JP3192809B2 - High pressure silicon carbide Schottky diode - Google Patents
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 67
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高耐圧炭化珪素ショッ
トキ−・ダイオ−ドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high withstand voltage silicon carbide Schottky diode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】炭化珪素は、シリコンと比較してアバラ
ンシェ降伏による臨界電界が高いので、不純物濃度２×
１０15／ｃｍ3 程度のｎ型活性層で、５０００Ｖ以上の
耐圧を有するダイオ−ドを作ることが原理的には可能で
ある。一方、ショットキ−・ダイオ−ドは、少数キャリ
アの注入がないので、ＰＮ接合ダイオ−ドと比較してス
イッチング速度が速い。従って、炭化珪素ショットキ−
・ダイオ−ドは、高耐圧が実現出来るとともに、これと
同じ耐圧を有する従来のシリコンＰＩＮダイオ−ドより
も、低いオン抵抗、速いスイッチング速度を有するとい
う、優れた特性を備えることが期待される。2. Description of the Related Art Silicon carbide has a higher critical electric field due to avalanche breakdown than silicon.
10 15 / cm 3 In principle, it is possible to produce a diode having a withstand voltage of 5000 V or more with an n-type active layer of the order. On the other hand, the switching speed of the Schottky diode is higher than that of the PN junction diode because no minority carrier is injected. Therefore, silicon carbide Schottky
The diode is expected to have excellent characteristics that it can realize a high withstand voltage and has a lower on-resistance and a faster switching speed than the conventional silicon PIN diode having the same withstand voltage. .
【０００３】しかし、炭化珪素ショットキ−・ダイオ−
ドについては、理論的に予想される耐圧がこれまでのと
ころ得られていない。その主たる理由は、ショットキ−
電極のエッジ部分に電界が集中し、そこでブレ−クダウ
ンを起こしてしまうためと考えられる。即ち、図７に示
すように、基板１上に形成された活性層２とショットキ
−接合を形成するショットキ−電極４は、その全体にわ
たって活性層２上に存在しており、そのため、ショット
キ−電極４の端部に電界が集中してしまう。[0003] However, silicon carbide Schottky Dio-
The theoretically expected breakdown voltage has not been obtained so far. The main reason is Schottky
It is considered that the electric field concentrates on the edge portion of the electrode, causing a breakdown there. That is, as shown in FIG. 7, the Schottky electrode 4 that forms a Schottky junction with the active layer 2 formed on the substrate 1 exists entirely on the active layer 2, and therefore, the Schottky electrode The electric field concentrates at the end of the fourth.
【０００４】一般に、シリコンを用いたショットキ−ダ
イオ−ドの場合、電極のエッジ部分の下にｐ+ 層からな
るガ−ドリングを設けて耐圧をもたせるが、炭化硅素の
場合、ｐ+ 層を拡散することは現状では非常に困難であ
る。Generally, in the case of a Schottky diode using silicon, p.sup. + A guard ring made of a layer is provided to provide withstand voltage. In the case of silicon carbide, p + Diffusion of the layers is very difficult at present.
【０００５】この問題を解決するため、ショットキ−電
極に抵抗電極を取付けた構造の炭化珪素ショットキ−・
ダイオ−ド、及び浮遊電極を取付けた構造の炭化珪素シ
ョットキ−・ダイオ−ド等が考えられるが、いずれの構
造も、ショットキ−電極のエッジ部分が活性層と接触し
ているため、エッジ部分の電界集中の問題を充分には解
決していない。In order to solve this problem, a silicon carbide Schottky having a structure in which a resistance electrode is attached to a Schottky electrode.
A diode and a silicon carbide Schottky diode having a structure to which a floating electrode is attached can be considered, but in any structure, since the edge portion of the Schottky electrode is in contact with the active layer, the edge portion is It does not sufficiently solve the problem of electric field concentration.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、炭化珪
素ショットキ−・ダイオ−ドは、理論的には高耐圧が得
られることが期待されているが、ショットキ−電極のエ
ッジ部分に電界が集中するという問題のため、これまで
高耐圧が得られていない。As described above, a silicon carbide Schottky diode is theoretically expected to have a high breakdown voltage, but an electric field is applied to the edge of the Schottky electrode. Due to the problem of concentration, high breakdown voltage has not been obtained so far.
【０００７】そこで、本発明の目的は、ショットキ−電
極のエッジ部分に電界が集中するという問題を解決した
高耐圧炭化珪素ショットキ−・ダイオ−ドを提供するこ
とにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high breakdown voltage silicon carbide Schottky diode which solves the problem that an electric field is concentrated on the edge of a Schottky electrode.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、炭化珪素基板
と、この炭化珪素基板上に形成された第１導電型の炭化
珪素からなる活性層と、この活性層内に、前記炭化珪素
基板に達しないように埋め込んで形成された開口部を有
する絶縁膜と、前記開口部から露出する活性層上に形成
されたショットキー電極とを具備し、前記活性層と前記
絶縁膜とが接する領域において前記活性層の表面と前記
絶縁膜の上面とが同一平面上にあり、前記ショットキー
電極は、前記活性層とショットキー接合を形成するとと
もに、前記ショットキー電極の端部は、前記絶縁膜上に
存在することを特徴とする高耐圧炭化珪素ショットキー
・ダイオードを提供する。また、本発明は、炭化珪素基
板と、この炭化珪素基板上に形成された第１導電型の炭
化珪素からなる活性層と、この活性層内に、前記炭化珪
素基板に達しないように埋め込んで形成された開口部を
有する絶縁膜と、前記開口部から露出する活性層上に形
成されたショットキー電極とを具備し、前記ショットキ
ー電極は、前記活性層とショットキー接合を形成すると
ともに、ショットキー接合が形成された前記活性層表面
の端部に隣接した領域において、前記絶縁膜が前記ショ
ットキー電極の下面を覆っており、前記ショットキー電
極の端部は、前記絶縁膜上に存在することを特徴とする
高耐圧炭化珪素ショットキー・ダイオードを提供する。
更に、本発明は、炭化珪素基板と、この炭化珪素基板上
に形成された第１導電型の炭化珪素からなる活性層と、
この活性層内に、前記炭化珪素基板に達しないように埋
め込んで形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口
部から露出する活性層上に形成されたショットキー電極
とを具備し、前記活性層の表面は前記絶縁膜の上面より
下に位置し、前記ショットキー電極は、前記活性層とシ
ョットキー接合を形成するとともに、前記ショットキー
電極の端部は、前記絶縁膜上に存在することを特徴とす
る高耐圧炭化珪素ショットキー・ダイオードを提供す
る。 Means for Solving the Problems The present invention includes a silicon carbide substrate, an active layer of a first conductivity type silicon carbide formed in the silicon carbide substrate, in the active layer, said silicon carbide
An insulating film having an opening buried so as not to reach the substrate, and a Schottky electrode formed on an active layer exposed from the opening, the active layer and the
In a region where the insulating film is in contact with the surface of the active layer,
An upper surface of the insulating film is on the same plane, the Schottky electrode forms a Schottky junction with the active layer, and an end of the Schottky electrode is present on the insulating film. To provide a high breakdown voltage silicon carbide Schottky diode. The present invention also provides a silicon carbide-based
Plate and carbon of the first conductivity type formed on the silicon carbide substrate.
An active layer made of silicon carbide, and the silicon carbide
The opening formed by embedding so as not to reach the substrate
An insulating film having a shape on the active layer exposed from the opening;
And a Schottky electrode formed.
-The electrode forms a Schottky junction with the active layer.
In both cases, the surface of the active layer where the Schottky junction is formed
In a region adjacent to the end of
The lower surface of the Schottky electrode.
The end of the pole is present on the insulating film.
A high voltage silicon carbide Schottky diode is provided.
Further, the present invention provides a silicon carbide substrate,
An active layer made of silicon carbide of the first conductivity type formed on
The active layer is buried so as not to reach the silicon carbide substrate.
An insulating film having an opening formed by embedding;
Electrode formed on the active layer exposed from the part
Wherein the surface of the active layer is higher than the upper surface of the insulating film.
The Schottky electrode is located below the active layer.
Forming a Schottky junction and
An end of the electrode is present on the insulating film.
High-voltage silicon carbide Schottky diode
You.
【０００９】[0009]
【作用】本発明の高耐圧炭化珪素ショットキ−・ダイオ
−ドでは、図１に示すように、活性層２とショットキ−
接合を形成するショットキ−電極４の端部が、活性層２
上に形成された絶縁膜３上に存在している。そのため、
ショットキ−電極４が全体にわたって活性層２上に存在
する図７に示す従来の炭化珪素ショットキ−・ダイオ−
ドとは異なり、ショットキ−電極４の端部に電界が集中
することがなく、その結果、高耐圧炭化珪素ショットキ
−・ダイオ−ドが実現出来る。According to the high breakdown voltage silicon carbide Schottky diode of the present invention, as shown in FIG.
The end of the Schottky electrode 4 forming the junction is the active layer 2
It exists on the insulating film 3 formed thereon. for that reason,
A conventional silicon carbide Schottky diode shown in FIG. 7 in which a Schottky electrode 4 is entirely present on active layer 2.
Unlike the semiconductor device, the electric field does not concentrate on the end of the Schottky electrode 4, and as a result, a high breakdown voltage silicon carbide Schottky diode can be realized.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１１】図２は、本発明の一実施例に係る炭化珪素
ショットキ−・ダイオ−ドを示す断面図である。図２に
おいて、ｎ+ −炭化珪素基板１上に２×１０15／ｃｍ3
の不純物濃度のｎ- −炭化珪素からなる活性層２を３０
μｍの厚さにエピタキシャル成長させる。次いで、この
活性層２の上にシリコン酸化膜３を成長させる。その
後、シリコン酸化膜３に選択的にメサエッチングを施
し、側壁がなだらかに傾斜した開口部を形成する。この
開口部を通して露出する活性層２の上に、Ｐｔ等からな
るショットキ−電極４を、その端部がシリコン酸化膜３
上に重なるように形成する。一方、基板１の裏面には、
ＴａＳｉ2 等からなるオ−ミック電極５を形成し、炭化
珪素ショットキ−・ダイオ−ドが完成する。FIG. 2 is a sectional view showing a silicon carbide Schottky diode according to one embodiment of the present invention. In FIG. 2, n + 2 × 10 15 / cm 3 on silicon carbide substrate 1
The impurity concentration of the n - 30 active layers 2 of silicon carbide
Epitaxial growth to a thickness of μm. Next, a silicon oxide film 3 is grown on the active layer 2. After that, the silicon oxide film 3 is selectively subjected to mesa etching to form an opening whose side wall is gently inclined. On the active layer 2 exposed through this opening, a Schottky electrode 4 made of Pt or the like,
It is formed so as to overlap with the upper part. On the other hand, on the back surface of the substrate 1,
An ohmic electrode 5 made of TaSi 2 or the like is formed to complete a silicon carbide Schottky diode.
【００１２】以上説明した図２に示す炭化珪素ショット
キ−・ダイオ−ドでは、ショットキ−電極４の端部はシ
リコン酸化膜３上に乗り上げた状態となっていて、直接
活性層と接触していない。そのため、ショットキ−電極
４の端部には電界の集中が起こらず、ショットキ−電極
４と、活性層２及びシリコン酸化膜３とが接する部分に
おける電界を充分に下げることが可能である。In the above-described silicon carbide Schottky diode shown in FIG. 2, the end of Schottky electrode 4 runs over silicon oxide film 3 and is not in direct contact with the active layer. . Therefore, concentration of the electric field does not occur at the end of the Schottky electrode 4, and it is possible to sufficiently reduce the electric field in a portion where the Schottky electrode 4 contacts the active layer 2 and the silicon oxide film 3.
【００１３】図３は、図２に示す炭化珪素ショットキ−
・ダイオ−ドの改良を示す。即ち、図２に示す例では、
シリコン酸化膜３の開口部の側壁はなだらかに傾斜して
いるが、図３に示す例では、階段状となっている。この
ようなシリコン酸化膜３の形状でも、図２に示す例と同
様の効果を得ることが可能である。FIG. 3 shows the silicon carbide Schottky shown in FIG.
・ Improvement of diode. That is, in the example shown in FIG.
Although the side wall of the opening of the silicon oxide film 3 is gently inclined, in the example shown in FIG. Even with such a shape of the silicon oxide film 3, the same effect as the example shown in FIG. 2 can be obtained.
【００１４】図４は、本発明の他の実施例に係る炭化珪
素ショットキ−・ダイオ−ドを示す断面図である。図４
において、ｎ+ −炭化珪素基板１１上に２×１０15／ｃ
ｍ3 の不純物濃度のｎ- −炭化珪素からなる活性層１２
を３０μｍの厚さにエピタキシャル成長させる。次い
で、この活性層１２の上に耐酸化性のマスクを形成し、
熱酸化を施してシリコン酸化膜１３を選択的に形成す
る。そして、耐酸化性のマスクを除去した後、開口部を
通して露出する活性層１２の上に、Ｐｔからなるショッ
トキ−電極１４を、その端部がシリコン酸化膜１３上に
重なるように形成する。一方、基板１１の裏面には、Ｔ
ａＳｉ2 等からなるオ−ミック電極１５を形成し、炭化
珪素ショットキ−・ダイオ−ドが完成する。FIG. 4 shows a silicon carbide according to another embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows an elementary Schottky diode. FIG.
Where n+ 2 × 10 on silicon carbide substrate 11Fifteen/ C
mThree Impurity concentration n- -Active layer 12 made of silicon carbide
Is epitaxially grown to a thickness of 30 μm. Next
Then, an oxidation resistant mask is formed on the active layer 12,
Performing thermal oxidation to selectively form silicon oxide film 13
You. After removing the oxidation-resistant mask, the opening is
On the active layer 12 exposed through the
The toki electrode 14 is placed on the silicon oxide film 13 at its end.
It forms so that it may overlap. On the other hand, T
aSiTwoForming an ohmic electrode 15 made of
A silicon Schottky diode is completed.
【００１５】以上説明した図４に示す炭化珪素ショット
キ−・ダイオ−ドでは、選択酸化により形成されたシリ
コン酸化膜１３の端部が、活性層１２とショットキ−電
極１４との間に楔形に入り込んでいるため、ショットキ
−電極１４の端部での電界集中による耐圧の低下を軽減
することが可能である。In the above-described silicon carbide Schottky diode shown in FIG. 4, the end of silicon oxide film 13 formed by selective oxidation enters a wedge shape between active layer 12 and Schottky electrode 14. Therefore, it is possible to reduce a decrease in withstand voltage due to electric field concentration at the end of the Schottky electrode 14.
【００１６】図５は、本発明の他の実施例に係る炭化珪
素ショットキ−・ダイオ−ドを示す断面図である。図５
において、ｎ+ −炭化珪素基板２１上に２×１０15／ｃ
ｍ3 の不純物濃度のｎ- −炭化珪素からなる活性層２２
を３０μｍの厚さにエピタキシャル成長させる。次い
で、この活性層２２に異方性エッチングを施し、環状の
トレンチ溝を形成する。このトレンチ溝にシリコン酸化
物を埋め込み、環状のシリコン酸化膜２３を形成する。
その後、環状のシリコン酸化膜２３で囲まれた活性層２
２の上に、Ｐｔ等からなるショットキ−電極２４を、そ
の端部がシリコン酸化膜２３上に重なるように形成す
る。一方、基板２１の裏面には、ＴａＳｉ2等からなる
オ−ミック電極２５を形成し、炭化珪素ショットキ−・
ダイオ−ドが完成する。FIG. 5 shows a silicon carbide according to another embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows an elementary Schottky diode. FIG.
Where n+ 2 × 10 on silicon carbide substrate 21Fifteen/ C
mThree Impurity concentration n- -Active layer 22 made of silicon carbide
Is epitaxially grown to a thickness of 30 μm. Next
Then, the active layer 22 is subjected to anisotropic etching,
A trench is formed. Silicon oxide in this trench
An object is buried to form an annular silicon oxide film 23.
Thereafter, the active layer 2 surrounded by the annular silicon oxide film 23
A Schottky electrode 24 made of Pt or the like is
Is formed so that the end of the
You. On the other hand, a TaSiTwoConsist of
An ohmic electrode 25 is formed and a silicon carbide Schottky
The diode is completed.
【００１７】以上説明した図５に示す炭化珪素ショット
キ−・ダイオ−ドでは、ショットキ−電極２４は平坦で
あるとともに、その端部はシリコン酸化膜２３上に重な
っているため、電界集中による耐圧低下の効果を完全に
排除することが可能である。図６は、図５に示す炭化珪
素ショットキ−・ダイオ−ドの改良を示す。即ち、図５
に示す例では、シリコン酸化膜２３の表面は平坦であ
り、その結果、ショットキ−電極２４もまた平坦な形状
であるが、図６に示すように、シリコン酸化膜２３の表
面が突出していて、その結果、ショットキ−電極２４も
段差のある形状であってもよい。In the above-described silicon carbide Schottky diode shown in FIG. 5, the Schottky electrode 24 is flat and its end overlaps the silicon oxide film 23, so that the breakdown voltage is reduced due to electric field concentration. Can be completely eliminated. FIG. 6 shows an improvement of the silicon carbide Schottky diode shown in FIG. That is, FIG.
In the example shown in FIG. 6, the surface of the silicon oxide film 23 is flat, and as a result, the Schottky electrode 24 also has a flat shape. However, as shown in FIG. As a result, the Schottky electrode 24 may have a stepped shape.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
活性層とショットキ−接合を形成するショットキ−電極
の端部が、活性層上に形成された絶縁膜上に存在してい
るため、ショットキ−電極の端部に電界が集中すること
がなく、その結果、高耐圧炭化珪素ショットキ−・ダイ
オ−ドが実現出来る。As described above, according to the present invention,
Since the end of the Schottky electrode forming the Schottky junction with the active layer is present on the insulating film formed on the active layer, the electric field does not concentrate on the end of the Schottky electrode. As a result, a high breakdown voltage silicon carbide Schottky diode can be realized.
【図１】 本発明の高耐圧炭化珪素ショットキ−・ダイ
オ−ドの電極付近の電位分布を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a potential distribution near an electrode of a high-breakdown-voltage silicon carbide Schottky diode of the present invention.
【図２】 本発明の一実施例に係る高耐圧炭化珪素ショ
ットキ−・ダイオ−ドを示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a high breakdown voltage silicon carbide Schottky diode according to one embodiment of the present invention.
【図３】 図２に示す炭化珪素ショットキ−・ダイオ−
ドの改良を示す断面図。FIG. 3 shows a silicon carbide Schottky diode shown in FIG.
FIG.
【図４】 本発明の他の実施例に係る高耐圧炭化珪素シ
ョットキ−・ダイオ−ドを示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a high breakdown voltage silicon carbide Schottky diode according to another embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の更に他の実施例に係る高耐圧炭化珪
素ショットキ−・ダイオ−ドを示す断面図。FIG. 5 is a sectional view showing a high-breakdown-voltage silicon carbide Schottky diode according to still another embodiment of the present invention.
【図６】 図５に示す炭化珪素ショットキ−・ダイオ−
ドの改良を示す断面図。FIG. 6 shows a silicon carbide Schottky diode shown in FIG.
FIG.
【図７】 従来の高耐圧炭化珪素ショットキ−・ダイオ
−ドの電極付近の電位分布を示す断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a potential distribution near an electrode of a conventional high withstand voltage silicon carbide Schottky diode.
１，１１，２１…ｎ+ −炭化珪素基板 ２，１２，２２…活性層 ３，１３，２３…シリコン酸化膜 ４，１４，２４…ショットキ−電極 ５，１５，２５…オ−ミック電極1,11,21 ... n + -Silicon carbide substrate 2, 12, 22 ... active layer 3, 13, 23 ... silicon oxide film 4, 14, 24 ... Schottky electrode 5, 15, 25 ... ohmic electrode
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/43 H01L 29/47 H01L 29/872 Continued on the front page (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/28-21/288 H01L 21/44-21/445 H01L 29/40-29/43 H01L 29/47 H01L 29 / 872
Claims (3)
形成された第１導電型の炭化珪素からなる活性層と、こ
の活性層内に、前記炭化珪素基板に達しないように埋め
込んで形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部
から露出する活性層上に形成されたショットキー電極と
を具備し、前記活性層と前記絶縁膜とが接する領域にお
いて前記活性層の表面と前記絶縁膜の上面とが同一平面
上にあり、前記ショットキー電極は、前記活性層とショ
ットキー接合を形成するとともに、前記ショットキー電
極の端部は、前記絶縁膜上に存在することを特徴とする
高耐圧炭化珪素ショットキー・ダイオード。1. A silicon carbide substrate, an active layer made of silicon carbide of a first conductivity type formed on the silicon carbide substrate, and buried in the active layer so as not to reach the silicon carbide substrate. An insulating film having a formed opening, and a Schottky electrode formed on the active layer exposed from the opening, the surface of the active layer in a region where the active layer and the insulating film are in contact with each other, An upper surface of the insulating film is on the same plane, the Schottky electrode forms a Schottky junction with the active layer, and an end of the Schottky electrode is present on the insulating film. High withstand voltage silicon carbide Schottky diode.
形成された第１導電型の炭化珪素からなる活性層と、こ
の活性層内に、前記炭化珪素基板に達しないように埋め
込んで形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部
から露出する活性層上に形成されたショットキー電極と
を具備し、前記ショットキー電極は、前記活性層とショ
ットキー接合を形成するとともに、ショットキー接合が
形成された前記活性層表面の端部に隣接した領域におい
て、前記絶縁膜が前記ショットキー電極の下面を覆って
おり、前記ショットキー電極の端部は、前記絶縁膜上に
存在することを特徴とする高耐圧炭化珪素ショットキー
・ダイオード。2. A silicon carbide substrate, an active layer made of a first conductivity type silicon carbide formed on the silicon carbide substrate, and embedded in the active layer so as not to reach the silicon carbide substrate. An insulating film having a formed opening, and a Schottky electrode formed on the active layer exposed from the opening, wherein the Schottky electrode forms a Schottky junction with the active layer. In a region adjacent to the edge of the surface of the active layer where the key junction is formed, the insulating film covers the lower surface of the Schottky electrode, and the edge of the Schottky electrode exists on the insulating film. A high voltage silicon carbide Schottky diode characterized by the above-mentioned.
形成された第１導電型の炭化珪素からなる活性層と、こ
の活性層内に、前記炭化珪素基板に達しないように埋め
込んで形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部
から露出する活性層上に形成されたショットキー電極と
を具備し、前記活性層の表面は前記絶縁膜の上面より下
に位置し、前記ショットキー電極は、前記活性層とショ
ットキー接合を形成するとともに、前記ショットキー電
極の端部は、前記絶縁膜上に存在することを特徴とする
高耐圧炭化珪素ショットキー・ダイオード。3. A silicon carbide substrate, an active layer made of silicon carbide of the first conductivity type formed on the silicon carbide substrate, and formed by embedding in the active layer so as not to reach the silicon carbide substrate. An insulating film having an opened opening, and a Schottky electrode formed on the active layer exposed from the opening, wherein the surface of the active layer is located below an upper surface of the insulating film, A high withstand voltage silicon carbide Schottky diode, wherein the key electrode forms a Schottky junction with the active layer, and an end of the Schottky electrode exists on the insulating film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05183593A JP3192809B2 (en) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | High pressure silicon carbide Schottky diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05183593A JP3192809B2 (en) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | High pressure silicon carbide Schottky diode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268202A JPH06268202A (en) | 1994-09-22 |
| JP3192809B2 true JP3192809B2 (en) | 2001-07-30 |
Family
ID=12897924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05183593A Expired - Fee Related JP3192809B2 (en) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | High pressure silicon carbide Schottky diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3192809B2 (en) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE9502249D0 (en) * | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Abb Research Ltd | Converter circuitry having at least one switching device and circuit module |
| US6002159A (en) * | 1996-07-16 | 1999-12-14 | Abb Research Ltd. | SiC semiconductor device comprising a pn junction with a voltage absorbing edge |
| US5801836A (en) * | 1996-07-16 | 1998-09-01 | Abb Research Ltd. | Depletion region stopper for PN junction in silicon carbide |
| US6642558B1 (en) * | 2000-03-20 | 2003-11-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus of terminating a high voltage solid state device |
| JP5078314B2 (en) * | 2006-10-18 | 2012-11-21 | ローム株式会社 | Schottky barrier diode and manufacturing method thereof |
| US9059193B2 (en) | 2010-01-08 | 2015-06-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Epitaxial wafer and semiconductor element |
| US8916880B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-12-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide epitaxial wafer and semiconductor device |
| JP2013008783A (en) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Sanken Electric Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| JP6083105B2 (en) * | 2011-07-22 | 2017-02-22 | サンケン電気株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| CN111863938A (en) * | 2020-06-15 | 2020-10-30 | 深圳大学 | Gallium nitride-based Schottky diode and preparation method thereof |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP05183593A patent/JP3192809B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06268202A (en) | 1994-09-22 |
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