JP3193859B2 - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents
Liquid crystal display device and manufacturing method thereofInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特に薄膜トランジ
スタを用いた液晶表示装置に関する。The present invention particularly relates to a liquid crystal display device using a thin film transistor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７に、周辺駆動回路部を透明基板上に
形成した液晶表示装置の平面模式図を示す。2. Description of the Related Art FIG. 7 is a schematic plan view of a liquid crystal display device in which a peripheral drive circuit is formed on a transparent substrate.
【０００３】図７において、ガラスまたは石英等のから
なる透明基板３１上にゲート駆動回路３２、ソース駆動
回路３３及び薄膜トランジスタアレイ部（以下、ＴＦＴ
アレイ部と称する）２４が形成されている。ＴＦＴアレ
イ部２４には、ゲート駆動回路３２から延びる複数のゲ
ートバスライン１がそれぞれ平行に配線されている。ソ
ース駆動回路３３からは複数のソースバスライン２がゲ
ートバスライン１に直交して配線されている。また、ゲ
ートバスライン１に平行して付加容量共通配線３が配線
されている。２本のゲートバスライン１、ソースバスラ
イン２及び付加容量共通配線３に囲まれた矩形の領域に
は画素及び画素スイッチング素子としての薄膜トランジ
スタ（以下、ＴＦＴと称する）３５が設けられ、付加容
量３７が設けられている。In FIG. 7, a gate drive circuit 32, a source drive circuit 33 and a thin film transistor array (hereinafter referred to as a TFT) are formed on a transparent substrate 31 made of glass or quartz.
24) is formed. In the TFT array section 24, a plurality of gate bus lines 1 extending from the gate drive circuit 32 are wired in parallel. From the source drive circuit 33, a plurality of source bus lines 2 are wired orthogonally to the gate bus lines 1. Further, an additional capacitance common wiring 3 is wired in parallel with the gate bus line 1. A pixel and a thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT) 35 as a pixel switching element are provided in a rectangular area surrounded by the two gate bus lines 1, the source bus line 2, and the additional common line 3. Is provided.
【０００４】ＴＦＴ３５のドレイン電極に接続された画
素電極と、対向基板上の対向電極との間に液晶が封入さ
れ、画素が構成されている。また、付加容量共通配線３
はＴＦＴ基板のコモン転移に接続されているが、付加容
量共通配線３はそれぞれの基板の表示部周辺に設けられ
たコモン転移を導電性樹脂を介して貼り合わせることに
より対向電極と同じ電位の電極に接続されている。この
ような構造とすることによって液晶の容量と並列に付加
容量３７を形成している。A liquid crystal is sealed between a pixel electrode connected to a drain electrode of the TFT 35 and a counter electrode on a counter substrate to form a pixel. In addition, additional capacitance common wiring 3
Is connected to the common transfer of the TFT substrate, and the additional capacitance common wiring 3 is formed by bonding the common transfer provided around the display portion of each substrate via a conductive resin to an electrode having the same potential as the counter electrode. It is connected to the. With such a structure, the additional capacitance 37 is formed in parallel with the capacitance of the liquid crystal.
【０００５】図６は従来の対向基板の構造を示す断面図
である。FIG. 6 is a sectional view showing the structure of a conventional counter substrate.
【０００６】図６において、対向基板は絶縁性の透明基
板１１０、第１電極１１２および対向電極１１６から構
成される。第１電極１１２はＣｒからなり、膜厚は２０
０nm程度である。また、対向電極１１６はインジウム・
スズ酸化膜（以下、ＩＴＯと称する）からなる透明導電
膜によって形成され、膜厚は１００〜１５０nmである。In FIG. 6, the opposing substrate includes an insulating transparent substrate 110, a first electrode 112, and an opposing electrode 116. The first electrode 112 is made of Cr and has a thickness of 20
It is about 0 nm. The counter electrode 116 is made of indium.
It is formed of a transparent conductive film made of a tin oxide film (hereinafter, referred to as ITO), and has a thickness of 100 to 150 nm.
【０００７】従来、対向基板には、アクティブマトリク
ス基板上のＴＦＴへの遮光を目的とし、Ｃｒ等の反射率
の低い金属からなる光遮蔽構造物を設けている。これは
図８における第１電極１１２に相当するものである。第
１電極１１２は、ＴＦＴへ光が入射することによって生
じるいわゆる光電流の発生の防止と、表示に寄与しない
部分からの光漏れの防止等を目的として設けられてい
る。Conventionally, an opposing substrate is provided with a light shielding structure made of a metal having a low reflectance, such as Cr, for the purpose of shielding light from a TFT on an active matrix substrate. This corresponds to the first electrode 112 in FIG. The first electrode 112 is provided for the purpose of preventing generation of a so-called photocurrent caused by light incident on the TFT, prevention of light leakage from a portion that does not contribute to display, and the like.
【０００８】しかしながら、上記のようにＣｒ等の低反
射率の金属を用いた対向基板を、特に投影型液晶表示装
置として採用した場合、入射光を吸収し易いために、こ
れに伴い、液晶パネルが著しい温度上昇を生じる。液晶
パネルにおける温度上昇はＴＦＴのオフ電流を増大さ
せ、この結果、表示画面のコントラストの低下等の不具
合を招いていた。However, when a counter substrate using a metal having a low reflectivity such as Cr as described above is employed as a projection type liquid crystal display device, it is easy to absorb incident light. Causes a significant temperature rise. The rise in temperature in the liquid crystal panel increases the off-state current of the TFT, which results in problems such as a decrease in the contrast of the display screen.
【０００９】このような対向基板の温度上昇を防止する
ために、特開平１−１０２４３０号公報に開示されるよ
うに、第１電極１１２をＣｒのような低反射率の金属に
代わって、Ａｌ等の反射率の高い金属で形成する方法が
考案されている。この手法によれば液晶パネルの温度上
昇を効果的に免れることができる。In order to prevent such a rise in the temperature of the opposing substrate, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 1-202430, the first electrode 112 is replaced with a metal such as Cr, which has a low reflectivity. For example, a method of forming a high-reflectance metal such as the above has been proposed. According to this method, the temperature rise of the liquid crystal panel can be effectively avoided.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法によれば以下のような問題が生じていた。However, according to the above-mentioned conventional method, the following problems have occurred.
【００１１】図８にＡｌの膜厚と透過率の関係を示す。
図８において、Ａｌの膜厚が１００nmのときに透過率が
７％、２００nmのときに２．５％であることから、この
ような膜厚とするとヒロック等に起因するピンホールに
より遮光効果は完全ではないことがわかる。しかし、膜
厚が３００nmともなると透過率がほぼ０％となるので、
光漏れを生じない。すなわち、Ａｌの膜厚を３００nm以
上とすると完全な遮光効果を得ることができる。しかし
ながら、図７の対向基板と同様の構造で、Ａｌによって
第１電極１１２を膜厚３００nm以上として作製した場
合、図９に示すように、Ａｌの段差による対向電極１１
６の“段切れ”が発生していた。このような段切れは対
向電極１１６における電圧の不均一化等を生じ、そのた
めに表示品位の低下を招くこととなっていた。FIG. 8 shows the relationship between the thickness of Al and the transmittance.
In FIG. 8, the transmittance is 7% when the Al film thickness is 100 nm and 2.5% when the Al film thickness is 200 nm. It turns out that it is not perfect. However, when the film thickness is as large as 300 nm, the transmittance becomes almost 0%.
No light leakage. That is, when the film thickness of Al is 300 nm or more, a complete light shielding effect can be obtained. However, when the first electrode 112 is formed to have a film thickness of 300 nm or more with Al in the same structure as the counter substrate of FIG. 7, as shown in FIG.
No. 6 “break” occurred. Such a disconnection causes non-uniformity of the voltage at the counter electrode 116 and the like, which leads to deterioration of display quality.
【００１２】この現象を回避するため、特開平１−１０
２４３０号公報で開示されるように、対向電極としての
ＩＴＯパターンを形成した後、Ａｌによる遮光パターン
を形成する方法が考案されている。しかしながら、この
方法によれば、Ａｌをエッチングする際にＩＴＯが着色
等の損傷を受けることが多かった。他方、Ａｌのパター
ンを形成した後に絶縁膜を厚く形成し、この上にＩＴＯ
を形成することによりＩＴＯの段切れを防止する方法が
知られているが、この方法ではＡｌのシート抵抗が１Ω
以下であるのに対し、対向電極であるＩＴＯのシート抵
抗が通常５０〜１００Ωと極めて大きいため、対向電極
上での電位変動が生じていた。特に、高精細または大画
面での表示を行う液晶表示装置においては、微小な電位
変動も表示に多大な影響を与えることとなるため、上記
の構成では問題があった。In order to avoid this phenomenon, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
As disclosed in Japanese Patent No. 2430, a method of forming a light-shielding pattern of Al after forming an ITO pattern as a counter electrode has been devised. However, according to this method, the ITO often suffers damage such as coloring when etching Al. On the other hand, after forming an Al pattern, a thick insulating film is formed, and an ITO film is formed thereon.
Is known to prevent the disconnection of the ITO by forming a sheet. However, in this method, the sheet resistance of Al is 1Ω.
On the other hand, since the sheet resistance of ITO, which is the counter electrode, is extremely large, usually 50 to 100Ω, the potential variation on the counter electrode has occurred. In particular, in a liquid crystal display device that performs display on a high-definition or large screen, even a small potential change has a large effect on display, and thus the above configuration has a problem.
【００１３】本発明は以上のような問題を解決するべく
なされたものであり、その目的とすることろは、従来、
問題となっていた第１電極と透明基板との段差による透
明電極および配向膜の段切れ等の問題を回避し、簡単な
プロセスにおいて対向電極の低抵抗化を行い、対向電極
の電位変動による表示品位の低下を防止することにあ
る。さらには、高品位・高信頼性を有する液晶表示装置
を提供することにある。[0013] The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to solve the following problems.
By avoiding the problem such as the step of the transparent electrode and the alignment film caused by the step between the first electrode and the transparent substrate, the resistance of the counter electrode is reduced by a simple process, and the display by the potential change of the counter electrode is performed. The purpose is to prevent deterioration in quality. Still another object is to provide a liquid crystal display device having high quality and high reliability.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、第１の基板上にマトリクス状に複数のスイッチング
素子を備え、前記第１の基板に対向する第２の基板上に
対向電極を備え、前記第１及び第２の基板間に液晶組成
物を保持する液晶表示装置において、前記第２の基板上
に、反射率の高い金属からなる第１電極と、該第１電極
の少なくとも側部に、段差を緩和するための層を設け、
該第１電極と前記対向電極とが電気的に接続されたこと
を特徴とし、そのことにより上記目的が達成される。According to the liquid crystal display device of the present invention , a plurality of switching devices are arranged in a matrix on a first substrate.
Device, and on a second substrate facing the first substrate
A liquid crystal composition including a counter electrode between the first and second substrates;
In a liquid crystal display device for holding an object,
A first electrode made of a metal having high reflectivity, and the first electrode
At least on a side portion, a layer for reducing a step is provided,
The first electrode and the counter electrode are electrically connected;
Which achieves the above object.
【００１５】前記段差を緩和するための層が、前記第２
の基板上の第１電極側部に形成されることが好ましい。The layer for alleviating the step is the second layer.
Is preferably formed on the side of the first electrode on the substrate.
【００１６】望ましくは、前記段差を緩和するための層
が、前記第１電極を被覆した後エッチバックされた絶縁
物からなる。Preferably, the layer for reducing the step is made of an insulator which is etched back after covering the first electrode.
【００１７】また、望ましくは、前記段差を緩和するた
めの層が、前記第１電極の陽極酸化物からなる。Preferably, the layer for alleviating the step comprises an anodic oxide of the first electrode.
【００１８】前記段差を緩和するための層が、前記第２
の基板上の第１電極を完全に被覆した絶縁物からなるも
のでもよい。The layer for alleviating the step is the second layer.
It may be made of an insulator that completely covers the first electrode on the substrate.
【００１９】本発明の液晶表示装置は、第１の基板上に
マトリクス状に複数のスイッチング素子を備え、前記第
１の基板に対向する第２の基板上に対向電極を備え、前
記第１及び第２の基板間に液晶組成物を保持する液晶表
示装置において、前記第２の基板上に、反射率の高い金
属からなる第１電極を設け、該第１電極と前記対向電極
とが、表示部を囲むように形成された該第１電極の額縁
領域において電気的に接続されたことを特徴とし、その
ことにより上記目的が達成される。 The liquid crystal display device of the present invention has a structure on a first substrate.
A plurality of switching elements in a matrix,
A counter electrode on a second substrate facing the first substrate;
A liquid crystal table holding a liquid crystal composition between the first and second substrates.
In the display device, gold having high reflectivity is provided on the second substrate.
A first electrode made of a metal, and the first electrode and the counter electrode.
And a frame of the first electrode formed so as to surround the display unit.
It is characterized by being electrically connected in the area,
Thereby, the above object is achieved.
【００２０】本発明の液晶表示装置は、第１の基板上に
マトリクス状に複数のスイッチング素子を備え、前記第
１の基板に対向する第２の基板上に対向電極を備え、前
記第１及び第２の基板間に液晶組成物を保持する液晶表
示装置において、前記第２の基板上に、反射率の高い金
属からなる第１電極と、該第１電極上の、前記対向電極
とのオーミックコンタクトをとるための金属層とからな
る２層電極を設け、該２層電極が前記対向電極により被
覆されたことを特徴とし、そのことにより上記目的が達
成される。A liquid crystal display device according to the present invention comprises a plurality of switching elements in a matrix on a first substrate, and a counter electrode on a second substrate facing the first substrate. In a liquid crystal display device holding a liquid crystal composition between second substrates, an ohmic contact between a first electrode made of a metal having a high reflectivity and the counter electrode on the first electrode is formed on the second substrate. A two-layer electrode comprising a metal layer for making a contact is provided, and the two-layer electrode is covered with the counter electrode, thereby achieving the above object.
【００２１】好ましくは、前記オーミックコンタクトを
とるための金属層が、ＴｉＷ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、Ｍ
ｏ、Ｗの何れかからなる。Preferably, the metal layer for making the ohmic contact is TiW, WSi, MoSi, M
o or W.
【００２２】さらに好ましくは、前記２層電極の厚みは
３００nmを越えない。More preferably, the thickness of said two-layer electrode does not exceed 300 nm.
【００２３】前記第１電極は、アルミニウムであること
が望ましい。Preferably, the first electrode is made of aluminum.
【００２４】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１
の基板上にマトリクス状にスイッチング素子を備え、前
記基板に対向する第２の基板上に対向電極を備え、前記
第１及び第２の基板間に液晶組成物を有する液晶表示装
置の製造方法において、前記第２の基板上に、第１電極
を形成する工程と、該第１電極側部にサイドウォールを
形成する工程と、前記第１電極及びサイドウォール上部
に対向電極を形成する工程とを含むことを特徴とし、そ
のことにより上記目的が達成される。The method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises:
A switching element in a matrix on the first substrate, a counter electrode on a second substrate facing the substrate, and a liquid crystal display device having a liquid crystal composition between the first and second substrates. Forming a first electrode on the second substrate, forming a sidewall on the side of the first electrode, and forming a counter electrode on the first electrode and the sidewall. The above-mentioned object is achieved.
【００２５】前記サイドウォールを形成する工程が、前
記第２の基板上の第１電極に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜に対して異方性エッチングを行う工程とを含む
ことが望ましい。The step of forming the side wall includes a step of forming an insulating film on the first electrode on the second substrate;
And a step of performing anisotropic etching on the insulating film.
【００２６】また、前記サイドウォールを形成する工程
が、前記第２の基板上の第１電極表面に陽極酸化膜を形
成する工程を含むものでもよい。The step of forming the sidewall may include a step of forming an anodic oxide film on the surface of the first electrode on the second substrate.
【００２７】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１
の基板上にマトリクス状に複数のスイッチング素子を備
え、前記第１の基板に対向する第２の基板上に対向電極
を備え、前記第１及び第２の基板間に液晶組成物を有す
る液晶表示装置の製造方法において、前記第２の基板上
に、第１電極を形成する工程と、該第１電極の少なくと
も側部を被覆する絶縁層を形成する工程と、該第１電極
に接続するように対向電極を形成する工程とを含むこと
を特徴とし、そのことにより上記目的が達成される。The manufacturing method of a liquid crystal display device of the present invention, first
Multiple switching elements in a matrix on
A counter electrode on a second substrate facing the first substrate;
Having a liquid crystal composition between the first and second substrates.
In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to
Forming a first electrode, and forming at least the first electrode.
Forming an insulating layer covering the side of the first electrode;
Forming a counter electrode to be connected to the
Which achieves the above object.
【００２８】前記第２の基板上の第１電極と前記対向電
極とを、前記第１電極の額縁領域において電気的に接続
させる工程を含むことが望ましい。Preferably, the method further includes a step of electrically connecting the first electrode on the second substrate and the counter electrode in a frame region of the first electrode.
【００２９】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１
の基板上にマトリクス状にスイッチング素子を備え、前
記基板に対向する第２の基板上に対向電極を備え、前記
第１及び第２の基板間に液晶組成物を有する液晶表示装
置の製造方法において、前記第２の基板上に、反射率の
高い金属により第１電極を形成する工程と、該第１電極
上に、前記対向電極とオーミックコンタクトをとるため
の金属層を載せて２層電極をなす工程と、前記２層電極
を被覆する対向電極を形成する工程とを含むことを特徴
とし、そのことにより上記目的が達成される。The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises:
A switching element in a matrix on the first substrate, a counter electrode on a second substrate facing the substrate, and a liquid crystal display device having a liquid crystal composition between the first and second substrates. Forming a first electrode on the second substrate with a metal having a high reflectance, and placing a metal layer for making ohmic contact with the counter electrode on the first electrode to form a two-layer electrode. And a step of forming a counter electrode covering the two-layer electrode, thereby achieving the above object.
【００３０】好ましくは、前記オーミックコンタクトを
とるための金属層がＴｉＷ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、Ｍｏ、
Ｗの何れかの金属によって形成されることを特徴とす
る。Preferably, the metal layer for making the ohmic contact is TiW, WSi, MoSi, Mo,
It is characterized by being formed of any metal of W.
【００３１】さらに好ましくは、前記２層電極の厚みが
３００nmを越えないことが望ましい。More preferably, it is desirable that the thickness of the two-layer electrode does not exceed 300 nm.
【００３２】前記第１電極は、Ａｌを主成分として形成
される。The first electrode is formed mainly of Al.
【００３３】以下、上記構成による作用について説明を
行う。The operation of the above configuration will be described below.
【００３４】本発明の液晶表示装置は、第１の基板上に
マトリクス状に複数のスイッチング素子を備え、前記第
１の基板に対向する第２の基板上に対向電極を備え、前
記第１及び第２の基板間に液晶組成物を保持する液晶表
示装置において、前記第２の基板上に、反射率の高い金
属からなる第１電極と、該第１電極の少なくとも側部
に、段差を緩和するための層を設けたことを特徴とす
る。これにより、第１電極の段差に起因する透明電極か
らなる対向電極の段切れが起こらないので、対向電極の
電位むらによる表示品位の低下は起こらず、高い信頼性
及び高い表示品位を有する液晶表示装置を提供すること
ができる。The liquid crystal display device of the present invention includes a plurality of switching elements in a matrix on a first substrate, and includes a counter electrode on a second substrate facing the first substrate. In a liquid crystal display device holding a liquid crystal composition between second substrates, a first electrode made of a metal having a high reflectance is provided on the second substrate, and a step is reduced on at least a side portion of the first electrode. Characterized in that a layer for forming As a result, since the step of the transparent electrode caused by the step of the first electrode does not occur, the display quality does not decrease due to the uneven potential of the counter electrode, and the liquid crystal display has high reliability and high display quality. An apparatus can be provided.
【００３５】前記段差を緩和するための層が、前記第２
の基板上の第１電極側部に形成される。これにより、第
１電極の段差による対向電極の段切れは起こらず、ま
た、第１電極上面で対向電極と第１電極とが電気的に接
続されるので、対向電極の電位ムラによる表示品位の低
下は起こらず、対向電極の低抵抗化を図ることができ
る。The layer for alleviating the step is the second layer.
Formed on the first electrode side on the substrate. As a result, the step of the counter electrode does not break due to the step of the first electrode, and the counter electrode and the first electrode are electrically connected on the upper surface of the first electrode. No reduction occurs, and the resistance of the counter electrode can be reduced.
【００３６】また、前記段差を緩和するための層が、前
記第１電極を被覆した後にエッチバックされた絶縁物か
らなる。これにより、第１電極と対向電極とを簡単なプ
ロセスにより確実に接続することが可能となり、実質的
な対向電極の低抵抗化を行うことができる。Further, the layer for reducing the step is made of an insulator which is etched back after covering the first electrode. Thus, the first electrode and the counter electrode can be reliably connected by a simple process, and the resistance of the counter electrode can be substantially reduced.
【００３７】また、前記段差を緩和するための層が、前
記第１電極の陽極酸化物からなる。これにより、第１電
極と対向電極とを簡単なプロセスにより確実に接続する
ことが可能となり、実質的な対向電極の低抵抗化を行う
ことができる。The layer for reducing the step is made of the anodic oxide of the first electrode. Thus, the first electrode and the counter electrode can be reliably connected by a simple process, and the resistance of the counter electrode can be substantially reduced.
【００３８】前記段差を緩和するための層が、前記第２
の基板上の第１電極を完全に被覆した絶縁物からなる。
これにより、第１電極の段差による対向電極の段切れは
起こらず、対向電極の電位ムラによる表示品位の低下は
起こらない。The layer for alleviating the step is the second layer.
Made of an insulator completely covering the first electrode on the substrate.
As a result, the step of the counter electrode does not break due to the step of the first electrode, and the display quality does not deteriorate due to the uneven potential of the counter electrode.
【００３９】さらに、前記第２の基板上の第１電極と前
記対向基板とが、表示部を囲むように形成された前記第
１電極の額縁領域において電気的に接続される。これに
より、第１電極と対向電極とを簡単なプロセスにより確
実に接続することが可能となり、実質的な対向電極の低
抵抗化を行うことができる。Further, the first electrode on the second substrate and the counter substrate are electrically connected in a frame region of the first electrode formed so as to surround a display section. Thus, the first electrode and the counter electrode can be reliably connected by a simple process, and the resistance of the counter electrode can be substantially reduced.
【００４０】本発明の液晶表示装置は、前記第２の基板
上に、反射率の高い金属からなる第１電極と、該第１電
極上の、前記対向電極とのオーミックコンタクトをとる
ための金属層とからなる２層電極を設け、該２層電極が
前記対向電極により被覆される。これにより、対向電極
への電圧印加を確実に行うことができる。また、一旦、
液晶セル内の散乱光がオーミックコンタクトをとるため
の金属層へ入射すると、ＴＦＴのリーク電流の発生を防
止することができる。In the liquid crystal display device according to the present invention, a first electrode made of a metal having a high reflectance is provided on the second substrate, and a metal for making an ohmic contact with the counter electrode on the first electrode. A two-layer electrode comprising a first layer and a second layer, and the two-layer electrode is covered with the counter electrode. This makes it possible to reliably apply a voltage to the counter electrode. Also, once
When the scattered light in the liquid crystal cell enters the metal layer for making ohmic contact, it is possible to prevent the occurrence of a leak current of the TFT.
【００４１】前記オーミックコンタクトをとるための金
属層が、ＴｉＷ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、Ｍｏ、Ｗの何れか
からなる。これにより、Ａｌからなる第１電極と対向電
極とのオーミック性がさらに良好となるので、対向電極
の一層の低抵抗化を図ることができる。The metal layer for making the ohmic contact is made of any of TiW, WSi, MoSi, Mo and W. Thereby, the ohmic property between the first electrode made of Al and the counter electrode is further improved, so that the resistance of the counter electrode can be further reduced.
【００４２】また、前記２層電極の厚みは、３００nmを
越えない。これにより、対向電極における段切れの発生
を防ぐことができる。The thickness of the two-layer electrode does not exceed 300 nm. Thereby, occurrence of disconnection in the counter electrode can be prevented.
【００４３】前記第１電極は、アルミニウムである。こ
れにより、投影光やバックライト等による液晶パネルの
温度上昇を防止することができる。また、Ａｌ自体、安
価で成型しやすいので、低いコストで電極の形成を行う
ことができる。The first electrode is made of aluminum. Thereby, it is possible to prevent the temperature of the liquid crystal panel from rising due to the projection light, the backlight, and the like. In addition, since Al itself is inexpensive and easy to mold, electrodes can be formed at low cost.
【００４４】本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記
第２の基板上に、第１電極を形成する工程と、該第１電
極側部にサイドウォールを形成する工程と、前記第１電
極及びサイドウォール上部に対向電極を形成する工程と
を含む。これにより、第１電極の段差に起因する透明電
極からなる対向電極の段切れが起こらないので、対向電
極の電位むらによる表示品位の低下は起こらず、高い信
頼性及び高い表示品位を有する液晶表示装置を提供する
ことができる。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a step of forming a first electrode on the second substrate, a step of forming a sidewall on a side of the first electrode, And forming a counter electrode on the sidewall. As a result, since the step of the transparent electrode caused by the step of the first electrode does not occur, the display quality does not decrease due to the uneven potential of the counter electrode, and the liquid crystal display has high reliability and high display quality. An apparatus can be provided.
【００４５】前記サイドウォールを形成する工程が、前
記第２の基板上の第１電極に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜に対して異方性エッチングを行う工程とを含
む。この結果、第１電極と対向電極とを簡単なプロセス
により確実に接続することが可能となり、実質的な対向
電極の低抵抗化を行うことができる。The step of forming the side wall includes a step of forming an insulating film on the first electrode on the second substrate;
Performing anisotropic etching on the insulating film. As a result, the first electrode and the counter electrode can be reliably connected by a simple process, and the resistance of the counter electrode can be substantially reduced.
【００４６】前記サイドウォールを形成する工程が、前
記第２の基板上の第１電極表面に陽極酸化膜を形成する
工程を含む。この結果、第１電極と対向電極とを簡単な
プロセスにより確実に接続することが可能となり、実質
的な対向電極の低抵抗化を行うことができる。The step of forming the side wall includes a step of forming an anodic oxide film on the surface of the first electrode on the second substrate. As a result, the first electrode and the counter electrode can be reliably connected by a simple process, and the resistance of the counter electrode can be substantially reduced.
【００４７】本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記
第２の基板上に、第１電極を形成する工程と、該第１電
極を被覆する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に
対向電極を形成する工程とを含む。これにより、簡単な
製造プロセスにより、対向電極における段切れの発生を
防止することができる。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a step of forming a first electrode on the second substrate; a step of forming an insulating layer covering the first electrode; Forming a counter electrode. This makes it possible to prevent occurrence of disconnection in the counter electrode by a simple manufacturing process.
【００４８】前記第２の基板上の第１電極と前記対向電
極とを、前記第１電極の額縁領域において電気的に接続
させる工程を含む。これにより、第１電極と対向電極と
を簡単なプロセスにより確実に接続することが可能とな
り、実質的な対向電極の低抵抗化を行うことができる。The method includes a step of electrically connecting the first electrode on the second substrate and the counter electrode in a frame region of the first electrode. Thus, the first electrode and the counter electrode can be reliably connected by a simple process, and the resistance of the counter electrode can be substantially reduced.
【００４９】本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記
第２の基板上に、反射率の高い金属により第１電極を形
成する工程と、該第１電極上に、前記対向電極とオーミ
ックコンタクトをとるための金属層を載せて２層電極を
なす工程と、前記２層電極を被覆する対向電極を形成す
る工程とを含む。これにより、第１電極の段差による対
向電極の段切れは起こらず、対向電極の電位ムラによる
表示品位の低下も生じないので、高い表示品位及び信頼
性を有する液晶表示装置を提供することができる。In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a step of forming a first electrode on the second substrate with a metal having a high reflectivity; and forming an ohmic contact with the counter electrode on the first electrode. A step of forming a two-layer electrode by mounting a metal layer for forming the two-layer electrode, and a step of forming a counter electrode covering the two-layer electrode. Thus, the step of the counter electrode does not break due to the step of the first electrode, and the display quality does not deteriorate due to the uneven potential of the counter electrode. Therefore, a liquid crystal display device having high display quality and reliability can be provided. .
【００５０】前記オーミックコンタクトをとるための金
属層がＴｉＷ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、Ｍｏ、Ｗの何れかの
金属によって形成される。これにより、Ａｌからなる第
１電極と対向電極とのオーミック性がさらに良好となる
ので、対向電極の一層の低抵抗化を図ることができる。The metal layer for making the ohmic contact is formed of any one of TiW, WSi, MoSi, Mo and W. Thereby, the ohmic property between the first electrode made of Al and the counter electrode is further improved, so that the resistance of the counter electrode can be further reduced.
【００５１】前記２層電極の厚みが３００nmを越えな
い。これにより、対向電極における段切れの発生を防止
することができる。The thickness of the two-layer electrode does not exceed 300 nm. Thereby, occurrence of disconnection in the counter electrode can be prevented.
【００５２】前記第１電極が、Ａｌを主成分として形成
される。これにより、投影光やバックライト等による液
晶パネルの温度上昇を防止することができる。また、Ａ
ｌ自体、安価で成型しやすいので、低いコストで電極の
形成を行うことができる。The first electrode is formed mainly of Al. Thereby, it is possible to prevent the temperature of the liquid crystal panel from rising due to the projection light, the backlight, and the like. Also, A
Since l itself is inexpensive and easy to mold, electrodes can be formed at low cost.
【００５３】[0053]
（実施形態１）以下、図に基づいて本発明の実施形態１
について説明する。(Embodiment 1) Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.
Will be described.
【００５４】図１に本発明の実施形態１による対向基板
を基板上面から見た概略図、図２に図１のＡ−Ｂ断面図
を示す。FIG. 1 is a schematic view of a counter substrate according to Embodiment 1 of the present invention as viewed from above the substrate, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a line AB of FIG.
【００５５】図１において、ガラスなどの透明基板１０
上にＴＦＴへの遮光パターン等となる第１電極１２が表
示部における画素開口部１９間及び表示部周辺にわたり
形成されている。また、表示部ならびに第１電極１２を
被覆する透明な対向電極１６が設けられている。さら
に、第１電極１２とアクティブマトリクス基板側との電
気的導通をとるためのコモン転移２０が基板端部に形成
されている。また、表示部を囲うように光漏れを防止す
るため、第１電極１２には額縁領域１５が設けられてい
る。In FIG. 1, a transparent substrate 10 such as glass
The first electrode 12 serving as a light-shielding pattern or the like for the TFT is formed on the display unit between the pixel openings 19 and around the display unit. Further, a transparent counter electrode 16 that covers the display section and the first electrode 12 is provided. Further, a common transition 20 for establishing electrical conduction between the first electrode 12 and the active matrix substrate side is formed at an end of the substrate. Further, a frame region 15 is provided on the first electrode 12 to prevent light leakage so as to surround the display unit.
【００５６】以下に本実施形態１における対向基板の作
製方法を説明する。Hereinafter, a method for manufacturing the opposing substrate in the first embodiment will be described.
【００５７】図１及び図２において、まず、ガラスや石
英等からなる絶縁性の透明基板１０上にスパッタリング
法を用いてＡｌ等、反射率の高い金属を３００nmの厚み
に形成し、第１電極１２を形成する。この際、第１電極
１２には表示部からの光漏れを防止するための額縁領域
１５が幅１mm程度で設けられている。好ましくは額縁領
域１５の幅は効果的に光漏れを防ぐことのできるよう、
５００μｍ〜１mm程度とする。また、第１電極１２と同
時に、アクティブマトリクス基板と電気的導通をとるた
めのコモン転移２０を第１電極１２と同材料により形成
する。Referring to FIGS. 1 and 2, first, a metal having high reflectivity, such as Al, is formed to a thickness of 300 nm on a transparent insulating substrate 10 made of glass, quartz, or the like by using a sputtering method. 12 is formed. At this time, the first electrode 12 is provided with a frame region 15 having a width of about 1 mm for preventing light leakage from the display unit. Preferably, the width of the frame region 15 is such that light leakage can be effectively prevented.
It is about 500 μm to 1 mm. At the same time as the first electrode 12, a common transition 20 for establishing electrical conduction with the active matrix substrate is formed of the same material as the first electrode 12.
【００５８】以上のように、本実施形態１においては、
第１電極１２及びその額縁領域１５をスパッタリング法
を用いてＡｌを３００nmの厚みに成膜する。通常、この
方法で低融点のＡｌを成膜すると、Ａｌ薄膜表面に結晶
の異常成長を原因とするヒロックが発生し、これによっ
てＡｌ上にピンホールが生じることとなる。ごく小さな
ピンホールも、光漏れを生じるので液晶パネルにおいて
は表示品位を低下させる。本発明のようにＡｌ薄膜を遮
光を目的として形成する際には、Ａｌをやや厚めに成膜
することによりピンホールを無くす必要がある。また、
前述の理由から、Ａｌの膜厚を３００nm以上とすること
が好ましい。As described above, in the first embodiment,
The first electrode 12 and its frame region 15 are formed of Al to a thickness of 300 nm by sputtering. Usually, when low-melting point Al is formed by this method, hillocks are generated on the surface of the Al thin film due to abnormal crystal growth, and pinholes are formed on the Al. A very small pinhole also causes light leakage, and thus degrades the display quality in a liquid crystal panel. When an Al thin film is formed for the purpose of shielding light as in the present invention, it is necessary to eliminate pinholes by forming a slightly thicker film of Al. Also,
For the above-described reason, it is preferable that the thickness of Al be 300 nm or more.
【００５９】次に、ＳｉＯ2もしくはＳｉＮx等の絶縁膜
を例えば６００nm形成し、その後絶縁膜の膜厚分、反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行ってサイドウオール
１４を形成した。Next, an insulating film made of, for example, SiO 2 or SiNx was formed to a thickness of, for example, 600 nm, and thereafter, reactive ion etching (RIE) was performed for the thickness of the insulating film to form a sidewall 14.
【００６０】この後、対向電極１６を透明導電膜である
ＩＴＯを用いて表示部全面に形成した。このとき、ＩＴ
Ｏを基板全面に形成するとアクティブマトリクス基板と
の間で電気的なリークを生じやすくるなるので、コモン
転移２０及び第１電極１２を目印として、対向電極１６
形成部以外を金属板によりマスクし、スパッタリングを
行い、パターン化する。Thereafter, the opposing electrode 16 was formed on the entire surface of the display section using ITO as a transparent conductive film. At this time, IT
When O is formed over the entire surface of the substrate, electric leakage easily occurs between the substrate and the active matrix substrate.
A portion other than the formation portion is masked with a metal plate, and sputtering is performed to form a pattern.
【００６１】尚、対向電極１６をＩＴＯにより形成する
際、適当な抵抗値及び透過率が得られるよう、膜厚を１
００nm〜１５０nm程度とするのが好ましい。また、絶縁
膜を、ＲＩＥによってサイドウォールを形成できるよ
う、第１電極よりも厚く形成した後、ＲＩＥを行う。When the counter electrode 16 is formed of ITO, the thickness of the counter electrode 16 is set to 1 so that an appropriate resistance value and transmittance can be obtained.
It is preferable that the thickness be about 00 nm to 150 nm. In addition, RIE is performed after the insulating film is formed thicker than the first electrode so that a sidewall can be formed by RIE.
【００６２】対向電極１６であるＩＴＯを成膜した後、
表示部に配向膜１８を塗布し、ラビングを行うと本実施
形態１の対向基板が完成する。さらにこの対向基板のコ
モン転移に導電性樹脂を形成した後、アクティブマトリ
クス基板との貼り合わせを行い、両基板間に液晶を注入
すると液晶表示装置が完成する。After the ITO as the counter electrode 16 is formed,
When the orientation film 18 is applied to the display portion and rubbed, the counter substrate of the first embodiment is completed. Further, after a conductive resin is formed at the common transition of the opposing substrate, it is bonded to an active matrix substrate, and liquid crystal is injected between the two substrates to complete a liquid crystal display device.
【００６３】本実施形態１による対向基板において、サ
イドウォール１４を形成することによって対向電極１６
の段切れが発生せず、対向電極１６は第１電極１２と確
実に接続されており、低抵抗化される。これにより、対
向電極１６において印加電圧を均一化することができる
と共に、第１電極１２が高い遮光効果を有するので、本
発明の液晶表示装置は優れた表示品位および高い信頼性
を備えるものとなる。In the counter substrate according to the first embodiment, the formation of the side wall 14 enables the formation of the counter electrode 16.
Does not occur, the counter electrode 16 is securely connected to the first electrode 12, and the resistance is reduced. Thereby, the applied voltage can be made uniform in the counter electrode 16 and the first electrode 12 has a high light-shielding effect, so that the liquid crystal display device of the present invention has excellent display quality and high reliability. .
【００６４】さらには、上記のようなサイドウォール１
４が形成されているので、従来、問題となっていた段差
による配向膜の段切れ、液晶のリバースチルトドメイン
といった問題をも回避することができる。Further, the side wall 1 as described above
Since 4 is formed, problems such as disconnection of the alignment film due to a step and a reverse tilt domain of the liquid crystal, which have conventionally been problems, can be avoided.
【００６５】以上のような効果は、何れも簡単なプロセ
スによって得ることができるという特長を有する。Each of the above effects has the feature that it can be obtained by a simple process.
【００６６】尚、本実施形態１においては絶縁膜の異方
性エッチングを利用してサイドウォール１４を形成した
が、サイドウォール１４の形成方法としてはこれに限る
ものではない。例えば、第１電極１２を形成後、レジス
トパターンが残った状態で陽極酸化を行うことによって
も形成できる。また、陽極酸化物によるサイドウォール
１４を形成した後、レジストを剥離し、対向電極１６と
してＩＴＯを成膜すると、第１電極１２及び対向電極１
６とが接続される。こうすれば、絶縁膜のデポジション
及びエッチングを行わず、簡単なプロセスによりサイド
ウォール１４の形成及び対向電極１６の低抵抗化を行う
ことができる。。In the first embodiment, the sidewalls 14 are formed using anisotropic etching of the insulating film. However, the method for forming the sidewalls 14 is not limited to this. For example, after the first electrode 12 is formed, it can be formed by performing anodic oxidation while the resist pattern remains. Further, after forming the sidewalls 14 of anodic oxide, the resist is peeled off, and an ITO film is formed as the counter electrode 16.
6 are connected. This makes it possible to form the sidewalls 14 and reduce the resistance of the counter electrode 16 by a simple process without depositing and etching the insulating film. .
【００６７】（実施形態２）以下、図に基づいて本発明
の実施形態２について説明する。Embodiment 2 Hereinafter, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００６８】図３に本発明の実施形態２による対向基板
の構成を示す。尚、図３は図１のＡ−Ｂ断面を示すもの
である。FIG. 3 shows a configuration of a counter substrate according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 3 shows a cross section taken along the line AB in FIG.
【００６９】図３において、ガラスからなる透明基板１
０上にＡｌからなる第１電極１２を被覆するように、絶
縁体１７、対向電極１６及び配向膜１８が順に設けられ
ている。In FIG. 3, a transparent substrate 1 made of glass is used.
An insulator 17, a counter electrode 16, and an alignment film 18 are provided in this order so as to cover the first electrode 12 made of Al on 0.
【００７０】図４に本発明の実施形態２による対向基板
の製造方法を示す。尚、図４（ａ）〜（ｄ）は図１のＣ
−Ｄ断面における製造方法を順に示し、（ｅ）〜（ｈ）
は図１のＡ−Ｂ断面における製造方法を順に示す。FIG. 4 shows a method of manufacturing a counter substrate according to Embodiment 2 of the present invention. 4 (a) to 4 (d) show C in FIG.
(E) to (h) show manufacturing methods in the -D section in order.
Shows the manufacturing method in the AB section of FIG. 1 in order.
【００７１】図４（ａ）及び（ｅ）において、実施形態
１と同様にガラス等の透明基板１０上にスパッタリング
法を用いてＡｌを３００nmの厚みに形成し、第１電極１
２を形成する。また、これと同時にアクティブマトリク
ス基板と電気的導通をとるためのコモン転移２０（図
１）を第１電極１２と同材料により形成する。さらに、
実施形態１と同様に、第１電極１２には、Ａｌを表示部
を囲むような幅１mm程度の帯状であって、表示部からの
光漏れを防止するための額縁領域１５が設けられている
（図１）。好ましくは、額縁領域１５の幅は効果的に光
漏れを防ぐことができるよう、５００μｍ〜１mm程度と
する。In FIGS. 4A and 4E, Al is formed to a thickness of 300 nm on a transparent substrate 10 made of glass or the like by using a sputtering method as in the first embodiment.
Form 2 At the same time, a common transition 20 (FIG. 1) for establishing electrical conduction with the active matrix substrate is formed of the same material as the first electrode 12. further,
Similarly to the first embodiment, the first electrode 12 is provided with a frame region 15 having a width of about 1 mm surrounding Al to surround the display unit and preventing light leakage from the display unit. (FIG. 1). Preferably, the width of the frame region 15 is about 500 μm to 1 mm so that light leakage can be effectively prevented.
【００７２】第１電極１２のパターン形成後、図４
（ｂ）及び（ｆ）のように、額縁領域１５よりも外側を
マスクして額縁領域１５より内側に絶縁膜１７を３００
nmの膜厚で形成する。この絶縁膜１７としては、例え
ば、ＳｉＯ2やＳｉＮxのように半導体分野で絶縁体とし
て汎用されるものなら何れでも使用できるが、本実施形
態２においてはＳｉＯ2を用いることとする。After forming the pattern of the first electrode 12, FIG.
As shown in (b) and (f), the outer side of the frame region 15 is masked to form the insulating film 17 on the inner side of the frame region 15.
It is formed with a thickness of nm. As the insulating film 17, any material commonly used as an insulator in the semiconductor field such as SiO 2 or SiN x can be used, but in the second embodiment, SiO 2 is used.
【００７３】次いで、図４（ｃ）及び（ｇ）に示すよう
に、実施形態１と同様の方法で対向電極１６としてＩＴ
Ｏを成膜する。Next, as shown in FIGS. 4 (c) and 4 (g), an IT
O is deposited.
【００７４】この後、スピンコート法によりポリイミド
を塗布後、焼成及びラビング工程を経て、図４（ｄ）及
び（ｈ）に示すように配向膜１９が形成される。Thereafter, the polyimide is applied by spin coating, followed by baking and rubbing steps to form an alignment film 19 as shown in FIGS. 4 (d) and 4 (h).
【００７５】以上のプロセスにより本実施形態２におけ
る対向基板が完成する。さらにこの対向基板をアクティ
ブマトリクス基板と貼り合わせを行い、両基板間に液晶
を封入すると液晶表示装置が完成する。The above process completes the counter substrate of the second embodiment. Further, this counter substrate is bonded to an active matrix substrate, and liquid crystal is sealed between the two substrates to complete a liquid crystal display device.
【００７６】尚、本実施形態２においては、絶縁膜によ
り透明基板１０と第１電極１２表面との段差がテーパー
状となっているので、従来のように第１電極１２上に直
接ＩＴＯを形成する場合に発生していたＩＴＯの段切れ
は生じない。さらに、配向膜１９の段切れも防止するこ
とができるので、液晶のリバースチルトドメインのよう
な不具合を生じることもない。In the second embodiment, since the step between the transparent substrate 10 and the surface of the first electrode 12 is tapered due to the insulating film, ITO is directly formed on the first electrode 12 as in the prior art. In this case, the step breakage of the ITO that has occurred does not occur. Furthermore, since the alignment film 19 can be prevented from being disconnected, there is no problem such as the reverse tilt domain of the liquid crystal.
【００７７】また、第１電極１２に設けられた表示部周
囲の額縁領域１５において、第１電極１２と対向電極１
６であるＩＴＯが電気的に接続されることとなり、対向
電極１６の低抵抗化を図ることができる。この結果、対
向電極１６における印加電圧が均一化され、優れた表示
品位を有する液晶表示装置を提供することができる。Further, in the frame region 15 around the display portion provided on the first electrode 12, the first electrode 12 and the counter electrode 1
6 is electrically connected, and the resistance of the counter electrode 16 can be reduced. As a result, the applied voltage to the counter electrode 16 is made uniform, and a liquid crystal display device having excellent display quality can be provided.
【００７８】さらに、以上のような優れた効果を有する
液晶表示装置は、上記のように簡単なプロセスにより製
造されるという特長を有する。Further, the liquid crystal display device having the above-mentioned excellent effects has a feature that it is manufactured by a simple process as described above.
【００７９】（実施形態３）上記実施形態１および２に
おいては、第１電極であるＡｌと対向電極であるＩＴＯ
とを、間にいかなる層も介さずに接続したが、例えば第
１電極にＡｌを用い、直接ＩＴＯを接続する場合にはＡ
ｌとＩＴＯとのコンタクトのオーミック性が問題となる
ことがある。このような問題を回避するための具体例を
以下に説明する。(Embodiment 3) In Embodiments 1 and 2, the first electrode Al and the opposite electrode ITO
Are connected without any layer between them. For example, when Al is used for the first electrode and ITO is directly connected, A
The ohmic property of the contact between 1 and ITO may be a problem. A specific example for avoiding such a problem will be described below.
【００８０】本実施形態３における対向基板の構造を図
５に示す。FIG. 5 shows the structure of the counter substrate according to the third embodiment.
【００８１】図５において、ガラスからなる透明基板１
０上に２層電極として、Ａｌからなる第１電極１０と、
その上には、第１電極１２と対向電極１６とのオーミッ
クコンタクトをとるためのＴｉＷからなるバリアメタル
層２１が設けられている。さらに、この上にはＩＴＯか
らなる対向電極１６および配向膜１８が形成されてい
る。In FIG. 5, a transparent substrate 1 made of glass is used.
0, a first electrode 10 made of Al as a two-layer electrode,
On top of that, a barrier metal layer 21 made of TiW for making ohmic contact between the first electrode 12 and the counter electrode 16 is provided. Further, a counter electrode 16 made of ITO and an alignment film 18 are formed thereon.
【００８２】以下に本実施形態３の対向基板の製造方法
を簡単に説明する。Hereinafter, a method of manufacturing the counter substrate of the third embodiment will be briefly described.
【００８３】まず、基板上に第１電極１２としてＡｌと
バリアメタル層２１としてＴｉＷ１２ｂをスパッタリン
グ法によりそれぞれ１００nmずつ連続して形成する。次
に、レジストパターンを形成し、ＴｉＷ及びＡｌのエッ
チングを連続して行う事により２層電極を形成する。バ
リアメタル層２１としては他にも、ＴｉＷ、ＷＳｉ、Ｍ
ｏＳｉ、Ｍｏ、Ｗ等、ＡｌとＩＴＯとのオーミックコン
タクトをとるのに適した金属を用いてもよい。この後、
レジストを剥離し、２層電極上部に図１に示された形状
でＩＴＯパターンを形成して対向電極１６とする。これ
により、第１電極１２とＩＴＯとがバリアメタル層２１
を介して電気的に接続されることとなる。First, Al as the first electrode 12 and TiW 12b as the barrier metal layer 21 are successively formed on the substrate by 100 nm each by sputtering. Next, a two-layer electrode is formed by forming a resist pattern and performing etching of TiW and Al continuously. Other examples of the barrier metal layer 21 include TiW, WSi, M
A metal such as oSi, Mo, W, etc. suitable for making ohmic contact between Al and ITO may be used. After this,
The resist is peeled off, and an ITO pattern is formed on the two-layer electrode in the shape shown in FIG. As a result, the first electrode 12 and the ITO are connected to the barrier metal layer 21.
Are electrically connected to each other.
【００８４】また、この後、スピンコート法を用いてポ
リイミドを塗布し、焼成及びラビング工程を経て、配向
膜１９を形成する。Thereafter, polyimide is applied by using a spin coat method, and an orientation film 19 is formed through a firing and rubbing process.
【００８５】以上のプロセスにより本実施形態３による
液晶表示装置の対向基板が完成する。By the above process, the counter substrate of the liquid crystal display according to the third embodiment is completed.
【００８６】また、この対向基板をアクティブマトリク
ス基板と貼り合わせ、液晶を注入することにより本実施
形態３による液晶表示装置が完成する。Further, the counter substrate is bonded to an active matrix substrate, and liquid crystal is injected to complete the liquid crystal display device according to the third embodiment.
【００８７】以上のように、本実施形態３における対向
基板では、反射率の高い金属による第１電極１２の上に
バリアメタルを設けた２層構造の電極が形成される。こ
れにより、コンタクトのオーミック性が問題となる事は
無く、対向電極１６に確実に電圧を印加する事が出来
る。また、２層構造とすることにより、第１電極１２自
体の透過率は必ずしも問題とならない。例えば１００nm
のＡｌと１００nmのバリアメタルとの２層構造とすれ
ば、高い遮光効果を維持しながら厚みを２００nmと薄く
することが可能である。２層電極の厚みは３００nmを越
えないので、これを被覆するように直接ＩＴＯを１００
〜１５０nmの膜厚で形成しても、段切れは生じにくい。
また、例えば、液晶パネル内の散乱光が、一旦バリアメ
タル層２１で反射した後にＴＦＴへ入射するとき、上記
のバリアメタルはＡｌに比べて反射率が低く光を吸収し
やすいので、ＴＦＴへ入射する光量を低減させることが
できるという利点も有する。As described above, in the counter substrate of the third embodiment, an electrode having a two-layer structure in which a barrier metal is provided on the first electrode 12 made of a metal having a high reflectivity is formed. Thereby, the ohmic property of the contact does not become a problem, and the voltage can be reliably applied to the counter electrode 16. In addition, with the two-layer structure, the transmittance of the first electrode 12 itself does not always matter. For example, 100 nm
With a two-layer structure of Al and a barrier metal of 100 nm, the thickness can be reduced to 200 nm while maintaining a high light-shielding effect. Since the thickness of the two-layer electrode does not exceed 300 nm, ITO is directly coated with 100 to cover it.
Even if the film is formed to have a thickness of about 150 nm, disconnection hardly occurs.
Further, for example, when the scattered light in the liquid crystal panel is incident on the TFT after being reflected by the barrier metal layer 21 once, the above-described barrier metal has a low reflectance compared to Al and easily absorbs light. There is also an advantage that the amount of light to be emitted can be reduced.
【００８８】また、第１電極１２とＩＴＯとがバリアメ
タル層２１を介して電気的に接続された構成となるの
で、対向電極１６の低抵抗化を図ることができる。Further, since the first electrode 12 and the ITO are electrically connected via the barrier metal layer 21, the resistance of the counter electrode 16 can be reduced.
【００８９】以上のような優れた効果を有する液晶表示
装置は、上記のような簡単なプロセスによって製造する
ことができるという特長がある。The liquid crystal display device having the above-described excellent effects has a feature that it can be manufactured by the above simple process.
【００９０】尚、本実施形態３においては以上のような
構成としたが、例えば２層電極を形成した後、実施形態
１と同様にサイドウォールを形成し、その電極部及びサ
イドウォールを被覆するようにＩＴＯを成膜すれば信頼
性がさらに向上する。In the third embodiment, the configuration is as described above. For example, after forming a two-layer electrode, a sidewall is formed in the same manner as in the first embodiment, and the electrode portion and the sidewall are covered. If ITO is formed as described above, the reliability is further improved.
【００９１】[0091]
【発明の効果】本発明によれば、従来、問題となってい
た第１電極と透明基板との段差による透明電極および配
向膜の段切れ等の問題を回避し、簡単なプロセスにおい
て対向電極の低抵抗化を行うことができ、対向電極の電
位変動による表示品位の低下を防止することができる。
この結果、高品位・高信頼性を有する液晶表示装置を提
供することができる。According to the present invention, the problem of the disconnection of the transparent electrode and the alignment film due to the step between the first electrode and the transparent substrate, which has been a problem in the past, can be avoided. The resistance can be reduced, and a decrease in display quality due to a fluctuation in the potential of the counter electrode can be prevented.
As a result, a liquid crystal display device having high quality and high reliability can be provided.
【図１】本発明の液晶表示装置における対向基板を基板
上面から見た概略図である。FIG. 1 is a schematic view of a counter substrate in a liquid crystal display device of the present invention as viewed from above the substrate.
【図２】実施形態１における対向基板の構成を示す図１
のＡ−Ｂ断面図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a counter substrate according to the first embodiment.
It is AB sectional drawing of.
【図３】実施形態２における対向基板の構成を示す図１
のＡ−Ｂ断面図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a counter substrate according to a second embodiment.
It is AB sectional drawing of.
【図４】実施形態２における対向基板の製造方法を示す
図１のＣ−Ｄ断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view along the line CD of FIG. 1 illustrating the method for manufacturing the opposing substrate in the second embodiment.
【図５】実施形態３における対向基板の構成を示す断面
図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a counter substrate according to a third embodiment.
【図６】従来の液晶表示装置における対向基板の構成を
示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a counter substrate in a conventional liquid crystal display device.
【図７】ドライバ一体型液晶表示装置の平面模式図であ
る。FIG. 7 is a schematic plan view of a driver-integrated liquid crystal display device.
【図８】Ａｌの膜厚と透過率の関係を表わすグラフであ
る。FIG. 8 is a graph showing the relationship between Al film thickness and transmittance.
【図９】従来の液晶表示装置における対向基板の断面図
である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a counter substrate in a conventional liquid crystal display device.
１ ゲートバスライン ２ ソースバスライン ３ 付加容量共通配線 １０ 、３１、１１０ 透明基板 １２、１１２ 第１電極 １４ サイドウォール １６、１１６ 対向電極 １７ 絶縁膜 １８ 配向膜 １９ 画素開口部 ２０ コモン転移 ２１ バリアメタル層 ２４ ＴＦＴアレイ ３２ ゲートドライバ ３３ ソースドライバ ３５ ＴＦＴ ３６ 液晶 ３７ 付加容量 ３８ ビデオライン ３９ アナログスイッチ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gate bus line 2 Source bus line 3 Additional capacitance common wiring 10, 31, 110 Transparent substrate 12, 112 First electrode 14 Side wall 16, 116 Counter electrode 17 Insulating film 18 Alignment film 19 Pixel opening 20 Common transition 21 Barrier metal Layer 24 TFT array 32 Gate driver 33 Source driver 35 TFT 36 Liquid crystal 37 Additional capacitance 38 Video line 39 Analog switch
Claims (19)
イッチング素子を備え、前記第１の基板に対向する第２
の基板上に対向電極を備え、前記第１及び第２の基板間
に液晶組成物を保持する液晶表示装置において、 前記第２の基板上に、反射率の高い金属からなる第１電
極と、該第１電極の少なくとも側部に、段差を緩和する
ための層を設け、 該第１電極と前記対向電極とが電気的に接続されたこと
を特徴とする液晶表示装置。 A plurality of switches arranged in a matrix on a first substrate;
A second element having an etching element and facing the first substrate;
A counter electrode on the first substrate and the first and second substrates
In a liquid crystal display device that holds a liquid crystal composition, a first electrode made of a metal having a high reflectivity is formed on the second substrate.
A step between the pole and at least a side of the first electrode;
And the first electrode and the counter electrode are electrically connected to each other.
A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
２の基板上の第１電極側部に形成されたことを特徴とす
る請求項１記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a layer for reducing the step is formed on a side of the first electrode on the second substrate.
１電極を被覆した後エッチバックされた絶縁物からなる
ことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the layer for reducing the step is made of an insulator which is etched back after covering the first electrode.
１電極の陽極酸化物からなることを特徴とする請求項２
記載の液晶表示装置。4. The method according to claim 2, wherein the layer for reducing the step comprises an anodic oxide of the first electrode.
The liquid crystal display device as described in the above.
２の基板上の第１電極を完全に被覆した絶縁物からなる
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the layer for reducing the step is made of an insulator that completely covers the first electrode on the second substrate.
イッチング素子を備え、前記第１の基板に対向する第２
の基板上に対向電極を備え、前記第１及び第２の基板間
に液晶組成物を保持する液晶表示装置において、 前記第２の基板上に、反射率の高い金属からなる第１電
極を設け、 該第１電極と前記対向電極とが、表示部を囲むように形
成された該第１電極の額縁領域において電気的に接続さ
れたことを特徴とする液晶表示装置。 6. A plurality of switches in a matrix on a first substrate.
A second element having an etching element and facing the first substrate;
A counter electrode on the first substrate and the first and second substrates
In a liquid crystal display device that holds a liquid crystal composition, a first electrode made of a metal having high reflectivity is formed on the second substrate.
A first electrode and the counter electrode are formed so as to surround a display unit.
Electrically connected in a frame region of the first electrode formed.
A liquid crystal display device characterized by the following.
イッチング素子を備え、前記第１の基板に対向する第２
の基板上に対向電極を備え、前記第１及び第２の基板間
に液晶組成物を保持する液晶表示装置において、 前記第２の基板上に、反射率の高い金属からなる第１電
極と、 該第１電極上の、前記対向電極とのオーミックコンタク
トをとるための金属層とからなる２層電極を設け、 該２層電極が前記対向電極により被覆されたことを特徴
とする液晶表示装置。7. A semiconductor device comprising: a plurality of switching elements arranged in a matrix on a first substrate; and a second switching element facing the first substrate.
A liquid crystal display device comprising a counter electrode on the first substrate and holding a liquid crystal composition between the first and second substrates; a first electrode made of a metal having a high reflectance on the second substrate; A liquid crystal display device, comprising: a two-layer electrode formed on the first electrode and a metal layer for making ohmic contact with the counter electrode; and the two-layer electrode is covered with the counter electrode.
金属層が、ＴｉＷ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、Ｍｏ、Ｗの何れ
かからなることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装
置。8. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein the metal layer for making an ohmic contact is made of any of TiW, WSi, MoSi, Mo, and W.
えないことを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。9. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein the thickness of the two-layer electrode does not exceed 300 nm.
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか記載の液晶
表示装置。10. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said first electrode is made of aluminum.
スイッチング素子を備え、前記第１の基板に対向する第
２の基板上に対向電極を備え、前記第１及び第２の基板
間に液晶組成物を有する液晶表示装置の製造方法におい
て、 前記第２の基板上に、第１電極を形成する工程と、 該第１電極側部にサイドウォールを形成する工程と、 該第１電極及びサイドウォール上部に対向電極を形成す
る工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。11. comprising a plurality of <br/> switching element on the first substrate in a matrix, comprising a counter electrode on a second substrate facing the first substrate, the first and second A method for manufacturing a liquid crystal display device having a liquid crystal composition between substrates, wherein: a step of forming a first electrode on the second substrate; and a step of forming a sidewall on a side of the first electrode. Forming a counter electrode on the first electrode and the upper portion of the side wall.
が、前記第２の基板上の第１電極に絶縁膜を形成する工
程と、該絶縁膜に対して異方性エッチングを行う工程と
を含むことを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置
の製造方法。12. The step of forming the sidewall includes a step of forming an insulating film on a first electrode on the second substrate, and a step of performing anisotropic etching on the insulating film. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein:
が、前記第２の基板上の第１電極表面に陽極酸化膜を形
成する工程を含むことを特徴とする請求項１１記載の液
晶表示装置の製造方法。13. The liquid crystal display device according to claim 11, wherein the step of forming the sidewall includes a step of forming an anodic oxide film on a surface of the first electrode on the second substrate. Method.
スイッチング素子を備え、前記第１の基板に対向する第
２の基板上に対向電極を備え、前記第１及び第２の基板
間に液晶組成物を有する液晶表示装置の製造方法におい
て、 前記第２の基板上に、第１電極を形成する工程と、 該第１電極の少なくとも側部を被覆する絶縁層を形成す
る工程と、 該第１電極に接続するように対向電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 14. A method according to claim 14 , wherein a plurality of substrates are arranged in a matrix on a first substrate.
A switching element, and a second element facing the first substrate.
A counter electrode on a second substrate, wherein the first and second substrates are
Method for manufacturing liquid crystal display device having liquid crystal composition in between
Te, on the second substrate, to form a step of forming a first electrode, an insulating layer covering at least sides of the first electrode
And that step, a step of forming a counter electrode so as to be connected to the first electrode
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
向電極とを、前記第１電極の額縁領域において電気的に
接続させる工程を含むことを特徴とする請求項１４記載
の液晶表示装置の製造方法。15. The liquid crystal display according to claim 14, further comprising a step of electrically connecting a first electrode on the second substrate and the counter electrode in a frame region of the first electrode. Device manufacturing method.
チング素子を備え、前記基板に対向する第２の基板上に
対向電極を備え、前記第１及び第２の基板間に液晶組成
物を有する液晶表示装置の製造方法において、 前記第２の基板上に、反射率の高い金属により第１電極
を形成する工程と、 該第１電極上に、前記対向電極とオーミックコンタクト
をとるための金属層を載せて２層電極をなす工程と、 前記２層電極を被覆する対向電極を形成する工程とを含
むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。16. A switching element is provided in a matrix on a first substrate, a counter electrode is provided on a second substrate facing the substrate, and a liquid crystal composition is provided between the first and second substrates. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, a step of forming a first electrode on the second substrate with a metal having a high reflectivity; and a metal layer for making ohmic contact with the counter electrode on the first electrode. And a step of forming a counter electrode covering the two-layer electrode.
の金属層がＴｉＷ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、Ｍｏ、Ｗの何れ
かの金属によって形成されることを特徴とする請求項１
６記載の液晶表示装置の製造方法。17. The semiconductor device according to claim 1, wherein the metal layer for making the ohmic contact is formed of any one of TiW, WSi, MoSi, Mo, and W.
7. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to item 6.
えないことを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置
の製造方法。18. The method according to claim 16, wherein the thickness of the two-layer electrode does not exceed 300 nm.
分として形成されることを特徴とする請求項１１から１
６の何れか記載の液晶表示装置の製造方法。19. The method according to claim 11, wherein the first electrode is formed mainly of aluminum.
7. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to any one of 6.
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| JP33884195A JP3193859B2 (en) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH09179134A JPH09179134A (en) | 1997-07-11 |
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|---|---|---|---|---|
| JP5216204B2 (en) | 2006-10-31 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| JP2019144589A (en) * | 2019-04-29 | 2019-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display device |
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- 1995-12-26 JP JP33884195A patent/JP3193859B2/en not_active Expired - Lifetime
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