JP3190883B2 - High-frequency probe tip structure and processing method - Google Patents

High-frequency probe tip structure and processing method

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JP3190883B2
JP3190883B2 JP16102198A JP16102198A JP3190883B2 JP 3190883 B2 JP3190883 B2 JP 3190883B2 JP 16102198 A JP16102198 A JP 16102198A JP 16102198 A JP16102198 A JP 16102198A JP 3190883 B2 JP3190883 B2 JP 3190883B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、内側の中心導体、
外側の被覆導体、およびその間に挿入された誘電体それ
ぞれが同心の状態にあるセミリジッドケーブルで形成さ
れる高周波プローブ先端の構造およびその加工方法に関
し、特に、構成部品および製造工程を簡素化して製造コ
ストの低減化を図る高周波プローブ先端の構造およびそ
の加工方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an inner central conductor,
The present invention relates to a structure of a tip of a high-frequency probe formed of a semi-rigid cable in which an outer coated conductor and a dielectric inserted therebetween are concentric with each other and a method of processing the same, and in particular, simplifies components and a manufacturing process to reduce manufacturing costs TECHNICAL FIELD The present invention relates to a structure of a tip of a high-frequency probe and a method of processing the same to reduce noise.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の高周波プローブ先端の構
造およびその加工方法には、米国特許第5506515
号明細書に記載されたものがある。この方法による高周
波プローブ先端の構造は、図5に示されるように、同軸
ケーブル100の先端を加工してある。
2. Description of the Related Art Conventionally, the structure of such a high-frequency probe tip and its processing method are disclosed in US Pat.
Some are described in the specification. In the structure of the tip of the high frequency probe according to this method, as shown in FIG. 5, the tip of the coaxial cable 100 is processed.

【0003】同軸ケーブル100は、内側中心軸位置の
中心導体101、外部に面した被覆導体102、および
その間に挿入された誘電体103それぞれが同心の状態
にあり、同軸方向に対して垂直に切断した垂直カット面
104より先端に、中心導体101と接続されている中
心接触子111およびこの中心接触子111の両側に被
覆導体102と接続されている外部接触子112を接続
固定している。
In a coaxial cable 100, a central conductor 101 at an inner central axis position, a coated conductor 102 facing the outside, and a dielectric 103 inserted therebetween are concentric and cut perpendicular to the coaxial direction. The center contact 111 connected to the center conductor 101 and the external contacts 112 connected to the coated conductor 102 on both sides of the center contact 111 are fixedly connected to the end of the vertical cut surface 104.

【0004】図6に図5を併せ参照して図5で示した高
周波プローブ先端に対する加工方法について説明する。
図6は図5で示される斜視図を裏側から見た裏面図であ
る。
A method for processing the tip of the high-frequency probe shown in FIG. 5 will be described with reference to FIG. 6 and FIG.
FIG. 6 is a back view of the perspective view shown in FIG. 5 as viewed from the back side.

【0005】まず、図6(A)では、同軸ケーブル10
0を中心軸方向に垂直な面で切断して垂直カット面10
4を作成した工程の結果が示されている。
[0005] First, in FIG.
0 is cut along a plane perpendicular to the center axis direction to form a vertical cut surface 10
4 shows the result of the process for preparing No. 4.

【0006】次いで、図6(B)では、中心軸を含む平
面およびこの平面と垂直な平面とにより半円筒型部分を
切り取り、中心軸を含むカット面105とこの面と垂直
なカット面106とを製作した工程の結果が示されてい
る。
Next, in FIG. 6 (B), a semi-cylindrical portion is cut by a plane including the central axis and a plane perpendicular to the plane, and a cut surface 105 including the central axis and a cut surface 106 perpendicular to the plane are formed. The result of the process of manufacturing is shown.

【0007】次いで、図6(C)では、フレーム部品1
10がカット面105に位置決めされ接続固定される。
フレーム部品110は、中心接触子111および外部接
触子112を基板部113と共に一括して製作したもの
であり、外部接触子112は、中心接触子111の両側
で、中心接触子111がカット面105の中心導体10
1上に接続する際に、カット面105の被覆導体102
に接続するよう、基板部113により位置決めされてい
る。
[0007] Next, in FIG.
10 is positioned on the cut surface 105 and fixedly connected.
The frame component 110 is formed by collectively manufacturing a center contact 111 and an external contact 112 together with a substrate 113. The external contact 112 is formed on both sides of the center contact Center conductor 10
1 when connecting on the coated conductor 102 on the cut surface 105.
Is positioned by the substrate unit 113 so as to be connected to

【0008】最後に、図6(D)では、不要部品となる
基板部113が切り離され、図5の状態となった工程の
結果が示されている。
Finally, FIG. 6 (D) shows the result of the process in which the substrate 113 serving as an unnecessary component is cut off and the state shown in FIG. 5 is obtained.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高周波
プローブ先端の構造およびその加工方法では、同軸ケー
ブル以外に接触子を構成するフレーム部品を必要とし、
一つの中心導体に一つの中心接触子、また一つの被覆導
体に二つの外部接触子、それぞれを接続固定したのち、
基板部を切り離すという工程を必要とするので、前準備
の部品が複雑な形状であり、完成品の構成部品数が多
く、したがって、製造工程が複雑になり、製造コストが
高くなるという問題点がある。
The above-described structure of the tip of the high-frequency probe and the method for processing the same require a frame component constituting a contactor in addition to the coaxial cable.
After connecting and fixing one center contact to one center conductor and two external contacts to one covered conductor,
Since a process of separating the substrate is required, the parts prepared in advance have a complicated shape, the number of components of the finished product is large, and therefore the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing cost increases. is there.

【0010】また、被測定物が小型化され狭ピッチで多
数の信号電極が並び、グラウンド電極が検査ステージと
なるデバイスステージと接触する場合でも、同軸ケーブ
ル以外に接触子を構成するフレーム部品を使用し、高周
波プローブ先端を上述した加工方法を応用して加工する
ことができるが、上述同様な問題点がある。
Further, even when the device to be measured is miniaturized and a large number of signal electrodes are arranged at a narrow pitch and the ground electrode comes into contact with a device stage serving as an inspection stage, a frame component constituting a contact other than the coaxial cable is used. Although the tip of the high-frequency probe can be processed by applying the above-described processing method, there is a problem similar to the above.

【0011】本発明の課題は、上記問題点を解決し、構
成部品および製造工程を簡素化して製造コストの低減化
を図ることができる高周波プローブ先端の構造およびそ
の加工方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a structure of a tip of a high-frequency probe and a method for processing the same, which can solve the above-mentioned problems, simplify components and a manufacturing process, and reduce the manufacturing cost. .

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明による高周波プロ
ーブ先端の構造は、内側の中心導体、外側の被覆導体、
およびその間に挿入された誘電体それぞれが同心の状態
にあるセミリジッドケーブルで形成される高周波プロー
ブ先端の構造において、先端面として前記セミリジッド
ケーブルを中心軸方向に対し垂直平面で切断して形成さ
れる垂直カット面をほぼ中心から前記中心軸方向に対し
て一つの斜め平面により切断され前記高周波プローブ先
端を被測定物に押し当てる方向に表面を有する第一の
めカット面と、前記被覆導体の周囲に嵌め込み前記被覆
導体と電気的に導通を得る導電材によるリングと、前記
先端面に露出する前記中心導体に取り付けたバンプ接点
とを備えている。また、前記リングは、前記中心軸より
バンプ接点側に割れ目を設けてもよい。
The structure of the tip of the high-frequency probe according to the present invention comprises an inner central conductor, an outer coated conductor,
In the structure of the tip of the high-frequency probe formed of a semi-rigid cable in which each of the dielectrics inserted therebetween is concentric, a vertical surface formed by cutting the semi-rigid cable as a distal end surface in a plane perpendicular to the center axis direction From the center to the center axis direction
The high frequency probe destination is cleaved by one of the oblique planes Te
A first oblique cut surface having a surface in a direction in which an end is pressed against the object to be measured, a ring made of a conductive material that is fitted around the covered conductor and electrically connects to the covered conductor, And a bump contact attached to the center conductor exposed on the tip end surface. The ring may be provided with a crack on the bump contact side with respect to the central axis.

【0013】本発明による高周波プローブ先端の加工方
法は、内側の中心導体、外側の被覆導体、およびその間
に挿入された誘電体それぞれが同心の状態にあるセミリ
ジッドケーブルで形成される高周波プローブ先端におい
て、先端面として前記セミリジッドケーブルを中心軸方
向に対し垂直平面で切断して形成される垂直カット面を
作成する先端面形成工程と、この先端面形成工程に次い
で、前記垂直カット面をほぼ中心から前記中心軸方向に
対して一つの斜め平面により切断し、前記高周波プロー
ブ先端を被測定物に押し当てる方向に表面を有する第一
斜めカット面を作成する先端斜面形成工程とを設け、
更にこの先端斜面形成工程に次いで、前記被覆導体の周
囲に導電材によるリングを嵌め込み前記被覆導体と電気
的に導通を得るリング固定工程と、前記先端面に露出す
る前記中心導体にバンプ接点を取り付ける接点取付工程
とを設け、これらリング固定工程および接点取付工程の
いずれか一方の工程を実行した後に他方の工程を実行し
ている。
The method for processing the tip of a high-frequency probe according to the present invention is characterized in that a tip of a high-frequency probe formed of a semi-rigid cable in which an inner central conductor, an outer coated conductor, and a dielectric inserted therebetween are concentric with each other. Forming a vertical cut surface formed by cutting the semi-rigid cable in a plane perpendicular to the central axis direction as a distal end surface, and, following the distal end surface forming step, the vertical cut surface is substantially centered. and the center axis direction is cut by one of the oblique plane, the high frequency probe
First with a surface in the direction in which the tip of the probe is pressed against the workpiece
And a tip slope forming step of creating an oblique cut surface of
Further, following the tip slope forming step, a ring fixing step of fitting a ring of a conductive material around the covered conductor to obtain electrical conduction with the covered conductor, and attaching a bump contact to the center conductor exposed on the tip face. A contact mounting step is provided, and after performing one of the ring fixing step and the contact mounting step, the other step is performed.

【0014】この結果、ケーブル以外に前準備する部品
は導電材によるリングおよびバンプ接点材料であり、構
成部品および製造工程の簡素化を図ることができる。
As a result, the parts to be prepared in addition to the cable are ring and bump contact materials made of a conductive material, so that the components and the manufacturing process can be simplified.

【0015】[0015]

【0016】また、上記先端斜面形成工程は、上記斜め
カット面を第一の斜めカット面として作成する工程に次
いで、前記垂直カット面をほぼ中心から前記中心軸方向
に対して一つの斜平面により切断し、前記第一の斜めカ
ット面と逆方向に対して表面を作成する第二の斜めカッ
ト面を作成する工程を追加してよい。この結果、被測定
物を測定する際、先端のバンプ接点を目視できる。
[0016] In the step of forming the inclined front end, the step of forming the oblique cut surface as a first oblique cut surface may include the step of forming the oblique cut surface from one center with respect to the center axis direction substantially from the center. A step of cutting and creating a second oblique cut surface for creating a surface in a direction opposite to the first oblique cut surface may be added. As a result, when measuring the object to be measured, the bump contact at the tip can be visually observed.

【0017】更に、上記先端斜面形成工程は、上記第二
の斜めカット面を作成する工程に次いで、上記第一およ
び第二両者の斜めカット面に垂直な平面に適当な角度を
もって、上記垂直カット面をほぼ中心から上記中心軸方
向に対して二つの斜平面により切断し、上記先端面に露
出する中心導体を頂点として四角錐状態を形成する第三
の斜めカット面を作成する工程を追加してよい。この結
果、被測定物を測定する際、先端のバンプ接点周辺を目
視できる。
Further, in the tip slope forming step, following the step of forming the second oblique cut surface, the vertical cut is formed at an appropriate angle to a plane perpendicular to the first and second oblique cut surfaces. A step of cutting the surface from two centers with respect to the center axis direction from substantially the center and creating a third diagonal cut surface that forms a quadrangular pyramid state with the center conductor exposed at the tip surface as a vertex is added. May be. As a result, when measuring an object to be measured, the periphery of the bump contact at the tip can be visually observed.

【0018】[0018]

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0020】図1(A)から図1(D)それぞれは本発
明の各工程における実施の一形態を示す説明図である。
FIGS. 1A to 1D are explanatory views showing one embodiment of each step of the present invention.

【0021】高周波プローブ先端には、セミリジッドケ
ーブル10が使用される。セミリジッドケーブル10
は、内側の中心導体11、外側の被覆導体12、および
その間に挿入された誘電体13それぞれが同心の状態に
ある。
A semi-rigid cable 10 is used at the tip of the high-frequency probe. Semi-rigid cable 10
In the figure, the inner central conductor 11, the outer coated conductor 12, and the dielectric 13 inserted therebetween are concentric.

【0022】まず、第一の工程では、セミリジッドケー
ブル10が同軸方向に対して垂直な平面で切断される。
この結果、図1(A)に示されるように、セミリジッド
ケーブル10の一端部に垂直カット面を成す先端面14
が形成される。図1(A)は第一の工程を終了したセミ
リジッドケーブル10における、先端面14の表面図お
よびこの表面図のA−A断面図である。
First, in the first step, the semi-rigid cable 10 is cut along a plane perpendicular to the coaxial direction.
As a result, as shown in FIG. 1A, the distal end surface 14 forming a vertical cut surface is formed at one end of the semi-rigid cable 10.
Is formed. FIG. 1A is a surface view of the distal end surface 14 of the semi-rigid cable 10 after the first step and a sectional view taken along line AA of this surface view.

【0023】次の第二の工程では、セミリジッドケーブ
ル10が、円形を成す先端面14の中心を通る平面で、
同軸方向に向かって斜めに、図示される例では下方向に
斜めに、切断される。この結果、図1(B)の断面図に
示されるように、第一斜めカット面15が形成される。
In the next second step, the semi-rigid cable 10 is a plane passing through the center of the circular tip surface 14,
It is cut diagonally toward the coaxial direction, and in the example shown, diagonally downward. As a result, the first oblique cut surface 15 is formed as shown in the cross-sectional view of FIG.

【0024】次の第三の工程では、導電材のリングとし
て金属リング16が、セミリジッドケーブル10の被覆
導体13の周囲に密着して電気的に導通が取れるように
嵌め込まれる。嵌め込まれた金属リング16は、図1
(C)に示されるように、第一斜めカット面15で被覆
導体12が露出する部分を覆うような位置に嵌め込まれ
る。図1(C)は第三の工程を終了したセミリジッドケ
ーブル10における、先端面14の表面図およびこの表
面図のB−B断面図である。
In the next third step, a metal ring 16 is fitted as a conductive material ring around the insulated conductor 13 of the semi-rigid cable 10 so as to be electrically conductive. The fitted metal ring 16 is shown in FIG.
As shown in (C), it is fitted in a position where the first oblique cut surface 15 covers a portion where the coated conductor 12 is exposed. FIG. 1C is a surface view of the distal end surface 14 of the semi-rigid cable 10 after the third step, and a cross-sectional view taken along line BB of this surface view.

【0025】最後の工程では、第一斜めカット面15に
露出する中心導体11の先端に金属バンプ17が取り付
けられる。この結果、図1(D)に示されるように、第
一斜めカット面15の表面側の方向で、金属リング16
および金属バンプ17それぞれが独立した接点を形成し
ている。すなわち、図示される金属リング16は、弾性
体であると共に、金属バンプ17とセミリジッドケーブ
ル10の中心軸とを含む平面内の金属バンプ17と同一
の側で割れ目18を有し、弾性によりセミリジッドケー
ブル10の被覆導体12との完全な導通をとっていると
共に、接点としての役目を担っている。
In the last step, a metal bump 17 is attached to the tip of the center conductor 11 exposed on the first oblique cut surface 15. As a result, as shown in FIG. 1D, the metal ring 16
And the metal bumps 17 form independent contacts. That is, the illustrated metal ring 16 is an elastic body, and has a crack 18 on the same side as the metal bump 17 in a plane including the metal bump 17 and the central axis of the semi-rigid cable 10. It has perfect continuity with the 10 covered conductors 12 and also serves as a contact.

【0026】したがって、図2に示されるように、デバ
イスステージ21の表面を検査デバイスグラウンドとし
て被測定物22を置く場合、図1で説明した高周波プロ
ーブ先端の第一斜めカット面15をデバイスステージ2
1に対面させて被測定物22の信号電極23に金属バン
プ17を押し付けた場合、金属リング16の割れ目18
の部分がデバイスステージ21である検査デバイスグラ
ウンドにも押し付けられグラウンド面における接触を確
実にしている。この結果、高周波プローブ先端において
信号およびグラウンドそれぞれを取り込むことができ
る。
Therefore, as shown in FIG. 2, when placing the device under test 22 with the surface of the device stage 21 as the inspection device ground, the first oblique cut surface 15 at the tip of the high-frequency probe described in FIG.
When the metal bumps 17 are pressed against the signal electrodes 23 of the device under test 22 so that the metal
Is pressed against the test device ground, which is the device stage 21, to ensure contact on the ground surface. As a result, a signal and a ground can be captured at the high-frequency probe tip.

【0027】上記工程の手順では、金属リングが嵌め込
まれた後に金属バンプが取り付けられると説明したが、
この工程の手順は逆であってもよい。
In the above procedure, it has been described that the metal bump is attached after the metal ring is fitted.
The procedure of this step may be reversed.

【0028】次に、図3に図1を併せ参照して図1
(B)に続き追加する工程について説明する。
Next, referring to FIG. 3 and FIG.
An additional step following (B) will be described.

【0029】図1(B)で第一斜めカット面15を作成
したのち、この工程では、セミリジッドケーブル10
が、円形を成す先端面14の中心を通る平面で、同軸方
向に向かって第一斜めカット面15と逆の方向に斜め
に、図示される例では上方向に斜めに、切断される。こ
の結果、図3に示されるように、第二斜めカット面31
が第一斜めカット面15と共に、図面の紙面を平面とし
てそれぞれ垂直面を成し、その交差する直線は先端面1
4で図1(C)に示されるような中心線を描いている。
After forming the first oblique cut surface 15 in FIG. 1B, in this step, the semi-rigid cable 10
Is cut on a plane passing through the center of the circular tip surface 14 obliquely in the direction opposite to the first oblique cut surface 15 in the coaxial direction, and in the illustrated example, obliquely upward. As a result, as shown in FIG.
Together with the first diagonal cut surface 15 form a vertical plane with the plane of the drawing as a plane, and the intersecting straight line is the front end face 1
4, a center line as shown in FIG. 1 (C) is drawn.

【0030】この工程に次いで、図1(C)の金属リン
グ16、および図1(D)の金属バンプ17が取り付け
られる。
After this step, the metal ring 16 of FIG. 1C and the metal bump 17 of FIG. 1D are attached.

【0031】この工程の結果、高周波プローブとなるセ
ミリジッドケーブル10を図2に示されるように斜め方
向から被測定物に接触する場合、先端の接触個所がデバ
イスステージ21の真上から目視可能となる。
As a result of this process, when the semi-rigid cable 10 serving as a high-frequency probe comes into contact with the object to be measured from an oblique direction as shown in FIG. 2, the contact point at the tip becomes visible from directly above the device stage 21. .

【0032】次に、図4に図3および図1を併せ参照し
て図3に続き追加する工程について説明する。図4は図
3で説明された工程を終了したセミリジッドケーブル1
0における、先端面14の表面図ならびにこの表面図に
対し側面から見たC−C断面図および下面から見たD−
D断面図である。
Next, an additional step following FIG. 3 will be described with reference to FIG. 4 and FIGS. 3 and 1. FIG. 4 shows a semi-rigid cable 1 that has completed the steps described in FIG.
0, the surface view of the tip end face 14, the cross-sectional view taken along the line CC of the surface view, and the D-
It is D sectional drawing.

【0033】図3で第二斜めカット面31を作成したの
ち、この工程では、セミリジッドケーブル10が、先端
面14に露出する中心導体11の先端を頂点とする四角
錐体を形成するように、頂点から同軸方向に向かって斜
めに、第一および第二の斜めカット面15,31の両者
に垂直で、中心軸に対して相互に逆方向を成す方向に切
断され、二つの第三斜めカット面41,42が形成され
る。
After the second oblique cut surface 31 is formed in FIG. 3, in this step, the semi-rigid cable 10 forms a quadrangular pyramid having the top end of the central conductor 11 exposed on the front end surface 14 as a vertex. Two diagonal cuts are cut diagonally from the apex toward the coaxial direction, perpendicular to both the first and second diagonal cut surfaces 15, 31 and in directions opposite to each other with respect to the central axis. Surfaces 41 and 42 are formed.

【0034】この工程の結果、セミリジッドケーブル1
0を被測定物に斜め方向から接触する際に上方向および
横方向から接触個所の周辺が目視可能となり、位置決め
を容易に行なうことができる。
As a result of this step, the semi-rigid cable 1
When the object 0 comes into contact with the object to be measured from an oblique direction, the periphery of the contact point can be viewed from above and from the lateral direction, and positioning can be easily performed.

【0035】[0035]

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように本発明の高周波プロ
ーブ先端の加工方法によれば、構成部品および製造工程
を簡素化して製造コストの低減化を図ることができると
いう効果を得ることができる。
As described above, according to the method of processing the tip of a high-frequency probe according to the present invention, it is possible to obtain the effect that the components and the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

【0037】その理由は、ケーブル以外に前準備する部
品は導電材によるリングおよびバンプ接点材料のみであ
り、製造工程ではケーブルを平面により切断するのみで
あるからである。
The reason is that, in addition to the cable, the only components to be prepared in advance are the ring and bump contact materials made of a conductive material, and the manufacturing process involves simply cutting the cable by a flat surface.

【0038】また、この構造では、被測定物が小型化さ
れ狭ピッチで多数の信号電極が並び、グラウンド電極が
検査ステージとなるデバイスステージ表面と接触する場
合、バンプを信号電極またリングをデバイスステージそ
れぞれに接触させることができるので、このような構造
の被測定物を測定するのに適した形状が得られるという
効果がある。
In this structure, when the object to be measured is miniaturized and a large number of signal electrodes are arranged at a narrow pitch, and when the ground electrode comes into contact with the surface of the device stage serving as the inspection stage, the bump is connected to the signal electrode or the ring. Since they can be brought into contact with each other, there is an effect that a shape suitable for measuring an object to be measured having such a structure can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)は本発明の実施の一形態を示す第一の工
程終了時の正面図およびA−A断面図、(B)は(A)
に続く第二の工程終了時のA−A断面図、(C)は
(B)に続く第三の工程終了時の正面図およびB−B断
面図、(D)は(C)に続く第四の工程終了時のB−B
断面図である。
FIG. 1A is a front view and an AA cross-sectional view at the end of a first step showing one embodiment of the present invention, and FIG.
A-A cross-sectional view at the end of the second step following the second step, (C) is a front view and BB cross-sectional view at the end of the third step following (B), and (D) is the first section following (C). BB at the end of the fourth step
It is sectional drawing.

【図2】図1の工程で製造された高周波プローブ先端の
デバイスステージにおける使用状態の一例を示す側面図
である。
FIG. 2 is a side view showing an example of a use state of a tip of the high-frequency probe manufactured in the process of FIG. 1 in a device stage.

【図3】図1(B)に続く、図1とは別の実施の一形態
に係わる工程を終了後の縦断面図である。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view following FIG. 1B after completing a process according to another embodiment different from FIG. 1;

【図4】図3に続く、図3とは別の実施の一形態に係わ
る工程を終了後の正面図、C−C断面図、およびD−D
断面図である。
FIG. 4 is a front view, a cross-sectional view taken along a line CC, and a line D-D after a process according to an embodiment different from FIG.
It is sectional drawing.

【図5】従来の一例を示す高周波プローブ先端の構造を
示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a structure of a tip of a high-frequency probe showing an example of the related art.

【図6】(A)は従来の一例を示す第一の工程終了時の
底面図、(B)は(A)に続く第二の工程終了時の底面
図、(C)は(B)に続く第三の工程終了時の底面図、
(D)は(C)に続く第四の工程終了時の底面図であ
る。
FIG. 6A is a bottom view at the end of a first step showing an example of the related art, FIG. 6B is a bottom view at the end of a second step following FIG. Bottom view at the end of the third step,
(D) is a bottom view at the end of the fourth step following (C).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 セミリジッドケーブル 11 中心導体 12 被覆導体 13 誘電体 14 先端面 15 第一斜めカット面 16 金属リング 17 金属バンプ 18 割れ目 21 デバイスステージ 22 被測定物 23 信号電極 31 第二斜めカット面 41,42 第三斜めカット面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semi-rigid cable 11 Center conductor 12 Insulated conductor 13 Dielectric 14 Tip surface 15 First oblique cut surface 16 Metal ring 17 Metal bump 18 Split 21 Device stage 22 Device under test 23 Signal electrode 31 Second oblique cut surface 41, 42 Third Diagonal cut surface

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 種橋 正夫 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 田浦 徹 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 山岸 祐一 東京都港区南麻布五丁目10番27号 アン リツ株式会社内 (72)発明者 早川 聡 東京都港区南麻布五丁目10番27号 アン リツ株式会社内 (56)参考文献 実開 昭64−46755(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 1/06 - 1/073 G01R 31/28 G01R 31/26 H01L 21/66 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Masao Tanehashi 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation (72) Inventor Tohru Taura 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Japan Inside Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yuichi Yamagishi 5-10-27 Minamiazabu, Minato-ku, Tokyo Anritsu Corporation (72) Inventor Satoshi Hayakawa 5-10-27 Minamiazabu, Minato-ku, Tokyo Anritsu Corporation (56) References JP-A 64-46755 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 1/06-1/073 G01R 31/28 G01R 31/26 H01L 21 / 66

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 内側の中心導体、外側の被覆導体、およ
びその間に挿入された誘電体それぞれが同心の状態にあ
るセミリジッドケーブルで形成される高周波プローブ先
端の構造において、先端面として前記セミリジッドケー
ブルを中心軸方向に対し垂直平面で切断して形成される
垂直カット面をほぼ中心から前記中心軸方向に対して一
つの斜め平面により切断され前記高周波プローブ先端を
被測定物に押し当てる方向に表面を有する第一の斜めカ
ット面と、前記被覆導体の周囲に嵌め込み前記被覆導体
と電気的に導通を得る導電材によるリングと、前記先端
面に露出する前記中心導体に取り付けたバンプ接点とを
備えることを特徴とする高周波プローブ先端の構造。
1. A structure of a tip of a high-frequency probe formed by a semi-rigid cable in which an inner central conductor, an outer sheathed conductor, and a dielectric material inserted therebetween are concentric, wherein the semi-rigid cable is used as a tip surface. and with respect to the central axis direction from substantially the center of the vertical cut face formed with respect to the central axis direction was cut in the vertical plane is cut with one <br/> one oblique planes the high-frequency probe tip
A first oblique cut surface having a surface in a direction of pressing against the object to be measured, a ring made of a conductive material that is fitted around the covered conductor to electrically connect to the covered conductor, and the center exposed on the distal end surface A high-frequency probe tip structure comprising: a bump contact attached to a conductor.
【請求項2】 請求項1に記載の高周波プローブ先端の2. The high-frequency probe tip according to claim 1,
構造において、更に、前記垂直カット面をほぼ中心からIn the structure, furthermore, the vertical cut surface is substantially centered.
前記中心軸方向に対して一つの斜め平面により切断し前Before cutting by one oblique plane with respect to the center axis direction
記第一の斜めカット面と逆方向に対して表面を作成するCreate a surface for the direction opposite to the first diagonal cut plane
第二の斜めカット面を備えることを特徴とする高周波プA high-frequency press having a second oblique cut surface;
ローブ先端の構造。Robe tip structure.
【請求項3】 請求項1に記載の高周波プローブ先端の
構造において、前記リングは、前記中心軸よりバンプ接
点側に割れ目を有することを特徴とする高周波プローブ
先端の構造。
3. The high-frequency probe tip structure according to claim 1, wherein the ring has a crack on the bump contact side with respect to the central axis.
【請求項4】 内側の中心導体、外側の被覆導体、およ
びその間に挿入された誘電体それぞれが同心の状態にあ
るセミリジッドケーブルで形成される高周波プローブ先
端の加工方法において、先端面として前記セミリジッド
ケーブルを中心軸方向に対し垂直平面で切断して形成さ
れる垂直カット面を作成する先端面形成工程と、この先
端面形成工程に次いで、前記垂直カット面をほぼ中心か
ら前記中心軸方向に対して一つの斜め平面により切断
、前記高周波プローブ先端を被測定物に押し当てる方
向に表面を有する第一の斜めカット面を作成する先端斜
面形成工程とを設け、更にこの先端斜面形成工程に次い
で、前記被覆導体の周囲に導電材によるリングを嵌め込
み前記被覆導体と電気的に導通を得るリング固定工程
と、前記先端面に露出する前記中心導体にバンプ接点を
取り付ける接点取付工程とを設け、これらリング固定工
程および接点取付工程のいずれか一方の工程を実行した
後に他方の工程を実行することを特徴とする高周波プロ
ーブ先端の加工方法。
4. A method for processing a tip of a high-frequency probe in which an inner central conductor, an outer sheathed conductor, and a dielectric inserted therebetween are each formed of a semi-rigid cable in a concentric state, wherein the semi-rigid cable is used as a tip surface. and the distal end face forming step of creating a vertical cut plane formed with respect to the central axis direction was cut with a vertical plane, next to the front end face forming step, and with respect to the central axis direction from the approximate center of the vertical cut surface cut by one of the oblique plane, who presses the high-frequency probe tip with the workpiece
Tip slope forming step of creating a first diagonal cut surface having a surface in the opposite direction, and further following this tip slope forming step, a ring made of a conductive material is fitted around the covered conductor and electrically connected to the covered conductor. A ring fixing step for obtaining continuity, and a contact attaching step for attaching a bump contact to the center conductor exposed on the distal end surface, and after performing one of the ring fixing step and the contact attaching step, the other step A method for processing the tip of a high-frequency probe.
【請求項5】 請求項に記載の高周波プローブ先端の
加工方法において、先端斜面形成工程は、前記第一の斜
めカット面を作成する工程に次いで、前記垂直カット面
をほぼ中心から前記中心軸方向に対して一つの斜平面に
より切断し、前記第一の斜めカット面と逆方向に対して
表面を作成する第二の斜めカット面を作成する工程を有
することを特徴とする高周波プローブ先端の加工方法。
5. The method for processing a tip of a high-frequency probe according to claim 4 , wherein, in the step of forming a slope at the tip, the step of forming the first oblique cut surface is substantially the same as the step of forming the first oblique cut surface. Cutting by one oblique plane with respect to the direction, and having a step of creating a second oblique cut surface that creates a surface in the opposite direction to the first oblique cut surface. Processing method.
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