JP3191363B2 - 多重量子井戸型半導体レーザ - Google Patents
多重量子井戸型半導体レーザInfo
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- JP3191363B2 JP3191363B2 JP31732291A JP31732291A JP3191363B2 JP 3191363 B2 JP3191363 B2 JP 3191363B2 JP 31732291 A JP31732291 A JP 31732291A JP 31732291 A JP31732291 A JP 31732291A JP 3191363 B2 JP3191363 B2 JP 3191363B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多モード化された縦モ
ードを得ることができる多重量子井戸型半導体レーザに
関する。
ードを得ることができる多重量子井戸型半導体レーザに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、量子井戸型半導体レーザの研究、
開発が盛んである。量子井戸型半導体レーザとは、活性
層の厚さを電子の波動関数の広がり程度まで薄くして、
利得及び光損失特性に量子サイズ効果を持たせた半導体
レーザである。量子井戸型半導体レーザは、例えば、低
い閾値電流密度、高い微分量子効率、低い温度依存性と
いった特徴を有し、狭いスペクトル線幅を得ることがで
きる。量子井戸型半導体レーザは、単一量子井戸型半導
体レーザと多重量子井戸型（以下、ＭＱＷともいう）半
導体レーザに分類される。従来、ＭＱＷ半導体レーザは
活性層領域中に複数のポテンシャル井戸層及び障壁層を
有し、井戸層の厚さは一定である。即ち、単一縦モード
を有するＭＱＷ半導体レーザの開発、研究が専ら進めら
れている。
開発が盛んである。量子井戸型半導体レーザとは、活性
層の厚さを電子の波動関数の広がり程度まで薄くして、
利得及び光損失特性に量子サイズ効果を持たせた半導体
レーザである。量子井戸型半導体レーザは、例えば、低
い閾値電流密度、高い微分量子効率、低い温度依存性と
いった特徴を有し、狭いスペクトル線幅を得ることがで
きる。量子井戸型半導体レーザは、単一量子井戸型半導
体レーザと多重量子井戸型（以下、ＭＱＷともいう）半
導体レーザに分類される。従来、ＭＱＷ半導体レーザは
活性層領域中に複数のポテンシャル井戸層及び障壁層を
有し、井戸層の厚さは一定である。即ち、単一縦モード
を有するＭＱＷ半導体レーザの開発、研究が専ら進めら
れている。
【０００３】光ディスク用の半導体レーザにおいて比較
的低周波領域で観察されるモードホッピング雑音は、例
えばビデオディスクの画質を劣化させる。モードホッピ
ング雑音とは、半導体レーザの縦モードが次のモードへ
飛び移るとき、即ちモードホッピング時に、複数個のモ
ードが競合するために発生する雑音である。特に、この
モードホッピング雑音が光ディスクからの戻り光に起因
した戻り光誘起雑音と複合した場合、画質を著しく劣化
させるという悪影響が生じる。
的低周波領域で観察されるモードホッピング雑音は、例
えばビデオディスクの画質を劣化させる。モードホッピ
ング雑音とは、半導体レーザの縦モードが次のモードへ
飛び移るとき、即ちモードホッピング時に、複数個のモ
ードが競合するために発生する雑音である。特に、この
モードホッピング雑音が光ディスクからの戻り光に起因
した戻り光誘起雑音と複合した場合、画質を著しく劣化
させるという悪影響が生じる。
【０００４】モードホッピング雑音を低減させる方法に
は、例えば回折格子や複合共振器による縦モードの単一
モード化、あるいは縦モードの多モード化がある。ま
た、戻り光誘起雑音を低減するには、縦モードを多モー
ド化し、レーザ光の可干渉性を低下させることが効果的
であることが知られている。
は、例えば回折格子や複合共振器による縦モードの単一
モード化、あるいは縦モードの多モード化がある。ま
た、戻り光誘起雑音を低減するには、縦モードを多モー
ド化し、レーザ光の可干渉性を低下させることが効果的
であることが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】縦モードを多モード化
する方法として、利得導波による多モード化を図る方
法、パルセーション発生あるいは高周波重畳といった過
渡特性による多モード化を図る方法が知られている。
する方法として、利得導波による多モード化を図る方
法、パルセーション発生あるいは高周波重畳といった過
渡特性による多モード化を図る方法が知られている。
【０００６】しかしながら、縦モードを多モード化する
これらの方法においては、量子雑音レベルが単一縦モー
ド時の量子雑音レベルより１桁以上高いという問題があ
る。また、これらの方法では、多モード化された縦モー
ドを正確に制御された状態で得ることが困難であるとい
う問題もある。
これらの方法においては、量子雑音レベルが単一縦モー
ド時の量子雑音レベルより１桁以上高いという問題があ
る。また、これらの方法では、多モード化された縦モー
ドを正確に制御された状態で得ることが困難であるとい
う問題もある。
【０００７】従って、本発明の目的は、正確に制御さ
れ、量子雑音レベルの低い多モード化された縦モードを
得ることができる半導体レーザを提供することにある。
れ、量子雑音レベルの低い多モード化された縦モードを
得ることができる半導体レーザを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、少なくと
も２つの井戸層を有し、井戸層の最大厚さと最小厚さの
差が一定の値以上であることを特徴とする多重量子井戸
型半導体レーザによって達成することができる。
も２つの井戸層を有し、井戸層の最大厚さと最小厚さの
差が一定の値以上であることを特徴とする多重量子井戸
型半導体レーザによって達成することができる。
【０００９】
【作用】活性層領域を構成する井戸層及び障壁層の組成
が一定の場合、井戸層の厚さが厚くなるに従い半導体レ
ーザの発光波長は長くなる。本発明の量子井戸型半導体
レーザは、少なくとも２つの井戸層を有する多重量子井
戸型であり、しかも井戸層の最大厚さと井戸層の最小厚
さの差が一定の値以上である。従って、本発明の量子井
戸型半導体レーザは、少なくとも井戸層の最大厚さ及び
最小厚さに相当するエネルギー準位を有し、その結果、
縦モードは多モードとなる。
が一定の場合、井戸層の厚さが厚くなるに従い半導体レ
ーザの発光波長は長くなる。本発明の量子井戸型半導体
レーザは、少なくとも２つの井戸層を有する多重量子井
戸型であり、しかも井戸層の最大厚さと井戸層の最小厚
さの差が一定の値以上である。従って、本発明の量子井
戸型半導体レーザは、少なくとも井戸層の最大厚さ及び
最小厚さに相当するエネルギー準位を有し、その結果、
縦モードは多モードとなる。
【００１０】尚、本明細書において、多モードとは、発
光強度の内最大強度を有するメインピークの強度を１０
０％とした場合、５０％以上の発光強度を有するサブピ
ークが１本以上存在する状態をいう。従って、「井戸層
の最大厚さと最小厚さの差が一定の値以上である」と
は、ＭＱＷ半導体レーザにおいて発光強度のサブピーク
が１本以上存在する状態となるように、それぞれの井戸
層の厚さの間に差が存在することを指す。
光強度の内最大強度を有するメインピークの強度を１０
０％とした場合、５０％以上の発光強度を有するサブピ
ークが１本以上存在する状態をいう。従って、「井戸層
の最大厚さと最小厚さの差が一定の値以上である」と
は、ＭＱＷ半導体レーザにおいて発光強度のサブピーク
が１本以上存在する状態となるように、それぞれの井戸
層の厚さの間に差が存在することを指す。
【００１１】かかる一定の値は、井戸層の最小厚さが１
００オングストローム以上の場合には１０オングストロ
ームであることが望ましい。一定の値が１０オングスト
ローム程度の場合、活性層を構成する化合物半導体の組
成にも依るが、メインピークの発光波長とサブピークの
発光波長の差は例えば１．５ｎｍ程度となる。１０オン
グストローム未満の場合、縦モードは単一モードとなる
傾向にある。尚、かかる一定の値が余り大き過ぎると、
ＭＱＷ半導体レーザは２つの発光波長ピークを有するよ
うになる。井戸層の最小厚さが１００オングストローム
未満の場合には、一定の値は８オングストローム程度で
あることが望ましい。
００オングストローム以上の場合には１０オングストロ
ームであることが望ましい。一定の値が１０オングスト
ローム程度の場合、活性層を構成する化合物半導体の組
成にも依るが、メインピークの発光波長とサブピークの
発光波長の差は例えば１．５ｎｍ程度となる。１０オン
グストローム未満の場合、縦モードは単一モードとなる
傾向にある。尚、かかる一定の値が余り大き過ぎると、
ＭＱＷ半導体レーザは２つの発光波長ピークを有するよ
うになる。井戸層の最小厚さが１００オングストローム
未満の場合には、一定の値は８オングストローム程度で
あることが望ましい。
【００１２】
【実施例】例えばＭＯＣＶＤ法にて、図２に模式図を示
すような多重量子井戸型半導体レーザを作製した。かか
る半導体レーザは、ｎ +ＧａＡｓ基板１０、０．５μｍ
厚さのＧａＡｓバッファ層１２、Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ
から成り１．５μｍ厚のｎ型クラッド層１４、活性層領
域１６、Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓから成り１．５μｍ厚の
ｐ型クラッド層１８、及びＧａＡｓから成り０．５μｍ
厚のｐ +型キャップ層２０から構成されている。図２に
示すＭＱＷ半導体レーザは、Ｚｎ拡散によるＭＱＷ構造
の無秩序化を利用した屈折率導波型の半導体レーザであ
る。尚、参照番号２２はＺｎ拡散領域、参照番号２４は
ＳｉＯ2層、参照番号２６は下部電極、参照番号２８は
上部電極である。
すような多重量子井戸型半導体レーザを作製した。かか
る半導体レーザは、ｎ +ＧａＡｓ基板１０、０．５μｍ
厚さのＧａＡｓバッファ層１２、Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ
から成り１．５μｍ厚のｎ型クラッド層１４、活性層領
域１６、Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓから成り１．５μｍ厚の
ｐ型クラッド層１８、及びＧａＡｓから成り０．５μｍ
厚のｐ +型キャップ層２０から構成されている。図２に
示すＭＱＷ半導体レーザは、Ｚｎ拡散によるＭＱＷ構造
の無秩序化を利用した屈折率導波型の半導体レーザであ
る。尚、参照番号２２はＺｎ拡散領域、参照番号２４は
ＳｉＯ2層、参照番号２６は下部電極、参照番号２８は
上部電極である。
【００１３】従来の多重量子井戸型半導体レーザにおい
ては、活性層領域は、例えば１２０オングストローム厚
さの３つの井戸層、及び６０オングストローム厚さの４
つの障壁層から成る。即ち、井戸層の厚さは一定であ
り、ＭＱＷ半導体レーザは単一縦モードを有する。これ
に対して、本発明のＭＱＷ半導体レーザにおいては、図
１に示すように、活性層領域１６は３つの井戸層を有
し、これらの井戸層の厚さはＬZ1＝１２０オングストロ
ーム、ＬZ2＝１２５オングストローム、ＬZ3＝１３０オ
ングストロームである。即ち、井戸層の最大厚さと最小
厚さの差は１０オングストロームである。障壁層の厚さ
は、ＬB1＝ＬB2＝ＬB3＝ＬB4＝６０オングストロームで
ある。井戸層はＡｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓから成り、障壁層
はＡｌ0.30Ｇａ0.70Ａｓから成る。尚、井戸層の厚さ
は、半導体レーザ断面のＴＥＭ観察によって調べること
ができる。
ては、活性層領域は、例えば１２０オングストローム厚
さの３つの井戸層、及び６０オングストローム厚さの４
つの障壁層から成る。即ち、井戸層の厚さは一定であ
り、ＭＱＷ半導体レーザは単一縦モードを有する。これ
に対して、本発明のＭＱＷ半導体レーザにおいては、図
１に示すように、活性層領域１６は３つの井戸層を有
し、これらの井戸層の厚さはＬZ1＝１２０オングストロ
ーム、ＬZ2＝１２５オングストローム、ＬZ3＝１３０オ
ングストロームである。即ち、井戸層の最大厚さと最小
厚さの差は１０オングストロームである。障壁層の厚さ
は、ＬB1＝ＬB2＝ＬB3＝ＬB4＝６０オングストロームで
ある。井戸層はＡｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓから成り、障壁層
はＡｌ0.30Ｇａ0.70Ａｓから成る。尚、井戸層の厚さ
は、半導体レーザ断面のＴＥＭ観察によって調べること
ができる。
【００１４】井戸層の厚さが相違する結果、エネルギー
準位がそれぞれの井戸層で異なり、最も低いエネルギー
準位において主な発振を引き起こす。しかしながら、す
ぐ上のエネルギー準位が存在するので、縦モードは多モ
ードとなる。
準位がそれぞれの井戸層で異なり、最も低いエネルギー
準位において主な発振を引き起こす。しかしながら、す
ぐ上のエネルギー準位が存在するので、縦モードは多モ
ードとなる。
【００１５】上述の実施例においては、最大強度ピーク
の発振波長は７８０ｎｍであり、５０％以上の強度を有
するサブピークの波長は７７９．５ｎｍ及び７８０．５
ｎｍである。
の発振波長は７８０ｎｍであり、５０％以上の強度を有
するサブピークの波長は７７９．５ｎｍ及び７８０．５
ｎｍである。
【００１６】ＭＯＣＶＤ法にてＭＱＷ半導体レーザを製
造する場合、井戸層の厚さは数原子オーダーで正確に制
御することができる。従って、井戸層の最大厚さと最小
厚さの差を正確に且つ容易に制御することができる。
造する場合、井戸層の厚さは数原子オーダーで正確に制
御することができる。従って、井戸層の最大厚さと最小
厚さの差を正確に且つ容易に制御することができる。
【００１７】以上、好ましい１実施例に基づき本発明の
ＭＱＷ半導体レーザを説明したが、本発明はかかる実施
例に限定されるものではない。
ＭＱＷ半導体レーザを説明したが、本発明はかかる実施
例に限定されるものではない。
【００１８】本発明の量子井戸型半導体レーザは、Ａｌ
ＧａＡｓ系のみならず、ＡｌＧａＩｎＰ系あるいはＡｌ
ＧａＩｎＡｓ系の化合物半導体から構成することができ
る。
ＧａＡｓ系のみならず、ＡｌＧａＩｎＰ系あるいはＡｌ
ＧａＩｎＡｓ系の化合物半導体から構成することができ
る。
【００１９】本発明における多重量子井戸型半導体レー
ザには、１次元量子井戸構造だけでなく、２次元及び３
次元量子井戸構造を有する半導体レーザ（量子細線及び
量子箱レーザ）を含むことができ、更に、面発光半導体
レーザ、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ半導体レーザ、横方向電流注
入ＭＱＷ半導体レーザ、多重ストライプ形半導体レーザ
等を含むことができる。また、本発明のＭＱＷ半導体レ
ーザは超格子バッファを有することができる。
ザには、１次元量子井戸構造だけでなく、２次元及び３
次元量子井戸構造を有する半導体レーザ（量子細線及び
量子箱レーザ）を含むことができ、更に、面発光半導体
レーザ、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ半導体レーザ、横方向電流注
入ＭＱＷ半導体レーザ、多重ストライプ形半導体レーザ
等を含むことができる。また、本発明のＭＱＷ半導体レ
ーザは超格子バッファを有することができる。
【００２０】図１に模式的に図示した井戸層の厚さ
ＬZ1、ＬZ2、ＬZ3・・・は、 ＬZ1＜ＬZ2＜ＬZ3 の条件を満たす場合だけでなく、例えば、 ＬZ1＝ＬZ2＜ＬZ3 ＬZ2＜ＬZ1＜ＬZ3 等、種々の条件とすることができる。ともかく、井戸層
の最大厚さと最小厚さの差が一定の値（例えば１０オン
グストローム）以上あればよい。
ＬZ1、ＬZ2、ＬZ3・・・は、 ＬZ1＜ＬZ2＜ＬZ3 の条件を満たす場合だけでなく、例えば、 ＬZ1＝ＬZ2＜ＬZ3 ＬZ2＜ＬZ1＜ＬZ3 等、種々の条件とすることができる。ともかく、井戸層
の最大厚さと最小厚さの差が一定の値（例えば１０オン
グストローム）以上あればよい。
【００２１】
【発明の効果】本発明においては、正確に且つ容易に井
戸層の厚さを制御することができる。従って、量子井戸
型半導体レーザの特徴を生かしつつ、正確な発振波長を
有する多モード化された縦モードを有する低雑音の多重
量子井戸型半導体レーザを得ることができる。その結
果、例えばモードポッピング雑音や戻り光誘起雑音を効
果的に低減することができ、光ディスク用の有力な光源
となり得る。
戸層の厚さを制御することができる。従って、量子井戸
型半導体レーザの特徴を生かしつつ、正確な発振波長を
有する多モード化された縦モードを有する低雑音の多重
量子井戸型半導体レーザを得ることができる。その結
果、例えばモードポッピング雑音や戻り光誘起雑音を効
果的に低減することができ、光ディスク用の有力な光源
となり得る。
【図１】本発明の多重量子井戸型半導体レーザの活性層
領域の構成を示す図である。
領域の構成を示す図である。
【図２】本発明の多重量子井戸型半導体レーザの模式図
である。
である。
１０ ｎ +ＧａＡｓ基板１０ １２ ＧａＡｓバッファ層 １４ ｎ型クラッド層 １６ 活性層領域 １８ ｐ型クラッド層 ２０ ｐ +型キャップ層 ２２ Ｚｎ拡散領域 ２４ ＳｉＯ2層 ２６ 下部電極 ２８ 上部電極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (4)
- 【請求項１】厚さの異なる少なくとも２つの井戸層から
構成され、１つの主発光強度ピークを有し、且つ、多モ
ード化された縦モードを有するレーザ光を発光すること
を特徴とする多重量子井戸型半導体レーザ。 - 【請求項２】前記レーザ光は、少なくとも１つの副発光
強度ピークを更に有することを特徴とする請求項１に記
載の多重量子井戸型半導体レーザ。 - 【請求項３】最小厚さを有する井戸層の厚さは１００オ
ングストローム以上であり、最大厚さを有する井戸層の
厚さと最小厚さを有する井戸層の厚さの差が１０オング
ストローム以上であることを特徴とする請求項１に記載
の多重量子井戸型半導体レーザ。 - 【請求項４】最小厚さを有する井戸層の厚さは１００オ
ングストローム未満であり、最大厚さを有する井戸層の
厚さと最小厚さを有する井戸層の厚さの差が８オングス
トローム以上であることを特徴とする請求項１に記載の
多重量子井戸型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31732291A JP3191363B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 多重量子井戸型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31732291A JP3191363B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 多重量子井戸型半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129724A JPH05129724A (ja) | 1993-05-25 |
| JP3191363B2 true JP3191363B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=18086921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31732291A Expired - Lifetime JP3191363B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 多重量子井戸型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3191363B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007110090A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-04-26 | Sony Corp | ＧａＮ系半導体発光素子、発光装置、画像表示装置、面状光源装置、及び、液晶表示装置組立体 |
| KR101012636B1 (ko) * | 2008-11-27 | 2011-02-09 | 우리엘에스티 주식회사 | 발광 소자 |
| JP2011054834A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子 |
-
1991
- 1991-11-06 JP JP31732291A patent/JP3191363B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05129724A (ja) | 1993-05-25 |
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Legal Events
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