JP3192789B2 - 電子レンジ - Google Patents

電子レンジ

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JP3192789B2
JP3192789B2 JP34706992A JP34706992A JP3192789B2 JP 3192789 B2 JP3192789 B2 JP 3192789B2 JP 34706992 A JP34706992 A JP 34706992A JP 34706992 A JP34706992 A JP 34706992A JP 3192789 B2 JP3192789 B2 JP 3192789B2
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JP
Japan
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supply port
protective cover
reflector
heating chamber
magnetron
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義治 大森
憲司 久米
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導波管によって伝送さ
れ加熱室内へ放射される高周波のインピーダンスを調整
するための反射板を電子レンジ庫内に設けた電子レンジ
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電子レンジ庫内に高周波(マイク
ロ波)を供給する方式には、マグネトロンのアンテナか
ら直接供給する方式と導波管を使用して供給する方式が
あるが、オーブンレンジは後者の方式を採用している。
しかし、近年、電子レンジは高出力化とコンパクト化の
傾向にあり、従って、電子レンジ本体のコンパクト化の
ため導波管は小型化され、インピーダンス調整用の反射
板は導波管内に設けることが極めて難しくなってきてい
る。この反射板は主に、電子レンジ出力と直結したマイ
クロ波の伝送効果を向上させるためインピーダンス調整
用に使用されているため、マグネトロンのアンテナに近
い程その伝送効果は大きく、供給口面の近辺でかつ平行
に対向して設置されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、 電子レ
ンジは高出力化の傾向にあるため、導波管内からインピ
ーダンス調整用の反射板にかけての定在波(入射波と反
射波による合成波)により、その途中にある保護カバー
が溶けるという問題が発生する。従来は、この問題を改
善する方法として、保護カバーの材質を変更したり、反
射板の設置する位置をずらしたりしていた。しかし、保
護カバー材質を変更する場合はコストアップとなり、こ
の反射板の位置を変える場合は、供給口側に近づける
と、インピーダンス調整が困難となり、また、供給口と
反対側に遠避けると、マグネトロンから発振される高周
波のインピーダンス整合効果が悪くなり、反射板を大型
化する等の特別な対応を必要とした。
【0004】本発明は以上の事情を考慮してなされたも
ので、保護カバー面に対し、斜め向きにインピーダンス
調整用の反射板を設置し、角度を調整することにより、
インピーダンス調整を容易にして、かつ供給口に固定す
る保護カバーの材質を変えずに、その保護カバーの溶解
を防止するインピーダンス調整用の反射板を設けた電子
レンジを提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】図2は本発明の基本構成
を示し、インピーダンス調整用の反射板と供給口周辺の
位置関係を示す拡大横断面図である。本発明は、加熱室
1と、高周波を発振するマグネトロン2と、前記マグネ
トロン2によって発振された高周波を伝送する導波管3
と、前記導波管3によって伝送された高周波を前記加熱
室1へ放射する供給口4と、前記加熱室1と前記供給口
4間を仕切る樹脂製の保護カバー5と、中央部を前記供
給口4の中央部に対置させ、前記供給口4より1/2波
長以内の距離Lで前記加熱室1内の壁面に設けたインピ
ーダンス調整用の板状反射板6を備え、前記反射板6は
その中央部と一端の距離Sが前記保護カバー5面に対し
1/4波長以内になるように角度を持たせたことを特徴
とする電子レンジである。なお、高周波の発振数が2,45
0MHZとした場合、1波長λ≒122.4mm を基準に距離L≦
1/2λ≒61.2mm 、S≦1/4λ≒30.6mmが設定される。こ
こで、反射板の角度θ(θ=Sin-12S/W )は反射板の1/
2 幅Wとその中央部と一端の距離Sで決定される。
【0006】
【作用】本発明によれば、図2において、供給口4に対
向してインピーダンス調整用の反射板6を設ける場合、
マグネトロン2の発振出力が、供給口4から1/2波長
以内に1点最大となるマグネトロン発振効率最大位置が
あるので、前記供給口より1/2波長以内の距離で前記
加熱室1内の壁面に設け、かつ前記インピーダンス調整
用の反射板6を板状に構成し、さらに前記保護カバー5
面に対し1/4波長の範囲内で角度を調整できるように
構成している。従って、保護カバー5面に対し、板状の
反射板6を1/4波長の範囲内で斜め向きにすることに
より、マグネトロン2の発振出力を低下させずに、保護
カバー5近辺の定在波の状況を変化させ、保護カバー5
の温度上昇を押さえることが可能になり保護カバー5の
溶解が防止できる。
【0007】
【実施例】以下図に示す実施例に基づいて本発明を詳述
する。なお、これによって本発明は限定されるものでは
ない。
【0008】図1は本発明の電子レンジの一実施例を示
す縦断面図である。図1において、高周波(マイクロ
波)はマグネトロン2で発生し、導波管3により伝送さ
れ、供給口4より加熱室1へ放射される。保護カバー5
は加熱室1と導波管3を仕切り供給口4の固定されてい
る。インピーダンス調整用の反射板6は供給口4より1
/2波長以内の距離で前記加熱室内の上部壁面に平行に
設けられ、かつマグネトロン2の発振効率が最大となる
位置に設置されている。また、マグネトロン2から放射
されたマイクロ波は反射板6で反射され、加熱室1内で
さらに反射されるが、反射板6で反射されずに直接加熱
室1内で反射されるマイクロ波もあり、加熱室1内のマ
イクロ波は均一でないので、通常、スタラファン、ター
ンテーブルにより、マイクロ波をさらに多方向へ反射さ
せ分散させることでマイクロ波加熱を均一にしている
(図示せず)。
【0009】図2は本発明のインピーダンス調整用の反
射板6と供給口4周辺の位置関係を示す拡大横断面図で
ある。同図に示すように、加熱室1内の壁面に設けた板
状反射板6は、その中央部と供給口4の中央部からの距
離Lが、マグネトロン2の発振効率を大きくするため、
1/2波長(λ≒128mm 、2,450MHZのマイクロ波の場
合)以内で対置され、かつ反射板6の中央部と一端部の
距離Sが前記保護カバー5面に対し1/4波長(1/4λ
≒64mm)以内で調整される。反射板6の角度θ(θ=Si
n-12S/W)は反射板の1/2 幅Wとその中央部と一端の距
離Sで決定される。また、マグネトロン2から放射され
たマイクロ波は導波管3を通り供給口4より加熱室1へ
放射されるが、導波管3内から反射板6にかけて定在波
(入射波と反射波による合成波)が発生し供給口4に設
けられた保護カバー5の温度が上昇するが溶解には至ら
ない実験結果が得られている(図3参照)。
【0010】図3は反射板6の形状および位置関係によ
る電子レンジの効率と保護カバー5の温度上昇の実験結
果を示す説明図である。なお、図3において、マグネト
ロン2の発振効果は容易に測定できないため、電子レン
ジの入出力効率(%)としている。又、保護カバー5の
温度(°C )は空焚10分後の値で、100°C を越え
ると、溶けてしまう。
【0011】図3において、実験結果のデータ番号3〜
5に示すように、反射板6の位置(供給口4からの距離
L)をずらしたり、データ番号5に示すように反射板6
の寸法(高さH×幅W)を変えると、入出力効率(%)
が悪くなっていることがわかる。しかし、データ番号2
に示すように反射板6の角度θ(θ=Sin-12S/W 、例で
は、Sin-1(2 ×20/80)=30Oとなる。)をS(=20mm)
≦1/4λ(≒64mm)の範囲で調節することにより、入出
力効率を上げながら、保護カバー5の温度上昇を100
°C 以下に押さえることができるので溶けることがな
い。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、供給口より1/2波長
以内の距離で、保護カバー面に対し、1/4波長以内の
範囲で角度を調整することにより、インピーダンス調整
を容易にして、かつ供給口に固定する保護カバーの材質
を変えずに、その保護カバーの溶解を防止することがで
きる。又、その防止対策にはコストアップはしない。さ
らに、この反射板は他機種に共通使用できる等のメリッ
トがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子レンジの一実施例を示す縦断面図
である。
【図2】本発明のインピーダンス調整用の反射板6と供
給口4周辺の位置関係を示す拡大横断面図である。
【図3】反射板6の形状および位置関係による電子レン
ジの効率と保護カバー5の温度上昇の実験結果を示す説
明図である。
【符号の説明】
1 加熱室 2 マグネトロン 3 導波管 4 供給口 5 保護カバー 6 反射板
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05B 6/70 - 6/74 F24C 7/02

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加熱室と、高周波を発振するマグネトロ
    ンと、前記マグネトロンによって発振された高周波を伝
    送する導波管と、前記導波管によって伝送された高周波
    を前記加熱室内へ放射する供給口と、前記加熱室と前記
    供給口間を仕切る樹脂製の保護カバーと、中央部を前記
    供給口の中央部に対置させ、前記供給口より1/2波長
    以内の距離で前記加熱室内の壁面に設けたインピーダン
    ス調整用の板状反射板を備え、前記反射板はその中央部
    と一端部の距離が前記保護カバー面に対し1/4波長以
    内になるように角度を持たせたことを特徴とする電子レ
    ンジ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6396861B1 (en) 1999-01-11 2002-05-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. N-type modulation-doped multi quantum well semiconductor laser device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6396861B1 (en) 1999-01-11 2002-05-28 The Furukawa Electric Co., Ltd. N-type modulation-doped multi quantum well semiconductor laser device

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