JP3196379B2 - 多層ｔａｂテープ - Google Patents
多層ｔａｂテープInfo
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子のテープキャリアパッケージ（Tape Carrier Pac
kage）収納の際に利用される多層ＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）テープに関する。
体素子のテープキャリアパッケージ（Tape Carrier Pac
kage）収納の際に利用される多層ＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子はま
すます高集積化し、その端子数が増大しつつあるので、
端子数の増大に対処できる電気回路の接続手段が要望さ
れている。このような要望を満たすために、ＴＡＢテー
プを用いた接続方法が実用化されている。リードフレー
ムの厚さが150 μｍ程度であるのに比して、ＴＡＢリー
ドの厚さは35μｍ程度であり、ワイヤボンディング法に
比較してＴＡＢ方式の方がより狭ピッチ, 多ピン化を実
現できるといえる。
すます高集積化し、その端子数が増大しつつあるので、
端子数の増大に対処できる電気回路の接続手段が要望さ
れている。このような要望を満たすために、ＴＡＢテー
プを用いた接続方法が実用化されている。リードフレー
ムの厚さが150 μｍ程度であるのに比して、ＴＡＢリー
ドの厚さは35μｍ程度であり、ワイヤボンディング法に
比較してＴＡＢ方式の方がより狭ピッチ, 多ピン化を実
現できるといえる。
【０００３】図12は、従来のＴＡＢテープを用いた接続
態様を示す断面図である。ベースフィルム51及び接着剤
52を部分的に除去したＴＡＢテープの各ＴＡＢリード53
の端部（インナーリード）が、ＬＳＩ60の辺縁部上方に
位置決めされ、その端部とＬＳＩ60とがAuバンプ54によ
り接続されている。
態様を示す断面図である。ベースフィルム51及び接着剤
52を部分的に除去したＴＡＢテープの各ＴＡＢリード53
の端部（インナーリード）が、ＬＳＩ60の辺縁部上方に
位置決めされ、その端部とＬＳＩ60とがAuバンプ54によ
り接続されている。
【０００４】上述したような従来のＴＡＢテープにあっ
ては、多層化構造とすることが難しいため、インダクタ
ンス，電気的雑音などの電気特性が悪いという難点があ
った。
ては、多層化構造とすることが難しいため、インダクタ
ンス，電気的雑音などの電気特性が悪いという難点があ
った。
【０００５】この対策として近年図13に示す如き多層Ｔ
ＡＢテープが提案されている。図13(a) は従来の多層Ｔ
ＡＢテープの平面図、図13(b) は図13(a) のｂ−ｂ線に
よる拡大断面図である。この従来の多層ＴＡＢテープに
あっては、Cu製のＴＡＢリード61の先端部 (インナーリ
ード) 下にポリイミドフィルム62を介在させて同じくCu
製の接地層63を構成し、接地層63の辺縁部を所定のＴＡ
Ｂリード61に接合させて構成されている。
ＡＢテープが提案されている。図13(a) は従来の多層Ｔ
ＡＢテープの平面図、図13(b) は図13(a) のｂ−ｂ線に
よる拡大断面図である。この従来の多層ＴＡＢテープに
あっては、Cu製のＴＡＢリード61の先端部 (インナーリ
ード) 下にポリイミドフィルム62を介在させて同じくCu
製の接地層63を構成し、接地層63の辺縁部を所定のＴＡ
Ｂリード61に接合させて構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしこのような従来
の多層ＴＡＢテープではテープの一部分にエッチングに
より孔を形成し、その後メッキ法等によって接地層63を
形成しているため２層以上に多層化することは難しく電
気的雑音の改善に限界があり、また放熱効果も不十分で
ある等の問題があった。
の多層ＴＡＢテープではテープの一部分にエッチングに
より孔を形成し、その後メッキ法等によって接地層63を
形成しているため２層以上に多層化することは難しく電
気的雑音の改善に限界があり、また放熱効果も不十分で
ある等の問題があった。
【０００７】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、電源用, 接地層用夫々に使い分け可能な２つの
金属板を備え、しかもこれらを電気的接続部材にてＴＡ
Ｂリードに接続させることにより、電気雑音，放熱特性
を大幅に改善できる多層ＴＡＢテープを提供することを
目的とする。
であり、電源用, 接地層用夫々に使い分け可能な２つの
金属板を備え、しかもこれらを電気的接続部材にてＴＡ
Ｂリードに接続させることにより、電気雑音，放熱特性
を大幅に改善できる多層ＴＡＢテープを提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る多層ＴＡＢ
テープは、絶縁材に形成された貫通孔にその両端部を前
記絶縁材の両面から露出させた状態で導電体を埋設した
構成をなす１または複数の電気的接続部材における前記
導電体の一方の露出部を、ＴＡＢリードの両面に接して
配設させ、前記電気的接続部材の他方の露出部に接して
平面状の１または複数の金属層を設け、前記ＴＡＢリー
ドと前記金属板とを前記電気的接続部材により電気的に
接続させた構造を有することを特徴とする。
テープは、絶縁材に形成された貫通孔にその両端部を前
記絶縁材の両面から露出させた状態で導電体を埋設した
構成をなす１または複数の電気的接続部材における前記
導電体の一方の露出部を、ＴＡＢリードの両面に接して
配設させ、前記電気的接続部材の他方の露出部に接して
平面状の１または複数の金属層を設け、前記ＴＡＢリー
ドと前記金属板とを前記電気的接続部材により電気的に
接続させた構造を有することを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明にあっては、ＴＡＢリードの両側に夫々
金属板をこれと一体的に固定した電気的接続部材を介在
させて固定することとしてあるから、パッケージングの
工程が簡略化されることは勿論、両側の金属板が信号線
用のＴＡＢリードを挟むことでノイズ特性が向上し、ま
た金属板が放熱機能をもつため、放熱効果も向上する。
金属板をこれと一体的に固定した電気的接続部材を介在
させて固定することとしてあるから、パッケージングの
工程が簡略化されることは勿論、両側の金属板が信号線
用のＴＡＢリードを挟むことでノイズ特性が向上し、ま
た金属板が放熱機能をもつため、放熱効果も向上する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。図１は本発明に係る多層ＴＡＢ
テープの断面図であり、図中１はＴＡＢリード、２，３
は積層体を示している。ＴＡＢリード１はCu又はCu合金
製であって表面にAuメッキを施されており先端部分（イ
ンナーのリード）は相互の間に所定の間隔を隔てて対向
され、また基端部分（アウタリード）は図示しないタイ
バーにて相互に連結された状態となっている。一方各積
層体２，３は金属板（電源層又は接地層として用いられ
る）21,31 と電気的接続部材22,32 とを夫々一体的に固
定して構成されており、ＴＡＢリード１の両側に夫々電
源線，接地線と接続された状態で一体的に固定された構
造となっている。６はＴＡＢ基材たる絶縁フィルムであ
り、ＴＡＢリード１の先端部分，基端部分を除く中間部
分の片面に位置している。
いて具体的に説明する。図１は本発明に係る多層ＴＡＢ
テープの断面図であり、図中１はＴＡＢリード、２，３
は積層体を示している。ＴＡＢリード１はCu又はCu合金
製であって表面にAuメッキを施されており先端部分（イ
ンナーのリード）は相互の間に所定の間隔を隔てて対向
され、また基端部分（アウタリード）は図示しないタイ
バーにて相互に連結された状態となっている。一方各積
層体２，３は金属板（電源層又は接地層として用いられ
る）21,31 と電気的接続部材22,32 とを夫々一体的に固
定して構成されており、ＴＡＢリード１の両側に夫々電
源線，接地線と接続された状態で一体的に固定された構
造となっている。６はＴＡＢ基材たる絶縁フィルムであ
り、ＴＡＢリード１の先端部分，基端部分を除く中間部
分の片面に位置している。
【００１１】図２(a) は積層体２の斜視図、図２(b) は
図２(a) のｂ−ｂ線による積層体２の断面図、図３(a)
は同じく積層体３の斜視図、図３(b) は同じく図３(a)
のｂ−ｂ線による積層体３の断面図である。このような
積層体２，３は全体として矩形状をなし、中央部にはＬ
ＳＩ10チップよりも大きい同様の矩形をなす開口部2a,3
a が設けられ、また外周縁部にはＴＡＢリード１と位置
合わせしたとき、夫々電源用又は接地用の各特定のＴＡ
Ｂリード１と対向する位置に複数の突起部2b,3b が形成
されている。なおこの突起部2b,3b はＴＡＢリード１と
積層体２，３とを位置合わせする際に位置決め用のガイ
ドとして用いられる。
図２(a) のｂ−ｂ線による積層体２の断面図、図３(a)
は同じく積層体３の斜視図、図３(b) は同じく図３(a)
のｂ−ｂ線による積層体３の断面図である。このような
積層体２，３は全体として矩形状をなし、中央部にはＬ
ＳＩ10チップよりも大きい同様の矩形をなす開口部2a,3
a が設けられ、また外周縁部にはＴＡＢリード１と位置
合わせしたとき、夫々電源用又は接地用の各特定のＴＡ
Ｂリード１と対向する位置に複数の突起部2b,3b が形成
されている。なおこの突起部2b,3b はＴＡＢリード１と
積層体２，３とを位置合わせする際に位置決め用のガイ
ドとして用いられる。
【００１２】積層体２は金属板21と電気的接続部材22
と、また積層体３は金属板31と電気的接続部材32とを夫
々製造段階から相互に一体的に構成されている。積層体
２を構成する金属板21と電気的接続部材22とは実質的に
同形に形成され、また積層体３を構成する金属板31も前
記金属板21と同形に形成されているが、電気的接続部材
32はＴＡＢリード１と位置合わせされたときＴＡＢ基材
たる絶縁フィルム６が形成されている部分を避ける態様
で形成されている。即ち積層体３における電気的接続部
材32は図３に示す如く外周縁の突起部3bを含む周辺部及
び内周縁の開口部3a周辺にのみ形成されている。
と、また積層体３は金属板31と電気的接続部材32とを夫
々製造段階から相互に一体的に構成されている。積層体
２を構成する金属板21と電気的接続部材22とは実質的に
同形に形成され、また積層体３を構成する金属板31も前
記金属板21と同形に形成されているが、電気的接続部材
32はＴＡＢリード１と位置合わせされたときＴＡＢ基材
たる絶縁フィルム６が形成されている部分を避ける態様
で形成されている。即ち積層体３における電気的接続部
材32は図３に示す如く外周縁の突起部3bを含む周辺部及
び内周縁の開口部3a周辺にのみ形成されている。
【００１３】図４は積層体２，３の作成過程を示す説明
図であり、図３(a) に示す如くCu又はCu合金製の金属板
(銅箔)21 ( 又は31) の表面にポリイミド樹脂等で構成
された絶縁材 (厚さ10μm 程度) 22a(又は32a)を接着剤
にて接着し、またはポリイミド樹脂をスピンコートにて
所定の厚さに塗布する。次に図４(b) に示す如く絶縁層
22a(又は32a)の適所にエキシマレーザにより、またはフ
ォトリソグラフィーエッチング技術により貫通孔22c(又
は32c)を形成し、この貫通孔22c(又は32c)に金属板21(
又は31) を負電極として金属電解メッキを行って図４
(c) に示す如くCu,Au 等の金属製の導電体22b(又は32b)
を充填し、最後にこれを図２又は図３に示す如く目的と
する大きさ, 形状に金型を用いて型抜加工を施して製作
される。なお接着剤はＬＳＩパッケージの使用段階にお
いて不純物として作用し、電気的接続不良の原因となる
他、エレクトロマイグレーションを誘発するおそれがあ
るので、導電体22b(又は32b)の接合力にて十分な接合強
度が得られる場合には、接着剤を塗布しない方がよい。
図であり、図３(a) に示す如くCu又はCu合金製の金属板
(銅箔)21 ( 又は31) の表面にポリイミド樹脂等で構成
された絶縁材 (厚さ10μm 程度) 22a(又は32a)を接着剤
にて接着し、またはポリイミド樹脂をスピンコートにて
所定の厚さに塗布する。次に図４(b) に示す如く絶縁層
22a(又は32a)の適所にエキシマレーザにより、またはフ
ォトリソグラフィーエッチング技術により貫通孔22c(又
は32c)を形成し、この貫通孔22c(又は32c)に金属板21(
又は31) を負電極として金属電解メッキを行って図４
(c) に示す如くCu,Au 等の金属製の導電体22b(又は32b)
を充填し、最後にこれを図２又は図３に示す如く目的と
する大きさ, 形状に金型を用いて型抜加工を施して製作
される。なお接着剤はＬＳＩパッケージの使用段階にお
いて不純物として作用し、電気的接続不良の原因となる
他、エレクトロマイグレーションを誘発するおそれがあ
るので、導電体22b(又は32b)の接合力にて十分な接合強
度が得られる場合には、接着剤を塗布しない方がよい。
【００１４】図２，図３に示す積層体２，３にあって
は、その各突起部2b,3b 及び開口部2a,3a の周縁部にの
み導電体22b,32b が１又は複数個づつ形成されている。
この様な積層体２，３における導電体22b(又は32b)とＴ
ＡＢリード１との接合は、例えばこれらがCu製の場合は
抵抗溶接法によるのが最も好ましい。
は、その各突起部2b,3b 及び開口部2a,3a の周縁部にの
み導電体22b,32b が１又は複数個づつ形成されている。
この様な積層体２，３における導電体22b(又は32b)とＴ
ＡＢリード１との接合は、例えばこれらがCu製の場合は
抵抗溶接法によるのが最も好ましい。
【００１５】図５は図１, 図２, 図３に示した多層ＴＡ
Ｂテープを用いて構成したＬＳＩ10のプラスチックパッ
ケージ(QFP) を示す断面図であり、ＴＡＢリード１の先
端部(インナーリード) 上面 (又は下面) にＬＳＩ10をA
uバンプ1aを介在させて配置し、全体を樹脂５にて一体
的にモールドしてある。なお、Auバンプ1aは多層ＴＡＢ
テープとしてＴＡＢリード１の先端部表面に付着してお
くが、ＬＳＩ10の下面に予め付着させておいてもよい。
このような実施例にあっては、ＬＳＩ電極接続位置と金
属板21,31 と同一平面上に位置させることが可能とな
り、製作工程の簡略化が図れる効果がある。
Ｂテープを用いて構成したＬＳＩ10のプラスチックパッ
ケージ(QFP) を示す断面図であり、ＴＡＢリード１の先
端部(インナーリード) 上面 (又は下面) にＬＳＩ10をA
uバンプ1aを介在させて配置し、全体を樹脂５にて一体
的にモールドしてある。なお、Auバンプ1aは多層ＴＡＢ
テープとしてＴＡＢリード１の先端部表面に付着してお
くが、ＬＳＩ10の下面に予め付着させておいてもよい。
このような実施例にあっては、ＬＳＩ電極接続位置と金
属板21,31 と同一平面上に位置させることが可能とな
り、製作工程の簡略化が図れる効果がある。
【００１６】なお、積層体２，３の金属板21,31 、ＴＡ
Ｂリード１の表面であって、ワイヤボンディングを行う
部分には予めワイヤボンディング前にAu，Ag，Al等の金
属薄膜をメッキ, 蒸着, スパッタリング等の手段にて形
成しておく。
Ｂリード１の表面であって、ワイヤボンディングを行う
部分には予めワイヤボンディング前にAu，Ag，Al等の金
属薄膜をメッキ, 蒸着, スパッタリング等の手段にて形
成しておく。
【００１７】図６(a) は本発明に係る多層ＴＡＢテープ
に用いる積層体の他の例を示す斜視図，図６(b) は同じ
く図６(a) のｂ−ｂ線による断面図である。図６(a) に
示す積層体２（又は３）にあっては、その電気的接続部
材22（又は32) の外周縁部及び内周縁部（ハッチングを
付した部分）夫々にＴＡＢリード１の間隔よりも狭い間
隔で多数の導電体22b(又は32b)を設けてある。このよう
な構成とすることでＴＡＢリード１と積層体２（又は
３）との位置合せの自由度が大きくなる利点を有する。
他の構成は図２，図３に示す積層体２（又は３）の構成
と実質的に同じであり、対応する部分には同じ符号を付
して説明を省略する。
に用いる積層体の他の例を示す斜視図，図６(b) は同じ
く図６(a) のｂ−ｂ線による断面図である。図６(a) に
示す積層体２（又は３）にあっては、その電気的接続部
材22（又は32) の外周縁部及び内周縁部（ハッチングを
付した部分）夫々にＴＡＢリード１の間隔よりも狭い間
隔で多数の導電体22b(又は32b)を設けてある。このよう
な構成とすることでＴＡＢリード１と積層体２（又は
３）との位置合せの自由度が大きくなる利点を有する。
他の構成は図２，図３に示す積層体２（又は３）の構成
と実質的に同じであり、対応する部分には同じ符号を付
して説明を省略する。
【００１８】図７(a) は本発明に係る多層ＴＡＢテープ
に用いる積層体の更に他の例を示す斜視図、図７(b) は
同じく図７(a) のｂ−ｂ線による断面図である。図７
(a) に示す積層体２（又は３）にあっては、その外周縁
及び開口部2a (又は3a) の内周縁に夫々突起部2b,2c(又
は3b,3c)を設けた構成としてある。
に用いる積層体の更に他の例を示す斜視図、図７(b) は
同じく図７(a) のｂ−ｂ線による断面図である。図７
(a) に示す積層体２（又は３）にあっては、その外周縁
及び開口部2a (又は3a) の内周縁に夫々突起部2b,2c(又
は3b,3c)を設けた構成としてある。
【００１９】図８(a) は本発明に係る多層ＴＡＢテープ
を構成する積層体の更に他の例を示す斜視図、図８(b)
は同じく図８(a) のｂ−ｂ線による断面図である。この
例では金属板21 (又は31) には開口部が形成されておら
ず、中央部では電気的接続部材22 (又は32) の絶縁層22
a(又は32a)が矩形状に除去され、ここに金属板21 (又は
31) を露出せしめてある。図８に示す積層体２（又は
３）はその電気的接続部材22 (又は32) の導電体22b(又
は32b)の太さを大きくして、辺縁部及び金属板21(又は3
1) が露出するＬＳＩ10のマウント部分の周縁部に夫々
１個づつ設けた構成としてある。このような構成では導
電体22b(又は32b)の数が少なくて済み、それだけ加工が
容易となる利点が得られる。なお、この実施例では突起
部は形成していない。
を構成する積層体の更に他の例を示す斜視図、図８(b)
は同じく図８(a) のｂ−ｂ線による断面図である。この
例では金属板21 (又は31) には開口部が形成されておら
ず、中央部では電気的接続部材22 (又は32) の絶縁層22
a(又は32a)が矩形状に除去され、ここに金属板21 (又は
31) を露出せしめてある。図８に示す積層体２（又は
３）はその電気的接続部材22 (又は32) の導電体22b(又
は32b)の太さを大きくして、辺縁部及び金属板21(又は3
1) が露出するＬＳＩ10のマウント部分の周縁部に夫々
１個づつ設けた構成としてある。このような構成では導
電体22b(又は32b)の数が少なくて済み、それだけ加工が
容易となる利点が得られる。なお、この実施例では突起
部は形成していない。
【００２０】図９(a) は本発明に係る多層ＴＡＢテープ
を構成する積層体の更に他の例を示す斜視図、図９(b)
は同じく図９(a) のｂ−ｂ線による断面図である。図８
に示す例において、その周縁部に突起部2b (又は3b) を
設けた構成としてある他の構成は図８に示す例と実質的
に同じである。図６，図９に示す実施例は積層体２又は
３のいずれとしても用いられ、また図８，図９に示す実
施例は積層体２として用いられ、ＬＳＩ10は直接金属板
21 (又は31) の中央部に配設される。
を構成する積層体の更に他の例を示す斜視図、図９(b)
は同じく図９(a) のｂ−ｂ線による断面図である。図８
に示す例において、その周縁部に突起部2b (又は3b) を
設けた構成としてある他の構成は図８に示す例と実質的
に同じである。図６，図９に示す実施例は積層体２又は
３のいずれとしても用いられ、また図８，図９に示す実
施例は積層体２として用いられ、ＬＳＩ10は直接金属板
21 (又は31) の中央部に配設される。
【００２１】図10は本発明の他の実施例を示す断面図、
図11は同じくこの実施例を用いて構成したＬＳＩ10のプ
ラスチックパッケージ(QFP) の断面図である。この実施
例にあってはＴＡＢリード１の上面に一体的に固定され
た積層体３はＴＡＢ基材たる絶縁フィルム６をそのまま
絶縁材として利用して電気的接続部材34を構成すると共
に、電源層又は接地層を構成する金属板35はメッキ金属
層にて構成されている。即ち絶縁フィルム６の所定個所
に貫通孔を設け、この貫通孔にCu,Au 等の金属製の導電
体34b を充填して構成してある。他の構成は図１，図
２，図３に示した実施例と実質的に同じであり、対応す
る部分に同じ番号を付して説明を省略する。なお積層体
２についても同様の構成としてよいことは勿論である。
図11は同じくこの実施例を用いて構成したＬＳＩ10のプ
ラスチックパッケージ(QFP) の断面図である。この実施
例にあってはＴＡＢリード１の上面に一体的に固定され
た積層体３はＴＡＢ基材たる絶縁フィルム６をそのまま
絶縁材として利用して電気的接続部材34を構成すると共
に、電源層又は接地層を構成する金属板35はメッキ金属
層にて構成されている。即ち絶縁フィルム６の所定個所
に貫通孔を設け、この貫通孔にCu,Au 等の金属製の導電
体34b を充填して構成してある。他の構成は図１，図
２，図３に示した実施例と実質的に同じであり、対応す
る部分に同じ番号を付して説明を省略する。なお積層体
２についても同様の構成としてよいことは勿論である。
【００２２】このような実施例にあってはＴＡＢ基材で
ある絶縁フィルム６を電気的接続部材34の絶縁材として
利用し、また電源層又は接地層を構成する金属板35とし
てAu，Cu等のメッキ金属層を利用するため、高効率の製
造が可能となる効果を有する。
ある絶縁フィルム６を電気的接続部材34の絶縁材として
利用し、また電源層又は接地層を構成する金属板35とし
てAu，Cu等のメッキ金属層を利用するため、高効率の製
造が可能となる効果を有する。
【００２３】なお上述の実施例において、積層体２，３
の電源層または接地層を構成する金属板21,31 とを夫々
Cu又はCu合金製とし、電気的接続部材22,32 の導電体22
b,32b との接続部分にはAg，AuまたはAl膜を形成してい
るが、この場合に、Ag，AuまたはAlへのCuの拡散を防止
するために、中間層としてNiまたはMo層を設けるように
してもよい。
の電源層または接地層を構成する金属板21,31 とを夫々
Cu又はCu合金製とし、電気的接続部材22,32 の導電体22
b,32b との接続部分にはAg，AuまたはAl膜を形成してい
るが、この場合に、Ag，AuまたはAlへのCuの拡散を防止
するために、中間層としてNiまたはMo層を設けるように
してもよい。
【００２４】またＴＡＢリード１と積層体２，３の金属
板21,31 とをFe−42％Ni合金製としてもよい。更に、上
述の実施例では導電体22b,32b の全部がAuからなるが、
その接合部にのみハンダを被せた構成としてもよい。こ
のような場合にはＴＡＢリード１との接合方法としてハ
ンダリフローが用いられる。
板21,31 とをFe−42％Ni合金製としてもよい。更に、上
述の実施例では導電体22b,32b の全部がAuからなるが、
その接合部にのみハンダを被せた構成としてもよい。こ
のような場合にはＴＡＢリード１との接合方法としてハ
ンダリフローが用いられる。
【００２５】なお上述の各実施例では、ＴＡＢリード１
及び積層体２，３の電気的接続部分にのみAg，Auまたは
Al膜が形成されているが、全表面にメッキ，蒸着，スパ
ッタリング法等によってAu膜を形成するようにしてもよ
い。
及び積層体２，３の電気的接続部分にのみAg，Auまたは
Al膜が形成されているが、全表面にメッキ，蒸着，スパ
ッタリング法等によってAu膜を形成するようにしてもよ
い。
【００２６】本実施例にあってはＴＡＢリードと金属板
21,31 との接合に際し、金属板21,31 の一部を折り曲げ
る等の工程が不要となり、容易に多層ＴＡＢテープを製
造でき、狭ピッチ，多ピン化を実現できる。
21,31 との接合に際し、金属板21,31 の一部を折り曲げ
る等の工程が不要となり、容易に多層ＴＡＢテープを製
造でき、狭ピッチ，多ピン化を実現できる。
【００２７】本実施例では抵抗溶接を用いて接合が可能
であるので、この点からも狭ピッチ，多ピン化を推進さ
せることが可能である。更に、ＴＡＢリード１の信号線
を電源層，接地層の２枚の金属板21,31 にて挟む構成に
なっているので、電気的雑音の低減を図ることができ
る。また、これら上下の金属板21,31 は放熱板としての
役割を果たすことになり、ＬＳＩ10からの熱を放散する
機能が高い。
であるので、この点からも狭ピッチ，多ピン化を推進さ
せることが可能である。更に、ＴＡＢリード１の信号線
を電源層，接地層の２枚の金属板21,31 にて挟む構成に
なっているので、電気的雑音の低減を図ることができ
る。また、これら上下の金属板21,31 は放熱板としての
役割を果たすことになり、ＬＳＩ10からの熱を放散する
機能が高い。
【００２８】
【発明の効果】以上の如く本発明に係る多層ＴＡＢテー
プにあっては、ＴＡＢリードの両面に電源層，接地層を
構成する金属板と電気的接続部材とを一体的に積層構成
した積層体を固定して構成することとしているから、電
源層，接地層夫々を備えることでＩＣ，ＬＳＩパッケー
ジの製造の効率化が図れ、また信号線用のＴＡＢリード
がその両側から金属板にて挟まれることとなって電気的
雑音の大幅な改善が図れ、更に金属板が放熱機能を司る
ことで放熱特性の向上も図れる等本発明は優れた効果を
奏するものである。
プにあっては、ＴＡＢリードの両面に電源層，接地層を
構成する金属板と電気的接続部材とを一体的に積層構成
した積層体を固定して構成することとしているから、電
源層，接地層夫々を備えることでＩＣ，ＬＳＩパッケー
ジの製造の効率化が図れ、また信号線用のＴＡＢリード
がその両側から金属板にて挟まれることとなって電気的
雑音の大幅な改善が図れ、更に金属板が放熱機能を司る
ことで放熱特性の向上も図れる等本発明は優れた効果を
奏するものである。
【図１】本発明に係る多層ＴＡＢテープの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明に係る多層ＴＡＢテープを構成する積層
体の斜視図，断面図である。
体の斜視図，断面図である。
【図３】本発明に係る多層ＴＡＢテープを構成する積層
体の斜視図，断面図である。
体の斜視図，断面図である。
【図４】積層体の製造工程を示す説明図である。
【図５】図１に示す多層ＴＡＢテープを用いて構成した
ＬＳＩのプラスチックパッケージの断面図である。
ＬＳＩのプラスチックパッケージの断面図である。
【図６】積層体の他の例を示す斜視図，断面図である。
【図７】積層体の他の例を示す斜視図，断面図である。
【図８】本発明の他の実施例を示す多層ＴＡＢテープの
斜視図，断面図である。
斜視図，断面図である。
【図９】本発明の他の実施例を示す多層ＴＡＢテープの
斜視図，断面図である。
斜視図，断面図である。
【図１０】本発明の更に他の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図１１】図10に示す多層ＴＡＢテープを用いて構成し
たＬＳＩのプラスチックパッケージの断面図である。
たＬＳＩのプラスチックパッケージの断面図である。
【図１２】従来のＴＡＢテープを示す断面図である。
【図１３】従来の多層ＴＡＢテープを示す断面図であ
る。
る。
１ ＴＡＢリード ２ 積層体 ３ 積層体 ５ 樹脂 10 ＬＳＩ 21 金属板 22 電気的接続部材 22a 絶縁材 22b 導電体 31 金属板 32 電気的接続部材 32a 絶縁材 32b 導電体
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−84689（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−84726（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−335380（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−104310（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−25144（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−196234（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−159013（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−140634（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−96941（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−14934（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/12 H01P 3/00 H01P 5/00
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁材に形成された貫通孔にその両端部
を前記絶縁材の両面から露出させた状態で導電体を埋設
した構成をなす１または複数の電気的接続部材における
前記導電体の一方の露出部を、ＴＡＢリードの両面に接
して配設させ、前記電気的接続部材の他方の露出部に接
して平面状の１または複数の金属層を設け、前記ＴＡＢ
リードと前記金属板とを前記電気的接続部材により電気
的に接続させた構造を有することを特徴とする多層ＴＡ
Ｂテープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32498192A JP3196379B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 多層ｔａｂテープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32498192A JP3196379B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 多層ｔａｂテープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151513A JPH06151513A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3196379B2 true JP3196379B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=18171798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32498192A Expired - Fee Related JP3196379B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 多層ｔａｂテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196379B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016175A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Hitachi Cable Ltd | スティフナ付きｔａｂテープ及びそれを用いた半導体装置 |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP32498192A patent/JP3196379B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06151513A (ja) | 1994-05-31 |
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