパターン形成材料を10
0μm以上の膜厚で塗布することが好ましいものであ
る。
The above-mentioned thick film pattern forming method is
And the pattern forming material for forming the barrier pattern is 10
It is preferable to apply the coating in a thickness of 0 μm or more .

【0007】[0007]

【作用】上記構成の厚膜パターン形成方法によれば、基
板上に所定の厚さでパターン形成材料を塗布した後、マ
スクを介してサンドブラストにより不要部分を除去する
ことにより、最終的に必要とする厚さのパターンが1回
の操作で形成される。
According to the method for forming a thick film pattern having the above-mentioned structure, after a pattern forming material is applied on a substrate to a predetermined thickness, unnecessary portions are removed by sand blasting through a mask, so that a finally necessary material is obtained. The thickness of the pattern is formed in one operation.

【0008】[0008]

【実施例】実施例について図面を参照して説明する。An embodiment will be described with reference to the drawings.

【0009】図1及び図2は本発明に係るプラズマディ
スプレイ基板の厚膜パターン形成方法の実施例を示す工
程図であり、図1は電極パターンを形成する工程を、図
2はその電極パターンの間に障壁パターンを形成する工
程を示している。
1 and 2 are process diagrams showing an embodiment of a method for forming a thick film pattern on a plasma display substrate according to the present invention. FIG. 1 shows a process for forming an electrode pattern, and FIG. The step of forming a barrier pattern therebetween is shown.

【0010】ここで、本実施例においては、以下に例示
するようにサンドブラスト用マスクを形成する印刷ペー
ストとしてシリコンゴムを使用し、スクリーン印刷によ
りパターン形成した。しかしながら、この選択は本発明
を限定するものではなく、目的とするパターン寸法、パ
ターン形成材料の種類、サンドブラスト処理のマスクと
しての適性、印刷適性等に応じて適切な印刷ペーストを
適宜選択すればよいものである。例えば、耐サンドブラ
スト性を有するウレタン、軟質塩化ビニール等の高分子
材料が考えられる。これらのマスク層の特徴としてブラ
スト処理時に研磨材の衝突を吸収するようクッション性
を有する。
In this embodiment, as shown below, a pattern was formed by screen printing using silicon rubber as a printing paste for forming a sandblasting mask. However, this selection does not limit the present invention, and an appropriate print paste may be appropriately selected according to the target pattern size, the type of the pattern forming material, the suitability as a mask for sandblasting, the printability, and the like. Things. For example, polymer materials such as urethane and soft vinyl chloride having sandblast resistance can be considered. As a feature of these mask layers, they have a cushioning property so as to absorb the collision of the abrasive during the blast processing.

【0011】以下、図1に示す各工程を順を追って説明
する。
Hereinafter, each step shown in FIG. 1 will be described step by step.

【0012】まず、同図の(a)に示すように、ガラス
からなる基板1の上にパターン形成材料である電極ペー
スト2を平板コート法(ブレードコート法)により塗布
しその厚みを20μmとした。本実施例では電極ペース
ト2としてデュポン社製の「Niペースト No.953
5」を用いた。そして、塗布終了後、電極ペースト2中
の有機溶媒を除去するため、基板1ごと100〜160
℃で乾燥を行って次の工程へ供した。
First, as shown in FIG. 1A, an electrode paste 2 which is a pattern forming material is applied on a glass substrate 1 by a flat plate coating method (blade coating method) to a thickness of 20 μm. . In this embodiment, “Ni paste No. 953” manufactured by DuPont was used as the electrode paste 2.
5 "was used. After completion of the application, 100 to 160 of the substrate 1 is removed to remove the organic solvent in the electrode paste 2.
After drying at ℃, it was subjected to the next step.

【0013】上記の平板コート法とは、例えば図3に示
されるような平板コーターCを使用して行うもので、ブ
レード10が薄膜ゲージ11により基板1に対して一定
間隔を保持しながら移動することにより塗布液12によ
る均一な塗布膜を形成する方法である。なお、この平板
コーターCは特開昭63−171666号公報に詳しく
説明されている。
The above-mentioned flat plate coating method is carried out by using a flat plate coater C as shown in FIG. 3, for example, and the blade 10 is moved by the thin film gauge 11 while maintaining a constant interval with respect to the substrate 1. This is a method for forming a uniform coating film using the coating liquid 12. The flat plate coater C is described in detail in JP-A-63-171666.

【0014】次いで、(b)に示すように、印刷ペース
トを用いてスクリーン印刷法により電極パターンに合っ
たサンドブラスト用マスク3を形成した。本実施例では
この印刷ペーストとして東芝シリコーン(株)製の「T
SE−3360(A)」=150部、「TSE−336
0(B)」=100部、住友3M社の「F−170C」
(フッ素系界面活性剤)=0.6部を混合したものを用
いた。そして、電極パターンとしては、線幅100μ
m、ピッチ200μmのライン形状とし、マスク3の膜
厚は20μmとした。
Next, as shown in (b), a sand blast mask 3 matching the electrode pattern was formed by a screen printing method using a printing paste. In this embodiment, “T” manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd. is used as the printing paste.
“SE-3360 (A)” = 150 parts, “TSE-336”
0 (B) ”= 100 copies, Sumitomo 3M“ F-170C ”
(Fluorine-based surfactant) = 0.6 part was used. The electrode pattern has a line width of 100 μm.
m, a line shape having a pitch of 200 μm, and the thickness of the mask 3 was set to 20 μm.

【0015】その後、乾燥工程を経てから、(C)に示
すようにサンドブラスト4による不要部分の除去処理を
行った。ここでは、研磨材として褐色溶融アルミナ#8
00を用い、噴出圧力1kg/cm2 でサンドブラスト
処理を行うことにより、線幅100μm、ピッチ200
μm、高さ20μmの電極5のパターンを得た。
Thereafter, after a drying step, an unnecessary portion was removed by a sand blast 4 as shown in FIG. Here, brown fused alumina # 8 was used as an abrasive.
By performing sandblasting at an ejection pressure of 1 kg / cm 2 using a pressure of 00, a line width of 100 μm and a pitch of 200
A pattern of the electrode 5 having a height of 20 μm was obtained.

【0016】次に、図3に示す工程を順を追って説明す
る。
Next, the steps shown in FIG. 3 will be described step by step.

【0017】まず、同図の(a)に示すように、障壁パ
ターン形成材料としてのセラミック材料6を図1の工程
で得られたパターンの上から前記した平板コート法によ
り塗布し、その厚みを200μmとした。そして、10
0〜160℃で乾燥を行い、次の工程へ供した。
First, as shown in FIG. 1A, a ceramic material 6 as a barrier pattern forming material is applied on the pattern obtained in the step of FIG. 1 by the above-mentioned flat plate coating method, and its thickness is reduced. The thickness was 200 μm. And 10
Drying was performed at 0 to 160 ° C., and the product was subjected to the next step.

【0018】次いで、(b)に示す工程では、前記のマ
スク3と同じ材料を用いて同じくスクリーン印刷によ
り、線幅100μm、ピッチ200μmのラインパター
ンからなる膜厚20μmのサンドブラスト用マスク層7
をパターニングした。このマスク層7のパターンは、電
極パターンの間に位置するように、アライメントを合わ
せた。
Next, in the step shown in FIG. 2B, the same material as that of the mask 3 is used for the screen printing to form a sand blast mask layer 7 having a line pattern of 100 μm and a pitch of 200 μm.
Was patterned. The pattern of the mask layer 7 was aligned so as to be located between the electrode patterns.

【0019】続いて、(c)のサンドブラスト8による
不要部分の除去工程では、研磨材として褐色溶融アルミ
ナ#800を用い、噴出圧力3kg/cm2 でサンドブ
ラスト処理を行うことにより、線幅100μm、ピッチ
200μm、高さ200μmの前記セラミック材料によ
る障壁9のパターンを得た。この際、電極5の上部には
先のマスク3が残っており、これが電極5の表面を保護
しているため、電極5はダメージを受けない。
Subsequently, in the step (c) of removing unnecessary portions by sandblasting 8, brown fused alumina # 800 is used as an abrasive and sandblasting is performed at an ejection pressure of 3 kg / cm 2 to obtain a line width of 100 μm and a pitch of 100 μm. A 200 μm, 200 μm height barrier 9 pattern of the ceramic material was obtained. At this time, the mask 3 remains on the upper part of the electrode 5 and protects the surface of the electrode 5, so that the electrode 5 is not damaged.

【0020】そして、薬品処理にてサンドブラスト用マ
スク3,7を剥離した後、続く(d)に示す工程では、
ピーク温度585℃、保持時間10〜20分の条件で焼
成を行い、前記電極5及び障壁9をガラス基板1上で結
着せしめた。
Then, after the sandblast masks 3 and 7 are peeled off by chemical treatment, in the subsequent step (d),
The firing was performed under the conditions of a peak temperature of 585 ° C. and a holding time of 10 to 20 minutes, so that the electrode 5 and the barrier 9 were bonded on the glass substrate 1.

【0021】以上の工程により線幅100μm、ピッチ
200μm、高さ18μmの電極5の厚膜パターン、及
び線幅100μm、ピッチ200μm、高さ180μm
の障壁9の厚膜パターンが得られた
Through the above steps, a thick film pattern of the electrode 5 having a line width of 100 μm, a pitch of 200 μm and a height of 18 μm, a line width of 100 μm, a pitch of 200 μm and a height of 180 μm
The thick film pattern of the barrier 9 was obtained.

【0022】なお、上記実施例では、サンドブラスト用
マスクの形成にスクリーン印刷を用いたが、これは本発
明を限定するものではなく、例えば凹版オフセット印刷
等の手法も考えられる。
In the above embodiment, screen printing is used to form a sandblast mask. However, this is not a limitation of the present invention. For example, intaglio offset printing may be used.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。
Since the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.

【0024】1回の操作で高さ100μm以上の厚膜パ
ターンが得られるため、これまでのスクリーン印刷法に
よる厚膜パターン形成の積層法に比べ、処理時間が短縮
され歩留りが向上すると共に、位置合わせ等の操作も1
回でよいため、工程の簡略化を図ることができる。さら
に、耐サンドブラスト性に加えてクッション性を有する
印刷ペーストを用いてサンドブラスト用マスクを形成し
たことにより、研磨材の衝突でパターンが破壊されるこ
となく、ブラスト処理を良好に行うことができる。
Since a thick film pattern having a height of 100 μm or more can be obtained by one operation, the processing time is shortened, the yield is improved, and the position is improved as compared with the conventional laminating method of forming a thick film pattern by screen printing. Operation such as alignment is also 1
Since the number of times is sufficient, the process can be simplified. Further
Has cushioning properties in addition to sandblast resistance
Use a printing paste to form a sandblasting mask
The pattern is destroyed by the abrasive collision.
In addition, blast processing can be performed favorably.

【0025】また、マスクを介してのサンドブラスト処
理により厚膜パターンの輪郭が形成されるので、従来の
ものに比べて線幅鮮度が良好となり、高精細パターン及
び基板の大型化への対応が可能となる。
Further, since the contour of the thick film pattern is formed by sandblasting through a mask, the line width freshness is better than that of the conventional one, and it is possible to cope with a high definition pattern and an increase in the size of the substrate. Becomes

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るプラズマディスプレイ基板の厚膜
パターン形成方法の実施例である電極パターン形成の工
程図である。
FIG. 1 is a process diagram of an electrode pattern formation which is an embodiment of a method of forming a thick film pattern of a plasma display substrate according to the present invention.

【図2】同じく障壁パターン形成の工程図である。FIG. 2 is a process chart of forming a barrier pattern.

【図3】平板コーターの一例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an example of a flat coater.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 電極ペースト(パターン形成材料) 3 サンドブラスト用マスク 4 サンドブラスト 5 電極 6 セラミック材料(パターン形成材料) 7 サンドブラスト用マスク 8 サンドブラスト 9 障壁 C 平板コーター DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Electrode paste (pattern forming material) 3 Sandblast mask 4 Sandblast 5 Electrode 6 Ceramic material (pattern forming material) 7 Sandblast mask 8 Sandblast 9 Barrier C Flat plate coater

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−58438(JP,A) 特開 昭51−142670(JP,A) 特開 昭63−147885(JP,A) 特開 昭63−114879(JP,A) 特開 平3−11525(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 9/02 H01J 17/04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-4-58438 (JP, A) JP-A-51-142670 (JP, A) JP-A-63-147885 (JP, A) JP-A-63-147885 114879 (JP, A) JP-A-3-11525 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 9/02 H01J 17/04

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電極パターンを有するプラズマディスプ
レイ基板上に障壁パターンを形成するパターン形成材料
を予め所定の膜厚で塗布し、その上から耐サンドブラス
ト性及びクッション性を有する印刷ペーストを用いて印
刷法により前記電極パターンの間に位置するように所望
パターンのサンドブラスト用マスクを形成した後、該サ
ンドブラスト用マスクを介してサンドブラスト処理を行
うことにより、電極パターンを有するプラズマディスプ
レイ基板上に目的とする障壁パターンを得ることを特徴
とするプラズマディスプレイ基板の厚膜パターン形成方
法。
1. A printing method in which a pattern forming material for forming a barrier pattern is applied to a plasma display substrate having an electrode pattern in a predetermined thickness in advance, and a sandblast-resistant and cushioning printing paste is applied thereon. Forming a sand blast mask of a desired pattern so as to be located between the electrode patterns , and then performing a sand blasting process through the sand blast mask to thereby form a plasma display having an electrode pattern.
A method for forming a thick film pattern on a plasma display substrate , wherein a desired barrier pattern is obtained on a ray substrate .
【請求項2】 障壁パターンを形成するパターン形成材
料を100μm以上の膜厚で塗布することを特徴とする
請求項1に記載のプラズマディスプレイ基板の厚膜パタ
ーン形成方法。
2. A pattern forming material for forming a barrier pattern.
Characterized in that the coating material is applied in a film thickness of 100 μm or more.
The method for forming a thick film pattern on a plasma display substrate according to claim 1 .
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