JP3196176B2 - Method for manufacturing dissimilar metal bonded probe - Google Patents

Method for manufacturing dissimilar metal bonded probe

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JP3196176B2 JP10372199A JP10372199A JP3196176B2 JP 3196176 B2 JP3196176 B2 JP 3196176B2 JP 10372199 A JP10372199 A JP 10372199A JP 10372199 A JP10372199 A JP 10372199A JP 3196176 B2 JP3196176 B2 JP 3196176B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSIチップ等の
半導体集積回路の電気的諸特性を測定する際に用いられ
るプローブ、特に異なる金属を接合してなる異種金属接
合プローブの製造方法に関する。
[0001] The present invention relates to an LSI chip and the like.
Used to measure the electrical characteristics of semiconductor integrated circuits.
Probes, especially dissimilar metal joints
The present invention relates to a method for manufacturing a combined probe.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のプローブカードに用いられるプロ
ーブは、硬くて弾性の高い金属、例えばタングステンや
ベリリウム銅等が多く用いられる。特に、耐摩耗性に優
れており、直径が数十μmの線材も安価に入手可能なタ
ングステンが用いられることが多く、現在では90%以
上のプローブがタングステンから構成されている。
2. Description of the Related Art Probes used in conventional probe cards are often made of a hard and highly elastic metal such as tungsten or beryllium copper. In particular, tungsten, which is excellent in wear resistance and can be used at a low price even for wires having a diameter of several tens of μm, is often used, and at present 90% or more of the probes are made of tungsten.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、タング
ステンはプローブの素材として非常に優れているが、数
万回のオーダーで電極パッドに接触すると、接触抵抗が
大きくなり、最終的には電気的諸特性の測定が不可能に
なるという問題点を抱えている。
However, tungsten is a very good material for the probe, but when it comes into contact with the electrode pad in the order of tens of thousands of times, the contact resistance increases, and ultimately the electrical characteristics are increased. Measurement becomes impossible.

【0004】これは、電極パッドへの接触時に電極パッ
ドとの間に流れる電流や接触摩擦等に起因するプローブ
の先端の接触部の温度の上昇や、アルミニウムが蒸着さ
れた電極パッドの表面に形成された酸化アルミニウム薄
膜が剥がれて異物としてプローブの接触部に付着し、ア
ルミニウム酸化物が発生付着することが大きな原因と考
えられている。
[0004] This is due to an increase in the temperature of the contact portion at the tip of the probe due to current flowing between the electrode pad and contact friction at the time of contact with the electrode pad, or formation on the surface of the electrode pad on which aluminum is deposited. It is considered that the aluminum oxide thin film is peeled off and adheres to the contact portion of the probe as a foreign matter, and aluminum oxide is generated and adhered to the aluminum film.

【0005】かかる問題は、LSIチップを85℃〜1
50℃に加熱して行うバーンインテストにおいて特に顕
著な問題となっている。
[0005] Such a problem arises when an LSI chip is used at 85 ° C to 1 ° C.
This is a particularly significant problem in a burn-in test performed by heating to 50 ° C.

【0006】現状では、数千回に1回程度、プローブの
接触部を研磨するクリーニング作業を行うことでかかる
問題点を解消している。しかし、LSIチップ等の電気
的諸特性の測定は全自動で行われるようになっているた
め、数千回に1回程度とはいえ、別作業を行うことは問
題である。
At present, such a problem is solved by performing a cleaning operation for polishing the contact portion of the probe about once every several thousand times. However, since the measurement of various electrical characteristics of an LSI chip and the like is performed automatically, it is a problem to perform another operation even once every several thousand times.

【0007】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
であって、より長寿命化することができるとともに、測
定の安定化に寄与する異種金属接合プローブの製造方法
を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances.
The service life can be extended,
Method for Manufacturing Dissimilar Metal Bonded Probe Contributing to Constant Stabilization
It is intended to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係る異種金属接
合プローブの製造方法は、プローブ本体部となるタング
ステンの線材の先端にタングステン以外の金属の線材を
接触させる工程と、前記両線材の接合面に大電流を流し
て、両線材を接合する工程と、前記タングステン以外の
金属を切断し研磨する工程とを有している。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Dissimilar metal contact according to the present invention
The method of manufacturing the combined probe is as follows:
At the end of the stainless steel wire, wire a metal other than tungsten
Contacting, and applying a large current to the joint surface of the two wires
And joining the two wires, and
Cutting and polishing the metal.

【0009】また、前記金属として、パラジウムの合金
やリン青銅又はベリリウム銅を用いることが望ましい。
Also, an alloy of palladium is used as the metal.
It is desirable to use phosphor bronze or beryllium copper.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態に係る
異種金属接合プローブの製造方法によって製造された異
種金属接合プローブの要部の概略的断面図、図2は本発
明の実施の形態に係る異種金属接合プローブの製造方法
の一工程を示す概略的斜視図、図3は本発明の実施の形
態に係る異種金属接合プローブの製造方法の一工程を示
す概略的斜視図、図4は本発明の実施の形態に係る異種
金属接合プローブの製造方法の一工程中におけるタング
ステンの線材とタングステン以外の金属との接合面の概
略的断面図である。
FIG . 1 shows an embodiment of the present invention.
Different types of metal manufactured by different metal bonded probe manufacturing methods
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a main part of a seed metal bonding probe.
Manufacturing method of dissimilar metal bonding probe according to the embodiment of the present invention
FIG. 3 is a schematic perspective view showing one process, and FIG.
1 shows one step of a method for manufacturing a dissimilar metal-bonded probe according to the present invention.
FIG. 4 is a schematic perspective view, and FIG.
Tongue in one step of the manufacturing method of metal bonded probe
Outline of joint surface between stainless wire and metal other than tungsten
It is a schematic sectional drawing.

【0011】本発明の実施の形態に係る異種金属接合プ
ローブの製造方法によって製造された異種金属接合プロ
ーブ100は、それを構成する素材の観点から分ける
と、タングステンからなるプローブ本体部110と、パ
ラジウムの合金からなる接触部120とになる。
[0011] A dissimilar metal joining device according to an embodiment of the present invention.
Dissimilar metal bonding professional manufactured by lobe manufacturing method
The lobe 100 is divided in terms of the materials that make it up.
, A probe body 110 made of tungsten,
The contact portion 120 is made of a radium alloy.

【0012】プローブ本体部110は、異種金属接合プ
ローブ100の大部分を占めるものであり、いわゆるカ
ンチレバータイプや垂直接触式等の任意の形状に形成さ
れている。このプローブ本体部110は、タングステン
のみの場合と3%程度のレニウムを含有したタングステ
ン合金との場合がある。
The probe main body 110 occupies most of the dissimilar metal-bonded probe 100, and is formed in an arbitrary shape such as a so-called cantilever type or vertical contact type. The probe body 110 may be made of only tungsten or a tungsten alloy containing about 3% rhenium.

【0013】一方の接触部120は、プローブ本体部1
10の先端に接合されたものであり、図示しないLSI
チップの電極パッドに接触する部分である。従って、こ
の接触部120は、先端が研磨されて先鋭化されてい
る。
One contact portion 120 is connected to the probe body 1
LSI, not shown, joined to the tip of
This is the part that contacts the electrode pad of the chip. Therefore, the tip of the contact portion 120 is polished and sharpened.

【0014】次に、このような異種金属接合プローブの
製造方法について説明する。まず、プローブ本体部11
0となる部分には、直径が0.08mmのタングステン
(タングステン合金)の線材200を用いる。
Next, a method for manufacturing such a dissimilar metal bonded probe will be described. First, the probe body 11
A wire rod 200 made of tungsten (tungsten alloy) having a diameter of 0.08 mm is used for the part where the diameter becomes zero.

【0015】一方の接触部120になるものとして
は、、導電性が良く、接触抵抗の小さい金属、例えばパ
ラジウム35重量%、プラチナ10重量%、銀30重量
%、金10重量%、銅14重量%、亜鉛1重量%の組成
となるパラジウム合金の線材300を用いる。このパラ
ジウム合金の線材300も直径0.08mmのものを用
いる。このパラジウム合金としては、パリネイ7(商品
名)が優れている。
The contact portion 120 is made of a metal having good conductivity and low contact resistance, for example, 35% by weight of palladium, 10% by weight of platinum, 30% by weight of silver, 10% by weight of gold, and 14% by weight of copper %, And a palladium alloy wire 300 having a composition of 1% by weight of zinc is used. The palladium alloy wire 300 also has a diameter of 0.08 mm. As the palladium alloy, Pareney 7 (trade name) is excellent.

【0016】両線材200、300を例えば一般にスパ
ーウェルダーといわれる低電圧、高電流の溶接機を用い
て接合する。まず、絶縁性を有するできるだけ薄型のセ
ラミックス等からなる一方の突き合わせ治具410の上
端部に形成された溝部411にタングステンの線材20
0を供給する。また、他方の同等の突き合わせ治具42
0の上端部に形成された溝部421にパラジウム合金の
線材300を供給する。
The two wires 200 and 300 are joined using, for example, a low voltage, high current welding machine generally called a super welder. First, a tungsten wire 20 is inserted into a groove 411 formed at the upper end of one butting jig 410 made of ceramics and the like, which is as thin as possible.
Supply 0. Also, the other equivalent butting jig 42
The wire 300 of the palladium alloy is supplied to the groove 421 formed at the upper end of the zero.

【0017】一対の突き合わせ治具410、420は、
前記溶接機の電極510、520の真下において対向し
ている。従って、突き合わせ治具410、420に供給
された2つの線材200、300は、前記電極510、
520の真下において接触する。
A pair of butting jigs 410 and 420
They are opposed directly below the electrodes 510 and 520 of the welding machine. Therefore, the two wires 200, 300 supplied to the butting jigs 410, 420 are connected to the electrodes 510,
Contact just below 520.

【0018】両線材200、300が突き合わされた部
分は、図3に示すように、ガラス管700でカバーして
おき、このガラス管700の内部に非酸化性ガス、例え
ばアルゴンガスArをノズル600から供給する。これ
により、両線材200、300の接合は、非酸化性雰囲
気の下で行われることになる。
As shown in FIG. 3, a portion where the two wires 200 and 300 abut each other is covered with a glass tube 700, and a non-oxidizing gas, for example, argon gas Ar is supplied to the nozzle 600 inside the glass tube 700. Supplied from Thus, the joining of the two wires 200 and 300 is performed in a non-oxidizing atmosphere.

【0019】この状態において、タングステンの線材2
00と、パラジウム合金の線材300とに電極521
0、520をそれぞれ接触させ、5V−1500Aとい
う低電圧、大電流を印加する。
In this state, the tungsten wire 2
00 and the palladium alloy wire 300
0 and 520 are brought into contact with each other, and a low voltage and a large current of 5V-1500A are applied.

【0020】すると、両線材200、300は、一瞬に
して溶着して接合される。両線材200、300の接合
面は、図4に示すようになる。すなわち、タングステン
の線材200の溶融点の方が、パラジウム合金の線材3
00のそれより高いので、パラジウム合金の線材300
が溶融し、タングステンの線材200の切断面に沿うよ
うになる。
Then, the two wires 200 and 300 are instantaneously welded and joined. The joining surface of both wires 200 and 300 is as shown in FIG. That is, the melting point of the tungsten wire 200 is better than the palladium alloy wire 3
00, which is higher than that of palladium alloy wire 300
Melts and follows the cut surface of the tungsten wire 200.

【0021】両線材200、300が接合したならば、
パラジウム合金の線材300をタングステンの線材20
0に1mm程度残った状態で切断する。また、タングス
テンの線材200も適当な位置で切断する。
When the two wires 200 and 300 are joined,
Palladium alloy wire 300 is replaced by tungsten wire 20
Cut with about 1 mm remaining at 0. Also, the tungsten wire 200 is cut at an appropriate position.

【0022】タングステンの線材200に接合したパラ
ジウム合金の線材300を研磨して先鋭化し、異種金属
接合プローブ100の接触部120とする。また、タン
グステンの線材200も異種金属接合プローブ100と
して必要な加工(例えば、折曲、屈曲等)を行なう。こ
れで、異種金属接合プローブ100が完成する。
The palladium alloy wire 300 bonded to the tungsten wire 200 is polished and sharpened to form a contact portion 120 of the dissimilar metal bonding probe 100. Also, the tungsten wire 200 is subjected to necessary processing (for example, bending, bending, etc.) as the dissimilar metal bonding probe 100. Thus, the dissimilar metal bonding probe 100 is completed.

【0023】また、異種金属接合プローブ100として
完成した後に、真空炉において750℃の雰囲気下で6
0分程度加熱してもよい。すると、プローブ本体部11
0のタングステンと、接触部120のパラジウム合金と
の間で相互拡散が生じ、その結果、プローブ本体部11
0と接触部120とがより強固に接合される。
After completion as the dissimilar metal bonding probe 100, the probe is placed in a vacuum furnace at 750.degree.
It may be heated for about 0 minutes. Then, the probe body 11
0 and the palladium alloy of the contact portion 120 cause interdiffusion, and as a result, the probe body 11
0 and the contact portion 120 are more firmly joined.

【0024】また、両線材200、300を突き合わせ
た部分に例えば銀ろう等のろう材の箔片を介在させて、
プローブ本体部110と接触部120とをより強固に接
合させることも可能である。
Further, a foil piece of a brazing material such as silver brazing is interposed at a portion where the two wires 200 and 300 are abutted with each other.
The probe main body 110 and the contact portion 120 can be more firmly joined.

【0025】さらに、両線材200、300の接合の際
には、周囲を非酸化性雰囲気としたが、酸化性雰囲気、
例えば通常の空気内でも可能である。
Further, when the two wires 200 and 300 are joined, the surroundings are made in a non-oxidizing atmosphere.
For example, it is also possible in normal air.

【0026】上述した実施の形態では、パラジウム合金
の線材300を使用したが、リン青銅又はベリリウム銅
の線材であってよい。特に、リン青銅又はベリリウム銅
であれば、より低抵抗であるので、測定の安定化に寄与
する利点がある。
In the above embodiment, the wire 300 made of a palladium alloy is used, but a wire made of phosphor bronze or beryllium copper may be used. In particular, phosphor bronze or beryllium copper has an advantage of contributing to stabilization of measurement because it has lower resistance.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明に係る異種金属接合プローブの製
造方法は、プローブ本体部となるタングステンの線材の
先端にタングステン以外の金属の線材を接触させる工程
と、前記両線材の接合面に大電流を流して、両線材を接
合する工程と、前記タングステン以外の金属を切断し研
磨する工程とを有している。
According to the present invention, a probe for joining dissimilar metals according to the present invention is manufactured.
The fabrication method is based on the tungsten wire material used as the probe body.
A step of contacting a metal wire other than tungsten with the tip
And a large current is applied to the joint surface of the two wires to connect the two wires.
And cutting and polishing a metal other than tungsten.
Polishing step.

【0028】このため、この異種金属接合プローブの製
造方法によって製造された異種金属接合プローブは、大
部分を安価なタングステンで構成し、LSIチップの電
極パッドと接触する接触部のみを導電性がよく、接触抵
抗の小さい金属で構成することができるので、プローブ
として適当な剛性と弾力性とを有し、しかも従来より長
寿命のプローブとすることができる。また、この製造方
法では、タングステンからなる線材と、タイミング以外
の金属からなる線材とを簡単に接合することが可能とな
る。
[0028] For this reason, the production of this dissimilar metal bonding probe
Dissimilar metal bonded probes manufactured by
The part is made of inexpensive tungsten and the power of the LSI chip is
Only the contact part that contacts the pole pad has good conductivity,
Probes can be made of low resistance metal
With appropriate rigidity and elasticity, and longer than before
It can be a long-life probe. Also, this manufacturing method
Method, except for the wire made of tungsten and the timing
Can be easily joined with a wire made of various metals.
You.

【0029】前記金属としてパラジウムの合金、特にパ
ラジウム35重量%、プラチナ10重量%、銀30重量
%、金10重量%、銅14重量%、亜鉛1重量%の組成
の合金を用いると、より導電性と耐酸化性に優れた異種
金属接合プローブとすることができる。特に、前記パラ
ジウムの合金は高価なものであるが、それが使用される
のは、異種金属接合プローブのほんの一部であるので、
コスト的な問題も生じない。
The use of an alloy of palladium as the metal, in particular, an alloy having a composition of 35% by weight of palladium, 10% by weight of platinum, 30% by weight of silver, 10% by weight of gold, 14% by weight of copper and 1% by weight of zinc makes more conductive. It is possible to obtain a dissimilar metal bonding probe having excellent resistance and oxidation resistance. In particular, the palladium alloy is expensive, but it is used only for a small portion of dissimilar metal bonded probes,
There is no cost problem.

【0030】また、パラジウム合金の代わりに、リン青
銅又はベリリウム銅を用いると、より低抵抗であるの
で、測定の安定化に寄与する利点がある。
Further, when phosphor bronze or beryllium copper is used instead of the palladium alloy, the resistance is lower, and thus there is an advantage that the measurement can be stabilized.

【0031】[0031]

【0032】[0032]

【0033】[0033]

【0034】さらに、前記タングステン以外の金属を切
断し研磨する工程の後に、真空中にて加熱することでタ
ングステンとタングステン以外の金属とを相互拡散させ
ることによって、より強固な異種金属接合プローブとす
ることが可能である。
Furthermore, after the step of cutting and polishing the metal other than tungsten, the tungsten and the metal other than tungsten are interdiffused by heating in a vacuum to obtain a stronger dissimilar metal bonding probe. It is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係る異種金属接合プロー
ブの製造方法によって製造された異種金属接合プローブ
の要部の概略的断面図である。
FIG. 1 shows a heterometallic bonding probe according to an embodiment of the present invention .
Metal-bonded probe manufactured by the method of manufacturing
It is a schematic sectional drawing of the principal part of FIG.

【図2】本発明の実施の形態に係る異種金属接合プロー
ブの製造方法の一工程を示す概略的斜視図である。
FIG. 2 is a schematic perspective view showing one step of a method for manufacturing a dissimilar metal bonded probe according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態に係る異種金属接合プロー
ブの製造方法の一工程を示す概略的斜視図である。
FIG. 3 is a schematic perspective view showing one step of a method for manufacturing a dissimilar metal bonded probe according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態に係る異種金属接合プロー
ブの製造方法の一工程中におけるタングステンの線材と
タングステン以外の金属との接合面の概略的断面図であ
る。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a bonding surface between a tungsten wire and a metal other than tungsten during one step of a method for manufacturing a dissimilar metal bonding probe according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 異種金属接合プローブ 110 プローブ本体部 120 接触部 200 タングステンの線材 300 パラジウム合金の線材 REFERENCE SIGNS LIST 100 dissimilar metal bonding probe 110 probe body 120 contact part 200 tungsten wire 300 palladium alloy wire

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽板 雅敏 兵庫県尼崎市西長洲町2丁目5番13号 日本電子材料株式会社内 (72)発明者 樊 利文 兵庫県尼崎市西長洲町2丁目5番13号 日本電子材料株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−319039(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 1/06 - 1/073 H01L 21/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masatoshi Haneita 2-5-13-1 Nishi-Nagasu-cho, Amagasaki-shi, Hyogo Japan Electronic Materials Co., Ltd. (72) Inventor Toshifumi Fan 2-Nishi-Nagasu-cho, Amagasaki-shi, Hyogo No. 5-13 JEOL Co., Ltd. (56) References JP-A-10-319039 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 1/06-1/073 H01L 21/66

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 プローブ本体部となるタングステンの線
材の先端にタングステン以外の金属の線材を接触させる
工程と、前記両線材の接合面に大電流を流して、両線材
を接合する工程と、前記タングステン以外の金属を切断
し研磨する工程とを有することを特徴とする異種金属接
合プローブの製造方法。
1. A tungsten wire serving as a probe body
Contact a metal wire other than tungsten to the tip of the material
Process, and passing a large current to the joining surface of the two wires,
Joining metal and cutting metal other than tungsten
Grinding and polishing.
Manufacturing method of combined probe.
【請求項2】 前記金属として、パラジウムの合金を用
いることを特徴とする請求項1記載の異種金属接合プロ
ーブの製造方法。
2. A palladium alloy is used as the metal.
2. The metal-to-metal bonding system according to claim 1, wherein
The method of manufacturing the probe.
【請求項3】 前記パラジウムの合金は、パラジウム3
5重量%、プラチナ10重量%、銀30重量%、金10
重量%、銅14重量%、亜鉛1重量%の組成であること
を特徴とする請求項2記載の異種金属接合プローブの製
造方法。
3. The palladium alloy according to claim 1, wherein said palladium alloy is palladium 3
5% by weight, platinum 10% by weight, silver 30% by weight, gold 10
% By weight, 14% by weight of copper and 1% by weight of zinc
3. The method for producing a dissimilar metal-bonded probe according to claim 2, wherein
Construction method.
【請求項4】 前記金属として、リン青銅又はベリリウ
ム銅を用いることを特徴とする請求項1記載の異種金属
接合プローブの製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein said metal is phosphor bronze or beryllium.
The dissimilar metal according to claim 1, wherein copper is used.
A method for manufacturing a bonded probe.
【請求項5】 前記タングステンの線材とタングステン
以外の金属の線材との間の接合面に大電流を流して、両
線材を接合する工程を非酸化雰囲気下で行うことを特徴
とする請求項1、2、3又は4記載の異種金属接合プロ
ーブの製造方法。
5. The tungsten wire and tungsten.
A large current is applied to the joint surface between the metal wires other than
The process of joining wires is performed in a non-oxidizing atmosphere
The method for producing a dissimilar metal-bonded probe according to claim 1, 2, 3, or 4 .
【請求項6】 前記タングステン以外の金属を切断し研
磨する工程の後に、真空中にて加熱することでタングス
テンとタングステン以外の金属とを相互拡散させること
を特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載の異種金
属接合プローブの製造方法。
6. A method for cutting and polishing metal other than tungsten.
After the polishing process, the tongue is heated by heating in a vacuum.
Interdiffusion between metal and metals other than tungsten
The method for producing a dissimilar metal-bonded probe according to claim 1, 2, 3, 4, or 5, wherein
JP10372199A 1998-08-24 1999-04-12 Method for manufacturing dissimilar metal bonded probe Expired - Fee Related JP3196176B2 (en)

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